JPH0813153A - 非晶質磁性合金薄帯の絶縁被膜形成方法 - Google Patents
非晶質磁性合金薄帯の絶縁被膜形成方法Info
- Publication number
- JPH0813153A JPH0813153A JP7148788A JP14878895A JPH0813153A JP H0813153 A JPH0813153 A JP H0813153A JP 7148788 A JP7148788 A JP 7148788A JP 14878895 A JP14878895 A JP 14878895A JP H0813153 A JPH0813153 A JP H0813153A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solution
- magnetic alloy
- amorphous magnetic
- coating
- alloy ribbon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 63
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract description 62
- 229910001004 magnetic alloy Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 46
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 25
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 36
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 10
- DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N Tert-Butanol Chemical compound CC(C)(C)O DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- BTANRVKWQNVYAZ-UHFFFAOYSA-N butan-2-ol Chemical compound CCC(C)O BTANRVKWQNVYAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims abstract description 3
- 239000005456 alcohol based solvent Substances 0.000 claims abstract 2
- 150000002901 organomagnesium compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 abstract description 5
- 125000002734 organomagnesium group Chemical group 0.000 abstract 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical group [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 69
- 239000010408 film Substances 0.000 description 32
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 15
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 14
- RVDLHGSZWAELAU-UHFFFAOYSA-N 5-tert-butylthiophene-2-carbonyl chloride Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=C(C(Cl)=O)S1 RVDLHGSZWAELAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 8
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- -1 for example Chemical class 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 3
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 3
- 101150115032 MAOB gene Proteins 0.000 description 2
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 2
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 2
- 239000013638 trimer Substances 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000001476 alcoholic effect Effects 0.000 description 1
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910000808 amorphous metal alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005467 ceramic manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000000539 dimer Substances 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 229910000697 metglas Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000011882 ultra-fine particle Substances 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
