JPH08143365A - 二珪化モリブデンヒーター - Google Patents
二珪化モリブデンヒーターInfo
- Publication number
- JPH08143365A JPH08143365A JP6280706A JP28070694A JPH08143365A JP H08143365 A JPH08143365 A JP H08143365A JP 6280706 A JP6280706 A JP 6280706A JP 28070694 A JP28070694 A JP 28070694A JP H08143365 A JPH08143365 A JP H08143365A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heater
- mosi2
- molybdenum disilicide
- wire
- element wire
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 二珪化モリブデンヒーターからの重金属汚染
を防止する。 【構成】 二珪化モリブデン線の表面に化学気相法によ
る炭化珪素皮膜層を形成する。
を防止する。 【構成】 二珪化モリブデン線の表面に化学気相法によ
る炭化珪素皮膜層を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、二珪化モリブデン（Ｍ
ｏＳｉ2 ）ヒーターに関するものであり、さらに詳しく
述べるならば、ヒーターからの重金属汚染を少なくした
二珪化モリブデンヒーターに関するものである。
ｏＳｉ2 ）ヒーターに関するものであり、さらに詳しく
述べるならば、ヒーターからの重金属汚染を少なくした
二珪化モリブデンヒーターに関するものである。
【０００２】二珪化モリブデンは非酸化物セラミックス
の中で最も優れた耐酸化性を有し、加えて高温下での高
強度、耐食性及び導電性を併せもつことから、フェライ
トやセラミック製品の焼成用高温ヒーターとして周知で
ある。
の中で最も優れた耐酸化性を有し、加えて高温下での高
強度、耐食性及び導電性を併せもつことから、フェライ
トやセラミック製品の焼成用高温ヒーターとして周知で
ある。
【０００３】かかるヒーターの使用例として、半円筒状
セラミックファイバー成形品に取付けられて使用される
波形マルチシャンクヒーター（図１参照）や、らせん状
ヒーター（図２参照）がある。これらの図において、１
はヒーター、２はセラミックファイバー成形品である。
セラミックファイバー成形品に取付けられて使用される
波形マルチシャンクヒーター（図１参照）や、らせん状
ヒーター（図２参照）がある。これらの図において、１
はヒーター、２はセラミックファイバー成形品である。
【０００４】最近、二珪化モリブデンヒーターの更なる
応用例として、従来使用されていた金属ヒーターに替え
て、管状炉タイプの半導体熱処理炉や結晶成長炉への利
用が注目されている。
応用例として、従来使用されていた金属ヒーターに替え
て、管状炉タイプの半導体熱処理炉や結晶成長炉への利
用が注目されている。
【０００５】即ち、二珪化モリブデンヒーターは従来使
用されていた金属発熱体に比較して： ヒーターの配列密度を高めることにより均熱長さが改
善され、ウエハー等の被加熱物の面内の温度が均一にな
る； 長寿命のためヒーターチューブの入替え工事回数が少
なくてすむ； 表面電力密度を大きく取れるために金属ヒーターより
線径を細くできる。そのためまたヒーター重量が金属の
約１／１０であり、急速昇降温が容易である； ヒーター表面でのスケール発生が少ないために、スケ
ールの剥離によるパーティクルが反応管の内壁や外壁に
付着することが少ないなどの利点がある。
用されていた金属発熱体に比較して： ヒーターの配列密度を高めることにより均熱長さが改
善され、ウエハー等の被加熱物の面内の温度が均一にな
る； 長寿命のためヒーターチューブの入替え工事回数が少
なくてすむ； 表面電力密度を大きく取れるために金属ヒーターより
線径を細くできる。そのためまたヒーター重量が金属の
約１／１０であり、急速昇降温が容易である； ヒーター表面でのスケール発生が少ないために、スケ
