JPH08139426A - 表面実装型電子部品 - Google Patents
表面実装型電子部品Info
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- JPH08139426A JPH08139426A JP6303113A JP30311394A JPH08139426A JP H08139426 A JPH08139426 A JP H08139426A JP 6303113 A JP6303113 A JP 6303113A JP 30311394 A JP30311394 A JP 30311394A JP H08139426 A JPH08139426 A JP H08139426A
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Landscapes
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Piezo-Electric Transducers For Audible Bands (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 小型でより製造上にも簡素化がはかれる信頼
性の高い表面実装型電子部品を提供する。 【構成】 外部回路と導通する引出電極が形成された基
板１Ａが有り、前記引出電極に素子搭載パッド部１１
Ｃ，１２Ｃ，１３Ｃ，１４Ｃを設け、また電極３１が設
けられた素子３が有り、前記素子のリード電極３１２の
一端には接合材パッド部３１３が設けられている、この
引出電極の素子搭載パッド部と素子のリード電極の接合
材パッド部とは少なくともシリコン系接合材等の弾性質
を有する導電性接合材５１を介して電気的機械的に接合
されて、前記基板上に前記素子が搭載されており、前記
素子を搭載した基板に蓋体４を封止してなる表面実装型
電子部品において、前記弾性質を有する導電性接合材に
Ｐｄ等の酸化還元剤を混入させた。
性の高い表面実装型電子部品を提供する。 【構成】 外部回路と導通する引出電極が形成された基
板１Ａが有り、前記引出電極に素子搭載パッド部１１
Ｃ，１２Ｃ，１３Ｃ，１４Ｃを設け、また電極３１が設
けられた素子３が有り、前記素子のリード電極３１２の
一端には接合材パッド部３１３が設けられている、この
引出電極の素子搭載パッド部と素子のリード電極の接合
材パッド部とは少なくともシリコン系接合材等の弾性質
を有する導電性接合材５１を介して電気的機械的に接合
されて、前記基板上に前記素子が搭載されており、前記
素子を搭載した基板に蓋体４を封止してなる表面実装型
電子部品において、前記弾性質を有する導電性接合材に
Ｐｄ等の酸化還元剤を混入させた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、水晶振動子や水晶フィ
ルタ等の表面実装型電子部品に関するものである。
ルタ等の表面実装型電子部品に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の実施例として、セラミックケース
を用いた圧電振動子を例にして説明する。図５は従来の
実施例を示す分解斜視図である。セラミック基板１Ａは
アルミナからなり、薄板状に加工され、かつその側面に
外部端子を構成する４つの切り欠き１ａ，１ｂ，１ｃ，
１ｄが設けられている。このセラミック基板１Ａ上に
は、前記４つの切り欠きから導電パッドを構成するサポ
ート搭載部１３Ｂ（一部のみ図示）にかけて、図示しな
い引出電極がメタライズ処理されている。前記セラミッ
ク基板１Ａの上部にさらに、切り抜き１５Ｂが設けられ
たセラミック基板１Ｂが積層されている。そしてこれら
のセラミック基板１Ａ，１Ｂを焼結することにより、前
記切り抜き１５Ｂによる収容スペースが形成される。そ
してサポート２１，２２，２３，２４は、例えば洋白や
Ｃｕ−Ｎｉ−Ｚｎ系合金、ＳＵＳ等の金属板からなり、
それぞれ基板結合部２１１，２２１，２３１，２４１と
素子搭載部２１２，２２２，２３２，２４２と、これら
を結合する立ち上がり部を有する平板形状となってい
る。これらのサポートの素子搭載部２１２，２２２，２
３２，２４２を前記切り抜き１５Ｂによって形成される
