JPH08129910A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
- Publication number
- JPH08129910A JPH08129910A JP6264786A JP26478694A JPH08129910A JP H08129910 A JPH08129910 A JP H08129910A JP 6264786 A JP6264786 A JP 6264786A JP 26478694 A JP26478694 A JP 26478694A JP H08129910 A JPH08129910 A JP H08129910A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- weight
- parts
- less
- dielectric
- mgo
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】比誘電率が２５００以上で、焼成温度が１３０
０℃以下であり、静電容量の温度変化率がＥＩＡ規格の
Ｘ７Ｒを満たし、誘電損失が２．５％以下と小さく、電
圧依存性が小さく、絶縁抵抗が１０4 ＭΩ以上である誘
電体磁器組成物を提供する。 【構成】ＢａＴｉＯ3 １００重量部に対して、Ｎｂ2 Ｏ
5 を０．８〜２．５重量部、ＭｇＯを０．０６〜０．７
０重量部、Ｎｄ2 Ｏ3 を０．００５〜０．５２０重量
部、ＭｎＯをＭｎＣＯ3 に換算して０．０１〜０．３０
重量部含有するとともに、Ｎｂ2 Ｏ5 のＭｇＯに対する
モル比が０．５〜２．２の範囲内にあるもので、ＢａＴ
ｉＯ3 １００重量部に対して、ＳｉＯ2 およびＡｌ2 Ｏ
3 のうち少なくとも一種を０．０５〜０．５０重量部、
ＺｎＯを０．５重量部以下含有することが望ましい。
０℃以下であり、静電容量の温度変化率がＥＩＡ規格の
Ｘ７Ｒを満たし、誘電損失が２．５％以下と小さく、電
圧依存性が小さく、絶縁抵抗が１０4 ＭΩ以上である誘
電体磁器組成物を提供する。 【構成】ＢａＴｉＯ3 １００重量部に対して、Ｎｂ2 Ｏ
5 を０．８〜２．５重量部、ＭｇＯを０．０６〜０．７
０重量部、Ｎｄ2 Ｏ3 を０．００５〜０．５２０重量
部、ＭｎＯをＭｎＣＯ3 に換算して０．０１〜０．３０
重量部含有するとともに、Ｎｂ2 Ｏ5 のＭｇＯに対する
モル比が０．５〜２．２の範囲内にあるもので、ＢａＴ
ｉＯ3 １００重量部に対して、ＳｉＯ2 およびＡｌ2 Ｏ
3 のうち少なくとも一種を０．０５〜０．５０重量部、
ＺｎＯを０．５重量部以下含有することが望ましい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＢａＴｉＯ3 を主成分
とし、Ｎｂ2 Ｏ5 ，ＭｇＯ，Ｎｄ2 Ｏ3 ，ＭｎＯを含有
する誘電体磁器組成物に関するものである。
とし、Ｎｂ2 Ｏ5 ，ＭｇＯ，Ｎｄ2 Ｏ3 ，ＭｎＯを含有
する誘電体磁器組成物に関するものである。
【０００２】
【従来技術】従来、誘電体磁器組成物は、積層セラミッ
クコンデンサ等の材料として使用されている。このよう
な積層セラミックコンデンサは内部電極が形成された誘
電体磁器組成物の生シートを所定容量になるように複数
枚積層した後、一体的に焼成して構成されている。例え
ば、Ｘ７Ｒ（ＥＩＡ規格：静電容量の温度特性が−５５
℃〜１２５℃において±１５％以内）の積層セラミック
コンデンサに使用される誘電体磁器組成物は、＋２５℃
における比誘電率が２５００以上と高く、かつ、一枚当
たりの生シートの厚みが１５μｍ以下であって、焼成温
度が例えば１３００℃以下であることが重要となってく
る。
クコンデンサ等の材料として使用されている。このよう
な積層セラミックコンデンサは内部電極が形成された誘
電体磁器組成物の生シートを所定容量になるように複数
枚積層した後、一体的に焼成して構成されている。例え
ば、Ｘ７Ｒ（ＥＩＡ規格：静電容量の温度特性が−５５
℃〜１２５℃において±１５％以内）の積層セラミック
コンデンサに使用される誘電体磁器組成物は、＋２５℃
における比誘電率が２５００以上と高く、かつ、一枚当
たりの生シートの厚みが１５μｍ以下であって、焼成温
度が例えば１３００℃以下であることが重要となってく
る。
【０００３】即ち、２５℃における比誘電率が２５００
以上であって、生シートの厚みを１５μｍ以下にするこ
とにより、内部電極間の生シートの厚みや対向面積の極
小化が可能となり、積層セラミックコンデンサの小型化
が達成できる。また、焼成温度を１３００℃以下にする
ことにより、内部電極の材料の選択幅が増え、例えば、
高価なＰｄ１００％の材料から安価なＰｄ−Ａｇの使用
が可能となる。尚、上記に加え、誘電体磁器組成物とし
ての諸特性である誘電損失ｔａｎδ、絶縁抵抗を充分に
考慮しなくてはならず、さらに、誘電損失の交流電圧依
存性が小さいことが望まれる。
以上であって、生シートの厚みを１５μｍ以下にするこ
とにより、内部電極間の生シートの厚みや対向面積の極
小化が可能となり、積層セラミックコンデンサの小型化
が達成できる。また、焼成温度を１３００℃以下にする
ことにより、内部電極の材料の選択幅が増え、例えば、
高価なＰｄ１００％の材料から安価なＰｄ−Ａｇの使用
が可能となる。尚、上記に加え、誘電体磁器組成物とし
ての諸特性である誘電損失ｔａｎδ、絶縁抵抗を充分に
考慮しなくてはならず、さらに、誘電損失の交流電圧依
存性が小さいことが望まれる。
【０００４】従来、比誘電率を向上させたものとして、
ＢａＴｉＯ3 、Ｎｂ2 Ｏ5 、ＺｎＯを含む誘電体磁器組
成物がすでに提案されている（特開昭５９−１８１６２
号公報、特開昭５９−１８１５９号公報等参照）。この
ような誘電体磁器組成物によれば、比誘電率を２０００
〜３０００とすることができる。しかしながら、上述の
