JPH08153346A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH08153346A JPH08153346A JP6294724A JP29472494A JPH08153346A JP H08153346 A JPH08153346 A JP H08153346A JP 6294724 A JP6294724 A JP 6294724A JP 29472494 A JP29472494 A JP 29472494A JP H08153346 A JPH08153346 A JP H08153346A
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- recording
- magnetic
- layer
- magneto
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 記録感度が高く、再生信号のＣ／Ｎ値が高
く、消去特性が良好な光磁気記録媒体を提供する。 【構成】 垂直磁気異方性を有する非晶質の重希土類−
遷移金属合金の第１磁性層、第２磁性層、及び第３磁性
層の３層の磁性層を含む光磁気記録媒体であって、３層
の磁性層は互いに磁気的に結合した状態で基板上に積層
されており、第１磁性層と第３磁性層は同一の材料であ
って、室温における第１磁性層及び第３磁性層の保磁力
Ｈc1と室温における第２磁性層の保磁力Ｈc2の間には、
Ｈc1＜Ｈc2の関係があり、また、第１磁性層及び第３磁
性層のキュリー温度Ｔc1と第２磁性層のキュリー温度Ｔ
c2の間には、Ｔc1＞Ｔc2の関係があり、更に第１磁性層
の膜厚をｔ1 、第２磁性層の膜厚をｔ2 及び第３磁性層
の膜厚をｔ3 とするとき、 ｔ2 ／ｔ1 ≧２．５ ，ｔ2 ／ｔ3 ≧２．５ を満たす。
く、消去特性が良好な光磁気記録媒体を提供する。 【構成】 垂直磁気異方性を有する非晶質の重希土類−
遷移金属合金の第１磁性層、第２磁性層、及び第３磁性
層の３層の磁性層を含む光磁気記録媒体であって、３層
の磁性層は互いに磁気的に結合した状態で基板上に積層
されており、第１磁性層と第３磁性層は同一の材料であ
って、室温における第１磁性層及び第３磁性層の保磁力
Ｈc1と室温における第２磁性層の保磁力Ｈc2の間には、
Ｈc1＜Ｈc2の関係があり、また、第１磁性層及び第３磁
性層のキュリー温度Ｔc1と第２磁性層のキュリー温度Ｔ
c2の間には、Ｔc1＞Ｔc2の関係があり、更に第１磁性層
の膜厚をｔ1 、第２磁性層の膜厚をｔ2 及び第３磁性層
の膜厚をｔ3 とするとき、 ｔ2 ／ｔ1 ≧２．５ ，ｔ2 ／ｔ3 ≧２．５ を満たす。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光磁気記録媒体に関す
る。
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、高密度、大容量、高いアクセス速
度、高い記録及び再生速度などの種々の性能を高次元で
満足する光学的記録再生方法、それに使用される記録装
置、再生装置及び記録媒体の普及が急速に進んでいる。
広範囲な光学的記録再生方法の中で、光磁気記録再生方
法は、情報を記録した後、消去することができ、再び新
たな情報を記録することが繰り返し何度も可能であると
いう点で最も大きな市場が期待されている。
度、高い記録及び再生速度などの種々の性能を高次元で
満足する光学的記録再生方法、それに使用される記録装
置、再生装置及び記録媒体の普及が急速に進んでいる。
広範囲な光学的記録再生方法の中で、光磁気記録再生方
法は、情報を記録した後、消去することができ、再び新
たな情報を記録することが繰り返し何度も可能であると
いう点で最も大きな市場が期待されている。
【０００３】この光磁気記録再生方法に使用される記録
媒体は、記録を保持する層として垂直磁気異方性を有す
