JPH0793720A - 磁気ヘッド - Google Patents
磁気ヘッドInfo
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- JPH0793720A JPH0793720A JP5239653A JP23965393A JPH0793720A JP H0793720 A JPH0793720 A JP H0793720A JP 5239653 A JP5239653 A JP 5239653A JP 23965393 A JP23965393 A JP 23965393A JP H0793720 A JPH0793720 A JP H0793720A
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- JP
- Japan
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- film
- magnetic head
- sic
- thickness
- head
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高密度記録に適した信頼性を有する磁気ヘッ
ドを提供する。 【構成】 スライダー１のスキー面３にコーティング膜
２４としてＳｉＣとＣの混合膜を用い、その組成比が
１：４から２：１であり、且つその膜厚が５０〜３００
オングストロームである磁気ヘッド。
ドを提供する。 【構成】 スライダー１のスキー面３にコーティング膜
２４としてＳｉＣとＣの混合膜を用い、その組成比が
１：４から２：１であり、且つその膜厚が５０〜３００
オングストロームである磁気ヘッド。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高密度記録用ハードデ
ィスクドライブに使用する磁気ヘッドに関するものであ
る。
ィスクドライブに使用する磁気ヘッドに関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、記録すべき情報量の増加に伴い、
高密度記録可能な磁気ヘッドや磁気記録媒体が実用化さ
れてきている。なかでもハードディスクドライブの場
合、従来の０．２〜０．３μｍといった比較的高い浮上
量が用いられてきたが、一層記録密度をあげるために
０．１μｍ以下の浮上量が必要となってきている。ま
た、３００〜４００Ｍｂｙｔｅ／ｉｎｃｈ程度の高い面
密度が実現されるに至っている。
高密度記録可能な磁気ヘッドや磁気記録媒体が実用化さ
れてきている。なかでもハードディスクドライブの場
合、従来の０．２〜０．３μｍといった比較的高い浮上
量が用いられてきたが、一層記録密度をあげるために
０．１μｍ以下の浮上量が必要となってきている。ま
た、３００〜４００Ｍｂｙｔｅ／ｉｎｃｈ程度の高い面
密度が実現されるに至っている。
【０００３】このような高密度の記録を実現するために
は、ヘッドとディスクによる両者の損傷を避けるため
に、より粗さの小さい平滑な基板や磁気ヘッドが必要と
なる。このような高密度記録用磁気ヘッドを量産的に得
るために既に薄膜インダクティブ磁気ヘッドが実施され
ているが、一層高密度記録を行うために再生専用のＭＲ
ヘッドが開発されている。図１１は、このような従来の
磁気ヘッドの概略図であり、スライダー１と呼ばれるヘ
ッド本体の後端側面に薄膜プロセスにより、磁気コアや
コイルといった薄膜素子２が形成される。またディスク
との接触側は、スキー面３（ＡＢＳ面と呼ぶこともあ
る）からなる浮上面で形成されており、その寸法や形状
により浮上量が決定されるが、現在では既に３μｉｎｃ
ｈ程度の浮上量になっている。図１２は、従来の磁気ヘ
ッドを示す概略図、図１３は従来の磁気ヘッドプロセス
の説明図である。図１２に示すように、薄膜ヘッドは、
アルチック基板４上に下部絶縁層５としてのアルミナ層
