JPH08148380A - Ｃｒ複合部品 - Google Patents
Ｃｒ複合部品Info
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- JPH08148380A JPH08148380A JP28040994A JP28040994A JPH08148380A JP H08148380 A JPH08148380 A JP H08148380A JP 28040994 A JP28040994 A JP 28040994A JP 28040994 A JP28040994 A JP 28040994A JP H08148380 A JPH08148380 A JP H08148380A
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- tantalum
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Abstract
(57)【要約】
【目的】電気信号の伝搬に遅延を発生することなく、動
作周波数が１GHz を越えるような携帯電話や衛星通信等
の通信機器に好適に使用することができる小型のＣＲ複
合部品を提供することにある。 【構成】絶縁基板１上に薄膜抵抗素子３と薄膜容量素子
２を被着させるとともに該薄膜抵抗素子３と薄膜容量素
子２とを電気的に接続させたＣＲ複合部品であって、前
記薄膜容量素子２が絶縁基板１上にアルミニウムから成
る下部電極層４、αータンタルを陽極酸化して形成した
酸化タンタルから成る誘電体層５及び上部電極層６を順
次被着させることによって形成されている。
作周波数が１GHz を越えるような携帯電話や衛星通信等
の通信機器に好適に使用することができる小型のＣＲ複
合部品を提供することにある。 【構成】絶縁基板１上に薄膜抵抗素子３と薄膜容量素子
２を被着させるとともに該薄膜抵抗素子３と薄膜容量素
子２とを電気的に接続させたＣＲ複合部品であって、前
記薄膜容量素子２が絶縁基板１上にアルミニウムから成
る下部電極層４、αータンタルを陽極酸化して形成した
酸化タンタルから成る誘電体層５及び上部電極層６を順
次被着させることによって形成されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は携帯電話や衛星通信等の
通信機器に搭載されるＣＲ複合部品に関するものであ
る。
通信機器に搭載されるＣＲ複合部品に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、携帯電話や衛星通信等の通信機器
には電気信号の送受信回路を構成する部品の一部にＣＲ
複合部品が使用されている。
には電気信号の送受信回路を構成する部品の一部にＣＲ
複合部品が使用されている。
【０００３】かかるＣＲ複合部品は一般に上面に所定パ
ターンの電気配線を有する絶縁基板を準備し、該絶縁基
板上にチップ抵抗素子及びチップ容量素子を載置すると
ともに各々の端子を電気配線に半田等を介し電気的に接
続させることによって形成されている。
ターンの電気配線を有する絶縁基板を準備し、該絶縁基
板上にチップ抵抗素子及びチップ容量素子を載置すると
ともに各々の端子を電気配線に半田等を介し電気的に接
続させることによって形成されている。
【０００４】しかしながら、近時、携帯電話や衛星通信
等の通信機器は小型、軽量化が急激に進み、従来のＣＲ
複合部品ではチップ抵抗素子及びチップ容量素子の形状
が大きく全体が大型となっているため使用することがで
きず、小型で軽量な新規のＣＲ複合部品が要求されるよ
うになってきた。
等の通信機器は小型、軽量化が急激に進み、従来のＣＲ
複合部品ではチップ抵抗素子及びチップ容量素子の形状
が大きく全体が大型となっているため使用することがで
きず、小型で軽量な新規のＣＲ複合部品が要求されるよ
うになってきた。
【０００５】そこで新たに絶縁基板上に薄膜形成技法に
より抵抗素子と容量素子を被着し、該薄膜抵抗素子と薄
膜容量素子を電気的接続することによってＣＲ複合部品
を形成することが提案されている。
より抵抗素子と容量素子を被着し、該薄膜抵抗素子と薄
膜容量素子を電気的接続することによってＣＲ複合部品
を形成することが提案されている。
【０００６】かかるＣＲ複合部品は容量素子及び抵抗素
子のいずれもが薄膜形成技法により形成されることから
