JPH08144053A - 成膜中にパ−ティクル発生の少ないスパッタリング用Ｎｉシリサイド焼結タ−ゲット材 - Google Patents
成膜中にパ−ティクル発生の少ないスパッタリング用Ｎｉシリサイド焼結タ−ゲット材Info
- Publication number
- JPH08144053A JPH08144053A JP28999194A JP28999194A JPH08144053A JP H08144053 A JPH08144053 A JP H08144053A JP 28999194 A JP28999194 A JP 28999194A JP 28999194 A JP28999194 A JP 28999194A JP H08144053 A JPH08144053 A JP H08144053A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nisi
- phase
- target material
- sputtering
- eutectic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 成膜中にパ−ティクル発生の少ないスパッタ
リング用Ｎｉシリサイド焼結タ−ゲッ材を提供する。 【構成】 スパッタリング用Ｎｉシリサイド焼結タ−ゲ
ット材が、ＮｉＳｉn（ただし、ｎはモル比で０．９〜
１．０）の組成式を満足し、かつＮｉ−Ｓｉ２元合金系
状態図で示されるＮｉＳｉ化合物が反応生成相として存
在し、このＮｉＳｉ反応生成相中に、同状態図における
Ｎｉ3Sｉ2−ＮｉＳｉ共晶の未反応共晶相が分散分布し
た組織を有する。
リング用Ｎｉシリサイド焼結タ−ゲッ材を提供する。 【構成】 スパッタリング用Ｎｉシリサイド焼結タ−ゲ
ット材が、ＮｉＳｉn（ただし、ｎはモル比で０．９〜
１．０）の組成式を満足し、かつＮｉ−Ｓｉ２元合金系
状態図で示されるＮｉＳｉ化合物が反応生成相として存
在し、このＮｉＳｉ反応生成相中に、同状態図における
Ｎｉ3Sｉ2−ＮｉＳｉ共晶の未反応共晶相が分散分布し
た組織を有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体デバイスにお
ける電極や配線などを構成するＮｉシリサイド薄膜をス
パッタリングにより形成するのに用いた場合に、成膜中
に薄膜欠陥となるパ−ティクルの発生が著しく少ない焼
結タ−ゲット材に関するものである。
ける電極や配線などを構成するＮｉシリサイド薄膜をス
パッタリングにより形成するのに用いた場合に、成膜中
に薄膜欠陥となるパ−ティクルの発生が著しく少ない焼
結タ−ゲット材に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体デバイスの製造に際して、
スパッタリングにより低抵抗のＮｉシリサイド薄膜を形
成することが行われる場合があり、これにＮｉシリサイ
ド焼結タ−ゲット材が用いられている。また、上記Ｎｉ
シリサイド焼結タ−ゲット材は、原料としてＮｉ板材と
Ｓｉ塊材を用い、これを所定の割合に秤量し、非酸化性
雰囲気中で電子ビ−ム溶解などにより溶解し、ついで、
粉砕し、ホットプレスすることにより製造されることも
知られている。さらに、この結果得られたＮｉシリサイ
ド焼結タ−ゲット材は、組成式：ＮｉＳｉｎ（ｎはモル
比で０．９〜１．０）を満足する場合、すなわち原料と
してＮｉＳｉ0.9ー1.0の組成を有する粉砕粉末を用いて
ホットプレスした場合、Ｎｉ−Ｓｉ２元合金系状態図に
おけるＮｉ3Sｉ2化合物相とＮｉＳｉ化合物相の２相組
織をもつようになることも知られている。
スパッタリングにより低抵抗のＮｉシリサイド薄膜を形
成することが行われる場合があり、これにＮｉシリサイ
ド焼結タ−ゲット材が用いられている。また、上記Ｎｉ
