JPH08125332A - 多層配線基板の製造方法 - Google Patents
多層配線基板の製造方法Info
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- JPH08125332A JPH08125332A JP23183194A JP23183194A JPH08125332A JP H08125332 A JPH08125332 A JP H08125332A JP 23183194 A JP23183194 A JP 23183194A JP 23183194 A JP23183194 A JP 23183194A JP H08125332 A JPH08125332 A JP H08125332A
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Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】有機高分子材料を層間絶縁膜として用いた多層
配線基板の製造において、層間接続の歩留まりを向上さ
せる製造方法を提供する。 【構成】基板１上に有機高分子材料からなる絶縁膜２を
形成した後、下地導体膜３ａおよび導体６ａからなる１
層目の配線を形成する工程と、有機高分子材料からなる
層間絶縁膜７を形成する工程と、バイアホール８ａ，８
ｂ，８ｃ，８ｄを形成する工程と、下地導体膜３ｂを形
成した後、ポジ型のフォトレジスト層４を形成する工程
と、配線パターンを露光する工程と、バイアホール部分
をバイアホール設計径Ｘよりも大きい露光径Ｚでさらに
露光する工程と、ポジ型のフォトレジスト層４を現像し
て配線パターンを形成し、露出した下地導体膜上に導体
６ｂを形成して２層目の配線を形成する工程と、フォト
レジスト４、および導体６ｂの形成されていない下地導
体膜３ｂを除去する工程とからなる。
配線基板の製造において、層間接続の歩留まりを向上さ
せる製造方法を提供する。 【構成】基板１上に有機高分子材料からなる絶縁膜２を
形成した後、下地導体膜３ａおよび導体６ａからなる１
層目の配線を形成する工程と、有機高分子材料からなる
層間絶縁膜７を形成する工程と、バイアホール８ａ，８
ｂ，８ｃ，８ｄを形成する工程と、下地導体膜３ｂを形
成した後、ポジ型のフォトレジスト層４を形成する工程
と、配線パターンを露光する工程と、バイアホール部分
をバイアホール設計径Ｘよりも大きい露光径Ｚでさらに
露光する工程と、ポジ型のフォトレジスト層４を現像し
て配線パターンを形成し、露出した下地導体膜上に導体
６ｂを形成して２層目の配線を形成する工程と、フォト
レジスト４、および導体６ｂの形成されていない下地導
体膜３ｂを除去する工程とからなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＬＳＩ等の電子部品の
実装基板として用いられる多層配線基板の製造方法に関
する。
実装基板として用いられる多層配線基板の製造方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】最近、ＬＳＩ等の電子部品を実装する回
路基板において、高密度化・高速度化の要請が高まって
いる。これを実現するために、フォトリソグラフィーの
技術を用いて回路配線を形成し、層間絶縁膜には低誘電
率の有機高分子材料を用い、バイアホールによって層間
を接続する多層配線の形成方法が実施されている。この
バイアホールの形成には、層間絶縁膜をドライおよびウ
エットのエッチングをする方法や、感光性の層間絶縁膜
を露光、現像する方法が採用されている。その中で、特
に微細な配線を形成しようとするときには、配線形成に
ポジ型のフォトレジストを用いる場合が多い。
路基板において、高密度化・高速度化の要請が高まって
いる。これを実現するために、フォトリソグラフィーの
技術を用いて回路配線を形成し、層間絶縁膜には低誘電
率の有機高分子材料を用い、バイアホールによって層間
を接続する多層配線の形成方法が実施されている。この
バイアホールの形成には、層間絶縁膜をドライおよびウ
エットのエッチングをする方法や、感光性の層間絶縁膜
を露光、現像する方法が採用されている。その中で、特
に微細な配線を形成しようとするときには、配線形成に
ポジ型のフォトレジストを用いる場合が多い。
【０００３】以下、感光性の有機高分子材料を層間絶縁
膜に用い、ポジ型のフォトレジストを用いてセミアディ
ティブ法により配線を形成する多層配線基板の製造方法
を図面に基づき説明する。図２は多層配線基板の製造工
程を示す断面図である。
膜に用い、ポジ型のフォトレジストを用いてセミアディ
ティブ法により配線を形成する多層配線基板の製造方法
を図面に基づき説明する。図２は多層配線基板の製造工
程を示す断面図である。
【０００４】まず、図２（ａ）に示すように、基板１上
の有機高分子材料からなる絶縁膜２の上に１層目の下地
