JPH08130102A - 電子工学用途のためダイヤモンド上に設置された密着性のニッケル及びクロム含有合金被膜 - Google Patents
電子工学用途のためダイヤモンド上に設置された密着性のニッケル及びクロム含有合金被膜Info
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- JPH08130102A JPH08130102A JP7145038A JP14503895A JPH08130102A JP H08130102 A JPH08130102 A JP H08130102A JP 7145038 A JP7145038 A JP 7145038A JP 14503895 A JP14503895 A JP 14503895A JP H08130102 A JPH08130102 A JP H08130102A
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- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
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- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ダイヤモンド基板上に設置されて強い密着性
及び小さいＴＣＲを示すようなニッケル及びクロム含有
合金被膜。 【構成】 ダイヤモンド基板上に薄膜抵抗層が設置され
る。その際には、ダイヤモンド基板に対する付着力の向
上及び抵抗の温度係数の低下を示すニッケル−クロム−
炭素合金が生成される。
及び小さいＴＣＲを示すようなニッケル及びクロム含有
合金被膜。 【構成】 ダイヤモンド基板上に薄膜抵抗層が設置され
る。その際には、ダイヤモンド基板に対する付着力の向
上及び抵抗の温度係数の低下を示すニッケル−クロム−
炭素合金が生成される。
Description
【０００１】
【発明の背景】本発明は電子工学用途のための金属被覆
ダイヤモンド基板に関するものであって、更に詳しく言
えば、薄膜電気抵抗体として使用するためダイヤモンド
基板上に設置された密着性のニッケル−クロム−炭素合
金被膜に関する。ダイヤモンドは、集積回路及びマルチ
チップモジュール用の基板材料として大いに注目を集め
ている。中でも、化学蒸着法（すなわち、水素及び炭化
水素を含有する低圧の混合ガスを活性化することによっ
て基体表面上にダイヤモンドを析出させる方法）によっ
て製造された合成ダイヤモンド（以後は「ＣＶＤダイヤ
モンド」と呼ぶ）が重要である。導電率及び誘電率が低
く、かつヒートシンク材料として使用し得るほどに熱伝
導率が高いため、ダイヤモンドは回路素子が互いに密接
して配置されている結果として熱の放散が不可欠である
ような高密度相互接続モジュール及びレーザダイオード
含有回路において特に有用である。
ダイヤモンド基板に関するものであって、更に詳しく言
えば、薄膜電気抵抗体として使用するためダイヤモンド
基板上に設置された密着性のニッケル−クロム−炭素合
金被膜に関する。ダイヤモンドは、集積回路及びマルチ
チップモジュール用の基板材料として大いに注目を集め
ている。中でも、化学蒸着法（すなわち、水素及び炭化
水素を含有する低圧の混合ガスを活性化することによっ
て基体表面上にダイヤモンドを析出させる方法）によっ
て製造された合成ダイヤモンド（以後は「ＣＶＤダイヤ
モンド」と呼ぶ）が重要である。導電率及び誘電率が低
く、かつヒートシンク材料として使用し得るほどに熱伝
導率が高いため、ダイヤモンドは回路素子が互いに密接
して配置されている結果として熱の放散が不可欠である
ような高密度相互接続モジュール及びレーザダイオード
含有回路において特に有用である。
【０００２】かかるモジュールを製造するためには、一
般に、導電性及び（又は）抵抗性の接続用金属パターン
をダイヤモンド表面上に設置することが必要である。特
に、制御された抵抗を有する金属パターンを形成するた
めにはニッケル−クロム合金が有用である。その主な理
由は、この合金が安定であると共に、両方の成分金属が
比較的安価であることにある。
般に、導電性及び（又は）抵抗性の接続用金属パターン
をダイヤモンド表面上に設置することが必要である。特
に、制御された抵抗を有する金属パターンを形成するた
めにはニッケル−クロム合金が有用である。その主な理
