JPH08139147A - エピタキシャル膜の成膜速度の測定方法およびそ の装置 - Google Patents
エピタキシャル膜の成膜速度の測定方法およびそ の装置Info
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- JPH08139147A JPH08139147A JP6298752A JP29875294A JPH08139147A JP H08139147 A JPH08139147 A JP H08139147A JP 6298752 A JP6298752 A JP 6298752A JP 29875294 A JP29875294 A JP 29875294A JP H08139147 A JPH08139147 A JP H08139147A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 エピタキシャル膜の成膜速度をその場で測定
する方法および装置を提供する。測定した成膜速度に基
づいて成膜条件を制御して高品質のエピタキシャル膜を
歩留まり良く得る。 【構成】 エピタキシャル膜成長時、特定波長の赤外線
の強度を放射温度計により測定する。その光強度は振動
して変化するので、その極大値と極小値との間の時間差
を測定する。この時間差により成膜速度をリアルタイム
に算出する。成膜速度に基づいて成膜条件、例えばガス
流量、ガス濃度、組成、基板温度等をコントロールす
る。そして、高品質のエピタキシャル膜を再現性良く得
る。
する方法および装置を提供する。測定した成膜速度に基
づいて成膜条件を制御して高品質のエピタキシャル膜を
歩留まり良く得る。 【構成】 エピタキシャル膜成長時、特定波長の赤外線
の強度を放射温度計により測定する。その光強度は振動
して変化するので、その極大値と極小値との間の時間差
を測定する。この時間差により成膜速度をリアルタイム
に算出する。成膜速度に基づいて成膜条件、例えばガス
流量、ガス濃度、組成、基板温度等をコントロールす
る。そして、高品質のエピタキシャル膜を再現性良く得
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、エピタキシャル膜の
成膜速度の測定方法および測定装置、特に半導体単結晶
エピタキシャル膜の成膜速度のその場測定方法およびそ
の場測定装置に関する。
成膜速度の測定方法および測定装置、特に半導体単結晶
エピタキシャル膜の成膜速度のその場測定方法およびそ
の場測定装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、エピタキシャル成長にあって
は、高品質のエピタキシャル膜を得ることが重要であ
り、同時に、成膜時間を短縮して製造歩留まりを高める
ことが要望されている。この高品質と成膜時間の短縮と
を達成するためには、その場で成膜速度を測定して例え
ば成膜速度等、成膜条件を適宜コントロールすることが
重要である。
は、高品質のエピタキシャル膜を得ることが重要であ
り、同時に、成膜時間を短縮して製造歩留まりを高める
ことが要望されている。この高品質と成膜時間の短縮と
を達成するためには、その場で成膜速度を測定して例え
ば成膜速度等、成膜条件を適宜コントロールすることが
重要である。
【０００３】ところが、従来より、半導体基板に成長さ
せる半導体単結晶のエピタキシャル膜の表面状態を光学
的に観測する技術としては、特開平４−２４７６３７号
公報に示すように、その半導体基板から放射される特定
波長の赤外線の強度を測定することで、光の干渉による
強度変化を利用して表面状態をリアルタイムに測定する
方法が開示されているのみであった。
せる半導体単結晶のエピタキシャル膜の表面状態を光学
的に観測する技術としては、特開平４−２４７６３７号
公報に示すように、その半導体基板から放射される特定
波長の赤外線の強度を測定することで、光の干渉による
強度変化を利用して表面状態をリアルタイムに測定する