導体膜３ａを形成し、その上にポジ型のフォトレジスト
層４を形成した後、１層目用のポジ型のフォトマスク５
ａを用いて１層目の配線パターンを露光する。次に、こ
れを現像して１層目の配線パターンを得た後、露出した
下地導体膜３ａの上に電解めっき膜を析出させて１層目
の導体６ａを形成する（セミアディティブ法）。その
後、フォトレジスト層４、および下地導体膜３ａのうち
で導体６ａが形成されていない部分を除去して、図２
（ｂ）に示す１層目の配線を得る。
の有機高分子材料からなる絶縁膜２の上に１層目の下地
導体膜３ａを形成し、その上にポジ型のフォトレジスト
層４を形成した後、１層目用のポジ型のフォトマスク５
ａを用いて１層目の配線パターンを露光する。次に、こ
れを現像して１層目の配線パターンを得た後、露出した
下地導体膜３ａの上に電解めっき膜を析出させて１層目
の導体６ａを形成する（セミアディティブ法）。その
後、フォトレジスト層４、および下地導体膜３ａのうち
で導体６ａが形成されていない部分を除去して、図２
（ｂ）に示す１層目の配線を得る。
【０００５】次に、図２（ｃ）に示すように、ネガ型の
感光性の有機高分子材料からなる層間絶縁膜７を形成し
た後、ネガ型のフォトマスク５ｂを用いてバイアホール
のパターンを露光する。その後、これを現像して、図２
（ｄ）に示すバイアホール８を形成する。
感光性の有機高分子材料からなる層間絶縁膜７を形成し
た後、ネガ型のフォトマスク５ｂを用いてバイアホール
のパターンを露光する。その後、これを現像して、図２
（ｄ）に示すバイアホール８を形成する。
【０００６】その後、同様にして、図２（ｅ）に示すよ
うに、２層目の下地導体膜３ｂを形成し、その上にポジ
型のフォトレジスト層４を形成した後、２層目用のポジ
型のフォトマスク５ｃを用いて２層目の配線パターンを
露光する。次に、図２（ｆ）に示すように、多重露光用
のポジ型のフォトマスク５ｄを用いてバイアホールの部
分をさらに露光し、バイアホール内のフォトレジストに
光を照射する。その後、これを現像して、図２（ｇ）に
示す通り、２層目配線パターンを得る。
うに、２層目の下地導体膜３ｂを形成し、その上にポジ
型のフォトレジスト層４を形成した後、２層目用のポジ
型のフォトマスク５ｃを用いて２層目の配線パターンを
露光する。次に、図２（ｆ）に示すように、多重露光用
のポジ型のフォトマスク５ｄを用いてバイアホールの部
分をさらに露光し、バイアホール内のフォトレジストに
光を照射する。その後、これを現像して、図２（ｇ）に
示す通り、２層目配線パターンを得る。
【０００７】次に、露出した２層目の下地導体膜上に電
解めっき膜を析出させて２層目の導体６ｂを形成する。
その後、フォトレジスト４、および下地導体膜３ｂのう
ちで導体６ｂが形成されていない部分を除去して、図２
（ｈ）に示す２層配線基板を得る。さらに多層化する場
合は、以降同じ操作を繰り返す。
解めっき膜を析出させて２層目の導体６ｂを形成する。
その後、フォトレジスト４、および下地導体膜３ｂのう
ちで導体６ｂが形成されていない部分を除去して、図２
（ｈ）に示す２層配線基板を得る。さらに多層化する場
合は、以降同じ操作を繰り返す。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来の多層配線基板の
製造方法の問題点を、図面に基づき説明する。図３
（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は、それぞれ多層配線
基板の製造工程を示す断面図である図２（ｄ）、
（ｆ）、（ｇ）、（ｈ）に対応する詳細断面図である。
図３において、８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄはそれぞれ断面
形状の異なるバイアホール、Ｘはバイアホールの設計
径、Ｙは照射光、Ｚは露光径、４ａはポジ型のフォトレ
ジスト層の光が照射されない部分、４ｂは現像後バイア
ホール内に残るポジ型のフォトレジスト層である。その
他の部分は図２と同一であるので、同一番号を付して、
説明は省略する。
製造方法の問題点を、図面に基づき説明する。図３
（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は、それぞれ多層配線
基板の製造工程を示す断面図である図２（ｄ）、
（ｆ）、（ｇ）、（ｈ）に対応する詳細断面図である。
図３において、８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄはそれぞれ断面
形状の異なるバイアホール、Ｘはバイアホールの設計
径、Ｙは照射光、Ｚは露光径、４ａはポジ型のフォトレ
ジスト層の光が照射されない部分、４ｂは現像後バイア
ホール内に残るポジ型のフォトレジスト層である。その
他の部分は図２と同一であるので、同一番号を付して、
説明は省略する。