基板長手方向の中心側に向かって、かつ、基板結合部２
１１，２２１，２３１，２４１を前記基板のサポート搭
載部１３Ｂ（一部のみ図示）に搭載して例えばレーザー
溶接等の手法により電気的機械的な接合を施す。このよ
うにしてサポート２１，２２，２３，２４は、基板長手
方向の両端部の各々のサポート搭載部でのみ固定される
とともに前記サポート搭載部から中心側に向かって若干
斜め上方に延伸している。そして表裏面に励振電極３１
（裏面については図示せず）が形成された矩形状の水晶
板３を前記サポートの素子搭載部２１２，２２２，２３
２，２４２に搭載し、本発明の第１の実施例では、サポ
ート２１，２４のいずれか（もしくは両方）と励振電極
３１とが、サポート２２，２３のいずれか（もしくは両
方）と裏面側の励振電極とが、エポキシ系あるいはポリ
イミド系の導電性接合材により少なくとも電気的に接続
が施されている。そして前記サポート、並びに水晶板が
基板が収容されたセラミック基板に蓋４をかぶせ、例え
ばシーム溶接等の手法により気密封止していた。
を用いた圧電振動子を例にして説明する。図５は従来の
実施例を示す分解斜視図である。セラミック基板１Ａは
アルミナからなり、薄板状に加工され、かつその側面に
外部端子を構成する４つの切り欠き１ａ，１ｂ，１ｃ，
１ｄが設けられている。このセラミック基板１Ａ上に
は、前記４つの切り欠きから導電パッドを構成するサポ
ート搭載部１３Ｂ（一部のみ図示）にかけて、図示しな
い引出電極がメタライズ処理されている。前記セラミッ
ク基板１Ａの上部にさらに、切り抜き１５Ｂが設けられ
たセラミック基板１Ｂが積層されている。そしてこれら
のセラミック基板１Ａ，１Ｂを焼結することにより、前
記切り抜き１５Ｂによる収容スペースが形成される。そ
してサポート２１，２２，２３，２４は、例えば洋白や
Ｃｕ−Ｎｉ−Ｚｎ系合金、ＳＵＳ等の金属板からなり、
それぞれ基板結合部２１１，２２１，２３１，２４１と
素子搭載部２１２，２２２，２３２，２４２と、これら
を結合する立ち上がり部を有する平板形状となってい
る。これらのサポートの素子搭載部２１２，２２２，２
３２，２４２を前記切り抜き１５Ｂによって形成される
基板長手方向の中心側に向かって、かつ、基板結合部２
１１，２２１，２３１，２４１を前記基板のサポート搭
載部１３Ｂ（一部のみ図示）に搭載して例えばレーザー
溶接等の手法により電気的機械的な接合を施す。このよ
うにしてサポート２１，２２，２３，２４は、基板長手
方向の両端部の各々のサポート搭載部でのみ固定される
とともに前記サポート搭載部から中心側に向かって若干
斜め上方に延伸している。そして表裏面に励振電極３１
（裏面については図示せず）が形成された矩形状の水晶
板３を前記サポートの素子搭載部２１２，２２２，２３
２，２４２に搭載し、本発明の第１の実施例では、サポ
ート２１，２４のいずれか（もしくは両方）と励振電極
３１とが、サポート２２，２３のいずれか（もしくは両
方）と裏面側の励振電極とが、エポキシ系あるいはポリ
イミド系の導電性接合材により少なくとも電気的に接続
が施されている。そして前記サポート、並びに水晶板が
基板が収容されたセラミック基板に蓋４をかぶせ、例え
ばシーム溶接等の手法により気密封止していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】近年、表面実装型電子
部品は、軽量化・薄型化・小型化が計られており、水晶
振動子や水晶フィルタ等の圧電振動子の分野でも例外で
はないのが現状である。しかし、耐熱性・温度特性・耐
衝撃性等を考慮すると、基板と圧電板との間に導電性接
合材を介してサポートが取り付ける必要があった。内蔵
する圧電板の形状が小さくなっても、サポートによる高
さ、あるいはサポート幅等により、表面実装型電子部品
としての圧電振動子の軽量化・薄型化・小型化の阻害要
因となっていた。また、サポート形成工程経るうえで工
程の複雑化・装置の多様化・製造上のコストアップが免
れ得なかった。
部品は、軽量化・薄型化・小型化が計られており、水晶
振動子や水晶フィルタ等の圧電振動子の分野でも例外で
はないのが現状である。しかし、耐熱性・温度特性・耐
衝撃性等を考慮すると、基板と圧電板との間に導電性接
合材を介してサポートが取り付ける必要があった。内蔵