ールの剥離によるパーティクルが反応管の内壁や外壁に
付着することが少ないなどの利点がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】二珪化モリブデンヒー
ターは、二珪化モリブデンを主体とする粉末に結合剤を
加え、この混合物に適当な水を加えて混練した混練物を
エキストルーダー型押出し成形機にて成形し、その後焼
成により製造される。しかし、原料粉粉砕工程や押出し
成形時のスクリューの摩耗により、ヒーター素材中に
１．５〜２．０重量％のＦｅの混入は避けられない。さ
らに、合金鋼スクリューを使用する場合は、ＮｉやＣｒ
も１００〜５００ｐｐｍ程度ヒーター素材に含まれる。
これらのＦｅを初めとする重金属類は８００−９００℃
程度以上の温度では一部が蒸発して被加熱物を汚染する
とともに、半導体ウェーハの加熱の場合は石英管を通過
しその内部のウエハーに１ｍ3 当り数μｇ程度の極く微
量の金属汚染を起こす原因となっていることが分かって
いる。
ターは、二珪化モリブデンを主体とする粉末に結合剤を
加え、この混合物に適当な水を加えて混練した混練物を
エキストルーダー型押出し成形機にて成形し、その後焼
成により製造される。しかし、原料粉粉砕工程や押出し
成形時のスクリューの摩耗により、ヒーター素材中に
１．５〜２．０重量％のＦｅの混入は避けられない。さ
らに、合金鋼スクリューを使用する場合は、ＮｉやＣｒ
も１００〜５００ｐｐｍ程度ヒーター素材に含まれる。
これらのＦｅを初めとする重金属類は８００−９００℃
程度以上の温度では一部が蒸発して被加熱物を汚染する
とともに、半導体ウェーハの加熱の場合は石英管を通過
しその内部のウエハーに１ｍ3 当り数μｇ程度の極く微
量の金属汚染を起こす原因となっていることが分かって
いる。
【０００７】本発明は、このような従来の二珪化モリブ
デンヒーターにより、ウェハー等の熱処理を行った場合
起こる製品の汚染を解消するため、二珪化モリブデンヒ
ーターの表面に皮膜層を形成し、ヒーター素線より重金
属が飛散せず、ウェハー等の汚染を防ぐことを目的とし
ている。
デンヒーターにより、ウェハー等の熱処理を行った場合
起こる製品の汚染を解消するため、二珪化モリブデンヒ
ーターの表面に皮膜層を形成し、ヒーター素線より重金
属が飛散せず、ウェハー等の汚染を防ぐことを目的とし
ている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に係る二珪化モリ
ブデンヒーターは、二珪化モリブデン線の表面に化学気
相法による炭化珪素皮膜層が形成されていることを特徴
とするものである。また本発明の実施態様においては、
管状炉の半円筒波型マルチシャンクヒーター、管状炉の
円筒型らせん状ヒーター、反応管内に配置された半導体
ウエハーを加熱するヒーターとして用いることを特徴と
するものである。
ブデンヒーターは、二珪化モリブデン線の表面に化学気
相法による炭化珪素皮膜層が形成されていることを特徴
とするものである。また本発明の実施態様においては、
管状炉の半円筒波型マルチシャンクヒーター、管状炉の
円筒型らせん状ヒーター、反応管内に配置された半導体
ウエハーを加熱するヒーターとして用いることを特徴と
するものである。
【０００９】本発明に係る二珪化モリブデンヒーター
は、線径が例えば３ｍｍの二珪化モリブデン線材をＵ字
型に加工して波形で連続的に半円筒状に溶接したもの、
又は高温での可塑性を利用して連続らせん状に巻加工し
たものをセラミックファイバー成形品に取り付けられる
様円筒内面に合わせて加工したもの等種々の構造のもの
を使用することができる。
は、線径が例えば３ｍｍの二珪化モリブデン線材をＵ字
型に加工して波形で連続的に半円筒状に溶接したもの、
又は高温での可塑性を利用して連続らせん状に巻加工し
たものをセラミックファイバー成形品に取り付けられる
様円筒内面に合わせて加工したもの等種々の構造のもの
を使用することができる。
【００１０】ＣＶＤ法による二珪化モリブデン皮膜はＣ
Ｈ3 ＳｉＣｌ3 ，ＳｉＣｌ4 ＋Ｃ3Ｈ8 ＋Ｈ2 等の原料
ガスを１０００〜１６５０℃で反応させることにより、
素線又は素帯上に成膜される。ＣＶＤによる炭化珪素皮
膜層は、高純度であるためそれ自身が汚染源となること
