JPH0874044A - 成膜中にパーティクル発生の少ないスパッタリング用Ｃｏシリサイド焼結ターゲット材 - Google Patents
成膜中にパーティクル発生の少ないスパッタリング用Ｃｏシリサイド焼結ターゲット材Info
- Publication number
- JPH0874044A JPH0874044A JP6216812A JP21681294A JPH0874044A JP H0874044 A JPH0874044 A JP H0874044A JP 6216812 A JP6216812 A JP 6216812A JP 21681294 A JP21681294 A JP 21681294A JP H0874044 A JPH0874044 A JP H0874044A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cosi
- phase
- target material
- eutectic
- sputtering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 成膜中にパ−ティクル発生の少ないスパッタ
リング用Ｃｏシリサイド焼結タ−ゲット材を提供する。 【構成】 スパッタリング用Ｃｏシリサイド焼結タ−ゲ
ット材が、ＣｏＳｉn（ただし、ｎはモル比で２．０〜
２．５）の組成式を満足し、かつＣｏ−Ｓｉ２元合金系
状態図で示されるＣｏＳｉ2化合物が反応生成相として
存在し、このＣｏＳｉ2反応生成相中に、同状態図にお
けるＣｏＳｉ2-Ｓｉ共晶の未反応共晶相が分散分布した
組織を有する。
リング用Ｃｏシリサイド焼結タ−ゲット材を提供する。 【構成】 スパッタリング用Ｃｏシリサイド焼結タ−ゲ
ット材が、ＣｏＳｉn（ただし、ｎはモル比で２．０〜
２．５）の組成式を満足し、かつＣｏ−Ｓｉ２元合金系
状態図で示されるＣｏＳｉ2化合物が反応生成相として
存在し、このＣｏＳｉ2反応生成相中に、同状態図にお
けるＣｏＳｉ2-Ｓｉ共晶の未反応共晶相が分散分布した
組織を有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体デバイスにお
ける電極や配線などを構成するＣｏシリサイド薄膜をス
パッタリングにより形成するのに用いた場合に、成膜中
に薄膜欠陥となるパ−ティクルの発生が著しく少ない焼
結タ−ゲット材に関するものである。
ける電極や配線などを構成するＣｏシリサイド薄膜をス
パッタリングにより形成するのに用いた場合に、成膜中
に薄膜欠陥となるパ−ティクルの発生が著しく少ない焼
結タ−ゲット材に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体デバイスの製造に際して、
スパッタリングにより低抵抗のＣｏシリサイド薄膜を形
成することが行われる場合があり、これにＣｏシリサイ
ド焼結タ−ゲット材が用いられている。また、上記Ｃｏ
シリサイド焼結タ−ゲット材は、原料としてＣｏ板材と
Ｓｉ塊材を用い、これを所定の割合に秤量し、非酸化性
雰囲気中で電子ビ−ム溶解などにより溶解し、ついで、
粉砕し、ホットプレスすることにより製造されることも
知られている。さらに、この結果得られたＣｏシリサイ
ド焼結タ−ゲット材は、組成式：ＣｏＳｉn（ｎはモル
比で２．０〜２．５）を満足する場合、すなわち原料と
してＣｏＳｉ2.0-2.5の組成を有する粉砕粉末を用いて
ホットプレスした場合、Ｃｏ−Ｓｉ２元合金系状態図に
おけるＣｏＳｉ2化合物とＳｉの２相組織をもつように
