JPH08147698A - 情報記録方法 - Google Patents
情報記録方法Info
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- JPH08147698A JPH08147698A JP6286330A JP28633094A JPH08147698A JP H08147698 A JPH08147698 A JP H08147698A JP 6286330 A JP6286330 A JP 6286330A JP 28633094 A JP28633094 A JP 28633094A JP H08147698 A JPH08147698 A JP H08147698A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 小寸法の三日月形の記録マークを形成するこ
とにより長波長の半導体レーザー等の光源を使用して高
密度な記録が可能な情報記録方法を提供する。 【構成】 情報記録時にレーザー光の強度を記録層を融
点以上に昇温させる強度ｐ２にパルス状に切り換えた
後、記録層を融点以下で結晶化温度以上に昇温させる強
度ｐ１に記録層上の強度ｐ１での照射領域２が強度ｐ２
での照射領域１と部分的に重なるようなタイミングで切
り換え、いったんアモルファス状態となった照射領域１
の記録層の照射領域２が重なる部分が再度結晶状態とな
り、照射領域１よりも小さい三日月形のアモルファス領
域からなる記録マーク３を形成するようにし、三日月形
の記録マーク３と略円形の記録マーク４及び長円形の記
録マーク５を組み合わせることによって、記録マーク間
隔の短縮や３値記録、マーク長記録における最短マーク
の縮小ができ、その結果、長波長の半導体レーザー等の
光源を使用しながら高密度な情報の記録が可能となる。
とにより長波長の半導体レーザー等の光源を使用して高
密度な記録が可能な情報記録方法を提供する。 【構成】 情報記録時にレーザー光の強度を記録層を融
点以上に昇温させる強度ｐ２にパルス状に切り換えた
後、記録層を融点以下で結晶化温度以上に昇温させる強
度ｐ１に記録層上の強度ｐ１での照射領域２が強度ｐ２
での照射領域１と部分的に重なるようなタイミングで切
り換え、いったんアモルファス状態となった照射領域１
の記録層の照射領域２が重なる部分が再度結晶状態とな
り、照射領域１よりも小さい三日月形のアモルファス領
域からなる記録マーク３を形成するようにし、三日月形
の記録マーク３と略円形の記録マーク４及び長円形の記
録マーク５を組み合わせることによって、記録マーク間
隔の短縮や３値記録、マーク長記録における最短マーク
の縮小ができ、その結果、長波長の半導体レーザー等の
光源を使用しながら高密度な情報の記録が可能となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光記録媒体に対してレ
ーザー光等の光を照射することによって情報の記録を行
う情報記録方法に関するものである。
ーザー光等の光を照射することによって情報の記録を行
う情報記録方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、大容量で高密度なメモリーとして
光記録媒体が注目されており、現在、書換えが可能な消
去型と呼ばれるものの開発が進められている。この消去
型光記録媒体の一つとして、Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｂ合金薄膜
を記録層として用い、レーザー光の照射による熱エネル
ギーで記録層を部分的にアモルファス状態又は結晶状態
に相変化させ、この相変化によって情報の記録及び消去
を行うものがある。記録層のアモルファス化は記録層を
融点以上に加熱した後、一定値以上の速さで冷却するこ
とによって行われる。一方、記録層の結晶化は結晶化温
度以上融点以下の温度に加熱することによって行われ
る。
光記録媒体が注目されており、現在、書換えが可能な消
去型と呼ばれるものの開発が進められている。この消去
型光記録媒体の一つとして、Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｂ合金薄膜
を記録層として用い、レーザー光の照射による熱エネル
ギーで記録層を部分的にアモルファス状態又は結晶状態
に相変化させ、この相変化によって情報の記録及び消去
を行うものがある。記録層のアモルファス化は記録層を
融点以上に加熱した後、一定値以上の速さで冷却するこ
とによって行われる。一方、記録層の結晶化は結晶化温
度以上融点以下の温度に加熱することによって行われ
る。
【０００３】従来のこの種の光記録媒体及び情報記録方
法について、図４及び図５を参照しながら説明する。図
４は光記録媒体の断面図、図５は情報記録方法を説明す
る図で、（ａ）は情報記録時に光記録媒体に照射される
レーザー光の強度を示すタイミングチャートであり、
（ｂ）は上記光記録媒体の記録層上に形成された記録マ