がなく、又緻密であるために重金属ガスを被覆層内部に
閉じ込める。炭化珪素被覆層の厚さは３〜２００μｍの
範囲内であることが好ましい。その厚さが３μｍ未満で
は上記の効果が不充分であり、一方、２００μｍを超え
ると、素線との熱膨張係数の差により被覆層が剥離する
ようになり、好ましくない。
Ｈ3 ＳｉＣｌ3 ，ＳｉＣｌ4 ＋Ｃ3Ｈ8 ＋Ｈ2 等の原料
ガスを１０００〜１６５０℃で反応させることにより、
素線又は素帯上に成膜される。ＣＶＤによる炭化珪素皮
膜層は、高純度であるためそれ自身が汚染源となること
がなく、又緻密であるために重金属ガスを被覆層内部に
閉じ込める。炭化珪素被覆層の厚さは３〜２００μｍの
範囲内であることが好ましい。その厚さが３μｍ未満で
は上記の効果が不充分であり、一方、２００μｍを超え
ると、素線との熱膨張係数の差により被覆層が剥離する
ようになり、好ましくない。
【００１１】
【作用】本発明の二珪化モリブデンヒーターをウェハー
等の熱処理（拡散処理）に使用してもヒーター基材の表
面に形成されている高純度でかつ緻密な炭化珪素皮膜層
は、ヒーターからの重金属の飛散を抑える。以下実施例
により本発明を詳しく説明する。
等の熱処理（拡散処理）に使用してもヒーター基材の表
面に形成されている高純度でかつ緻密な炭化珪素皮膜層
は、ヒーターからの重金属の飛散を抑える。以下実施例
により本発明を詳しく説明する。
【００１２】
【実施例】図３に示すように、二珪化モリブデン線材１
をシャンクピッチｄ＝１３ｍｍで全体で４６シャンクを
形成し、Ｒ＝２００ｍｍでヒーター長さＬ＝１５０ｍｍ
のハーフ状ヒーターになる様、Ｕ字素材を連続的に溶接
した。なお図３には４６シャンクの一部のみを示してい
る。
をシャンクピッチｄ＝１３ｍｍで全体で４６シャンクを
形成し、Ｒ＝２００ｍｍでヒーター長さＬ＝１５０ｍｍ
のハーフ状ヒーターになる様、Ｕ字素材を連続的に溶接
した。なお図３には４６シャンクの一部のみを示してい
る。
【００１３】以上のようにして製作したハーフ状マルチ
シャンクヒーター１０をムライトチューブよりなる熱処
理容器３の中に、同じく二珪化モリブデンで作ったフッ
ク４に吊して収容し、次いで該容器３内を吸気管５から
吸気して約10-1Torrの真空にし、処理容器外側に設けた
電気炉６により、外側から加熱してヒーターコイルを１
３００℃に昇温した後、処理容器３に設けられた処理ガ
ス通入口７から容器内にＣＨ3 ＳｉＣｌ3 の飽和蒸気を
Ｈ2 ガスで搬送し、Ｈ2 ガスの流量は７００ｃｃ／ｍｉ
ｎ、 容器内のガス圧は７６０Ｔｏｒｒとした。上記のよ
うに２０分間処理した二珪化モリブデンヒーター素線１
（図４参照）の表面に厚さ約５０μｍの炭化珪素皮膜８
が均一に形成されていた。
シャンクヒーター１０をムライトチューブよりなる熱処
理容器３の中に、同じく二珪化モリブデンで作ったフッ
ク４に吊して収容し、次いで該容器３内を吸気管５から
吸気して約10-1Torrの真空にし、処理容器外側に設けた
電気炉６により、外側から加熱してヒーターコイルを１
３００℃に昇温した後、処理容器３に設けられた処理ガ
ス通入口７から容器内にＣＨ3 ＳｉＣｌ3 の飽和蒸気を
Ｈ2 ガスで搬送し、Ｈ2 ガスの流量は７００ｃｃ／ｍｉ
ｎ、 容器内のガス圧は７６０Ｔｏｒｒとした。上記のよ
うに２０分間処理した二珪化モリブデンヒーター素線１
（図４参照）の表面に厚さ約５０μｍの炭化珪素皮膜８
が均一に形成されていた。
【００１４】図５には円筒型らせん状ヒーターの実施例
を示す。二珪化モリブデンヒーター素線１をコイル状に
巻いたヒーターコイル１２の外径より、多少大きな内径
のチューブ１２ａよりなる処理容器３中に収容し、外側
から加熱しながらチューブを回転させ同様な処理を行う
ことにより炭化珪素皮膜を形成することができる。
を示す。二珪化モリブデンヒーター素線１をコイル状に
巻いたヒーターコイル１２の外径より、多少大きな内径
のチューブ１２ａよりなる処理容器３中に収容し、外側
から加熱しながらチューブを回転させ同様な処理を行う
ことにより炭化珪素皮膜を形成することができる。
【００１５】さらに、外部加熱でなく図６に示すよう
に、処理容器３の中で二珪化モリブデンヒーター素線１
を直接電源１４により通電加熱してＣＶＤ処理すること
