JPH08138615A - イオン注入装置及びその排気方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 被処理体の表面側と裏面側の双方から真空
引きしてパーティクルの付着を防止することができるイ
オン注入装置を提供する。 【構成】 処理室４内の載置台６に載置した被処理体
Ｗの表面に、イオン源４０から引き出されたイオンビー
ムＢ１を注入するようにしたイオン注入装置３６におい
て、前記処理室内の前記載置台の載置面側と、裏面側に
それぞれ排気ポート７４，８２を設ける。これにより、
粗引き時は、それぞれの排気ポートから吸引することに
より載置台を略境として処理室内の雰囲気を前後に２分
して排出し、パーティクルＰ１，Ｐ２を含んだ雰囲気が
被処理体の表面近傍を通過しないようにする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハ等にイオ
ンを打ち込むイオン注入装置及びその排気方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】一般に、半導体デバイスの製造工程にお
ける不純物導入を行う装置として、不純物導入量の精密
な制御が可能であり、しかもイオンの数を把握しながら
処理できるという理由からイオン注入装置が用いられて
いる。

【０００３】このイオン注入装置は、ハロゲン化合物な
どのガスをプラズマ状態にし、これに途中に設けた電極
により電界を加えることによりイオンを引き出して、そ
して、引き出されたイオンビームに所定の磁界をかける
ことにより不純物イオンを排除して所定のイオンのみを
取り出す質量分析を行い、更に取り出したイオンのエネ
ルギを上げたり、下げたりして被処理体へ注入するよう
になっている。このイオン注入操作においては、イオン
ビーム経路途中に不要なガスが存在するとこの不要ガス
にイオンビームが散乱等させられてしまい、適正なイオ
ン注入ができなくなることから、装置内を高真空に維持
して不要なガスを排除することが行なわれている。

【０００４】図４はイオン注入装置の主要部と真空排気
系を示す断面図であり、図示しないターミナルモジュー
ルより加速されて選択されたイオンビームＢ１は高真空
状態に維持されたエンドステーションモジュール２の処
理室４内の載置台６に載置された半導体ウエハＷに打ち
込まれることになる。上記載置台６は、例えば円板状に
成形されて、駆動モータ８により回転可能になされてお
り、その周縁部に例えば全部で１３枚のウエハＷを保持
できるようになっている。処理室４は、イオンビーム注
入側の前側容器１０とこの反対側の後側容器１２を接合
することにより外部より気密に仕切られ、これらの下端
部を接合するヒンジ部１４を中心として後側容器１２は
載置台６と共に展開可能になされている。

【０００５】載置台６の各ウエハＷの載置部に対応する
ところには、スプリングシャフト１６に巻装したスプリ
ング１８とクランプリング（図示せず）とリフタプレー
ト２０よりなるクランプ機構が設けられ、後側容器１２
に設けたリフタシリンダ２２により、上記リフタプレー
ト２０を押圧したり解除したりし、これにより、ウエハ
をクランプしたり開放したりできるようになっている。
尚、ウエハＷの載置台６への受け渡しは、一点鎖線で示
したように後側容器１２を展開して水平に倒した状態で
図示しない搬送アームを用いて行なう。前側容器１０に
は、ターミナルモジュールにつながるイオン導入室２４
が設けられ、この部分には、不活性ガス、例えば窒素ガ
スを内部に導入する不活性ガス導入ノズル２６及びター
ボ分子ポンプやドライポンプ等の粗引きポンプ２８に接
続された排気ポート３０が設けられている。

【０００６】また、前側容器１０には、ゲートバルブ３
２を介して高真空用のクライオポンプ３４が取り付けら
れ、処理室内を粗引き後、このクライオポンプ３４を駆
動することにより内部を高真空に真空引きできるように
なっている。このような装置を用いてイオン注入操作を
行なうには、まず、後側容器１２を展開して載置台６を
水平に倒した状態でこの上に未処理の半導体ウエハＷを
例えば１３枚載置し、そして、後側容器１２を起立させ
てこれを前側容器１０と接合させて処理室４内を密閉空
間とする。