ークの平面図である。
法について、図４及び図５を参照しながら説明する。図
４は光記録媒体の断面図、図５は情報記録方法を説明す
る図で、（ａ）は情報記録時に光記録媒体に照射される
レーザー光の強度を示すタイミングチャートであり、
（ｂ）は上記光記録媒体の記録層上に形成された記録マ
ークの平面図である。
【０００４】光記録媒体は、図４に示すように中心孔Ｃ
を有する円盤状のポリカーボネート製基板６の上に、Ｚ
ｎＳ−ＳｉＯ2 からなる下引き層７と、Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓ
ｂ合金からなる記録層８と、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 からなる
中間層９と、Ａｌ合金からなる反射層１０とが成膜さ
れ、樹脂保護層１１が表面に設けられている。この光記
録媒体に対してレーザー光を照射することによって情報
の記録を行う。
を有する円盤状のポリカーボネート製基板６の上に、Ｚ
ｎＳ−ＳｉＯ2 からなる下引き層７と、Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓ
ｂ合金からなる記録層８と、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 からなる
中間層９と、Ａｌ合金からなる反射層１０とが成膜さ
れ、樹脂保護層１１が表面に設けられている。この光記
録媒体に対してレーザー光を照射することによって情報
の記録を行う。
【０００５】情報の記録は、図５（ａ）に示すタイミン
グチャートに従い、レーザー光の強度をｐ１，ｐ２に切
り換えて行う。すなわちレーザー光の強度は、バイアス
レベルでは記録層を融点以下で且つ結晶化温度以上に昇
温させる強度ｐ１であり、記録マークを形成する強度
は、記録層を融点以上に昇温させる強度ｐ２であり、記
録マークを形成する際には一時的に強度ｐ２に切り換え
る。レーザー光の強度をｐ２へ切り換えることにより、
図５（ｂ）に示すように、光記録媒体の記録層上にアモ
ルファス状態の記録マーク１２が形成される。
グチャートに従い、レーザー光の強度をｐ１，ｐ２に切
り換えて行う。すなわちレーザー光の強度は、バイアス
レベルでは記録層を融点以下で且つ結晶化温度以上に昇
温させる強度ｐ１であり、記録マークを形成する強度
は、記録層を融点以上に昇温させる強度ｐ２であり、記
録マークを形成する際には一時的に強度ｐ２に切り換え
る。レーザー光の強度をｐ２へ切り換えることにより、
図５（ｂ）に示すように、光記録媒体の記録層上にアモ
ルファス状態の記録マーク１２が形成される。
【０００６】一方、記録された情報の再生は、記録層の
結晶状態を変化させない十分に弱い強度、ｐ０のレーザ
ー光を連続的に照射して、アモルファス状態と結晶状態
でのレーザー光の反射強度の違いにより情報を得てい
る。
結晶状態を変化させない十分に弱い強度、ｐ０のレーザ
ー光を連続的に照射して、アモルファス状態と結晶状態
でのレーザー光の反射強度の違いにより情報を得てい
る。
【０００７】上記のような光記録媒体に上記従来の２値
記録方式の情報記録方法を適用した場合、記録マークの
形状は記録層上でのレーザー光の照射領域と略一致す
る。従って、現在、情報の記録密度を高めるために、波
長の短いレーザー光を用いることによって記録層上での
レーザー光の照射領域を小さくし、記録密度を向上させ
る取り組みがなされている。
記録方式の情報記録方法を適用した場合、記録マークの
形状は記録層上でのレーザー光の照射領域と略一致す
る。従って、現在、情報の記録密度を高めるために、波
長の短いレーザー光を用いることによって記録層上での
レーザー光の照射領域を小さくし、記録密度を向上させ
る取り組みがなされている。
【０００８】
【発明が解決しょうとする課題】ところで、上述のよう
に情報記録時には記録層を融点以上に昇温させる必要が
ある。さらに、最近では、情報の記録速度を向上させる
ためにレーザー光を高速に走査させることが求められて
いる。これらの要求に応えるには高出力のレーザー光源
を必要とするが、短波長のレーザーは高出力を得るのが
困難であり、情報の記録密度の向上と記録速度の向上と
は両立させることが極めて困難であるという問題点があ
る。
に情報記録時には記録層を融点以上に昇温させる必要が
ある。さらに、最近では、情報の記録速度を向上させる
ためにレーザー光を高速に走査させることが求められて
いる。これらの要求に応えるには高出力のレーザー光源
を必要とするが、短波長のレーザーは高出力を得るのが
困難であり、情報の記録密度の向上と記録速度の向上と
は両立させることが極めて困難であるという問題点があ
る。
【０００９】本発明は上記問題点に鑑みてなされたもの
であって、安価で高出力の得られる長波長の半導体レー
ザー等の光源を使用しながら高密度な記録が可能な情報
記録方法を提供することを目的とする。