その各々の形状が小さく、全体を小型として小型、軽量
化が急激に進む携帯電話や衛星通信等の通信機器に使用
が可能となる。
子のいずれもが薄膜形成技法により形成されることから
その各々の形状が小さく、全体を小型として小型、軽量
化が急激に進む携帯電話や衛星通信等の通信機器に使用
が可能となる。
【０００７】尚、前記薄膜抵抗素子及び薄膜容量素子か
ら成るＣＲ複合部品は、酸化アルミニウム質焼結体等の
電気絶縁材料から成る基板上にαータンタル( 窒化タン
タル) から成る下部電極層と、酸化タンタルから成る誘
電体層と、チタンー金やニクロムー金等の金属材料から
成る上部電極層とで構成される容量素子と、前記容量素
子の下部電極層と同じαータンタル( 窒化タンタル) か
ら成る抵抗膜と前記容量素子の上部電極層と同じチタン
ー金やニクロムー金等の金属材料から成る電極層とで構
成される抵抗素子とを被着させて形成されており、電気
絶縁材料から成る基板上にまずαータンタル( 窒化タン
タル) をスパッタリング法等の薄膜形成技術を採用する
ことによって厚さ約1000乃至4000オングストロームに被
着させ、容量素子の下部電極層と抵抗素子の抵抗膜を形
成し、次に前記容量素子のαータンタル( 窒化タンタ
ル) から成る下部電極層の表面の一部を陽極酸化処理し
酸化タンタルに変換させることによって誘電体層を形成
し、最後に前記容量素子の誘電体層上面及び抵抗素子の
抵抗膜上面にチタンー金やニクロムー金等の金属材料を
蒸着法やスパッタリング法等の薄膜形成技術により被着
させるとともにこれをエッチング法により所定パターン
に加工し、誘電体層上面に上部電極を、抵抗膜上面に一
対の電極膜を各々形成することによって製作される。
ら成るＣＲ複合部品は、酸化アルミニウム質焼結体等の
電気絶縁材料から成る基板上にαータンタル( 窒化タン
タル) から成る下部電極層と、酸化タンタルから成る誘
電体層と、チタンー金やニクロムー金等の金属材料から
成る上部電極層とで構成される容量素子と、前記容量素
子の下部電極層と同じαータンタル( 窒化タンタル) か
ら成る抵抗膜と前記容量素子の上部電極層と同じチタン
ー金やニクロムー金等の金属材料から成る電極層とで構
成される抵抗素子とを被着させて形成されており、電気
絶縁材料から成る基板上にまずαータンタル( 窒化タン
タル) をスパッタリング法等の薄膜形成技術を採用する
ことによって厚さ約1000乃至4000オングストロームに被
着させ、容量素子の下部電極層と抵抗素子の抵抗膜を形
成し、次に前記容量素子のαータンタル( 窒化タンタ
ル) から成る下部電極層の表面の一部を陽極酸化処理し
酸化タンタルに変換させることによって誘電体層を形成
し、最後に前記容量素子の誘電体層上面及び抵抗素子の
抵抗膜上面にチタンー金やニクロムー金等の金属材料を
蒸着法やスパッタリング法等の薄膜形成技術により被着
させるとともにこれをエッチング法により所定パターン
に加工し、誘電体層上面に上部電極を、抵抗膜上面に一
対の電極膜を各々形成することによって製作される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
薄膜抵抗素子及び薄膜容量素子から成るＣＲ複合部品は
薄膜容量素子の下部電極層がαータンタルから成り、そ
の比抵抗が１２０μΩcmと高いことから下部電極層の導
通抵抗値が極めて高い値となり、その結果、このＣＲ複
合部品を動作周波数が１GHz を越えるような携帯電話や
衛星通信等の通信機器に使用し、薄膜容量素子に電気信
号が入力されると該薄膜容量素子において信号の伝搬に
大きな遅延が招来し、通信機器を常に正常に作動させる
ことができないという欠点を誘発した。
薄膜抵抗素子及び薄膜容量素子から成るＣＲ複合部品は
薄膜容量素子の下部電極層がαータンタルから成り、そ
の比抵抗が１２０μΩcmと高いことから下部電極層の導
通抵抗値が極めて高い値となり、その結果、このＣＲ複
合部品を動作周波数が１GHz を越えるような携帯電話や
衛星通信等の通信機器に使用し、薄膜容量素子に電気信
号が入力されると該薄膜容量素子において信号の伝搬に
大きな遅延が招来し、通信機器を常に正常に作動させる
ことができないという欠点を誘発した。
【０００９】
【発明の目的】本発明は上記欠点に鑑み案出されたもの
で、その目的は電気信号の伝搬に遅延を発生することな
く、動作周波数が１GHz を越えるような携帯電話や衛星
通信等の通信機器に好適に使用することができる小型の