がおよそ１０μｍ程度のスパッタリングにより形成さ
れ、メッキにより下部磁性層６としてＮｉＦｅ合金層が
３〜５μｍ形成される。更に、ギャップ層７としてのア
ルミナ層がスパッタリングにより０．３〜０．５μｍ形
成され、層間絶縁層８としてのレジストがフォトリソグ
ラフィーにより形成される。更に、コイル９としてＣｕ
層がメッキにより２〜４μｍ形成され、再び層間絶縁層
１０としてレジストがフォトリソグラフィーにより形成
される。その後、上部磁性層１１としてのＮｉＦｅ合金
層が３〜５μｍの膜厚でスパッタリングにより形成さ
れ、最後に保護膜１２としてのアルミナ層がスパッタリ
ングにより４０〜５０μｍ形成され、成膜プロセスを完
了する。その後、研磨によりデプス規制を行いながら、
スライダー１のスキー面３のギャップデプスを制御し、
切断加工とスキー面３の溝加工等によりスライダー１を
完成させる。上記の如く、薄膜インタクティブの基板は
主にアルチックが用いられるが、ＣＳＳ（コンタクト・
スタート・ストップ）試験等の機械特性に対して、従来
のフェライト等の基板を用いた磁気ヘッドに比べ、薄膜
インタクティブの基板は信頼性が劣るといわれている。
このため、ハードディスク側からみると保護層や潤滑剤
の信頼性向上が必要となっている。また磁気ヘッドにお
いてはクラウンと呼ばれる凸状の曲面加工を施し、片当
りを避ける等の工夫やディスクと同じように保護膜１２
をヘッドスキー面に形成するといった試みがなされてい
る。
は、ヘッドとディスクによる両者の損傷を避けるため
に、より粗さの小さい平滑な基板や磁気ヘッドが必要と
なる。このような高密度記録用磁気ヘッドを量産的に得
るために既に薄膜インダクティブ磁気ヘッドが実施され
ているが、一層高密度記録を行うために再生専用のＭＲ
ヘッドが開発されている。図１１は、このような従来の
磁気ヘッドの概略図であり、スライダー１と呼ばれるヘ
ッド本体の後端側面に薄膜プロセスにより、磁気コアや
コイルといった薄膜素子２が形成される。またディスク
との接触側は、スキー面３（ＡＢＳ面と呼ぶこともあ
る）からなる浮上面で形成されており、その寸法や形状
により浮上量が決定されるが、現在では既に３μｉｎｃ
ｈ程度の浮上量になっている。図１２は、従来の磁気ヘ
ッドを示す概略図、図１３は従来の磁気ヘッドプロセス
の説明図である。図１２に示すように、薄膜ヘッドは、
アルチック基板４上に下部絶縁層５としてのアルミナ層
がおよそ１０μｍ程度のスパッタリングにより形成さ
れ、メッキにより下部磁性層６としてＮｉＦｅ合金層が
３〜５μｍ形成される。更に、ギャップ層７としてのア
ルミナ層がスパッタリングにより０．３〜０．５μｍ形
成され、層間絶縁層８としてのレジストがフォトリソグ
ラフィーにより形成される。更に、コイル９としてＣｕ
層がメッキにより２〜４μｍ形成され、再び層間絶縁層
１０としてレジストがフォトリソグラフィーにより形成
される。その後、上部磁性層１１としてのＮｉＦｅ合金
層が３〜５μｍの膜厚でスパッタリングにより形成さ
れ、最後に保護膜１２としてのアルミナ層がスパッタリ
ングにより４０〜５０μｍ形成され、成膜プロセスを完
了する。その後、研磨によりデプス規制を行いながら、
スライダー１のスキー面３のギャップデプスを制御し、
切断加工とスキー面３の溝加工等によりスライダー１を
完成させる。上記の如く、薄膜インタクティブの基板は
主にアルチックが用いられるが、ＣＳＳ（コンタクト・
スタート・ストップ）試験等の機械特性に対して、従来
のフェライト等の基板を用いた磁気ヘッドに比べ、薄膜
インタクティブの基板は信頼性が劣るといわれている。
このため、ハードディスク側からみると保護層や潤滑剤
の信頼性向上が必要となっている。また磁気ヘッドにお
いてはクラウンと呼ばれる凸状の曲面加工を施し、片当
りを避ける等の工夫やディスクと同じように保護膜１２
をヘッドスキー面に形成するといった試みがなされてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の薄膜ヘッドにおいては、耐ＣＳＳ特性が十分でな