する圧電板の形状が小さくなっても、サポートによる高
さ、あるいはサポート幅等により、表面実装型電子部品
としての圧電振動子の軽量化・薄型化・小型化の阻害要
因となっていた。また、サポート形成工程経るうえで工
程の複雑化・装置の多様化・製造上のコストアップが免
れ得なかった。
【０００４】そこで本発明は、小型でより製造上にも簡
素化がはかれる信頼性の高い表面実装型電子部品を提供
することを目的とする。
素化がはかれる信頼性の高い表面実装型電子部品を提供
することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明の表面実
装型電子部品は、外部回路と導通する引出電極が形成さ
れた基板が有り、前記引出電極に素子搭載パッド部を設
け、また主電極とリード電極が設けられた素子が有り、
前記素子のリード電極一端には接合材パッド部が設けら
れている、この引出電極の素子搭載パッド部と素子のリ
ード電極の接合材パッド部とは少なくともシリコン系接
合材等の弾性質を有する導電性接合材を介して電気的機
械的に接合されて、前記基板上に前記素子が搭載されて
おり、前記素子を搭載した基板に蓋体を封止してなる表
面実装型電子部品において、前記弾性質を有する導電性
接合材にＰｄ等の酸化還元剤を混入させた。そして、前
記Ｐｄの導電性接合材に対する歩合としては２〜８％が
混入されている。
装型電子部品は、外部回路と導通する引出電極が形成さ
れた基板が有り、前記引出電極に素子搭載パッド部を設
け、また主電極とリード電極が設けられた素子が有り、
前記素子のリード電極一端には接合材パッド部が設けら
れている、この引出電極の素子搭載パッド部と素子のリ
ード電極の接合材パッド部とは少なくともシリコン系接
合材等の弾性質を有する導電性接合材を介して電気的機
械的に接合されて、前記基板上に前記素子が搭載されて
おり、前記素子を搭載した基板に蓋体を封止してなる表
面実装型電子部品において、前記弾性質を有する導電性
接合材にＰｄ等の酸化還元剤を混入させた。そして、前
記Ｐｄの導電性接合材に対する歩合としては２〜８％が
混入されている。
【０００６】また、前記弾性質を有する導電性接合材
は、前記基板に一度塗布した後に素子を搭載し、少なく
とも、もう一度塗布して素子を接合した。
は、前記基板に一度塗布した後に素子を搭載し、少なく
とも、もう一度塗布して素子を接合した。
【０００７】また、少なくとも前記素子のリード電極の
接合材パッド部、あるいは前記基板の素子搭載パッド部
の少なくとも一方の表面をＡｇとした。
接合材パッド部、あるいは前記基板の素子搭載パッド部
の少なくとも一方の表面をＡｇとした。
【０００８】また、素子のリード電極の接合材パッド部
分、あるいは前記基板の素子搭載パッド部の少なくとも
一方には、少なくとも素子が露出する部分を形成した。
分、あるいは前記基板の素子搭載パッド部の少なくとも
一方には、少なくとも素子が露出する部分を形成した。
【０００９】
【作用】特許請求項１により、導電性接合材中のＯ2を
取り去るため導電性（金属片もしくは金属球）を劣化
（酸化による導電率の低下）させない。
取り去るため導電性（金属片もしくは金属球）を劣化
（酸化による導電率の低下）させない。
【００１０】特許請求項２により、導電性接合材中のＯ
2を取り去るため導電性（金属片もしくは金属球）を劣
化（酸化による導電率の低下）させない。
2を取り去るため導電性（金属片もしくは金属球）を劣
化（酸化による導電率の低下）させない。
【００１１】特許請求項３により、一度塗布した導電性
接合材の上に素子を搭載し、その後もう一度導電性接合
材を塗布して硬化接合させるため、搭載精度の向上と接
合強度の向上がはかれる。
接合材の上に素子を搭載し、その後もう一度導電性接合
材を塗布して硬化接合させるため、搭載精度の向上と接
合強度の向上がはかれる。
【００１２】特許請求項４により、ＡｇはＡｌ等に比べ
て比較的酸化が起こりにくいため、同電極上に酸化膜が
できにくく、導電性接合材との導電性の低下をまねきに
くい。そして、導電性接合材とのなじみがよいため、基
板と素子のより強固な電気的機械的接合が可能となる。
て比較的酸化が起こりにくいため、同電極上に酸化膜が
できにくく、導電性接合材との導電性の低下をまねきに
くい。そして、導電性接合材とのなじみがよいため、基