であって、安価で高出力の得られる長波長の半導体レー
ザー等の光源を使用しながら高密度な記録が可能な情報
記録方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本願の情報記録方法に係る第１の発明は、結晶状態
が可逆的に変化する記録層を有する光記録媒体に対して
光を走査しながら、その強度を変調して照射して上記記
録層に結晶状態が周囲と異なる記録マークを形成するこ
とによって情報の記録を行う情報記録方法であって、上
記記録層上に少なくとも光の照射領域よりも光の走査方
向の長さが短い三日月形の記録マークを形成することに
よって情報の記録を行うことを特徴とする。
め、本願の情報記録方法に係る第１の発明は、結晶状態
が可逆的に変化する記録層を有する光記録媒体に対して
光を走査しながら、その強度を変調して照射して上記記
録層に結晶状態が周囲と異なる記録マークを形成するこ
とによって情報の記録を行う情報記録方法であって、上
記記録層上に少なくとも光の照射領域よりも光の走査方
向の長さが短い三日月形の記録マークを形成することに
よって情報の記録を行うことを特徴とする。
【００１１】本願の情報記録方法に係る第２の発明は、
結晶状態が可逆的に変化する記録層を有する光記録媒体
に対して光を走査しながら、その強度を変調して照射す
ることにより上記記録層に結晶状態が周囲と異なる記録
マークを形成して情報の記録を行う情報記録方法であっ
て、上記記録層上に少なくとも略円形の記録マーク及び
光の照射領域よりも光の走査方向の長さが短い三日月形
の記録マークを形成することによって情報の記録を行う
ことを特徴とする。
結晶状態が可逆的に変化する記録層を有する光記録媒体
に対して光を走査しながら、その強度を変調して照射す
ることにより上記記録層に結晶状態が周囲と異なる記録
マークを形成して情報の記録を行う情報記録方法であっ
て、上記記録層上に少なくとも略円形の記録マーク及び
光の照射領域よりも光の走査方向の長さが短い三日月形
の記録マークを形成することによって情報の記録を行う
ことを特徴とする。
【００１２】本願の情報記録方法に係る第３の発明は、
上記記録層上に少なくとも略円形の記録マーク、光の照
射領域よりも光の走査方向の長さ長い長円形の記録マー
ク及び光の走査方向の長さが短い三日月形の記録マーク
を形成することによって情報の記録を行うことを特徴と
する。
上記記録層上に少なくとも略円形の記録マーク、光の照
射領域よりも光の走査方向の長さ長い長円形の記録マー
ク及び光の走査方向の長さが短い三日月形の記録マーク
を形成することによって情報の記録を行うことを特徴と
する。
【００１３】本願の情報記録方法に係る上記構成におい
て、上記三日月形の記録マークを形成する際に上記光記
録媒体に対して、上記記録層を融点以上に昇温させる強
度の第１のパルス光を照射した後、上記記録層を融点以
下で且つ結晶化温度以上に昇温させる強度の第２のパル
ス光を、その上記記録層上での照射領域が上記第１のパ
ルス光の照射領域と部分的に重なるように照射すること
が好ましい。
て、上記三日月形の記録マークを形成する際に上記光記
録媒体に対して、上記記録層を融点以上に昇温させる強
度の第１のパルス光を照射した後、上記記録層を融点以
下で且つ結晶化温度以上に昇温させる強度の第２のパル
ス光を、その上記記録層上での照射領域が上記第１のパ
ルス光の照射領域と部分的に重なるように照射すること
が好ましい。
【００１４】
【作用】上記第１の発明によれば、光を走査しながら光
の強度を変調して照射することにより、記録層上に周囲
と異なる結晶状態の三日月形の記録マークを、この三日
月の形が記録層上でのレーザー光等の光の照射領域より
も光の走査方向の長さを短く、形成する。このように情
報の記録を小さい記録マークを用いて行うようにしたの
で、安価で高出力の得られる長波長の半導体レーザー等
の光源を用いても短波長の光を用いるのと同様に小面積
で情報を記録でき、非常に高密度な情報の記録ができ
る。
の強度を変調して照射することにより、記録層上に周囲
と異なる結晶状態の三日月形の記録マークを、この三日
月の形が記録層上でのレーザー光等の光の照射領域より
も光の走査方向の長さを短く、形成する。このように情
報の記録を小さい記録マークを用いて行うようにしたの
で、安価で高出力の得られる長波長の半導体レーザー等
の光源を用いても短波長の光を用いるのと同様に小面積
で情報を記録でき、非常に高密度な情報の記録ができ
る。
【００１５】上記第２の発明によれば、上記のように記
録層上に少なくとも略円形の記録マーク及び記録層上で
の光の照射領域よりも走査方向の長さが短い三日月形の
記録マークを形成するので、未記録部分を含めると、３
種類の反射光量によるいわゆる３値記録が可能となり、
安価で高出力の長波長の半導体レーザー等の光源を用い
て短波長の光を用いるのと同様に、高密度に情報を記録
することができる。
録層上に少なくとも略円形の記録マーク及び記録層上で
の光の照射領域よりも走査方向の長さが短い三日月形の