誘電体磁器組成物は高い比誘電率を得ることができて
も、誘電損失ｔａｎδが大きいため、生シートを薄くす
ることができず、結局、積層コンデンサに使用した場
合、高い比誘電率が得られなかった。
ＢａＴｉＯ3 、Ｎｂ2 Ｏ5 、ＺｎＯを含む誘電体磁器組
成物がすでに提案されている（特開昭５９−１８１６２
号公報、特開昭５９−１８１５９号公報等参照）。この
ような誘電体磁器組成物によれば、比誘電率を２０００
〜３０００とすることができる。しかしながら、上述の
誘電体磁器組成物は高い比誘電率を得ることができて
も、誘電損失ｔａｎδが大きいため、生シートを薄くす
ることができず、結局、積層コンデンサに使用した場
合、高い比誘電率が得られなかった。
【０００５】このように誘電損失ｔａｎδを小さくする
ために開発された系として、ＢａＴｉＯ3 ，Ｎｂ
2 Ｏ5 ，ＭｇＯ，Ｌａ2 Ｏ3 を含む誘電体磁器組成物が
すでに提案されている（特公平５−１０７６６号公報参
照）。また、ＢａＴｉＯ3 にＮｂ2Ｏ5 ／ＭｇＯのモル
比を２．３〜４の範囲になるようにＮｂ2 Ｏ5 とＭｇＯ
を加え、これに希土類元素の酸化物を０．１〜０．５重
量％添加した組成物が開示されている（特公昭５５−１
９００７号公報参照）。
ために開発された系として、ＢａＴｉＯ3 ，Ｎｂ
2 Ｏ5 ，ＭｇＯ，Ｌａ2 Ｏ3 を含む誘電体磁器組成物が
すでに提案されている（特公平５−１０７６６号公報参
照）。また、ＢａＴｉＯ3 にＮｂ2Ｏ5 ／ＭｇＯのモル
比を２．３〜４の範囲になるようにＮｂ2 Ｏ5 とＭｇＯ
を加え、これに希土類元素の酸化物を０．１〜０．５重
量％添加した組成物が開示されている（特公昭５５−１
９００７号公報参照）。
【０００６】
【発明が解決しようとする問題点】しかしながら、上記
したいずれの誘電体磁器でも、比誘電率が２２００程度
以下と小さく小型大容量化に対応できない。また、未だ
誘電損失が大きく、生シートを薄くすることが困難であ
るという問題があった。
したいずれの誘電体磁器でも、比誘電率が２２００程度
以下と小さく小型大容量化に対応できない。また、未だ
誘電損失が大きく、生シートを薄くすることが困難であ
るという問題があった。
【０００７】さらに、上記したいずれの誘電体磁器で
も、誘電損失の交流電圧依存性が大きくなり、誘電体の
薄層化に対応することができなくなることが考えられ、
この場合には、コンデンサの小型化、大容量化に対応で
きないという問題があった。
も、誘電損失の交流電圧依存性が大きくなり、誘電体の
薄層化に対応することができなくなることが考えられ、
この場合には、コンデンサの小型化、大容量化に対応で
きないという問題があった。
【０００８】
【問題点を解決するための手段】本発明者等は上記問題
点に鑑みて鋭意検討した結果、チタン酸バリウムＢａＴ
ｉＯ3 を主成分とし、Ｎｂ2 Ｏ5 、ＭｇＯ、Ｎｄ
2 Ｏ3 、ＭｎＯを所定の組成比で含有するもので、Ｎｂ
2 Ｏ5 のＭｇＯに対するモル比を０．５〜２．２とする
ことにより、比誘電率が２５００以上で、静電容量の温
度変化率がＥＩＡ規格のＸ７Ｒを満たし、誘電損失が
２．５％以下と小さく、交流電圧を２０００Ｖ／ｃｍ印
加した時でも誘電損失が３．０％以下と交流電圧依存性
が小さく、薄層化が可能な誘電体磁器を得ることができ
ることを見出し、本発明に至った。
点に鑑みて鋭意検討した結果、チタン酸バリウムＢａＴ
ｉＯ3 を主成分とし、Ｎｂ2 Ｏ5 、ＭｇＯ、Ｎｄ
2 Ｏ3 、ＭｎＯを所定の組成比で含有するもので、Ｎｂ
2 Ｏ5 のＭｇＯに対するモル比を０．５〜２．２とする
ことにより、比誘電率が２５００以上で、静電容量の温
度変化率がＥＩＡ規格のＸ７Ｒを満たし、誘電損失が
２．５％以下と小さく、交流電圧を２０００Ｖ／ｃｍ印
加した時でも誘電損失が３．０％以下と交流電圧依存性
が小さく、薄層化が可能な誘電体磁器を得ることができ
ることを見出し、本発明に至った。
【０００９】即ち、本発明の誘電体磁器は、ＢａＴｉＯ
3 １００重量部に対して、Ｎｂ2 Ｏ5 を０．８〜２．５
重量部、ＭｇＯを０．０６〜０．７０重量部、Ｎｄ2 Ｏ
3 を０．００５〜０．５２０重量部、ＭｎＯをＭｎＣＯ
3 に換算して０．０１〜０．３０重量部含有するととも
に、Ｎｂ2 Ｏ5 のＭｇＯに対するモル比が０．５〜２．
２である。また、ＢａＴｉＯ3 １００重量部に対して、
ＳｉＯ2 およびＡｌ2Ｏ3 の少なくとも一種を０．０５
〜０．５０重量部含有することが望ましく、またＺｎＯ
を０．５重量部以下含有することが望ましい。
3 １００重量部に対して、Ｎｂ2 Ｏ5 を０．８〜２．５
重量部、ＭｇＯを０．０６〜０．７０重量部、Ｎｄ2 Ｏ
3 を０．００５〜０．５２０重量部、ＭｎＯをＭｎＣＯ
3 に換算して０．０１〜０．３０重量部含有するととも
に、Ｎｂ2 Ｏ5 のＭｇＯに対するモル比が０．５〜２．
２である。また、ＢａＴｉＯ3 １００重量部に対して、
ＳｉＯ2 およびＡｌ2Ｏ3 の少なくとも一種を０．０５
〜０．５０重量部含有することが望ましく、またＺｎＯ
を０．５重量部以下含有することが望ましい。
【００１０】本発明において、ＢａＴｉＯ3 １００重量
部に対して、Ｎｂ2 Ｏ5 を０．８〜２．５重量部含有と
したのは、０．８重量部未満では、誘電損失が悪化し、
温度特性、焼結性が悪く、また、２．５重量部を越える
と比誘電率が低下し、温度特性が大きく劣化してしまう
からである。Ｎｂ2 Ｏ5 はＢａＴｉＯ3 １００重量部に
対して１．３〜２．０重量部含有することが望ましい。
部に対して、Ｎｂ2 Ｏ5 を０．８〜２．５重量部含有と
したのは、０．８重量部未満では、誘電損失が悪化し、
温度特性、焼結性が悪く、また、２．５重量部を越える
と比誘電率が低下し、温度特性が大きく劣化してしまう
からである。Ｎｂ2 Ｏ5 はＢａＴｉＯ3 １００重量部に
対して１．３〜２．０重量部含有することが望ましい。