る磁性薄膜を用いている。この磁性薄膜は、非晶質の重
希土類ー遷移金属合金がその代表的なものであって、具
体的には、GdFe、GdCo、GdFeCo、TbFe、TbCo、TbFeCoな
どがその例として挙げられる。一般に、記録薄膜の磁化
の向きは、記録前までに上向き又は下向きの一方向に予
め揃えられる。これを初期化という。記録は、直径１ミ
クロン程度以下に小さく絞ったレーザービームの照射に
より記録薄膜の一部をキュリー点近傍まで昇温したとこ
ろで記録磁界Ｈb を用いて反対向きの磁化を有するマー
クを形成することによって行われる。情報は、このマー
クの有無及び／又はマーク長によって表現される。記録
された情報の再生は、記録薄膜からのレーザービームの
反射光が記録薄膜の磁化方向によりその偏光面が互いに
逆方向に角度θk （カー回転角）だけ回転することを利
用して行う。また、記録時とは逆方向に消去磁界Ｈeを
加えてレーザービームにより記録薄膜をキュリー点近傍
まで昇温するさせることにより、形成したマークを消去
することができる。このようにして記録と消去を繰り返
すことで何度でも情報の書換が可能である。
媒体は、記録を保持する層として垂直磁気異方性を有す
る磁性薄膜を用いている。この磁性薄膜は、非晶質の重
希土類ー遷移金属合金がその代表的なものであって、具
体的には、GdFe、GdCo、GdFeCo、TbFe、TbCo、TbFeCoな
どがその例として挙げられる。一般に、記録薄膜の磁化
の向きは、記録前までに上向き又は下向きの一方向に予
め揃えられる。これを初期化という。記録は、直径１ミ
クロン程度以下に小さく絞ったレーザービームの照射に
より記録薄膜の一部をキュリー点近傍まで昇温したとこ
ろで記録磁界Ｈb を用いて反対向きの磁化を有するマー
クを形成することによって行われる。情報は、このマー
クの有無及び／又はマーク長によって表現される。記録
された情報の再生は、記録薄膜からのレーザービームの
反射光が記録薄膜の磁化方向によりその偏光面が互いに
逆方向に角度θk （カー回転角）だけ回転することを利
用して行う。また、記録時とは逆方向に消去磁界Ｈeを
加えてレーザービームにより記録薄膜をキュリー点近傍
まで昇温するさせることにより、形成したマークを消去
することができる。このようにして記録と消去を繰り返
すことで何度でも情報の書換が可能である。
【０００４】レーザービームの出力と媒体の耐熱性には
自ずと制限があるので、記録薄膜材料のキュリー点はあ
る程度低い方が望ましい。また、記録されたマークが安
定に存在するには記録薄膜材料の保磁力は大きいことが
望ましい。また、記録された情報を高いＣ／Ｎ値で再生
するにはカー回転角が大きいことが望ましい。しかし、
上記のようなキュリー点が低く、保磁力は大きく、その
上カー回転角θk が大きい性質を併せ持つ記録薄膜を、
ただ１種類の材料だけで形成することは極めて困難であ
る。
自ずと制限があるので、記録薄膜材料のキュリー点はあ
る程度低い方が望ましい。また、記録されたマークが安
定に存在するには記録薄膜材料の保磁力は大きいことが
望ましい。また、記録された情報を高いＣ／Ｎ値で再生
するにはカー回転角が大きいことが望ましい。しかし、
上記のようなキュリー点が低く、保磁力は大きく、その
上カー回転角θk が大きい性質を併せ持つ記録薄膜を、
ただ１種類の材料だけで形成することは極めて困難であ
る。
【０００５】そのため、記録薄膜を互いに交換結合した
複数の層によって構成し、記録薄膜として必要な全ての
性質を各層に分担させて、全体として必要な全ての性質
を有する媒体とすることが提案された。例えば、情報を
記憶しておく記録層（又は記録保持層）と大きな再生信
号が得られる再生層の２層で構成し、それぞれに好適な
組成の磁性材料を選択した２層膜光磁気記録媒体が提案
された。このタイプの媒体の１つに特開昭57ー78652号の
媒体がある。特開昭57ー78652号の媒体は、低保磁力層と