も勿論可能である。以上シャンク状及びらせん状ヒータ
ーの例を説明したが、本発明は図示のヒーター形状に限
らず任意の形状においても適用できる。
に、処理容器３の中で二珪化モリブデンヒーター素線１
を直接電源１４により通電加熱してＣＶＤ処理すること
も勿論可能である。以上シャンク状及びらせん状ヒータ
ーの例を説明したが、本発明は図示のヒーター形状に限
らず任意の形状においても適用できる。
【００１６】
【発明の効果】以上説明した本発明に係る二珪化モリブ
デンヒーターは、ＣＶＤ法によってその表面に硬度がＨ
ｖ＝２０００〜４０００と高い皮膜を形成しているの
で、使用時の変形が少ない。さらに、ＣＶＤ法による高
純度の炭化珪素皮膜層が形成されているので、ウェハー
等の熱処理において、ヒーター素線よりのＦｅ、Ｃｒ、
Ｎｉ等の重金属による汚染を防止することができる。ま
た、炭化珪素は耐熱性が優れているのでスケールの発生
が少なくなり、この結果ヒーターの寿命が長くなりまた
スケール脱落によるパーティクル汚染を防止することも
できる。したがって、本発明は拡散処理を含む熱処理に
おいてヒーターからの汚染を厳しく制限する用途に適し
たヒーターを提供するものである。
デンヒーターは、ＣＶＤ法によってその表面に硬度がＨ
ｖ＝２０００〜４０００と高い皮膜を形成しているの
で、使用時の変形が少ない。さらに、ＣＶＤ法による高
純度の炭化珪素皮膜層が形成されているので、ウェハー
等の熱処理において、ヒーター素線よりのＦｅ、Ｃｒ、
Ｎｉ等の重金属による汚染を防止することができる。ま
た、炭化珪素は耐熱性が優れているのでスケールの発生
が少なくなり、この結果ヒーターの寿命が長くなりまた
スケール脱落によるパーティクル汚染を防止することも
できる。したがって、本発明は拡散処理を含む熱処理に
おいてヒーターからの汚染を厳しく制限する用途に適し
たヒーターを提供するものである。
【図１】波形マルチシャンクヒーターの説明図である。
【図２】らせん型ヒーターの説明図である。
【図３】炭化珪素被覆層形成法の説明図である。
【図４】炭化珪素被覆層を有する二珪化モリブデン線の
断面図である。
断面図である。
【図５】炭化珪素被覆層形成法の説明図である。
【図６】炭化珪素被覆層形成法の説明図である。
１ 二珪化モリブデンヒーター素線 ４ フック ６ 電気炉 ８ 炭化珪素皮膜
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成７年６月６日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、二珪化モリブデン（Ｍ
ｏＳｉ2 ）ヒーターに関するものであり、さらに詳しく
述べるならば、ヒーターからの重金属汚染を少なくした
二珪化モリブデンヒーターに関するものである。
ｏＳｉ2 ）ヒーターに関するものであり、さらに詳しく
述べるならば、ヒーターからの重金属汚染を少なくした
二珪化モリブデンヒーターに関するものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】二珪化モリブデンヒー
ターは、二珪化モリブデンを主体とする粉末に結合剤を
加え、この混合物に適当な水を加えて混練した混練物を
エキストルーダー型押出し成形機にて成形し、その後焼
成により製造される。しかし、原料粉粉砕工程や押出し
成形時のスクリューの摩耗により、ヒーター素材中に
１．５〜２．０重量％のＦｅの混入は避けられない。さ
らに、合金鋼スクリューを使用する場合は、ＮｉやＣｒ
も１００〜５００ｐｐｍ程度ヒーター素材に含まれる。
これらのＦｅを初めとする重金属類は８００−９００℃
程度以上の温度では一部が蒸発して被加熱物を汚染する
とともに、半導体ウェーハの加熱の場合は石英管を通過
しその内部のウエハーに１ｍ3 当り数μｇ程度の極く微
量の金属汚染を起こす原因となっていることが分かって
いる。
ターは、二珪化モリブデンを主体とする粉末に結合剤を
加え、この混合物に適当な水を加えて混練した混練物を
エキストルーダー型押出し成形機にて成形し、その後焼
成により製造される。しかし、原料粉粉砕工程や押出し
成形時のスクリューの摩耗により、ヒーター素材中に
１．５〜２．０重量％のＦｅの混入は避けられない。さ