く、十分なヘッド・ディスク・インターフェイスの信頼
性を得られないという問題点があった。
来の薄膜ヘッドにおいては、耐ＣＳＳ特性が十分でな
く、十分なヘッド・ディスク・インターフェイスの信頼
性を得られないという問題点があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために、磁気ヘッドのコーティング膜として炭化
珪素とカーボンとを含有する混合膜を用いるものであ
る。
決するために、磁気ヘッドのコーティング膜として炭化
珪素とカーボンとを含有する混合膜を用いるものであ
る。
【０００６】
【作用】本発明は、上記構成により、良好なＣＳＳ特性
を示す高密度記録に適した磁気ヘッドが得られる。
を示す高密度記録に適した磁気ヘッドが得られる。
【０００７】
【実施例】次に、図面を参照しながら本発明の実施例を
説明する。図１は、本発明の実施例における磁気ヘッド
を示す断面概略図である。１３は鏡面加工を施した３ｉ
ｎｃｈのアルチック基板であり、このアルチック基板１
３上にスパッタリングにより下部絶縁層１４としてアル
ミナ層を１２μｍ成膜した後に、ラップ加工により平滑
化し、電極膜としてＮｉＦｅ合金層をスパッタリングに
より成膜し、フォトリソグラフィーによりパターンニン
グした後、下部磁性層１５としてＮｉＦｅ合金層をメッ
キにより４μｍ形成した。更に、スパッタリングにより
ギャップ１６としてアルミナ層を０．３μｍ形成し、フ
ォトリソグラフィーによりレジストによる層間絶縁層１
７を３μｍ形成しパターンニングを行った。この後、Ｃ
ｕからなるコイル電極膜をスパッタリングにより形成し
パターンニングした後、Ｃｕからなる第一コイル部１８
をメッキにより３μｍ形成し、レジストによる層間絶縁
層１９を介し、同じくＣｕからなる第二コイル部２０を
メッキにより３μｍ形成した。更に、層間絶縁層２１を
介し、ＮｉＦｅからなる電極膜をスパッタリングしパタ
ーンニングした後、ＮｉＦｅからなる上部磁性層２２を
メッキにより４μｍ形成した。更に、リード部のＣｕと
Ａｌを形成した後、最後にアルミナからなる保護膜２３
をスパッタリングにより５０μｍ成膜し、平滑化ラップ
を行い、薄膜磁気ヘッド素子部を形成した。この後、加
工によりスライダー１の加工及びギャップデプス規制を
行い、ＨＧＡ（ヘッド・ジンバル・アセンブリ）を行
い、薄膜磁気ヘッドを完成した。
説明する。図１は、本発明の実施例における磁気ヘッド
を示す断面概略図である。１３は鏡面加工を施した３ｉ
ｎｃｈのアルチック基板であり、このアルチック基板１
３上にスパッタリングにより下部絶縁層１４としてアル
ミナ層を１２μｍ成膜した後に、ラップ加工により平滑
化し、電極膜としてＮｉＦｅ合金層をスパッタリングに
より成膜し、フォトリソグラフィーによりパターンニン
グした後、下部磁性層１５としてＮｉＦｅ合金層をメッ
キにより４μｍ形成した。更に、スパッタリングにより
ギャップ１６としてアルミナ層を０．３μｍ形成し、フ
ォトリソグラフィーによりレジストによる層間絶縁層１
７を３μｍ形成しパターンニングを行った。この後、Ｃ
ｕからなるコイル電極膜をスパッタリングにより形成し
パターンニングした後、Ｃｕからなる第一コイル部１８
をメッキにより３μｍ形成し、レジストによる層間絶縁
層１９を介し、同じくＣｕからなる第二コイル部２０を
メッキにより３μｍ形成した。更に、層間絶縁層２１を
介し、ＮｉＦｅからなる電極膜をスパッタリングしパタ
ーンニングした後、ＮｉＦｅからなる上部磁性層２２を
メッキにより４μｍ形成した。更に、リード部のＣｕと
Ａｌを形成した後、最後にアルミナからなる保護膜２３
をスパッタリングにより５０μｍ成膜し、平滑化ラップ
を行い、薄膜磁気ヘッド素子部を形成した。この後、加
工によりスライダー１の加工及びギャップデプス規制を
行い、ＨＧＡ（ヘッド・ジンバル・アセンブリ）を行