高保磁力層の２層の磁性層からなり、低保磁力層の室温
における保磁力は高保磁力層の室温における保磁力より
低く、低保磁力層のキュリー温度は高保磁力層のキュリ
ー温度より高く、これらの２層は互いに交換結合してい
る。この媒体では、高保磁力層の相対的に低いキュリー
温度近傍で記録を行うので記録温度は低く（記録感度は
高く）、記録された情報の再生は、相対的に高いキュリ
ー温度と大きなカー回転角を有する低保磁力層側から行
うので高いＣ／Ｎ値が確保できる。また、情報の保存は
高保磁力層で行なうため保存性に優れている。
複数の層によって構成し、記録薄膜として必要な全ての
性質を各層に分担させて、全体として必要な全ての性質
を有する媒体とすることが提案された。例えば、情報を
記憶しておく記録層（又は記録保持層）と大きな再生信
号が得られる再生層の２層で構成し、それぞれに好適な
組成の磁性材料を選択した２層膜光磁気記録媒体が提案
された。このタイプの媒体の１つに特開昭57ー78652号の
媒体がある。特開昭57ー78652号の媒体は、低保磁力層と
高保磁力層の２層の磁性層からなり、低保磁力層の室温
における保磁力は高保磁力層の室温における保磁力より
低く、低保磁力層のキュリー温度は高保磁力層のキュリ
ー温度より高く、これらの２層は互いに交換結合してい
る。この媒体では、高保磁力層の相対的に低いキュリー
温度近傍で記録を行うので記録温度は低く（記録感度は
高く）、記録された情報の再生は、相対的に高いキュリ
ー温度と大きなカー回転角を有する低保磁力層側から行
うので高いＣ／Ｎ値が確保できる。また、情報の保存は
高保磁力層で行なうため保存性に優れている。
【０００６】しかし、上記のような構成の媒体では、低
保磁力層が高保磁力層に比べて厚過ぎると、記録された
マークを消去する際に消し残ることによる消去特性の低
下が見られた。本発明者らは以前に、上記第１磁性層の
膜厚をｔ1 及び第２磁性層の膜厚をｔ2 とするとき ｔ2 ／ｔ1 ≧２．５ （１） を満たすようにすれば十分良好な消去特性が得られるこ
とを見出し特許出願を行った（特願平 5-100701 ）。
保磁力層が高保磁力層に比べて厚過ぎると、記録された
マークを消去する際に消し残ることによる消去特性の低
下が見られた。本発明者らは以前に、上記第１磁性層の
膜厚をｔ1 及び第２磁性層の膜厚をｔ2 とするとき ｔ2 ／ｔ1 ≧２．５ （１） を満たすようにすれば十分良好な消去特性が得られるこ
とを見出し特許出願を行った（特願平 5-100701 ）。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、記録はレー
ザービームの熱により行われるので、記録感度を更に高
くするには磁性層を薄くすることが要件となる。そこ
で、特願平 5-100701 の媒体において磁性層の膜厚を薄
くしようとした場合、上記（１）式の関係を保ちながら
２層の膜厚を同時に薄くする必要があるので、低保磁力
層の厚さｔ1 の値はかなり小さくなることになる。この
ため低保磁力層を透過してしまう再生ビーム光量が大き
くなり、再生信号のＣ／Ｎ値が、低保磁力層を薄くしな
いものより低くなってしまうという問題があることが見
出された。
ザービームの熱により行われるので、記録感度を更に高
くするには磁性層を薄くすることが要件となる。そこ
で、特願平 5-100701 の媒体において磁性層の膜厚を薄
くしようとした場合、上記（１）式の関係を保ちながら
２層の膜厚を同時に薄くする必要があるので、低保磁力
層の厚さｔ1 の値はかなり小さくなることになる。この
ため低保磁力層を透過してしまう再生ビーム光量が大き
くなり、再生信号のＣ／Ｎ値が、低保磁力層を薄くしな
いものより低くなってしまうという問題があることが見
出された。
【０００８】
【課題を解決する為の手段】かかる問題点の解決のため
に本発明者は、第１磁性層と同じ材料の第３磁性層を加
え、第２磁性層とこれらの層の厚さの比を各々制限する