ＣＲ複合部品を提供することにある。
で、その目的は電気信号の伝搬に遅延を発生することな
く、動作周波数が１GHz を越えるような携帯電話や衛星
通信等の通信機器に好適に使用することができる小型の
ＣＲ複合部品を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は絶縁基板上に薄
膜抵抗素子と薄膜容量素子を被着させるとともに該薄膜
抵抗素子と薄膜容量素子とを電気的に接続させたＣＲ複
合部品であって、前記薄膜容量素子が絶縁基板上にアル
ミニウムから成る下部電極層、αータンタルを陽極酸化
して形成した酸化タンタルから成る誘電体層及び上部電
極層を順次被着させることによって形成されていること
を特徴とするものである。
膜抵抗素子と薄膜容量素子を被着させるとともに該薄膜
抵抗素子と薄膜容量素子とを電気的に接続させたＣＲ複
合部品であって、前記薄膜容量素子が絶縁基板上にアル
ミニウムから成る下部電極層、αータンタルを陽極酸化
して形成した酸化タンタルから成る誘電体層及び上部電
極層を順次被着させることによって形成されていること
を特徴とするものである。
【００１１】
【作用】本発明のＣＲ複合部品によれば、薄膜容量素子
の下部電極層を比抵抗が２．６６μΩcmのアルミニウム
で形成したことから薄膜容量素子の下部電極層の導通抵
抗値を極めて小さい値となすことができ、その結果、こ
のＣＲ複合部品を動作周波数が１GHz を越えるような携
帯電話や衛星通信等の通信機器に使用し、薄膜容量素子
に電気信号が入力されても、該薄膜容量素子において信
号の伝搬に大きな遅延を招来することはなく、通信機器
を常に正常に作動させることが可能となる。
の下部電極層を比抵抗が２．６６μΩcmのアルミニウム
で形成したことから薄膜容量素子の下部電極層の導通抵
抗値を極めて小さい値となすことができ、その結果、こ
のＣＲ複合部品を動作周波数が１GHz を越えるような携
帯電話や衛星通信等の通信機器に使用し、薄膜容量素子
に電気信号が入力されても、該薄膜容量素子において信
号の伝搬に大きな遅延を招来することはなく、通信機器
を常に正常に作動させることが可能となる。
【００１２】
【実施例】次に本発明を添付図面に基づき詳細に説明す
る。図１は本発明のＣＲ複合部品の一実施例を示し、1
は絶縁基板、２は薄膜容量素子、３は薄膜抵抗素子であ
る。
る。図１は本発明のＣＲ複合部品の一実施例を示し、1
は絶縁基板、２は薄膜容量素子、３は薄膜抵抗素子であ
る。
【００１３】前記絶縁基板１は酸化アルミニウム質焼結
体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体、窒化アルミ
ニウム質焼結体、ガラスセラミックス焼結体等の電気絶
縁材料から成り、例えば酸化アルミニウム質焼結体から
成る場合には、アルミナ(Al2 O 3 ) 、シリカ（SiO 2 )
、マグネシア(MgO) 、カルシア(CaO) 等の原料粉末に
適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して泥漿状となすとと
もにこれを従来周知のドクターブレード法やカレンダー
ロール法等によりシート状に成形してセラミックグリー
ンシート( セラミック生シート) を得、しかる後、前記
セラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施し
所定形状となすとともに約1600℃の温度で焼成すること
によって製作される。
体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体、窒化アルミ
ニウム質焼結体、ガラスセラミックス焼結体等の電気絶
縁材料から成り、例えば酸化アルミニウム質焼結体から
成る場合には、アルミナ(Al2 O 3 ) 、シリカ（SiO 2 )
、マグネシア(MgO) 、カルシア(CaO) 等の原料粉末に
適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して泥漿状となすとと
もにこれを従来周知のドクターブレード法やカレンダー
ロール法等によりシート状に成形してセラミックグリー
ンシート( セラミック生シート) を得、しかる後、前記
セラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施し