【００１１】また、ＭｇＯを０．０６〜０．７０重量部
としたのは、０．０６重量部未満では比誘電率及び絶縁
抵抗が低下し、温度特性が悪く粒成長し、誘電損失の電
圧依存性が大となってしまうからである。また、０．７
０重量部よりも多いと誘電率が低下し、絶縁抵抗も低下
するからである。ＭｇＯは０．１〜０．４ 重量部であ
ることが望ましい。
としたのは、０．０６重量部未満では比誘電率及び絶縁
抵抗が低下し、温度特性が悪く粒成長し、誘電損失の電
圧依存性が大となってしまうからである。また、０．７
０重量部よりも多いと誘電率が低下し、絶縁抵抗も低下
するからである。ＭｇＯは０．１〜０．４ 重量部であ
ることが望ましい。
【００１２】さらに、Ｎｄ2 Ｏ3 を０．００５〜０．５
２０重量部としたのは、Ｎｄ2 Ｏ3が０．００５重量部
未満では、比誘電率が低下し、焼結性が悪く、０．５２
０重量部を越えると温度特性が劣化するからである。Ｎ
ｄ2 Ｏ3 は０．００５〜０．２重量部であることが望ま
しい。
２０重量部としたのは、Ｎｄ2 Ｏ3が０．００５重量部
未満では、比誘電率が低下し、焼結性が悪く、０．５２
０重量部を越えると温度特性が劣化するからである。Ｎ
ｄ2 Ｏ3 は０．００５〜０．２重量部であることが望ま
しい。
【００１３】またＭｎＯをＭｎＣＯ3 換算で０．０１〜
０．３０重量部としたのは０．０１重量部未満では、絶
縁抵抗が低下し、誘電損失及び焼結性が悪化し、０．３
０重量部を越えると比誘電率が低下してしまうからであ
る。ＭｎＯはＭｎＣＯ3 換算で０．０４〜０．１０重量
部であることが望ましい。
０．３０重量部としたのは０．０１重量部未満では、絶
縁抵抗が低下し、誘電損失及び焼結性が悪化し、０．３
０重量部を越えると比誘電率が低下してしまうからであ
る。ＭｎＯはＭｎＣＯ3 換算で０．０４〜０．１０重量
部であることが望ましい。
【００１４】そして、Ｎｂ2 Ｏ5 のＭｇＯに対するモル
比を０．５〜２．２としたのは、モル比が０．５より小
さいと比誘電率が悪化し、温度特性、焼結性が悪く、ま
た２．２より大きいと、温度特性が悪く、比誘電率が低
下するからである。本発明では、Ｎｂ2 Ｏ5 のＭｇＯに
対するモル比を、特に、０．６〜１．４とすることが望
ましい。
比を０．５〜２．２としたのは、モル比が０．５より小
さいと比誘電率が悪化し、温度特性、焼結性が悪く、ま
た２．２より大きいと、温度特性が悪く、比誘電率が低
下するからである。本発明では、Ｎｂ2 Ｏ5 のＭｇＯに
対するモル比を、特に、０．６〜１．４とすることが望
ましい。
【００１５】また、ＢａＴｉＯ3 １００重量部に対し
て、ＳｉＯ2 およびＡｌ2 Ｏ3 のうち少なくとも一種を
０．０５〜０．５０重量部含有したのは、０．０５重量
部よりも少ない場合には比誘電率向上の効果、焼結性向
上の効果、電圧依存性向上の効果が殆どないからであ
り、０．５０重量部よりも大きいと比誘電率が低下する
傾向にあるからである。ＳｉＯ2 およびＡｌ2 Ｏ3 のう
ち少なくとも一種は、ＢａＴｉＯ3 １００重量部に対し
て、０．１〜０．２重量部含有することが望ましい。
て、ＳｉＯ2 およびＡｌ2 Ｏ3 のうち少なくとも一種を
０．０５〜０．５０重量部含有したのは、０．０５重量
部よりも少ない場合には比誘電率向上の効果、焼結性向
上の効果、電圧依存性向上の効果が殆どないからであ
り、０．５０重量部よりも大きいと比誘電率が低下する
傾向にあるからである。ＳｉＯ2 およびＡｌ2 Ｏ3 のう
ち少なくとも一種は、ＢａＴｉＯ3 １００重量部に対し
て、０．１〜０．２重量部含有することが望ましい。
【００１６】さらに、ＢａＴｉＯ3 １００重量部に対し
て、ＺｎＯを０．５重量部以下含有したのは、ＺｎＯが
０．５重量部よりも多い場合には温度特性が悪く誘電損
失が増加する傾向にあるからである。ＺｎＯは、ＢａＴ
ｉＯ3 １００重量部に対して０．３重量部以下含有する
ことが望ましい。
て、ＺｎＯを０．５重量部以下含有したのは、ＺｎＯが
０．５重量部よりも多い場合には温度特性が悪く誘電損
失が増加する傾向にあるからである。ＺｎＯは、ＢａＴ
ｉＯ3 １００重量部に対して０．３重量部以下含有する
ことが望ましい。
【００１７】本発明に使用されるＢａＴｉＯ3 は、例え
ば、固相法，ゾルゲル法，しゅう酸法，水熱合成法等い
ずれかの方法により生成された平均結晶粒径１．０μｍ
以下のＢａＴｉＯ3 粉末を主成分として、このＢａＴｉ
Ｏ3 １００重量部に対して、Ｎｂ2 Ｏ5 、ＭｇＯ、Ｎｄ
2 Ｏ3 、ＭｎＣＯ3 、ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＺｎＯ各
粉末を所定量秤量し、ボールミル等にて２０〜４８時間
湿式粉砕し、乾燥後、バインダーを所定量添加して、こ
れを所定形状に成形し、大気中において１２３０℃〜１
３００℃で１〜２時間焼成することにより製造される。
積層セラミックコンデンサを作製する場合には、上記粉
末をスラリー化し、これをドクターブレード法の手法に
よりシート状に成形し、そのシート状成形体に適宜Ａｇ
−Ｐｄなどの内部電極を塗布し、これらを複数枚積層
し、上記焼成条件で同時焼成すれば良い。
ば、固相法，ゾルゲル法，しゅう酸法，水熱合成法等い
ずれかの方法により生成された平均結晶粒径１．０μｍ
以下のＢａＴｉＯ3 粉末を主成分として、このＢａＴｉ
Ｏ3 １００重量部に対して、Ｎｂ2 Ｏ5 、ＭｇＯ、Ｎｄ
2 Ｏ3 、ＭｎＣＯ3 、ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＺｎＯ各
粉末を所定量秤量し、ボールミル等にて２０〜４８時間
湿式粉砕し、乾燥後、バインダーを所定量添加して、こ
れを所定形状に成形し、大気中において１２３０℃〜１
３００℃で１〜２時間焼成することにより製造される。
積層セラミックコンデンサを作製する場合には、上記粉