ことで、良好な媒体を得られることを見出し本発明をな
すに至った。従って、本発明は、第１に「垂直磁気異方
性を有する非晶質の重希土類−遷移金属合金の第１磁性
層、第２磁性層、及び第３磁性層の３層の磁性層を含む
光磁気記録媒体であって、前記３層の磁性層は互いに磁
気的に結合した状態で基板上に積層されており、前記第
１磁性層と前記第３磁性層は同一の材料であって、室温
における前記第１磁性層及び前記第３磁性層の保磁力Ｈ
c1と室温における前記第２磁性層の保磁力Ｈc2の間に
は、 Ｈc1 ＜ Ｈc2 の関係があり、また、前記第１磁性層及び前記第３磁性
層のキュリー温度Ｔc1と前記第２磁性層のキュリー温度
Ｔc2の間には、 Ｔc1 ＞ Ｔc2 の関係があり、更に前記第１磁性層の膜厚をｔ1 、前記
第２磁性層の膜厚をｔ2及び前記第３磁性層の膜厚をｔ3
とするとき、 ｔ2 ／ｔ1 ≧２．５ ｔ2 ／ｔ3 ≧２．５ を満たすことを特徴とする光磁気記録媒体」を提供し、 第２に「ｔ1 ＋ｔ2 ≦７０nm を満たすことを特徴とする請求項１に記載の光磁気記録
媒体」を提供するものである。
に本発明者は、第１磁性層と同じ材料の第３磁性層を加
え、第２磁性層とこれらの層の厚さの比を各々制限する
ことで、良好な媒体を得られることを見出し本発明をな
すに至った。従って、本発明は、第１に「垂直磁気異方
性を有する非晶質の重希土類−遷移金属合金の第１磁性
層、第２磁性層、及び第３磁性層の３層の磁性層を含む
光磁気記録媒体であって、前記３層の磁性層は互いに磁
気的に結合した状態で基板上に積層されており、前記第
１磁性層と前記第３磁性層は同一の材料であって、室温
における前記第１磁性層及び前記第３磁性層の保磁力Ｈ
c1と室温における前記第２磁性層の保磁力Ｈc2の間に
は、 Ｈc1 ＜ Ｈc2 の関係があり、また、前記第１磁性層及び前記第３磁性
層のキュリー温度Ｔc1と前記第２磁性層のキュリー温度
Ｔc2の間には、 Ｔc1 ＞ Ｔc2 の関係があり、更に前記第１磁性層の膜厚をｔ1 、前記
第２磁性層の膜厚をｔ2及び前記第３磁性層の膜厚をｔ3
とするとき、 ｔ2 ／ｔ1 ≧２．５ ｔ2 ／ｔ3 ≧２．５ を満たすことを特徴とする光磁気記録媒体」を提供し、 第２に「ｔ1 ＋ｔ2 ≦７０nm を満たすことを特徴とする請求項１に記載の光磁気記録
媒体」を提供するものである。
【０００９】
【作用】低保磁力層を第１磁性層と第３磁性層の２層に
分割することで、当然のことながら、低保磁力層１層当
りの膜厚を薄くできるため消去特性が良好となる。一方
第１磁性層と第３磁性層はカー回転角が大きいので、そ
の反射光を利用することにより第３磁性層がない場合に
比べて大きなカー回転角が得られ、Ｃ／Ｎ値は向上す
る。
分割することで、当然のことながら、低保磁力層１層当
りの膜厚を薄くできるため消去特性が良好となる。一方
第１磁性層と第３磁性層はカー回転角が大きいので、そ
の反射光を利用することにより第３磁性層がない場合に
比べて大きなカー回転角が得られ、Ｃ／Ｎ値は向上す
る。
【００１０】なお第１磁性層及び第２磁性層の膜厚が厚
くなるに従って第３磁性層まで届く光量は少なくなり、
これに伴って第３磁性層を付加する効果が小さくなる。
そのため、ｔ1 ＋ｔ2 の値は 70nm 以下であることが望
ましい。以下、実施例により本発明をより具体的に説明
するが、本発明はこれに限られるものではない。
くなるに従って第３磁性層まで届く光量は少なくなり、
これに伴って第３磁性層を付加する効果が小さくなる。
そのため、ｔ1 ＋ｔ2 の値は 70nm 以下であることが望
ましい。以下、実施例により本発明をより具体的に説明
するが、本発明はこれに限られるものではない。
【００１１】
【実施例１】先ず初めにスパッタリング装置と、ガラス
基板上に紫外線硬化樹脂によりピッチ 1.6μm 、幅 0.4
μm 、深さ 95nm のトラッキング用案内溝がスパイラル
状に刻まれた直径300mm 、厚さ 1.2mmのディスク基板を
