JPH06349065A - 情報記録消去方法 - Google Patents
情報記録消去方法Info
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- JPH06349065A JPH06349065A JP5137200A JP13720093A JPH06349065A JP H06349065 A JPH06349065 A JP H06349065A JP 5137200 A JP5137200 A JP 5137200A JP 13720093 A JP13720093 A JP 13720093A JP H06349065 A JPH06349065 A JP H06349065A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 凹状の単位記録領域の全域に亘る良好なアモ
ルファスマークの消去が可能な情報記録消去方法を提供
する。 【構成】 情報書換え時にレーザー光のバイアスレベル
を記録層４を融点以下で且つ結晶化温度以上に昇温させ
る強度ｐ１に設定する。単位記録領域２のアモルファス
状態のマークを消去する場合には、単位記録領域２の中
央平坦部に照射されるタイミングでレーザー光の強度を
バイアスレベルの強度ｐ１よりも弱い強度ｐ３に一時的
に切り換える。これによって、アモルファスマークの消
去時における単位記録領域２の中央平坦部と周辺傾斜部
との温度上昇がほぼ同一となる。
ルファスマークの消去が可能な情報記録消去方法を提供
する。 【構成】 情報書換え時にレーザー光のバイアスレベル
を記録層４を融点以下で且つ結晶化温度以上に昇温させ
る強度ｐ１に設定する。単位記録領域２のアモルファス
状態のマークを消去する場合には、単位記録領域２の中
央平坦部に照射されるタイミングでレーザー光の強度を
バイアスレベルの強度ｐ１よりも弱い強度ｐ３に一時的
に切り換える。これによって、アモルファスマークの消
去時における単位記録領域２の中央平坦部と周辺傾斜部
との温度上昇がほぼ同一となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光記録媒体に対してレ
ーザー光等の光を照射することによって情報の記録及び
消去を行う情報記録消去方法に関するものである。
ーザー光等の光を照射することによって情報の記録及び
消去を行う情報記録消去方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、大容量で高密度なメモリーとして
光記録媒体が注目されており、現在、書換えが可能な消
去型と呼ばれるものの開発が進められている。この消去
型光記録媒体の一つとして、Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｂ合金薄膜
を記録層として用い、レーザー光の照射による熱エネル
ギーで記録層をアモルファス状態と結晶状態との間で相
変化させることによって情報の記録及び消去を行うもの
がある。アモルファス化は記録層を融点以上に加熱した
後に所定値以上の速さで冷却することによって行われ
る。一方、結晶化は記録層を結晶化温度以上融点以下の
温度に加熱することによって行われる。
光記録媒体が注目されており、現在、書換えが可能な消
去型と呼ばれるものの開発が進められている。この消去
型光記録媒体の一つとして、Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｂ合金薄膜
を記録層として用い、レーザー光の照射による熱エネル
ギーで記録層をアモルファス状態と結晶状態との間で相
変化させることによって情報の記録及び消去を行うもの
がある。アモルファス化は記録層を融点以上に加熱した
後に所定値以上の速さで冷却することによって行われ
る。一方、結晶化は記録層を結晶化温度以上融点以下の
温度に加熱することによって行われる。
【０００３】また、最近では、例えば特開平４−１４１
８２８号公報に記載されるように、基板上に情報の１ビ