所定形状となすとともに約1600℃の温度で焼成すること
によって製作される。
【００１４】前記絶縁基板1 は薄膜容量素子2 と薄膜抵
抗素子3 を支持する支持部材として作用し、その上面に
薄膜容量素子2 及び薄膜抵抗素子3 が被着形成される。
抗素子3 を支持する支持部材として作用し、その上面に
薄膜容量素子2 及び薄膜抵抗素子3 が被着形成される。
【００１５】前記絶縁基板1 上に被着形成される薄膜容
量素子2 は下部電極層4 と誘電体層5 と上部電極層6 と
で構成され、下部電極層4 と上部電極層6 との間に誘電
体層5 の比誘電率によって決定される一定の静電容量が
形成される。
量素子2 は下部電極層4 と誘電体層5 と上部電極層6 と
で構成され、下部電極層4 と上部電極層6 との間に誘電
体層5 の比誘電率によって決定される一定の静電容量が
形成される。
【００１６】前記薄膜容量素子2 の下部電極層4 はアル
ミニウムから成り、絶縁基板1 の上面にアルミニウムを
従来周知の蒸着法等の薄膜形成技法を採用することによ
って厚さ２５０オングストローム乃至１００００オング
ストロームに被着させるとともにこれをエッチング加工
法により所定パターンに加工することによって絶縁基体
1 の上面に被着される。
ミニウムから成り、絶縁基板1 の上面にアルミニウムを
従来周知の蒸着法等の薄膜形成技法を採用することによ
って厚さ２５０オングストローム乃至１００００オング
ストロームに被着させるとともにこれをエッチング加工
法により所定パターンに加工することによって絶縁基体
1 の上面に被着される。
【００１７】前記薄膜容量素子2 のアルミニウムから成
る下部電極層4 はその比抵抗が２．６６μΩcmと小さい
ことから下部電極層4 の導通抵抗値を極めて小さい値と
なすことができ、その結果、薄膜容量素子2 に動作周波
数が１GHz を越えるような電気信号が入力されても下部
電極層4 で信号の伝搬に大きな遅延を招来することはな
い。
る下部電極層4 はその比抵抗が２．６６μΩcmと小さい
ことから下部電極層4 の導通抵抗値を極めて小さい値と
なすことができ、その結果、薄膜容量素子2 に動作周波
数が１GHz を越えるような電気信号が入力されても下部
電極層4 で信号の伝搬に大きな遅延を招来することはな
い。
【００１８】尚、前記下部電極層4 はその厚みが２５０
オングストローム未満であると下部電極層4 を絶縁基板
1 に均一、且つ強固に被着させることができず、また１
００００オングストロームを越えると絶縁基板１上に下
部電極層4 を被着させる際に下部電極層4 内部に大きな
応力が内在し、該内在応力によって下部電極層4 が絶縁
基板1 より剥離し易くなる。従って、前記下部電極層4
はその厚みを２５０オングストローム乃至１００００オ
ングストロームの範囲としておくことが好ましい。
オングストローム未満であると下部電極層4 を絶縁基板
1 に均一、且つ強固に被着させることができず、また１
００００オングストロームを越えると絶縁基板１上に下
部電極層4 を被着させる際に下部電極層4 内部に大きな
応力が内在し、該内在応力によって下部電極層4 が絶縁
基板1 より剥離し易くなる。従って、前記下部電極層4
はその厚みを２５０オングストローム乃至１００００オ
ングストロームの範囲としておくことが好ましい。
【００１９】また前記下部電極層4 の上部には酸化タン
タルから成る誘電体層5 が被着されており、該誘電体層
5 は下部電極層4 と上部電極層6 との間に一定の静電容
量を形成する作用を為す。
タルから成る誘電体層5 が被着されており、該誘電体層
5 は下部電極層4 と上部電極層6 との間に一定の静電容
量を形成する作用を為す。
【００２０】前記酸化タンタルから成る誘電体層5 は下
部電極層4 上にαータンタルをマグネトロンスパッタリ
ング法等の薄膜形成技法により被着させるとともにこれ
を陽極酸化処理により酸化させ、酸化タンタルに変換す
ることによって下部電極層4上に被着される。この場
合、下部電極層4 がαータンタルと同様に陽極酸化処理
可能なアルミニウムで形成されているためαータンタル
の陽極酸化処理をαータンタルが完全になくなるまで行
うことができ、陽極酸化処理ができない材料で下部電極
層を形成した場合におこるαータンタルの残留による高
抵抗部の発生がなく下部電極層の導通抵抗値を極めて小
さい値となすことができる。
部電極層4 上にαータンタルをマグネトロンスパッタリ