用意する。基板とスパッタリング用ターゲットを３元の
マグネトロンスパッタリング装置のスパッタリング槽内
にセットした後、スパッタリング槽内を一旦 5×10-5Pa
以下の圧力になるまで排気する。
基板上に紫外線硬化樹脂によりピッチ 1.6μm 、幅 0.4
μm 、深さ 95nm のトラッキング用案内溝がスパイラル
状に刻まれた直径300mm 、厚さ 1.2mmのディスク基板を
用意する。基板とスパッタリング用ターゲットを３元の
マグネトロンスパッタリング装置のスパッタリング槽内
にセットした後、スパッタリング槽内を一旦 5×10-5Pa
以下の圧力になるまで排気する。
【００１２】次いで、スパッタリング槽内にArガスを導
入し 0.2Paに保持しながら第１のターゲット窒化シリコ
ンによりスパッタリング速度 10nm/min でスパッタリン
グを行い、樹脂層の上に第１の保護層である窒化シリコ
ンを厚さ70nmに形成する。次に、第２のターゲットGdFe
Coにより、Ar圧 0.4Pa、スパッタリング速度20nm/minの
条件でスパッタリングを行い、第１の保護層の上にGd
22.6(Fe70Co30)77.4（添え字は原子％を表す。以下同
じ）の第１磁性層を厚さ 10nm に形成する。
入し 0.2Paに保持しながら第１のターゲット窒化シリコ
ンによりスパッタリング速度 10nm/min でスパッタリン
グを行い、樹脂層の上に第１の保護層である窒化シリコ
ンを厚さ70nmに形成する。次に、第２のターゲットGdFe
Coにより、Ar圧 0.4Pa、スパッタリング速度20nm/minの
条件でスパッタリングを行い、第１の保護層の上にGd
22.6(Fe70Co30)77.4（添え字は原子％を表す。以下同
じ）の第１磁性層を厚さ 10nm に形成する。
【００１３】次に、第３のターゲットTbFeにより、Ar圧
0.2Pa、スパッタリング速度20 nm/min の条件でスパッ
タリングを行い、第１磁性層の上にTb23Fe77の第２磁性
層を厚さ 30nm に形成した。次に、再び第２のターゲッ
トGdFeCoにより、第１磁性層の形成条件と同条件で第２
磁性層の上にGd22.6(Fe70Co30)77.4の第３磁性層を厚さ
10nm に形成した。
0.2Pa、スパッタリング速度20 nm/min の条件でスパッ
タリングを行い、第１磁性層の上にTb23Fe77の第２磁性
層を厚さ 30nm に形成した。次に、再び第２のターゲッ
トGdFeCoにより、第１磁性層の形成条件と同条件で第２
磁性層の上にGd22.6(Fe70Co30)77.4の第３磁性層を厚さ
10nm に形成した。
【００１４】最後に、再び第１のターゲット窒化シリコ
ンにより、第１の保護層の形成条件と同条件でメモリー
層の上に窒化シリコンの第２の保護層を厚さ 70 nmに形
成した。各磁性層のキュリー温度は第１及び第３磁性層
が 400℃以上、第２磁性層が140 ℃であった。図１はこ
のようにして得た本発明に係る光磁気記録媒体の垂直断
面を示す概念図である。
ンにより、第１の保護層の形成条件と同条件でメモリー
層の上に窒化シリコンの第２の保護層を厚さ 70 nmに形
成した。各磁性層のキュリー温度は第１及び第３磁性層
が 400℃以上、第２磁性層が140 ℃であった。図１はこ
のようにして得た本発明に係る光磁気記録媒体の垂直断
面を示す概念図である。
【００１５】この媒体に、線速度が23m/s 、記録周波数
1.6MHz 、記録磁界 300Ｏe 、消去磁界 400Ｏe の条件
で記録及び消去を行い、最適記録ビーム強度（デューテ
ィー比 50 ％の信号を記録した後再生し、その再生信号
の２次歪が最小となる記録レーザービーム強度）を求め
たところ 5.8mWであった。最適記録ビーム強度で記録し
た信号を1.5mW の再生ビーム強度で再生してＣ／Ｎ値を
測定したところ61dBであった。次に、最適記録ビーム強
度の 1.3倍である 7.55mW で記録を行い、消去に必要な