【０００７】次に、粗引きポンプ２８を駆動させて、処
理室４内を真空引きし、内部雰囲気と共に浮遊している
パーティクルＰも室外へ排出する。所定の真空度になっ
たならば、次にゲートバルブ３２を開いてクライオポン
プ３４を駆動させて、所定の高真空度まで到達させる。
そして、所定の高真空度に達したならば、ターミナルモ
ジュールよりイオンビームを飛ばしてイオン注入を行な
う。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ところで、周知のよう
に半導体ウエハの製造工程においては、歩留まり低下の
原因となることからパーティクルがウエハに付着するこ
とを極力避けねばならない。しかるに、この装置にあっ
ては、載置台６の裏面側にスプリングシャフト１６、ス
プリング１８、リフタプレート２０等のよりなるクラン
プ機構を設けてあるが、このクランプ機構の動作に伴っ
て多量のパーティクルが発生することは避けることがで
きない。例えば、特にリフトシリンダ２２の出没に伴っ
てスプリング１８が伸縮してこれとスプリングシャフト
１６が摩擦を生じてパーティクルの発生原因となってい
る。

【０００９】この摩擦によって発生したパーティクル
は、載置面側に設けた排気ポート３０の粗引きによって
処理室４内の雰囲気に乗って後側容器１２内からウエハ
面を通って前側容器１０内に移動する。このため、上記
したようにスプリング等にて発生したパーティクルＰが
ウエハ面に付着したりする場合も生じ、歩留まり低下の
原因となっていた。発生するパーティクルの量を抑制す
るために、スプリングシャフト１６の表面にゴミの発生
を抑制するテフロンコーティングを被覆することも行な
われてはいるが、これでもパーティクルの抑制には限界
があり、根本的な解決には至ってはいない。

【００１０】本発明は、以上のような問題点に着目し、
これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明
の目的は、被処理体の表面側と裏面側の双方から真空引
きしてパーティクルの付着を防止したイオン注入装置及
びその排気方法を提供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記問題点を
解決するために、処理室内の載置台に載置した被処理体
の表面に、イオン源から引き出されたイオンビームを注
入するようにしたイオン注入装置において、前記処理室
内の前記載置台の載置面側と、裏面側にそれぞれ排気ポ
ートを設けるように構成したものである。

【００１２】

【作用】上記装置において、処理室内を真空引きする場
合には、載置台の載置面側に設けた排気ポートと裏面側
に設けた排気ポートの双方から処理室内の雰囲気を粗引
きする。これにより、表面側に浮遊するパーティクルは
表面側の排気ポートから吸引され、裏面側の駆動部にて
発生したパーティクルは、そのまま裏面側の排気ポート
から排出されてしまい、これが被処理体表面を通過して
表面側に流れることがないので被処理体表面にパーティ
クルが付着することを防止することができる。また、あ
る程度、処理室内の圧力が低下したならば、上記した粗
引き操作を行ないつつ、裏面側の駆動部、例えば被処理
体を保持するクランプ手段に臨ませて設けた不活性ガス
導入ノズルから窒素ガス等の不活性ガスをクランプ手段
に吹き付け、これに付着しているパーティクルを吹き飛
ばすと同時に吹き飛ばしたパーティクルを裏面側の排気
ポートから排出する。

【００１３】これにより、処理室内のパーティクルをほ
とんど排除してクリーン度を一層高くすることが可能と
なる。そして、駆動部のパーティクルを排除して粗引き
操作が終了したならば、クライオポンプを駆動して残留
する雰囲気ガスを排除し、高真空を得る。

【００１４】

【実施例】以下に、本発明に係るイオン注入装置及びそ
の排気方法の一実施例を添付図面に基づいて詳述する。
図１は本発明に係るイオン注入装置を示す概略構成図、
図２は図１に示すイオン注入装置の主要部であるエンド
ステーションモジュールを示す断面図、図３は駆動部で
あるクランプ手段を示す断面図である。尚、図４に示す
従来装置と同一部分については同一符号を付す。

【００１５】このイオン注入装置３６は、イオンビーム
を発生させるターミナルモジュール３８とビームが打ち
込まれる被処理体、例えば半導体ウエハＷを保持するエ
ンドステーションモジュール２とにより主に構成されて
いる。このターミナルモジュール３８は、所定の原料ガ
スからプラズマによりイオンを発生させるイオン源４
０、発生したイオンを引き出すための引き出し電極４
２、イオンビームから所望のイオンのみを例えば９０度
進行方向を曲げて選択的に取り出す質量分析器４４、選
択後のイオンを加速する加速管４６等を有しており、発
生させたイオンを例えば２〜２００ＫｅＶで加速してイ
オンビームＢ１とし、選択されたイオンをエンドステー
ションモジュール２内に導入するようになっている。

