JPH08125285A

JPH08125285A - 半導体発光装置

Info

Publication number: JPH08125285A
Application number: JP22530695A
Authority: JP
Inventors: Kenji Shimoyama; 謙司下山; Nobuyuki Hosoi; 信行細井; Hideki Goto; 秀樹後藤
Original assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Current assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Priority date: 1994-09-01
Filing date: 1995-09-01
Publication date: 1996-05-17

Abstract

(57)【要約】【課題】クラッド層の構造を最適化することにより、
素子特性の向上、コスト低減を達成すること。【解決手段】第１導電型のＡｌＧａＡｓＰ又はＡｌＧ
ａＡｓからなる第１クラッド層と、該第１クラッド層に
隣接して、第１導電型のＡｌＧａＩｎＰ又はＡｌＩｎＰ
からなる厚さ０．５μｍ以下の第２クラッド層と、該第
２のクラッド層に隣接して、第１又は第２導電型のＡｌ
ＧａＩｎＰ又はＧａＩｎＰからなる厚さ０．１μｍ未満
の活性層と、該活性層に隣接して、第２導電型のＡｌＧ
ａＩｎＰ又はＡｌＩｎＰから成る厚さ０．５μｍ以下の
第３クラッド層と、該第３クラッド層に隣接して、第２
導電型のＡｌＧａＡｓＰ又はＡｌＧａＡｓからなる第４
クラッド層を具備し、且つ該活性層への電流を狭窄する
ための電流阻止層を有することを特徴とする半導体発光
装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＡｌＧａＩｎＰ系
及びＡｌＧａＡｓＰ系半導体材料を用いた半導体発光装
置に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＡｌＧａＩｎＰ系半導体材料を用いた従
来の半導体レーザダイオード（ＬＤ）一例としては、図
２に模型的に示すような構造のものがある。すなわち図
２において、２０１は、ｎ型ＧａＡｓ基板、２０２は、
基板２０１上に形成されたｎ型ＡｌＧａＩｎＰからなる
クラッド層である。２０３は、ＡｌＧａＩｎＰからなる
活性層である。２０４は、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰからなる
クラッド層である。すなわち、ＡｌＧａＩｎＰ活性層２
０３のエネルギーギャップが、ＡｌＧａＩｎＰクラッド
層２０２及び２０４のエネルギーギャップより小さくな
るよう混晶比が設定されており、ダブルヘテロ構造をな
している。２０６はコンタクト層である。

【０００３】２０５はＧａＡｓからなる電流ブロック層
である。電流ブロック層２０５は、レーザー発振に必要
な電流密度を得るために、いわゆる、電流狭窄を行う目
的で設けられる。２０５は、層２０４を選択エッチング
してリッジを形成した後、ＳｉＮｘなどのアモルファス
膜を用いて選択成長させることによって形成する。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ＡｌＧａＩｎＰ又はＡ
ｌＩｎＰ（以下あわせてＡｌＧａＩｎＰ系化合物とい
う。）はＡｌＧａＡｓＰ又はＡｌＧａＡｓ（以下あわせ
てＡｌＧａＡｓＰ系化合物という。）と比較して、抵抗
率が高い、熱抵抗が大きい等の欠点も有しており、この
ことが素子の動作電圧を高くする、発熱を大きくするな
どといた問題点が生じており、素子の特性や信頼性の向
上において大きな課題となっている。特に、半導体レー
ザのように、電流狭窄が行なわれたり、発光密度が高く
なる場合には、上記の問題点はますます深刻になる。

【０００５】また、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ系化合物のクラ
ッド層のドーパントとして、一般的に亜鉛（Ｚｎ）が用
いられているが、Ｚｎの活性化率が低いために抵抗率を
下げるためには高濃度ドーピングを行う必要がある。し
かしながら、この場合活性化しなかったＺｎが成長中に
ＡｌＧａＩｎＰ系化合物結晶中を速い速度で拡散してい
き、ｐｎ接合位置が発光層よりもｎ側に大きくずれたり
することがある。この場合、電流電圧特性に異常をもた
らしたり、レーザーのしきい値電流を増加させたりす
る。このようなｐ型ＡｌＧａＩｎＰ系化合物層からのＺ
ｎ拡散は、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ系化合物層の層厚の増加
に伴って、顕著になる。また、レーザーのように発光層
の厚みが比較的薄い場合には、Ｚｎ拡散による電流電圧
特性の異常が生じやすくなる。ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ系化
合物層には、拡散係数の小さいＳｉが有効である。