- H01F41/24—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates from liquids
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
- H01F1/42—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of organic or organo-metallic materials, e.g. graphene
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
- H01F1/44—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of magnetic liquids, e.g. ferrofluids
- H01F1/445—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of magnetic liquids, e.g. ferrofluids the magnetic component being a compound, e.g. Fe3O4
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Soft Magnetic Materials (AREA)
- Manufacturing Of Steel Electrode Plates (AREA)
- Chemical Treatment Of Metals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 ゾル−ゲル法により、アルコール溶媒中に金
属マグネシウム又は有機マグネシウム化合物を溶解した
第１溶液と、アルコール溶媒中に微量の水を含有する第
２溶液とを、１：１の容量比で混合して得た被膜形成用
被覆溶液を非晶質磁性合金薄帯の表面に被覆した後、こ
れを乾燥及び熱処理して非晶質磁性合金薄帯に酸化物絶
縁被膜を形成する。 【効果】 酸化物被膜が被覆された非晶質磁性合金薄帯
は、交流における実効透磁率と磁心損失等の磁気的性質
が非常に大きく改善される。
属マグネシウム又は有機マグネシウム化合物を溶解した
第１溶液と、アルコール溶媒中に微量の水を含有する第
２溶液とを、１：１の容量比で混合して得た被膜形成用
被覆溶液を非晶質磁性合金薄帯の表面に被覆した後、こ
れを乾燥及び熱処理して非晶質磁性合金薄帯に酸化物絶
縁被膜を形成する。 【効果】 酸化物被膜が被覆された非晶質磁性合金薄帯
は、交流における実効透磁率と磁心損失等の磁気的性質
が非常に大きく改善される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、非晶質磁性合金薄帯の
表面に酸化物絶縁被膜を形成する方法に関するものであ
る。更に具体的には、本発明は高周波用磁心材料として
使用できる非晶質磁性合金薄帯の層間絶縁を目的に、ゾ
ル−ゲル(sol-gel) 法を利用して非晶質磁性合金薄帯の
表面に酸化物絶縁被膜を形成する方法に関するものであ
る。
表面に酸化物絶縁被膜を形成する方法に関するものであ
る。更に具体的には、本発明は高周波用磁心材料として
使用できる非晶質磁性合金薄帯の層間絶縁を目的に、ゾ
ル−ゲル(sol-gel) 法を利用して非晶質磁性合金薄帯の
表面に酸化物絶縁被膜を形成する方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】トロイド型(toroidal)又は積層型(stack
ed) 磁心を含む電磁気デバイスを交流条件で作動する
と、磁心には渦電流が誘起される。誘起された過電流は
デバイスの効率を低減し、磁心の温度を上昇させるた
め、誘起される渦電流の大きさを最小化することが必要
である。渦電流を低減させる方法にはいろいろあるが、
薄板や薄帯の表面に絶縁被膜を被覆する方法が最も広く
用いられている。絶縁被膜を被覆する方法にはいろいろ
なものがあり、今まで非晶質合金薄帯に適用した方法と
しては、例えば酸化物粉末を水又は有機溶媒に分散させ
た混合物又は数種の酸や塩を含む水溶液に薄帯を沈積さ
せる方法〔特開昭５８−１９７８０３号、同５８−１９
７８０４号、同６１−１３６０６号及び特開平１−２３
２７０６号参照〕、イオンプレーティング又は真空蒸着
による酸化物被覆方法〔特開昭６１−１０２１１号及び
同６１−１０２１２号参照〕、重合反応形成が容易な気
体を放電させて酸化物を被覆する方法（特開昭６２−５
２９０６号参照）並びに電解メッキ法〔特開昭６３−８
６８９０号参照〕等がある。
ed) 磁心を含む電磁気デバイスを交流条件で作動する
と、磁心には渦電流が誘起される。誘起された過電流は
デバイスの効率を低減し、磁心の温度を上昇させるた
め、誘起される渦電流の大きさを最小化することが必要
である。渦電流を低減させる方法にはいろいろあるが、
薄板や薄帯の表面に絶縁被膜を被覆する方法が最も広く
用いられている。絶縁被膜を被覆する方法にはいろいろ
なものがあり、今まで非晶質合金薄帯に適用した方法と
しては、例えば酸化物粉末を水又は有機溶媒に分散させ
た混合物又は数種の酸や塩を含む水溶液に薄帯を沈積さ
せる方法〔特開昭５８−１９７８０３号、同５８−１９
７８０４号、同６１−１３６０６号及び特開平１−２３
２７０６号参照〕、イオンプレーティング又は真空蒸着
による酸化物被覆方法〔特開昭６１−１０２１１号及び
同６１−１０２１２号参照〕、重合反応形成が容易な気
体を放電させて酸化物を被覆する方法（特開昭６２−５
２９０６号参照）並びに電解メッキ法〔特開昭６３−８
６８９０号参照〕等がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ゾル−ゲル法は、液相
で単量体(monomer) が二量体(dimer) 、三量体(trimer)
等次第に複雑な分子構造に変化しながら、コロイド状態
のゾルに変わり、液相がだんだん減少しながらコロイド
が互いに集まってゲルに変わる液相物質の高密度化(den
sification) 過程を言う。かかる過程は製造工法により
超微細粒子や薄膜を造るのに利用されており、化学的純
度の高さ、分子の均一分布度、容易な化学当量比の調節
並びに比較的に低い温度で結晶化される等の長所のため