由は、この合金が安定であると共に、両方の成分金属が
比較的安価であることにある。
【０００３】パターン化されたニッケル−クロム合金の
薄膜をセラミック基板上に設置して成る抵抗体は、多年
にわたって使用されてきた。このような抵抗体に関して
認識されかつ解決されてきた問題の１つは、かかる合金
の抵抗の温度係数（以後は「ＴＣＲ」と呼ぶことがあ
る）が大きいことである。すなわち、かかる合金の抵抗
は温度の変化に伴って実質的に変化するのである。特定
の抵抗レベルを有する抵抗体は既知抵抗率の導電性パタ
ーンの寸法を変化させることによって形成されるのが通
例であるから、ニッケル−クロム合金のＴＣＲを通例は
約５ｐｐｍ／°Ｋ以下の値にまで低下させることが必要
であった。セラミック基板を使用する材料の場合、これ
は酸素又はアルミニウムのごとき元素を金属被膜中に混
入することによって達成されるのが通例である。
薄膜をセラミック基板上に設置して成る抵抗体は、多年
にわたって使用されてきた。このような抵抗体に関して
認識されかつ解決されてきた問題の１つは、かかる合金
の抵抗の温度係数（以後は「ＴＣＲ」と呼ぶことがあ
る）が大きいことである。すなわち、かかる合金の抵抗
は温度の変化に伴って実質的に変化するのである。特定
の抵抗レベルを有する抵抗体は既知抵抗率の導電性パタ
ーンの寸法を変化させることによって形成されるのが通
例であるから、ニッケル−クロム合金のＴＣＲを通例は
約５ｐｐｍ／°Ｋ以下の値にまで低下させることが必要
であった。セラミック基板を使用する材料の場合、これ
は酸素又はアルミニウムのごとき元素を金属被膜中に混
入することによって達成されるのが通例である。
【０００４】ダイヤモンド上に設置されたニッケル−ク
ロム合金被膜に関するもう１つの問題は、基板に対する
付着力が一般に小さいことである。電子工学用途に対し
ては一般に約１４０〜３５０ｋｇ／ｃｍ2 の付着力が必
要とされる。かかる付着力はまた、集積回路などの製造
に際して実施される高温加工操作に耐えることも必要で
ある。
ロム合金被膜に関するもう１つの問題は、基板に対する
付着力が一般に小さいことである。電子工学用途に対し
ては一般に約１４０〜３５０ｋｇ／ｃｍ2 の付着力が必
要とされる。かかる付着力はまた、集積回路などの製造
に際して実施される高温加工操作に耐えることも必要で
ある。
【０００５】容易に炭化物を生成する各種の金属の場
合、ダイヤモンドに対するそれらの付着力を向上させる
ためには、通例は還元雰囲気中において９００〜１００
０℃の温度下で熱処理を施せばよい。かかる熱処理条件
が炭化物結合被膜の生成をもたらすことは明らかであ
る。クロムは炭化物を生成する。実際、それは３種の炭
化物を生成することができる。とは言え、上記のごとき
熱処理条件下で優先的に生成される炭化物は脆く、従っ
て適切な結合被膜を生成し得ないことがある。その上、
高率の鉄族金属（たとえばニッケル）の存在下で上記の
ごとき条件を使用しながら加熱を行った場合、ダイヤモ
ンドの黒鉛化が起こると共に、ＴＣＲを制御するために
導入された酸素又はアルミニウムの損失が生じることも
ある。それ故、ダイヤモンド基板と組合わせてかかる合
金を使用することはこれまで成功しなかった。
合、ダイヤモンドに対するそれらの付着力を向上させる
ためには、通例は還元雰囲気中において９００〜１００
０℃の温度下で熱処理を施せばよい。かかる熱処理条件
が炭化物結合被膜の生成をもたらすことは明らかであ
る。クロムは炭化物を生成する。実際、それは３種の炭
化物を生成することができる。とは言え、上記のごとき
熱処理条件下で優先的に生成される炭化物は脆く、従っ
て適切な結合被膜を生成し得ないことがある。その上、
高率の鉄族金属（たとえばニッケル）の存在下で上記の
ごとき条件を使用しながら加熱を行った場合、ダイヤモ
ンドの黒鉛化が起こると共に、ＴＣＲを制御するために
導入された酸素又はアルミニウムの損失が生じることも
ある。それ故、ダイヤモンド基板と組合わせてかかる合
金を使用することはこれまで成功しなかった。
【０００６】窒化タンタルもまた、薄膜抵抗体として常
用されている。窒化タンタルは適切に制御されたＴＣＲ
を有するように生成させることができるが、そのために
は空気中において３００〜４００℃の範囲内の温度下で
不動態化を施す必要がある。しかるに、ダイヤモンド基
板と組合わせて窒化タンタルを使用しようとした場合、
不動態化操作が窒化タンタル（又はダイヤモンドに接触
した炭化タンタル結合層）を酸化タンタルに転化させ、