末をスラリー化し、これをドクターブレード法の手法に
よりシート状に成形し、そのシート状成形体に適宜Ａｇ
−Ｐｄなどの内部電極を塗布し、これらを複数枚積層
し、上記焼成条件で同時焼成すれば良い。
【００１８】本発明に使用されるＮｂ2 Ｏ5 、ＭｇＯ、
Ｎｄ2 Ｏ3 、ＭｎＣＯ3 、ＳｉＯ2、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｚｎ
Ｏ各粉末の代わりに、Ｎｂ，Ｍｇ，Ｎｄ，Ｍｎ，Ｓｉ，
Ａｌ，Ｚｎの水酸化物、炭酸塩，硝酸塩、しゅう酸塩，
アルコキシド等、焼結温度以下で分解し、酸化物となる
ものも用いることができる。
Ｎｄ2 Ｏ3 、ＭｎＣＯ3 、ＳｉＯ2、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｚｎ
Ｏ各粉末の代わりに、Ｎｂ，Ｍｇ，Ｎｄ，Ｍｎ，Ｓｉ，
Ａｌ，Ｚｎの水酸化物、炭酸塩，硝酸塩、しゅう酸塩，
アルコキシド等、焼結温度以下で分解し、酸化物となる
ものも用いることができる。
【００１９】交流電圧依存性を向上するためには、焼結
体の平均結晶粒径ｄをｄ＜１．０μｍに制御することが
好ましい。このように、焼結体の平均結晶粒径ｄをｄ＜
１．０μｍに制御するには、出発原料として平均結晶粒
径１．０μｍ以下のチタン酸バリウム粉末を用いたり、
長時間湿式粉砕して粉砕後の粒径を０．８μｍ以下に管
理したり、焼成温度をなるべく低く設定し焼成時間も短
時間とする必要がある。
体の平均結晶粒径ｄをｄ＜１．０μｍに制御することが
好ましい。このように、焼結体の平均結晶粒径ｄをｄ＜
１．０μｍに制御するには、出発原料として平均結晶粒
径１．０μｍ以下のチタン酸バリウム粉末を用いたり、
長時間湿式粉砕して粉砕後の粒径を０．８μｍ以下に管
理したり、焼成温度をなるべく低く設定し焼成時間も短
時間とする必要がある。
【００２０】
【作用】本発明の誘電体磁器組成物では、静電容量の温
度特性が−５５℃〜１２５℃の範囲において±１５％以
内で、＋２５℃における比誘電率が２５００以上とな
り、グリーンシートの厚みが１５μｍであっても、誘電
損失が２．５％以下と小さく、交流電圧２０００Ｖ／cm
における誘電損失が３％以下と小さい値を示すことがで
きる。このため、小型で大容量の積層コンデンサーを得
ることができる。また、焼成温度が１３００℃以下とな
るため工業的にも製造しやすく、かつ、内部電極に安価
な銀−パラジウム（Ａｇ／Ｐｄ＝２０／８０〜４０／６
０）を使用した積層コンデンサなどに使用できる誘電体
磁器が達成される。さらに、誘電体磁器として基本的な
特性である誘電損失が２．５％以下、絶縁抵抗（ＩＲ）
が１０4 ＭΩ以上と充分に満足できる誘電体磁器が達成
される。
度特性が−５５℃〜１２５℃の範囲において±１５％以
内で、＋２５℃における比誘電率が２５００以上とな
り、グリーンシートの厚みが１５μｍであっても、誘電
損失が２．５％以下と小さく、交流電圧２０００Ｖ／cm
における誘電損失が３％以下と小さい値を示すことがで
きる。このため、小型で大容量の積層コンデンサーを得
ることができる。また、焼成温度が１３００℃以下とな
るため工業的にも製造しやすく、かつ、内部電極に安価
な銀−パラジウム（Ａｇ／Ｐｄ＝２０／８０〜４０／６
０）を使用した積層コンデンサなどに使用できる誘電体
磁器が達成される。さらに、誘電体磁器として基本的な
特性である誘電損失が２．５％以下、絶縁抵抗（ＩＲ）
が１０4 ＭΩ以上と充分に満足できる誘電体磁器が達成
される。
【００２１】
【実施例】以下、本発明の実施例を詳細に説明する。
【００２２】しゅう酸法により生成された平均粒径１．
０μｍ以下のＢａＴｉＯ3 粉末を主成分として、このＢ
ａＴｉＯ3 １００重量部に対して、Ｎｂ2 Ｏ5 、Ｍｇ
Ｏ、Ｎｄ2 Ｏ3 、ＭｎＣＯ3 、ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、
ＺｎＯの各粉末を表１に示すように秤量し、ボールミル
にて２０〜４８時間湿式粉砕した後、有機系粘結剤を添
加し、しかる後攪拌、ドクターブレード法で厚さ１５μ
ｍのテープ状に成形した。このテープを１３０ｍｍ×１
００ｍｍに裁断し、２０枚重ね、積層体を作製する。
０μｍ以下のＢａＴｉＯ3 粉末を主成分として、このＢ
ａＴｉＯ3 １００重量部に対して、Ｎｂ2 Ｏ5 、Ｍｇ
Ｏ、Ｎｄ2 Ｏ3 、ＭｎＣＯ3 、ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、
ＺｎＯの各粉末を表１に示すように秤量し、ボールミル
にて２０〜４８時間湿式粉砕した後、有機系粘結剤を添
加し、しかる後攪拌、ドクターブレード法で厚さ１５μ
ｍのテープ状に成形した。このテープを１３０ｍｍ×１
００ｍｍに裁断し、２０枚重ね、積層体を作製する。
【００２３】
【表１】
【００２４】尚、内部電極として、Ａｇ−Ｐｄ系ペース
ト（Ａｇ／Ｐｄ＝３０／７０）を印刷した。この積層体
を３．２ｍｍ×１．６ｍｍに裁断し、空気中にて１２４
０〜１３２０℃で２時間焼成した。さらに両端面に銀ペ
ーストによる電極を８００℃、１０分間焼き付けて、測
定用試料をとした。
ト（Ａｇ／Ｐｄ＝３０／７０）を印刷した。この積層体
を３．２ｍｍ×１．６ｍｍに裁断し、空気中にて１２４
０〜１３２０℃で２時間焼成した。さらに両端面に銀ペ
ーストによる電極を８００℃、１０分間焼き付けて、測
定用試料をとした。
【００２５】このような形成された試料について、静電
容量および誘電損失を基準温度２５℃、周波数１．０ｋ
Ｈｚ、測定電圧１．０Ｖｒｍｓで測定した。また、容量
の温度変化率は、−５５〜＋１２５℃の範囲で測定し、
＋２５℃における容量を基準とした。さらに、絶縁抵抗
は、直流電圧２５Ｖを１分間印加した時の値を測定し
た。比誘電率は静電容量から逆算した。