【０００９】従来の多層配線基板の製造方法において
は、２層目以降の配線形成において、フォトレジスト４
で配線パターンを形成する際、感光性の有機高分子材料
からなる層間絶縁膜７に形成されたバイアホール８ａ、
８ｂ、８ｃ、８ｄは、層間絶縁膜７の表面部より一段深
くなっているため、最深部まで光が到達しにくい。この
ためバイアホール８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄの部分を別に
長時間露光し、バイアホール８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄの
中にフォトレジスト４が残るのを防ぐ工夫がなされてい
る（多重露光）。
は、２層目以降の配線形成において、フォトレジスト４
で配線パターンを形成する際、感光性の有機高分子材料
からなる層間絶縁膜７に形成されたバイアホール８ａ、
８ｂ、８ｃ、８ｄは、層間絶縁膜７の表面部より一段深
くなっているため、最深部まで光が到達しにくい。この
ためバイアホール８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄの部分を別に
長時間露光し、バイアホール８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄの
中にフォトレジスト４が残るのを防ぐ工夫がなされてい
る（多重露光）。
【００１０】しかしながら、感光性の有機高分子材料か
らなる層間絶縁膜７が厚くなるにつれて、形成されるバ
イアホールは、図３（ａ）に示すように、バイアホール
の設計径Ｘに対して縦穴の上部が大きくなるテーパー型
のバイアホール８ｂ、逆に縦穴の下部が大きくなる逆テ
ーパー型のバイアホール８ｃ、穴の中央部が膨らむ紡錘
型のバイアホール８ｄ等となり、垂直型のバイアホール
８ａが形成されにくくなる。これは、層間絶縁膜の厚み
が厚くなるにしたがって、層間絶縁膜内での照射光の散
乱等が無視できなくなって、実質的な露光範囲が特に層
間絶縁膜の厚み方向で変動するためと考えられる。
らなる層間絶縁膜７が厚くなるにつれて、形成されるバ
イアホールは、図３（ａ）に示すように、バイアホール
の設計径Ｘに対して縦穴の上部が大きくなるテーパー型
のバイアホール８ｂ、逆に縦穴の下部が大きくなる逆テ
ーパー型のバイアホール８ｃ、穴の中央部が膨らむ紡錘
型のバイアホール８ｄ等となり、垂直型のバイアホール
８ａが形成されにくくなる。これは、層間絶縁膜の厚み
が厚くなるにしたがって、層間絶縁膜内での照射光の散
乱等が無視できなくなって、実質的な露光範囲が特に層
間絶縁膜の厚み方向で変動するためと考えられる。
【００１１】また、有機高分子材料からなる層間絶縁膜
をドライまたはウエットのエッチング法によってバイア
ホールを形成する場合においても、層間絶縁膜の厚みが
厚くなるにしたがって、実質的なエッチング範囲が層間
絶縁膜の厚み方向で変動するため、垂直型のバイアホー
ルは形成されにくくなる。
をドライまたはウエットのエッチング法によってバイア
ホールを形成する場合においても、層間絶縁膜の厚みが
厚くなるにしたがって、実質的なエッチング範囲が層間
絶縁膜の厚み方向で変動するため、垂直型のバイアホー
ルは形成されにくくなる。
【００１２】したがって、従来のように、配線パターン
の露光に引き続き多重露光を行なうとき、３（ｂ）に示
すように多重露光の露光径Ｚをバイアホールの設計径Ｘ
と同じ大きさとした場合には、ポジ型のフォトレジスト
層４に光の照射されない部分４ａが生じ、図３（ｃ）に
示すように、現像後その部分にフォトレジスト層４ｂが
残る。したがって、その部分には電解メッキが析出せ
ず、図３（ｄ）に示すように、２層目の導体６ｂが１層
目の導体６ａにつながらないものが発生するという問題
点を有していた。
の露光に引き続き多重露光を行なうとき、３（ｂ）に示
すように多重露光の露光径Ｚをバイアホールの設計径Ｘ
と同じ大きさとした場合には、ポジ型のフォトレジスト
層４に光の照射されない部分４ａが生じ、図３（ｃ）に
示すように、現像後その部分にフォトレジスト層４ｂが
残る。したがって、その部分には電解メッキが析出せ
ず、図３（ｄ）に示すように、２層目の導体６ｂが１層
目の導体６ａにつながらないものが発生するという問題
点を有していた。
【００１３】そこで、本発明の目的は、有機高分子材料
を層間絶縁膜として用いた多層配線基板の製造におい
て、バイアホール内部にフォトレジストが残るのを防止
して、層間接続の歩留まりを向上させる製造方法を提供
することにある。
を層間絶縁膜として用いた多層配線基板の製造におい
て、バイアホール内部にフォトレジストが残るのを防止
して、層間接続の歩留まりを向上させる製造方法を提供
することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の多層配線基板の製造方法は次の工程よりな