板と素子のより強固な電気的機械的接合が可能となる。
【００１３】特許請求項５により、素子が露出した部分
と導電性接合材、あるいは基板が露出した部分と導電性
接合材とのぬれ性によるなじみがより強く、基板と素子
とのさらにより一層強固な機械的な接合が可能となる。
と導電性接合材、あるいは基板が露出した部分と導電性
接合材とのぬれ性によるなじみがより強く、基板と素子
とのさらにより一層強固な機械的な接合が可能となる。
【００１４】特許請求項６により、素子が露出した部分
と導電性接合材、あるいは基板が露出した部分と導電性
接合材とのぬれ性によるなじみがより強く、基板と素子
とのさらにより一層強固な機械的な接合が可能となる。
と導電性接合材、あるいは基板が露出した部分と導電性
接合材とのぬれ性によるなじみがより強く、基板と素子
とのさらにより一層強固な機械的な接合が可能となる。
【００１５】
【実施例】次に、本発明の第１の実施例について、セラ
ミックケースを用いた表面実装型の圧電振動子を例にし
て説明する。図１は本発明の第１の実施例を示す分解斜
視図であり、図２は図１の組み立てた状態の断面図であ
る。セラミック基板１Ａはアルミナからなり、薄板状に
加工され、かつその側面に外部端子を構成する４つの切
り欠き１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄが設けられている。この
セラミック基板１Ａ上には、前記４つの切り欠きから導
電パッドを構成する素子搭載パッド部１１Ｃ，１２Ｃ，
１３Ｃ，１４Ｃにかけて、図示しない引出電極（Ａｇ
等）がメタライズ処理されている。前記セラミック基板
１Ａの上部にさらに、切り抜き１５Ｃが設けられたセラ
ミック基板１Ｃが積層されている。そしてこれらのセラ
ミック基板１Ａ，１Ｃを焼結することにより、前記切り
抜き１５Ｃによる収容スペースが形成される。そして、
前記素子搭載パッド部１１Ｃ，１２Ｃ，１３Ｃ，１４Ｃ
の基板露出部１３１Ｃ（一部のみ図示）上に、導電性接
合材を塗布することにより前記導電性接合材の素子搭載
台５１を構成する。この素子搭載台５１を構成する導電
性接合材は、シリコン樹脂の接着剤からなり、導体部と
して例えば薄板状のＡｇや球状のＡｇを含み、かつ酸化
還元剤としてのＰｄを２〜８％含んだものである。ま
た、矩形状の水晶板３は、表裏面にスパッタリング蒸着
法等により、Ａｌの励振電極３１，３２とリード電極３
１２（裏面については図示せず）とが形成されており、
さらにリード電極の端部には長円切り欠き形状の素子露
出部３１４，３２４が設けられた接合材パッド部３１
３，３２３が形成されている。そして前記接合材パッド
部３１３，３２３については、さらに同形状のマスクを
用いてＡｇが蒸着されている。そして、矩形状の水晶板
３を前記素子搭載台５１に搭載し、前記同様のシリコン
樹脂系の導電性接合材５２を水晶板３の素子露出部３１
４，３２４を含む接合材パッド部３１３，３２３に塗布
して硬化させることにより、前記水晶板３と前記導電性
接合材による素子搭載搭載台５１との電気的機械的な接
合が施される。以上を収容されたセラミック基板に蓋４
をかぶせ、例えばシーム溶接等の手法により気密封止す
る。
ミックケースを用いた表面実装型の圧電振動子を例にし
て説明する。図１は本発明の第１の実施例を示す分解斜
視図であり、図２は図１の組み立てた状態の断面図であ
る。セラミック基板１Ａはアルミナからなり、薄板状に
加工され、かつその側面に外部端子を構成する４つの切
り欠き１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄが設けられている。この
セラミック基板１Ａ上には、前記４つの切り欠きから導
電パッドを構成する素子搭載パッド部１１Ｃ，１２Ｃ，
１３Ｃ，１４Ｃにかけて、図示しない引出電極（Ａｇ
等）がメタライズ処理されている。前記セラミック基板
１Ａの上部にさらに、切り抜き１５Ｃが設けられたセラ
ミック基板１Ｃが積層されている。そしてこれらのセラ
ミック基板１Ａ，１Ｃを焼結することにより、前記切り
抜き１５Ｃによる収容スペースが形成される。そして、
前記素子搭載パッド部１１Ｃ，１２Ｃ，１３Ｃ，１４Ｃ
の基板露出部１３１Ｃ（一部のみ図示）上に、導電性接
合材を塗布することにより前記導電性接合材の素子搭載