容量および誘電損失を基準温度２５℃、周波数１．０ｋ
Ｈｚ、測定電圧１．０Ｖｒｍｓで測定した。また、容量
の温度変化率は、−５５〜＋１２５℃の範囲で測定し、
＋２５℃における容量を基準とした。さらに、絶縁抵抗
は、直流電圧２５Ｖを１分間印加した時の値を測定し
た。比誘電率は静電容量から逆算した。
【００２６】焼結体磁器の平均結晶粒径は、走査型電子
顕微鏡にて磁器表面を１５０００倍で観察し、ラインイ
ンターセプト法にて５００以上の粒子を測定し算出し
た。さらに、周波数１ｋＨｚで２０００Ｖｒｍｓ／ｃｍ
の電圧を印加した時の誘電損失を測定した。以上の結果
を表２に示す。
顕微鏡にて磁器表面を１５０００倍で観察し、ラインイ
ンターセプト法にて５００以上の粒子を測定し算出し
た。さらに、周波数１ｋＨｚで２０００Ｖｒｍｓ／ｃｍ
の電圧を印加した時の誘電損失を測定した。以上の結果
を表２に示す。
【００２７】
【表２】
【００２８】本発明の範囲内の誘電体磁器はいずれも比
誘電率が２５００以上と大きく、しかもＥＩＡ規格のＸ
７Ｒ特性（−５５℃〜１２５℃の温度範囲で容量変化率
が±１５％以内）を満足する。さらに、誘電損失ｔａｎ
δが２．５％以下と小さく、交流電圧２０００Ｖｒｍｓ
／ｃｍ下でも３．０％以下の損失を示す。さらに絶縁抵
抗（ＩＲ）は１０4 ＭΩ以上を有する。
誘電率が２５００以上と大きく、しかもＥＩＡ規格のＸ
７Ｒ特性（−５５℃〜１２５℃の温度範囲で容量変化率
が±１５％以内）を満足する。さらに、誘電損失ｔａｎ
δが２．５％以下と小さく、交流電圧２０００Ｖｒｍｓ
／ｃｍ下でも３．０％以下の損失を示す。さらに絶縁抵
抗（ＩＲ）は１０4 ＭΩ以上を有する。
【００２９】表１において、試料番号１〜５は誘電体磁
器組成物の主成分となるＢａＴｉＯ3 に添加するＮｂ2
Ｏ5 の添加量を０．６〜３．０重量部まで値を夫々変化
させた。この時、ＭｇＯ、Ｎｄ2 Ｏ3 、及びＭｎＣＯ3
の添加量を０．２重量部、０．２重量部、０．１重量部
にした。
器組成物の主成分となるＢａＴｉＯ3 に添加するＮｂ2
Ｏ5 の添加量を０．６〜３．０重量部まで値を夫々変化
させた。この時、ＭｇＯ、Ｎｄ2 Ｏ3 、及びＭｎＣＯ3
の添加量を０．２重量部、０．２重量部、０．１重量部
にした。
【００３０】試料番号１（Ｎｂ2 Ｏ5 の添加量：０．６
重量部）では、比誘電率εｒが３３３０と良品になるも
のの、誘電損失ｔａｎδが３．２％となってしまう。更
に、温度特性が−２６％となってしまう。また、試料番
号２〜４（Ｎｂ2 Ｏ5 の添加量：０．８〜２．５重量
％）では、比誘電率εｒが２５７０〜３５００となり、
誘電損失ｔａｎδが２．５％以下であり、温度特性が±
１４％以内になり、交流電圧２０００Ｖ／ｃｍ印加時の
ｔａｎδが３．０％以下で、絶縁抵抗（ＩＲ）も５〜９
×１０4 ＭΩと良品の範囲となる。即ち、比誘電率εｒ
が高く、温度特性に優れ、誘電損失ｔａｎδが小さく、
さらに誘電損失の交流電圧依存性が小さい誘電体磁器が
達成される。更に、試料番号５（Ｎｂ2 Ｏ5 の添加量：
３．０重量部）では、比誘電率εが２０５０であり、温
度特性が悪化してしまう。従って、本発明においてはチ
タン酸バリウムＢａＴｉＯ3 に添加するＮｂ2 Ｏ5 の重
量は、チタン酸バリウムＢａＴｉＯ3 １００重量部に対
して、０．８〜２．５重量部の範囲とした。
重量部）では、比誘電率εｒが３３３０と良品になるも
のの、誘電損失ｔａｎδが３．２％となってしまう。更
に、温度特性が−２６％となってしまう。また、試料番
号２〜４（Ｎｂ2 Ｏ5 の添加量：０．８〜２．５重量
％）では、比誘電率εｒが２５７０〜３５００となり、
誘電損失ｔａｎδが２．５％以下であり、温度特性が±
１４％以内になり、交流電圧２０００Ｖ／ｃｍ印加時の
ｔａｎδが３．０％以下で、絶縁抵抗（ＩＲ）も５〜９
×１０4 ＭΩと良品の範囲となる。即ち、比誘電率εｒ
が高く、温度特性に優れ、誘電損失ｔａｎδが小さく、
さらに誘電損失の交流電圧依存性が小さい誘電体磁器が
達成される。更に、試料番号５（Ｎｂ2 Ｏ5 の添加量：
３．０重量部）では、比誘電率εが２０５０であり、温
度特性が悪化してしまう。従って、本発明においてはチ
タン酸バリウムＢａＴｉＯ3 に添加するＮｂ2 Ｏ5 の重
量は、チタン酸バリウムＢａＴｉＯ3 １００重量部に対
して、０．８〜２．５重量部の範囲とした。
【００３１】試料番号６〜１０は誘電体磁器組成物の主
成分となるＢａＴｉＯ3 に添加するＭｇＯの添加量を
０．０４〜０．７５重量部まで値を夫々変化させた。こ
の時、Ｎｂ2 Ｏ5 、Ｎｄ2 Ｏ3 、及びＭｎＣＯ3 の添加
量をそれぞれ２．３〜２．５重量部、０．２重量部、
０．１重量部にした。
成分となるＢａＴｉＯ3 に添加するＭｇＯの添加量を
０．０４〜０．７５重量部まで値を夫々変化させた。こ
の時、Ｎｂ2 Ｏ5 、Ｎｄ2 Ｏ3 、及びＭｎＣＯ3 の添加
量をそれぞれ２．３〜２．５重量部、０．２重量部、
０．１重量部にした。
【００３２】試料番号６（ＭｇＯの添加量：０．０４重
量部）では、交流電圧２０００Ｖ／ｃｍ印加時のｔａｎ
δが４．０％になってしまう。また、試料番号７〜９
（ＭｇＯの添加量：０．０６〜０．７０重量部）では、
比誘電率εｒが２５８０〜２９５０となり、誘電損失ｔ
ａｎσが２．０％以下であり、温度特性が±１３％以内
になり、交流電圧２０００Ｖ／ｃｍ印加時のｔａｎσが
２．６％以下で、絶縁抵抗（ＩＲ）も３〜８×１０4 Ｍ
Ωと良品の範囲となる。即ち、比誘電率εｒが高く、温
度特性に優れ、誘電損失ｔａｎδが小さく、さらに誘電
損失の交流電圧依存性が小さい誘電体磁器が達成され
る。更に、試料番号１０（ＭｇＯの添加量：０．７５重
量部）では、誘電損失ｔａｎδが１．７％と良品の範囲
となるものの、比誘電率εｒが２１００となってしま
う。従って、本発明においてはチタン酸バリウムＢａＴ
ｉＯ3 に添加するＭｇＯ重量は、チタン酸バリウムＢａ