ット分に相当する凹状又は凸状の単位記録領域を形成
し、各単位記録領域間の熱的干渉を小さくし、ジッタや
ノイズの原因となる記録マークの大きさ等のばらつきを
抑制する試みがなされている。以下、図面を参照しなが
ら、この種の光記録媒体及び従来の情報記録消去方法に
ついて説明する。
８２８号公報に記載されるように、基板上に情報の１ビ
ット分に相当する凹状又は凸状の単位記録領域を形成
し、各単位記録領域間の熱的干渉を小さくし、ジッタや
ノイズの原因となる記録マークの大きさ等のばらつきを
抑制する試みがなされている。以下、図面を参照しなが
ら、この種の光記録媒体及び従来の情報記録消去方法に
ついて説明する。
【０００４】図２は光記録媒体の平面図であり、図２に
おいて、中心孔を有する円盤状のポリカーボネート製基
板１の一方の面に、平面視楕円形で断面視凹状の単位記
録領域２が円周状に連続して設けられている。
おいて、中心孔を有する円盤状のポリカーボネート製基
板１の一方の面に、平面視楕円形で断面視凹状の単位記
録領域２が円周状に連続して設けられている。
【０００５】図３（ａ）は光記録媒体の単位記録領域２
の形状を示す平面図であり、図３（ｂ）は同位置での光
記録媒体の断面図である。図３（ｂ）において、表面部
に楕円形の凹部１ａが形成された基板１上には、ＺｎＳ
−ＳｉＯ2 からなる下引き層３とＴｅ−Ｇｅ−Ｓｂ合金
からなる記録層４とＺｎＳ−ＳｉＯ2 からなる中間層５
とＡｌ合金からなる反射層６とが成膜され、反射層６の
全面を被覆して樹脂保護層７が設けられている。単位記
録領域２は、下引き層３における基板１の凹部１ａ上の
下引き層凹状部分と、記録層４における上記下引き層凹
状部分上の記録層凹状部分と、中間層５における上記記
録層凹状部分上の中間層凹状部分と、反射層６における
上記中間層凹状部分上の反射層凹状部分とによって構成
されている。
の形状を示す平面図であり、図３（ｂ）は同位置での光
記録媒体の断面図である。図３（ｂ）において、表面部
に楕円形の凹部１ａが形成された基板１上には、ＺｎＳ
−ＳｉＯ2 からなる下引き層３とＴｅ−Ｇｅ−Ｓｂ合金
からなる記録層４とＺｎＳ−ＳｉＯ2 からなる中間層５
とＡｌ合金からなる反射層６とが成膜され、反射層６の
全面を被覆して樹脂保護層７が設けられている。単位記
録領域２は、下引き層３における基板１の凹部１ａ上の
下引き層凹状部分と、記録層４における上記下引き層凹
状部分上の記録層凹状部分と、中間層５における上記記
録層凹状部分上の中間層凹状部分と、反射層６における
上記中間層凹状部分上の反射層凹状部分とによって構成
されている。
【０００６】図３（ｃ）は図３（ａ）及び（ｂ）に示す
光記録媒体の各部位に情報書換え時に照射されるレーザ
ー光の強度を示すタイミングチャート図である。図３
（ｃ）において、レーザー光のバイアスレベルは再生時
の強度ｐ０であり、記録層４の結晶状態を変化させない
十分に弱い強度である。単位記録領域２にアモルファス
状態のマークを形成する場合には、レーザー光の強度を
記録層４を融点以上に昇温させる強度ｐ２に一時的に切
り換える。一方、単位記録領域２のアモルファス状態の
マークを結晶化によって消去する場合には、レーザー光
の強度を記録層４を融点以下で且つ結晶化温度以上に昇
温させる強度ｐ１に一時的に切り換える。これにより、
情報の書換えが行なわれる。
光記録媒体の各部位に情報書換え時に照射されるレーザ
ー光の強度を示すタイミングチャート図である。図３
（ｃ）において、レーザー光のバイアスレベルは再生時
の強度ｐ０であり、記録層４の結晶状態を変化させない
十分に弱い強度である。単位記録領域２にアモルファス
状態のマークを形成する場合には、レーザー光の強度を
記録層４を融点以上に昇温させる強度ｐ２に一時的に切
り換える。一方、単位記録領域２のアモルファス状態の
マークを結晶化によって消去する場合には、レーザー光
の強度を記録層４を融点以下で且つ結晶化温度以上に昇
温させる強度ｐ１に一時的に切り換える。これにより、
情報の書換えが行なわれる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記光記録