方法が開示されているのみであった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この従来の技術はエピ
タキシャル膜の成膜速度を測定するものではなく、その
成膜条件、成膜速度についてもコントロールすることは
考えられていなかった。よって、高品質、高歩留まりの
エピタキシャル膜を再現性良く得ることはできなかっ
た。
タキシャル膜の成膜速度を測定するものではなく、その
成膜条件、成膜速度についてもコントロールすることは
考えられていなかった。よって、高品質、高歩留まりの
エピタキシャル膜を再現性良く得ることはできなかっ
た。
【０００５】そこで、発明者は、鋭意検討の結果、以下
の知見を得た。すなわち、エピタキシャル成膜時、基板
（グラファイトのサセプタ）から放射される特定波長の
赤外線はエピタキシャル膜を透過するが、その赤外線の
一部は膜表面で反射し、さらに基板で反射して外部に放
出される。このとき、エピタキシャル膜の成長（すなわ
ち、膜厚の増大）に伴ってこの透過光が干渉により強め
られたり、弱められたりする。その光強度は所定の周波
数での振動と同様の値をとって変化する。そこで、この
場合、図１に示すように、エピタキシャル膜の膜厚を
ｄ、測定波長をλ、膜の屈折率をｎ、整数ｍとした場
合、光強度を測定する放射温度計の出力の極大、極小を
示す光の干渉の条件は、次式である。ｄ1＝（ｍ／２
ｎ）・λ、ｄ2＝｛（２ｍ＋１）／４ｎ｝・λ。但し、
ｄ1は出力が極大、ｄ2は極小となる場合の各膜厚であ
る。これらの膜厚d1とｄ2との差をとることにより、Δ
ｔ時間内に成長した膜厚（ｄ1−ｄ2）からその成膜速度
を求めることができる。すなわち、（ｄ1−ｄ2）／Δｔ
＝λ／４ｎΔｔである。よって、このΔｔ（極大〜極小
の時間）を測定することにより、成膜速度を瞬時に得る
ことができる。
の知見を得た。すなわち、エピタキシャル成膜時、基板
（グラファイトのサセプタ）から放射される特定波長の
赤外線はエピタキシャル膜を透過するが、その赤外線の
一部は膜表面で反射し、さらに基板で反射して外部に放
出される。このとき、エピタキシャル膜の成長（すなわ
ち、膜厚の増大）に伴ってこの透過光が干渉により強め
られたり、弱められたりする。その光強度は所定の周波
数での振動と同様の値をとって変化する。そこで、この
場合、図１に示すように、エピタキシャル膜の膜厚を
ｄ、測定波長をλ、膜の屈折率をｎ、整数ｍとした場
合、光強度を測定する放射温度計の出力の極大、極小を
示す光の干渉の条件は、次式である。ｄ1＝（ｍ／２
ｎ）・λ、ｄ2＝｛（２ｍ＋１）／４ｎ｝・λ。但し、
ｄ1は出力が極大、ｄ2は極小となる場合の各膜厚であ
る。これらの膜厚d1とｄ2との差をとることにより、Δ
ｔ時間内に成長した膜厚（ｄ1−ｄ2）からその成膜速度
を求めることができる。すなわち、（ｄ1−ｄ2）／Δｔ
＝λ／４ｎΔｔである。よって、このΔｔ（極大〜極小
の時間）を測定することにより、成膜速度を瞬時に得る
ことができる。
【０００６】そこで、この発明は、エピタキシャル膜の
成膜速度をリアルタイムで測定する測定方法を提供する
ことを、その目的としている。また、エピタキシャル膜
の成長を任意にコントロールすること、特に高品質のエ
ピタキシャル膜を再現性良くエピタキシャル成長を行わ
せることを、その目的としている。また、エピタキシャ
ル膜を基板の面内で均一に成長させることを、その目的
としている。さらに、エピタキシャル膜の成膜条件をそ
の場で調整し、上記良好なエピタキシャル膜を効率良く
得ることを、その目的としている。
成膜速度をリアルタイムで測定する測定方法を提供する
ことを、その目的としている。また、エピタキシャル膜
の成長を任意にコントロールすること、特に高品質のエ
ピタキシャル膜を再現性良くエピタキシャル成長を行わ
せることを、その目的としている。また、エピタキシャ
ル膜を基板の面内で均一に成長させることを、その目的
としている。さらに、エピタキシャル膜の成膜条件をそ
の場で調整し、上記良好なエピタキシャル膜を効率良く
得ることを、その目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載した発明