シリサイド焼結タ−ゲット材は、原料としてＮｉ板材と
Ｓｉ塊材を用い、これを所定の割合に秤量し、非酸化性
雰囲気中で電子ビ−ム溶解などにより溶解し、ついで、
粉砕し、ホットプレスすることにより製造されることも
知られている。さらに、この結果得られたＮｉシリサイ
ド焼結タ−ゲット材は、組成式：ＮｉＳｉｎ（ｎはモル
比で０．９〜１．０）を満足する場合、すなわち原料と
してＮｉＳｉ0.9ー1.0の組成を有する粉砕粉末を用いて
ホットプレスした場合、Ｎｉ−Ｓｉ２元合金系状態図に
おけるＮｉ3Sｉ2化合物相とＮｉＳｉ化合物相の２相組
織をもつようになることも知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】−方、近年のスパッタ
リング技術の進歩はめざましく、スパッタリング装置の
高出力化および大型化が可能となり、これに伴い、Ｎｉ
シリサイド薄膜の形成に際しても、成膜の高速化および
大面積化がはかられる傾向にあるが、上記の従来Ｎｉシ
リサイド焼結タ−ゲット材においては、これを用いて高
速成膜や大面積成膜を行うと、成膜中にパ−ティクル
（微細粒子）が発生し易くなるという問題がある。な
お、薄膜中にパ−ティクルが多数存在すると、これが例
えば０．５〜４μｍの線幅で形成された電極を断線させ
たり、配線内を短絡させたりするなどの原因となり、不
良率が増大するようになるものである。
リング技術の進歩はめざましく、スパッタリング装置の
高出力化および大型化が可能となり、これに伴い、Ｎｉ
シリサイド薄膜の形成に際しても、成膜の高速化および
大面積化がはかられる傾向にあるが、上記の従来Ｎｉシ
リサイド焼結タ−ゲット材においては、これを用いて高
速成膜や大面積成膜を行うと、成膜中にパ−ティクル
（微細粒子）が発生し易くなるという問題がある。な
お、薄膜中にパ−ティクルが多数存在すると、これが例
えば０．５〜４μｍの線幅で形成された電極を断線させ
たり、配線内を短絡させたりするなどの原因となり、不
良率が増大するようになるものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者等は、
上述のような観点から、Ｎｉシリサイド薄膜のスパッタ
リングによる形成に際して、パ−ティクル発生の少ない
Ｎｉシリサイド焼結タ−ゲット材を開発すべく研究を行
なった結果、原料粉末として、予めＮｉ板材とＳｉ塊材
を所定の割合に秤量し、これを例えば電子ビ−ム溶解な
どにより溶解し、粉砕することにより調製した、Ｎｉ−
Ｓｉ２元合金系状態図におけるＮｉ3Sｉ 2化合物とＮｉ
Ｓｉ化合物の共晶からなるＮｉ3Sｉ2-ＮｉＳｉ共晶粉末
と、同じく同状態図におけるＮｉＳｉ化合物とＮｉＳｉ
2化合物からなるＮｉＳｉ−ＮｉＳｉ2共晶粉末を用い、
これら両原料粉末を所定の割合に配合し、混合した後、
ホットプレスすることにより組成式：ＮｉＳｉｎ（ただ
し、ｎはモル比で０．９〜１．０）を満足するＮｉシリ
サイド焼結タ−ゲット材を製造すると、上記ホットプレ
ス時に、上記Ｎｉ3Sｉ2-ＮｉＳｉ共晶粉末とＮｉＳｉ−
ＮｉＳｉ2共晶粉末が反応して、これら両者間にはＮｉ
Ｓｉ化合物が形成されるようになり、したがつてこの結
果のＮｉシリサイド焼結タ−ゲット材は、ＮｉＳｉ化合
物の反応生成相中に、未反応のＮｉ3Sｉ2-ＮｉＳｉ共晶
相が分散分布した組織をもつようになり、このような組
織を有するＮｉシリサイド焼結タ−ゲット材において
は、成膜中のパ−ティクル発生が著しく減少し、パ−テ
ィクルのきわめて少ないＮｉシリサイド薄膜の形成が可
能になるという研究結果を得たのである。
上述のような観点から、Ｎｉシリサイド薄膜のスパッタ
リングによる形成に際して、パ−ティクル発生の少ない
Ｎｉシリサイド焼結タ−ゲット材を開発すべく研究を行
なった結果、原料粉末として、予めＮｉ板材とＳｉ塊材