【０００６】通常ダブルヘテロ構造を用いた場合、活性
層へのキャリア及び光の閉じ込めを充分に行うために、
クラッド層の膜厚として１〜２μｍ程度は必要となる。
有機金属気相成長法でＡｌＧａＩｎＰ系化合物を成長す
るとき、 III族原料となる有機金属とＶ族原料となるＰ
Ｈ₃との供給モル比（Ｖ／ III）を非常に大きくする必
要がある。このために、成長速度を余り大きく取れな
い、成長原料コストがＡｌＧａＡｓ系化合物などに比べ
てかなり高くなるといった問題が生じている。特に多数
枚同時成長可能な量産用の大型装置においてはこれ以外
に除害等の点でますます深刻となる。

【０００７】

【課題を解決するための手段】そこで本発明者らは、Ａ
ｌＧａＩｎＰ又はＧａＩｎＰからなる活性層を有する半
導体発光装置において、発光素子の素子特性を劣化させ
ない程度にＺｎドープのｐ型ＡｌＧａＩｎＰ系化合物ク
ラッド層の厚みを薄くして活性層及びｎ側クラッドへの
Ｚｎ拡散を少なくさせることに想到し、ただし、活性層
上下のＡｌＧａＩｎＰ系化合物クラッド層の膜厚を薄く
すると、キャリア及び光の閉じ込めが不十分となり、素
子特性を劣化させてしまうので、不足分をほぼ同じバン
ドギャップと屈折率を持つＡｌＧａＡｓＰ系化合物で代
用ができることを見出した。また、ｎ型ＡｌＧａＡｓＰ
系化合物は同程度のキャリア濃度を有するＡｌＧａＩｎ
Ｐ系化合物よりもＺｎ拡散が起こりにくいために、ｎ型
ＡｌＧａＩｎＰ系化合物クラッドの層厚も薄い方がＺｎ
拡散によるｐｎ接合位置のシフトを防ぐことにも有効で
あること、さらに、ＡｌＧａＩｎＰ系化合物クラッド層
の薄膜化は動作電圧の低減、熱抵抗の低減にも有効であ
ること、量産化の観点からも、成長時間、原料コスト及
び除害等の点で、ＡｌＧａＩｎＰ系化合物層を極力薄く
し、ＡｌＧａＡｓＰ系化合物を多く用いる方が有効であ
ること等を見出し、本発明に到達した。すなわち、本発
明の要旨は、第１導電型のＡｌＧａＡｓＰ又はＡｌＧａ
Ａｓからなる第１クラッド層と、該第１クラッド層に隣
接して、第１導電型のＡｌＧａＩｎＰ又はＡｌＩｎＰか
らなる厚さ０．５μｍ以下の第２クラッド層と、該第２
のクラッド層に隣接して、第１又は第２導電型のＡｌＧ
ａＩｎＰ又はＧａＩｎＰからなる厚さ０．１μｍ未満の
活性層と、該活性層に隣接して、第２導電型のＡｌＧａ
ＩｎＰ又はＡｌＩｎＰから成る厚さ０．５μｍ以下の第
３クラッド層と、該第３クラッド層に隣接して、第２導
電型のＡｌＧａＡｓＰ又はＡｌＧａＡｓからなる第４ク
ラッド層を具備し、且つ該活性層への電流を狭窄するた
めの電流阻止層を有することを特徴とする半導体発光装
置に存する。

【０００８】以下本発明をより詳細に説明する。本発明
の半導体発光装置は、第１導電型のＡｌＧａＡｓＰ系化
合物からなる第１クラッド層と、該第１クラッド層に隣
接して、第１導電型のＡｌＧａＩｎＰ系化合物からなる
厚さ０．５μｍ以下の第２クラッド層と、該第２のクラ
ッド層に隣接して、第１又は第２導電型のＡｌＧａＩｎ
Ｐ又はＧａＩｎＰからなる厚さ０．１μｍ未満の活性層
と、該活性層に隣接して、第２導電型のＡｌＧａＩｎＰ
系化合物から成る厚さ０．５μｍ以下の第３クラッド層
と、該第３クラッド層に隣接して、第２導電型のＡｌＧ
ａＡｓＰ系化合物からなる第４クラッド層を具備し、且
つ該活性層への電流を狭窄するための電流阻止層を有す
ることを特徴としている。なお、本発明の半導体発光装
置の各層中の構成元素の含有割合は、基板および各層間
の格子整合を考慮して決定すればよい。以下に、本発明
の発光装置をレーザダイオードとして実現した態様の一
例である、図１の素子を用いて説明する。