ビーム強度を測定したところ 7.4mWとなった。これは記
録ビーム強度の0.98倍であり、記録ビーム強度以下の強
度であった。
1.6MHz 、記録磁界 300Ｏe 、消去磁界 400Ｏe の条件
で記録及び消去を行い、最適記録ビーム強度（デューテ
ィー比 50 ％の信号を記録した後再生し、その再生信号
の２次歪が最小となる記録レーザービーム強度）を求め
たところ 5.8mWであった。最適記録ビーム強度で記録し
た信号を1.5mW の再生ビーム強度で再生してＣ／Ｎ値を
測定したところ61dBであった。次に、最適記録ビーム強
度の 1.3倍である 7.55mW で記録を行い、消去に必要な
ビーム強度を測定したところ 7.4mWとなった。これは記
録ビーム強度の0.98倍であり、記録ビーム強度以下の強
度であった。
【００１６】
【比較例１】第３磁性層を設けないことを除いて、実施
例と同様の手順で媒体を作製した。実施例と同様の手順
で最適記録ビーム強度を求めたところ 5.5mWであった。
最適記録ビーム強度で記録した信号を1.5mW の再生ビー
ム強度で再生してＣ／Ｎ値を測定したところ57dBであっ
た。次に、最適記録ビーム強度の 1.3倍である 7.15mW
で記録を行い、消去に必要なビーム強度を測定したとこ
ろ6.95mWとなった。これは記録ビーム強度の0.97倍であ
り、記録ビーム強度以下の強度であった。即ち消去特性
は良好であったが、実施例に比べてＣ／Ｎ値が低かっ
た。
例と同様の手順で媒体を作製した。実施例と同様の手順
で最適記録ビーム強度を求めたところ 5.5mWであった。
最適記録ビーム強度で記録した信号を1.5mW の再生ビー
ム強度で再生してＣ／Ｎ値を測定したところ57dBであっ
た。次に、最適記録ビーム強度の 1.3倍である 7.15mW
で記録を行い、消去に必要なビーム強度を測定したとこ
ろ6.95mWとなった。これは記録ビーム強度の0.97倍であ
り、記録ビーム強度以下の強度であった。即ち消去特性
は良好であったが、実施例に比べてＣ／Ｎ値が低かっ
た。
【００１７】
【比較例２】第１磁性層及び第３磁性層の膜厚を共に 2
0nm とした以外は、実施例と同様の手順で媒体を作製し
た。実施例と同様の手順で最適記録ビーム強度を求めた
ところ 5.8mWであった。最適記録ビーム強度で記録した
信号を1.5mW の再生ビーム強度で再生してＣ／Ｎ値を測
定したところ62dBであった。次に、最適記録ビーム強度
の 1.3倍である 7.55 mWで記録を行い、消去に必要なビ
ーム強度を測定したところ8.15mWとなった。これは記録
ビーム強度の1.08倍であり、記録ビーム強度以上の強度
となった。即ちＣ／Ｎは良好であったが、実施例に比べ
て消去特性が悪かった。
0nm とした以外は、実施例と同様の手順で媒体を作製し
た。実施例と同様の手順で最適記録ビーム強度を求めた
ところ 5.8mWであった。最適記録ビーム強度で記録した
信号を1.5mW の再生ビーム強度で再生してＣ／Ｎ値を測
定したところ62dBであった。次に、最適記録ビーム強度
の 1.3倍である 7.55 mWで記録を行い、消去に必要なビ
ーム強度を測定したところ8.15mWとなった。これは記録
ビーム強度の1.08倍であり、記録ビーム強度以上の強度
となった。即ちＣ／Ｎは良好であったが、実施例に比べ
て消去特性が悪かった。
【００１８】
【比較例３】第２磁性層の膜厚を 65nm としたことを除
いて、実施例と同様の手順で媒体を作製した。実施例と
同様の手順で最適記録ビーム強度を求めたところ 6.1mW
であった。最適記録ビーム強度で記録した信号を1.5mW
の再生ビーム強度で再生してＣ／Ｎ値を測定したところ
58dBであった。次に、最適記録ビーム強度の 1.3倍であ
る 7.95 mWで記録を行い、消去に必要なビーム強度を測
定したところ7.7 mWとなった。これは記録ビーム強度の
0.97倍であり、記録ビーム強度以下の強度であった。即
