JPH0814250A - 軸受装置 - Google Patents
軸受装置Info
- Publication number
- JPH0814250A JPH0814250A JP14949294A JP14949294A JPH0814250A JP H0814250 A JPH0814250 A JP H0814250A JP 14949294 A JP14949294 A JP 14949294A JP 14949294 A JP14949294 A JP 14949294A JP H0814250 A JPH0814250 A JP H0814250A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thrust
- bearing
- bearing device
- thrust collar
- thrust bearing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Sliding-Contact Bearings (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】スパークの発生を防止することができる軸受装
置を提供する。 【構成】セラミック製のスラスト軸受３とセラミック製
のスラストカラー２とを備えてなる軸受装置において、
前記スラスト軸受のスラストカラー側の面及び／又は前
記スラストカラーの前記スラスト軸受側の面に、厚さが
１０〜５００ｎｍで表面抵抗が１０6 Ω以下の酸化物半
導体薄膜を形成するか、あるいは、厚さが１〜５０ｎｍ
で表面抵抗が１０6 Ω以下の金属超薄膜を形成してなる
ものである。
置を提供する。 【構成】セラミック製のスラスト軸受３とセラミック製
のスラストカラー２とを備えてなる軸受装置において、
前記スラスト軸受のスラストカラー側の面及び／又は前
記スラストカラーの前記スラスト軸受側の面に、厚さが
１０〜５００ｎｍで表面抵抗が１０6 Ω以下の酸化物半
導体薄膜を形成するか、あるいは、厚さが１〜５０ｎｍ
で表面抵抗が１０6 Ω以下の金属超薄膜を形成してなる
ものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば、空気動圧型等
の軸受装置に関するものである。
の軸受装置に関するものである。
【０００２】
【従来技術】近年、セラミック製スラスト軸受装置は、
セラミックの密度が小さいことから、軽量、低慣性能等
の理由により高速回転に適した軸受装置として期待され
ている。特に近年では、小型化が進行しているビデオテ
ープレコーダ（ＶＴＲ）、フロッピーディスクドライブ
（ＦＤＤ）、レーザビームプリンタ（ＬＢＰ）のＯＡ機
器において軽薄短小の軸受装置が必要となっている。こ
のような軸受装置としては、スパイラル溝を持ったスラ
スト軸受装置があり、コンパクトな構成で安定した高速
回転を可能とすることができる。
セラミックの密度が小さいことから、軽量、低慣性能等
の理由により高速回転に適した軸受装置として期待され
ている。特に近年では、小型化が進行しているビデオテ
ープレコーダ（ＶＴＲ）、フロッピーディスクドライブ
（ＦＤＤ）、レーザビームプリンタ（ＬＢＰ）のＯＡ機
器において軽薄短小の軸受装置が必要となっている。こ
のような軸受装置としては、スパイラル溝を持ったスラ
スト軸受装置があり、コンパクトな構成で安定した高速
回転を可能とすることができる。
【０００３】スラスト軸受装置としては、例えば、特開
平３−２８５１６号公報に開示される空気動圧型スラス
ト軸受装置が知られている。この公報に開示される空気
動圧型スラスト軸受装置は過大な起動トルクを解消する
ために、スラスト軸受及び／又はスラストカラーを多孔
質な構造としている。
平３−２８５１６号公報に開示される空気動圧型スラス
ト軸受装置が知られている。この公報に開示される空気
動圧型スラスト軸受装置は過大な起動トルクを解消する
ために、スラスト軸受及び／又はスラストカラーを多孔
質な構造としている。
【０００４】また、例えば、特公昭６４−２８１５号公
報には、セラミックス製転動面に金属膜を形成した軸受
装置が開示されており、転動面に金属膜を形成すること
によって転動応力に対する耐久性を向上している。
報には、セラミックス製転動面に金属膜を形成した軸受
装置が開示されており、転動面に金属膜を形成すること
によって転動応力に対する耐久性を向上している。
【０００５】
【発明が解決しようとする問題点】しかしながら、上記
従来技術は応力的な問題について解決されたものにすぎ
ず、電気的絶縁性の高いセラミックスを用いて軸受を構
成すると、高速回転時に静電気が発生して帯電し、軸受
に発生するスパークによりＯＡ機器にノイズが発生し、
ＯＡ機器に悪影響を与えるという問題があった。
従来技術は応力的な問題について解決されたものにすぎ