【０００９】図１は本発明の半導体装置の一例であり、
実施例にて製造した装置の説明図である。本発明の装置
を製造する際には、通常単結晶基板上に構成される。そ
してこの基板１０１としては、特に限定されないが、通
常ＧａＡｓ基板が用いられる。基板上には、通常基板の
欠陥をエピタキシャル成長層に持ち込まないために２μ
ｍ以下程度のバッファ層１０２を用いることが好まし
い。そしてこのバッファ層上に本発明の第１，第２クラ
ッド層、活性層、第３，第４クラッド層がこの順に積層
され、そして活性層への電流を狭窄し、活性層での電流
密度を向上させるための電流阻止層を設けてある。第１
クラッド層１０３としては、第１導電型のＡｌＧａＡｓ
Ｐ系化合物であって、その厚さは通常０．３〜３μｍが
好ましい。そしてより好ましい第１クラッド層の厚さは
下限として０．５μｍ以上であり、上限として１．５μ
ｍである。そしてそのキャリア濃度としては、１×１０
¹⁷ｃｍ^-3〜３×１０¹⁸ｃｍ^-3の範囲が好ましく、特に好
ましくは、下限として２×１０¹⁷ｃｍ^-3、上限として２
×１０¹⁸ｃｍ^-3の範囲である。

【００１０】そして第１クラッド層上に、第１導電型の
ＡｌＧａＩｎＰ系化合物からなる厚さ０．５μｍ以下の
第２クラッド層１０４が積層されている。この層の厚さ
のより好ましい下限としては０．０１μｍ以上であり、
上限としては０．３μｍである。そしてそのキャリア濃
度としては、１×１０¹⁷ｃｍ^-3〜３×１０¹⁸ｃｍ^-3の範
囲が好ましく、特に好ましくは、下限として２×１０¹⁷
ｃｍ^-3、上限として２×１０¹⁸ｃｍ^-3の範囲である。

【００１１】この第２のクラッド層の上に第１又は第２
導電型のＡｌＧａＩｎＰ又はＧａＩｎＰからなる厚さ
０．１μｍ未満の活性層１０５が積層される。活性層と
しては、量子井戸構造の活性層を用いてもよい。活性層
のキャリア濃度は特に限定されず、むしろ特に不純物ド
ープをすることなく、アンドープの状態（この場合でも
わずかに第１又は第２導電型になっている）であること
が、素子の性能の安定化の点からより好ましい。

【００１２】そしてかかる活性層の上に第２導電型のＡ
ｌＧａＩｎＰ系化合物から成る厚さ０．５μｍ以下の第
３クラッド層１０６が積層される。そしてそのキャリア
濃度としては、１×１０¹⁷ｃｍ^-3〜３×１０¹⁸ｃｍ^-3の
範囲が好ましく、特に好ましくは、下限として２×１０
¹⁷ｃｍ^-3、上限として２×１０¹⁸ｃｍ^-3の範囲である。

【００１３】さらにこの第３クラッド層の上に、第２導
電型のＡｌＧａＡｓＰ系化合物からなる第４クラッド層
１０７を積層する。そしてその厚さとしては０．３〜３
μｍの範囲が好ましく、そしてより好ましい範囲は、下
限として０．５μｍ、上限として１．５μｍである。キ
ャリア濃度としては、１×１０¹⁷ｃｍ^-3〜３×１０¹⁸ｃ
ｍ^-3の範囲が好ましく、特に好ましくは、下限として２
×１０¹⁷ｃｍ^-3、上限として２×１０¹⁸ｃｍ^-3の範囲で
ある。

【００１４】本発明に用いられる電流阻止層１０８は、
活性層における電流密度を、素子に流す電流は変えずに
増加させること等の理由により設けられる層である。電
流阻止層の位置としては、特に限定されないが、平坦な
活性層や良質のエピタキシャル成長層が得られやすいた
め、活性層からみて、基板の反対側にあることが、ＭＯ
ＣＶＤ法等の気相成長の場合好ましい。