ち、消去特性は良好であったが、実施例に比べてＣ／Ｎ
値が低かった。
いて、実施例と同様の手順で媒体を作製した。実施例と
同様の手順で最適記録ビーム強度を求めたところ 6.1mW
であった。最適記録ビーム強度で記録した信号を1.5mW
の再生ビーム強度で再生してＣ／Ｎ値を測定したところ
58dBであった。次に、最適記録ビーム強度の 1.3倍であ
る 7.95 mWで記録を行い、消去に必要なビーム強度を測
定したところ7.7 mWとなった。これは記録ビーム強度の
0.97倍であり、記録ビーム強度以下の強度であった。即
ち、消去特性は良好であったが、実施例に比べてＣ／Ｎ
値が低かった。
【００１９】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明によれば、記
録感度が高く、再生信号のＣ／Ｎ値が高く、消去特性が
良好な光磁気記録媒体を提供することができる。
録感度が高く、再生信号のＣ／Ｎ値が高く、消去特性が
良好な光磁気記録媒体を提供することができる。
【図１】は本発明の実施例にかかる光磁気記録媒体の垂
直断面を示す概念図である。
直断面を示す概念図である。
１・・・ディスク基板 ２・・・第１の保護膜 ３・・・第１磁性層（低保磁力層） ４・・・第２磁性層（高保磁力層） ５・・・第３磁性層（低保磁力層） ６・・・第２の保護膜
Claims (2)
- 【請求項１】垂直磁気異方性を有する非晶質の重希土類
−遷移金属合金の第１磁性層、第２磁性層、及び第３磁
性層の３層の磁性層を含む光磁気記録媒体であって、前
記３層の磁性層は互いに磁気的に結合した状態で基板上
に積層されており、前記第１磁性層と前記第３磁性層は
同一の材料であって、室温における前記第１磁性層及び
前記第３磁性層の保磁力Ｈc1と室温における前記第２磁
性層の保磁力Ｈc2の間には、 Ｈc1 ＜ Ｈc2 の関係があり、また、前記第１磁性層及び前記第３磁性
層のキュリー温度Ｔc1と前記第２磁性層のキュリー温度
Ｔc2の間には、 Ｔc1 ＞ Ｔc2 の関係があり、更に前記第１磁性層の膜厚をｔ1 、前記
第２磁性層の膜厚をｔ2及び前記第３磁性層の膜厚をｔ3
とするとき、 ｔ2 ／ｔ1 ≧２．５ ｔ2 ／ｔ3 ≧２．５ を満たすことを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項２】ｔ1 ＋ｔ2 ≦７０nm を満たすことを特徴とする請求項１に記載の光磁気記録
媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6294724A JPH08153346A (ja) | 1994-11-29 | 1994-11-29 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6294724A JPH08153346A (ja) | 1994-11-29 | 1994-11-29 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08153346A true JPH08153346A (ja) | 1996-06-11 |
Family
ID=17811497
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6294724A Pending JPH08153346A (ja) | 1994-11-29 | 1994-11-29 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08153346A (ja) |
-
1994
- 1994-11-29 JP JP6294724A patent/JPH08153346A/ja active Pending
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