ず、電気的絶縁性の高いセラミックスを用いて軸受を構
成すると、高速回転時に静電気が発生して帯電し、軸受
に発生するスパークによりＯＡ機器にノイズが発生し、
ＯＡ機器に悪影響を与えるという問題があった。
【０００６】本発明は、スパークの発生を防止すること
ができる軸受装置を提供することを目的とする。
ができる軸受装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【問題点を解決するための手段】本発明者は、上記のよ
うな問題点について鋭意検討した結果、スラスト軸受及
び／又はスラストカラーの表面に、所定厚さ所定の表面
抵抗を有する酸化物半導体薄膜または金属超薄膜を形成
することにより、高速回転時におけるスパークの発生を
防止できることを知見し、本発明に至った。
うな問題点について鋭意検討した結果、スラスト軸受及
び／又はスラストカラーの表面に、所定厚さ所定の表面
抵抗を有する酸化物半導体薄膜または金属超薄膜を形成
することにより、高速回転時におけるスパークの発生を
防止できることを知見し、本発明に至った。
【０００８】即ち、本発明の軸受装置は、セラミック製
のスラスト軸受とセラミック製のスラストカラーとを備
えてなる軸受装置において、前記スラスト軸受のスラス
トカラー側の面及び／又は前記スラストカラーのスラス
ト軸受側の面に、厚さが１０〜５００ｎｍで表面抵抗が
１０6 Ω以下の酸化物半導体薄膜を形成してなるもので
ある。
のスラスト軸受とセラミック製のスラストカラーとを備
えてなる軸受装置において、前記スラスト軸受のスラス
トカラー側の面及び／又は前記スラストカラーのスラス
ト軸受側の面に、厚さが１０〜５００ｎｍで表面抵抗が
１０6 Ω以下の酸化物半導体薄膜を形成してなるもので
ある。
【０００９】また、本発明の軸受装置は、セラミック製
のスラスト軸受とセラミック製のスラストカラーとを備
えてなる軸受装置において、前記スラスト軸受のスラス
トカラー側の面及び／又は前記スラストカラーのスラス
ト軸受側の面に、厚さが１〜５０ｎｍで表面抵抗が１０
6 Ω以下の金属超薄膜を形成してなるものである。
のスラスト軸受とセラミック製のスラストカラーとを備
えてなる軸受装置において、前記スラスト軸受のスラス
トカラー側の面及び／又は前記スラストカラーのスラス
ト軸受側の面に、厚さが１〜５０ｎｍで表面抵抗が１０
6 Ω以下の金属超薄膜を形成してなるものである。
【００１０】本発明に用いられるセラミック製のスラス
ト軸受及びスラストカラーは、例えば、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｓ
ｉ3 Ｎ4 、ＳｉＣ、ＺｒＯ2 を主体とする焼結体等から
形成されるが、これに限定されるものではなく、スラス
ト軸受及びスラストカラーに従来から用いられるその他
の公知のセラミック材料でも良い。
ト軸受及びスラストカラーは、例えば、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｓ
ｉ3 Ｎ4 、ＳｉＣ、ＺｒＯ2 を主体とする焼結体等から
形成されるが、これに限定されるものではなく、スラス
ト軸受及びスラストカラーに従来から用いられるその他
の公知のセラミック材料でも良い。
【００１１】また、スラスト軸受及びスラストカラーの
表面に形成される酸化物半導体薄膜は、例えば、ＳｎＯ
2 、ＮｉＯ、Ｃｒ2 Ｏ3 、Ｃｕ2 Ｏ、ＭｎＯ2 、Ｚｎ
Ｏ、Ｖ2 Ｏ5 、Ｆｅ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 、ＢａＴｉＯ2 、
ＣｏＯ、ＣｄＯなどが用いられ、例えば、イオンビーム
スパッタリング法、マグネトロンスパッタリング法、イ
オンビームアシストデポジション法等により形成され
る。
表面に形成される酸化物半導体薄膜は、例えば、ＳｎＯ
2 、ＮｉＯ、Ｃｒ2 Ｏ3 、Ｃｕ2 Ｏ、ＭｎＯ2 、Ｚｎ
Ｏ、Ｖ2 Ｏ5 、Ｆｅ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 、ＢａＴｉＯ2 、
ＣｏＯ、ＣｄＯなどが用いられ、例えば、イオンビーム
スパッタリング法、マグネトロンスパッタリング法、イ
オンビームアシストデポジション法等により形成され
る。
【００１２】また、酸化物半導体薄膜の厚みを１０〜５
００ｎｍとしたのは、酸化物半導体薄膜が１０ｎｍより
小さいと導電膜としての効果が得られず、帯電除去効果
が小さいからである。また、酸化物半導体薄膜の厚みが
５００ｎｍより大きいと、表面硬度が低下して耐摩耗性
が悪化するからである。酸化物半導体薄膜は耐摩耗性と
いう点から１０〜３００ｎｍが好ましく、特に１０〜２
００ｎｍであることが望ましい。
００ｎｍとしたのは、酸化物半導体薄膜が１０ｎｍより
小さいと導電膜としての効果が得られず、帯電除去効果
が小さいからである。また、酸化物半導体薄膜の厚みが