い、薄膜磁気ヘッドを完成した。
【０００８】この薄膜磁気ヘッドに対し、本発明に基づ
くコーティング膜であるＳｉＣとＣの混合膜２４をスキ
ー面３にスパッタリングにより成膜した。この時のター
ゲットとして焼結形成されたものを用い、その組成比は
ＳｉＣ５０％，Ｃ５０％とした。成膜はバッチ式スパッ
タリング装置により行い、このカソードサイズに合わせ
て、ターゲットサイズは直径８ｉｎｃｈ厚さ５ｍｍのも
のを用いた。成膜条件としては、ＡｒガスによるＲＦマ
グネトロンスパッタリング、スパッタ圧力３ｍＴｏｒ
ｒ、ターゲット−基板間距離７０ｍｍ、基板加熱無し、
到達真空度０．８μＴｏｒｒ、スパッタパワーＲＦ５０
０ｗのスパッタアップによる静止対向成膜により行っ
た。又、この時の膜厚は２００オングストロームであっ
た。
くコーティング膜であるＳｉＣとＣの混合膜２４をスキ
ー面３にスパッタリングにより成膜した。この時のター
ゲットとして焼結形成されたものを用い、その組成比は
ＳｉＣ５０％，Ｃ５０％とした。成膜はバッチ式スパッ
タリング装置により行い、このカソードサイズに合わせ
て、ターゲットサイズは直径８ｉｎｃｈ厚さ５ｍｍのも
のを用いた。成膜条件としては、ＡｒガスによるＲＦマ
グネトロンスパッタリング、スパッタ圧力３ｍＴｏｒ
ｒ、ターゲット−基板間距離７０ｍｍ、基板加熱無し、
到達真空度０．８μＴｏｒｒ、スパッタパワーＲＦ５０
０ｗのスパッタアップによる静止対向成膜により行っ
た。又、この時の膜厚は２００オングストロームであっ
た。
【０００９】本発明の第２実施例として、上記第１実施
例と同じ磁気ヘッド素子に対し、ＡｒＨｅガス雰囲気中
にてＳｉＣ５０％−Ｃ５０％膜を作成した。このときの
Ｈ2分圧は２０％とし、他の成膜条件は第１実施例と同
一条件で行った。
例と同じ磁気ヘッド素子に対し、ＡｒＨｅガス雰囲気中
にてＳｉＣ５０％−Ｃ５０％膜を作成した。このときの
Ｈ2分圧は２０％とし、他の成膜条件は第１実施例と同
一条件で行った。
【００１０】比較例１として、上記第１，第２実施例と
同じヘッド素子について、ＳｉＣとＣの組成比をパラメ
ータとしてコーティング膜を作成した。成膜方法として
は、ターゲットとしてカーボン、ＳｉＣ５０％−Ｃ５０
％、ＳｉＣのの３種類を用い、ＳｉＣ及びＣのベレット
をターゲット上にのせベレットの数量により組成比を制
御した。このときの成膜したコーティング膜組成比はＥ
ＰＭＡ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｐｒｏｂｅ Ｘ−ｒａｙ
Ｍｉｃｒｏ Ａｎａｌｙｚｅｒ）により測定した。この
結果として、組成比がＳｉＣ／ＳｉＣ＋Ｃで８％，２０
％，３４％，８３％，８５％，１００％の膜が得られ
た。また、ＳｉＣとＣのレートの違いを考慮して成膜時
間を調整して各々２００オングストロームの膜厚になる
ように成膜した。
同じヘッド素子について、ＳｉＣとＣの組成比をパラメ
ータとしてコーティング膜を作成した。成膜方法として
は、ターゲットとしてカーボン、ＳｉＣ５０％−Ｃ５０
％、ＳｉＣのの３種類を用い、ＳｉＣ及びＣのベレット
をターゲット上にのせベレットの数量により組成比を制
御した。このときの成膜したコーティング膜組成比はＥ
ＰＭＡ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｐｒｏｂｅ Ｘ−ｒａｙ
Ｍｉｃｒｏ Ａｎａｌｙｚｅｒ）により測定した。この
結果として、組成比がＳｉＣ／ＳｉＣ＋Ｃで８％，２０
％，３４％，８３％，８５％，１００％の膜が得られ
た。また、ＳｉＣとＣのレートの違いを考慮して成膜時
間を調整して各々２００オングストロームの膜厚になる
ように成膜した。
【００１１】比較例２として、上記第１，第２実施例と
同じ磁気ヘッドに対し、膜厚をパラメータにＳｉＣ５０
％−Ｃ５０％の膜を成膜した。このときの成膜は全て実
施例と同一条件にて行った。膜厚としては、０，２０，