ング法等の薄膜形成技法により被着させるとともにこれ
を陽極酸化処理により酸化させ、酸化タンタルに変換す
ることによって下部電極層4上に被着される。この場
合、下部電極層4 がαータンタルと同様に陽極酸化処理
可能なアルミニウムで形成されているためαータンタル
の陽極酸化処理をαータンタルが完全になくなるまで行
うことができ、陽極酸化処理ができない材料で下部電極
層を形成した場合におこるαータンタルの残留による高
抵抗部の発生がなく下部電極層の導通抵抗値を極めて小
さい値となすことができる。
【００２１】前記酸化タンタルから成る誘電体層5 はま
たその厚みが１０００オングストローム未満であると薄
膜容量素子2 の絶縁特性及び耐電圧特性が悪いものとな
り、また６０００オングストロームを越えるとαータン
タルを陽極酸化処理して酸化タンタルの誘電体層5 とな
す際に高電圧を印加せねばなちず、該高電圧により誘電
体層5 が破壊され易いものとなる。従って、前記誘電体
層5 はその厚みを１０００オングストローム乃至６００
０オングストロームの範囲としておくことが好ましい。
たその厚みが１０００オングストローム未満であると薄
膜容量素子2 の絶縁特性及び耐電圧特性が悪いものとな
り、また６０００オングストロームを越えるとαータン
タルを陽極酸化処理して酸化タンタルの誘電体層5 とな
す際に高電圧を印加せねばなちず、該高電圧により誘電
体層5 が破壊され易いものとなる。従って、前記誘電体
層5 はその厚みを１０００オングストローム乃至６００
０オングストロームの範囲としておくことが好ましい。
【００２２】更に前記酸化タンタルから成る誘電体層5
の上面には上部電極層6 が被着されており、該上部電極
層6 は前述の下部電極層4 とともに薄膜容量素子2 の静
電容量を取り出す作用を為す。
の上面には上部電極層6 が被着されており、該上部電極
層6 は前述の下部電極層4 とともに薄膜容量素子2 の静
電容量を取り出す作用を為す。
【００２３】前記上部電極層6 は例えば、チタン層と金
層、ニクロム層と金層等の金属材料を２層に積層したも
ので形成され、従来周知の蒸着法やスパッタリング法等
の薄膜形成技法によって誘電体層5 の上面にに被着され
る。
層、ニクロム層と金層等の金属材料を２層に積層したも
ので形成され、従来周知の蒸着法やスパッタリング法等
の薄膜形成技法によって誘電体層5 の上面にに被着され
る。
【００２４】尚、前記上部電極層6 は例えば、チタン層
と金層の２層で形成する場合、チタン層は上部電極層6
を誘電体層5 上に強固に被着させる作用を為し、その厚
みが２５０オングストローム未満であると上部電極層6
を誘電体層5 上に強固に被着させることができず、また
１００００オングストロームを越えると誘電体層5 上に
上部電極層6 を被着させる際に上部電極層6 内部に大き
な応力が内在し、該内在応力によって薄膜容量素子2 の
絶縁特性、耐電圧特性が劣化する傾向にある。
と金層の２層で形成する場合、チタン層は上部電極層6
を誘電体層5 上に強固に被着させる作用を為し、その厚
みが２５０オングストローム未満であると上部電極層6
を誘電体層5 上に強固に被着させることができず、また
１００００オングストロームを越えると誘電体層5 上に
上部電極層6 を被着させる際に上部電極層6 内部に大き
な応力が内在し、該内在応力によって薄膜容量素子2 の
絶縁特性、耐電圧特性が劣化する傾向にある。
【００２５】従って、前記上部電極層6 はその厚みを２
５０オングストローム乃至１００００オングストローム
の範囲としておくことが好ましい。
５０オングストローム乃至１００００オングストローム
の範囲としておくことが好ましい。
【００２６】更に前記上部電極層6 の金層は、上部電極
層6 の主導体層として作用し、その厚みが０．３μｍ未
満であると後述する上部電極層6 と配線基板の配線導体
とをボンディングワイヤ9 を介して接続する際、上部電
極層6 とボンディングワイヤ9 との電気的接続の信頼性
がひくくなる傾向にあり、また５．０μｍを越えると金
層を形成する際に内部に大きな応力が内在し、該内在応
力によって薄膜容量素子2 の絶縁特性、耐電圧特性が劣
化する傾向にある。従って、前記金層はその厚みを０．
３μｍ乃至５．０μｍの範囲としておくことが好まし
い。
層6 の主導体層として作用し、その厚みが０．３μｍ未
満であると後述する上部電極層6 と配線基板の配線導体