台５１を構成する。この素子搭載台５１を構成する導電
性接合材は、シリコン樹脂の接着剤からなり、導体部と
して例えば薄板状のＡｇや球状のＡｇを含み、かつ酸化
還元剤としてのＰｄを２〜８％含んだものである。ま
た、矩形状の水晶板３は、表裏面にスパッタリング蒸着
法等により、Ａｌの励振電極３１，３２とリード電極３
１２（裏面については図示せず）とが形成されており、
さらにリード電極の端部には長円切り欠き形状の素子露
出部３１４，３２４が設けられた接合材パッド部３１
３，３２３が形成されている。そして前記接合材パッド
部３１３，３２３については、さらに同形状のマスクを
用いてＡｇが蒸着されている。そして、矩形状の水晶板
３を前記素子搭載台５１に搭載し、前記同様のシリコン
樹脂系の導電性接合材５２を水晶板３の素子露出部３１
４，３２４を含む接合材パッド部３１３，３２３に塗布
して硬化させることにより、前記水晶板３と前記導電性
接合材による素子搭載搭載台５１との電気的機械的な接
合が施される。以上を収容されたセラミック基板に蓋４
をかぶせ、例えばシーム溶接等の手法により気密封止す
る。
【００１６】尚、本発明の第１の実施例では、酸化還元
剤として、Ｐｄとしたが、ＮｉやＣｕ等であってもよ
い。また、素子露出部形状として長円切り欠き形状とし
たが、円切り欠き形状や楕円切り欠き形状などでもよ
く、三角切り欠き形状や四角切り欠き形状等のような多
角形状としても特に問題はない。また、前記接合材パッ
ド部についてのみＡｇを蒸着したが励振電極、リード電
極等全ての電極領域にＡｇを蒸着してもよい。すなわ
ち、少なくとも２層以上の多層電極構造とした場合、最
上層の電極をＡｇとすればよい。例えば、Ａｌの上層に
Ｃｒ、そのさらに上層にＡｇとすると好ましい。
剤として、Ｐｄとしたが、ＮｉやＣｕ等であってもよ
い。また、素子露出部形状として長円切り欠き形状とし
たが、円切り欠き形状や楕円切り欠き形状などでもよ
く、三角切り欠き形状や四角切り欠き形状等のような多
角形状としても特に問題はない。また、前記接合材パッ
ド部についてのみＡｇを蒸着したが励振電極、リード電
極等全ての電極領域にＡｇを蒸着してもよい。すなわ
ち、少なくとも２層以上の多層電極構造とした場合、最
上層の電極をＡｇとすればよい。例えば、Ａｌの上層に
Ｃｒ、そのさらに上層にＡｇとすると好ましい。
【００１７】次に、第２の実施例として、セラミックケ
ースを用いた表面実装型の圧電振動子を例にして説明す
る。また、水晶板としてモノリシック水晶フィルタと呼
ばれる多電極水晶板を用いた。図３は本発明の第２の実
施例を示す分解斜視図であり、図４は図３の組み立てた
状態の断面図である。尚、前記第１の実施例と同様の部
分については同番号を付した。セラミック基板１Ａはア
ルミナからなり、薄板状に加工され、かつその側面に外
部端子を構成する４つの切り欠き１ａ，１ｂ，１ｃ，１
ｄが設けられている。このセラミック基板１Ａ上には、
前記４つの切り欠きから導電パッドを構成する素子搭載
パッド部１１Ｃ，１２Ｃ，１３Ｃ，１４Ｃにかけて、図
示しない引出電極（Ａｇ等）がメタライズ処理されてい
る。前記セラミック基板１Ａの上部にさらに、切り抜き
１５Ｃが設けられたセラミック基板１Ｃが積層されてい
る。そしてこれらのセラミック基板１Ａ，１Ｃを焼結す
ることにより、前記切り抜き１５Ｃによる収容スペース
が形成される。そして、前記素子搭載パッド部１１Ｃ，
１２Ｃ，１３Ｃ，１４Ｃの基板露出部１１２Ｃ、１２２
Ｃ（一部のみ図示）上に、導電性接合材を塗布して硬化
させることにより前記導電性接合材の素子搭載台５１を
構成する。この素子搭載台５１を構成する導電性接合材
は、シリコン樹脂の接着剤からなり、導体部として例え
ば薄板状のＡｇや球状のＡｇを含み、かつ酸化還元剤と
してのＰｄを２〜８％含んだものである。また、矩形状
の水晶板３は、表裏面にスパッタリング蒸着法等によ
り、Ａｌの上層にＣｒ、さらに上層にＡｇを蒸着した励
振電極３３，３４と共通電極３５、並びにリード電極３
３２，３４２（裏面については図示せず）とが形成され
ており、さらにリード電極の端部には円形状の素子露出
部３３４，３４４，３５４が設けられた接合材パッド部
３３３，３４３，３５３が形成されている。そして、矩
形状の水晶板３を前記素子搭載台５１に搭載し、前記同