【００１６】エンドステーションモジュール２は、回転
可能になされた円板状の載置台６を有しており、この表
面の周縁部に多数枚、例えば１３枚の半導体ウエハＷを
リング状に載置保持し得るようになっている。この載置
台６は、容器状に形成されたイオンビーム注入側の前側
容器１０と、反対側に位置されてこれに開閉可能に接合
される容器状の後側容器１２とにより外部より気密に区
画される処理室４内に収容される。これらの２つの容器
１０、１２は、その下端部にてヒンジ部１４により開閉
可能に接合されており、図示例では後側容器１２がヒン
ジ部１４を中心として垂直方向と水平方向との間で起倒
自在になされている。この後側容器１２の起倒操作は、
側部に設けた回動機構５０（図１参照）により行なわれ
る。そして、これら２つの容器１０、１２の接合部に
は、処理室４内の気密性を保持するＯリング等のシール
部材４８が介設されている。

【００１７】上記処理室４内に収容される載置台６は、
後側容器１２に取り付けた駆動モータ８に回転軸５２を
介して連結されており、前述のように回転可能になされ
ている。従って、後側容器１２が起倒するときには、こ
の載置台６も一体的に起倒することになる。上記載置台
６のウエハ載置部に対応する部分には、ウエハを載置面
に保持したり解除したりする図３に示すような駆動部と
してのクランプ手段５４が設けられている。具体的に
は、凹部状に成形された載置部５６の周線部には、ウエ
ハＷの周線部を保持する、例えばリング状のクランプリ
ング５８が配置されており、このクランプリング５８
は、載置面６の裏面側に配置した板状のリフタプレート
２０に、載置台６を貫通して摺動自在に設けたリングロ
ッド６０を介して取り付けられている。図示例では、リ
ングロッド６０は１本しか記していないが、実際には複
数本形成されている。

【００１８】上記載置台６の裏面には、上記リフタプレ
ート２０に向けて複数のスプリングシャフト１６が延び
ており、各シャフト１６にはスプリング１８が巻装され
ると共に各シャフト１６の先端はリフタプレート２０に
設けたシャフト孔６２に挿通されている。また、このリ
フタプレート２０には、載置台６に向けて延びるリフタ
ピン６４が設けられており、この先端は載置台６の載置
部５６に向けて貫通するリフタピン挿通孔６６に収容さ
れている。このリフタピン６４の長さは、上記リングロ
ッド６０よりも例えば数ｃｍ程度短くされており、突き
上げ時にクランプリング５８がウエハＷを解除した後
に、このリフタピン６４の先端がウエハ裏面に当接して
これを突き上げるようになっている。尚、このリフタピ
ン６４も複数本、例えば３本程度設けられる。

【００１９】そして、後側容器１２には、上記リフタプ
レート２０を上記スプリング１８の弾発力に抗して上記
リフタプレート２０を載置台６側へ押し付けるためのリ
フトシリンダ２２が設けられており、載置台６を水平に
した状態でリフトシリンダ２２を駆動することにより、
ウエハＷのクランプ及びその解除を行なうようになって
いる。

【００２０】一方、上記処理室４の後方側には、屈曲自
在になされた多関節アーム６８を有するウエハ搬送機構
７０及び上下動可能になされたカセット載置台７２が設
けられており、このカセット載置台７２上に載置したカ
セット７４内と処理室４内の載置台４との間でウエハの
受け渡しを行なうようになっている。また、上記前側容
器１０には、ターミナルモジュールにつながるイオン導
入室２４が設けられており、このイオン導入室２４の壁
には、処理室４内の前側雰囲気を前方から吸引するため
の第１の排気ポート７４が設けられ、このポート７４に
は排気管７６が接合されると共に、この排気管７６に
は、第１の開閉弁８０及びターボ分子ポンプやドライポ
ンプ等よりなる粗引き用ポンプ２８が介設されている。