そのためダイヤモンドに対する付着力が低下することが
ある。
用されている。窒化タンタルは適切に制御されたＴＣＲ
を有するように生成させることができるが、そのために
は空気中において３００〜４００℃の範囲内の温度下で
不動態化を施す必要がある。しかるに、ダイヤモンド基
板と組合わせて窒化タンタルを使用しようとした場合、
不動態化操作が窒化タンタル（又はダイヤモンドに接触
した炭化タンタル結合層）を酸化タンタルに転化させ、
そのためダイヤモンドに対する付着力が低下することが
ある。
【０００７】
【発明の概要】それ故、ダイヤモンド基板上に設置され
て強い密着性及び小さいＴＣＲを示すようなニッケル及
びクロム含有合金被膜が得られれば望ましいのである。
また、薄膜抵抗体を形成するために適した導電性の金属
パターンとしてかかる被膜を設置することも望ましい。
これらの目的は本発明によって達成される。
て強い密着性及び小さいＴＣＲを示すようなニッケル及
びクロム含有合金被膜が得られれば望ましいのである。
また、薄膜抵抗体を形成するために適した導電性の金属
パターンとしてかかる被膜を設置することも望ましい。
これらの目的は本発明によって達成される。
【０００８】本発明に従えば、(a) ダイヤモンド基板及
び(b) 前記ダイヤモンド基板上に設置された密着性の金
属層から成りかつ前記金属層中に拡散した炭素を含有す
る抵抗層を含み、前記抵抗層が１０ｐｐｍ／°Ｋより小
さい抵抗の温度係数及び前記ダイヤモンド基板に対して
７００ｋｇ／ｃｍ2 より大きい付着力を示すことを特徴
とする抵抗素子が提供される。
び(b) 前記ダイヤモンド基板上に設置された密着性の金
属層から成りかつ前記金属層中に拡散した炭素を含有す
る抵抗層を含み、前記抵抗層が１０ｐｐｍ／°Ｋより小
さい抵抗の温度係数及び前記ダイヤモンド基板に対して
７００ｋｇ／ｃｍ2 より大きい付着力を示すことを特徴
とする抵抗素子が提供される。
【０００９】
【好適な実施の態様の詳細な説明】単結晶ダイヤモンド
又は多結晶質ダイヤモンドのいずれであるかを問わず、
任意のダイヤモンド表面を本発明の抵抗層によって被覆
することができる。とは言え、本発明の抵抗層は多結晶
質ダイヤモンドとりわけＣＶＤダイヤモンドと共に使用
すれば最も有用である。ＣＶＤダイヤモンドは蒸着用の
基体上にそのまま保持されることもあるが、薄板として
基体から分離される場合が多い。かかる薄板は、集積回
路において使用するため、所望の寸法及び形状を持った
断片に切断されることがある。
又は多結晶質ダイヤモンドのいずれであるかを問わず、
任意のダイヤモンド表面を本発明の抵抗層によって被覆
することができる。とは言え、本発明の抵抗層は多結晶
質ダイヤモンドとりわけＣＶＤダイヤモンドと共に使用
すれば最も有用である。ＣＶＤダイヤモンドは蒸着用の
基体上にそのまま保持されることもあるが、薄板として
基体から分離される場合が多い。かかる薄板は、集積回
路において使用するため、所望の寸法及び形状を持った
断片に切断されることがある。
【００１０】通例、汚染されていないダイヤモンドの表
面抵抗は１５ＭΩ／ｍｍより高く、またそれの抵抗率は
１０13Ω・ｃｍ程度である。しかるに、ダイヤモンドが
その他の物質で汚染されると、表面抵抗は実質的に低下
することがある。更にまた、ダイヤモンドの表面上に黒
鉛状の炭素が存在すると、ダイヤモンドに対する金属パ
ターンの付着力が小さくなることもある。それ故、本発
明の金属層を設置するのに先立ち、黒鉛及びその他の汚
染物を完全に除去することが望ましい。そのためには、
比較的低い温度下でダイヤモンドを各種の強酸混合物に
接触させればよい。通例、痕跡量の金属を除去するため
には沸騰する塩酸−フッ化水素酸−硝酸混合物が使用さ
れ、また黒鉛を除去するためには沸騰する硫酸−硝酸混
合物が使用される。清浄処理の後、ダイヤモンド表面に
は金属層の付着力を向上させるための処理を施すことが
できる。そのためには、たとえば、スパッタエッチング
又はその他のプラズマ清浄処理技術を使用すればよい。
面抵抗は１５ＭΩ／ｍｍより高く、またそれの抵抗率は
１０13Ω・ｃｍ程度である。しかるに、ダイヤモンドが
その他の物質で汚染されると、表面抵抗は実質的に低下
することがある。更にまた、ダイヤモンドの表面上に黒
鉛状の炭素が存在すると、ダイヤモンドに対する金属パ
ターンの付着力が小さくなることもある。それ故、本発
明の金属層を設置するのに先立ち、黒鉛及びその他の汚