記録マークを形成するので、未記録部分を含めると、３
種類の反射光量によるいわゆる３値記録が可能となり、
安価で高出力の長波長の半導体レーザー等の光源を用い
て短波長の光を用いるのと同様に、高密度に情報を記録
することができる。
【００１６】上記第３の発明によれば、上記のように、
少なくとも略円形の記録マーク、光の照射領域よりも光
の走査方向の長さが長い長円形の記録マーク及び光の走
査方向の長さが短い三日月形の記録マークを形成するの
で、安価で高出力の得られる長波長の半導体レーザー等
の光源を用いて各種の情報に応じて高密度に記録を行う
ことができる。
少なくとも略円形の記録マーク、光の照射領域よりも光
の走査方向の長さが長い長円形の記録マーク及び光の走
査方向の長さが短い三日月形の記録マークを形成するの
で、安価で高出力の得られる長波長の半導体レーザー等
の光源を用いて各種の情報に応じて高密度に記録を行う
ことができる。
【００１７】また、上記発明において、三日月形の記録
マークを形成する際に、上記記録層を融点以上に昇温さ
せる強度の第１のパルス光を照射した後、上記記録層を
融点以下で且つ結晶化温度以上に昇温させる強度の第２
のパルス光を、上記第１のパルス光の照射領域と記録層
上で部分的に重なるように照射することにより記録マー
クを形成するので、安価で高出力の得られる長波長の半
導体レーザー等の光源を使用でき、しかも高密度な情報
の記録ができる。
マークを形成する際に、上記記録層を融点以上に昇温さ
せる強度の第１のパルス光を照射した後、上記記録層を
融点以下で且つ結晶化温度以上に昇温させる強度の第２
のパルス光を、上記第１のパルス光の照射領域と記録層
上で部分的に重なるように照射することにより記録マー
クを形成するので、安価で高出力の得られる長波長の半
導体レーザー等の光源を使用でき、しかも高密度な情報
の記録ができる。
【００１８】
【実施例】以下、本発明の実施例について、図面を参照
しながら説明する。本実施例の情報記録方法の実施に使
用する記録媒体は従来と同様の光記録媒体が用いられ
る。
しながら説明する。本実施例の情報記録方法の実施に使
用する記録媒体は従来と同様の光記録媒体が用いられ
る。
【００１９】本実施例に係る情報記録方法の実施に用い
る光記録媒体は、図４にその断面図を示すように、中心
孔Ｃを有する円盤状のポリカーボネート製基板６の上
に、順次、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 からなる下引き層７と、Ｔ
ｅ−Ｇｅ−Ｓｂ合金からなる記録層８と、ＺｎＳ−Ｓｉ
Ｏ2 からなる中間層９と、Ａｌ合金からなる反射層１０
とが成膜され、樹脂保護層１１が設けられている。各層
の厚さは、それぞれ例えば、１７０ｎｍ、３０ｎｍ、３
０ｎｍ、１３０ｎｍ、１０μｍである。
る光記録媒体は、図４にその断面図を示すように、中心
孔Ｃを有する円盤状のポリカーボネート製基板６の上
に、順次、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 からなる下引き層７と、Ｔ
ｅ−Ｇｅ−Ｓｂ合金からなる記録層８と、ＺｎＳ−Ｓｉ
Ｏ2 からなる中間層９と、Ａｌ合金からなる反射層１０
とが成膜され、樹脂保護層１１が設けられている。各層
の厚さは、それぞれ例えば、１７０ｎｍ、３０ｎｍ、３
０ｎｍ、１３０ｎｍ、１０μｍである。
【００２０】（実施例１）図１は第１の実施例に係る情
報記録方法を説明する図で、（ａ）は情報記録時に光記
録媒体に照射されるレーザー光の強度を示すタイミング
チャートであり、（ｂ）は上記光記録媒体の記録層上に
形成された記録マークの平面図である。本実施例は、情
報記録時にレーザー光の照射領域よりも走査方向の長さ
が短い三日月形の記録マークを形成するものである。
報記録方法を説明する図で、（ａ）は情報記録時に光記
録媒体に照射されるレーザー光の強度を示すタイミング
チャートであり、（ｂ）は上記光記録媒体の記録層上に
形成された記録マークの平面図である。本実施例は、情
報記録時にレーザー光の照射領域よりも走査方向の長さ
が短い三日月形の記録マークを形成するものである。
【００２１】図１（ａ）に示すレーザー光のバイアスレ
ベルは再生時の強度ｐ０であり、図４における記録層８
の結晶状態を変化させない十分に弱い強度である。記録
マークを形成する際には、先ずレーザー光の強度を記録
層８を融点以上に昇温させる強度ｐ２にパルス状に切り
換える。その後、記録層８を融点以下で結晶化温度以上
に昇温させる強度ｐ１にパルス状に切り換える。このと
き、レーザー光の強度ｐ１への切り換えは、記録層８上
の強度ｐ１での照射領域２が強度ｐ２での照射領域１と
部分的に重なるようなタイミング（例えば、走査線速度
５ｍ／ｓｅｃの場合８０〜１００ｎｓｅｃ）で行う。こ
れによって、いったんアモルファス状態となった照射領
域１の記録層の照射領域２が重なる部分が再度結晶状態
となり、図１（ｂ）に示すように、三日月形のアモルフ