ＴｉＯ3１００重量部に対して、０．０６〜０．７０重
量部の範囲とした。試料番号１１〜１５は誘電体磁器組
成物の主成分となるＢａＴｉＯ3 に添加するＮｄ2 Ｏ3
の添加量を０〜０．５３重量部まで値を夫々変化させ
た。この時、Ｎｂ2 Ｏ5 、ＭｇＯ及びＭｎＣＯ3 の添加
量をそれぞれ１．８重量部、０．３重量部、０．１重量
部にした。
量部）では、交流電圧２０００Ｖ／ｃｍ印加時のｔａｎ
δが４．０％になってしまう。また、試料番号７〜９
（ＭｇＯの添加量：０．０６〜０．７０重量部）では、
比誘電率εｒが２５８０〜２９５０となり、誘電損失ｔ
ａｎσが２．０％以下であり、温度特性が±１３％以内
になり、交流電圧２０００Ｖ／ｃｍ印加時のｔａｎσが
２．６％以下で、絶縁抵抗（ＩＲ）も３〜８×１０4 Ｍ
Ωと良品の範囲となる。即ち、比誘電率εｒが高く、温
度特性に優れ、誘電損失ｔａｎδが小さく、さらに誘電
損失の交流電圧依存性が小さい誘電体磁器が達成され
る。更に、試料番号１０（ＭｇＯの添加量：０．７５重
量部）では、誘電損失ｔａｎδが１．７％と良品の範囲
となるものの、比誘電率εｒが２１００となってしま
う。従って、本発明においてはチタン酸バリウムＢａＴ
ｉＯ3 に添加するＭｇＯ重量は、チタン酸バリウムＢａ
ＴｉＯ3１００重量部に対して、０．０６〜０．７０重
量部の範囲とした。試料番号１１〜１５は誘電体磁器組
成物の主成分となるＢａＴｉＯ3 に添加するＮｄ2 Ｏ3
の添加量を０〜０．５３重量部まで値を夫々変化させ
た。この時、Ｎｂ2 Ｏ5 、ＭｇＯ及びＭｎＣＯ3 の添加
量をそれぞれ１．８重量部、０．３重量部、０．１重量
部にした。
【００３３】試料番号１１（Ｎｄ2 Ｏ3 の添加量：０）
では、誘電損失ｔａｎδが２．５％となるものの、比誘
電率εｒが２３５０と低くなってしまう。また、試料番
号１２〜１４（Ｎｄ2 Ｏ3 の添加量：０．００５〜０．
５２重量部）では、比誘電率εｒが２６６０〜３４２０
となり、誘電損失ｔａｎδが２．０％以下であり、温度
特性が±１１％以内になり、交流電圧２０００Ｖ／ｃｍ
印加時のｔａｎδが２．８％以下で、絶縁抵抗（ＩＲ）
も３〜７×１０4 ＭΩと良品の範囲となる。即ち、比誘
電率εｒが高く、温度特性に優れ、誘電損失ｔａｎσが
小さく、さらに誘電損失の交流電圧依存性が小さい誘電
体磁器が達成される。更に、試料番号１５（Ｎｄ2 Ｏ3
の添加量：０．５５重量部）では、比誘電率εｒが３６
３０、誘電損失ｔａｎδが１．８％と良品の範囲となる
ものの、温度特性が悪化してしまう。従って、本発明に
おいてはチタン酸バリウムＢａＴｉＯ3 に添加するＮｄ
2O3 の重量は、チタン酸バリウムＢａＴｉＯ3 １００重
量部に対して、０．００５〜０．５２重量部の範囲とし
た。
では、誘電損失ｔａｎδが２．５％となるものの、比誘
電率εｒが２３５０と低くなってしまう。また、試料番
号１２〜１４（Ｎｄ2 Ｏ3 の添加量：０．００５〜０．
５２重量部）では、比誘電率εｒが２６６０〜３４２０
となり、誘電損失ｔａｎδが２．０％以下であり、温度
特性が±１１％以内になり、交流電圧２０００Ｖ／ｃｍ
印加時のｔａｎδが２．８％以下で、絶縁抵抗（ＩＲ）
も３〜７×１０4 ＭΩと良品の範囲となる。即ち、比誘
電率εｒが高く、温度特性に優れ、誘電損失ｔａｎσが
小さく、さらに誘電損失の交流電圧依存性が小さい誘電
体磁器が達成される。更に、試料番号１５（Ｎｄ2 Ｏ3
の添加量：０．５５重量部）では、比誘電率εｒが３６
３０、誘電損失ｔａｎδが１．８％と良品の範囲となる
ものの、温度特性が悪化してしまう。従って、本発明に
おいてはチタン酸バリウムＢａＴｉＯ3 に添加するＮｄ
2O3 の重量は、チタン酸バリウムＢａＴｉＯ3 １００重
量部に対して、０．００５〜０．５２重量部の範囲とし
た。
【００３４】試料番号１６〜２０は誘電体磁器組成物の
主成分となるＢａＴｉＯ3 に添加するＭｎＣＯ3 の添加
量を０．００５〜０．３５重量部まで値を夫々変化させ
た。
主成分となるＢａＴｉＯ3 に添加するＭｎＣＯ3 の添加
量を０．００５〜０．３５重量部まで値を夫々変化させ
た。
【００３５】この時、Ｎｂ2 Ｏ5 、ＭｇＯ及びＮｄ2 Ｏ
3 の添加量を１．８重量部、０．３重量部、０．２重量
部にした。
3 の添加量を１．８重量部、０．３重量部、０．２重量
部にした。
【００３６】試料番号１６（ＭｎＣＯ3 の添加量：０．
００５重量部）では、比誘電率εｒが２８５０となるも
のの、誘電損失ｔａｎδが２．６％となってしまう。さ
らに絶縁抵抗が９×１０3 となる。また、試料番号１７
〜１９（ＭｎＣＯ3 の添加量：０．０１〜０．３重量
％）では、比誘電率εｒが２６５０〜２８６０となり、
誘電損失ｔａｎδが２．２％以下であり、温度特性が±
６％以内になり、交流電圧２０００Ｖ／ｃｍ印加時のｔ
ａｎδが３．０％以下で、絶縁抵抗（ＩＲ）も３×１０
4 〜１×１０5 ＭΩと良品の範囲となる。即ち、比誘電
率εｒが高く、温度特性に優れ、誘電損失ｔａｎδが小
さく、さらに誘電損失の交流電圧依存性が小さい誘電体
磁器が達成される。更に、試料番号２０（ＭｎＣＯ3 の
添加量：０．３５重量部）では、誘電損失ｔａｎδが
１．４％と良品の範囲となるものの、比誘電率εｒが２
２００と低くなってしまう。従って、本発明においては
チタン酸バリウムＢａＴｉＯ3 に添加するＭｎＣＯ3 の
重量は、チタン酸バリウムＢａＴｉＯ3 １００重量部に
対して、０．０１〜０．３重量部の範囲とした。
００５重量部）では、比誘電率εｒが２８５０となるも
のの、誘電損失ｔａｎδが２．６％となってしまう。さ
らに絶縁抵抗が９×１０3 となる。また、試料番号１７
〜１９（ＭｎＣＯ3 の添加量：０．０１〜０．３重量
％）では、比誘電率εｒが２６５０〜２８６０となり、
誘電損失ｔａｎδが２．２％以下であり、温度特性が±
６％以内になり、交流電圧２０００Ｖ／ｃｍ印加時のｔ