を所定の割合に秤量し、これを例えば電子ビ−ム溶解な
どにより溶解し、粉砕することにより調製した、Ｎｉ−
Ｓｉ２元合金系状態図におけるＮｉ3Sｉ 2化合物とＮｉ
Ｓｉ化合物の共晶からなるＮｉ3Sｉ2-ＮｉＳｉ共晶粉末
と、同じく同状態図におけるＮｉＳｉ化合物とＮｉＳｉ
2化合物からなるＮｉＳｉ−ＮｉＳｉ2共晶粉末を用い、
これら両原料粉末を所定の割合に配合し、混合した後、
ホットプレスすることにより組成式：ＮｉＳｉｎ（ただ
し、ｎはモル比で０．９〜１．０）を満足するＮｉシリ
サイド焼結タ−ゲット材を製造すると、上記ホットプレ
ス時に、上記Ｎｉ3Sｉ2-ＮｉＳｉ共晶粉末とＮｉＳｉ−
ＮｉＳｉ2共晶粉末が反応して、これら両者間にはＮｉ
Ｓｉ化合物が形成されるようになり、したがつてこの結
果のＮｉシリサイド焼結タ−ゲット材は、ＮｉＳｉ化合
物の反応生成相中に、未反応のＮｉ3Sｉ2-ＮｉＳｉ共晶
相が分散分布した組織をもつようになり、このような組
織を有するＮｉシリサイド焼結タ−ゲット材において
は、成膜中のパ−ティクル発生が著しく減少し、パ−テ
ィクルのきわめて少ないＮｉシリサイド薄膜の形成が可
能になるという研究結果を得たのである。
【０００５】この発明は、上記の研究結果にもとづいて
なされたものであつて、ＮｉＳｉn（ただし、ｎはモル
比で０．９〜１．０）の組成式を満足し、かつＮｉ−Ｓ
ｉ２元合金系状態図で示されるＮｉＳｉ化合物が反応生
成相として存在し、このＮｉＳｉ化合物反応生成相中
に、同状態図におけるＮｉ3Sｉ2化合物とＮｉＳｉ化合
物の共晶からなる未反応共晶相が分散分布した組織を有
するスパッタリング用Ｎｉシリサイド焼結タ−ゲット材
に特徴を有するものである。 なお、組成式におけるｎ
の値を０．９〜１．０としたのは、ｎの値が０．９未満
では、所望の低抵抗をもったＮｉシリサイド薄膜の形成
を行うことができず、−方ｎ値が１．０を越えると、上
記の組織を形成することが困難になるという理由による
ものである。
なされたものであつて、ＮｉＳｉn（ただし、ｎはモル
比で０．９〜１．０）の組成式を満足し、かつＮｉ−Ｓ
ｉ２元合金系状態図で示されるＮｉＳｉ化合物が反応生
成相として存在し、このＮｉＳｉ化合物反応生成相中
に、同状態図におけるＮｉ3Sｉ2化合物とＮｉＳｉ化合
物の共晶からなる未反応共晶相が分散分布した組織を有
するスパッタリング用Ｎｉシリサイド焼結タ−ゲット材
に特徴を有するものである。 なお、組成式におけるｎ
の値を０．９〜１．０としたのは、ｎの値が０．９未満
では、所望の低抵抗をもったＮｉシリサイド薄膜の形成
を行うことができず、−方ｎ値が１．０を越えると、上
記の組織を形成することが困難になるという理由による
ものである。
【０００６】
【実施例】つぎに、この発明のＮｉシリサイド焼結タ−
ゲット材を実施例により具体的に説明する。 まず、５
Ｎ（ナイン）の高純度Ｎｉ板材と７Ｎの高純度Ｓｉ塊材
を用い、これらを所定の割合に秤量し、真空度：１０-5
tｏｒｒの雰囲気中、水冷銅ハ−スにて電子ビ−ム溶解
を行ない、ついでジョ−クラッシャ−にて粗粉砕し、さ
らにボ−ルミルで微粉砕して、それぞれＮｉ−Ｓｉ２元
合金系状態図におけるＮｉ3Sｉ2化合物とＮｉＳｉ化合
物の共晶からなるＮｉ3Sｉ2-ＮｉＳｉ共晶粉末と、同じ
く同状態図におけるＮｉＳｉ化合物とＮｉＳｉ2化合物
の共晶からなるＮｉＳｉ−ＮｉＳｉ2共晶粉末を調製
し、ついでこれら両共晶粉末を原料粉末として用い、２
０〜１００μｍの範囲内の所定の平均粒径に調整した状
態で、表１に示される割合に配合し、Ｖ型ミキサ−にて
３０分間混合した後、温度：９６０℃、圧力：２０ＭＰ
ａ、保持時間：６０分の条件でホットプレスすることに
より組成式：ＮｉＳｉｎのｎの値がそれぞれ表１に示さ
れる値をもち、かついずれもＮｉＳｉ化合物反応生成相