にセラミック製造工程に多く用いられている。出発物質
としてはほとんど金属アルコキシド〔Ｍ（ＯＲ）2x〕が
用いられ、水の加水分解反応により金属が互いに酸素に
連結され、高分子構造〔「ＭａＯｂ（ＯＲｃ）」〕に変
わった後、結局金属酸化物〔ＭＯx ｝に完全に変わるの
である。この過程を簡略に化学式で示すと次の通りであ
る。 Ｍ（ＯＲ）2X＋Ｘ・Ｈ2 Ｏ→「ＭａＯｂ（ＯＲｃ）」→
ＭＯx ＋２Ｘ・ＲＯＨ しかし、かかるゾル−ゲル法が非晶質磁性合金薄帯の酸
化物絶縁被膜を形成するのに利用されたことがない。従
って、本発明の目的はゾル−ゲル法を利用して非晶質磁
性合金薄帯に酸化物の絶縁被膜を形成する方法を提供す
ることである。
で単量体(monomer) が二量体(dimer) 、三量体(trimer)
等次第に複雑な分子構造に変化しながら、コロイド状態
のゾルに変わり、液相がだんだん減少しながらコロイド
が互いに集まってゲルに変わる液相物質の高密度化(den
sification) 過程を言う。かかる過程は製造工法により
超微細粒子や薄膜を造るのに利用されており、化学的純
度の高さ、分子の均一分布度、容易な化学当量比の調節
並びに比較的に低い温度で結晶化される等の長所のため
にセラミック製造工程に多く用いられている。出発物質
としてはほとんど金属アルコキシド〔Ｍ（ＯＲ）2x〕が
用いられ、水の加水分解反応により金属が互いに酸素に
連結され、高分子構造〔「ＭａＯｂ（ＯＲｃ）」〕に変
わった後、結局金属酸化物〔ＭＯx ｝に完全に変わるの
である。この過程を簡略に化学式で示すと次の通りであ
る。 Ｍ（ＯＲ）2X＋Ｘ・Ｈ2 Ｏ→「ＭａＯｂ（ＯＲｃ）」→
ＭＯx ＋２Ｘ・ＲＯＨ しかし、かかるゾル−ゲル法が非晶質磁性合金薄帯の酸
化物絶縁被膜を形成するのに利用されたことがない。従
って、本発明の目的はゾル−ゲル法を利用して非晶質磁
性合金薄帯に酸化物の絶縁被膜を形成する方法を提供す
ることである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】前記本発明の目的は、非
晶質磁性合金薄帯にアルコール溶媒中のマグネシウム溶
液と微量の水を含むアルコール溶液との混合溶液を被覆
した後、乾燥及び熱処理することによって達成される。
以下に本発明をより具体的に説明する。
晶質磁性合金薄帯にアルコール溶媒中のマグネシウム溶
液と微量の水を含むアルコール溶液との混合溶液を被覆
した後、乾燥及び熱処理することによって達成される。
以下に本発明をより具体的に説明する。
【０００５】本発明によると、第１アルコール溶媒中に
金属マグネシウム又は有機マグネシウム化合物を溶解し
た第１溶液を製造する工程；第２アルコール溶媒中に微
量の水を含有する第２溶液を製造する工程；前記第１溶
液と第２溶液とを混合して被膜形成用被覆溶液を製造す
る工程；前記被覆溶液を非晶質磁性合金薄帯の表面に被
覆する工程；該被覆された非晶質磁性合金薄帯を乾燥す
る工程；及び該乾燥した被覆非晶質磁性合金薄帯を熱処
理する工程よりなることを特徴とする非晶質磁性合金薄
帯に酸化物絶縁被膜を形成する方法である。
金属マグネシウム又は有機マグネシウム化合物を溶解し
た第１溶液を製造する工程；第２アルコール溶媒中に微
量の水を含有する第２溶液を製造する工程；前記第１溶
液と第２溶液とを混合して被膜形成用被覆溶液を製造す
る工程；前記被覆溶液を非晶質磁性合金薄帯の表面に被
覆する工程；該被覆された非晶質磁性合金薄帯を乾燥す
る工程；及び該乾燥した被覆非晶質磁性合金薄帯を熱処
理する工程よりなることを特徴とする非晶質磁性合金薄
帯に酸化物絶縁被膜を形成する方法である。
【０００６】本発明により非晶質磁性合金薄帯の表面に
酸化物絶縁被膜を形成するための被覆溶液を製造するに
は、先ず酸化物の形態で被覆され、非晶質磁性合金薄帯
に層間絶縁を提供することができる物質、例えば、マグ
ネシウムチップ等の金属マグネシウム又は有機マグネシ
ウム化合物、例えばマグネシウムエトキシド等のマグネ
シウムアルコキシドをアルコール溶媒に入れて約３０分
〜１時間還流して溶解させることによって、第１溶液を
製造する。この際、反応器全体には乾燥窒素を流して反
応器内の水分を除去しなければならない。この第１溶液
中には金属マグネシウム又は有機マグネシウム化合物
０．２５モル〜０．５モルを含有する。第１溶液の製造
とは別途にアルコール溶媒中に微量の水を加えてよく混
合して第２溶液を製造する。この第２溶液中には通常
０．０５モル以下、好ましくは０．２５モル〜０．５モ
ルの水を含有する。次いで、第２溶液を第１溶液に少し
ずつ加えながら、第１溶液に対する第２溶液の容量比が
１：１になるまで沈澱が生じないように注意しながら混
合して最終被覆溶液を作る。
酸化物絶縁被膜を形成するための被覆溶液を製造するに
は、先ず酸化物の形態で被覆され、非晶質磁性合金薄帯
に層間絶縁を提供することができる物質、例えば、マグ
ネシウムチップ等の金属マグネシウム又は有機マグネシ
ウム化合物、例えばマグネシウムエトキシド等のマグネ
シウムアルコキシドをアルコール溶媒に入れて約３０分
〜１時間還流して溶解させることによって、第１溶液を
製造する。この際、反応器全体には乾燥窒素を流して反
応器内の水分を除去しなければならない。この第１溶液
中には金属マグネシウム又は有機マグネシウム化合物
０．２５モル〜０．５モルを含有する。第１溶液の製造
とは別途にアルコール溶媒中に微量の水を加えてよく混
合して第２溶液を製造する。この第２溶液中には通常
０．０５モル以下、好ましくは０．２５モル〜０．５モ
ルの水を含有する。次いで、第２溶液を第１溶液に少し
ずつ加えながら、第１溶液に対する第２溶液の容量比が
１：１になるまで沈澱が生じないように注意しながら混
合して最終被覆溶液を作る。
【０００７】前記第１溶液及び第２溶液の製造に用いら
れるアルコール溶媒は同一であっても異なっていてもよ
く、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉ−
プロパノール、ｎ−ブタノール、sec −ブタノール、te
rt−ブタノール及び２−メトキシエタノール等が挙げら
れる。
れるアルコール溶媒は同一であっても異なっていてもよ
く、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉ−
プロパノール、ｎ−ブタノール、sec −ブタノール、te
rt−ブタノール及び２−メトキシエタノール等が挙げら
れる。