様のシリコン樹脂系の導電性接合材５２を水晶板３の素
子露出部３３４，３４４，３５４を含む接合材パッド部
３３３，３４３，３５３に塗布して硬化させることによ
り、前記水晶板３と前記導電性接合材による素子搭載搭
載台５１との電気的機械的な接合が施される。以上を収
容されたセラミック基板に蓋４をかぶせ、例えばシーム
溶接等の手法により気密封止する。
ースを用いた表面実装型の圧電振動子を例にして説明す
る。また、水晶板としてモノリシック水晶フィルタと呼
ばれる多電極水晶板を用いた。図３は本発明の第２の実
施例を示す分解斜視図であり、図４は図３の組み立てた
状態の断面図である。尚、前記第１の実施例と同様の部
分については同番号を付した。セラミック基板１Ａはア
ルミナからなり、薄板状に加工され、かつその側面に外
部端子を構成する４つの切り欠き１ａ，１ｂ，１ｃ，１
ｄが設けられている。このセラミック基板１Ａ上には、
前記４つの切り欠きから導電パッドを構成する素子搭載
パッド部１１Ｃ，１２Ｃ，１３Ｃ，１４Ｃにかけて、図
示しない引出電極（Ａｇ等）がメタライズ処理されてい
る。前記セラミック基板１Ａの上部にさらに、切り抜き
１５Ｃが設けられたセラミック基板１Ｃが積層されてい
る。そしてこれらのセラミック基板１Ａ，１Ｃを焼結す
ることにより、前記切り抜き１５Ｃによる収容スペース
が形成される。そして、前記素子搭載パッド部１１Ｃ，
１２Ｃ，１３Ｃ，１４Ｃの基板露出部１１２Ｃ、１２２
Ｃ（一部のみ図示）上に、導電性接合材を塗布して硬化
させることにより前記導電性接合材の素子搭載台５１を
構成する。この素子搭載台５１を構成する導電性接合材
は、シリコン樹脂の接着剤からなり、導体部として例え
ば薄板状のＡｇや球状のＡｇを含み、かつ酸化還元剤と
してのＰｄを２〜８％含んだものである。また、矩形状
の水晶板３は、表裏面にスパッタリング蒸着法等によ
り、Ａｌの上層にＣｒ、さらに上層にＡｇを蒸着した励
振電極３３，３４と共通電極３５、並びにリード電極３
３２，３４２（裏面については図示せず）とが形成され
ており、さらにリード電極の端部には円形状の素子露出
部３３４，３４４，３５４が設けられた接合材パッド部
３３３，３４３，３５３が形成されている。そして、矩
形状の水晶板３を前記素子搭載台５１に搭載し、前記同
様のシリコン樹脂系の導電性接合材５２を水晶板３の素
子露出部３３４，３４４，３５４を含む接合材パッド部
３３３，３４３，３５３に塗布して硬化させることによ
り、前記水晶板３と前記導電性接合材による素子搭載搭
載台５１との電気的機械的な接合が施される。以上を収
容されたセラミック基板に蓋４をかぶせ、例えばシーム
溶接等の手法により気密封止する。
【００１８】尚、本発明の第２の実施例では、酸化還元
剤として、Ｐｄとしたが、ＮｉやＣｕ等であってもよ
い。また、素子露出部形状として円形状としたが、楕円
形状や長円形状などでもよく、三角形状や四角形状等の
ような多角形状としても特に問題はない。
剤として、Ｐｄとしたが、ＮｉやＣｕ等であってもよ
い。また、素子露出部形状として円形状としたが、楕円
形状や長円形状などでもよく、三角形状や四角形状等の
ような多角形状としても特に問題はない。
【００１９】尚、本発明の第１，第２の実施例では水晶
振動子や水晶フィルタをあげたが、水晶発振器等に応用
する事も可能であるし、弾性表面波素子、圧電セラミッ
ク振動子や圧電セラミックフィルタ、あるいはコンデン
サ素子、焦電素子等に転用できることはいうまでもな
い。また、矩形状の素子に限らず、円盤形状の素子でも
実施できることはいうまでもない。
振動子や水晶フィルタをあげたが、水晶発振器等に応用
する事も可能であるし、弾性表面波素子、圧電セラミッ
ク振動子や圧電セラミックフィルタ、あるいはコンデン
サ素子、焦電素子等に転用できることはいうまでもな
い。また、矩形状の素子に限らず、円盤形状の素子でも
実施できることはいうまでもない。
【００２０】
【発明の効果】特許請求項１、並びに特許請求項２によ
り、導電性接合材中のＯ2を取り去るため導電性（金属
片もしくは金属球）を劣化（酸化による導電率の低下）
させなく、耐衝撃性の高い支持構造が得られる。そし
て、従来のサポートのスペースを考慮することなく電子
部品としての軽量化・薄型化・小型化がはかれる。ま