ァス領域からなる記録マーク３が形成される。この記録
マーク３は、レーザー光の走査方向の長さがレーザー光
の照射領域１よりも短いために、図５に示した従来の情
報記録方法を適用した場合に比べて記録マークの間隔を
短くすることができ、その結果、情報の記録密度を向上
させることが可能となる。
ベルは再生時の強度ｐ０であり、図４における記録層８
の結晶状態を変化させない十分に弱い強度である。記録
マークを形成する際には、先ずレーザー光の強度を記録
層８を融点以上に昇温させる強度ｐ２にパルス状に切り
換える。その後、記録層８を融点以下で結晶化温度以上
に昇温させる強度ｐ１にパルス状に切り換える。このと
き、レーザー光の強度ｐ１への切り換えは、記録層８上
の強度ｐ１での照射領域２が強度ｐ２での照射領域１と
部分的に重なるようなタイミング（例えば、走査線速度
５ｍ／ｓｅｃの場合８０〜１００ｎｓｅｃ）で行う。こ
れによって、いったんアモルファス状態となった照射領
域１の記録層の照射領域２が重なる部分が再度結晶状態
となり、図１（ｂ）に示すように、三日月形のアモルフ
ァス領域からなる記録マーク３が形成される。この記録
マーク３は、レーザー光の走査方向の長さがレーザー光
の照射領域１よりも短いために、図５に示した従来の情
報記録方法を適用した場合に比べて記録マークの間隔を
短くすることができ、その結果、情報の記録密度を向上
させることが可能となる。
【００２２】（実施例２）図２は第２の実施例の情報記
録方法を説明する図で、（ａ）は情報記録時に光記録媒
体に照射されるレーザー光の強度を示すタイミングチャ
ート図であり、（ｂ）は上記光記録媒体の記録層上に形
成された記録マークの平面図である。本実施例は、情報
記録時に略円形の記録マーク及びレーザー光の照射領域
よりも走査方向の長さが短い三日月形の記録マークを形
成するものである。
録方法を説明する図で、（ａ）は情報記録時に光記録媒
体に照射されるレーザー光の強度を示すタイミングチャ
ート図であり、（ｂ）は上記光記録媒体の記録層上に形
成された記録マークの平面図である。本実施例は、情報
記録時に略円形の記録マーク及びレーザー光の照射領域
よりも走査方向の長さが短い三日月形の記録マークを形
成するものである。
【００２３】図２（ａ）に示すレーザー光のバイアスレ
ベルは再生時の強度ｐ０であり、図４における記録層８
の結晶状態を変化させない十分に弱い強度である。略円
形の記録マークを形成する際には、レーザー光の強度を
記録層８を融点以上に昇温させる強度ｐ２にパルス状に
切り換える。これによって、レーザー光の照射領域とほ
ぼ一致する略円形のアモルファス領域からなる記録マー
ク４が形成される（図２（ｂ））。
ベルは再生時の強度ｐ０であり、図４における記録層８
の結晶状態を変化させない十分に弱い強度である。略円
形の記録マークを形成する際には、レーザー光の強度を
記録層８を融点以上に昇温させる強度ｐ２にパルス状に
切り換える。これによって、レーザー光の照射領域とほ
ぼ一致する略円形のアモルファス領域からなる記録マー
ク４が形成される（図２（ｂ））。
【００２４】また、三日月形の記録マークを形成する際
には、上記実施例１と同様に、レーザー光の強度を記録
層８を融点以上に昇温させる強度ｐ２にパルス状に切り
換えた後、記録層８を融点以下で結晶化温度以上に昇温
させる強度ｐ１にパルス状に切り換える。このとき、レ
ーザー光の強度ｐ１への切り換えを記録層８上の強度ｐ
１での照射領域２が強度ｐ２での照射領域１と部分的に
重なるようなタイミングで行う。これによって、いった
んアモルファス状態となった照射領域１の記録層の照射
領域２が重なる部分が再度結晶状態となり、図２（ｂ）
に示すように、三日月形のアモルファス領域からなる記
録マーク３が形成される。このようにして記録された情
報を再生する場合、強度ｐ０のレーザー光を走査させ
て、その反射光量の差によって記録マークの位置を認識
するのであるが、三日月形の記録マーク３は上述のよう
にレーザー光の照射領域よりも走査方向の長さが短いた
めに略円形の記録マーク４よりも反射光量が小さくな
る。つまり、未記録部分を含めて３種類の反射光量によ
る、いわゆる３値記録が可能となり、情報の記録密度を
向上させることができる。
には、上記実施例１と同様に、レーザー光の強度を記録
層８を融点以上に昇温させる強度ｐ２にパルス状に切り
換えた後、記録層８を融点以下で結晶化温度以上に昇温
させる強度ｐ１にパルス状に切り換える。このとき、レ
ーザー光の強度ｐ１への切り換えを記録層８上の強度ｐ
１での照射領域２が強度ｐ２での照射領域１と部分的に
重なるようなタイミングで行う。これによって、いった
んアモルファス状態となった照射領域１の記録層の照射
領域２が重なる部分が再度結晶状態となり、図２（ｂ）
に示すように、三日月形のアモルファス領域からなる記
録マーク３が形成される。このようにして記録された情
報を再生する場合、強度ｐ０のレーザー光を走査させ
て、その反射光量の差によって記録マークの位置を認識