ａｎδが３．０％以下で、絶縁抵抗（ＩＲ）も３×１０
4 〜１×１０5 ＭΩと良品の範囲となる。即ち、比誘電
率εｒが高く、温度特性に優れ、誘電損失ｔａｎδが小
さく、さらに誘電損失の交流電圧依存性が小さい誘電体
磁器が達成される。更に、試料番号２０（ＭｎＣＯ3 の
添加量：０．３５重量部）では、誘電損失ｔａｎδが
１．４％と良品の範囲となるものの、比誘電率εｒが２
２００と低くなってしまう。従って、本発明においては
チタン酸バリウムＢａＴｉＯ3 に添加するＭｎＣＯ3 の
重量は、チタン酸バリウムＢａＴｉＯ3 １００重量部に
対して、０．０１〜０．３重量部の範囲とした。
【００３７】試料番号２１〜２９はＮｂ2 Ｏ5 のＭｇＯ
に対する比を０．５〜２．３に変化させた。比が０．４
と小さい場合、また２．３と大きい場合いずれも、比誘
電率が２３１０、２０３０と２５００より低く、また温
度特性もはずれてしまう。これに対し、比が０．５〜
２．２場合、誘電率が２５００以上であり温度特性その
他の特性も満足される。実施例２表１の試料Ｎo.１３の
組成に、ＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＺｎＯ粉末を、表３に
示すように添加含有させ、実施例１と同様に、テープ状
に成形した後、このテープを積層し、内部電極を形成
し、積層体を作製した。そして、実施例１と同様に、各
特性を測定し、表４に記した。
に対する比を０．５〜２．３に変化させた。比が０．４
と小さい場合、また２．３と大きい場合いずれも、比誘
電率が２３１０、２０３０と２５００より低く、また温
度特性もはずれてしまう。これに対し、比が０．５〜
２．２場合、誘電率が２５００以上であり温度特性その
他の特性も満足される。実施例２表１の試料Ｎo.１３の
組成に、ＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＺｎＯ粉末を、表３に
示すように添加含有させ、実施例１と同様に、テープ状
に成形した後、このテープを積層し、内部電極を形成
し、積層体を作製した。そして、実施例１と同様に、各
特性を測定し、表４に記した。
【００３８】尚、試料の組成は、ＢａＴｉＯ3 １００重
量部に対して、Ｎｂ2 Ｏ5 を１．８重量部、ＭｇＯを
０．３重量部、Ｎｄ2 Ｏ3 ０．２重量部、ＭｎＯをＭｎ
ＣＯ3換算で０．１重量部含有し、ＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ
3 ，ＺｎＯをＢａＴｉＯ3 １００重量部に対して所定量
含有するものである。
量部に対して、Ｎｂ2 Ｏ5 を１．８重量部、ＭｇＯを
０．３重量部、Ｎｄ2 Ｏ3 ０．２重量部、ＭｎＯをＭｎ
ＣＯ3換算で０．１重量部含有し、ＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ
3 ，ＺｎＯをＢａＴｉＯ3 １００重量部に対して所定量
含有するものである。
【００３９】
【表３】
【００４０】
【表４】
【００４１】これらの表３，４から、ＳｉＯ2 ，Ａｌ2
Ｏ3 ，ＺｎＯを含有することにより、これらの化合物を
含有しない場合（試料Ｎo.１３）よりも焼成温度が低下
し、比誘電率が高くなることが判る。
Ｏ3 ，ＺｎＯを含有することにより、これらの化合物を
含有しない場合（試料Ｎo.１３）よりも焼成温度が低下
し、比誘電率が高くなることが判る。
【００４２】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、Ｘ７Ｒ
特性を満足し、比誘電率εｒが２５００以上で、且つ焼
成温度が１３００℃以下となる。またその他の諸特性と
して、誘電損失ｔａｎδが２．５％以下絶縁抵抗（Ｉ
Ｒ）が１０4 ＭΩ以上、交流電圧２０００Ｖ／ｃｍ印加
時のｔａｎδが３％以下の誘電体磁器組成物を得ること
ができる。
特性を満足し、比誘電率εｒが２５００以上で、且つ焼
成温度が１３００℃以下となる。またその他の諸特性と
して、誘電損失ｔａｎδが２．５％以下絶縁抵抗（Ｉ
Ｒ）が１０4 ＭΩ以上、交流電圧２０００Ｖ／ｃｍ印加
時のｔａｎδが３％以下の誘電体磁器組成物を得ること
ができる。
【００４３】これにより、例えば積層セラミックコンデ
ンサを上述の誘電体磁器組成物で構成した場合、温度特
性に優れた小型・大容量のコンデンサを得ることがで
き、焼成温度が１３００℃以下となり、積層されたシー
ト間に内部電極として、安価な銀−パラジウムを使用す
ることも可能で、安価な積層セラミックコンデンサを得
ることができる。
ンサを上述の誘電体磁器組成物で構成した場合、温度特
性に優れた小型・大容量のコンデンサを得ることがで
き、焼成温度が１３００℃以下となり、積層されたシー
ト間に内部電極として、安価な銀−パラジウムを使用す
ることも可能で、安価な積層セラミックコンデンサを得
ることができる。
Claims (3)
- 【請求項１】ＢａＴｉＯ3 １００重量部に対して、Ｎｂ
2 Ｏ5 を０．８〜２．５重量部、ＭｇＯを０．０６〜
０．７０重量部、Ｎｄ2 Ｏ3 を０．００５〜０．５２０
重量部、ＭｎＯをＭｎＣＯ3 に換算して０．０１〜０．
３０重量部含有するとともに、Ｎｂ2 Ｏ5 のＭｇＯに対
するモル比が０．５〜２．２の範囲内にあることを特徴
とする誘電体磁器組成物。 - 【請求項２】ＢａＴｉＯ3 １００重量部に対して、さら
にＳｉＯ2 およびＡｌ2 Ｏ3 のうち少なくとも一種を
０．０５〜０．５０重量部含有することを特徴とする請
求項１記載の誘電体磁器組成物。 - 【請求項３】ＢａＴｉＯ3 １００重量部に対して、Ｚｎ
Ｏを０．５重量部以下含有することを特徴とする請求項
１または２記載の誘電体磁器組成物。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6264786A JPH08129910A (ja) | 1994-10-28 | 1994-10-28 | 誘電体磁器組成物 |