【０００８】製造された最終被覆溶液を図１に示すよう
な被覆装置を用いて非晶質磁性合金薄帯の表面に被覆す
る。図１を参照しながら本発明を更に具体的に説明する
と、ボビン（１）に非晶質磁性合金薄帯（３）を装着し
た後、テフロンで製作した数個の滑車（２）を経てボビ
ン（７）に連結する。ボビン（１）にある非晶質磁性合
金薄帯はボビン（７）の回転により一定速度で移動す
る。アルゴン又は窒素ガスの雰囲気下にある被覆室
（５）に置かれた被覆溶液（４）中を非晶質磁性合金薄
帯が通過することにより、薄帯の表面に溶液が吸着し
て、薄帯は被覆溶液で被覆される。薄帯の表面に均一に
吸着された被覆溶液は、磁場を発生しないように無誘導
卷線電気炉（６）を通過する間に乾燥される。電気炉の
温度は約２００℃がよい。このようにして処理された薄
帯をアルミニウムボビンに巻いた後、窒素雰囲気下で熱
処理することにより、酸化物絶縁被膜が形成された非晶
質磁性合金薄帯が得られる。熱処理は通常４００℃の温
度で約１時間行なう。
な被覆装置を用いて非晶質磁性合金薄帯の表面に被覆す
る。図１を参照しながら本発明を更に具体的に説明する
と、ボビン（１）に非晶質磁性合金薄帯（３）を装着し
た後、テフロンで製作した数個の滑車（２）を経てボビ
ン（７）に連結する。ボビン（１）にある非晶質磁性合
金薄帯はボビン（７）の回転により一定速度で移動す
る。アルゴン又は窒素ガスの雰囲気下にある被覆室
（５）に置かれた被覆溶液（４）中を非晶質磁性合金薄
帯が通過することにより、薄帯の表面に溶液が吸着し
て、薄帯は被覆溶液で被覆される。薄帯の表面に均一に
吸着された被覆溶液は、磁場を発生しないように無誘導
卷線電気炉（６）を通過する間に乾燥される。電気炉の
温度は約２００℃がよい。このようにして処理された薄
帯をアルミニウムボビンに巻いた後、窒素雰囲気下で熱
処理することにより、酸化物絶縁被膜が形成された非晶
質磁性合金薄帯が得られる。熱処理は通常４００℃の温
度で約１時間行なう。
【０００９】
【実施例】以下、実施例により本発明を更に詳しく説明
する。実施例１ マグネシウムエトキシド〔（Ｃ2 Ｈ5 Ｏ）2 Ｍｇ〕粉末
約２．８６ｇ（０．０２５モル）、５．７２ｇ（０．０
５モル）及び１１．４４ｇ（０．１０モル）をそれぞれ
２−メトキシエタノール〔（ＣＨ3 ＯＣＨ2 ＣＨ2 Ｏ
Ｈ〕に加えて、約３０分間還流しながら溶解する。この
際、反応器全体には乾燥窒素を流して反応器内の水分を
除去し、溶液の最終量を１００mlにした（第１溶液）。
水０．９０ml（０．０５モル）をマイクロ注射器でエタ
ノールに加えて全体を１００mlの溶液にした後、撹拌混
合した（第２溶液）。次に前記第１溶液を第２溶液に少
しずつ加えながら、全体容量比が１：１になるまで沈澱
が生じないように注意しながら混合して最終被覆溶液を
作った。
する。実施例１ マグネシウムエトキシド〔（Ｃ2 Ｈ5 Ｏ）2 Ｍｇ〕粉末
約２．８６ｇ（０．０２５モル）、５．７２ｇ（０．０
５モル）及び１１．４４ｇ（０．１０モル）をそれぞれ
２−メトキシエタノール〔（ＣＨ3 ＯＣＨ2 ＣＨ2 Ｏ
Ｈ〕に加えて、約３０分間還流しながら溶解する。この
際、反応器全体には乾燥窒素を流して反応器内の水分を
除去し、溶液の最終量を１００mlにした（第１溶液）。
水０．９０ml（０．０５モル）をマイクロ注射器でエタ
ノールに加えて全体を１００mlの溶液にした後、撹拌混
合した（第２溶液）。次に前記第１溶液を第２溶液に少
しずつ加えながら、全体容量比が１：１になるまで沈澱
が生じないように注意しながら混合して最終被覆溶液を
作った。
【００１０】次いで、前記最終被覆溶液を図１に示す被
覆装置を用いてコバルト系非晶質磁性合金薄帯（組成：
Ｃｏ66Ｆｅ4 Ｎｉ1 Ｓｉ15Ｂ14、以下同一）であるMetg
las２７１４Ａ薄帯の表面に被覆した。図１のボビン
（１）にMetglas ２７１４Ａ非晶質磁性合金薄帯（３）
を装着した後、テフロンで製作された数個の滑車（２）
を経てボビン（７）に連結した。ボビン（１）にある薄
帯はボビン（７）の回転により一定速度で移動すること
になる。アルゴン又は窒素ガス雰囲気下にある被覆室
（５）に置かれた最終被覆溶液に薄帯を通すことによっ
て、薄帯の表面に最終被覆溶液が吸着・被覆されるよう
にした。表面に最終被覆溶液が均一吸着・被覆された薄
帯を、磁場が生じないように無誘導卷線された電気炉
（６）に通して乾燥した。電気炉の温度は２００℃であ
る。この処理された薄帯を内径１９mmのアルミニウムボ
ビンに５０層になるように巻いた後、窒素雰囲気下の約
４００℃で約１時間熱処理を行なった。
覆装置を用いてコバルト系非晶質磁性合金薄帯（組成：
Ｃｏ66Ｆｅ4 Ｎｉ1 Ｓｉ15Ｂ14、以下同一）であるMetg
las２７１４Ａ薄帯の表面に被覆した。図１のボビン
（１）にMetglas ２７１４Ａ非晶質磁性合金薄帯（３）
を装着した後、テフロンで製作された数個の滑車（２）
を経てボビン（７）に連結した。ボビン（１）にある薄
帯はボビン（７）の回転により一定速度で移動すること
になる。アルゴン又は窒素ガス雰囲気下にある被覆室
（５）に置かれた最終被覆溶液に薄帯を通すことによっ
て、薄帯の表面に最終被覆溶液が吸着・被覆されるよう
にした。表面に最終被覆溶液が均一吸着・被覆された薄
帯を、磁場が生じないように無誘導卷線された電気炉
（６）に通して乾燥した。電気炉の温度は２００℃であ
る。この処理された薄帯を内径１９mmのアルミニウムボ
ビンに５０層になるように巻いた後、窒素雰囲気下の約
４００℃で約１時間熱処理を行なった。
【００１１】前記熱処理過程を経た試料の酸化物被膜の
厚さと磁気的性質を調査した。酸化物被膜の厚さは電子
顕微鏡（Ｓ−４１００、（株）日立製品）を用いて測定
した。マグネシウムエトキシド粉末を２．８６ｇ、５．
７２ｇ及び１１．４４ｇを用いた場合、その厚さはそれ
ぞれ０．０８μm 、１．２５μm 及び１．５μm であっ
た。
厚さと磁気的性質を調査した。酸化物被膜の厚さは電子
顕微鏡（Ｓ−４１００、（株）日立製品）を用いて測定
した。マグネシウムエトキシド粉末を２．８６ｇ、５．
７２ｇ及び１１．４４ｇを用いた場合、その厚さはそれ
ぞれ０．０８μm 、１．２５μm 及び１．５μm であっ
た。
【００１２】磁気的性質については、先ず酸化被膜１．
２５μm が形成された試料と酸化被膜が形成されていな
い試料に対して、周波数による実効透磁率の変化を測定
した。実効透磁率はインピーダンス分析器(Impedance A