媒体の単位記録領域２においては、凹状の各層の周辺傾
斜部の膜厚は中央平坦部に比べて薄くなっている。この
ため、単位記録領域２の周辺傾斜部では記録層４と反射
層６とが接近し、記録層４の冷却速度が大きい構造とな
っている。
媒体の単位記録領域２においては、凹状の各層の周辺傾
斜部の膜厚は中央平坦部に比べて薄くなっている。この
ため、単位記録領域２の周辺傾斜部では記録層４と反射
層６とが接近し、記録層４の冷却速度が大きい構造とな
っている。
【０００８】従って、このような光記録媒体に上記従来
の情報記録消去方法を適用すると、光記録媒体の単位記
録領域２における中央平坦部では温度の上昇が大きくな
り、周辺傾斜部では温度の上昇が小さくなる。このた
め、単位記録領域２の全域に亘る良好なアモルファスマ
ークの消去即ち結晶化を行なうことが困難であるという
問題点がある。これは、図３（ｃ）に示すレーザー光の
強度ｐ２が強い場合や形成されたアモルファスマークが
大きい場合に顕著である。
の情報記録消去方法を適用すると、光記録媒体の単位記
録領域２における中央平坦部では温度の上昇が大きくな
り、周辺傾斜部では温度の上昇が小さくなる。このた
め、単位記録領域２の全域に亘る良好なアモルファスマ
ークの消去即ち結晶化を行なうことが困難であるという
問題点がある。これは、図３（ｃ）に示すレーザー光の
強度ｐ２が強い場合や形成されたアモルファスマークが
大きい場合に顕著である。
【０００９】本発明は上記に鑑みなされたものであっ
て、単位記録領域の全域に亘る良好なアモルファスマー
クの消去が可能な情報記録消去方法を提供することを目
的とする。
て、単位記録領域の全域に亘る良好なアモルファスマー
クの消去が可能な情報記録消去方法を提供することを目
的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明は、情報書換え時において、照射されるレー
ザー光等の光のバイアスレベルを、記録層を融点以下で
且つ結晶化温度以上に昇温させる強度に設定しておき、
単位記録領域のアモルファスマークを消去する場合に単
位記録領域の中央部に照射される光の強度を上記バイア
スレベルよりも弱くするものである。
め、本発明は、情報書換え時において、照射されるレー
ザー光等の光のバイアスレベルを、記録層を融点以下で
且つ結晶化温度以上に昇温させる強度に設定しておき、
単位記録領域のアモルファスマークを消去する場合に単
位記録領域の中央部に照射される光の強度を上記バイア
スレベルよりも弱くするものである。
【００１１】具体的に本発明が講じた解決手段は、記録
層を含む凹状又は凸状の複数の層が基板上に積層されて
なり情報の１ビット分に相当する単位記録領域を有する
光記録媒体に対して光を照射することにより上記記録層
の結晶状態を変化させることによって情報の記録及び消
去を行なう情報記録消去方法を対象とし、上記単位記録
領域に対して情報の記録又は消去を行なう情報書換え時
において、上記光のバイアスレベルを上記記録層を融点
以下で且つ結晶化温度以上に昇温させる第１の強度に設
定しておき、上記単位記録領域に情報を記録する場合に
は上記単位記録領域に照射されるタイミングで上記光の
強度を上記記録層を融点以上に昇温させる第２の強度に
一時的に切り換える一方、上記単位記録領域の情報を消
去する場合には上記単位記録領域の中央部に照射される
タイミングで上記光の強度を上記第１の強度よりも弱い
第３の強度に一時的に切り換える構成とするものであ
る。
層を含む凹状又は凸状の複数の層が基板上に積層されて
なり情報の１ビット分に相当する単位記録領域を有する
光記録媒体に対して光を照射することにより上記記録層
の結晶状態を変化させることによって情報の記録及び消
去を行なう情報記録消去方法を対象とし、上記単位記録
領域に対して情報の記録又は消去を行なう情報書換え時
において、上記光のバイアスレベルを上記記録層を融点
以下で且つ結晶化温度以上に昇温させる第１の強度に設
定しておき、上記単位記録領域に情報を記録する場合に