る。 （ａ）基板上に有機高分子材料からなる絶縁膜を形成し
た後、該絶縁膜上に１層目の配線を形成する工程 （ｂ）１層目の配線を形成した基板上に、有機高分子材
料からなる層間絶縁膜を形成する工程 （ｃ）層間絶縁膜にバイアホールを形成する工程 （ｄ）層間絶縁膜およびバイアホール部分に下地導体膜
を形成した後、ポジ型のフォトレジスト層を形成する工
程 （ｅ）ポジ型のフォトレジスト層にフォトマスクを用い
て配線パターンを露光する工程 （ｆ）バイアホール部分をバイアホール設計径よりも大
きい露光径を有するフォトマスクを用いてさらに露光す
る工程 （ｇ）ポジ型のフォトレジスト層を現像して配線パター
ンを形成し、露出した下地導体膜上に導体を形成して２
層目の配線を形成する工程 （ｈ）フォトレジスト、および導体の形成されていない
下地導体膜を除去する工程。
め、本発明の多層配線基板の製造方法は次の工程よりな
る。 （ａ）基板上に有機高分子材料からなる絶縁膜を形成し
た後、該絶縁膜上に１層目の配線を形成する工程 （ｂ）１層目の配線を形成した基板上に、有機高分子材
料からなる層間絶縁膜を形成する工程 （ｃ）層間絶縁膜にバイアホールを形成する工程 （ｄ）層間絶縁膜およびバイアホール部分に下地導体膜
を形成した後、ポジ型のフォトレジスト層を形成する工
程 （ｅ）ポジ型のフォトレジスト層にフォトマスクを用い
て配線パターンを露光する工程 （ｆ）バイアホール部分をバイアホール設計径よりも大
きい露光径を有するフォトマスクを用いてさらに露光す
る工程 （ｇ）ポジ型のフォトレジスト層を現像して配線パター
ンを形成し、露出した下地導体膜上に導体を形成して２
層目の配線を形成する工程 （ｈ）フォトレジスト、および導体の形成されていない
下地導体膜を除去する工程。
【００１５】また、バイアホールは、感光性の有機高分
子材料からなる層間絶縁膜を露光、現像して形成する
か、または、有機高分子材料からなる層間絶縁膜をドラ
イまたはウエットのエッチングをして形成することを特
徴とする。
子材料からなる層間絶縁膜を露光、現像して形成する
か、または、有機高分子材料からなる層間絶縁膜をドラ
イまたはウエットのエッチングをして形成することを特
徴とする。
【００１６】また、配線はセミアディティブ法またはフ
ルアディティブ法で形成することを特徴とする。
ルアディティブ法で形成することを特徴とする。
【００１７】そして、バイアホール部分のポジ型フォト
レジストの露光を行なうときの露光径は、該バイアホー
ルの設計径より１％〜５０％大きいことを特徴とする。
レジストの露光を行なうときの露光径は、該バイアホー
ルの設計径より１％〜５０％大きいことを特徴とする。
【００１８】さらに、層間絶縁膜は、膜厚５μｍ〜１０
０μｍの感光性ポリイミドであることを特徴とする。
０μｍの感光性ポリイミドであることを特徴とする。
【００１９】
【作用】本発明の多層基板の製造方法によれば、バイア
ホール部分のフォトレジストを多重露光するときの露光
径をバイアホールの設計径よりも大きくすることによ
り、従来は露光することができなかった、テーパー型、
逆テーパー型、紡錘型等のバイアホール内のフォトレジ
ストの部分についても露光することができる。したがっ
て、バイアホール内のフォトレジストを、現像によりほ
ぼ完全に除去することができる。
ホール部分のフォトレジストを多重露光するときの露光
径をバイアホールの設計径よりも大きくすることによ
り、従来は露光することができなかった、テーパー型、
逆テーパー型、紡錘型等のバイアホール内のフォトレジ
ストの部分についても露光することができる。したがっ
て、バイアホール内のフォトレジストを、現像によりほ
ぼ完全に除去することができる。
【００２０】
【実施例】以下、本発明の多層配線基板の製造方法の実
施例を図面に基づいて説明する。図１（ａ）、（ｂ）、
（ｃ）、（ｄ）は、それぞれ多層配線基板の製造工程を
示す断面図である図２（ｄ）、（ｆ）、（ｇ）、（ｈ）
に対応する詳細断面図である。同図において、各部分は
図３と同一であるので、同一番号を付して説明は省略す
る。
施例を図面に基づいて説明する。図１（ａ）、（ｂ）、
（ｃ）、（ｄ）は、それぞれ多層配線基板の製造工程を
示す断面図である図２（ｄ）、（ｆ）、（ｇ）、（ｈ）
に対応する詳細断面図である。同図において、各部分は
図３と同一であるので、同一番号を付して説明は省略す
る。
【００２１】まず、従来の方法と同様の方法で１層目の
配線を形成した。即ち、純度９９．５％のアルミナ製の
基板１の上に、ポリイミド（例えば、東レ社製フォトニ
ース：商品名）からなり硬化後の膜厚が２０μｍの絶縁
膜２を形成した。その後、ヒドラジンで表面処理しパラ
ジウムで触媒活性化処理を行なった絶縁膜２の表面に、
硫酸銅めっき液を用いて膜厚５００オングストロームの
無電解Ｃｕめっき膜を下地導体膜３ａとして形成した。
配線を形成した。即ち、純度９９．５％のアルミナ製の