とをボンディングワイヤ9 を介して接続する際、上部電
極層6 とボンディングワイヤ9 との電気的接続の信頼性
がひくくなる傾向にあり、また５．０μｍを越えると金
層を形成する際に内部に大きな応力が内在し、該内在応
力によって薄膜容量素子2 の絶縁特性、耐電圧特性が劣
化する傾向にある。従って、前記金層はその厚みを０．
３μｍ乃至５．０μｍの範囲としておくことが好まし
い。
【００２７】また一方、前記薄膜容量素子2 が被着され
た絶縁基板1 はその上面に薄膜容量素子2 と電気的に接
続された薄膜抵抗素子3 が被着されている。
た絶縁基板1 はその上面に薄膜容量素子2 と電気的に接
続された薄膜抵抗素子3 が被着されている。
【００２８】前記薄膜抵抗素子3 は抵抗膜7 と一対の電
極8 、8 とから成り、一方の電極8を薄膜容量素子2 の
下部電極層4 に接触させることによって薄膜抵抗素子3
は薄膜容量素子2 に電気的に接続される。
極8 、8 とから成り、一方の電極8を薄膜容量素子2 の
下部電極層4 に接触させることによって薄膜抵抗素子3
は薄膜容量素子2 に電気的に接続される。
【００２９】前記抵抗膜7 は例えば、αータンタルから
成り、薄膜容量素子2 の下部電極層4 上にαータンタル
を薄膜形成技法を採用することによって被着させ誘電体
層5を形成する際に同時に絶縁基体1 上に被着される。
成り、薄膜容量素子2 の下部電極層4 上にαータンタル
を薄膜形成技法を採用することによって被着させ誘電体
層5を形成する際に同時に絶縁基体1 上に被着される。
【００３０】また前記薄膜抵抗素子3 の一対の電極8 、
8 は薄膜容量素子の上部電極と同様の金やチタンー金、
ニクロムー金等の金属材料から成り、薄膜容量素子の上
部電極層6 を薄膜形成技法により形成する際に同時に抵
抗膜7 の上面及び抵抗膜7 と薄膜容量素子2 の下部電極
層4 との間に形成される。
8 は薄膜容量素子の上部電極と同様の金やチタンー金、
ニクロムー金等の金属材料から成り、薄膜容量素子の上
部電極層6 を薄膜形成技法により形成する際に同時に抵
抗膜7 の上面及び抵抗膜7 と薄膜容量素子2 の下部電極
層4 との間に形成される。
【００３１】かくして本発明のＣＲ複合部品によれば、
外部電気回路基板上に搭載するとともに該外部電気回路
基板の配線導体に薄膜容量素子2 の上部電極層6 と薄膜
抵抗素子3 の一方の電極8 をボンディングワイヤ9 を介
して接続すれば、携帯電話や衛星通信等の通信機器の電
気信号の送受信回路を構成する回路の一部に実装される
こととなる。この場合、本発明のＣＲ複合部品は容量素
子及び抵抗素子がいずれも薄膜形成技法を採用すること
によって形成されていることから極めて小型のものとな
すことができ、その結果、小型化、軽量化が急激に進む
携帯電話や衛星通信等の通信機器にも容易に実装が可能
となる。
外部電気回路基板上に搭載するとともに該外部電気回路
基板の配線導体に薄膜容量素子2 の上部電極層6 と薄膜
抵抗素子3 の一方の電極8 をボンディングワイヤ9 を介
して接続すれば、携帯電話や衛星通信等の通信機器の電
気信号の送受信回路を構成する回路の一部に実装される
こととなる。この場合、本発明のＣＲ複合部品は容量素
子及び抵抗素子がいずれも薄膜形成技法を採用すること
によって形成されていることから極めて小型のものとな
すことができ、その結果、小型化、軽量化が急激に進む
携帯電話や衛星通信等の通信機器にも容易に実装が可能
となる。
【００３２】尚、本発明は上述の実施例に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種
々の変更は可能である。
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種
々の変更は可能である。
【００３３】
【発明の効果】本発明のＣＲ複合部品によれば、薄膜容
量素子の下部電極層を比抵抗が２．６６μΩcmのアルミ
ニウムで形成したことから薄膜容量素子の下部電極層の
導通抵抗値を極めて小さい値となすことができ、その結
果、このＣＲ複合部品を動作周波数が１GHz を越えるよ
うな携帯電話や衛星通信等の通信機器に使用し、薄膜容
量素子に電気信号が入力されても、該薄膜容量素子にお
いて信号の伝搬に大きな遅延を招来することはなく、通
信機器を常に正常に作動させることが可能となる。