染物を完全に除去することが望ましい。そのためには、
比較的低い温度下でダイヤモンドを各種の強酸混合物に
接触させればよい。通例、痕跡量の金属を除去するため
には沸騰する塩酸−フッ化水素酸−硝酸混合物が使用さ
れ、また黒鉛を除去するためには沸騰する硫酸−硝酸混
合物が使用される。清浄処理の後、ダイヤモンド表面に
は金属層の付着力を向上させるための処理を施すことが
できる。そのためには、たとえば、スパッタエッチング
又はその他のプラズマ清浄処理技術を使用すればよい。
【００１１】本発明の金属層を形成するために使用され
るニッケル−クロム合金は、一般に約６０〜９０重量％
のニッケル及び残部のクロムから成っている。なお、約
７５〜８５重量％のニッケルを含有する合金が好適であ
り、また８０重量％のニッケルを含有する合金が最も好
適である。かかるニッケル−クロム合金は通常の技術に
よって設置することができる。多くの場合、スパッタリ
ングが好適である。こうして得られた合金被膜の厚さは
通例約１００〜５０００オングストロームであり、また
好ましくは約１０００〜５０００オングストロームであ
る。
るニッケル−クロム合金は、一般に約６０〜９０重量％
のニッケル及び残部のクロムから成っている。なお、約
７５〜８５重量％のニッケルを含有する合金が好適であ
り、また８０重量％のニッケルを含有する合金が最も好
適である。かかるニッケル−クロム合金は通常の技術に
よって設置することができる。多くの場合、スパッタリ
ングが好適である。こうして得られた合金被膜の厚さは
通例約１００〜５０００オングストロームであり、また
好ましくは約１０００〜５０００オングストロームであ
る。
【００１２】かかる合金被膜については、被覆操作と同
時又はその後においてパターン化を施すことが一般に好
ましい。通例、単純なマスキングによる同時パターン化
が採用される。合金被膜の設置及び（随意の）パターン
化の後、かかる合金被膜を有する基板が窒化物を生成さ
せない非酸化性雰囲気中において加熱される。かかる雰
囲気は、全ガス量を基準として通例約１０重量％までの
量で少なくとも１種の還元ガス（最も普通には水素）を
含有することが好ましい。なお、不活性ガスを単独で使
用してもよいし、あるいは上記の還元ガスと組合わせて
使用してもよい。不活性ガスの実例としてはヘリウム、
アルゴン、ネオン及びキセノンのごとき希ガスが挙げら
れるが、比較的安価に入手可能であるという点で一般に
アルゴンが好適である。窒素は、熱処理条件下で１種以
上の金属と容易に窒化物を生成するから避ける必要があ
る。
時又はその後においてパターン化を施すことが一般に好
ましい。通例、単純なマスキングによる同時パターン化
が採用される。合金被膜の設置及び（随意の）パターン
化の後、かかる合金被膜を有する基板が窒化物を生成さ
せない非酸化性雰囲気中において加熱される。かかる雰
囲気は、全ガス量を基準として通例約１０重量％までの
量で少なくとも１種の還元ガス（最も普通には水素）を
含有することが好ましい。なお、不活性ガスを単独で使
用してもよいし、あるいは上記の還元ガスと組合わせて
使用してもよい。不活性ガスの実例としてはヘリウム、
アルゴン、ネオン及びキセノンのごとき希ガスが挙げら
れるが、比較的安価に入手可能であるという点で一般に
アルゴンが好適である。窒素は、熱処理条件下で１種以
上の金属と容易に窒化物を生成するから避ける必要があ
る。
【００１３】熱処理の温度もまた重要である。かかる温
度は約７５０〜９００℃の範囲内になければならない
が、約７５０〜８５０℃の範囲内にあることが好まし
く、また約８００℃であることが最も好ましい。約７５
０℃より低い温度の使用は無効である。他方、約９００
℃より高い温度下では、合金中のニッケルがダイヤモン
ド表面の黒鉛化を促進して部分的に導電性を付与し、そ
のために誘電体としての有効性が損なわれることがあ
る。
度は約７５０〜９００℃の範囲内になければならない
が、約７５０〜８５０℃の範囲内にあることが好まし
く、また約８００℃であることが最も好ましい。約７５
０℃より低い温度の使用は無効である。他方、約９００
℃より高い温度下では、合金中のニッケルがダイヤモン
ド表面の黒鉛化を促進して部分的に導電性を付与し、そ
のために誘電体としての有効性が損なわれることがあ
る。
【００１４】本発明の条件下における熱処理が有効であ
る理由は、明確には知られていない。とは言え、かかる
熱処理は基板から合金被膜中への炭素の拡散及び基板に
向かってのクロムの拡散を引起こし、それによって基板