【００１５】又、活性層の側面に存在させることは、電
流狭窄の点からは最良である。しかしながら活性層にダ
メージを与えやすいためより好ましくは、第３クラッド
層の直前又は第３クラッド層の一部に電流阻止層が広が
っている構造が好ましい。そして電流阻止層の導電型
は、高抵抗のアンドープ層であるか、又は隣接するクラ
ッド層と逆の導電型にすることが好ましい。また、あま
り薄いと電流阻止に支障を生じる可能性があるため、
０．１μｍ以上、より好ましくは０．５μｍ以上の厚さ
があることが好ましく、素子としてのサイズ等を勘案し
て、０．１〜３μｍ程度の範囲から選択すればよい。そ
してレーザ素子の特性向上のためには、該電流阻止層
が、ＡｌＧａＡｓＰ又はＡｌＧａＡｓからなり、かつ該
電流阻止層の屈折率が、電流路となる該リッジ構造部分
の屈折率よりも小さいことがより好ましい。

【００１６】上述のクラッド層等のドーパントの種類と
しては、ｐ型の層がＡｌＧａＡｓＰ系化合物層である場
合にはドーピング不純物として炭素が好ましく、ｐ型の
層がＡｌＧａＩｎＰ系化合物である場合にはドーピング
不純物としてベリリウム及び／又はマグネシウムが好ま
しい。又ｎ型ドーピング不純物としてはシリコンが好ま
しい。

【００１７】これ以外の層としては、キャップ層１０
９、コンタクト層１１０、保護層１１２等を常法に従っ
て作製すればよい。以下本発明を実施例を用いてより詳
細に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、実
施例に限定されるものではない。

【００１８】

【実施例】以下、本発明の実施例を詳細に説明する。本
実施例では、結晶成長法として、膜厚、組成の制御性及
び量産性に優れるＭＯＶＰＥ法を用いた。使用した原料
ガスはトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、トリメチル
ガリウム（ＴＭＧ）、トリメチルインジウム（ＴＭ
Ｉ）、ホスフィン（ＰＨ₃）、アルシン（ＡｓＨ₃）で
あり、キャリアガスとして精製により高純度化された水
素（Ｈ₂）ガスを使用した。

【００１９】図１に示すような本発明のレーザーダイオ
ードの製造に用いるエピタキシャルウェハを以下に述べ
る手順で製造した。まず、ｎ型ＧａＡｓ（１００）基板
１０１上にｎ型ＧａＡｓバッファー層１０２（厚み０．
５μｍ）、ｎ型Ａｌ_0.7Ｇａ _0.3Ａｓ第１クラッド層１
０３（厚み１．０μｍ）、ｎ型（Ａｌ_0.7Ｇａ_0.3）
_0.5Ｉｎ_0.5Ｐ第２クラッド層１０４（厚み０．２μ
ｍ）、活性層１０５をＧａ _0.5Ｉｎ_0.5Ｐ（０．０６μ
ｍ）、ｐ型（Ａｌ_0.7Ｇａ_0.3）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐ第３ク
ラッド層１０６（厚み０．２μｍ）、ｐ型Ａｌ_0.7Ｇａ
_0.3Ａｓクラッド層１０７（厚み１．０μｍ）、ｐ型Ｇ
ａＡｓキャップ層１０９（厚み０．２μｍ）を順次成長
させた（図３）。

【００２０】次に、リッジを形成するためにリッジを形
成する部分にＳｉＮｘ膜１１１を形成した。続いて、第
４クラッド層１０７及びキャップ層１０９をエッチング
し、第３クラッド層１０６の表面でエッチングを停止さ
せた。その結果、図４に示すようなリッジが形成され
た。このときＧａＡｓキャップ層及びＡｌＧａＡｓクラ
ッド層のエッチングには、リン酸−過酸化水素系、酒石
酸−過酸化水素系などが用いられる。これらのエッチン
グでは、ＡｌＧａＩｎＰのエッチングレートはＡｌＧａ
Ａｓに比べて非常に遅くなるため、制御性よくリッジ外
側の部分の層厚を決めることができる。

【００２１】リッジが形成されたウェハをＭＯＣＶＤ装
置に設置して、図５に示すように、ｎ型Ａｌ_0.8Ｇａ
_0.2Ａｓ層１０８を電流阻止層として、キャップ層１０
９を含むリッジ部の側面及びエッチングされた層１０７
上にＭＯＣＶＤ法により０．８μｍ成長させる。さらに
電流阻止層１０８上に保護層としてｎ型ＧａＡｓ層１１
２を０．２μｍ成長させた。このとき、Ａｌ_0.8Ｇａ
_0.2Ａｓ層のＳｉＮｘ膜上への多結晶の堆積を抑制する
迄に成長中に微量のＨＣｌガスを成長空間に導入した。