は、エピタキシャル膜の成長時にその基板部分より放射
される放射光のうち、特定波長の光強度を測定すること
により、そのエピタキシャル膜の成膜速度を測定するエ
ピタキシャル膜の成膜速度の測定方法である。
は、エピタキシャル膜の成長時にその基板部分より放射
される放射光のうち、特定波長の光強度を測定すること
により、そのエピタキシャル膜の成膜速度を測定するエ
ピタキシャル膜の成膜速度の測定方法である。
【０００８】請求項２に記載した発明は、エピタキシャ
ル膜の成長にともない変化する上記光強度の極大値と極
小値との間の時間差に基づいて上記成膜速度を算出する
請求項１に記載のエピタキシャル膜の成膜速度の測定方
法である。
ル膜の成長にともない変化する上記光強度の極大値と極
小値との間の時間差に基づいて上記成膜速度を算出する
請求項１に記載のエピタキシャル膜の成膜速度の測定方
法である。
【０００９】請求項３に記載した発明は、上記エピタキ
シャル膜の成長時に基板部分に所定波長の光を照射し、
この照射光の反射光に基づいて特定波長の光強度を測定
する請求項１または請求項２に記載のエピタキシャル膜
の成膜速度の測定方法である。
シャル膜の成長時に基板部分に所定波長の光を照射し、
この照射光の反射光に基づいて特定波長の光強度を測定
する請求項１または請求項２に記載のエピタキシャル膜
の成膜速度の測定方法である。
【００１０】請求項４に記載した発明は、エピタキシャ
ル膜の成長時に基板部分より放射される放射光の光強度
を測定する光強度測定手段と、この測定した光強度に基
づいてエピタキシャル膜の成膜速度を算出する成膜速度
算出手段と、を備えたエピタキシャル膜の成膜速度測定
装置である。
ル膜の成長時に基板部分より放射される放射光の光強度
を測定する光強度測定手段と、この測定した光強度に基
づいてエピタキシャル膜の成膜速度を算出する成膜速度
算出手段と、を備えたエピタキシャル膜の成膜速度測定
装置である。
【００１１】請求項５に記載した発明は、上記成膜速度
算出手段は、測定した光強度の極大値と極小値との間の
時間差を算出する時間差算出手段を備えた請求項４に記
載のエピタキシャル膜の成膜速度測定装置である。
算出手段は、測定した光強度の極大値と極小値との間の
時間差を算出する時間差算出手段を備えた請求項４に記
載のエピタキシャル膜の成膜速度測定装置である。
【００１２】請求項６に記載した発明は、上記エピタキ
シャル膜の成長時に基板部分に所定波長の光を照射する
光照射手段を備えた請求項４または請求項５に記載のエ
ピタキシャル膜の成膜速度測定装置である。
シャル膜の成長時に基板部分に所定波長の光を照射する
光照射手段を備えた請求項４または請求項５に記載のエ
ピタキシャル膜の成膜速度測定装置である。
【００１３】
【作用】請求項１〜３に係るエピタキシャル膜の成膜速
度の測定方法にあっては、加熱したサセプタからの基板
を通しての放射光または外部から照射した特定波長の光
の反射光のいずれかが、エピタキシャル成長中のエピタ
キシャル膜を透過して放射される。この透過光のうちの
特定波長の光の光強度を測定する。そして、この場合、
変化する光強度の測定値に基づいてその極大値と極小値
とを算出するとともに、これらの極大値、極小値の得ら
れた時間間隔（時間差）により、その成膜速度を算出す
る。したがって、リアルタイムに成膜速度を得ることが
できる。この成膜速度に基づいて例えば成膜条件を変更
等制御することにより、所望のエピタキシャル膜を得る
ことができる。
度の測定方法にあっては、加熱したサセプタからの基板
を通しての放射光または外部から照射した特定波長の光
の反射光のいずれかが、エピタキシャル成長中のエピタ
キシャル膜を透過して放射される。この透過光のうちの
特定波長の光の光強度を測定する。そして、この場合、
変化する光強度の測定値に基づいてその極大値と極小値
とを算出するとともに、これらの極大値、極小値の得ら
れた時間間隔（時間差）により、その成膜速度を算出す
る。したがって、リアルタイムに成膜速度を得ることが
できる。この成膜速度に基づいて例えば成膜条件を変更