らに、合金鋼スクリューを使用する場合は、ＮｉやＣｒ
も１００〜５００ｐｐｍ程度ヒーター素材に含まれる。
これらのＦｅを初めとする重金属類は８００−９００℃
程度以上の温度では一部が蒸発して被加熱物を汚染する
とともに、半導体ウェーハの加熱の場合は石英管を通過
しその内部のウエハーに１ｍ3 当り数μｇ程度の極く微
量の金属汚染を起こす原因となっていることが分かって
いる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１０】ＣＶＤ法による二珪化モリブデン皮膜はＣ
Ｈ3 ＳｉＣｌ3 ，ＳｉＣｌ4 ＋Ｃ3Ｈ8 ＋Ｈ2 等の原料
ガスを１０００〜１６５０℃で反応させることにより、
素線又は素帯上に成膜される。ＣＶＤによる炭化珪素皮
膜層は、高純度であるためそれ自身が汚染源となること
がなく、又緻密であるために重金属ガスを被覆層内部に
閉じ込める。炭化珪素被覆層の厚さは３〜２００μｍの
範囲内であることが好ましい。その厚さが３μｍ未満で
は上記の効果が不充分であり、一方、２００μｍを超え
ると、素線との熱膨張係数の差により被覆層が剥離する
ようになり、好ましくない。
Ｈ3 ＳｉＣｌ3 ，ＳｉＣｌ4 ＋Ｃ3Ｈ8 ＋Ｈ2 等の原料
ガスを１０００〜１６５０℃で反応させることにより、
素線又は素帯上に成膜される。ＣＶＤによる炭化珪素皮
膜層は、高純度であるためそれ自身が汚染源となること
がなく、又緻密であるために重金属ガスを被覆層内部に
閉じ込める。炭化珪素被覆層の厚さは３〜２００μｍの
範囲内であることが好ましい。その厚さが３μｍ未満で
は上記の効果が不充分であり、一方、２００μｍを超え
ると、素線との熱膨張係数の差により被覆層が剥離する
ようになり、好ましくない。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１３】以上のようにして製作したハーフ状マルチ
シャンクヒーター１０をムライトチューブよりなる熱処
理容器３の中に、同じく二珪化モリブデンで作ったフッ
ク４に吊して収容し、次いで該容器３内を吸気管５から
吸気して約10-1Torrの真空にし、処理容器外側に設けた
電気炉６により、外側から加熱してヒーターコイルを１
３００℃に昇温した後、処理容器３に設けられた処理ガ
ス通入口７から容器内にＣＨ3 ＳｉＣｌ3 の飽和蒸気を
Ｈ2 ガスで搬送し、Ｈ2 ガスの流量は７００ｃｃ／ｍｉ
ｎ、 容器内のガス圧は７６０Ｔｏｒｒとした。上記のよ
うに２０分間処理した二珪化モリブデンヒーター素線１
（図４参照）の表面に厚さ約５０μｍの炭化珪素皮膜８
が均一に形成されていた。
シャンクヒーター１０をムライトチューブよりなる熱処
理容器３の中に、同じく二珪化モリブデンで作ったフッ
ク４に吊して収容し、次いで該容器３内を吸気管５から
吸気して約10-1Torrの真空にし、処理容器外側に設けた
電気炉６により、外側から加熱してヒーターコイルを１
３００℃に昇温した後、処理容器３に設けられた処理ガ
ス通入口７から容器内にＣＨ3 ＳｉＣｌ3 の飽和蒸気を
Ｈ2 ガスで搬送し、Ｈ2 ガスの流量は７００ｃｃ／ｍｉ
ｎ、 容器内のガス圧は７６０Ｔｏｒｒとした。上記のよ
うに２０分間処理した二珪化モリブデンヒーター素線１
（図４参照）の表面に厚さ約５０μｍの炭化珪素皮膜８
が均一に形成されていた。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｂ 3/20 ３３５
Claims (4)
- 【請求項１】 二珪化モリブデン線の表面に化学気相法
による炭化珪素皮膜層が形成されていることを特徴とす
る二珪化モリブデンヒーター。 - 【請求項２】 管状炉の半円筒波型マルチシャンクヒー
ターとして用いることを特徴とする請求項１記載の二珪
化モリブデンヒーター。 - 【請求項３】 管状炉の円筒型らせん状ヒーターとして
用いることを特徴とする請求項１記載の二珪化モリブデ
ンヒーター。 - 【請求項４】 反応管内に配置された半導体ウエハーを
加熱するヒーターとして用いることを特徴とする請求項