中に、Ｎｉ3Sｉ2-ＮｉＳｉ共晶の未反応共晶相が分散分
布した組織を有し、さらに直径：２５０ｍｍφ×厚さ：
１０ｍｍの寸法をもった本発明Ｎｉシリサイド焼結タ−
ゲット材（以下、本発明タ−ゲット材という）１〜４を
それぞれ製造した。
ゲット材を実施例により具体的に説明する。 まず、５
Ｎ（ナイン）の高純度Ｎｉ板材と７Ｎの高純度Ｓｉ塊材
を用い、これらを所定の割合に秤量し、真空度：１０-5
tｏｒｒの雰囲気中、水冷銅ハ−スにて電子ビ−ム溶解
を行ない、ついでジョ−クラッシャ−にて粗粉砕し、さ
らにボ−ルミルで微粉砕して、それぞれＮｉ−Ｓｉ２元
合金系状態図におけるＮｉ3Sｉ2化合物とＮｉＳｉ化合
物の共晶からなるＮｉ3Sｉ2-ＮｉＳｉ共晶粉末と、同じ
く同状態図におけるＮｉＳｉ化合物とＮｉＳｉ2化合物
の共晶からなるＮｉＳｉ−ＮｉＳｉ2共晶粉末を調製
し、ついでこれら両共晶粉末を原料粉末として用い、２
０〜１００μｍの範囲内の所定の平均粒径に調整した状
態で、表１に示される割合に配合し、Ｖ型ミキサ−にて
３０分間混合した後、温度：９６０℃、圧力：２０ＭＰ
ａ、保持時間：６０分の条件でホットプレスすることに
より組成式：ＮｉＳｉｎのｎの値がそれぞれ表１に示さ
れる値をもち、かついずれもＮｉＳｉ化合物反応生成相
中に、Ｎｉ3Sｉ2-ＮｉＳｉ共晶の未反応共晶相が分散分
布した組織を有し、さらに直径：２５０ｍｍφ×厚さ：
１０ｍｍの寸法をもった本発明Ｎｉシリサイド焼結タ−
ゲット材（以下、本発明タ−ゲット材という）１〜４を
それぞれ製造した。
【０００７】また、比較の目的で、上記の高純度Ｎｉ板
材と高純度Ｓｉ塊材の秤量割合をかえて組成式：ＮｉＳ
ｉnのｎが表２に示される値のＮｉＳｉn粉末を調製し、
これを原料粉末として用いる以外は同一の条件で従来Ｎ
ｉシリサイド焼結タ−ゲット材（以下、従来タ−ゲット
材という）１〜３をそれぞれ製造した。この従来タ−ゲ
ット材１〜３は、いずれもＮｉ3Sｉ2相とＮｉＳｉ相か
らなる組織をもつものであった。
材と高純度Ｓｉ塊材の秤量割合をかえて組成式：ＮｉＳ
ｉnのｎが表２に示される値のＮｉＳｉn粉末を調製し、
これを原料粉末として用いる以外は同一の条件で従来Ｎ
ｉシリサイド焼結タ−ゲット材（以下、従来タ−ゲット
材という）１〜３をそれぞれ製造した。この従来タ−ゲ
ット材１〜３は、いずれもＮｉ3Sｉ2相とＮｉＳｉ相か
らなる組織をもつものであった。
【０００８】つぎに、この結果得られた各種タ−ゲット
材を、スパッタリング装置に組み込み、 基板：直径１５２ｍｍのＳｉウエハ 基板温度：２００℃ 基板とタ−ゲット材間の距離：４０ｍｍ 雰囲気：４×１０-3tｏｒｒのＡｒガス 直流出力：１．７ｋＷ スパッタ時間：１．４分 の条件でＳｉウェハの表面にＮｉシリサイド薄膜を形成
し、Ｓｉウェハ表面の薄膜における直径：０．３μｍ以
上のパ−ティクル発生数を測定した。この測定結果をそ
れぞれ表１，２に示した。
材を、スパッタリング装置に組み込み、 基板：直径１５２ｍｍのＳｉウエハ 基板温度：２００℃ 基板とタ−ゲット材間の距離：４０ｍｍ 雰囲気：４×１０-3tｏｒｒのＡｒガス 直流出力：１．７ｋＷ スパッタ時間：１．４分 の条件でＳｉウェハの表面にＮｉシリサイド薄膜を形成
し、Ｓｉウェハ表面の薄膜における直径：０．３μｍ以
上のパ−ティクル発生数を測定した。この測定結果をそ
れぞれ表１，２に示した。
【０００９】
【表１】
【００１０】
【表２】
【００１１】
【発明の効果】表１，２に示される結果から、ＮｉＳｉ
反応生成相中に、Ｎｉ3Sｉ2-ＮｉＳｉ共晶の未反応共晶
相が分散分布する組織を有する本発明タ−ゲット１〜４
で形成されたＮｉシリサイド薄膜中には、Ｎｉ3Sｉ2相
−ＮｉＳｉ相からなる組織を有する従来タ−ゲット材１
〜３を用いて形成された薄膜に比してパ−ティクル発生