にしっかりと結合したニッケル−クロム−炭素層を形成
することが判明している。また、炭化クロムの生成及び
ニッケル中への炭素の溶解はＴＣＲの小さい物質を生み
出すものと考えられている。
る理由は、明確には知られていない。とは言え、かかる
熱処理は基板から合金被膜中への炭素の拡散及び基板に
向かってのクロムの拡散を引起こし、それによって基板
にしっかりと結合したニッケル−クロム−炭素層を形成
することが判明している。また、炭化クロムの生成及び
ニッケル中への炭素の溶解はＴＣＲの小さい物質を生み
出すものと考えられている。
【００１５】本発明を一層詳しく説明するため、以下に
実施例を示す。詳しく述べれば、約１２ミリ平方の大き
さ及び２５０ミクロンの厚さを有する複数の高度に研磨
されたＣＶＤダイヤモンド試験片を等容の塩酸、フッ化
水素酸及び硝酸の沸騰混合物中で１２時間にわたり処理
することによって金属汚染物を表面から除去し、次いで
４容の硫酸と１容の硝酸との沸騰混合物中で４時間にわ
たり処理することによって黒鉛状炭素及びその他の物質
を表面から除去した。清浄処理後に各々の試験片の表面
抵抗を測定したところ、使用した抵抗計の上限である１
５ＭΩ／ｍｍより高かった。
実施例を示す。詳しく述べれば、約１２ミリ平方の大き
さ及び２５０ミクロンの厚さを有する複数の高度に研磨
されたＣＶＤダイヤモンド試験片を等容の塩酸、フッ化
水素酸及び硝酸の沸騰混合物中で１２時間にわたり処理
することによって金属汚染物を表面から除去し、次いで
４容の硫酸と１容の硝酸との沸騰混合物中で４時間にわ
たり処理することによって黒鉛状炭素及びその他の物質
を表面から除去した。清浄処理後に各々の試験片の表面
抵抗を測定したところ、使用した抵抗計の上限である１
５ＭΩ／ｍｍより高かった。
【００１６】試験片の表面に対して６分間にわたりスパ
ッタエッチングを施した後、１００ワットの直流磁電管
及び８ミリトルのアルゴン圧を使用したスパッタリング
により、（８０％のニッケル及び２０％のクロムから成
る）ニッケル−クロム合金の層を（重量の増加及び表面
のプロフィル測定結果から求めて）３０００オングスト
ロームの厚さに設置した。その際には、マイラー(Myla
r) ポリエステルマスクを用いてパターン化スパッタリ
ングを実施することにより、約３．２ｍｍの幅を有する
金属ストリップを形成した。設置されたままのニッケル
−クロム合金層は、約７〜約１７５ｋｇ／ｃｍ2 の範囲
内の付着力及び約１．２×１０-4Ω・ｃｍの抵抗率を有
していた。多くの場合、１５０〜２００℃に加熱すると
合金層は表面から剥落した。
ッタエッチングを施した後、１００ワットの直流磁電管
及び８ミリトルのアルゴン圧を使用したスパッタリング
により、（８０％のニッケル及び２０％のクロムから成
る）ニッケル−クロム合金の層を（重量の増加及び表面
のプロフィル測定結果から求めて）３０００オングスト
ロームの厚さに設置した。その際には、マイラー(Myla
r) ポリエステルマスクを用いてパターン化スパッタリ
ングを実施することにより、約３．２ｍｍの幅を有する
金属ストリップを形成した。設置されたままのニッケル
−クロム合金層は、約７〜約１７５ｋｇ／ｃｍ2 の範囲
内の付着力及び約１．２×１０-4Ω・ｃｍの抵抗率を有
していた。多くの場合、１５０〜２００℃に加熱すると
合金層は表面から剥落した。
【００１７】金属被覆された基板を５重量％の水素と９
５重量％のアルゴンとから成る混合ガスに接触させなが
ら８００℃で１時間にわたり熱処理したところ、付着力
が７００ｋｇ／ｃｍ2 以上に増大した。それと同時に、
抵抗率は６．６×１０-5Ω・ｃｍに低下した。試験片の
オージェ電子分光分析を行ったところ、ニッケル−クロ
ム合金中に炭素が拡散すると共に金属−ダイヤモンド界
面に向かってクロムが拡散し、それによって炭化クロム
結合層の生成をもたらす条件が生み出されたことが判明
した。
５重量％のアルゴンとから成る混合ガスに接触させなが
ら８００℃で１時間にわたり熱処理したところ、付着力
が７００ｋｇ／ｃｍ2 以上に増大した。それと同時に、
抵抗率は６．６×１０-5Ω・ｃｍに低下した。試験片の
オージェ電子分光分析を行ったところ、ニッケル−クロ
ム合金中に炭素が拡散すると共に金属−ダイヤモンド界
面に向かってクロムが拡散し、それによって炭化クロム
結合層の生成をもたらす条件が生み出されたことが判明
した。
【００１８】合金層の熱安定性を評価するため、空気中
において試験片を２００〜５００℃で様々な時間にわた