た、従来のサポート形成工程を考慮することなく製造上
にも簡素化がはかれる。
り、導電性接合材中のＯ2を取り去るため導電性（金属
片もしくは金属球）を劣化（酸化による導電率の低下）
させなく、耐衝撃性の高い支持構造が得られる。そし
て、従来のサポートのスペースを考慮することなく電子
部品としての軽量化・薄型化・小型化がはかれる。ま
た、従来のサポート形成工程を考慮することなく製造上
にも簡素化がはかれる。
【００２１】特許請求項３により、一度塗布した導電性
接合材の上に素子を搭載し、その後もう一度導電性接合
材を塗布して硬化接合させるため、搭載精度の向上と接
合強度の向上がはかれる。
接合材の上に素子を搭載し、その後もう一度導電性接合
材を塗布して硬化接合させるため、搭載精度の向上と接
合強度の向上がはかれる。
【００２２】特許請求項４により、ＡｇはＡｌ等に比べ
て比較的酸化が起こりにくいため、同電極上に酸化膜が
できにくく、導電性接合材との導電性の低下をまねきに
くい。そして、導電性接合材とのなじみがよいため、基
板と素子のより強固な電気的機械的接合が可能となる。
そのため、より耐衝撃性が向上し、強度も向上するより
信頼性の高い支持構造が得られる。
て比較的酸化が起こりにくいため、同電極上に酸化膜が
できにくく、導電性接合材との導電性の低下をまねきに
くい。そして、導電性接合材とのなじみがよいため、基
板と素子のより強固な電気的機械的接合が可能となる。
そのため、より耐衝撃性が向上し、強度も向上するより
信頼性の高い支持構造が得られる。
【００２３】特許請求項５、並びに特許請求項６によ
り、素子が露出した部分と導電性接合材、あるいは基板
が露出した部分と導電性接合材とのぬれ性によるなじみ
がより強く、基板と素子とのさらにより一層強固な機械
的な接合が可能となる。そのため、より一層耐衝撃性が
向上し、強度も向上するより一層信頼性の高い支持構造
が得られる。
り、素子が露出した部分と導電性接合材、あるいは基板
が露出した部分と導電性接合材とのぬれ性によるなじみ
がより強く、基板と素子とのさらにより一層強固な機械
的な接合が可能となる。そのため、より一層耐衝撃性が
向上し、強度も向上するより一層信頼性の高い支持構造
が得られる。
【図１】本発明の第１の実施例を示す分解者斜視図であ
る。
る。
【図２】図１の組み立てた状態の断面図である。
【図３】本発明の第２の実施例を示す分解者斜視図であ
る。
る。
【図４】図３の組み立てた状態の断面図である。
【図５】従来の実施例を示す分解者斜視図である。
１Ａ，１Ｂ，１Ｃ・・・セラミック基板 ２１，２２，２３，２４・・・サポート ３・・・水晶板 ４・・・蓋 ５１，５２・・・シリコン樹脂系の導電性接合材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０３Ｈ 9/13 Ｈ０４Ｒ 17/00
Claims (6)
- 【請求項１】 外部回路と導通する引出電極が形成され
た基板が有り、前記引出電極に素子搭載パッド部を設
け、また、主電極とリード電極が設けられた素子が有
り、前記素子のリード電極一端には接合材パッド部が設
けられている、この引出電極の素子搭載パッド部と素子
のリード電極の接合材パッド部とは少なくとも弾性質を
有する導電性接合材を介して電気的機械的に接合され
て、前記基板上に前記素子が搭載されており、前記素子
を搭載した基板に蓋体を封止してなる表面実装型電子部
品において、前記弾性質を有する導電性接合材に酸化還
元剤を混入させた事を特徴とする表面実装型電子部品。 - 【請求項２】 前記弾性質を有する導電性接合材として
シリコン系の接合材を用い、また酸化還元剤としてＰｄ
を混入させた事を特徴とする特許請求項１記載の表面実
装型電子部品。 - 【請求項３】 前記弾性質を有する導電性接合材は、前
記基板に一度塗布されて素子を搭載し、少なくとも、も
う一度塗布して素子を接合した事を特徴とする特許請求
項１、２記載の表面実装型電子部品。 - 【請求項４】 少なくとも前記素子のリード電極の接合
材パッド部、あるいは前記基板の素子搭載パッド部の少
なくとも一方の表面がＡｇである事を特徴とする特許請
求項１、２、３記載の表面実装型電子部品。 - 【請求項５】 素子のリード電極の接合材パッド部分、
あるいは前記基板の素子搭載パッド部の少なくとも一方