| US08/545,459 US5650367A (en) | 1994-01-28 | 1995-10-19 | Dielectric ceramic composition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6264786A JPH08129910A (ja) | 1994-10-28 | 1994-10-28 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08129910A true JPH08129910A (ja) | 1996-05-21 |
Family
ID=17408184
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6264786A Pending JPH08129910A (ja) | 1994-01-28 | 1994-10-28 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08129910A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2005085154A1 (ja) * | 2004-03-05 | 2007-12-06 | 宇部興産株式会社 | 誘電体粒子集合体、それを用いた低温焼結誘電体磁器組成物及びそれを用いて製造される低温焼結誘電体磁器 |
-
1994
- 1994-10-28 JP JP6264786A patent/JPH08129910A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2005085154A1 (ja) * | 2004-03-05 | 2007-12-06 | 宇部興産株式会社 | 誘電体粒子集合体、それを用いた低温焼結誘電体磁器組成物及びそれを用いて製造される低温焼結誘電体磁器 |
| JP4775583B2 (ja) * | 2004-03-05 | 2011-09-21 | 宇部興産株式会社 | 誘電体粒子集合体、それを用いた低温焼結誘電体磁器組成物及びそれを用いて製造される低温焼結誘電体磁器 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3046436B2 (ja) | セラミックコンデンサ | |
| JP3509710B2 (ja) | 誘電体セラミック組成物、および積層セラミックコンデンサ | |
| JP3391268B2 (ja) | 誘電体セラミックおよびその製造方法、ならびに、積層セラミック電子部品およびその製造方法 | |
| JP2001006966A (ja) | セラミックコンデンサおよびその製造方法 | |
| JP2001039765A (ja) | 誘電体セラミック組成物、および積層セラミックコンデンサ | |
| JP3250923B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP3945033B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサの製造方法 | |
| JP3634930B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP2902925B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP3250917B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP4320549B2 (ja) | 誘電体セラミック、及び積層セラミックコンデンサ | |
| JP3250927B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP3228649B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP2003104774A (ja) | 誘電体磁器組成物及びそれを用いたコンデンサ | |
| JPH09241074A (ja) | 非還元性誘電体セラミック及びそれを用いた積層セラミック電子部品 | |
| JPH08129910A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP3064518B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP2958826B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP3362408B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP3600701B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP2821768B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JP3401145B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP2872513B2 (ja) | 誘電体磁器及び磁器コンデンサ | |
| JP3106371B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP3064519B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 |