基板１の上に、ポリイミド（例えば、東レ社製フォトニ
ース：商品名）からなり硬化後の膜厚が２０μｍの絶縁
膜２を形成した。その後、ヒドラジンで表面処理しパラ
ジウムで触媒活性化処理を行なった絶縁膜２の表面に、
硫酸銅めっき液を用いて膜厚５００オングストロームの
無電解Ｃｕめっき膜を下地導体膜３ａとして形成した。
【００２２】次に、下地導体膜３ａの上に、ポジ型のフ
ォトレジスト層（例えば、ヘキスト社製ＡＺ４６２０：
商品名）を形成した後、１層目用のポジ型のフォトマス
クを用いて１層目配線パターンを露光した。次に、これ
を現像して１層目の配線パターンを得た後、硫酸Ｃｕめ
っき液を用いた電解Ｃｕめっきを用い、露出した下地導
体膜３ａの上に膜厚約５μｍの電解めっき膜を析出させ
て導体６ａを形成した。その後、フォトレジスト層４、
および下地導体膜３ａのうち導体６ａが形成されていな
い部分を除去して１層目の配線を得た。
ォトレジスト層（例えば、ヘキスト社製ＡＺ４６２０：
商品名）を形成した後、１層目用のポジ型のフォトマス
クを用いて１層目配線パターンを露光した。次に、これ
を現像して１層目の配線パターンを得た後、硫酸Ｃｕめ
っき液を用いた電解Ｃｕめっきを用い、露出した下地導
体膜３ａの上に膜厚約５μｍの電解めっき膜を析出させ
て導体６ａを形成した。その後、フォトレジスト層４、
および下地導体膜３ａのうち導体６ａが形成されていな
い部分を除去して１層目の配線を得た。
【００２３】次に、膜厚２０μｍのネガ型の感光性の有
機高分子材料であるポリイミドからなる層間絶縁膜７を
形成した後、ネガ型のフォトマスクを用いてバイアホー
ルのパターンを露光した。その後、これを現像して図１
（ａ）に示すバイアホール８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄを形
成した。なお、得られたバイアホールの形状は、バイア
ホールの設計径Ｘに対して縦穴の上部が大きくなるテー
パー型のバイアホール８ｂ、逆に縦穴の下部が大きくな
る逆テーパー型のバイアホール８ｃ、穴の中央部が膨ら
む紡錘型のバイアホール８ｄ等の層間絶縁膜内での照射
光の散乱の影響等を受けたと考えられるものがほとんど
であり、垂直型のバイアホール８ａはごくわずかであっ
た。
機高分子材料であるポリイミドからなる層間絶縁膜７を
形成した後、ネガ型のフォトマスクを用いてバイアホー
ルのパターンを露光した。その後、これを現像して図１
（ａ）に示すバイアホール８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄを形
成した。なお、得られたバイアホールの形状は、バイア
ホールの設計径Ｘに対して縦穴の上部が大きくなるテー
パー型のバイアホール８ｂ、逆に縦穴の下部が大きくな
る逆テーパー型のバイアホール８ｃ、穴の中央部が膨ら
む紡錘型のバイアホール８ｄ等の層間絶縁膜内での照射
光の散乱の影響等を受けたと考えられるものがほとんど
であり、垂直型のバイアホール８ａはごくわずかであっ
た。
【００２４】その後、同様にして、２層目の下地導体膜
３ｂを形成し、その上にポジ型のフォトレジスト層４を
形成した後、２層目用のポジ型のフォトマスク（図示せ
ず）を用いて設計径がＸのバイアホールおよび２層目の
配線パターンを露光した。引き続き、図１（ｂ）に示す
ように、バイアホールの設計径Ｘよりも１２．５〜５０
％大きい露光径Ｚを有するポジ型のフォトマスク５ｄを
用いてバイアホール８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄの部分をさ
らに露光（多重露光）した。すなわち、従来、テーパー
型のバイアホール８ｂ、逆テーパー型のバイアホール８
ｃあるいは紡錘型のバイアホール８ｄの内部の露光させ
ることのできなかった部分についても光を照射した。そ
の後、これを現像して、図１（ｃ）に示す通り、２層目
の配線パターンを得た。次に、露出した２層目の下地導
体膜上に電解めっき膜を析出させて２層目の導体６ｂを
形成した。その後、フォトレジスト４および下地導体膜
３ｂのうち導体６ｂが形成されていない部分を除去して
図１（ｄ）に示す２層配線基板を得た。
３ｂを形成し、その上にポジ型のフォトレジスト層４を
形成した後、２層目用のポジ型のフォトマスク（図示せ
ず）を用いて設計径がＸのバイアホールおよび２層目の
配線パターンを露光した。引き続き、図１（ｂ）に示す
ように、バイアホールの設計径Ｘよりも１２．５〜５０
％大きい露光径Ｚを有するポジ型のフォトマスク５ｄを
用いてバイアホール８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄの部分をさ
らに露光（多重露光）した。すなわち、従来、テーパー
型のバイアホール８ｂ、逆テーパー型のバイアホール８
ｃあるいは紡錘型のバイアホール８ｄの内部の露光させ