量素子の下部電極層を比抵抗が２．６６μΩcmのアルミ
ニウムで形成したことから薄膜容量素子の下部電極層の
導通抵抗値を極めて小さい値となすことができ、その結
果、このＣＲ複合部品を動作周波数が１GHz を越えるよ
うな携帯電話や衛星通信等の通信機器に使用し、薄膜容
量素子に電気信号が入力されても、該薄膜容量素子にお
いて信号の伝搬に大きな遅延を招来することはなく、通
信機器を常に正常に作動させることが可能となる。
【図１】本発明のＣＲ複合部品の一実施例を示す断面図
である。
である。
１・・・・・・絶縁基板 ２・・・・・・薄膜容量素子 ３・・・・・・薄膜抵抗素子 ４・・・・・・下部電極層 ５・・・・・・誘電体層 ６・・・・・・上部電極層 ７・・・・・・抵抗膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 7924−5Ｅ Ｈ０１Ｇ 4/06 １０２
Claims (1)
- 【請求項１】絶縁基板上に薄膜抵抗素子と薄膜容量素子
を被着させるとともに該薄膜抵抗素子と薄膜容量素子と
を電気的に接続させたＣＲ複合部品であって、前記薄膜
容量素子が絶縁基板上にアルミニウムから成る下部電極
層、αータンタルを陽極酸化して形成した酸化タンタル
から成る誘電体層及び上部電極層を順次被着させること
によって形成されていることを特徴とするＣＲ複合部
品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28040994A JPH08148380A (ja) | 1994-11-15 | 1994-11-15 | Ｃｒ複合部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28040994A JPH08148380A (ja) | 1994-11-15 | 1994-11-15 | Ｃｒ複合部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08148380A true JPH08148380A (ja) | 1996-06-07 |
Family
ID=17624642
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28040994A Pending JPH08148380A (ja) | 1994-11-15 | 1994-11-15 | Ｃｒ複合部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08148380A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100505305B1 (ko) * | 1997-05-23 | 2005-10-26 | 루센트 테크놀러지스 인크 | 캐패시터를구비한물품 |
| JP2006108531A (ja) * | 2004-10-08 | 2006-04-20 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 薄膜キャパシタおよび薄膜抵抗を有する回路部品ならびにその製造方法 |
| US9105957B2 (en) | 2011-12-28 | 2015-08-11 | Sae Magnetics (H.K.) Ltd. | Attenuator |
-
1994
- 1994-11-15 JP JP28040994A patent/JPH08148380A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100505305B1 (ko) * | 1997-05-23 | 2005-10-26 | 루센트 테크놀러지스 인크 | 캐패시터를구비한물품 |
| JP2006108531A (ja) * | 2004-10-08 | 2006-04-20 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 薄膜キャパシタおよび薄膜抵抗を有する回路部品ならびにその製造方法 |
| US9105957B2 (en) | 2011-12-28 | 2015-08-11 | Sae Magnetics (H.K.) Ltd. | Attenuator |
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