【００２１】また、後側容器１２には、上記処理室４内
の後側雰囲気を後方から吸引するための第２の排気ポー
ト８２が設けられて、この排気ポート８２には排気管８
４が接続されると共にこの排気管８４には第２の開閉弁
８６及び載置台６の起倒時にこの排気管８４の屈曲を許
容するフレキシブル管８８が順次介設されて上記粗引き
ポンプ２８に接続されている。また、この排気管８４の
上流側には、内部圧力を計測する真空計９０が設けられ
ている。一方、上記イオン導入室２４の壁には、載置台
６の前面空間側へ不活性ガスを導入する第１の不活性ガ
ス導入ノズル９２が設けられ、このノズル９２にはガス
供給管９４が接続される。この供給管９４は、途中に第
３の開閉弁９６が介設されて、不活性ガス源である例え
ば窒素ボンベ９８に接続されている。

【００２２】また、前記容器、図示例にあって前側容器
１０の側部壁には、前記載置台６に設けたクランプ手段
５４、具体的にはスプリング１８に臨ませて第２の不活
性ガス導入ノズル１００が設けられ、このノズル１００
には第４の開閉弁１０２を途中に介設したガス供給管１
０４が接続され、この供給管１０４にも窒素ボンベ９８
から窒素ガスを供給し得るようになっている。また、上
記前側容器１０の下部には、ゲートバルブ３２を介して
高真空引き用のクライオポンプ３４が設けられており、
粗引き後にこのポンプ３４を駆動することにより処理室
４内を高真空に維持できるようになっている。そして、
このように構成されたエンドステーションの各部の動作
は、マイクロコンピュータ等よりなる制御部（図示せ
ず）により予めプログラムされたように駆動制御され
る。

【００２３】次に、以上のように構成された本実施例の
動作について説明する。まず、図２中の一点鎖線で示す
ように処理室４を区画する後側容器１２を、載置台６と
一体に開方向へ展開し、これを水平状態に維持する。そ
して、カセット載置台７２上のカセット７４内の未処理
のウエハＷを屈曲及び旋回可能になされた多関節アーム
６８を用いて図３に示すように載置台６上に移載する。

【００２４】この移載に際しては、リフトシリンダ２２
のピストン２２Ａを延ばすと、クランプ手段５４のスプ
リング１８の弾発力に抗して、リフタプレート２０及び
これにリングロッド６０を介して取り付けられるリング
状のクランプリング５８が上昇し、これと同時に長さの
短いリフタピン６４も一点鎖線に示すように上昇する。
クランプリング５８がある程度上昇し、且つリフタピン
先端がまだ下方に位置している時に、ウエハＷを保持し
た多関節アーム６８を延ばし、ウエハを載置部５６の上
方に位置させ、更に、リフタピン６４を上昇させてこの
先端でウエハＷを突き上げてウエハの受け渡しを行な
う。そして、多関節アーム６８を縮退させて退避させ、
その後、リフタシリンダ２２のピストン２２Ａを縮める
ことによって、スプリング１８の復帰力によってリフタ
プレート２０は押し下げられて、ウエハＷは載置台６に
載置されると共にクランプリング５８によってその周縁
部が保持される。

【００２５】一枚のウエハＷの移載が終了したら、後側
容器１２に設けた駆動モータ８を駆動させて載置台６を
所定の角度ずつ回転させて上記した操作を行なえば、所
定の枚数、例えば１３枚のウエハを載置台６に保持させ
ることができる。このように全ウエハの載置が終了した
ならば、載置台６と後側容器１２を一体的に起立させて
垂直状態として処理室４内を密閉する。

【００２６】次に、粗引きポンプ２８を駆動させて処理
室４内の雰囲気を前後から、すなわち第１及び第２の排
気ポート７４、８２から吸引して排出する。処理室４内
には全体に亘ってパーティクルが存在しており、特にク
ランプ手段５４の部分にはスプリング１８とスプリング
シャフト１６との摩擦等により比較的多くのパーティク
ルが発生する。ここで第１及び第２の排気ポート７４、
８２の双方より粗引きを行なっていることから、処理室
４内の載置面側、すなわちイオンビーム注入方向側に存
在する雰囲気及びパーティクルＰ１は第１の排気ポート
７４から吸引されて排出され、また、処理室４内の裏面
側に存在する雰囲気及びパーティクルＰ２は第２の排気
ポート８２から排出されることになる。