ることのできなかった部分についても光を照射した。そ
の後、これを現像して、図１（ｃ）に示す通り、２層目
の配線パターンを得た。次に、露出した２層目の下地導
体膜上に電解めっき膜を析出させて２層目の導体６ｂを
形成した。その後、フォトレジスト４および下地導体膜
３ｂのうち導体６ｂが形成されていない部分を除去して
図１（ｄ）に示す２層配線基板を得た。
【００２５】以上の方法により、１配線に６個のバイア
ホールを直列に有する２層配線基板を作製した。このと
きのバイアホールの設計径に対する多重露光径と配線歩
留まり（良品配線数／配線数）の関係を表１に示す。な
お、配線歩留まりの良否判定は、配線の導通有無で行な
った。
ホールを直列に有する２層配線基板を作製した。このと
きのバイアホールの設計径に対する多重露光径と配線歩
留まり（良品配線数／配線数）の関係を表１に示す。な
お、配線歩留まりの良否判定は、配線の導通有無で行な
った。
【００２６】
【表１】
【００２７】表１に示す通り、多重露光径をバイアホー
ルの設計径より大きくすることにより、良品配線数が急
増し、配線の歩留まりが大幅に向上した。
ルの設計径より大きくすることにより、良品配線数が急
増し、配線の歩留まりが大幅に向上した。
【００２８】なお、上記実施例において、基板として純
度９９．５％のアルミナ基板を用いているが、これに限
定されることはなく、平滑性の得られるものであれば種
々の材質のものを用いることができる。
度９９．５％のアルミナ基板を用いているが、これに限
定されることはなく、平滑性の得られるものであれば種
々の材質のものを用いることができる。
【００２９】また、有機高分子層の上に形成する下地導
体膜として、無電解Ｃｕめっき膜を用いているが、これ
に限定されることはなく、スパッタあるいは蒸着によっ
て形成した金属薄膜等の選択的な剥離が可能な種々のも
のを用いることができる。
体膜として、無電解Ｃｕめっき膜を用いているが、これ
に限定されることはなく、スパッタあるいは蒸着によっ
て形成した金属薄膜等の選択的な剥離が可能な種々のも
のを用いることができる。
【００３０】また、層間絶縁膜として、感光性の有機高
分子材料であるポリイミドを用いそれを露光、現像して
バイアホールを形成しているが、感光性を有しない有機
高分子材料を用いて、フォトレジストによるバイアホー
ルパターンの形成とドライまたはウエットのエッチング
によってバイアホールを形成することもできる。
分子材料であるポリイミドを用いそれを露光、現像して
バイアホールを形成しているが、感光性を有しない有機
高分子材料を用いて、フォトレジストによるバイアホー
ルパターンの形成とドライまたはウエットのエッチング
によってバイアホールを形成することもできる。
【００３１】さらに、上記実施例において、多重露光径
を大きくする範囲は、バイアホールの設計径に対して１
２．５〜５０％としたが、バイアホール径のばらつきが
小さい場合には、狭くすることができる。通常、バイア
ホールの設計径が大きくなればなるほど、垂直に近い形
状のバイアホールが得られる。また、層間絶縁膜として
の有機高分子層の膜厚が薄ければ薄いほど、垂直に近い
形状のバイアホールが得られる。
を大きくする範囲は、バイアホールの設計径に対して１
２．５〜５０％としたが、バイアホール径のばらつきが
小さい場合には、狭くすることができる。通常、バイア
ホールの設計径が大きくなればなるほど、垂直に近い形
状のバイアホールが得られる。また、層間絶縁膜として
の有機高分子層の膜厚が薄ければ薄いほど、垂直に近い
形状のバイアホールが得られる。
【００３２】上記実施例においては、有機高分子層の膜
厚を２０μｍとしたが、５〜１００μｍの範囲で本製造
方法の効果が期待できる。したがって、多重露光径をバ
イアホールの設計径より大きくする範囲の下限値につい
ては１％以上で、上限値については配線回路の高密度化
に影響を与えない程度であれば制限はない。例えば、ラ
イン幅／スペース幅＝１：１で多重露光径をバイアホー
ルの設計径の２倍にすると、隣接する配線とショートし
てしまう部分がでてくる。したがって、バイアホールの
大きさにもよるが、上限値を小さくする方が配線回路を
高密度化できる。
厚を２０μｍとしたが、５〜１００μｍの範囲で本製造
方法の効果が期待できる。したがって、多重露光径をバ
イアホールの設計径より大きくする範囲の下限値につい
ては１％以上で、上限値については配線回路の高密度化
に影響を与えない程度であれば制限はない。例えば、ラ
イン幅／スペース幅＝１：１で多重露光径をバイアホー
ルの設計径の２倍にすると、隣接する配線とショートし
てしまう部分がでてくる。したがって、バイアホールの
大きさにもよるが、上限値を小さくする方が配線回路を
高密度化できる。
【００３３】また、上記実施例において、電解めっきと
して電解Ｃｕめっきを用いているが、これに限定される
ことなく、ＮｉあるいはＡｕ等の導体として公知のもの