は上記単位記録領域に照射されるタイミングで上記光の
強度を上記記録層を融点以上に昇温させる第２の強度に
一時的に切り換える一方、上記単位記録領域の情報を消
去する場合には上記単位記録領域の中央部に照射される
タイミングで上記光の強度を上記第１の強度よりも弱い
第３の強度に一時的に切り換える構成とするものであ
る。
【００１２】
【作用】上記の構成により、情報書換え時において、単
位記録領域の情報を消去する場合には、単位記録領域の
周辺部に記録層を融点以下で且つ結晶化温度以上に昇温
させる第１の強度であるバイアスレベルの光が照射され
ると共に、単位記録領域の中央部に上記第１の強度より
も弱い第３の強度の光が照射される。これにより、単位
記録領域の中央部と周辺部との温度上昇がほぼ同一とな
り、凹状又は凸状の記録層が均一に結晶化される。
位記録領域の情報を消去する場合には、単位記録領域の
周辺部に記録層を融点以下で且つ結晶化温度以上に昇温
させる第１の強度であるバイアスレベルの光が照射され
ると共に、単位記録領域の中央部に上記第１の強度より
も弱い第３の強度の光が照射される。これにより、単位
記録領域の中央部と周辺部との温度上昇がほぼ同一とな
り、凹状又は凸状の記録層が均一に結晶化される。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の一実施例について図面を参照
しながら説明する。
しながら説明する。
【００１４】上記実施例に係る情報記録消去方法は従来
の情報記録消去方法が適用された光記録媒体と同様のも
のに用いられる。
の情報記録消去方法が適用された光記録媒体と同様のも
のに用いられる。
【００１５】図２は上記実施例に係る情報記録消去方法
を用いる光記録媒体の平面図であり、図２において、中
心孔を有する円盤状のポリカーボネート製基板１の一方
の面に、平面視楕円形で断面視凹状の単位記録領域２が
円周状に連続して設けられている。
を用いる光記録媒体の平面図であり、図２において、中
心孔を有する円盤状のポリカーボネート製基板１の一方
の面に、平面視楕円形で断面視凹状の単位記録領域２が
円周状に連続して設けられている。
【００１６】図１（ａ）は光記録媒体の単位記録領域２
の形状を示す平面図であり、図１（ｂ）は同位置での光
記録媒体の断面図である。図１（ｂ）において、表面部
に楕円形の凹部１ａが形成された基板１上には、ＺｎＳ
−ＳｉＯ2 からなる下引き層３とＴｅ−Ｇｅ−Ｓｂ合金
からなる記録層４とＺｎＳ−ＳｉＯ2 からなる中間層５
とＡｌ合金からなる反射層６とが成膜され、反射層６の
全面を被覆して樹脂保護層７が設けられている。単位記
録領域２は、下引き層３における基板１の凹部１ａ上の
下引き層凹状部分と、記録層４における上記下引き層凹
状部分上の記録層凹状部分と、中間層５における上記記
録層凹状部分上の中間層凹状部分と、反射層６における
上記中間層凹状部分上の反射層凹状部分とによって構成
されている。なお、基板１の材質によっては下引き層３
を省略してもよい。
の形状を示す平面図であり、図１（ｂ）は同位置での光
記録媒体の断面図である。図１（ｂ）において、表面部
に楕円形の凹部１ａが形成された基板１上には、ＺｎＳ
−ＳｉＯ2 からなる下引き層３とＴｅ−Ｇｅ−Ｓｂ合金
からなる記録層４とＺｎＳ−ＳｉＯ2 からなる中間層５
とＡｌ合金からなる反射層６とが成膜され、反射層６の
全面を被覆して樹脂保護層７が設けられている。単位記
録領域２は、下引き層３における基板１の凹部１ａ上の
下引き層凹状部分と、記録層４における上記下引き層凹
状部分上の記録層凹状部分と、中間層５における上記記
録層凹状部分上の中間層凹状部分と、反射層６における
上記中間層凹状部分上の反射層凹状部分とによって構成
されている。なお、基板１の材質によっては下引き層３
を省略してもよい。
【００１７】図１（ｃ）は図１（ａ）及び（ｂ）に示す
光記録媒体の各部位に情報書換え時に照射されるレーザ
ー光の強度を示すタイミングチャート図である。図１
（ｃ）において、レーザー光のバイアスレベルを記録層
４を融点以下で且つ結晶化温度以上に昇温させる強度ｐ
１に設定する。単位記録領域２にアモルファス状態のマ
ークを形成する場合には、単位記録領域２に照射される
タイミングでレーザー光の強度を記録層４を融点以上に
昇温させる強度ｐ２に一時的に切り換える。一方、単位
記録領域２のアモルファス状態のマークを消去する場合
には、単位記録領域２の中央平坦部に照射されるタイミ
ングでレーザー光の強度をバイアスレベルの強度ｐ１よ
りも弱い強度ｐ３に一時的に切り換える。これによっ
て、アモルファスマークの消去時における単位記録領域
２の中央平坦部と周辺傾斜部との温度上昇がほぼ同一と
なり、単位記録領域２の全域に亘る良好なアモルファス
マークの消去が可能となる。
光記録媒体の各部位に情報書換え時に照射されるレーザ
ー光の強度を示すタイミングチャート図である。図１
（ｃ）において、レーザー光のバイアスレベルを記録層
４を融点以下で且つ結晶化温度以上に昇温させる強度ｐ
１に設定する。単位記録領域２にアモルファス状態のマ
ークを形成する場合には、単位記録領域２に照射される
タイミングでレーザー光の強度を記録層４を融点以上に
昇温させる強度ｐ２に一時的に切り換える。一方、単位
記録領域２のアモルファス状態のマークを消去する場合
には、単位記録領域２の中央平坦部に照射されるタイミ
ングでレーザー光の強度をバイアスレベルの強度ｐ１よ
りも弱い強度ｐ３に一時的に切り換える。これによっ
て、アモルファスマークの消去時における単位記録領域
２の中央平坦部と周辺傾斜部との温度上昇がほぼ同一と
なり、単位記録領域２の全域に亘る良好なアモルファス
マークの消去が可能となる。
【００１８】ここで、強度ｐ１，ｐ２，ｐ３のレーザー
光の強度の具体的な設定値及び強度ｐ２，ｐ３のレーザ
ー光の照射時間は、光記録媒体の単位記録領域２の各層
の材質や膜厚、単位記録領域２の大きさ、レーザー光の
走査線速度等に応じて設定される。
光の強度の具体的な設定値及び強度ｐ２，ｐ３のレーザ
ー光の照射時間は、光記録媒体の単位記録領域２の各層
の材質や膜厚、単位記録領域２の大きさ、レーザー光の
走査線速度等に応じて設定される。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る情報
記録消去方法によると、情報書換え時に単位記録領域の
情報を消去する場合には、単位記録領域の周辺部に記録
層を融点以下で且つ結晶化温度以上に昇温させる強度で
あるバイアスレベルの光が照射され、単位記録領域の中
央部に上記バイアスレベルよりも弱い強度の光が照射さ
れるため、単位記録領域の中央部と周辺部との温度上昇
をほぼ同一にすることができるので凹状又は凸状の記録
層を均一に結晶化することができる。従って、単位記録
領域の全域に亘る良好なアモルファスマークの消去が可
能となる。
記録消去方法によると、情報書換え時に単位記録領域の
情報を消去する場合には、単位記録領域の周辺部に記録
層を融点以下で且つ結晶化温度以上に昇温させる強度で
あるバイアスレベルの光が照射され、単位記録領域の中
央部に上記バイアスレベルよりも弱い強度の光が照射さ
れるため、単位記録領域の中央部と周辺部との温度上昇
をほぼ同一にすることができるので凹状又は凸状の記録
層を均一に結晶化することができる。従って、単位記録
領域の全域に亘る良好なアモルファスマークの消去が可
能となる。
【図１】本発明の一実施例に係る情報記録消去方法を示
しており、（ａ）は当該情報記録消去方法を用いる光記
録媒体の単位記録領域を示す平面図であり、（ｂ）は当
該情報記録消去方法を用いる光記録媒体を示す断面図で
あり、（ｃ）は当該情報記録消去方法に用いられるレー
ザー光の強度変調波形を示すタイミングチャート図であ
る。
しており、（ａ）は当該情報記録消去方法を用いる光記
録媒体の単位記録領域を示す平面図であり、（ｂ）は当
該情報記録消去方法を用いる光記録媒体を示す断面図で
あり、（ｃ）は当該情報記録消去方法に用いられるレー
ザー光の強度変調波形を示すタイミングチャート図であ
る。
【図２】光記録媒体を示す平面図である。
【図３】従来の情報記録消去方法を示しており、（ａ）
は当該従来の情報記録消去方法を用いる光記録媒体の単
位記録領域を示す平面図であり、（ｂ）は当該従来の情
報記録消去方法を用いる光記録媒体を示す断面図であ
り、（ｃ）は当該従来の情報記録消去方法に用いられる
レーザー光の強度変調波形を示すタイミングチャート図
である。
は当該従来の情報記録消去方法を用いる光記録媒体の単
位記録領域を示す平面図であり、（ｂ）は当該従来の情
報記録消去方法を用いる光記録媒体を示す断面図であ
り、（ｃ）は当該従来の情報記録消去方法に用いられる
レーザー光の強度変調波形を示すタイミングチャート図
である。
１ 基板 １ａ 凹部 ２ 単位記録領域 ３ 下引き層 ４ 記録層 ５ 中間層 ６ 反射層 ７ 樹脂保護層
Claims (1)
- 【請求項１】 記録層を含む凹状又は凸状の複数の層が
基板上に積層されてなり情報の１ビット分に相当する単
位記録領域を有する光記録媒体に対して光を照射するこ
とにより上記記録層の結晶状態を変化させることによっ
て情報の記録及び消去を行なう情報記録消去方法であっ
て、 上記単位記録領域に対して情報の記録又は消去を行なう
情報書換え時において、上記光のバイアスレベルを上記
記録層を融点以下で且つ結晶化温度以上に昇温させる第
１の強度に設定しておき、上記単位記録領域に情報を記
録する場合には上記単位記録領域に照射されるタイミン
グで上記光の強度を上記記録層を融点以上に昇温させる
第２の強度に一時的に切り換える一方、上記単位記録領
域の情報を消去する場合には上記単位記録領域の中央部
に照射されるタイミングで上記光の強度を上記第１の強
度よりも弱い第３の強度に一時的に切り換えることを特
徴とする情報記録消去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5137200A JPH06349065A (ja) | 1993-06-08 | 1993-06-08 | 情報記録消去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5137200A JPH06349065A (ja) | 1993-06-08 | 1993-06-08 | 情報記録消去方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06349065A true JPH06349065A (ja) | 1994-12-22 |
Family
ID=15193136
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5137200A Withdrawn JPH06349065A (ja) | 1993-06-08 | 1993-06-08 | 情報記録消去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06349065A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5956357A (en) * | 1996-08-30 | 1999-09-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Laser diode driving apparatus using attenuated waveform |
-
1993
- 1993-06-08 JP JP5137200A patent/JPH06349065A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5956357A (en) * | 1996-08-30 | 1999-09-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Laser diode driving apparatus using attenuated waveform |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000905 |