５０，１００，３００オングストロームとした。
同じ磁気ヘッドに対し、膜厚をパラメータにＳｉＣ５０
％−Ｃ５０％の膜を成膜した。このときの成膜は全て実
施例と同一条件にて行った。膜厚としては、０，２０，
５０，１００，３００オングストロームとした。
【００１２】図２，図３に実施例及び比較例１で作成し
た膜の硬度及び付着力測定例を示す。図２により、Ｓｉ
Ｃの含有量が増加する程Ｃの硬度からＳｉＣの硬度に単
調増加するが、逆に図３から付着力は硬度が増す程低下
することがわかる。
た膜の硬度及び付着力測定例を示す。図２により、Ｓｉ
Ｃの含有量が増加する程Ｃの硬度からＳｉＣの硬度に単
調増加するが、逆に図３から付着力は硬度が増す程低下
することがわかる。
【００１３】図４，図５はそれぞれ実施例及び比較例１
で作成した膜の初期摩擦係数μ及びＣＳＳ（Ｃｏｎｔａ
ｃｔ Ｓｔａｒｔ Ｓｔｏｐ）２万回後のΔμｋを示
す。これより、ＳｉＣの含有量が増加すると初期摩擦係
数μは増加するが、ＣＳＳ試験後の増加量ΔμｋはＳｉ
Ｃ５０％−Ｃ５０％付近で最少となるような特性となる
ことがわかる。
で作成した膜の初期摩擦係数μ及びＣＳＳ（Ｃｏｎｔａ
ｃｔ Ｓｔａｒｔ Ｓｔｏｐ）２万回後のΔμｋを示
す。これより、ＳｉＣの含有量が増加すると初期摩擦係
数μは増加するが、ＣＳＳ試験後の増加量ΔμｋはＳｉ
Ｃ５０％−Ｃ５０％付近で最少となるような特性となる
ことがわかる。
【００１４】図６に比較例２で作成した膜のＣＳＳ２万
回後の増加量Δμｋにおける膜厚依存性を示す。これよ
り、ＳｉＣ−Ｃコーティング膜によって増加量Δμｋが
低下するが、膜厚が１００オングストロームで同量Δμ
ｋは０．１程度になりそれ以上の膜厚ではほとんど変化
はないことがわかる。
回後の増加量Δμｋにおける膜厚依存性を示す。これよ
り、ＳｉＣ−Ｃコーティング膜によって増加量Δμｋが
低下するが、膜厚が１００オングストロームで同量Δμ
ｋは０．１程度になりそれ以上の膜厚ではほとんど変化
はないことがわかる。
【００１５】図７，図８，図９，図１０に実施例及び比
較例で作成したＣ，ＳｉＣ，ＳｉＣ５０％−Ｃ５０％
（Ａｒ及びＡｒＨ2）のコーティング膜のＣＳＳ２万回
試験例を示す。これにより、ＳｉＣ−Ｃ膜は初期摩擦係
数μはＣ膜よりも若干高いものの増加量Δμｋが小さ
く、良好なＣＳＳ特性を示すことがわかる。
較例で作成したＣ，ＳｉＣ，ＳｉＣ５０％−Ｃ５０％
（Ａｒ及びＡｒＨ2）のコーティング膜のＣＳＳ２万回
試験例を示す。これにより、ＳｉＣ−Ｃ膜は初期摩擦係
数μはＣ膜よりも若干高いものの増加量Δμｋが小さ
く、良好なＣＳＳ特性を示すことがわかる。
【００１６】これらの結果より、ＳｉＣの含有量が多い
程硬度は上がるが、付着力の低下や初期摩擦係数μが大
きくなり、また増加量Δμｋもその含有量が５０％付近
から増加しコーティング膜に適さなくなることがわか
る。なおＳｉＣ１００％の膜のＣＳＳ試験後のヘッドを
調べると膜の剥離がみられた。この現象は図３で示した
付着力の低下と図４で示した初期摩擦係数μが高いこと
によりせん断応力が増大していることが原因とみられ
る。以上から図５の増加量Δμｋの結果と併せて、Ｓｉ
ＣとＣの組成比は１：４から２：１が望ましいことがわ
かる。また、コーティング膜厚に関しては図６から５０
オングストローム程度で十分な効果が得られる。膜の被
覆率等を考慮すると、ある程度厚い方が望ましいが、ス
ペーシングロスによる電磁変換特性の劣化が問題になっ
てくるため、両者の兼ね合いから５０〜３００オングス
トロームが実用的なコーティング膜厚といえる。
程硬度は上がるが、付着力の低下や初期摩擦係数μが大
きくなり、また増加量Δμｋもその含有量が５０％付近
から増加しコーティング膜に適さなくなることがわか
る。なおＳｉＣ１００％の膜のＣＳＳ試験後のヘッドを
調べると膜の剥離がみられた。この現象は図３で示した
付着力の低下と図４で示した初期摩擦係数μが高いこと
によりせん断応力が増大していることが原因とみられ