を適宜用いることができる。
して電解Ｃｕめっきを用いているが、これに限定される
ことなく、ＮｉあるいはＡｕ等の導体として公知のもの
を適宜用いることができる。
【００３４】また、第１層の配線形成方法として無電解
めっきの上に電解めっき配線をするセミアディティブ法
を用いているが、無電解めっきで配線するアディティブ
法によることも可能である。即ち、有機高分子層の表面
の触媒活性化処理を行なった後、無電解めっき膜を所望
の膜厚まで成長させて導体を形成させればよい。
めっきの上に電解めっき配線をするセミアディティブ法
を用いているが、無電解めっきで配線するアディティブ
法によることも可能である。即ち、有機高分子層の表面
の触媒活性化処理を行なった後、無電解めっき膜を所望
の膜厚まで成長させて導体を形成させればよい。
【００３５】さらに、本発明の多層配線基板の製造方法
は、設計径よりも大きく形成された垂直型のバイアホー
ルの内部のフォトレジストを除去するのにも有効であ
る。
は、設計径よりも大きく形成された垂直型のバイアホー
ルの内部のフォトレジストを除去するのにも有効であ
る。
【００３６】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
多層配線基板の製造方法によれば、バイアホール部分の
フォトレジストを露光するときの多重露光径をバイアホ
ールの設計径よりも大きくすることにより、バイアホー
ルの形状がテーパー型、逆テーパー型、紡錘型等のよう
に垂直に形成されていない場合にも、バイアホール内の
フォトレジスト全体を露光することができる。したがっ
て、バイアホール内のフォトレジストを現像によりほぼ
完全に除去することができ、バイアホール内に上下の導
体層に連続しためっき配線を形成することができ、多層
配線基板の層間の接続の歩留まりを向上させることがで
きる。
多層配線基板の製造方法によれば、バイアホール部分の
フォトレジストを露光するときの多重露光径をバイアホ
ールの設計径よりも大きくすることにより、バイアホー
ルの形状がテーパー型、逆テーパー型、紡錘型等のよう
に垂直に形成されていない場合にも、バイアホール内の
フォトレジスト全体を露光することができる。したがっ
て、バイアホール内のフォトレジストを現像によりほぼ
完全に除去することができ、バイアホール内に上下の導
体層に連続しためっき配線を形成することができ、多層
配線基板の層間の接続の歩留まりを向上させることがで
きる。
【図１】本発明の多層配線基板の製造工程を示す詳細断
面図である。
面図である。
【図２】多層配線基板の製造工程を示す断面図である。
【図３】従来の多層配線基板の製造工程を示す詳細断面
図である。
図である。
１ 基板 ２ 絶縁膜 ３ａ、３ｂ 下地導体膜 ４、４ａ、４ｂ ポジ型のフォトレジスト層 ５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄ フォトマスク ６ａ、６ｂ 導体 ７ 層間絶縁膜 ８、８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄ バイアホール Ｘ バイアホールの設計径 Ｙ 照射光 Ｚ 露光径
Claims (8)
- 【請求項１】 次の工程よりなる多層配線基板の製造方
法。 （ａ）基板上に有機高分子材料からなる絶縁膜を形成し
た後、該絶縁膜上に１層目の配線を形成する工程 （ｂ）１層目の配線を形成した基板上に、有機高分子材
料からなる層間絶縁膜を形成する工程 （ｃ）層間絶縁膜にバイアホールを形成する工程 （ｄ）層間絶縁膜およびバイアホール部分に下地導体膜
を形成した後、ポジ型のフォトレジスト層を形成する工
程 （ｅ）ポジ型のフォトレジスト層にフォトマスクを用い
て配線パターンを露光する工程 （ｆ）バイアホール部分をバイアホール設計径よりも大
きい露光径を有するフォトマスクを用いてさらに露光す
る工程 （ｇ）ポジ型のフォトレジスト層を現像して配線パター
ンを形成し、露出した下地導体膜上に導体を形成して２
層目の配線を形成する工程 （ｈ）フォトレジスト、および導体の形成されていない
下地導体膜を除去する工程 - 【請求項２】 感光性の有機高分子材料からなる層間絶
縁膜を露光、現像してバイアホールを形成することを特
徴とする請求項１記載の多層配線基板の製造方法。 - 【請求項３】 有機高分子材料からなる層間絶縁膜をド
ライまたはウエットのエッチングをしてバイアホールを
形成することを特徴とする請求項１記載の多層配線基板
の製造方法。 - 【請求項４】 セミアディティブ法により配線を形成す
ることを特徴とする請求項１記載の多層配線基板の製造
方法。 - 【請求項５】 フルアディティブ法により配線を形成す
ることを特徴とする請求項１記載の多層配線基板の製造
方法。 - 【請求項６】 バイアホール部分のポジ型フォトレジス
トの露光を行なうときの露光径は、該バイアホールの設