【００２７】従って、処理室４内の雰囲気の流れが、載
置台６の載置面付近を境界として表側と裏面側に分かれ
てしまい、ウエハ表面にパーティクルを含んだ雰囲気が
流れ込むことがなく、これにパーティクルが付着するこ
とを防止することができる。この場合、特に駆動部であ
るクランプ手段５４の付近で発生したパーティクルＰ２
は、表側のウエハ表面側に流れることなく後方に設けた
第２の排気ポート８２から排出されるので、パーティク
ルのウエハへの付着を確実に防止することができる。

【００２８】このように粗引き操作を行なっている過程
において、処理室４内が所定の圧力、例えば１Ｔｏｒｒ
程度まで低下したならば、駆動モータ８により載置台６
を回転させながら、第１及び第２の不活性ガス導入ノズ
ル９２、１００から窒素ガスを処理室４内へ噴射し、供
給する。尚、この場合にも、粗引き用ポンプ７８を引き
続き駆動させておき、第１及び第２の排気ポート７４、
８２からの吸引は継続して行なう。

【００２９】この時第１の不活性ガス導入ノズル９２か
ら噴射した窒素ガスは主に第１の排気ポート７４から排
出され、第２の不活性ガス導入ノズル１００から噴射し
た窒素ガスは主に第２の排気ポート８２から排出される
ようにそれぞれのノズルからの供給量や各排気ポートの
排気量を制御する。ここで、第２の不活性ガス導入ノズ
ル１００は、クランプ手段５４のスプリング１８に臨ま
せて設けてあるので、これより噴射された窒素ガスは、
スプリング１８やスプリングシャフト１６等に付着して
いるパーティクルＰ２を吹き飛ばしてしまい且つこのパ
ーティクル含有雰囲気は後方の第２の排気ポート８２か
ら排出されてしまうことになる。従って、この点よりも
ウエハ表面にパーティクルが付着することを略確実に防
止することが可能となる。また、この時、前述のように
載置台６を回転させているので、全てのクランプ手段５
４に付着しているパーティクルを排除することができ
る。尚、この場合、第１の不活性ガス導入ノズル９２か
らのガスの供給を停止すると、第２の不活性ガス導入ノ
ズル１００からの窒素ガスがウエハ表面を通過して、第
１の排気ポート７４側にも流れるため、好ましくない。

【００３０】このようにして一定の時間、不活性ガスの
噴射を行なったならば、両ノズル９２、１００からのガ
スの噴射を停止し、粗引きによって処理室４内が所定の
圧力、例えば１０^-2Ｔｏｒｒ程度になったならば粗引き
用ポンプ７８の駆動を停止して粗引き操作を完了する。
そして、前後容器１０に設けたゲートバルブ３２を開い
て非開閉型のクライオポンプ３４を駆動させる。これに
より、処理室４内に残留する雰囲気はクライオポンプ３
４により吸着排除され、処理室内を例えば１０^-7Ｔｏｒ
ｒ程度の所定の高真空に維持することができる。

【００３１】このように所定の高真空に達したならば、
ターミナルステーション側を駆動させてイオンビームＢ
１を形成し、載置台６を回転させながらウエハＷにイオ
ンを注入する。イオン注入操作が完了すると、ウエハ交
換のために処理室４内を開放するのであるが、開放に先
立って処理室４内を大気圧近傍まで復帰させるために第
１及び第２の不活性ガス導入ノズル９２、１００から窒
素ガスを供給する。この場合、２ヵ所からガスを導入す
るのでパーティクルを巻き上げる乱流も生じ難く、また
クランプ手段５４の部分に付着していたパーティクルは
前述のような粗引き操作時の不活性ガス噴射により略取
り除かれてしまっているので、再度パーティクルが浮遊
することを抑制することができる。

【００３２】このように、イオン注入操作全般に亘って
ウエハにパーティクルが付着する可能性を大幅に減少さ
せたので、製品の歩留まりを大幅に向上させることがで
きる。上記説明では、パーティクルを吹き飛ばす窒素ガ
スの噴射は、連続的に行なうようにしたが、これに限ら
ず、例えば処理室内の圧力を真空計９０によりモニタし
ながら、これが一定圧を略維持するようにガス噴射と停
止を間欠的に繰り返すようにしてもよい。また、第２の
排気ポート８２は、後側容器１２の中央部でなく、下方
に設けても良く、この場合には重力で落下してくるパー
ティクルも効率的に排除することができる。また、第２
の排気ポート８２や第２の不活性ガス導入ノズル１００
はそれぞれ１つではなく、複数個設けるようにしてもよ
い。