５００ｎｍより大きいと、表面硬度が低下して耐摩耗性
が悪化するからである。酸化物半導体薄膜は耐摩耗性と
いう点から１０〜３００ｎｍが好ましく、特に１０〜２
００ｎｍであることが望ましい。
【００１３】また、本発明の軸受装置は、スラスト軸受
のスラストカラー側の面及び／又はスラストカラーのス
ラスト軸受側の面に、厚さが１〜５０ｎｍで表面抵抗が
１０6 Ω以下の金属超薄膜を形成してなるものである
が、厚さが１〜５０ｎｍの金属超薄膜を形成したのは、
金属超薄膜が１ｎｍより小さいと導電膜としての効果が
得られず、帯電除去効果が小さいからである。また、金
属超薄膜の厚みが５０ｎｍより大きいと表面硬度が低下
して耐摩耗性が悪化するからである。金属超薄膜は耐摩
耗性という点から１〜３０ｎｍが好ましく、特に１〜２
０ｎｍであることが望ましい。
のスラストカラー側の面及び／又はスラストカラーのス
ラスト軸受側の面に、厚さが１〜５０ｎｍで表面抵抗が
１０6 Ω以下の金属超薄膜を形成してなるものである
が、厚さが１〜５０ｎｍの金属超薄膜を形成したのは、
金属超薄膜が１ｎｍより小さいと導電膜としての効果が
得られず、帯電除去効果が小さいからである。また、金
属超薄膜の厚みが５０ｎｍより大きいと表面硬度が低下
して耐摩耗性が悪化するからである。金属超薄膜は耐摩
耗性という点から１〜３０ｎｍが好ましく、特に１〜２
０ｎｍであることが望ましい。
【００１４】金属超薄膜は、例えば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐ
ｄ、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃ、Ｃｒ、Ｃｏ、
Ｔｉから構成され、例えば、イオンビームスパッタリン
グ法、イオンミキシング法等により形成される。
ｄ、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃ、Ｃｒ、Ｃｏ、
Ｔｉから構成され、例えば、イオンビームスパッタリン
グ法、イオンミキシング法等により形成される。
【００１５】さらに、酸化物半導体薄膜および金属超薄
膜の表面抵抗を１０6 Ω以下としたのは、表面抵抗が１
０6 Ωよりも高い場合には、導電膜としての効果が得ら
れず、帯電除去効果が小さいからである。これらの薄膜
の表面抵抗は、帯電除去を有効に行うためには１０5 Ω
以下であることが望ましい。
膜の表面抵抗を１０6 Ω以下としたのは、表面抵抗が１
０6 Ωよりも高い場合には、導電膜としての効果が得ら
れず、帯電除去効果が小さいからである。これらの薄膜
の表面抵抗は、帯電除去を有効に行うためには１０5 Ω
以下であることが望ましい。
【００１６】
【作用】本発明の軸受装置では、高速回転によりスラス
ト軸受およびスラストカラーに発生した静電気は、スラ
スト軸受のスラストカラー側の面及び／又はスラストカ
ラーのスラスト軸受側の面の酸化物半導体薄膜および金
属超薄膜を介して除電される。これにより、軸受装置を
ＯＡ機器に搭載した場合、静電気によるＯＡ機器への悪
影響を防止することができる。
ト軸受およびスラストカラーに発生した静電気は、スラ
スト軸受のスラストカラー側の面及び／又はスラストカ
ラーのスラスト軸受側の面の酸化物半導体薄膜および金
属超薄膜を介して除電される。これにより、軸受装置を
ＯＡ機器に搭載した場合、静電気によるＯＡ機器への悪
影響を防止することができる。
【００１７】
実施例１ 図１は、本発明の軸受装置の一実施例を示すもので、符
号１は、回転軸を示している。この回転軸１にはセラミ
ック製のスラストカラー２が一体形成されており、この
スラストカラー２の下方には、セラミック製のスラスト
軸受３が配置されている。スラストカラー２およびスラ
スト軸受３は、例えば、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｓｉ3 Ｎ4 、Ｓｉ
Ｃ、ＺｒＯ2 等の焼結体から形成されている。
号１は、回転軸を示している。この回転軸１にはセラミ
ック製のスラストカラー２が一体形成されており、この
スラストカラー２の下方には、セラミック製のスラスト
軸受３が配置されている。スラストカラー２およびスラ
スト軸受３は、例えば、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｓｉ3 Ｎ4 、Ｓｉ
Ｃ、ＺｒＯ2 等の焼結体から形成されている。
【００１８】また、スラスト軸受３のスラストカラー２
側の面（スラスト軸受３の上面）には、図２に示すよう
に、スパイラル溝４が形成されている。
側の面（スラスト軸受３の上面）には、図２に示すよう
に、スパイラル溝４が形成されている。
【００１９】そして、スラストカラー２のスラスト軸受
３側の面及びスラスト軸受３のスラストカラー２側の面
には、図３に示すように厚さが１０〜５００ｎｍで表面