nalyzer, 4219A, Hewlett Packard 社製品）を用いて５
mOe の磁界で測定した。その結果を図２に示した。図２
から分かるように、本発明により酸化物被膜が被覆され
た非晶質磁性合金薄帯は、全周波数の範囲に亙って酸化
物被膜が被覆されていない薄帯より高い実効透磁率を示
した。
２５μm が形成された試料と酸化被膜が形成されていな
い試料に対して、周波数による実効透磁率の変化を測定
した。実効透磁率はインピーダンス分析器(Impedance A
nalyzer, 4219A, Hewlett Packard 社製品）を用いて５
mOe の磁界で測定した。その結果を図２に示した。図２
から分かるように、本発明により酸化物被膜が被覆され
た非晶質磁性合金薄帯は、全周波数の範囲に亙って酸化
物被膜が被覆されていない薄帯より高い実効透磁率を示
した。
【００１３】４２１９Ａ(Hewlett Packard社製品) を用
いて５mOe の磁界及び１KHz と２００KHz の周波数で酸
化物絶縁被膜の厚さによる非晶質磁性合金薄帯の実効透
磁率を測定した。その結果を図３及び図４に示した。Ｓ
Ｙ−８２１６（Iwatsu社製品）を用いて、３KGの磁束密
度と５０KHz 、１００KHz 、２００KHz 及び５００KHz
の周波数で酸化物絶縁被膜の厚さによる磁心損失を測定
した。その結果を図５〜図８に示した。
いて５mOe の磁界及び１KHz と２００KHz の周波数で酸
化物絶縁被膜の厚さによる非晶質磁性合金薄帯の実効透
磁率を測定した。その結果を図３及び図４に示した。Ｓ
Ｙ−８２１６（Iwatsu社製品）を用いて、３KGの磁束密
度と５０KHz 、１００KHz 、２００KHz 及び５００KHz
の周波数で酸化物絶縁被膜の厚さによる磁心損失を測定
した。その結果を図５〜図８に示した。
【００１４】実施例２ マグネシウムエトキシド粉末約５．７２ｇ（０．０５モ
ル）と、第２溶液として水０．６８ml（０．０３８モ
ル）を含むエタノール溶液を用いた点を除いては、実施
例１と同様に非晶質磁性合金薄帯に酸化物被膜を被覆し
た。得た酸化物被膜の厚さは約０．４０３μm であっ
た。実施例１と同一方法で実効透磁率と磁心損失を測定
した。その結果をそれぞれ図３、図４及び図５〜８に示
した。
ル）と、第２溶液として水０．６８ml（０．０３８モ
ル）を含むエタノール溶液を用いた点を除いては、実施
例１と同様に非晶質磁性合金薄帯に酸化物被膜を被覆し
た。得た酸化物被膜の厚さは約０．４０３μm であっ
た。実施例１と同一方法で実効透磁率と磁心損失を測定
した。その結果をそれぞれ図３、図４及び図５〜８に示
した。
【００１５】実施例３ マグネシウムエトキシド粉末約２．８６ｇ（０．０２５
モル）及び約５．７２ｇ（０．０５モル）と、第２溶液
として水０．４５ml（０．０２５モル）を含むエタノー
ル溶液を用いた点を除いては、実施例１と同様に非晶質
磁性合金薄帯に酸化物被膜を被覆した。得た酸化物被膜
の厚さは、マグネシウムエトキシド粉末を約２．８６ｇ
及び約５．７２ｇを用いた時、それぞれ約０．０８μm
及び０．１６μm であった。次いで、実施例１と同一方
法で実効透磁率と磁心損失を測定した。その結果をそれ
ぞれ図３、図４及び図５〜８に示した。
モル）及び約５．７２ｇ（０．０５モル）と、第２溶液
として水０．４５ml（０．０２５モル）を含むエタノー
ル溶液を用いた点を除いては、実施例１と同様に非晶質
磁性合金薄帯に酸化物被膜を被覆した。得た酸化物被膜
の厚さは、マグネシウムエトキシド粉末を約２．８６ｇ
及び約５．７２ｇを用いた時、それぞれ約０．０８μm
及び０．１６μm であった。次いで、実施例１と同一方
法で実効透磁率と磁心損失を測定した。その結果をそれ
ぞれ図３、図４及び図５〜８に示した。
【００１６】実施例４ マグネシウムエトキシド粉末約２．８６ｇ（０．０２５
モル）及び約５．７２ｇ（０．０５モル）と、第２溶液
として水０．９０ml（０．０５モル）を含む２−メトキ
シエタノール溶液を用いた点を除いては、実施例１と同
一方法で非晶質磁性合金薄帯に酸化物被膜を被覆した。
得た酸化物被膜の厚さはマグネシウムエトキシド粉末を
約２．８６ｇ及び約５．７２ｇを用いた時、それぞれ約
０．０８μm 及び約１．２５μm であった。次いで、実
施例１と同一方法で実効透磁率と磁心損失を測定した。
その結果をそれぞれ図３、図４及び図５〜８に示した。
モル）及び約５．７２ｇ（０．０５モル）と、第２溶液
として水０．９０ml（０．０５モル）を含む２−メトキ
シエタノール溶液を用いた点を除いては、実施例１と同
一方法で非晶質磁性合金薄帯に酸化物被膜を被覆した。
得た酸化物被膜の厚さはマグネシウムエトキシド粉末を
約２．８６ｇ及び約５．７２ｇを用いた時、それぞれ約
０．０８μm 及び約１．２５μm であった。次いで、実
施例１と同一方法で実効透磁率と磁心損失を測定した。
その結果をそれぞれ図３、図４及び図５〜８に示した。
【００１７】実施例５ マグネシウムエトキシド５．７２ｇ（０．０５モル）を
メタノール、ｎ−プロパノール、ｉ−プロパノール、ｎ
−ブタノール、sec −ブタノール及びtert−ブタノール
にそれぞれ加えて、約３０分〜１時間還流しながら溶解
した。この時反応器全体には乾燥窒素を流して反応器内
の水分を除去し、溶液量を１００mlにした（第１溶
液）。水０．９０ml（０．０５モル）をマイクロ注射器
で２−メトキシエタノールに加えて全体を１００mlの溶
液にした後、撹拌混合した（第２溶液）。次に前記第２
溶液を第１溶液に少しずつ加えながら、全体容量比が
１：１になるまで沈澱が生じないように注意しながら混
合して最終被覆用溶液を作った。次いで、前記最終被覆
溶液を用いて実施例１と同様に非晶質磁性合金薄帯に酸
化物被膜を被覆した。得た酸化物被膜の厚さは第１溶液
としてメタノール溶液を用いたときは約０．８１μm で
あった。また第１溶液としてメタノール以外の溶液を用
いたときに得た酸化物被膜の厚さはメタノール溶液を用
いたときと同一であった。更に実施例１と同一方法で実
効透磁率を測定した。その結果をそれぞれ図３及び図４
に示した。
メタノール、ｎ−プロパノール、ｉ−プロパノール、ｎ
−ブタノール、sec −ブタノール及びtert−ブタノール
にそれぞれ加えて、約３０分〜１時間還流しながら溶解
した。この時反応器全体には乾燥窒素を流して反応器内
の水分を除去し、溶液量を１００mlにした（第１溶