するのであるが、三日月形の記録マーク３は上述のよう
にレーザー光の照射領域よりも走査方向の長さが短いた
めに略円形の記録マーク４よりも反射光量が小さくな
る。つまり、未記録部分を含めて３種類の反射光量によ
る、いわゆる３値記録が可能となり、情報の記録密度を
向上させることができる。
【００２５】（実施例３）図３は第３の実施例の情報記
録方法を説明する図で、（ａ）は情報記録時に光記録媒
体に照射されるレーザー光の強度を示すタイミングチャ
ート図であり、（ｂ）は上記光記録媒体の記録層上に形
成された記録マークの平面図である。本実施例は、情報
記録時に略円形の記録マーク及びレーザー光の走査方向
の長さが長い長円形の記録マーク及びレーザー光の照射
領域よりも走査方向の長さが短い三日月形の記録マーク
を形成するものである。
録方法を説明する図で、（ａ）は情報記録時に光記録媒
体に照射されるレーザー光の強度を示すタイミングチャ
ート図であり、（ｂ）は上記光記録媒体の記録層上に形
成された記録マークの平面図である。本実施例は、情報
記録時に略円形の記録マーク及びレーザー光の走査方向
の長さが長い長円形の記録マーク及びレーザー光の照射
領域よりも走査方向の長さが短い三日月形の記録マーク
を形成するものである。
【００２６】図３（ａ）に示すレーザー光のバイアスレ
ベルは再生時の強度ｐ０であり、図４における記録層８
の結晶状態を変化させない十分に弱い強度である。略円
形の記録マークを形成する際には、レーザー光の強度を
記録層８を融点以上に昇温させる強度ｐ２にパルス状に
切り換える。これによって、レーザー光の照射領域とほ
ぼ一致する略円形のアモルファス領域からなる記録マー
ク４が形成される。長円形の記録マーク５を形成する際
にはレーザー光の強度ｐ２のパルス幅を長くする。ま
た、三日月形の記録マークを形成する際には、レーザー
光の強度を記録層８を融点以上に昇温させる強度ｐ２に
パルス状に切り換えた後、記録層８を融点以下で結晶化
温度以上に昇温させる強度ｐ１にパルス状に切り換え
る。このとき、レーザー光の強度ｐ１への切り換えを記
録層８上の強度ｐ１での照射領域２が強度ｐ２での照射
領域１と部分的に重なるようなタイミングで行う。
ベルは再生時の強度ｐ０であり、図４における記録層８
の結晶状態を変化させない十分に弱い強度である。略円
形の記録マークを形成する際には、レーザー光の強度を
記録層８を融点以上に昇温させる強度ｐ２にパルス状に
切り換える。これによって、レーザー光の照射領域とほ
ぼ一致する略円形のアモルファス領域からなる記録マー
ク４が形成される。長円形の記録マーク５を形成する際
にはレーザー光の強度ｐ２のパルス幅を長くする。ま
た、三日月形の記録マークを形成する際には、レーザー
光の強度を記録層８を融点以上に昇温させる強度ｐ２に
パルス状に切り換えた後、記録層８を融点以下で結晶化
温度以上に昇温させる強度ｐ１にパルス状に切り換え
る。このとき、レーザー光の強度ｐ１への切り換えを記
録層８上の強度ｐ１での照射領域２が強度ｐ２での照射
領域１と部分的に重なるようなタイミングで行う。
【００２７】このように照射するレーザー光の強度を変
えることによって、図３（ｂ）に示すように，いったん
アモルファス状態となった照射領域１の記録層の照射領
域２が重なる部分が再度結晶状態となり、三日月形のア
モルファス領域からなる記録マーク３が形成される。し
たがって、記録マークの長さに情報をもたせるマーク長
記録において、最も短いマークをレーザー光の照射領域
よりも短くすることができる。その結果、情報の記録密
度を向上させることが可能となる。
えることによって、図３（ｂ）に示すように，いったん
アモルファス状態となった照射領域１の記録層の照射領
域２が重なる部分が再度結晶状態となり、三日月形のア
モルファス領域からなる記録マーク３が形成される。し
たがって、記録マークの長さに情報をもたせるマーク長
記録において、最も短いマークをレーザー光の照射領域
よりも短くすることができる。その結果、情報の記録密
度を向上させることが可能となる。
【００２８】ここで、強度ｐ１，ｐ２のレーザー光の強
度の具体的な設定値及び強度ｐ１，ｐ２のレーザー光の
照射時間は、光記録媒体の各層の材質や膜厚、レーザー
光の走査線速度等に応じて設定される。光記録媒体の各
層の材質を上記のように、それぞれ例えば、ＺｎＳ−Ｓ
ｉＯ2 、Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｂ合金、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 、Ａ
ｌ合金、樹脂から形成し、膜厚を、それぞれ例えば、１
７０ｎｍ、３０ｎｍ、３０ｎｍ、１３０ｎｍ、１０μｍ
とした場合、波長８３０ｎｍのレーザー光を用いて、走
査線速度を５ｍ／ｓｅｃ、ｐ０を１ｍＷ、ｐ１を１５ｍ
Ｗ、ｐ２を８ｍＷとして記録した。その結果、従来の記
録方法に比べて約２倍の記録量となった。
度の具体的な設定値及び強度ｐ１，ｐ２のレーザー光の