が著しく少ないことが明らかである。上述のように、こ
の発明のスパッタリング用Ｎｉシリサイド焼結タ−ゲッ
ト材は、成膜中のパ−ティクル発生がきわめて少なく、
これは成膜速度を上げても、また成膜面積を大きくして
も変わらないので、スパッタリング装置の高出力化およ
び大型化に十分満足に対応することができるものであ
る。
反応生成相中に、Ｎｉ3Sｉ2-ＮｉＳｉ共晶の未反応共晶
相が分散分布する組織を有する本発明タ−ゲット１〜４
で形成されたＮｉシリサイド薄膜中には、Ｎｉ3Sｉ2相
−ＮｉＳｉ相からなる組織を有する従来タ−ゲット材１
〜３を用いて形成された薄膜に比してパ−ティクル発生
が著しく少ないことが明らかである。上述のように、こ
の発明のスパッタリング用Ｎｉシリサイド焼結タ−ゲッ
ト材は、成膜中のパ−ティクル発生がきわめて少なく、
これは成膜速度を上げても、また成膜面積を大きくして
も変わらないので、スパッタリング装置の高出力化およ
び大型化に十分満足に対応することができるものであ
る。
Claims (1)
- 【請求項１】 ＮｉＳｉn（ただし、ｎはモル比で０．
９〜１．０）の組成式を満足し、かつＮｉ−Ｓｉ２元合
金系状態図で示されるＮｉＳｉ化合物が反応生成相とし
て存在し、このＮｉＳｉ化合物反応生成相中に、同状態
図におけるＮｉ3Sｉ2化合物とＮｉＳｉ化合物の共晶か
らなる未反応共晶相が分散分布した組織を有することを
特徴とする成膜中にパ−ティクル発生の少ないスパッタ
リング用Ｎｉシリサイド焼結タ−ゲット材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28999194A JPH08144053A (ja) | 1994-11-24 | 1994-11-24 | 成膜中にパ−ティクル発生の少ないスパッタリング用Ｎｉシリサイド焼結タ−ゲット材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28999194A JPH08144053A (ja) | 1994-11-24 | 1994-11-24 | 成膜中にパ−ティクル発生の少ないスパッタリング用Ｎｉシリサイド焼結タ−ゲット材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08144053A true JPH08144053A (ja) | 1996-06-04 |
Family
ID=17750370
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28999194A Withdrawn JPH08144053A (ja) | 1994-11-24 | 1994-11-24 | 成膜中にパ−ティクル発生の少ないスパッタリング用Ｎｉシリサイド焼結タ−ゲット材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08144053A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011115259A1 (ja) | 2010-03-19 | 2011-09-22 | Jx日鉱日石金属株式会社 | ニッケル合金スパッタリングターゲット、Ｎｉ合金薄膜及びニッケルシリサイド膜 |
-
1994
- 1994-11-24 JP JP28999194A patent/JPH08144053A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011115259A1 (ja) | 2010-03-19 | 2011-09-22 | Jx日鉱日石金属株式会社 | ニッケル合金スパッタリングターゲット、Ｎｉ合金薄膜及びニッケルシリサイド膜 |