抵抗が１０6 Ω以下の酸化物半導体薄膜５が形成されて
いる。この酸化物半導体薄膜５は、例えば、ＳｎＯ2 、
ＮｉＯ、Ｃｒ2 Ｏ3 、Ｃｕ2 Ｏ、ＭｎＯ2 、ＺｎＯ、Ｖ
2 Ｏ5 、Ｆｅ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 、ＢａＴｉＯ3 、Ｃｏ
Ｏ、ＣｄＯなどから構成されており、例えば、イオンビ
ームスパッタリング法により形成されている。
３側の面及びスラスト軸受３のスラストカラー２側の面
には、図３に示すように厚さが１０〜５００ｎｍで表面
抵抗が１０6 Ω以下の酸化物半導体薄膜５が形成されて
いる。この酸化物半導体薄膜５は、例えば、ＳｎＯ2 、
ＮｉＯ、Ｃｒ2 Ｏ3 、Ｃｕ2 Ｏ、ＭｎＯ2 、ＺｎＯ、Ｖ
2 Ｏ5 、Ｆｅ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 、ＢａＴｉＯ3 、Ｃｏ
Ｏ、ＣｄＯなどから構成されており、例えば、イオンビ
ームスパッタリング法により形成されている。
【００２０】また、スラストカラー２およびスラスト軸
受３の側面には、帯電した静電気をアースするための酸
化物半導体薄膜６が形成されている。
受３の側面には、帯電した静電気をアースするための酸
化物半導体薄膜６が形成されている。
【００２１】以上のように形成された軸受装置では、高
速回転により、スラスト軸受３に設けたスパイラル溝４
に外周から空気が巻き込まれ、空気ベアリングが形成さ
れる。
速回転により、スラスト軸受３に設けたスパイラル溝４
に外周から空気が巻き込まれ、空気ベアリングが形成さ
れる。
【００２２】そして、高速回転によりスラスト軸受３お
よびスラストカラー２に発生した静電気は、スラスト軸
受３のスラストカラー２側の面及びスラストカラー２の
スラスト軸受３側の面の酸化物半導体薄膜５、スラスト
軸受３、スラストカラー２の側面に形成された酸化物半
導体薄膜６を介して除電され、軸受装置におけるスパー
クを防止することができ、ＯＡ機器におけるノイズの発
生を防止することができる。
よびスラストカラー２に発生した静電気は、スラスト軸
受３のスラストカラー２側の面及びスラストカラー２の
スラスト軸受３側の面の酸化物半導体薄膜５、スラスト
軸受３、スラストカラー２の側面に形成された酸化物半
導体薄膜６を介して除電され、軸受装置におけるスパー
クを防止することができ、ＯＡ機器におけるノイズの発
生を防止することができる。
【００２３】本発明者は、本発明の効果を確認すべく、
スラスト軸受およびスラストカラーを表１に示すような
セラミックスにより形成するとともに、このスラスト軸
受およびスラストカラーに、表１に示すような材料、厚
さ、表面抵抗を有する酸化物半導体薄膜を形成し、この
ような軸受装置をＶＴＲの磁気ヘッドドラムに組み込ん
だ時に発生した１分間のノイズをカウントした。また、
表面硬度をマイクロビッカース硬度計により測定した。
結果を表１に示す。
スラスト軸受およびスラストカラーを表１に示すような
セラミックスにより形成するとともに、このスラスト軸
受およびスラストカラーに、表１に示すような材料、厚
さ、表面抵抗を有する酸化物半導体薄膜を形成し、この
ような軸受装置をＶＴＲの磁気ヘッドドラムに組み込ん
だ時に発生した１分間のノイズをカウントした。また、
表面硬度をマイクロビッカース硬度計により測定した。
結果を表１に示す。
【００２４】
【表１】
【００２５】表１より明らかなように、酸化物半導体薄
膜の厚さが１０ｎｍよりも薄い場合には導電膜の効果が
得られないため、表面抵抗が高く、１分間のノイズ発生
件数が１００件と多い。また、厚さが５００ｎｍよりも
暑い場合、表面硬度が低下し、耐摩耗性が悪く、実用性
に乏しいことが判る。
膜の厚さが１０ｎｍよりも薄い場合には導電膜の効果が
得られないため、表面抵抗が高く、１分間のノイズ発生
件数が１００件と多い。また、厚さが５００ｎｍよりも
暑い場合、表面硬度が低下し、耐摩耗性が悪く、実用性
に乏しいことが判る。
【００２６】実施例２ 厚さが１０〜５００ｎｍで表面抵抗が１０6 Ω以下の酸
化物半導体薄膜の代わりに、厚さが１〜５０ｎｍで表面
抵抗が１０6 Ω以下の金属超薄膜を用いた以外は、上記
実施例１と同様に軸受装置を形成した。このような軸受
装置でも、上記実施例１と同様の効果を得ることができ
る。
化物半導体薄膜の代わりに、厚さが１〜５０ｎｍで表面
抵抗が１０6 Ω以下の金属超薄膜を用いた以外は、上記
実施例１と同様に軸受装置を形成した。このような軸受
装置でも、上記実施例１と同様の効果を得ることができ
る。
【００２７】そこで、本発明者はスラスト軸受およびス
ラストカラーを表２に示すようなセラミックスにより形
成するとともに、表２に示すような材料、厚さ、表面抵
抗を有する金属超薄膜を形成し、このような軸受装置を
ＶＴＲの磁気ヘッドドラムに組み込んだ時に発生した１
分間のノイズをカウントした。結果を表２に示す。