には、少なくとも素子、あるいは基板が露出する部分が
形成されている事を特徴とする表面実装型電子部品。 - 【請求項６】 素子のリード電極の接合材パッド部分、
あるいは前記基板の素子搭載パッド部の少なくとも一方
には、少なくとも素子、あるいは基板が露出する部分が
形成されている事を特徴とする特許請求項１〜４いずれ
か１項に記載の表面実装型電子部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6303113A JP3063066B2 (ja) | 1994-11-11 | 1994-11-11 | 表面実装型電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6303113A JP3063066B2 (ja) | 1994-11-11 | 1994-11-11 | 表面実装型電子部品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08139426A true JPH08139426A (ja) | 1996-05-31 |
| JP3063066B2 JP3063066B2 (ja) | 2000-07-12 |
Family
ID=17917045
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6303113A Expired - Lifetime JP3063066B2 (ja) | 1994-11-11 | 1994-11-11 | 表面実装型電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3063066B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10007455B4 (de) * | 1999-02-19 | 2006-02-23 | Murata Mfg. Co., Ltd., Nagaokakyo | Piezoelektrisches akustisches Bauteil |
| JP2006211089A (ja) * | 2005-01-26 | 2006-08-10 | Daishinku Corp | 圧電振動デバイス |
| AU2002221088B2 (en) * | 2000-12-07 | 2007-01-18 | Ge Healthcare Bio-Sciences Kk | Chip quartz oscillator and liquid-phase sensor |
| JP2007166435A (ja) * | 2005-12-15 | 2007-06-28 | Daishinku Corp | 水晶振動デバイス |
-
1994
- 1994-11-11 JP JP6303113A patent/JP3063066B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10007455B4 (de) * | 1999-02-19 | 2006-02-23 | Murata Mfg. Co., Ltd., Nagaokakyo | Piezoelektrisches akustisches Bauteil |
| AU2002221088B2 (en) * | 2000-12-07 | 2007-01-18 | Ge Healthcare Bio-Sciences Kk | Chip quartz oscillator and liquid-phase sensor |
| JP2006211089A (ja) * | 2005-01-26 | 2006-08-10 | Daishinku Corp | 圧電振動デバイス |
| JP2007166435A (ja) * | 2005-12-15 | 2007-06-28 | Daishinku Corp | 水晶振動デバイス |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3063066B2 (ja) | 2000-07-12 |
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