計径より１％〜５０％大きいことを特徴とする請求項１
記載の多層配線基板の製造方法。 - 【請求項７】 層間絶縁膜の膜厚は５μｍ〜１００μｍ
の範囲にあることを特徴とする請求項１記載の多層配線
基板の製造方法。 - 【請求項８】 層間絶縁膜は感光性ポリイミドであるこ
とを特徴とする請求項１記載の多層配線基板の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23183194A JP3651027B2 (ja) | 1994-08-29 | 1994-09-27 | 多層配線基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6-203770 | 1994-08-29 | ||
| JP20377094 | 1994-08-29 | ||
| JP23183194A JP3651027B2 (ja) | 1994-08-29 | 1994-09-27 | 多層配線基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08125332A true JPH08125332A (ja) | 1996-05-17 |
| JP3651027B2 JP3651027B2 (ja) | 2005-05-25 |
Family
ID=26514108
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23183194A Expired - Fee Related JP3651027B2 (ja) | 1994-08-29 | 1994-09-27 | 多層配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3651027B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007007861A1 (ja) * | 2005-07-07 | 2007-01-18 | Ibiden Co., Ltd. | 多層プリント配線板 |
| JP2007027706A (ja) * | 2005-06-17 | 2007-02-01 | Nec Corp | 配線基板及びその製造方法並びに半導体パッケージ |
| US7834273B2 (en) | 2005-07-07 | 2010-11-16 | Ibiden Co., Ltd. | Multilayer printed wiring board |
-
1994
- 1994-09-27 JP JP23183194A patent/JP3651027B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007027706A (ja) * | 2005-06-17 | 2007-02-01 | Nec Corp | 配線基板及びその製造方法並びに半導体パッケージ |
| WO2007007861A1 (ja) * | 2005-07-07 | 2007-01-18 | Ibiden Co., Ltd. | 多層プリント配線板 |
| US7759582B2 (en) | 2005-07-07 | 2010-07-20 | Ibiden Co., Ltd. | Multilayer printed wiring board |
| US7834273B2 (en) | 2005-07-07 | 2010-11-16 | Ibiden Co., Ltd. | Multilayer printed wiring board |
| US7973249B2 (en) | 2005-07-07 | 2011-07-05 | Ibiden Co., Ltd. | Multilayer printed wiring board |
| US8181341B2 (en) | 2005-07-07 | 2012-05-22 | Ibiden Co., Ltd. | Method of forming a multilayer printed wiring board having a bulged via |
| US8212363B2 (en) | 2005-07-07 | 2012-07-03 | Ibiden Co., Ltd. | Multilayer printed wiring board |
| US8481424B2 (en) | 2005-07-07 | 2013-07-09 | Ibiden Co., Ltd. | Multilayer printed wiring board |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3651027B2 (ja) | 2005-05-25 |
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