| US9249497B2 (en) | 2010-03-19 | 2016-02-02 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Ni alloy sputtering target, Ni alloy thin film and Ni silicide film |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6254823B2 (ja) | ニッケルシリサイドスパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
| JP6461543B2 (ja) | アルミニウムと希土類元素との合金ターゲット及びその製造方法 | |
| CN104321890B (zh) | 热电转换材料及使用其的热电转换模块以及其制造方法 | |
| TW200402477A (en) | Hafnium silicide target and method for preparation thereof | |
| JPH08144053A (ja) | 成膜中にパ−ティクル発生の少ないスパッタリング用Ｎｉシリサイド焼結タ−ゲット材 | |
| JPH08144055A (ja) | 成膜中にパ−ティクル発生の少ないスパッタリング用Ｎｉシリサイド焼結タ−ゲット材 | |
| JPH08144054A (ja) | 成膜中にパーティクル発生の少ないスパッタリング用Ｎｉシリサイド焼結ターゲット材 | |
| JPH07197246A (ja) | 成膜中にパーティクル発生の少ないスパッタリング用Ｔｉシリサイド焼結ターゲット材 | |
| JP4921653B2 (ja) | スパッタリングターゲットおよびその製造方法 | |
| JP3625928B2 (ja) | Ｔａ／Ｓｉ系焼結合金の製造方法 | |
| JPH0874045A (ja) | 成膜中にパーティクル発生の少ないスパッタリング用Ｃｏシリサイド焼結ターゲット材 | |
| JPH03173704A (ja) | スパッタリング用ターゲットの製造方法 | |
| JP3528980B2 (ja) | タングステンシリサイドターゲット材およびその製造方法 | |
| JPH0874043A (ja) | 成膜中にパーティクル発生の少ないスパッタリング用Ｃｏシリサイド焼結ターゲット材 | |
| JP2019218592A (ja) | 珪化物系合金材料及びそれを用いた素子 | |
| JPH07197245A (ja) | 成膜中にパーティクル発生の少ないスパッタリング用Ｔｉシリサイド焼結ターゲット材 | |
| JP2941828B2 (ja) | 高融点金属シリサイド製ターゲットおよびその製造方法 | |
| JPH0874044A (ja) | 成膜中にパーティクル発生の少ないスパッタリング用Ｃｏシリサイド焼結ターゲット材 | |
| JPH07197243A (ja) | 成膜中にパーティクル発生の少ないスパッタリング用Ｔｉシリサイド焼結ターゲット材 | |
| JPH0247261A (ja) | シリサイドターゲットおよびその製造方法 | |
| JPH0610123A (ja) | 高融点金属シリサイドターゲット及びその製造方法 | |
| TWI615482B (zh) | 鉑合金靶 | |
| JPH11200026A (ja) | スパッタリング用チタンシリサイドターゲットおよびその製造方法 | |
| JP2000064032A (ja) | チタンシリサイドターゲットおよびその製造方法 | |
| JPH06169110A (ja) | 熱電変換材料の製造法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020205 |