液）。水０．９０ml（０．０５モル）をマイクロ注射器
で２−メトキシエタノールに加えて全体を１００mlの溶
液にした後、撹拌混合した（第２溶液）。次に前記第２
溶液を第１溶液に少しずつ加えながら、全体容量比が
１：１になるまで沈澱が生じないように注意しながら混
合して最終被覆用溶液を作った。次いで、前記最終被覆
溶液を用いて実施例１と同様に非晶質磁性合金薄帯に酸
化物被膜を被覆した。得た酸化物被膜の厚さは第１溶液
としてメタノール溶液を用いたときは約０．８１μm で
あった。また第１溶液としてメタノール以外の溶液を用
いたときに得た酸化物被膜の厚さはメタノール溶液を用
いたときと同一であった。更に実施例１と同一方法で実
効透磁率を測定した。その結果をそれぞれ図３及び図４
に示した。
【００１８】実施例６ 第１溶液としてマグネシウムエトキシド５．７２ｇ
（０．０５モル）が溶解した２−メトキシエタノール溶
液と、第２溶液としてメタノール、ｎ−プロパノール、
ｉ−プロパノール、ｎ−ブタノール、sec −ブタノール
及びtert−ブタノールにそれぞれ水０．９０ml（０．０
５モル）を含む溶液を用いた点を除いては、実施例１と
同様に非晶質磁性合金薄帯に酸化物被膜を被覆した。得
た酸化物被膜の厚さは第２溶液のアルコールの種類と無
関係に約１．２５μm であった。実施例１と同一方法で
実効透磁率を測定した。その結果を図３及び図４に示し
た。
（０．０５モル）が溶解した２−メトキシエタノール溶
液と、第２溶液としてメタノール、ｎ−プロパノール、
ｉ−プロパノール、ｎ−ブタノール、sec −ブタノール
及びtert−ブタノールにそれぞれ水０．９０ml（０．０
５モル）を含む溶液を用いた点を除いては、実施例１と
同様に非晶質磁性合金薄帯に酸化物被膜を被覆した。得
た酸化物被膜の厚さは第２溶液のアルコールの種類と無
関係に約１．２５μm であった。実施例１と同一方法で
実効透磁率を測定した。その結果を図３及び図４に示し
た。
【００１９】実施例７ 第１溶液としてチップ形態のマグネシウム金属約１．２
２ｇ（０．０５モル）をメタノール、エタノール、ｎ−
プロパノール、ｉ−プロパノール、ｎ−ブタノール、se
c −ブタノール、tert−ブタノール及び２−メトキシエ
タノールに溶解した溶液を用い、第２溶液として水０．
９０ml（０．０５モル）を第１溶液の製造に用いたアル
コールに加えて作った溶液を用いた点を除いては、実施
例１と同様に非晶質磁性合金薄帯に酸化物被膜を被覆し
た。被覆された酸化物被膜の厚さは、メタノールを用い
たときは約１．０９μm であった。第１溶液としてメタ
ノール以外の溶液を用いたとき得た酸化物被膜の厚さ
は、メタノール溶液を用いたときと同一であった。実施
例１と同一方法で実効透磁率と磁心損失を測定した。そ
の結果をそれぞれ図３、図４及び図５〜８に示した。
２ｇ（０．０５モル）をメタノール、エタノール、ｎ−
プロパノール、ｉ−プロパノール、ｎ−ブタノール、se
c −ブタノール、tert−ブタノール及び２−メトキシエ
タノールに溶解した溶液を用い、第２溶液として水０．
９０ml（０．０５モル）を第１溶液の製造に用いたアル
コールに加えて作った溶液を用いた点を除いては、実施
例１と同様に非晶質磁性合金薄帯に酸化物被膜を被覆し
た。被覆された酸化物被膜の厚さは、メタノールを用い
たときは約１．０９μm であった。第１溶液としてメタ
ノール以外の溶液を用いたとき得た酸化物被膜の厚さ
は、メタノール溶液を用いたときと同一であった。実施
例１と同一方法で実効透磁率と磁心損失を測定した。そ
の結果をそれぞれ図３、図４及び図５〜８に示した。
【００２０】
【発明の効果】本発明の方法を利用して非晶質磁性合金
薄帯の表面に形成される酸化物絶縁被膜の厚さは約２μ
m 以下、好ましくは０．１６μm 〜１．２５μm であ
り、非晶質磁性合金薄帯の磁気的性質を大きく向上させ
る。例えば、交流実効透磁率は酸化物被膜の厚さが増加
するに従って大きく増加し、約１．２５μm の酸化物被
膜の厚さで最大値を示している。約１．２５μm 厚さの
酸化物被膜が形成された非晶質磁性合金薄帯の実効透磁
率は酸化物被膜が形成されていないものより、約３倍程
高い値を有することが分かった。磁心損失は酸化物被膜
の厚さが約０．１６μm まで増加するに従い大きく減少
するが、それ以降には殆ど一定値を保持している。特記
すべき事項は、酸化物絶縁被膜が形成されていない非晶
質磁性合金薄帯又は非常に薄く形成されている場合、測
定した磁心損失は大きいバラツキを表わしていたが、本
発明により酸化物絶縁被膜を０．１６μm 以上形成させ
た非晶質磁性合金薄帯を測定した結果、磁心損失のバラ
ツキは非常に小さかった。
薄帯の表面に形成される酸化物絶縁被膜の厚さは約２μ
m 以下、好ましくは０．１６μm 〜１．２５μm であ
り、非晶質磁性合金薄帯の磁気的性質を大きく向上させ
る。例えば、交流実効透磁率は酸化物被膜の厚さが増加
するに従って大きく増加し、約１．２５μm の酸化物被
膜の厚さで最大値を示している。約１．２５μm 厚さの
酸化物被膜が形成された非晶質磁性合金薄帯の実効透磁
率は酸化物被膜が形成されていないものより、約３倍程
高い値を有することが分かった。磁心損失は酸化物被膜
の厚さが約０．１６μm まで増加するに従い大きく減少
するが、それ以降には殆ど一定値を保持している。特記
すべき事項は、酸化物絶縁被膜が形成されていない非晶
質磁性合金薄帯又は非常に薄く形成されている場合、測
定した磁心損失は大きいバラツキを表わしていたが、本
発明により酸化物絶縁被膜を０．１６μm 以上形成させ
た非晶質磁性合金薄帯を測定した結果、磁心損失のバラ
ツキは非常に小さかった。
【図１】本発明により非晶質磁性合金薄帯に酸化物絶縁
被膜を形成するために使用した装置の概略図である。
被膜を形成するために使用した装置の概略図である。
【図２】本発明により酸化物被膜を１．２５μm の厚さ
に形成させたコバルト系非晶質磁性合金薄帯と、酸化物
被膜が形成されていない同一材料に対する実効透磁率
（μe ）の周波数（ｆ）の依存性を示したグラフであ
る。
に形成させたコバルト系非晶質磁性合金薄帯と、酸化物
被膜が形成されていない同一材料に対する実効透磁率
（μe ）の周波数（ｆ）の依存性を示したグラフであ
る。
【図３】本発明により酸化物被膜を０．０８μm 〜１．
５３μm の厚さで形成させたコバルト系非晶質磁性合金
薄帯と、酸化物被膜が形成されていない同一材料に対し