る。以上から図５の増加量Δμｋの結果と併せて、Ｓｉ
ＣとＣの組成比は１：４から２：１が望ましいことがわ
かる。また、コーティング膜厚に関しては図６から５０
オングストローム程度で十分な効果が得られる。膜の被
覆率等を考慮すると、ある程度厚い方が望ましいが、ス
ペーシングロスによる電磁変換特性の劣化が問題になっ
てくるため、両者の兼ね合いから５０〜３００オングス
トロームが実用的なコーティング膜厚といえる。
【００１７】また、実施例２の比抵抗を測定した結果１
〜１０ＭΩｃｍであった。ＭＲヘッドの場合、ＭＲ素子
がスキー面３に露出しているので、そのままではディス
クとの接触時にＭＲ素子−ディスク間で電流が流れ電位
差破壊等の問題が生じる。また、同じくＭＲ素子等が露
出していることに起因して、ＥＳＤ（静電破壊）も挙げ
られる。即ち、上記ＭＲヘッドの製造プロセスやドライ
ブアセンブリ時に、静電気がＭＲ素子部を流れ素子破壊
が生じる場合がある。これを避けるためには、単純に導
電性のコーティング膜をスキー面３に成膜すればよい
が、必ずしも金属並の導電性は必要でなく、一般に１Ｇ
Ωｃｍ程度の比抵抗まで表面電荷の移動が可能であると
言われており、上記電位差破壊との兼ね合いからＭＲヘ
ッドのコーティング膜の比抵抗として１０ＭΩｃｍ程度
が望ましいが、上記第２実施例のコーティング膜はこの
条件を満足しており、また図１０に示したようにＣＳＳ
特性にも優れており、ＭＲヘッドのコーティング膜とし
て適するものである。
〜１０ＭΩｃｍであった。ＭＲヘッドの場合、ＭＲ素子
がスキー面３に露出しているので、そのままではディス
クとの接触時にＭＲ素子−ディスク間で電流が流れ電位
差破壊等の問題が生じる。また、同じくＭＲ素子等が露
出していることに起因して、ＥＳＤ（静電破壊）も挙げ
られる。即ち、上記ＭＲヘッドの製造プロセスやドライ
ブアセンブリ時に、静電気がＭＲ素子部を流れ素子破壊
が生じる場合がある。これを避けるためには、単純に導
電性のコーティング膜をスキー面３に成膜すればよい
が、必ずしも金属並の導電性は必要でなく、一般に１Ｇ
Ωｃｍ程度の比抵抗まで表面電荷の移動が可能であると
言われており、上記電位差破壊との兼ね合いからＭＲヘ
ッドのコーティング膜の比抵抗として１０ＭΩｃｍ程度
が望ましいが、上記第２実施例のコーティング膜はこの
条件を満足しており、また図１０に示したようにＣＳＳ
特性にも優れており、ＭＲヘッドのコーティング膜とし
て適するものである。
【００１８】
【発明の効果】本発明は、磁気ヘッドのコーティング膜
としてＳｉＣとＣとを含有する混合膜を用いるものであ
り、その結果、ＳｉＣの高硬度性とＣの潤滑性の両者を
兼ね備えたＣＳＳ特性に優れた磁気ヘッドを得ることが
できる。これにより、高密度記録に適した磁気ヘッドを
提供することが可能となる。
としてＳｉＣとＣとを含有する混合膜を用いるものであ
り、その結果、ＳｉＣの高硬度性とＣの潤滑性の両者を
兼ね備えたＣＳＳ特性に優れた磁気ヘッドを得ることが
できる。これにより、高密度記録に適した磁気ヘッドを
提供することが可能となる。
【図１】本発明の実施例における磁気ヘッドを示す断面
概略図
概略図
【図２】同実施例及び比較例１の硬度測定例を示す特性
図
図
【図３】同実施例及び比較例１の付着力測定例を示す特
性図
性図
【図４】同実施例及び比較例１の初期摩擦係数測定例を
示す特性図
示す特性図
【図５】同実施例及び比較例１のＣＳＳ試験後の増加量
Δμｋの測定例を示す特性図
Δμｋの測定例を示す特性図
【図６】同比較例２の増加量Δμｋコーティング膜厚依
存性を示す特性図
存性を示す特性図
【図７】同カーボンコーティング膜のＣＳＳ試験例を示
す特性図
す特性図
【図８】同ＳｉＣ５０％−Ｃ５０％コーティング膜のＣ
ＳＳ試験例を示す特性図
ＳＳ試験例を示す特性図
【図９】同ＳｉＣコーティング膜のＣＳＳ試験例を示す
特性図
特性図
【図１０】同ＡｒＨ2２０％雰囲気中で成膜したＳｉＣ