【００２２】図１に示すようにＳｉＮｘ膜１１１を除去
した後、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１１０を２μｍ成長
させて本発明のエピタキシャルウェハの製造を終了し
た。得られたエピタキシャルウェハに電極を蒸着した
後、ダイシングし、劈開により、ファブリー・ペロー面
を形成してレーザダイオードを作成した。しきい値電流
は２０ｍＡと非常に低く、かつ面内での均一性も２イン
チウェハで±５％程度と非常に良好であった。さらに従
来のＡｌＧａＩｎＰリッジに対してＡｌＧａＡｓをリッ
ジに用いたことにより、素子抵抗も約半分に低減でき
た。

【００２３】上記実施例における結晶成長条件は、成長
温度６５０〜７５０℃、圧力１０²ｈＰａ、Ｖ／III 比
２５〜５０（ＡｌＧａＡｓ）及び５００〜７５０（Ａｌ
ＧａＩｎＰ，ＧａＩｎＰ）、成長速度１〜５μｍ／ｈｒ
（ＡｌＧａＡｓ）及び０．５〜２μｍ／ｈｒ（ＡｌＧａ
ＩｎＰ，ＧａＩｎＰ）であった。上記実施例では基板側
をｎ型の基板を用いたが、ｐ型基板を用いて上記の構造
の各層の導電型を反転させてエピタキシャルウェハを作
製させてもよい。また、結晶成長法はＭＯＶＰＥ法に限
定されるものではなく、ＭＢＥ法、ＣＢＥ法等の気相成
長法においても本発明は大いに有効である。

【００２４】半導体レーザにおいては活性層の膜厚が比
較的薄いために（通常０．１μｍ以下）、亜鉛およびセ
レンのような拡散係数の大きい不純物をドーパントに用
いると、クラッド層のドーパントが、活性層を通りこし
て反対側の層へ拡散してしまい、レーザ特性を大きく劣
化させてしまったり、再現性を大きく損なうという問題
を生じ易かった。Ｚｎ拡散を抑制するための方法とし
て、ｎ側クラッドのキャリア濃度を上げることを試みた
が、表面モホロジー不良や非発光センターの増大等の結
晶品質の劣化により、素子特性を悪化させてしまった。
そこで、本発明のようにＡｌＧａＩｎＰクラッド層の厚
みを極力薄くすることにより、トータルの不純物拡散量
を低減させることができ、拡散を防止するための余分な
ドービングが不要になった。そのためにｎ型クラッド層
のキャリア濃度を１×１０¹⁸ｃｍ^-3以下に抑えることが
でき、結晶品質及び素子特性を向上できる。

【００２５】活性層を量子井戸構造等のような超薄膜に
すると、上述の不純物の拡散の抑制はますます必要とな
る。そこで本発明では、ｐ型ＡｌＧａＡｓＰ系化合物ク
ラッド層のドーピング不純物として炭素を、ｐ型ＡｌＧ
ａＩｎＰ系化合物クラッド層のドーピング不純物として
ベリリウムあるいはマグネシウムを、ｎ型ＡｌＧａＡｓ
Ｐ系化合物クラッド層及びｎ型ＡｌＧａＩｎＰ系化合物
クラッド層のドーピング不純物としてシリコンをそれぞ
れ用いることにより不純物拡散をさらに低減させ、素子
作製の歩留りや再現性を大きく向上させることができ
る。

【００２６】又、ＡｌＧａＡｓＰ系化合物はＡｌＧａＩ
ｎＰ系化合物と比較して、抵抗率が低い、熱抵抗が低い
等の利点も有しており、電流狭窄のために形成されるリ
ッジ部をＡｌＧａＡｓＰ系化合物にすることにより、従
来の素子構造に比べて素子の動作電圧及び発熱を低減す
ることができた。このことにより、素子の特性や信頼性
の向上もはかることができた。

【００２７】さらに、ＡｌＧａＩｎＰ系化合物に特有な
原子配列の秩序化によるバンドギャップの減少の抑制、
すなわち発光波長の長波長化の抑制、あるいは表面モホ
ロジーの良化及び安定化に関しては面方位を（１００）
から〔０１１〕方向に５〜２５度傾斜させた第１導電型
のＧａＡｓ基板を用いることが有効である。また、発光
層のＡｌ組成の低減化は、素子の信頼性、寿命の向上の
点で重要であるが、これは、ＧａＡｓＰ基板を用いるこ
とにより容易に達成することができる。このときは、格
子整合を取るためにＡｌＧａＡｓＰクラッドを用いれば
よい。