ラストカラーを表２に示すようなセラミックスにより形
成するとともに、表２に示すような材料、厚さ、表面抵
抗を有する金属超薄膜を形成し、このような軸受装置を
ＶＴＲの磁気ヘッドドラムに組み込んだ時に発生した１
分間のノイズをカウントした。結果を表２に示す。
【００２８】
【表２】
【００２９】表２より明らかなように、金属超薄膜の厚
さが１ｎｍよりも薄い場合には導電膜の効果が得られな
いため表面抵抗が高く、１分間のノイズ発生件数が１０
０件と多い。厚さが５０ｎｍよりも厚い場合、表面硬度
が低下し、耐摩耗性が悪く、実用性に乏しいことが判
る。
さが１ｎｍよりも薄い場合には導電膜の効果が得られな
いため表面抵抗が高く、１分間のノイズ発生件数が１０
０件と多い。厚さが５０ｎｍよりも厚い場合、表面硬度
が低下し、耐摩耗性が悪く、実用性に乏しいことが判
る。
【００３０】上記実施例１，２ではスラスト軸受とスラ
ストカラーを同一材料で形成した例について説明した
が、異なる材料により形成しても良いことは勿論であ
る。また、上記実施例１，２ではスラスト軸受とスラス
トカラーの両面に 酸化物半導体薄膜，金属超薄膜を形
成した例について説明したが、スラスト軸受表面あるい
はスラストカラー表面のいずれか一方に酸化物半導体薄
膜あるいは金属超薄膜を形成しても良いことは勿論であ
る。
ストカラーを同一材料で形成した例について説明した
が、異なる材料により形成しても良いことは勿論であ
る。また、上記実施例１，２ではスラスト軸受とスラス
トカラーの両面に 酸化物半導体薄膜，金属超薄膜を形
成した例について説明したが、スラスト軸受表面あるい
はスラストカラー表面のいずれか一方に酸化物半導体薄
膜あるいは金属超薄膜を形成しても良いことは勿論であ
る。
【００３１】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の軸受装置で
は、高速回転によりスラスト軸受およびスラストカラー
に発生した静電気は、スラスト軸受のスラストカラー側
の面及びスラストカラーのスラスト軸受側の面の酸化物
半導体薄膜や金属超薄膜を介して除電され、軸受装置に
おけるスパークを防止することができ、ＯＡ機器におけ
るノイズの発生を防止することができ、これにより、高
品質のＯＡ機器に貢献できる。
は、高速回転によりスラスト軸受およびスラストカラー
に発生した静電気は、スラスト軸受のスラストカラー側
の面及びスラストカラーのスラスト軸受側の面の酸化物
半導体薄膜や金属超薄膜を介して除電され、軸受装置に
おけるスパークを防止することができ、ＯＡ機器におけ
るノイズの発生を防止することができ、これにより、高
品質のＯＡ機器に貢献できる。
【図１】本発明の軸受装置を示す縦断面図である。
【図２】図１のスラスト軸受の平面図である。
【図３】図１の一部を拡大して示す縦断面図である。
１・・・回転軸 ２・・・スラストカラー ３・・・スラスト軸受
Claims (2)
- 【請求項１】セラミック製のスラスト軸受とセラミック
製のスラストカラーとを備えてなる軸受装置において、
前記スラスト軸受のスラストカラー側の面及び／又は前
記スラストカラーのスラスト軸受側の面に、厚さが１０
〜５００ｎｍで表面抵抗が１０6 Ω以下の酸化物半導体
薄膜を形成してなることを特徴とする軸受装置。 - 【請求項２】セラミック製のスラスト軸受とセラミック
製のスラストカラーとを備えてなる軸受装置において、
前記スラスト軸受のスラストカラー側の面及び／又は前
記スラストカラーのスラスト軸受側の面に、厚さが１〜
５０ｎｍで表面抵抗が１０6 Ω以下の金属超薄膜を形成
してなることを特徴とする軸受装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14949294A JP3181004B2 (ja) | 1994-06-30 | 1994-06-30 | 軸受装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14949294A JP3181004B2 (ja) | 1994-06-30 | 1994-06-30 | 軸受装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0814250A true JPH0814250A (ja) | 1996-01-16 |
| JP3181004B2 JP3181004B2 (ja) | 2001-07-03 |
Family
ID=15476339