５０％−Ｃ５０％コーティング膜のＣＳＳ試験例を示す
特性図
５０％−Ｃ５０％コーティング膜のＣＳＳ試験例を示す
特性図
【図１１】従来の薄膜ヘッドの概略図
【図１２】同磁気ヘッド素子の断面概略図
【図１３】同磁気ヘッドのプロセス説明図
１ スライダー ３ スキー面 ２４ コーティング膜
Claims (4)
- 【請求項１】スライダー面に炭化珪素とカーボンとを含
有する混合膜を形成したことを特徴とする磁気ヘッド。 - 【請求項２】前記炭化珪素と前記カーボンの混合比が
１：４〜２：１である請求項１記載の磁気ヘッド。 - 【請求項３】前記混合膜の膜厚は５０〜３００オングス
トロームである請求項１記載の磁気ヘッド。 - 【請求項４】前記混合膜は、アルゴンまたはアルゴン水
素ガス中で、スパッタリングにより形成してある請求項
１記載の磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23965393A JP3651916B2 (ja) | 1993-09-27 | 1993-09-27 | 磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23965393A JP3651916B2 (ja) | 1993-09-27 | 1993-09-27 | 磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0793720A true JPH0793720A (ja) | 1995-04-07 |
| JP3651916B2 JP3651916B2 (ja) | 2005-05-25 |
Family
ID=17047908
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23965393A Expired - Lifetime JP3651916B2 (ja) | 1993-09-27 | 1993-09-27 | 磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3651916B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08297813A (ja) * | 1995-04-27 | 1996-11-12 | Nec Corp | 磁気ヘッドスライダ及びその製造方法 |
| US6271994B1 (en) * | 1997-10-01 | 2001-08-07 | Alps Electric Co., Ltd. | Magnetic head having a thin film element |
-
1993
- 1993-09-27 JP JP23965393A patent/JP3651916B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08297813A (ja) * | 1995-04-27 | 1996-11-12 | Nec Corp | 磁気ヘッドスライダ及びその製造方法 |
| US6271994B1 (en) * | 1997-10-01 | 2001-08-07 | Alps Electric Co., Ltd. | Magnetic head having a thin film element |
| US6404592B1 (en) | 1997-10-01 | 2002-06-11 | Alps Electric Co., Ltd. | Magnetic head producing method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3651916B2 (ja) | 2005-05-25 |
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