て１KHz における実効透磁率の酸化物被膜の厚さ（ｔ）
の依存性を示したグラフである。
５３μm の厚さで形成させたコバルト系非晶質磁性合金
薄帯と、酸化物被膜が形成されていない同一材料に対し
て１KHz における実効透磁率の酸化物被膜の厚さ（ｔ）
の依存性を示したグラフである。
【図４】本発明により酸化物被膜を０．０８μm 〜１．
５３μm の厚さで形成させたコバルト系非晶質磁性合金
薄帯と、酸化物被膜が形成されていない同一材料に対し
て２００KHz における実効透磁率の酸化物被膜の厚さの
依存性を示したグラフである。
５３μm の厚さで形成させたコバルト系非晶質磁性合金
薄帯と、酸化物被膜が形成されていない同一材料に対し
て２００KHz における実効透磁率の酸化物被膜の厚さの
依存性を示したグラフである。
【図５】本発明により酸化物被膜を０．０８μm 〜１．
５３μm の厚さで形成させたコバルト系非晶質磁性合金
薄帯と、酸化物被膜が形成されていない同一材料に対し
て３KGの磁束密度及び５０KHz の周波数で測定した磁心
損失（ＷL ）の酸化物被膜の厚さの依存性を示したグラ
フである。
５３μm の厚さで形成させたコバルト系非晶質磁性合金
薄帯と、酸化物被膜が形成されていない同一材料に対し
て３KGの磁束密度及び５０KHz の周波数で測定した磁心
損失（ＷL ）の酸化物被膜の厚さの依存性を示したグラ
フである。
【図６】本発明により酸化物被膜を０．０８μm 〜１．
５３μm の厚さで形成させたコバルト系非晶質磁性合金
薄帯と、酸化物被膜が形成されていない同一材料に対し
て３KGの磁束密度及び１００KHz の周波数で測定した磁
心損失の酸化物被膜の厚さの依存性を示したグラフであ
る。
５３μm の厚さで形成させたコバルト系非晶質磁性合金
薄帯と、酸化物被膜が形成されていない同一材料に対し
て３KGの磁束密度及び１００KHz の周波数で測定した磁
心損失の酸化物被膜の厚さの依存性を示したグラフであ
る。
【図７】本発明により酸化物被膜を０．０８μm 〜１．
５３μm の厚さで形成させたコバルト系非晶質磁性合金
薄帯と、酸化物被膜が形成されていない同一材料に対し
て３KGの磁束密度及び２００KHz の周波数で測定した磁
心損失の酸化物被膜の厚さの依存性を示したグラフであ
る。
５３μm の厚さで形成させたコバルト系非晶質磁性合金
薄帯と、酸化物被膜が形成されていない同一材料に対し
て３KGの磁束密度及び２００KHz の周波数で測定した磁
心損失の酸化物被膜の厚さの依存性を示したグラフであ
る。
【図８】本発明により酸化物被膜を０．０８μm 〜１．
５３μm の厚さで形成させたコバルト系非晶質磁性合金
薄帯と、酸化物被膜が形成されていない同一材料に対し
て３KGの磁束密度及び５００KHz の周波数で測定した磁
心損失の酸化物被膜の厚さの依存性を示したグラフであ
る。
５３μm の厚さで形成させたコバルト系非晶質磁性合金
薄帯と、酸化物被膜が形成されていない同一材料に対し
て３KGの磁束密度及び５００KHz の周波数で測定した磁
心損失の酸化物被膜の厚さの依存性を示したグラフであ
る。
１と７：ボビン ２：滑車 ３：薄帯 ４：被覆溶液 ５：被覆室 ６：電気炉
フロントページの続き (72)発明者 林 相 鎬 大韓民国ソウル特別市城北区下月谷洞39番 地１号 キストアパート9831号 (72)発明者 崔 容 碩 大韓民国大田広域市西区内洞２番地 住公 アパート230棟402号 (72)発明者 蔡 煕 權 大韓民国京畿道城南市盆唐区二梅洞123番 地 青丘アパート613棟201号
Claims (4)
- 【請求項１】 第１アルコール溶媒中に金属マグネシウ
ム又は有機マグネシウム化合物を溶解した第１溶液を製
造する工程；第２アルコール溶媒中に微量の水を含有す
る第２溶液を製造する工程；前記第１溶液と第２溶液と
を混合して被膜形成用被覆溶液を製造する工程；前記被
覆溶液を非晶質磁性合金薄帯の表面に被覆する工程；該
被覆された非晶質磁性合金薄帯を乾燥する工程；及び該
乾燥した被覆非晶質磁性合金薄帯を熱処理する工程；よ
りなることを特徴とする、非晶質磁性合金薄帯に酸化物
絶縁被膜を形成する方法。 - 【請求項２】 前記第１及び第２アルコール溶媒が、メ
タノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉ−プロパ
ノール、ｎ−ブタノール、sec −ブタノール、tert−ブ
タノール及び２−メトキシエタノールよりなる群から選
択されることを特徴とする、請求項１記載の方法。 - 【請求項３】 前記第１溶液中に金属マグネシウム又は
有機マグネシウム化合物を０．２５モル〜０．５モル含
有し、前記第２溶液中に水を０．２５モル〜０．５モル
含有することを特徴とする、請求項１又は２記載の方
法。 - 【請求項４】 絶縁被膜の厚さが、０．１６μm 〜１．
２５μm であることを特徴とする、請求項１記載の方
法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940015402A KR970009411B1 (ko) | 1994-06-30 | 1994-06-30 | 비정질 자성 합금 박대의 절연 피막 형성 방법 |
| KR15402/1994 | 1994-06-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0813153A true JPH0813153A (ja) | 1996-01-16 |
| JP3057550B2 JP3057550B2 (ja) | 2000-06-26 |
Family
ID=19386802
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7148788A Expired - Fee Related JP3057550B2 (ja) | 1994-06-30 | 1995-06-15 | 非晶質磁性合金薄帯の絶縁被膜形成方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3057550B2 (ja) |