照射時間は、光記録媒体の各層の材質や膜厚、レーザー
光の走査線速度等に応じて設定される。光記録媒体の各
層の材質を上記のように、それぞれ例えば、ＺｎＳ−Ｓ
ｉＯ2 、Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｂ合金、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 、Ａ
ｌ合金、樹脂から形成し、膜厚を、それぞれ例えば、１
７０ｎｍ、３０ｎｍ、３０ｎｍ、１３０ｎｍ、１０μｍ
とした場合、波長８３０ｎｍのレーザー光を用いて、走
査線速度を５ｍ／ｓｅｃ、ｐ０を１ｍＷ、ｐ１を１５ｍ
Ｗ、ｐ２を８ｍＷとして記録した。その結果、従来の記
録方法に比べて約２倍の記録量となった。
【００２９】なお、上記実施例において光記録媒体をＴ
ｅ−Ｇｅ−Ｓｂ合金からなる層が成膜された例で説明し
たが、本発明はこれに限られず、他のアモルファス合金
等のレーザー光の照射により相変化し、それが検出でき
るものであれば適用することができる。また相の構成、
膜厚等も上記実施例に限られるものではない。
ｅ−Ｇｅ−Ｓｂ合金からなる層が成膜された例で説明し
たが、本発明はこれに限られず、他のアモルファス合金
等のレーザー光の照射により相変化し、それが検出でき
るものであれば適用することができる。また相の構成、
膜厚等も上記実施例に限られるものではない。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る情報
記録方法によると、記録層上でのレーザー光等の光の照
射領域よりも光の走査方向の長さが短い三日月形の記録
マークを形成することによって、あるいは三日月形の記
録マークと略円形の記録マーク及び長円形の記録マーク
を組み合わせて形成することによって、記録マーク間隔
の短縮や３値記録、マーク長記録における最短マークの
縮小ができる。その結果、安価で高出力の得られる長波
長の半導体レーザー等の光源を使用しながら高密度な情
報の記録が可能となる。
記録方法によると、記録層上でのレーザー光等の光の照
射領域よりも光の走査方向の長さが短い三日月形の記録
マークを形成することによって、あるいは三日月形の記
録マークと略円形の記録マーク及び長円形の記録マーク
を組み合わせて形成することによって、記録マーク間隔
の短縮や３値記録、マーク長記録における最短マークの
縮小ができる。その結果、安価で高出力の得られる長波
長の半導体レーザー等の光源を使用しながら高密度な情
報の記録が可能となる。
【図１】本発明の第１の実施例に係る情報記録方法を説
明する図で、（ａ）は当該情報記録方法に用いられるレ
ーザー光の強度変調波形を示すタイミングチャート図で
あり、（ｂ）は当該情報記録方法によって形成される記
録マークを示す平面図である。
明する図で、（ａ）は当該情報記録方法に用いられるレ
ーザー光の強度変調波形を示すタイミングチャート図で
あり、（ｂ）は当該情報記録方法によって形成される記
録マークを示す平面図である。
【図２】本発明の第２の実施例に係る情報記録方法を説
明する図で、（ａ）は当該情報記録方法に用いられるレ
ーザー光の強度変調波形を示すタイミングチャート図で
あり、（ｂ）は当該情報記録方法によって形成される記
録マークを示す平面図である。
明する図で、（ａ）は当該情報記録方法に用いられるレ
ーザー光の強度変調波形を示すタイミングチャート図で
あり、（ｂ）は当該情報記録方法によって形成される記
録マークを示す平面図である。
【図３】本発明の第３の実施例に係る情報記録方法を説
明する図で、（ａ）は当該情報記録方法に用いられるレ
ーザー光の強度変調波形を示すタイミングチャート図で
あり、（ｂ）は当該情報記録方法によって形成される記
録マークを示す平面図である。
明する図で、（ａ）は当該情報記録方法に用いられるレ
ーザー光の強度変調波形を示すタイミングチャート図で
あり、（ｂ）は当該情報記録方法によって形成される記
録マークを示す平面図である。
【図４】光記録媒体を示す断面図である。
【図５】従来の情報記録方法を説明する図で、（ａ）は
当該従来の情報記録方法に用いられるレーザー光の強度
変調波形を示すタイミングチャート図であり、（ｂ）は
当該従来の情報記録方法によって形成される記録マーク
を示す平面図である。
当該従来の情報記録方法に用いられるレーザー光の強度
変調波形を示すタイミングチャート図であり、（ｂ）は
当該従来の情報記録方法によって形成される記録マーク
を示す平面図である。
１，２ 照射領域 ３，４，５，１２ 記録マーク ６ 基板 ７ 下引き層 ８ 記録層 ９ 中間層 １０ 反射層 １１ 樹脂保護層
Claims (4)
- 【請求項１】 結晶状態が可逆的に変化する記録層を有
する光記録媒体に対して光を走査しながら、その強度を
変調して照射して上記記録層に結晶状態が周囲と異なる
記録マークを形成することによって情報の記録を行う情
報記録方法であって、上記記録層上に少なくとも光の照