なることも知られている。
スパッタリングにより低抵抗のＣｏシリサイド薄膜を形
成することが行われる場合があり、これにＣｏシリサイ
ド焼結タ−ゲット材が用いられている。また、上記Ｃｏ
シリサイド焼結タ−ゲット材は、原料としてＣｏ板材と
Ｓｉ塊材を用い、これを所定の割合に秤量し、非酸化性
雰囲気中で電子ビ−ム溶解などにより溶解し、ついで、
粉砕し、ホットプレスすることにより製造されることも
知られている。さらに、この結果得られたＣｏシリサイ
ド焼結タ−ゲット材は、組成式：ＣｏＳｉn（ｎはモル
比で２．０〜２．５）を満足する場合、すなわち原料と
してＣｏＳｉ2.0-2.5の組成を有する粉砕粉末を用いて
ホットプレスした場合、Ｃｏ−Ｓｉ２元合金系状態図に
おけるＣｏＳｉ2化合物とＳｉの２相組織をもつように
なることも知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】−方、近年のスパッタ
リング技術の進歩はめざましく、スパッタリング装置の
高出力化および大型化が可能となり、これに伴い、Ｃｏ
シリサイド薄膜の形成に際しても、成膜の高速化および
大面積化がはかられる傾向にあるが、上記の従来Ｃｏシ
リサイド焼結タ−ゲット材においては、これを用いて高
速成膜や大面積成膜を行なうと、成膜中にパ−ティクル
（微細粒子）が発生し易くなるという問題がある。な
お、薄膜中にパ−ティクルが多数存在すると、これが例
えば０．５〜４μｍの線幅で形成された電極を断線させ
たり、配線内を短絡させたりするなどの原因となり、不
良率が増大するようになるものである。
リング技術の進歩はめざましく、スパッタリング装置の
高出力化および大型化が可能となり、これに伴い、Ｃｏ
シリサイド薄膜の形成に際しても、成膜の高速化および
大面積化がはかられる傾向にあるが、上記の従来Ｃｏシ
リサイド焼結タ−ゲット材においては、これを用いて高
速成膜や大面積成膜を行なうと、成膜中にパ−ティクル
（微細粒子）が発生し易くなるという問題がある。な
お、薄膜中にパ−ティクルが多数存在すると、これが例
えば０．５〜４μｍの線幅で形成された電極を断線させ
たり、配線内を短絡させたりするなどの原因となり、不
良率が増大するようになるものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者等は、
上述のような観点から、Ｃｏシリサイド薄膜のスパッタ
リングによる形成に際して、パ−ティクル発生の少ない
Ｃｏシリサイド焼結タ−ゲット材を開発すべく研究を行
なつた結果、原料粉末として、予めＣｏ板材とＳｉ塊材
を所定の割合に秤量し、これを例えば電子ビ−ム溶解な
どにより溶解し、粉砕することにより調製した、Ｃｏ−
Ｓｉ２元合金系状態図におけるＣｏＳｉ化合物とＣｏＳ
ｉ2化合物の共晶からなるＣｏＳｉ−ＣｏＳｉ2共晶粉末
と、同じく同状態図におけるＣｏＳｉ2化合物とＳｉの
共晶からなるＣｏＳｉ2-Ｓｉ共晶粉末を用い、これら両
原料粉末を所定の割合に配合し、混合した後、ホットプ
レスすることにより組成式：ＣｏＳｉ2（ただし、ｎは
モル比で２．０〜２．５）を満足するＣｏシリサイド焼
結タ−ゲット材を製造すると、上記ホットプレス時に、
上記ＣｏＳｉ−ＣｏＳｉ2共晶粉末とＣｏＳｉ2-Ｓｉ共
晶粉末が反応して、これら両者間にはＣｏＳｉ2化合物
が形成されるようになり、したがつてこの結果のＣｏシ
リサイド焼結タ−ゲット材は、ＣｉＳｉ2化合物の反応
生成相中に、未反応のＣｏＳｉ2-Ｓｉ共晶相が分散分布
した組織をもつようになり、このような組織を有するＣ
ｏシリサイド焼結タ−ゲット材においては、成膜中のパ
−ティクル発生が著しく減少し、パ−ティクルのきわめ
て少ないＣｏシリサイド薄膜の形成が可能になるという
研究結果を得たのである。
上述のような観点から、Ｃｏシリサイド薄膜のスパッタ
リングによる形成に際して、パ−ティクル発生の少ない
Ｃｏシリサイド焼結タ−ゲット材を開発すべく研究を行
なつた結果、原料粉末として、予めＣｏ板材とＳｉ塊材
を所定の割合に秤量し、これを例えば電子ビ−ム溶解な
どにより溶解し、粉砕することにより調製した、Ｃｏ−
Ｓｉ２元合金系状態図におけるＣｏＳｉ化合物とＣｏＳ
ｉ2化合物の共晶からなるＣｏＳｉ−ＣｏＳｉ2共晶粉末
と、同じく同状態図におけるＣｏＳｉ2化合物とＳｉの
共晶からなるＣｏＳｉ2-Ｓｉ共晶粉末を用い、これら両
原料粉末を所定の割合に配合し、混合した後、ホットプ
レスすることにより組成式：ＣｏＳｉ2（ただし、ｎは
モル比で２．０〜２．５）を満足するＣｏシリサイド焼
結タ−ゲット材を製造すると、上記ホットプレス時に、
上記ＣｏＳｉ−ＣｏＳｉ2共晶粉末とＣｏＳｉ2-Ｓｉ共
晶粉末が反応して、これら両者間にはＣｏＳｉ2化合物
が形成されるようになり、したがつてこの結果のＣｏシ
リサイド焼結タ−ゲット材は、ＣｉＳｉ2化合物の反応
生成相中に、未反応のＣｏＳｉ2-Ｓｉ共晶相が分散分布
した組織をもつようになり、このような組織を有するＣ
ｏシリサイド焼結タ−ゲット材においては、成膜中のパ
−ティクル発生が著しく減少し、パ−ティクルのきわめ
て少ないＣｏシリサイド薄膜の形成が可能になるという
研究結果を得たのである。
【０００５】この発明は、上記の研究結果にもとづいて
なされたものであつて、ＣｏＳｉn（ただし、ｎはモル
比で２．０〜２．５）の組成式を満足し、かつＣｏ−Ｓ
ｉ２元合金系状態図で示されるＣｏＳｉ2化合物が反応
生成相として存在し、このＣｏＳｉ2化合物反応生成相
中に、同状態図におけるＣｏＳｉ2化合物とＳｉの共晶
からなる未反応共晶相が分散分布した組織を有するスパ
ッタリング用Ｃｏシリサイド焼結タ−ゲット材に特徴を
有するものである。 なお、組成式におけるｎの値を
２．０〜２．５としたのは、ｎの値が２．０未満では上
記の組織を形成するのが困難になり、−方ｎ値が２．５
を越えると所望の低抵抗をもつたＣｏシリサイド薄膜の
形成を行うことができないという理由によるものであ
る。
なされたものであつて、ＣｏＳｉn（ただし、ｎはモル
比で２．０〜２．５）の組成式を満足し、かつＣｏ−Ｓ
ｉ２元合金系状態図で示されるＣｏＳｉ2化合物が反応
生成相として存在し、このＣｏＳｉ2化合物反応生成相
中に、同状態図におけるＣｏＳｉ2化合物とＳｉの共晶
からなる未反応共晶相が分散分布した組織を有するスパ
ッタリング用Ｃｏシリサイド焼結タ−ゲット材に特徴を
有するものである。 なお、組成式におけるｎの値を
２．０〜２．５としたのは、ｎの値が２．０未満では上
記の組織を形成するのが困難になり、−方ｎ値が２．５
を越えると所望の低抵抗をもつたＣｏシリサイド薄膜の
形成を行うことができないという理由によるものであ
る。
【０００６】
【実施例】つぎに、この発明のＣｏシリサイド焼結タ−
ゲット材を実施例により具体的に説明する。 まず、５
Ｎ（ナイン）の高純度Ｃｏ板材と７Ｎの高純度Ｓｉ塊材
を用い、これらを所定の割合に秤量し、真空度：１０−
５tｏｒｒの雰囲気中、水冷銅ハ−スにて電子ビ−ム溶
解を行ない、ついでジョ−クラッシャ−にて粗粉砕し、
さらにボ−ルミルで微粉砕して、それぞれＣｏ−Ｓｉ
２元合金系状態図におけるＣｏＳｉ化合物とＣｏＳｉ2
化合物の共晶からなるＣｏＳｉ−ＣｏＳｉ2共晶粉末
と、同じく同状態図におけるＣｏＳｉ2化合物とＳｉの
共晶からなるＣｏＳｉ2-Ｓｉ共晶粉末を調製し、ついで
これら両共晶粉末を原料粉末として用い、２０〜１００
μｍの範囲内の所定の平均粒径に調整した状態で、表１
に示される割合に配合し、Ｖ型ミキサ−にて３０分間混
合した後、温度：１２５０℃、圧力：２０ＭＰａ、保持
時間：６０分の条件でホットプレスすることにより組成
式：ＣｏＳｉnのｎの値がそれぞれ表１に示される値を
もち、かついずれもＣｏＳｉ2化合物反応生成相中に、
ＣｏＳｉ2-Ｓｉ共晶の未反応共晶相が分散分布した組織
を有し、さらに直径：２５０ｍｍ、厚さ：１０ｍｍの寸
法をもつた本発明Ｃｏシリサイド焼結タ−ゲット材（以
下、本発明タ−ゲット材という）１〜６をそれぞれ製造
した。
ゲット材を実施例により具体的に説明する。 まず、５
Ｎ（ナイン）の高純度Ｃｏ板材と７Ｎの高純度Ｓｉ塊材
を用い、これらを所定の割合に秤量し、真空度：１０−
５tｏｒｒの雰囲気中、水冷銅ハ−スにて電子ビ−ム溶
解を行ない、ついでジョ−クラッシャ−にて粗粉砕し、
さらにボ−ルミルで微粉砕して、それぞれＣｏ−Ｓｉ
２元合金系状態図におけるＣｏＳｉ化合物とＣｏＳｉ2
化合物の共晶からなるＣｏＳｉ−ＣｏＳｉ2共晶粉末
と、同じく同状態図におけるＣｏＳｉ2化合物とＳｉの
共晶からなるＣｏＳｉ2-Ｓｉ共晶粉末を調製し、ついで
これら両共晶粉末を原料粉末として用い、２０〜１００
μｍの範囲内の所定の平均粒径に調整した状態で、表１
に示される割合に配合し、Ｖ型ミキサ−にて３０分間混
合した後、温度：１２５０℃、圧力：２０ＭＰａ、保持
時間：６０分の条件でホットプレスすることにより組成
式：ＣｏＳｉnのｎの値がそれぞれ表１に示される値を
もち、かついずれもＣｏＳｉ2化合物反応生成相中に、
ＣｏＳｉ2-Ｓｉ共晶の未反応共晶相が分散分布した組織
を有し、さらに直径：２５０ｍｍ、厚さ：１０ｍｍの寸
法をもつた本発明Ｃｏシリサイド焼結タ−ゲット材（以
下、本発明タ−ゲット材という）１〜６をそれぞれ製造
した。
【０００７】また、比較の目的で、上記の高純度Ｃｏ板
材と高純度Ｓｉ塊材の秤量割合をかえて組成式：ＣｏＳ
ｉnのｎが表２に示される値のＣｏＳｉn粉末を調製し、
これを原料粉末として用いる以外は同一の条件で従来Ｃ
ｏシリサイド焼結タ−ゲット材（以下、従来タ−ゲット
材という）１〜５をそれぞれ製造した。この従来タ−ゲ
ット材１〜５は、いずれもＣｏＳｉ2相とＳｉ相からな
る組織をもつものであつた。
材と高純度Ｓｉ塊材の秤量割合をかえて組成式：ＣｏＳ
ｉnのｎが表２に示される値のＣｏＳｉn粉末を調製し、
これを原料粉末として用いる以外は同一の条件で従来Ｃ
ｏシリサイド焼結タ−ゲット材（以下、従来タ−ゲット
材という）１〜５をそれぞれ製造した。この従来タ−ゲ
ット材１〜５は、いずれもＣｏＳｉ2相とＳｉ相からな
る組織をもつものであつた。
【０００８】つぎに、この結果得られた各種タ−ゲット
材を、スパッタリング装置に組み込み、 基板：直径１５２ｍｍのＳｉウェハ 基板温度：１６０℃ 基板とタ−ゲツト材間の距離：４０ｍｍ 雰囲気：５×１０−３tｏｒｒのＡｒガス 直流出力：２．３ｋＷ スパッタ時間：０．５分 の条件でＳｉウェハの表面にＣｏシリサイド薄膜を形成
し、Ｓｉウェハ表面の薄膜における直径：０．３μｍ以
上のパ−ティクル発生数を測定した。この測定結果をそ
れぞれ表１，２に示した。
材を、スパッタリング装置に組み込み、 基板：直径１５２ｍｍのＳｉウェハ 基板温度：１６０℃ 基板とタ−ゲツト材間の距離：４０ｍｍ 雰囲気：５×１０−３tｏｒｒのＡｒガス 直流出力：２．３ｋＷ スパッタ時間：０．５分 の条件でＳｉウェハの表面にＣｏシリサイド薄膜を形成
し、Ｓｉウェハ表面の薄膜における直径：０．３μｍ以
上のパ−ティクル発生数を測定した。この測定結果をそ
れぞれ表１，２に示した。
【０００９】
【表１】
【００１０】
【表２】
【００１１】
【発明の効果】表１，２に示される結果から、ＣｏＳｉ
2反応生成相中に、ＣｏＳｉ2-Ｓｉ共晶の未反応共晶相
が分散分布する組織を有する本発明タ−ゲット材１〜６
で形成されたＣｏシリサイド薄膜中には、ＣｏＳｉ2相
からなる組織を有する従来タ−ゲット材１〜６を用いて
形成された薄膜に比してパ−ティクル発生が著しく少な
いことが明らかである。上述のように、この発明のスパ
ッタリング用Ｃｏシリサイド焼結タ−ゲット材は、成膜
中のパ−ティクル発生がきわめてすくなく、これは成膜
速度を上げても、また成膜面積を大きくしても変らない
ので、スパッタリング装置の高出力化および大型化に十
分満足に対応することができるものである。
2反応生成相中に、ＣｏＳｉ2-Ｓｉ共晶の未反応共晶相
が分散分布する組織を有する本発明タ−ゲット材１〜６
で形成されたＣｏシリサイド薄膜中には、ＣｏＳｉ2相
からなる組織を有する従来タ−ゲット材１〜６を用いて
形成された薄膜に比してパ−ティクル発生が著しく少な
いことが明らかである。上述のように、この発明のスパ
ッタリング用Ｃｏシリサイド焼結タ−ゲット材は、成膜
中のパ−ティクル発生がきわめてすくなく、これは成膜
速度を上げても、また成膜面積を大きくしても変らない
ので、スパッタリング装置の高出力化および大型化に十
分満足に対応することができるものである。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成６年１１月１１日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００４】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者等は、
上述のような観点から、Ｃｏシリサイド薄膜のスパッタ
リングによる形成に際して、パ−ティクル発生の少ない
Ｃｏシリサイド焼結タ−ゲット材を開発すべく研究を行
なつた結果、原料粉末として、予めＣｏ板材とＳｉ塊材
を所定の割合に秤量し、これを例えば電子ビ−ム溶解な
どにより溶解し、粉砕することにより調製した、Ｃｏ−
Ｓｉ２元合金系状態図におけるＣｏＳｉ化合物とＣｏＳ
ｉ2化合物の共晶からなるＣｏＳｉ−ＣｏＳｉ2共晶粉末
と、同じく同状態図におけるＣｏＳｉ2化合物とＳｉの
共晶からなるＣｏＳｉ2-Ｓｉ共晶粉末を用い、これら両
原料粉末を所定の割合に配合し、混合した後、ホットプ
レスすることにより組成式：ＣｏＳｉn （ただし、ｎは
モル比で２．０〜２．５）を満足するＣｏシリサイド焼
結タ−ゲット材を製造すると、上記ホットプレス時に、
上記ＣｏＳｉ−ＣｏＳｉ2共晶粉末とＣｏＳｉ2-Ｓｉ共
晶粉末が反応して、これら両者間にはＣｏＳｉ2化合物
が形成されるようになり、したがつてこの結果のＣｏシ
リサイド焼結タ−ゲット材は、ＣｉＳｉ2化合物の反応
生成相中に、未反応のＣｏＳｉ2-Ｓｉ共晶相が分散分布
した組織をもつようになり、このような組織を有するＣ
ｏシリサイド焼結タ−ゲット材においては、成膜中のパ
−ティクル発生が著しく減少し、パ−ティクルのきわめ
て少ないＣｏシリサイド薄膜の形成が可能になるという
研究結果を得たのである。
上述のような観点から、Ｃｏシリサイド薄膜のスパッタ
リングによる形成に際して、パ−ティクル発生の少ない
Ｃｏシリサイド焼結タ−ゲット材を開発すべく研究を行
なつた結果、原料粉末として、予めＣｏ板材とＳｉ塊材
を所定の割合に秤量し、これを例えば電子ビ−ム溶解な
どにより溶解し、粉砕することにより調製した、Ｃｏ−
Ｓｉ２元合金系状態図におけるＣｏＳｉ化合物とＣｏＳ
ｉ2化合物の共晶からなるＣｏＳｉ−ＣｏＳｉ2共晶粉末
と、同じく同状態図におけるＣｏＳｉ2化合物とＳｉの
共晶からなるＣｏＳｉ2-Ｓｉ共晶粉末を用い、これら両
原料粉末を所定の割合に配合し、混合した後、ホットプ
レスすることにより組成式：ＣｏＳｉn （ただし、ｎは
モル比で２．０〜２．５）を満足するＣｏシリサイド焼
結タ−ゲット材を製造すると、上記ホットプレス時に、
上記ＣｏＳｉ−ＣｏＳｉ2共晶粉末とＣｏＳｉ2-Ｓｉ共
晶粉末が反応して、これら両者間にはＣｏＳｉ2化合物
が形成されるようになり、したがつてこの結果のＣｏシ
リサイド焼結タ−ゲット材は、ＣｉＳｉ2化合物の反応
生成相中に、未反応のＣｏＳｉ2-Ｓｉ共晶相が分散分布
した組織をもつようになり、このような組織を有するＣ
ｏシリサイド焼結タ−ゲット材においては、成膜中のパ
−ティクル発生が著しく減少し、パ−ティクルのきわめ
て少ないＣｏシリサイド薄膜の形成が可能になるという
研究結果を得たのである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/203 Ｓ 9545−4Ｍ
Claims (1)
- 【請求項１】 ＣｏＳｉn（ただし、ｎはモル比で２．
０〜２．５）の組成式を満足し、かつＣｏ−Ｓｉ２元合
金系状態図で示されるＣｏＳｉ2化合物が反応生成相と
して存在し、このＣｏＳｉ2化合物反応生成相中に、同
状態図における ＣｏＳｉ2化合物とＳｉの共晶からなる
未反応共晶相が分散分布した組織を有することを特徴と
する成膜中にパ−ティクル発生の少ないスパッタリング
用Ｃｏシリサイド焼結タ−ゲット材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6216812A JPH0874044A (ja) | 1994-09-12 | 1994-09-12 | 成膜中にパーティクル発生の少ないスパッタリング用Ｃｏシリサイド焼結ターゲット材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6216812A JPH0874044A (ja) | 1994-09-12 | 1994-09-12 | 成膜中にパーティクル発生の少ないスパッタリング用Ｃｏシリサイド焼結ターゲット材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0874044A true JPH0874044A (ja) | 1996-03-19 |
Family
ID=16694280
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6216812A Withdrawn JPH0874044A (ja) | 1994-09-12 | 1994-09-12 | 成膜中にパーティクル発生の少ないスパッタリング用Ｃｏシリサイド焼結ターゲット材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0874044A (ja) |
-
1994
- 1994-09-12 JP JP6216812A patent/JPH0874044A/ja not_active Withdrawn
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6254823B2 (ja) | ニッケルシリサイドスパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
| US20050061106A1 (en) | High purity metal Mo coarse powder and sintered sputtering target produced by thereof | |
| JP3792007B2 (ja) | スパッタリングターゲットの製造方法 | |
| JPH01106478A (ja) | 熱電材料の製造方法 | |
| JPH0874045A (ja) | 成膜中にパーティクル発生の少ないスパッタリング用Ｃｏシリサイド焼結ターゲット材 | |
| JPH0874044A (ja) | 成膜中にパーティクル発生の少ないスパッタリング用Ｃｏシリサイド焼結ターゲット材 | |
| JPH07197246A (ja) | 成膜中にパーティクル発生の少ないスパッタリング用Ｔｉシリサイド焼結ターゲット材 | |
| JPH0874043A (ja) | 成膜中にパーティクル発生の少ないスパッタリング用Ｃｏシリサイド焼結ターゲット材 | |
| JPH08144054A (ja) | 成膜中にパーティクル発生の少ないスパッタリング用Ｎｉシリサイド焼結ターゲット材 | |
| JPH08144055A (ja) | 成膜中にパ−ティクル発生の少ないスパッタリング用Ｎｉシリサイド焼結タ−ゲット材 | |
| JPH08144053A (ja) | 成膜中にパ−ティクル発生の少ないスパッタリング用Ｎｉシリサイド焼結タ−ゲット材 | |
| JPH07197245A (ja) | 成膜中にパーティクル発生の少ないスパッタリング用Ｔｉシリサイド焼結ターゲット材 | |
| JP2941828B2 (ja) | 高融点金属シリサイド製ターゲットおよびその製造方法 | |
| JPH07197243A (ja) | 成膜中にパーティクル発生の少ないスパッタリング用Ｔｉシリサイド焼結ターゲット材 | |
| JP3625928B2 (ja) | Ｔａ／Ｓｉ系焼結合金の製造方法 | |
| JPH03173704A (ja) | スパッタリング用ターゲットの製造方法 | |
| JPH0247261A (ja) | シリサイドターゲットおよびその製造方法 | |
| JP4921653B2 (ja) | スパッタリングターゲットおよびその製造方法 | |
| JP4953168B2 (ja) | パーティクル発生の少ない光記録媒体膜形成用Ｔｅ系スパッタリングターゲット | |
| JPH0610123A (ja) | 高融点金属シリサイドターゲット及びその製造方法 | |
| JPH0341780A (ja) | 熱電材料の製造法 | |
| JPH1012933A (ja) | ＦｅＳｉ２系熱電変換素子用原料粉末の製造方法 | |
| JPS61145828A (ja) | スパツタリングタ−ゲツトとその製造方法 | |
| JP2000064032A (ja) | チタンシリサイドターゲットおよびその製造方法 | |
| JPH10273776A (ja) | スパッタリング用チタンシリサイドターゲット |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20011120 |