等制御することにより、所望のエピタキシャル膜を得る
ことができる。
【００１４】請求項４〜６に係るエピタキシャル膜の成
膜速度の測定装置にあっては、エピタキシャル膜を透過
して放射される光のうち特定波長の光の強度を測定す
る。この光の光強度は、膜厚の増加に伴い光の干渉によ
り周期的に変化する。そこで、その極大値と極小値とを
測定し、かつ、これらの値をとる間隔（時間差）を測定
しておくことにより、その成膜速度をリアルタイムに算
出することができる。特に外部から任意の波長の光をエ
ピタキシャル膜に照射し、その反射光を測定する場合
は、その照射光の波長を適宜設定することにより、短時
間に測定を行うことができる。
膜速度の測定装置にあっては、エピタキシャル膜を透過
して放射される光のうち特定波長の光の強度を測定す
る。この光の光強度は、膜厚の増加に伴い光の干渉によ
り周期的に変化する。そこで、その極大値と極小値とを
測定し、かつ、これらの値をとる間隔（時間差）を測定
しておくことにより、その成膜速度をリアルタイムに算
出することができる。特に外部から任意の波長の光をエ
ピタキシャル膜に照射し、その反射光を測定する場合
は、その照射光の波長を適宜設定することにより、短時
間に測定を行うことができる。
【００１５】
【実施例】以下、この発明の実施例を図面を参照して説
明する。図２〜図７はこの発明の一実施例に係るエピタ
キシャル膜の成膜速度の測定装置およびこれを使用して
の測定方法を説明するための図である。
明する。図２〜図７はこの発明の一実施例に係るエピタ
キシャル膜の成膜速度の測定装置およびこれを使用して
の測定方法を説明するための図である。
【００１６】図２にあって示すように、この測定装置
は、エピタキシャル成長装置２１に対して例えばレーザ
光を照射する光照射手段２２と、このエピタキシャル成
長装置２１のエピタキシャル膜透過光の光強度を測定す
る光強度測定手段２３と、この測定値に基づいてその極
大値をとる時点と極小値をとる時点との時間差Δｔを算
出する時間差算出手段２４と、この算出した時間差に基
づいて成膜速度を算出する成膜速度算出手段２５と、を
備えている。
は、エピタキシャル成長装置２１に対して例えばレーザ
光を照射する光照射手段２２と、このエピタキシャル成
長装置２１のエピタキシャル膜透過光の光強度を測定す
る光強度測定手段２３と、この測定値に基づいてその極
大値をとる時点と極小値をとる時点との時間差Δｔを算
出する時間差算出手段２４と、この算出した時間差に基
づいて成膜速度を算出する成膜速度算出手段２５と、を
備えている。
【００１７】図３に示すように、エピタキシャル成長装
置２１は、公知の２重構造の円筒型反応管３１により構
成されている。この石英製の反応管３１の内外壁の間に
は冷却水が循環される構成である。内壁の内部には、回
転軸３２を介して回転自在のグラファイト製のサセプタ
３３を配設してある。基板３４はサセプタ３３の上に搭
載される。原料ガスは基板３４の上方から下方に向かっ
て供給される構成である。そして、外壁を取り囲むよう
に高周波コイル３５が配設されており、通電によりサセ
プタ３３を誘導加熱することができる構成である。
置２１は、公知の２重構造の円筒型反応管３１により構
成されている。この石英製の反応管３１の内外壁の間に
は冷却水が循環される構成である。内壁の内部には、回
転軸３２を介して回転自在のグラファイト製のサセプタ
３３を配設してある。基板３４はサセプタ３３の上に搭
載される。原料ガスは基板３４の上方から下方に向かっ
て供給される構成である。そして、外壁を取り囲むよう
に高周波コイル３５が配設されており、通電によりサセ
プタ３３を誘導加熱することができる構成である。
【００１８】なお、この図３にあっては光照射手段は図
示していない。基板３４およびその上面に被着堆積され
るエピタキシャル膜を介しての発光強度を測定するため
の放射温度計の集光部３６が反応管３１の斜め上方に配
設されている。この集光部３６としては例えば赤外線カ
メラ等で構成することもできる。放射温度計は集光部３
６と本体３７とを光ファィバで接続して構成してある。
放射温度計はサセプタ３３からの赤外線の強度を測定
し、これを記録計３８に記録するとともに、演算処理す
るためのコンピュータに入力している。
示していない。基板３４およびその上面に被着堆積され
るエピタキシャル膜を介しての発光強度を測定するため
の放射温度計の集光部３６が反応管３１の斜め上方に配
設されている。この集光部３６としては例えば赤外線カ
メラ等で構成することもできる。放射温度計は集光部３
６と本体３７とを光ファィバで接続して構成してある。
放射温度計はサセプタ３３からの赤外線の強度を測定
し、これを記録計３８に記録するとともに、演算処理す
るためのコンピュータに入力している。
【００１９】このコンピュータは図４に示すように公知
の構成であって、入出力装置Ｉ／Ｏ、演算装置ＣＰＵ、
記憶装置ＲＯＭ、ＲＡＭをバスで相互に接続したもので
ある。そして、このコンピュータで演算処理することに
より成膜速度が算出され、算出された成膜速度に基づい
て例えば上記原料ガスのガスフローコントローラ等に適
宜制御信号を出力することができる。よって、この成膜
速度測定装置を用いてエピタキシャル膜の成膜状態その
ものをリアルタイムに変更することもできる。なお、コ
ンピュータによる制御対象としてはこの他にも原料ガス
の組成、その濃度、温度等がある。
の構成であって、入出力装置Ｉ／Ｏ、演算装置ＣＰＵ、
記憶装置ＲＯＭ、ＲＡＭをバスで相互に接続したもので
ある。そして、このコンピュータで演算処理することに
より成膜速度が算出され、算出された成膜速度に基づい
て例えば上記原料ガスのガスフローコントローラ等に適
宜制御信号を出力することができる。よって、この成膜
速度測定装置を用いてエピタキシャル膜の成膜状態その
ものをリアルタイムに変更することもできる。なお、コ
ンピュータによる制御対象としてはこの他にも原料ガス
の組成、その濃度、温度等がある。
【００２０】上記構成に係る測定装置を用いて成膜速度
を測定する場合について以下説明する。まず、サセプタ
３３を加熱し原料ガスを供給していない状態での放射温
度計の出力は図５に示すように推移する。そして、この
状態から原料ガスを供給すると、例えばシリコン基板３
４上にエピタキシャル膜が成長を始める。このとき、高
周波コイル３５の出力を一定に保持し、シリコン基板３
４の温度を一定に保持していても、図６に示すように放
射温度計の出力電圧は減衰振動のような変化をする。そ
こで、この減衰振動をする出力の極大値と極小値との間
の時間差Δｔを測定することにより、成膜速度をリアル
タイムで算出する。この時間差の検出は例えばコンピュ
ータの内部タイマを使用してソフトウェア的に検出して
もよく、外部タイマにより検出してもよいことはもちろ
んである。図７はエピタキシャル膜の断面観察により求
めた膜厚とその成長時間との関係の一例を示している。
この傾きが成膜速度である。
を測定する場合について以下説明する。まず、サセプタ
３３を加熱し原料ガスを供給していない状態での放射温
度計の出力は図５に示すように推移する。そして、この
状態から原料ガスを供給すると、例えばシリコン基板３
４上にエピタキシャル膜が成長を始める。このとき、高
周波コイル３５の出力を一定に保持し、シリコン基板３
４の温度を一定に保持していても、図６に示すように放
射温度計の出力電圧は減衰振動のような変化をする。そ
こで、この減衰振動をする出力の極大値と極小値との間
の時間差Δｔを測定することにより、成膜速度をリアル
タイムで算出する。この時間差の検出は例えばコンピュ
ータの内部タイマを使用してソフトウェア的に検出して
もよく、外部タイマにより検出してもよいことはもちろ
んである。図７はエピタキシャル膜の断面観察により求
めた膜厚とその成長時間との関係の一例を示している。
この傾きが成膜速度である。
【００２１】上記のように成膜速度を時間差から算出し
た場合と、図７に示す断面観察により求めた場合とでは
非常に近似した値を得ることができ、この点からも上記
測定方法による成膜速度の測定が正しいことが裏付けら
れた。なお、放射温度計を使用することにより、冷却