| KR (1) | KR970009411B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2024195322A1 (ja) * | 2023-03-23 | 2024-09-26 | 株式会社プロテリアル | Ｆｅ－Ｃｏ系合金被覆基材および積層コア部材 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60258477A (ja) * | 1984-06-02 | 1985-12-20 | Nippon Steel Corp | 珪素鋼板の絶縁皮膜の形成方法 |
| JPS60262978A (ja) * | 1984-06-11 | 1985-12-26 | Nippon Steel Corp | 非晶質磁性鋼帯の表面処理法 |
| JPS6164885A (ja) * | 1984-09-06 | 1986-04-03 | Nippon Steel Corp | 非晶質磁性金属薄帯の表面処理方法 |
| JPH03130376A (ja) * | 1989-10-17 | 1991-06-04 | Kawasaki Steel Corp | 磁気特性の極めて良好な一方向性けい素鋼板の製造方法 |
-
1994
- 1994-06-30 KR KR1019940015402A patent/KR970009411B1/ko not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-06-15 JP JP7148788A patent/JP3057550B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60258477A (ja) * | 1984-06-02 | 1985-12-20 | Nippon Steel Corp | 珪素鋼板の絶縁皮膜の形成方法 |
| JPS60262978A (ja) * | 1984-06-11 | 1985-12-26 | Nippon Steel Corp | 非晶質磁性鋼帯の表面処理法 |
| JPS6164885A (ja) * | 1984-09-06 | 1986-04-03 | Nippon Steel Corp | 非晶質磁性金属薄帯の表面処理方法 |
| JPH03130376A (ja) * | 1989-10-17 | 1991-06-04 | Kawasaki Steel Corp | 磁気特性の極めて良好な一方向性けい素鋼板の製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2024195322A1 (ja) * | 2023-03-23 | 2024-09-26 | 株式会社プロテリアル | Ｆｅ－Ｃｏ系合金被覆基材および積層コア部材 |
| JPWO2024195322A1 (ja) * | 2023-03-23 | 2024-09-26 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3057550B2 (ja) | 2000-06-26 |
| KR970009411B1 (ko) | 1997-06-13 |
| KR960002383A (ko) | 1996-01-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN110136910B (zh) | 一种高磁导率低损耗铁基软磁复合材料及其制备方法 | |
| CN113096907B (zh) | 一种金属磁粉芯及其制备方法 | |
| CN108711482A (zh) | 一种有机-无机复合材料绝缘包覆铁粉芯的制备方法 | |
| JP2021040132A (ja) | シリコン酸化物被覆Ｆｅ系軟磁性粉末およびその製造方法 | |
| KR20040041772A (ko) | 고규소 강판 제조방법 | |
| CN106825551A (zh) | 基于激光烧结3d打印的高硅钢软磁铁芯及其制备方法 | |
| Zhang et al. | Study of novel Fe-based amorphous/nanocrystalline soft magnetic powder cores with NiCuZnFe2O4 coating layer | |
| CN115083721A (zh) | 一种四层包覆的铁基纳米晶软磁粉芯及其制备方法 | |
| JP3057550B2 (ja) | 非晶質磁性合金薄帯の絶縁被膜形成方法 | |
| CN117038244B (zh) | 一种绝缘包覆磁粉的制备方法、软磁粉芯及其制备方法 | |
| CN115475935B (zh) | 一种铁基软磁复合粉末的制备方法及铁基软磁复合粉末 | |
| JP2005272956A (ja) | 絶縁被覆金属粒子およびその製造方法 | |
| KR100957930B1 (ko) | 자기특성이 우수한 고규소 무방향성 전기강판 제조방법 | |
| JP2013203638A (ja) | フェライト薄膜の形成方法及び該方法により得られたフェライト薄膜 | |
| KR100900661B1 (ko) | 침규확산 피복조성물 및 이를 이용한 고규소 전기강판제조방법 | |
| CN115547606B (zh) | 一种聚酰亚胺包覆的金属磁粉芯及其制备方法 | |
| CN116580912B (zh) | 软磁复合材料及其制备方法 | |
| KR100900660B1 (ko) | 분말도포성 및 표면특성이 우수한 침규확산용 피복제조성물 | |
| JPH01281705A (ja) | 磁性金属粉末の表面処理法 | |
| CN116013674B (zh) | 一种高工作频率软磁复合材料及其制备方法 | |
| KR101379751B1 (ko) | 합금입자화박막 및 그 제조방법 | |
| KR100246014B1 (ko) | 비정질 자성 합금 박대의 유도 자기 이방성 형성 방법 | |
| KR100905652B1 (ko) | 침규확산 피복조성물 및 이를 이용한 고규소 전기강판제조방법 | |
| Cui et al. | In-situ coating of FeSiAl soft magnetic powder core via acetic acid passivation and the high-frequency performance optimization | |
| CN119650235A (zh) | 一种一体成型电感用金属软磁防锈粉末及包覆工艺 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |