JPH08148337A - 積層チップインダクタとその製造方法 - Google Patents
積層チップインダクタとその製造方法Info
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- JPH08148337A JPH08148337A JP6309528A JP30952894A JPH08148337A JP H08148337 A JPH08148337 A JP H08148337A JP 6309528 A JP6309528 A JP 6309528A JP 30952894 A JP30952894 A JP 30952894A JP H08148337 A JPH08148337 A JP H08148337A
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Landscapes
- Soft Magnetic Materials (AREA)
- Manufacturing Cores, Coils, And Magnets (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 インダクタンス値（Ｌ値）が更に大きく、し
かも高温多湿の環境下におけるＬ値の変化率の更に小さ
な積層チップインダクタとその製造方法を提供すること
を目的とする。 【構成】 積層連結された導体パターンからなるコイル
がフェライト素体の内部に形成されている積層チップイ
ンダクタにおいて、３個以上のフェライト結晶粒子で囲
まれた部分に余剰金属を析出させた。余剰金属は前記フ
ェライト素体内に析出した全金属の２０ｗｔ％以上が好
ましい。この積層チップインダクタはフェライトと導体
パターンとを順次積層して、フェライト素体の内部に積
層連結された導体パターンからなるコイルが形成された
積層体を形成し、該積層体を焼成し、該積層体を６００
〜９００℃で０．５〜２時間保持し、冷却後、外部端子
を各々形成することにより得ることができる。
かも高温多湿の環境下におけるＬ値の変化率の更に小さ
な積層チップインダクタとその製造方法を提供すること
を目的とする。 【構成】 積層連結された導体パターンからなるコイル
がフェライト素体の内部に形成されている積層チップイ
ンダクタにおいて、３個以上のフェライト結晶粒子で囲
まれた部分に余剰金属を析出させた。余剰金属は前記フ
ェライト素体内に析出した全金属の２０ｗｔ％以上が好
ましい。この積層チップインダクタはフェライトと導体
パターンとを順次積層して、フェライト素体の内部に積
層連結された導体パターンからなるコイルが形成された
積層体を形成し、該積層体を焼成し、該積層体を６００
〜９００℃で０．５〜２時間保持し、冷却後、外部端子
を各々形成することにより得ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は積層連結された導体パ
ターンからなるコイルがフェライト素体の内部に形成さ
れている積層チップインダクタとその製造方法に関する
ものである。
ターンからなるコイルがフェライト素体の内部に形成さ
れている積層チップインダクタとその製造方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】積層チップインダクタは、一般に、フェ
ライトと導体パターンとを順次積層して、積層連結され
た導体パターンからなるコイルがフェライト素体の内部
に形成された積層体を形成し、焼成した後、該積層体に
外部端子を各々形成して製造されている。
ライトと導体パターンとを順次積層して、積層連結され
た導体パターンからなるコイルがフェライト素体の内部
に形成された積層体を形成し、焼成した後、該積層体に
外部端子を各々形成して製造されている。
【０００３】ここで、フェライトとしては、最近、Ｎｉ
−Ｚｎ−Ｃｕ系の磁性体材料が広く使用されてきてい
る。これは、８００〜９００℃という低温で焼成でき
る、すなわちＡｇ系の導電性ペーストを内部導体の材料
として使用できるという理由、そして、フェライト素体
の抵抗率が高くなり、積層チップインダクタの電気的特
性が良好になるという理由からである。
−Ｚｎ−Ｃｕ系の磁性体材料が広く使用されてきてい
る。これは、８００〜９００℃という低温で焼成でき
る、すなわちＡｇ系の導電性ペーストを内部導体の材料
として使用できるという理由、そして、フェライト素体
の抵抗率が高くなり、積層チップインダクタの電気的特
性が良好になるという理由からである。
【０００４】なお、フェライトと導体パターンの積層
は、導体パターンを形成したフェライトグリンシートを
積層していくグリーンシート法か、フェライトのスラリ
ーと導電性ペーストのパターンとを順次印刷するスラリ
ービルト法のいずれかにより行なわれている。外部端子
は、形成された積層体のコイル露出面に導電性ペースト
を塗布して焼付け、Ｎｉメッキ、Ｓｎ／Ｐｂメッキを施
して形成されている。
は、導体パターンを形成したフェライトグリンシートを
積層していくグリーンシート法か、フェライトのスラリ
ーと導電性ペーストのパターンとを順次印刷するスラリ
ービルト法のいずれかにより行なわれている。外部端子
は、形成された積層体のコイル露出面に導電性ペースト
を塗布して焼付け、Ｎｉメッキ、Ｓｎ／Ｐｂメッキを施
して形成されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年におけ
る電子機器の小型化、高性能化、高信頼性化、多機能化
の流れは、電子部品の小型化及び諸特性の更なる向上を
求めており、積層チップインダクタについてはインダク
タンス値（Ｌ値）が更に大きく、しかも高温多湿の環境
下におけるＬ値の変化率が更に小さなものが求められて
いる。
る電子機器の小型化、高性能化、高信頼性化、多機能化
の流れは、電子部品の小型化及び諸特性の更なる向上を
求めており、積層チップインダクタについてはインダク
タンス値（Ｌ値）が更に大きく、しかも高温多湿の環境
下におけるＬ値の変化率が更に小さなものが求められて
いる。
【０００６】この発明は、インダクタンス値（Ｌ値）が
更に大きく、しかも高温多湿の環境下におけるＬ値の変
化率の更に小さな積層チップインダクタとその製造方法
を提供することを目的とする。
更に大きく、しかも高温多湿の環境下におけるＬ値の変
化率の更に小さな積層チップインダクタとその製造方法
を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項１に記載されているように、積層連結された
導体パターンからなるコイルがフェライト素体の内部に
形成されている積層チップインダクタにおいて、３個以
上のフェライト結晶粒子で囲まれた部分（多重粒子結合
点）に金属を析出させた。ここで、前記金属は、前記フ
ェライト素体内に析出した全金属の２０ｗｔ％以上が好
ましい。
め、請求項１に記載されているように、積層連結された
導体パターンからなるコイルがフェライト素体の内部に
形成されている積層チップインダクタにおいて、３個以
上のフェライト結晶粒子で囲まれた部分（多重粒子結合
点）に金属を析出させた。ここで、前記金属は、前記フ
ェライト素体内に析出した全金属の２０ｗｔ％以上が好
ましい。
【０００８】この積層チップインダクタは、請求項７に
記載されているように、フェライトと導体パターンとを
順次積層して、積層連結された導体パターンからなるコ
イルがフェライト素体の内部に形成された積層体を形成
し、該積層体を焼成し、外部端子を各々形成してなる積
層チップインダクタの製造方法において、前記積層体を
焼成した後に該積層体を６００〜９００℃で０．５〜２
時間保持することにより製造することができる。
記載されているように、フェライトと導体パターンとを
順次積層して、積層連結された導体パターンからなるコ
イルがフェライト素体の内部に形成された積層体を形成
し、該積層体を焼成し、外部端子を各々形成してなる積
層チップインダクタの製造方法において、前記積層体を
焼成した後に該積層体を６００〜９００℃で０．５〜２
時間保持することにより製造することができる。
【０００９】ここで、保持温度が６００℃未満の場合、
析出金属を多重粒子接合点に集合させることができず、
９００℃を超えると積層チップインダクタの特性が悪化
するからである。また、０．５時間未満では析出金属を
多重粒子接合点に集合させることができず、２時間を超
えると焼成コストが無駄になるからである。
析出金属を多重粒子接合点に集合させることができず、
９００℃を超えると積層チップインダクタの特性が悪化
するからである。また、０．５時間未満では析出金属を
多重粒子接合点に集合させることができず、２時間を超
えると焼成コストが無駄になるからである。
【００１０】上記の積層チップインダクタ及びその製造
方法において、フェライト素体を形成しているフェライ
トとしては、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系のフェライトを挙げる
ことができるが、これ以外にＮｉ−Ｚｎ系、Ｎｉ−Ｃｕ
系、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｍｎ系、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｔｉ系、Ｎｉ−
Ｚｎ−Ｃｏ系又はＮｉ−Ｚｎ−Ｌｉ系のフェライトであ
ってもよい。
方法において、フェライト素体を形成しているフェライ
トとしては、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系のフェライトを挙げる
ことができるが、これ以外にＮｉ−Ｚｎ系、Ｎｉ−Ｃｕ
系、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｍｎ系、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｔｉ系、Ｎｉ−
Ｚｎ−Ｃｏ系又はＮｉ−Ｚｎ−Ｌｉ系のフェライトであ
ってもよい。
【００１１】導体パターンは、Ａｇ又はＡｇ−Ｐｄを主
成分とする導電性ペーストにより形成することができる
が、これ以外にＡｕ，Ａｇ−Ａｕ，Ｃｕ，Ａｇ−Ｃｕ又
はＰｄを主成分とする導電性ペーストにより形成しても
よい。
成分とする導電性ペーストにより形成することができる
が、これ以外にＡｕ，Ａｇ−Ａｕ，Ｃｕ，Ａｇ−Ｃｕ又
はＰｄを主成分とする導電性ペーストにより形成しても
よい。
【００１２】フェライト素体中における金属の析出は、
フェライト結晶粒子中のＦｅ2 Ｏ3の割合が５０ｍｏｌ
％未満の場合に生じ易い。この金属は、フェライト結晶
粒子がＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系で、導体パターンがＡｇを主
成分とする導電性ペーストからなる場合、表面が酸化さ
れたＣｕ及び／又はＡｇとなる。
フェライト結晶粒子中のＦｅ2 Ｏ3の割合が５０ｍｏｌ
％未満の場合に生じ易い。この金属は、フェライト結晶
粒子がＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系で、導体パターンがＡｇを主
成分とする導電性ペーストからなる場合、表面が酸化さ
れたＣｕ及び／又はＡｇとなる。
【００１３】積層体の焼成後における冷却は、２５℃／
ｍｉｎ以下の冷却速度で行なうのが好ましい。積層体の
冷却パターンは、積層体を単純に徐冷する方法以外に、
積層体を焼成後、所望温度まで冷却し、その温度で所定
時間保持し、その後常温まで冷却する方法、一旦常温に
冷却した後、所望温度まで再加熱し、その温度で所定時
間保持し、その後常温まで冷却する方法などを挙げるこ
とができる。
ｍｉｎ以下の冷却速度で行なうのが好ましい。積層体の
冷却パターンは、積層体を単純に徐冷する方法以外に、
積層体を焼成後、所望温度まで冷却し、その温度で所定
時間保持し、その後常温まで冷却する方法、一旦常温に
冷却した後、所望温度まで再加熱し、その温度で所定時
間保持し、その後常温まで冷却する方法などを挙げるこ
とができる。
【００１４】なお、フェライト素体はガラスを０．５ｗ
ｔ％以下であれば含んでいてもよい。また、前記積層体
は、グリーンシート法で形成してもよいし、スラリービ
ルト法により形成してもよい。
ｔ％以下であれば含んでいてもよい。また、前記積層体
は、グリーンシート法で形成してもよいし、スラリービ
ルト法により形成してもよい。
【００１５】
【作用】請求項１〜６記載の積層チップインダクタによ
れば、フェライト素体を構成しているフェライト結晶粒
子から析出した余剰金属が３個以上のフェライト結晶粒
子で囲まれた部分に還元析出するので、結晶粒子内部の
粒界近傍に析出していた余剰金属によって該結晶粒子が
受けていた内部応力が減少する。
れば、フェライト素体を構成しているフェライト結晶粒
子から析出した余剰金属が３個以上のフェライト結晶粒
子で囲まれた部分に還元析出するので、結晶粒子内部の
粒界近傍に析出していた余剰金属によって該結晶粒子が
受けていた内部応力が減少する。
【００１６】請求項７〜１４記載の積層チップインダク
タの製造方法によれば、フェライト素体を構成している
フェライト結晶粒子から析出した金属及び導体パターン
から拡散した金属が、３個以上の結晶粒子が囲んでいる
空間部分（多重粒子結合点）に析出する。
タの製造方法によれば、フェライト素体を構成している
フェライト結晶粒子から析出した金属及び導体パターン
から拡散した金属が、３個以上の結晶粒子が囲んでいる
空間部分（多重粒子結合点）に析出する。
【００１７】請求項６，１１の積層チップインダクタ又
はその製造方法によれば、フェライト結晶粒子から析出
した金属及び導体パターンから拡散した金属が結晶粒界
においてガラス中に吸収される。
はその製造方法によれば、フェライト結晶粒子から析出
した金属及び導体パターンから拡散した金属が結晶粒界
においてガラス中に吸収される。
【００１８】
実施例１〜６ まず、下記の表１に示す組成比で、Ｆｅ2 Ｏ3 ，Ｎｉ
Ｏ，ＺｎＯ及びＣｕＯの粉末を秤量し、これに水を加え
てボールミルで１５時間撹拌した後、スプレー式乾燥機
によりスプレー乾燥して、混合粉末を得た。
Ｏ，ＺｎＯ及びＣｕＯの粉末を秤量し、これに水を加え
てボールミルで１５時間撹拌した後、スプレー式乾燥機
によりスプレー乾燥して、混合粉末を得た。
【００１９】
【表１】
【００２０】次に、この混合粉末を８００℃で１時間仮
焼し、得られた仮焼物をボールミルに入れ、水を加えて
１５時間解砕した。そして、得られたスラリーをスプレ
ー乾燥機によりスプレー乾燥して、仮焼物の粉末を得
た。
焼し、得られた仮焼物をボールミルに入れ、水を加えて
１５時間解砕した。そして、得られたスラリーをスプレ
ー乾燥機によりスプレー乾燥して、仮焼物の粉末を得
た。
【００２１】次に、この粉末に有機バインダー及び有機
溶剤を加えて混練し、得られたスラリーを用い、ドクタ
ーブレード法によって厚さ５０μｍのフェライトグリー
ンシートを作成した。
溶剤を加えて混練し、得られたスラリーを用い、ドクタ
ーブレード法によって厚さ５０μｍのフェライトグリー
ンシートを作成した。
【００２２】次に、上記のようにして作成したフェライ
トグリーンシートの所定の位置に複数のスルーホールを
形成し、一方の主面上に導電性ペースト（Ａｇ主成分）
により、積層してスルーホール接続することによってら
せん状のコイルが構成される導体パターンを形成した。
トグリーンシートの所定の位置に複数のスルーホールを
形成し、一方の主面上に導電性ペースト（Ａｇ主成分）
により、積層してスルーホール接続することによってら
せん状のコイルが構成される導体パターンを形成した。
【００２３】次に、このフェライトグリーンシートを所
定の順序で積層し、フェライト素体の内部に巻数が６の
コイルが複数個埋設された積層体を得た。得られた積層
体は所定のチップ寸法に裁断し、９００℃の温度で焼成
し、冷却速度を３℃，５℃，１０℃，１５℃，２０℃，
２５℃／ｍｉｎで冷却した。
定の順序で積層し、フェライト素体の内部に巻数が６の
コイルが複数個埋設された積層体を得た。得られた積層
体は所定のチップ寸法に裁断し、９００℃の温度で焼成
し、冷却速度を３℃，５℃，１０℃，１５℃，２０℃，
２５℃／ｍｉｎで冷却した。
【００２４】冷却後、積層体のコイル末端部の導出面に
銀ペーストを塗布し、これを６００℃の温度で焼き付
け、Ｎｉメッキ、Ｓｎ／Ｐｂメッキを施して外部電極を
形成した。
銀ペーストを塗布し、これを６００℃の温度で焼き付
け、Ｎｉメッキ、Ｓｎ／Ｐｂメッキを施して外部電極を
形成した。
【００２５】上記のようにして多数の積層チップインダ
クタを作成し、その中から無作為に１００個を選出し、
市販のインピーダンスアナライザーによりインダクタン
ス（Ｌ値）を測定したところ、表２の実施例１〜６に示
す通りとなった。
クタを作成し、その中から無作為に１００個を選出し、
市販のインピーダンスアナライザーによりインダクタン
ス（Ｌ値）を測定したところ、表２の実施例１〜６に示
す通りとなった。
【００２６】また、この積層チップインダクタを温度６
０℃、湿度９０〜９５％の環境下に置き、１０ｍＡの電
流を流してＬ値の変化率を測定したところ、表２の実施
例１〜６に示す通りとなった。
０℃、湿度９０〜９５％の環境下に置き、１０ｍＡの電
流を流してＬ値の変化率を測定したところ、表２の実施
例１〜６に示す通りとなった。
【００２７】比較例１ 冷却速度を３０℃／ｍｉｎとした他は実施例１〜６と同
じ条件で積層インダクタを作成、Ｌ値及びその変化率を
求めたところ、表２の比較例１に示す通りとなった。
じ条件で積層インダクタを作成、Ｌ値及びその変化率を
求めたところ、表２の比較例１に示す通りとなった。
【００２８】
【表２】
【００２９】積層体の焼成後における冷却速度が２５℃
／ｍｉｎ以下の場合は、実施例１〜６に示すように、所
望のＬ値を有し且つ高温多湿環境下におけるＬ値の変化
率が小さい積層チップインダクタが得られ、２５℃／ｍ
ｉｎを越えると、比較例１に示すように、Ｌ値が許容範
囲から外れ、高温多湿環境下におけるＬ値の変化率が大
きくなることがわかる。
／ｍｉｎ以下の場合は、実施例１〜６に示すように、所
望のＬ値を有し且つ高温多湿環境下におけるＬ値の変化
率が小さい積層チップインダクタが得られ、２５℃／ｍ
ｉｎを越えると、比較例１に示すように、Ｌ値が許容範
囲から外れ、高温多湿環境下におけるＬ値の変化率が大
きくなることがわかる。
【００３０】次に、実施例１〜６及び比較例１の積層チ
ップインダクタのフェライト素体中に析出した全金属に
対する多重粒子結合点における金属の割合を面積比で求
めたところ、表２に示す通りとなった。なお、図１はフ
ェライト素体の結晶粒を拡大して示した説明図であり、
同図において、２は結晶粒、４は多重粒子結合点であ
る。
ップインダクタのフェライト素体中に析出した全金属に
対する多重粒子結合点における金属の割合を面積比で求
めたところ、表２に示す通りとなった。なお、図１はフ
ェライト素体の結晶粒を拡大して示した説明図であり、
同図において、２は結晶粒、４は多重粒子結合点であ
る。
【００３１】表２に示された結果から、全析出金属の２
０ｗｔ％以上の金属が多重粒子結合点に析出すれば、積
層チップインダクタのインダクタンス値（Ｌ値）及びそ
の変化率が良くなることがわかる。
０ｗｔ％以上の金属が多重粒子結合点に析出すれば、積
層チップインダクタのインダクタンス値（Ｌ値）及びそ
の変化率が良くなることがわかる。
【００３２】また、以上の結果から考えると、実施例１
〜６の積層チップインダクタの磁気的特性が向上するの
は、フェライト素体を構成しているフェライトの結晶粒
から析出した金属成分が徐冷によって結晶粒界から多重
粒子結合点に移動し、結晶粒が受けていた内部応力が大
幅に減少するためと思われる。
〜６の積層チップインダクタの磁気的特性が向上するの
は、フェライト素体を構成しているフェライトの結晶粒
から析出した金属成分が徐冷によって結晶粒界から多重
粒子結合点に移動し、結晶粒が受けていた内部応力が大
幅に減少するためと思われる。
【００３３】実施例７〜９ 導電性ペーストとして、Ａｇ−Ｐｄ，Ａｇ−Ａｕ及びＡ
ｇ−Ｃｕを主成分とするものを使用した以外は実施例４
と同じ条件で実験をしたところ、実施例４とほゞ同様の
結果が得られた。
ｇ−Ｃｕを主成分とするものを使用した以外は実施例４
と同じ条件で実験をしたところ、実施例４とほゞ同様の
結果が得られた。
【００３４】
【発明の効果】この発明によれば、フェライト素体を構
成しているフェライトの結晶粒に作用している内部応力
が小さくなるので、インダクタンス値（Ｌ値）が向上
し、高温多湿の環境下におけるＬ値の変化率が小さくな
るという効果がある。
成しているフェライトの結晶粒に作用している内部応力
が小さくなるので、インダクタンス値（Ｌ値）が向上
し、高温多湿の環境下におけるＬ値の変化率が小さくな
るという効果がある。
【図１】図１はフェライト素体の結晶粒を拡大して示し
た説明図である。
た説明図である。
２ 結晶粒 ４ 多重粒子結合点
Claims (14)
- 【請求項１】 積層連結された導体パターンからなるコ
イルがフェライト素体の内部に形成されている積層チッ
プインダクタにおいて、３個以上のフェライト結晶粒子
で囲まれた部分に余剰金属が析出していることを特徴と
する積層チップインダクタ。 - 【請求項２】 前記余剰金属が、前記フェライト素体内
に析出した全金属の２０ｗｔ％以上であることを特徴と
する請求項１記載の積層チップインダクタ。 - 【請求項３】 前記フェライト結晶粒子がＮｉ−Ｚｎ−
Ｃｕ系のフェライト結晶粒子であることを特徴とする請
求項１又は２記載の積層チップインダクタ。 - 【請求項４】 前記導体パターンがＡｇ又はＡｇ−Ｐｄ
を主成分とする導電性ペーストからなることを特徴とす
る請求項１〜３記載の積層チップインダクタ。 - 【請求項５】 前記余剰金属元素がＣｕ及び／又はＡｇ
であることを特徴とする請求項１〜４記載の積層チップ
インダクタ。 - 【請求項６】 前記フェライト素体がガラスを含有して
いることを特徴とする請求項１〜５記載の積層チップイ
ンダクタ。 - 【請求項７】 フェライトと導体パターンとを順次積層
して、フェライト素体の内部に積層連結された導体パタ
ーンからなるコイルが形成された積層体を形成し、該積
層体を焼成し、外部端子を各々形成してなる積層チップ
インダクタの製造方法において、前記積層体を焼成した
後に該積層体を６００〜９００℃で０．５〜２時間保持
することを特徴とする積層チップインダクタの製造方
法。 - 【請求項８】 前記フェライト結晶粒子がＮｉ−Ｚｎ−
Ｃｕ系のフェライト結晶粒子であることを特徴とする請
求項７記載の積層チップインダクタの製造方法。 - 【請求項９】 前記導体パターンがＡｇ又はＡｇ−Ｐｄ
を主成分とする導電性ペーストからなることを特徴とす
る請求項７又は８記載の積層チップインダクタの製造方
法。 - 【請求項１０】 前記余剰金属元素がＣｕ及び／又はＡ
ｇであることを特徴とする請求項７〜９記載の積層チッ
プインダクタの製造方法。 - 【請求項１１】 前記フェライト素体がガラスを含有し
ていることを特徴とする請求項７〜１０記載の積層チッ
プインダクタの製造方法。 - 【請求項１２】 前記積層体を焼成した後、該積層体を
２５℃／ｍｉｎ以下の冷却速度で冷却したことを特徴と
する請求項７〜１１記載の積層チップインダクタの製造
方法。 - 【請求項１３】 前記積層体を焼成した後、該積層体
を、焼成温度以下の温度で所定時間保持し、その後冷却
したことを特徴とする請求項７〜１１記載の積層チップ
インダクタの製造方法。 - 【請求項１４】 前記積層体を、冷却した後、焼成温度
以下の温度に再加熱し、その後冷却したことを特徴とす
る請求項７〜１１記載の積層チップインダクタの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6309528A JPH08148337A (ja) | 1994-11-18 | 1994-11-18 | 積層チップインダクタとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6309528A JPH08148337A (ja) | 1994-11-18 | 1994-11-18 | 積層チップインダクタとその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08148337A true JPH08148337A (ja) | 1996-06-07 |
Family
ID=17994103
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6309528A Withdrawn JPH08148337A (ja) | 1994-11-18 | 1994-11-18 | 積層チップインダクタとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08148337A (ja) |
-
1994
- 1994-11-18 JP JP6309528A patent/JPH08148337A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030715 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20050408 |