水、キャリアガス（Ｈ2ガス）の影響は完全に排除する
ことができた。
た場合と、図７に示す断面観察により求めた場合とでは
非常に近似した値を得ることができ、この点からも上記
測定方法による成膜速度の測定が正しいことが裏付けら
れた。なお、放射温度計を使用することにより、冷却
水、キャリアガス（Ｈ2ガス）の影響は完全に排除する
ことができた。
【００２２】また、図示していないが、例えばこの基板
３４に対して外部から所定波長のレーザ光を照射し、そ
の反射光を測定することにより、上記のように成膜速度
を測定することもできる。この場合の利点は、任意の波
長のレーザ光を使用することができ、例えば極大値と極
小値との間隔を短くして測定時間を短縮することができ
る。一定の成膜速度でエピタキシャル成長を行う場合は
測定時間は短い方がよい。また、このようにして得られ
た成膜速度に基づいて例えば多層エピタキシャル膜を成
長させる場合、その界面の成膜速度を低くして結晶性を
高め、かつ、その中間部は成膜速度を高めることによ
り、製造歩留まりを高めることもできる。この場合、上
記のようにガスフローコントローラをコントロールする
ことにより達成することができる。例えばガス流量、ガ
ス濃度、温度等もコントロールすることもできる。
３４に対して外部から所定波長のレーザ光を照射し、そ
の反射光を測定することにより、上記のように成膜速度
を測定することもできる。この場合の利点は、任意の波
長のレーザ光を使用することができ、例えば極大値と極
小値との間隔を短くして測定時間を短縮することができ
る。一定の成膜速度でエピタキシャル成長を行う場合は
測定時間は短い方がよい。また、このようにして得られ
た成膜速度に基づいて例えば多層エピタキシャル膜を成
長させる場合、その界面の成膜速度を低くして結晶性を
高め、かつ、その中間部は成膜速度を高めることによ
り、製造歩留まりを高めることもできる。この場合、上
記のようにガスフローコントローラをコントロールする
ことにより達成することができる。例えばガス流量、ガ
ス濃度、温度等もコントロールすることもできる。
【００２３】
【発明の効果】この発明によれば、成膜速度をその場観
察することにより、再現性に優れた成膜を実現すること
ができる。また、ウェーハ面内に均一な成膜が可能であ
る。超格子作製におけるヘテロ界面は、接合を構成する
物質の組成が急峻に変化し、凹凸が存在しないことが要
求されるため、従来はＭＢＥにより作製されていたが、
成膜速度のその場観察によりＣＶＤで超格子作製に有用
である。また、多層膜の成長においては、界面近傍の成
長を上記の方法でモニタし、成膜速度を制御することに
より、理想的な界面を形成することができる。さらに、
界面から遠い場所での成長は、成膜速度を高めること
で、多層膜成長の時間を短縮することができる。エピタ
キシャル成長した結晶の最表面における成膜速度の制御
により、表面モフォロジ改善に効果的である。
察することにより、再現性に優れた成膜を実現すること
ができる。また、ウェーハ面内に均一な成膜が可能であ
る。超格子作製におけるヘテロ界面は、接合を構成する
物質の組成が急峻に変化し、凹凸が存在しないことが要
求されるため、従来はＭＢＥにより作製されていたが、
成膜速度のその場観察によりＣＶＤで超格子作製に有用
である。また、多層膜の成長においては、界面近傍の成
長を上記の方法でモニタし、成膜速度を制御することに
より、理想的な界面を形成することができる。さらに、
界面から遠い場所での成長は、成膜速度を高めること
で、多層膜成長の時間を短縮することができる。エピタ
キシャル成長した結晶の最表面における成膜速度の制御
により、表面モフォロジ改善に効果的である。
【図１】この発明の原理を説明するための模式図であ
る。
る。
【図２】この発明の一実施例に係るエピタキシャル膜の
成膜速度測定装置を説明するためのブロック図である。
成膜速度測定装置を説明するためのブロック図である。
【図３】この発明の一実施例に係るエピタキシャル成長
を行う炉を示す断面図である。
を行う炉を示す断面図である。
【図４】この発明の一実施例に係るエピタキシャル膜の