射領域よりも光の走査方向の長さが短い三日月形の記録
マークを形成することによって情報の記録を行うことを
特徴とする情報記録方法。 - 【請求項２】 結晶状態が可逆的に変化する記録層を有
する光記録媒体に対して光を走査しながら、その強度を
変調して照射して上記記録層に結晶状態が周囲と異なる
記録マークを形成することによって情報の記録を行う情
報記録方法であって、上記記録層上に少なくとも略円形
の記録マーク及び光の照射領域よりも光の走査方向の長
さが短い三日月形の記録マークを形成することによって
情報の記録を行うことを特徴とする情報記録方法。 - 【請求項３】 結晶状態が可逆的に変化する記録層を有
する光記録媒体に対して光を走査しながら、その強度を
変調して照射して上記記録層に結晶状態が周囲と異なる
記録マークを形成することによって情報の記録を行う情
報記録方法であって、上記記録層上に少なくとも略円形
の記録マーク、光の照射領域よりも光の走査方向の長さ
が長い長円形の記録マーク及び光の走査方向の長さが短
い三日月形の記録マークを形成することによって情報の
記録を行うことを特徴とする情報記録方法。 - 【請求項４】 上記光記録媒体に対して上記三日月形の
記録マークを形成する際に、上記記録層を融点以上に昇
温させる強度の第１のパルス光を照射し、続いて記録層
を融点以下で且つ結晶化温度以上に昇温させる強度の第
２のパルス光を、照射領域が上記第１のパルス光の照射
領域と記録層上で部分的に重なるように照射することに
よって情報の記録を行う請求項１または２または３記載
の情報記録方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6286330A JPH08147698A (ja) | 1994-11-21 | 1994-11-21 | 情報記録方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6286330A JPH08147698A (ja) | 1994-11-21 | 1994-11-21 | 情報記録方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08147698A true JPH08147698A (ja) | 1996-06-07 |
Family
ID=17702998
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6286330A Pending JPH08147698A (ja) | 1994-11-21 | 1994-11-21 | 情報記録方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08147698A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6567367B2 (en) | 1998-10-26 | 2003-05-20 | Mitsubishi Chemical Corporation | Multilevel recording and reproduction method and phase change multilevel recording medium |
| US7038990B2 (en) | 2001-02-14 | 2006-05-02 | Ricoh Company, Ltd. | Method for optically recording information |
| KR100868325B1 (ko) * | 2006-02-03 | 2008-11-11 | 티디케이가부시기가이샤 | 초해상 광기록매체로의 정보기록방법 및 초해상 광기록매체 |
-
1994
- 1994-11-21 JP JP6286330A patent/JPH08147698A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6567367B2 (en) | 1998-10-26 | 2003-05-20 | Mitsubishi Chemical Corporation | Multilevel recording and reproduction method and phase change multilevel recording medium |
| US7038990B2 (en) | 2001-02-14 | 2006-05-02 | Ricoh Company, Ltd. | Method for optically recording information |
| KR100868325B1 (ko) * | 2006-02-03 | 2008-11-11 | 티디케이가부시기가이샤 | 초해상 광기록매체로의 정보기록방법 및 초해상 광기록매체 |
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