【００２８】さらに、本発明により成長時間及び原料コ
ストの低減かつ除害等の装置への負担の軽減を大いには
かることができ、多数枚同時成長可能な大型の量産装置
による安定生産が可能となる。

【００２９】

【発明の効果】本発明によれば、ＡｌＧａＩｎＰ又はＧ
ａＩｎＰからなる活性層を挟むクラッド層の構造を最適
化することにより、発光素子の特性及び信頼性を向上さ
せることができ、かつ原料コストの低減も可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は本発明の発光素子の一例を示す説明図で
ある。

【図２】図２は従来の発光素子の一例を示す説明図であ
る。

【図３】図３は本発明の発光素子の製造方法を説明する
ための図である。

【図４】図４は本発明の発光素子の製造方法を説明する
ための図である。

【図５】図５は本発明の発光素子の製造方法を説明する
ための図である。

【符号の説明】

１０１基板１０２バッファ層１０３第１クラッド層１０４第２クラッド層１０５活性層１０６第３クラッド層１０７第４クラッド層１０８電流阻止層１０９キャップ層１１０コンタクト層１１１ＳｉＮｘ膜１１２保護層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】第１導電型のＡｌＧａＡｓＰ又はＡｌＧ
ａＡｓからなる第１クラッド層と、該第１クラッド層に
隣接して、第１導電型のＡｌＧａＩｎＰ又はＡｌＩｎＰ
からなる厚さ０．５μｍ以下の第２クラッド層と、該第
２のクラッド層に隣接して、第１又は第２導電型のＡｌ
ＧａＩｎＰ又はＧａＩｎＰからなる厚さ０．１μｍ未満
の活性層と、該活性層に隣接して、第２導電型のＡｌＧ
ａＩｎＰ又はＡｌＩｎＰから成る厚さ０．５μｍ以下の
第３クラッド層と、該第３クラッド層に隣接して、第２
導電型のＡｌＧａＡｓＰ又はＡｌＧａＡｓからなる第４
クラッド層を具備し、且つ該活性層への電流を狭窄する
ための電流阻止層を有することを特徴とする半導体発光
装置。
【請求項２】該第１クラッド層及び／又は第４クラッ
ド層が、ＡｌＧａＡｓＰ又はＡｌＧａＡｓからなるリッ
ジ構造を有しており、該リッジ構造の左右に電流阻止層
を具備している請求項１記載の半導体発光装置。
【請求項３】該電流阻止層が、接しているクラッド層
と逆導電型であるか又は高抵抗半導体である請求項１又
は２に記載の半導体発光装置。
【請求項４】該電流阻止層が、ＡｌＧａＡｓからなる
リッジ側壁及びＡｌＧａＩｎＰ又はＡｌＩｎＰからなる
底面に接している請求項１乃至３のいずれかに記載の半
導体発光装置。
【請求項５】該電流阻止層が、ＡｌＧａＡｓＰ又はＡ
ｌＧａＡｓからなり、かつ該電流阻止層の屈折率が、電
流路となる該リッジ構造部分の屈折率よりも小さい請求
項１乃至４のいずれかに記載の半導体発光装置。
【請求項６】前記クラッド層のうち、ｎ型の層のキャ
リア濃度が１×１０ ¹⁸ｃｍ^-3以下である請求項１乃至５
のいずれかに記載の半導体発光装置。
【請求項７】第１クラッド層及び第４クラッド層のう
ち、ｐ型の層がＡｌＧａＡｓＰ又はＡｌＧａＡｓ層であ
って、かつ該ｐ型層がドーピング不純物として炭素を含
む請求項１乃至６のいずれか記載の半導体発光装置。
【請求項８】第２クラッド層及び第３クラッド層のう
ち、ｐ型の層がＡｌＧａＩｎＰ又はＡｌＩｎＰであっ
て、かつ該ｐ型層がドーピング不純物としてベリリウム
及び／又はマグネシウムを含む請求項１乃至７のいずれ
か記載の半導体発光装置。
【請求項９】ｎ型ドーピング不純物としてシリコンを
用いた請求項１乃至８のいずれか記載の半導体発光装
置。