成膜速度測定装置の概略構成を示すブロック図である。
成膜速度測定装置の概略構成を示すブロック図である。
【図５】この発明の一実施例に係る放射温度計の出力電
圧を示すグラフである。
圧を示すグラフである。
【図６】この発明の一実施例に係るエピタキシャル膜の
成膜中における放射温度計の出力電圧の変化を示すグラ
フである。
成膜中における放射温度計の出力電圧の変化を示すグラ
フである。
【図７】この発明の一実施例に係るエピタキシャル膜の
膜厚と成長時間との関係を示すグラフである。
膜厚と成長時間との関係を示すグラフである。
２１・・・・・エピタキシャル成長装置、 ２２・・・・・光照射手段、 ２３・・・・・光強度測定手段、 ２４・・・・・時間差算出手段、 ２５・・・・・成膜速度算出手段、 ３４・・・・・基板 ３７・・・・・放射温度計本体。
Claims (6)
- 【請求項１】 エピタキシャル膜の成長時にその基板部
分より放射される放射光のうち、特定波長の光強度を測
定することにより、そのエピタキシャル膜の成膜速度を
測定するエピタキシャル膜の成膜速度の測定方法。 - 【請求項２】 エピタキシャル膜の成長にともない変化
する上記光強度の極大値と極小値との間の時間差に基づ
いて上記成膜速度を算出する請求項１に記載のエピタキ
シャル膜の成膜速度の測定方法。 - 【請求項３】 上記エピタキシャル膜の成長時に基板部
分に所定波長の光を照射し、この照射光の反射光に基づ
いて特定波長の光強度を測定する請求項１または請求項
２に記載のエピタキシャル膜の成膜速度の測定方法。 - 【請求項４】 エピタキシャル膜の成長時に基板部分よ
り放射される放射光の光強度を測定する光強度測定手段
と、 この測定した光強度に基づいてエピタキシャル膜の成膜
速度を算出する成膜速度算出手段と、を備えたエピタキ
シャル膜の成膜速度測定装置。 - 【請求項５】 上記成膜速度算出手段は、測定した光強
度の極大値と極小値との間の時間差を算出する時間差算
出手段を備えた請求項４に記載のエピタキシャル膜の成
膜速度測定装置。 - 【請求項６】 上記エピタキシャル膜の成長時に基板部
分に所定波長の光を照射する光照射手段を備えた請求項
４または請求項５に記載のエピタキシャル膜の成膜速度
測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6298752A JPH08139147A (ja) | 1994-11-07 | 1994-11-07 | エピタキシャル膜の成膜速度の測定方法およびそ の装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6298752A JPH08139147A (ja) | 1994-11-07 | 1994-11-07 | エピタキシャル膜の成膜速度の測定方法およびそ の装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08139147A true JPH08139147A (ja) | 1996-05-31 |
Family
ID=17863782
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6298752A Pending JPH08139147A (ja) | 1994-11-07 | 1994-11-07 | エピタキシャル膜の成膜速度の測定方法およびそ の装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08139147A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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1994
- 1994-11-07 JP JP6298752A patent/JPH08139147A/ja active Pending
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