【００３３】また、図示例にあっては、ウエハ搬送機構
７０やカセット載置台７２を清浄雰囲気に晒した状態と
なっているが、これら全体を区画壁で被い、更にカセッ
ト載置台７２をロードロック室内に収容するようにした
装置にも本発明を適用できる。

【００３４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るイオ
ン注入装置及びその排気方法によれば、次のように優れ
た作用効果を発揮することができる。載置台の載置面側
と裏面側に排気ポートを設けて、処理室内の真空引き時
に双方から真空引きするようにしたので、内部に浮遊す
るパーティクルを略載置台を境として前後に分けて吸引
排除することができる。従って、パーティクルが被処理
体の表面近傍を通過する可能性が少なくなり、その分、
パーティクルが被処理体に付着することを抑制でき、製
品の歩留まりを向上させることができる。また、載置台
を回転させつつ不活性ガス導入ノズルから駆動部に不活
性ガスを噴射することにより、ここに付着していたパー
ティクルを被処理体に付着させることなく、排除するこ
とができる。従って、パーティクルの付着を大幅に抑制
することができることから、製品の歩留まりを大幅に向
上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るイオン注入装置を示す概略構成図
である。

【図２】図１に示すイオン注入装置の主要部であるエン
ドステーションモジュールを示す断面図である。

【図３】駆動部であるクランプ手段を示す断面図であ
る。

【図４】従来のイオン注入装置の主要部であるエンドス
テーションモジュールを示す断面図である。

【符号の説明】

２ エンドステーション ４ 処理室 ６ 載置台 １０ 前側容器 １２ 後側容器 １６ スプリングシャフト １８ スプリング ２０ リフタプレート ２２ リフトシリンダ ２８ 粗引き用ポンプ ３４ クライオポンプ ３６ イオン注入装置 ３８ ターミナルモジュール ４０ イオン源 ４４ 質量分析器 ５４ クランプ手段（駆動部） ５８ クランプリング ７４ 第１の排気ポート ７８ 粗引き用ポンプ ８２ 第２の粗引きポンプ ８８ フレキシブル管 ９２ 第１の不活性ガス導入ノズル ９８ 窒素ボンベ １００ 第２の不活性ガス導入ノズル Ｂ１ イオンビーム Ｐ，Ｐ１，Ｐ２ パーティクル Ｗ 半導体ウエハ（被処理体）

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 処理室内の載置台に載置した被処理体の
   表面に、イオン源から引き出されたイオンビームを注入
   するようにしたイオン注入装置において、前記処理室内
   の前記載置台の載置面側と、裏面側にそれぞれ排気ポー
   トを設けるように構成したことを特徴とするイオン注入
   装置。
2. 【請求項２】 前記処理室内の前記載置台の載置面側
   と、前記載置台の裏面側の駆動部側にそれぞれ不活性ガ
   ス導入ノズルを設けるように構成したことを特徴とする
   請求項１記載のイオン注入装置。
3. 【請求項３】 前記駆動部は、前記被処理体の保持と解
   除を行なうクランプ手段であることを特徴とする請求項
   ２記載のイオン注入装置。
4. 【請求項４】 処理室内の載置台に載置した被処理体の
   表面に、イオン源から引き出されたイオンビームを注入
   するようにしたイオン注入装置の、前記処理室内を排気
   する方法において、前記載置台の載置面側と裏面側の双
   方から粗引きを行なう粗引き工程と、前記粗引きを行い
   つつ前記載置台を回転させて、前記載置台の載置面側に
   不活性ガスを噴射すると共に前記載置台の裏面側の駆動
   部に向けて不活性ガスを噴射するパーティクル除去工程
   とを備えるように構成したことを特徴とするイオン注入
   装置の排気方法。
5. 【請求項５】 前記パーティクル除去工程の後に、前記
   処理室内が所定の圧力になった時に高真空用のクライオ
   ポンプにより真空引きを行なう高真空引き工程を行なう
   ように構成したことを特徴とする請求項４記載のイオン
   注入装置の排気方法。