１記載の二珪化モリブデンヒーター。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6280706A JPH08143365A (ja) | 1994-11-15 | 1994-11-15 | 二珪化モリブデンヒーター |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6280706A JPH08143365A (ja) | 1994-11-15 | 1994-11-15 | 二珪化モリブデンヒーター |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08143365A true JPH08143365A (ja) | 1996-06-04 |
Family
ID=17628821
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6280706A Pending JPH08143365A (ja) | 1994-11-15 | 1994-11-15 | 二珪化モリブデンヒーター |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08143365A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0886458A3 (en) * | 1997-05-23 | 1999-10-20 | Kabushiki Kaisha Riken | Molybdenum disilicide heating element and its production method |
| WO2002091800A1 (en) * | 2001-04-27 | 2002-11-14 | Nikko Materials Company, Limited | Mosi2 arc-shaped heater, and method and device for manufacturing the heater |
| WO2003043952A1 (en) * | 2001-11-22 | 2003-05-30 | Nikko Materials Company, Limited | HEATING ELEMENT COMPRISING MoSi2 AS PRIMARY COMPONENT |
| DE19906720B4 (de) * | 1998-02-20 | 2005-01-27 | Kabushiki Kaisha Riken | Molybdändisilicid-Heizelement und Verfahren zu seiner Herstellung |
| EP2701458A1 (en) | 2012-08-23 | 2014-02-26 | Kabushiki Kaisha Riken | MoSi2-based coil heater and tubular heater module having the same |
| US20210068206A1 (en) * | 2019-03-29 | 2021-03-04 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Multi-shank heater |
-
1994
- 1994-11-15 JP JP6280706A patent/JPH08143365A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| DE19906720B4 (de) * | 1998-02-20 | 2005-01-27 | Kabushiki Kaisha Riken | Molybdändisilicid-Heizelement und Verfahren zu seiner Herstellung |
| WO2002091800A1 (en) * | 2001-04-27 | 2002-11-14 | Nikko Materials Company, Limited | Mosi2 arc-shaped heater, and method and device for manufacturing the heater |
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