り加熱した。各々の試験片が高温にある間にそれの抵抗
を測定した。熱処理を施したものは、４時間までの時間
にわたって４５０℃の温度に暴露した後にも付着力の低
下及び抵抗率の変化を示さなかった。５００℃では１時
間後に抵抗率の増大が認められたが、オージェ電子分光
分析によれば、これは酸化及び合金層からの炭素の喪失
に原因することが判明した。
において試験片を２００〜５００℃で様々な時間にわた
り加熱した。各々の試験片が高温にある間にそれの抵抗
を測定した。熱処理を施したものは、４時間までの時間
にわたって４５０℃の温度に暴露した後にも付着力の低
下及び抵抗率の変化を示さなかった。５００℃では１時
間後に抵抗率の増大が認められたが、オージェ電子分光
分析によれば、これは酸化及び合金層からの炭素の喪失
に原因することが判明した。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｋ 1/16 Ｃ 7726−4Ｅ (72)発明者 エリュー・カルヴァン・ジェラベク アメリカ合衆国、ニューヨーク州、グレン モント、フューラ・ブッシュ・ロード、 504番
Claims (5)
- 【請求項１】 (a) ダイヤモンド基板及び(b) 前記ダイ
ヤモンド基板上に設置された密着性の金属層から成りか
つ前記金属層中に拡散した炭素を含有する抵抗層を含
み、前記抵抗層が１０ｐｐｍ／°Ｋより小さい抵抗の温
度係数及び前記ダイヤモンド基板に対して７００ｋｇ／
ｃｍ2 より大きい付着力を示すことを特徴とする抵抗素
子。 - 【請求項２】 前記金属層が約６０〜９０重量％のニッ
ケル及び残部のクロムから成る請求項１記載の抵抗素
子。 - 【請求項３】 前記金属層がパターン化されている請求
項１記載の抵抗素子。 - 【請求項４】 前記ダイヤモンド基板が多結晶質ダイヤ
モンドから成る請求項１記載の抵抗素子。 - 【請求項５】 前記ダイヤモンド基板が化学蒸着ダイヤ
モンドから成る請求項１記載の抵抗素子。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US26210794A | 1994-06-17 | 1994-06-17 | |
| US262107 | 1994-06-17 | ||
| US34765994A | 1994-12-01 | 1994-12-01 | |
| US347659 | 1994-12-01 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08130102A true JPH08130102A (ja) | 1996-05-21 |
Family
ID=26949027
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7145038A Withdrawn JPH08130102A (ja) | 1994-06-17 | 1995-06-13 | 電子工学用途のためダイヤモンド上に設置された密着性のニッケル及びクロム含有合金被膜 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0688026A1 (ja) |
| JP (1) | JPH08130102A (ja) |
| KR (1) | KR970003292A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004503460A (ja) * | 2000-06-15 | 2004-02-05 | エレメント シックス （プロプライエタリイ）リミテッド | Ｃｖｄにより造られた単結晶ダイヤモンド |
| JP2004503461A (ja) * | 2000-06-15 | 2004-02-05 | エレメント シックス （プロプライエタリイ）リミテッド | 厚い単結晶ダイヤモンド層、それを造る方法及びその層から形成された宝石の原石 |
| US9317811B2 (en) | 2008-07-23 | 2016-04-19 | Element Six Technologies Limited | Diamond material |
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Cited By (6)
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