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14949294A Expired - Fee Related JP3181004B2 (ja) | 1994-06-30 | 1994-06-30 | 軸受装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3181004B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6018442A (en) * | 1997-04-04 | 2000-01-25 | U.S. Philips Corporation | Recording and/or reproducing apparatus having rotary scanning drum supported by a bearing having contacting bearing surfaces which provide electrical grounding |
-
1994
- 1994-06-30 JP JP14949294A patent/JP3181004B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6018442A (en) * | 1997-04-04 | 2000-01-25 | U.S. Philips Corporation | Recording and/or reproducing apparatus having rotary scanning drum supported by a bearing having contacting bearing surfaces which provide electrical grounding |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3181004B2 (ja) | 2001-07-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH04276367A (ja) | 保護被膜を有する磁気ヘッド・スライダ及びその製造方法 | |
| JPS58166562A (ja) | 磁気ヘツド・スライダ | |
| JP3181004B2 (ja) | 軸受装置 | |
| EP0204339B1 (en) | Article having insulation abrasion coated layer | |
| US6475940B2 (en) | Wear resistant member for electronic equipment and bearing and spindle motor therewith | |
| JPH09212836A (ja) | 磁気ヘッドスライダーとその製造方法 | |
| JP3207315B2 (ja) | 圧電／電歪膜型素子 | |
| US6707647B2 (en) | Magnetic head with thin gap layers | |
| JP3435724B2 (ja) | 回転磁気ヘッドドラム及びその製造方法 | |
| JPS6244324B2 (ja) | ||
| JP3691833B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド用基板およびその製造方法 | |
| US5130878A (en) | Thin film magnetic head comprising a protective layer | |
| JPH07311912A (ja) | 薄膜コイルの製造方法 | |
| JP3287063B2 (ja) | 浮動型磁気ヘッド用セラミックス材及びそれを用いた浮動型磁気ヘッド | |
| JPH0793720A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JP2665949B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JP2857136B2 (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JP2610925B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH0922517A (ja) | 磁気ヘッドスライダー及び磁気ディスク装置 | |
| JPH02121110A (ja) | 回転磁気ヘッドドラムおよびその製造方法 | |
| JPH09274711A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JPH0765618B2 (ja) | 軸受装置 | |
| JPS62109984A (ja) | 絶縁ホ−ロ層の形成法 | |
| JPH0668631A (ja) | 磁気ディスク装置 | |
| JPH05274639A (ja) | 非磁性基板材および浮上式磁気ヘッド |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |