JPH08153703A - ２−６族化合物半導体のドライエッチング方法 - Google Patents
２−６族化合物半導体のドライエッチング方法Info
- Publication number
- JPH08153703A JPH08153703A JP29286594A JP29286594A JPH08153703A JP H08153703 A JPH08153703 A JP H08153703A JP 29286594 A JP29286594 A JP 29286594A JP 29286594 A JP29286594 A JP 29286594A JP H08153703 A JPH08153703 A JP H08153703A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- substrate
- compound semiconductor
- group
- dry
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 18
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 27
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 17
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 69
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 abstract description 10
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract 1
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 22
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 9
- 229910021476 group 6 element Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 5
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- YPSXFMHXRZAGTG-UHFFFAOYSA-N 4-methoxy-2-[2-(5-methoxy-2-nitrosophenyl)ethyl]-1-nitrosobenzene Chemical compound COC1=CC=C(N=O)C(CCC=2C(=CC=C(OC)C=2)N=O)=C1 YPSXFMHXRZAGTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002301 combined effect Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 229910000039 hydrogen halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012433 hydrogen halide Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】２−６族化合物半導体の平滑垂直エッチングを
実現する。 【構成】反応性イオンビームエッチング装置によりエッ
チングを行う。純塩素のＥＣＲプラズマ２からイオン加
速電極１により１．１ｋｅＶのエネルギーを与えたイオ
ンビーム３を基板５に照射してエッチングを行う。基板
温度は抵抗加熱ヒータ６により２００℃に保持されガス
圧はオリフィス８により４×１０-5Ｔｏｒｒに保持され
る。
実現する。 【構成】反応性イオンビームエッチング装置によりエッ
チングを行う。純塩素のＥＣＲプラズマ２からイオン加
速電極１により１．１ｋｅＶのエネルギーを与えたイオ
ンビーム３を基板５に照射してエッチングを行う。基板
温度は抵抗加熱ヒータ６により２００℃に保持されガス
圧はオリフィス８により４×１０-5Ｔｏｒｒに保持され
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は２−６族化合物半導体の
ドライエッチング方法に関する。
ドライエッチング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】２−６族化合物半導体は近年緑青色半導
体レーザ材料として注目されている。半導体を用いたレ
ーザ等の素子作製にはエッチングによる微細加工が不可
欠である。エッチングの方法は大きく分けて酸やアルカ
リ等のエッチング液を用いるウェットエッチングとハロ
ゲンや不活性ガス等のエッチングガスを用いるドライエ
ッチングがある。一般にウェットエッチングは低損傷で
あるが等方的エッチングでありサイドエッチングが大き
いので微細加工にはあまり適さない。一方ドライエッチ
ングは垂直異方性エッチングなので、微細加工に適す
る。さらに、ガスを用いるため均一性、再現性に優れ
る。その反面イオンビームを用いるエッチングでは加工
による損傷が大きいが、通常ドライエッチング後の表面
をウェットエッチングで０．１μｍ程度エッチングする
ことで損傷除去を行い、加工損傷による劣化の無い素子
が作製可能である。
体レーザ材料として注目されている。半導体を用いたレ
ーザ等の素子作製にはエッチングによる微細加工が不可
欠である。エッチングの方法は大きく分けて酸やアルカ
リ等のエッチング液を用いるウェットエッチングとハロ
ゲンや不活性ガス等のエッチングガスを用いるドライエ
ッチングがある。一般にウェットエッチングは低損傷で
あるが等方的エッチングでありサイドエッチングが大き
いので微細加工にはあまり適さない。一方ドライエッチ
ングは垂直異方性エッチングなので、微細加工に適す
る。さらに、ガスを用いるため均一性、再現性に優れ
る。その反面イオンビームを用いるエッチングでは加工
による損傷が大きいが、通常ドライエッチング後の表面
をウェットエッチングで０．１μｍ程度エッチングする
ことで損傷除去を行い、加工損傷による劣化の無い素子
が作製可能である。
【０００３】エッチング面の表面モフォロジーはエッチ
ングに引き続いて行われる埋込みプロセスや電極形成プ
ロセスに大きく影響するため、平滑な表面が得られるこ
とが必要である。エッチング表面荒れの原因は不均一な
エッチングにある。不均一な原因としては、基板表面の
酸化膜の厚さの不均一、基板へのエッチング反応種の供
給の不均一、反応生成物の脱離の不均一、面方位に依存
したエッチング速度の違いに起因する不均一等がある。
さらに化合物半導体では構成しているそれぞれの元素の
エッチングされ易さの不均一が重大な表面荒れをおこ
す。そのため平滑表面を得るためにはこの不均一さを低
減することが重要である。
ングに引き続いて行われる埋込みプロセスや電極形成プ
ロセスに大きく影響するため、平滑な表面が得られるこ
とが必要である。エッチング表面荒れの原因は不均一な
エッチングにある。不均一な原因としては、基板表面の
酸化膜の厚さの不均一、基板へのエッチング反応種の供
給の不均一、反応生成物の脱離の不均一、面方位に依存
したエッチング速度の違いに起因する不均一等がある。
さらに化合物半導体では構成しているそれぞれの元素の
エッチングされ易さの不均一が重大な表面荒れをおこ
す。そのため平滑表面を得るためにはこの不均一さを低
減することが重要である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】２−６族化合物半導体
のエッチングについてみるとウェットエッチングでは良
いエッチング液が見つかっていない。酸やアルカリ等の
大部分のエッチング液について、エッチング速度が極端
に小さい場合や表面モフォロジーが著しく劣化してしま
う問題がある。またドライエッチング方法としてはＭ．
Ａ．ＦＯＡＤらがエレクトロニクスレターズ第２７巻７
３ページ（Ｍ．Ａ．Ｆｏａｄ ｅｔ．ａｌ．，Ｅｌｅｃ
ｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ２７，７３，１９９
１）に示したメタンと水素の混合ガスを用いた反応性イ
ンオンエッチングが唯一実用に耐えうる表面モフォロジ
ーを有したエッチング方法である。しかしこのガス系は
炭化水素系であるためエッチング中にポリマーが堆積す
るという欠点を有する。３−５族化合物半導体のエッチ
ングの場合はポリマーを酸素プラズマにより除去する手
法が取られたが、化学反応性の高い２−６族元素からな
る２−６族化合物半導体を酸素プラズマに晒すと強固な
酸化膜が形成され、その後のプロセスを困難にするだけ
でなく、作製した素子の特性に著しい劣化をもたらすと
いう問題がある。またこのエッチング方法はエッチング
速度が数１０ｎｍ／ｍｉｎと、実用的に良好なエッチン
グ速度に対し１桁遅いという問題も存在する。
のエッチングについてみるとウェットエッチングでは良
いエッチング液が見つかっていない。酸やアルカリ等の
大部分のエッチング液について、エッチング速度が極端
に小さい場合や表面モフォロジーが著しく劣化してしま
う問題がある。またドライエッチング方法としてはＭ．
Ａ．ＦＯＡＤらがエレクトロニクスレターズ第２７巻７
３ページ（Ｍ．Ａ．Ｆｏａｄ ｅｔ．ａｌ．，Ｅｌｅｃ
ｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ２７，７３，１９９
１）に示したメタンと水素の混合ガスを用いた反応性イ
ンオンエッチングが唯一実用に耐えうる表面モフォロジ
ーを有したエッチング方法である。しかしこのガス系は
炭化水素系であるためエッチング中にポリマーが堆積す
るという欠点を有する。３−５族化合物半導体のエッチ
ングの場合はポリマーを酸素プラズマにより除去する手
法が取られたが、化学反応性の高い２−６族元素からな
る２−６族化合物半導体を酸素プラズマに晒すと強固な
酸化膜が形成され、その後のプロセスを困難にするだけ
でなく、作製した素子の特性に著しい劣化をもたらすと
いう問題がある。またこのエッチング方法はエッチング
速度が数１０ｎｍ／ｍｉｎと、実用的に良好なエッチン
グ速度に対し１桁遅いという問題も存在する。
【０００５】一方、特開平２−２９９２３０号公報や特
開平３−２０４９２６号公報に記載されているように、
ドライエッチングによく用いられるハロゲン系ガスを用
いる場合がある。しかしこの方法では、例えばＺｎＳｅ
と塩素系の組み合わせの場合二つの問題がある。ひとつ
は、エッチング時の反応生成物であるＺｎＣｌx の蒸気
圧が低いことである。そのためエッチング速度は極端に
遅くなる場合がある。さらにＺｎ、Ｓｅ、それぞれの反
応生成物の沸点はＺｎＣｌ2 が７３０℃、ＳｅＣｌが１
２７℃と大きく異なる。そのためエッチング中基板表面
でＺｎとＳｅの脱離の差が大きくなる為、表面モフォロ
ジーが悪いという問題もある。これは、エッチング速度
の増速のために、基板温度を高くしたときに顕著にあら
われる。またハロゲン化水素を使用すると、水素ラジカ
ルによる化学反応性エッチングが起こり、特開平２−２
９９２３０号公報の実施例で述べられているように、フ
ォトレジストのエッチング速度が２８ｎｍ／ｍｉｎとか
なり速くなり、ＺｎＳｅとの選択比が低くなり実用的で
なくなるという問題もある。
開平３−２０４９２６号公報に記載されているように、
ドライエッチングによく用いられるハロゲン系ガスを用
いる場合がある。しかしこの方法では、例えばＺｎＳｅ
と塩素系の組み合わせの場合二つの問題がある。ひとつ
は、エッチング時の反応生成物であるＺｎＣｌx の蒸気
圧が低いことである。そのためエッチング速度は極端に
遅くなる場合がある。さらにＺｎ、Ｓｅ、それぞれの反
応生成物の沸点はＺｎＣｌ2 が７３０℃、ＳｅＣｌが１
２７℃と大きく異なる。そのためエッチング中基板表面
でＺｎとＳｅの脱離の差が大きくなる為、表面モフォロ
ジーが悪いという問題もある。これは、エッチング速度
の増速のために、基板温度を高くしたときに顕著にあら
われる。またハロゲン化水素を使用すると、水素ラジカ
ルによる化学反応性エッチングが起こり、特開平２−２
９９２３０号公報の実施例で述べられているように、フ
ォトレジストのエッチング速度が２８ｎｍ／ｍｉｎとか
なり速くなり、ＺｎＳｅとの選択比が低くなり実用的で
なくなるという問題もある。
【０００６】本発明の目的は、十分なエッチング速度を
有し平滑な表面が得られる２−６族化合物半導体のドラ
イエッチング方法を提供することにある。
有し平滑な表面が得られる２−６族化合物半導体のドラ
イエッチング方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の２−６族化合物
半導体のドライエッチング方法は、塩素またはその化合
物を反応ガスとする２−６族化合物半導体のドライエッ
チング方法において、基板温度を８０〜３５０℃、ガス
圧を１×１０-5〜１×１０-4Ｔｏｒｒ、イオンエネルギ
ーを０．５〜２ｋｅＶとすることを特徴とするものであ
る。
半導体のドライエッチング方法は、塩素またはその化合
物を反応ガスとする２−６族化合物半導体のドライエッ
チング方法において、基板温度を８０〜３５０℃、ガス
圧を１×１０-5〜１×１０-4Ｔｏｒｒ、イオンエネルギ
ーを０．５〜２ｋｅＶとすることを特徴とするものであ
る。
【０００８】
【作用】上記エッチング条件において、基板温度の下限
は、蒸気圧の低い２族元素のエッチング反応生成物が脱
離のための十分な蒸気圧を有するように、８０℃以上で
あることが必要である。しかし、基板温度の上限は、６
族元素及び成長の際に用いているＧａＡｓ基板やＩｎＰ
基板の５族元素の選択脱離の防止、ドーピングに用いて
いる元素の拡散等の防止及び異種成長層の境界混晶化の
防止のために、３５０℃程度が適当である。この高い基
板温度により蒸気圧の低い２族元素化合物の脱離が促進
される。一方ガス圧は供給律速状態を作るために十分低
くその上限は１×１０-4Ｔｏｒｒ程度である。その下限
は安定なプラズマが得られさえすれば良いが、だいたい
１×１０-5Ｔｏｒｒ程度である。このように供給律速状
態であるために６族元素化合物の脱離は頭打ちとなって
おり、２族元素と６族元素の離脱の差は小さくなる。
は、蒸気圧の低い２族元素のエッチング反応生成物が脱
離のための十分な蒸気圧を有するように、８０℃以上で
あることが必要である。しかし、基板温度の上限は、６
族元素及び成長の際に用いているＧａＡｓ基板やＩｎＰ
基板の５族元素の選択脱離の防止、ドーピングに用いて
いる元素の拡散等の防止及び異種成長層の境界混晶化の
防止のために、３５０℃程度が適当である。この高い基
板温度により蒸気圧の低い２族元素化合物の脱離が促進
される。一方ガス圧は供給律速状態を作るために十分低
くその上限は１×１０-4Ｔｏｒｒ程度である。その下限
は安定なプラズマが得られさえすれば良いが、だいたい
１×１０-5Ｔｏｒｒ程度である。このように供給律速状
態であるために６族元素化合物の脱離は頭打ちとなって
おり、２族元素と６族元素の離脱の差は小さくなる。
【０００９】さらにイオンエネルギーの大きいイオンで
衝撃を与え物理的スパッタリングにより脱離を促進す
る。物理的スパッタリングによる脱離の元素選択性は小
さいので、これよりさらに２族元素化合物と６族元素化
合物の脱離の差を十分低減できるため良好な平滑表面が
得られる。物理的スパッタリングによる脱離効果が十分
得られるようにイオンエネルギーを０．５ｋｅＶ以上と
する。上限はスパッタリングによるダメージを考慮して
２ｋｅＶ程度が適当である。以上、基板温度上昇による
２族元素の脱離促進、高温、低ガス圧条件での供給律速
条件実現による２族、６族元素の脱離の差の低減、高イ
オンエネルギーでの物理的スパッタリングによる２族、
６族元素の脱離の低減により、十分なエッチング速度を
有しかつ平滑なエッチングが実現される。
衝撃を与え物理的スパッタリングにより脱離を促進す
る。物理的スパッタリングによる脱離の元素選択性は小
さいので、これよりさらに２族元素化合物と６族元素化
合物の脱離の差を十分低減できるため良好な平滑表面が
得られる。物理的スパッタリングによる脱離効果が十分
得られるようにイオンエネルギーを０．５ｋｅＶ以上と
する。上限はスパッタリングによるダメージを考慮して
２ｋｅＶ程度が適当である。以上、基板温度上昇による
２族元素の脱離促進、高温、低ガス圧条件での供給律速
条件実現による２族、６族元素の脱離の差の低減、高イ
オンエネルギーでの物理的スパッタリングによる２族、
６族元素の脱離の低減により、十分なエッチング速度を
有しかつ平滑なエッチングが実現される。
【００１０】
【実施例】次に本発明を図面を用いて説明する。図１は
本発明の一実施例を説明する為のエッチング装置の構成
図である。
本発明の一実施例を説明する為のエッチング装置の構成
図である。
【００１１】まず、２−６族化合物半導体であるＺｎＳ
ｅ（又はＺｎＴｅ又はＺｎＳｅＴｅ）からなる基板５を
基板ホルダーを介して図１に示す反応性イオンビームエ
ッチング（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ Ｅｔ
ｃｈｉｎｇ；ＲＩＢＥ）装置の抵抗加熱ヒータ６上にセ
ットしエッチングする。これは一般に用いられているＲ
ＩＢＥ装置で、電子サイクロトン共鳴（Ｅｌｅｃｔｌｏ
ｎ Ｃｙｃｌｏｔｏｒｏｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ；ＥＣ
Ｒ）プラズマ２より、イオン加速電極１によりイオンビ
ーム３を引き出し一定の１．１ｋｅＶのエネルギーを与
えた後に基板５に照射してエッチングを行う。エッチン
グガスには純塩素又はＢＣｌ2 やＳｉＣｌ4 を用いる。
基板５は抵抗加熱ヒータ６により２００℃に温度制御さ
れる。エッチング室４は、エッチングガス導入前には背
圧４×１０-8Ｔｏｒｒまでポンプ７により高真空に保た
れている。ガス導入後はオリフィス８の開度調節により
エッチング室４の圧力は４×１０-5Ｔｏｒｒに保持され
る。
ｅ（又はＺｎＴｅ又はＺｎＳｅＴｅ）からなる基板５を
基板ホルダーを介して図１に示す反応性イオンビームエ
ッチング（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ Ｅｔ
ｃｈｉｎｇ；ＲＩＢＥ）装置の抵抗加熱ヒータ６上にセ
ットしエッチングする。これは一般に用いられているＲ
ＩＢＥ装置で、電子サイクロトン共鳴（Ｅｌｅｃｔｌｏ
ｎ Ｃｙｃｌｏｔｏｒｏｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ；ＥＣ
Ｒ）プラズマ２より、イオン加速電極１によりイオンビ
ーム３を引き出し一定の１．１ｋｅＶのエネルギーを与
えた後に基板５に照射してエッチングを行う。エッチン
グガスには純塩素又はＢＣｌ2 やＳｉＣｌ4 を用いる。
基板５は抵抗加熱ヒータ６により２００℃に温度制御さ
れる。エッチング室４は、エッチングガス導入前には背
圧４×１０-8Ｔｏｒｒまでポンプ７により高真空に保た
れている。ガス導入後はオリフィス８の開度調節により
エッチング室４の圧力は４×１０-5Ｔｏｒｒに保持され
る。
【００１２】基板温度が２００℃と高いため蒸気圧が低
いＺｎＣｌ2 も脱離に十分な蒸気圧を有するようにな
る。一方、ガス圧が低いため供給律速となり、蒸気圧の
高いＳｅＣｌx やＴｅＣｌx の基板からの脱離速度は基
板温度が高くなり蒸気圧が上がっているにもかかわらず
飽和する。これにより２族元素化合物と６族元素化合物
の脱離速度の差を低減することが可能となる。さらに、
エッチング速度に元素依存性が小さいイオンビーム衝撃
による脱離を、高いエネルギーを有するイオンビームで
衝撃を与えることで促進する。これによりさらに脱離の
差を縮めることが可能となる。
いＺｎＣｌ2 も脱離に十分な蒸気圧を有するようにな
る。一方、ガス圧が低いため供給律速となり、蒸気圧の
高いＳｅＣｌx やＴｅＣｌx の基板からの脱離速度は基
板温度が高くなり蒸気圧が上がっているにもかかわらず
飽和する。これにより２族元素化合物と６族元素化合物
の脱離速度の差を低減することが可能となる。さらに、
エッチング速度に元素依存性が小さいイオンビーム衝撃
による脱離を、高いエネルギーを有するイオンビームで
衝撃を与えることで促進する。これによりさらに脱離の
差を縮めることが可能となる。
【００１３】イオンを用いたドライエッチングではもと
もとエッチング表面荒れの原因となる不均一なエッチン
グのうち、基板表面の酸化膜の不均一はイオン衝撃で除
去され、基板へのエッチング反応種の供給の不均一はガ
スのため小さく、反応生成物の脱離の不均一、面方位に
依存したエッチング速度の違いに起因する不均一は異方
性エッチングのため小さい。したがって本実施例により
化合物元素間の脱離速度の違いを低減することで表面平
滑エッチングが実現される。
もとエッチング表面荒れの原因となる不均一なエッチン
グのうち、基板表面の酸化膜の不均一はイオン衝撃で除
去され、基板へのエッチング反応種の供給の不均一はガ
スのため小さく、反応生成物の脱離の不均一、面方位に
依存したエッチング速度の違いに起因する不均一は異方
性エッチングのため小さい。したがって本実施例により
化合物元素間の脱離速度の違いを低減することで表面平
滑エッチングが実現される。
【００１４】このエッチング条件でのエッチング速度は
ＺｎＳｅ、ＺｎＳｅＴｅ、ＺｎＴｅでそれぞれ１１０、
１２８、２０８ｎｍ／ｍｉｎとなり、実用的なエッチン
グ速度が得られた。エッチング速度は供給律速なのでエ
ッチングガス圧をあげることで、ガス圧に比例してエッ
チング速度を増加させることができる。
ＺｎＳｅ、ＺｎＳｅＴｅ、ＺｎＴｅでそれぞれ１１０、
１２８、２０８ｎｍ／ｍｉｎとなり、実用的なエッチン
グ速度が得られた。エッチング速度は供給律速なのでエ
ッチングガス圧をあげることで、ガス圧に比例してエッ
チング速度を増加させることができる。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように本発明のエッチング
条件によれば、基板温度を高くできることによる２族元
素の脱離促進と、高温、低ガス圧による供給律速状態で
あることによる２族、６族元素の脱離の差の低減及び高
イオンエネルギーでの物理的スパッタリングによる２
族、６族元素の脱離の差の低減の複合効果により、２−
６族化合物半導体を十分なエッチング速度を有しつつ、
平滑にエッチングができるという効果がある。
条件によれば、基板温度を高くできることによる２族元
素の脱離促進と、高温、低ガス圧による供給律速状態で
あることによる２族、６族元素の脱離の差の低減及び高
イオンエネルギーでの物理的スパッタリングによる２
族、６族元素の脱離の差の低減の複合効果により、２−
６族化合物半導体を十分なエッチング速度を有しつつ、
平滑にエッチングができるという効果がある。
【図１】本発明の一実施例を説明する為のエッチング装
置の構成図。
置の構成図。
１ イオン加速電極 ２ ＥＣＲプラズマ ３ イオンビーム ４ エッチング室 ５ 基板 ６ 抵抗加熱ヒータ ７ ポンプ ８ オリフィス
Claims (1)
- 【請求項１】 塩素またはその化合物を反応ガスとする
２−６族化合物半導体のドライエッチング方法におい
て、基板温度を８０〜３５０℃、ガス圧を１×１０-5〜
１×１０-4Ｔｏｒｒ、イオンエネルギーを０．５〜２ｋ
ｅＶとすることを特徴とする２−６族化合物半導体のド
ライエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29286594A JPH08153703A (ja) | 1994-11-28 | 1994-11-28 | ２−６族化合物半導体のドライエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29286594A JPH08153703A (ja) | 1994-11-28 | 1994-11-28 | ２−６族化合物半導体のドライエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08153703A true JPH08153703A (ja) | 1996-06-11 |
Family
ID=17787381
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29286594A Pending JPH08153703A (ja) | 1994-11-28 | 1994-11-28 | ２−６族化合物半導体のドライエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08153703A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100540862B1 (ko) * | 2000-12-27 | 2006-01-16 | 스미토모덴키고교가부시키가이샤 | ZnSe 다결정체의 레이저용 회절형 광학부품의 제조방법 |
| CN105355550A (zh) * | 2015-12-02 | 2016-02-24 | 中国科学院微电子研究所 | Iii族氮化物低损伤刻蚀方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0378274A (ja) * | 1989-08-21 | 1991-04-03 | Seiko Epson Corp | 半導体レーザの製造方法 |
| JPH0378275A (ja) * | 1989-08-21 | 1991-04-03 | Seiko Epson Corp | 半導体レーザの製造方法 |
-
1994
- 1994-11-28 JP JP29286594A patent/JPH08153703A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0378274A (ja) * | 1989-08-21 | 1991-04-03 | Seiko Epson Corp | 半導体レーザの製造方法 |
| JPH0378275A (ja) * | 1989-08-21 | 1991-04-03 | Seiko Epson Corp | 半導体レーザの製造方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100540862B1 (ko) * | 2000-12-27 | 2006-01-16 | 스미토모덴키고교가부시키가이샤 | ZnSe 다결정체의 레이저용 회절형 광학부품의 제조방법 |
| CN105355550A (zh) * | 2015-12-02 | 2016-02-24 | 中国科学院微电子研究所 | Iii族氮化物低损伤刻蚀方法 |
| CN105355550B (zh) * | 2015-12-02 | 2018-05-01 | 中国科学院微电子研究所 | Iii族氮化物低损伤刻蚀方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10727080B2 (en) | Tantalum-containing material removal | |
| US4599135A (en) | Thin film deposition | |
| US4330569A (en) | Method for conditioning nitride surface | |
| US3600218A (en) | Method for depositing insulating films of silicon nitride and aluminum nitride | |
| JPS61218134A (ja) | 薄膜形成装置および薄膜形成方法 | |
| KR100382720B1 (ko) | 반도체 식각 장치 및 이를 이용한 반도체 소자의 식각 방법 | |
| US5145554A (en) | Method of anisotropic dry etching of thin film semiconductors | |
| US6960533B2 (en) | Method of processing a sample surface having a masking material and an anti-reflective film using a plasma | |
| US4406733A (en) | Dry etching method | |
| US3536547A (en) | Plasma deposition of oxide coatings on silicon and electron bombardment of portions thereof to be etched selectively | |
| JPH08153703A (ja) | ２−６族化合物半導体のドライエッチング方法 | |
| JPH05320891A (ja) | スパッタリング装置 | |
| US5133830A (en) | Method of pretreatment and anisotropic dry etching of thin film semiconductors | |
| US6103318A (en) | Method for making an optical waveguide component using a low-stress silicon photomask | |
| JPH03769B2 (ja) | ||
| US5194119A (en) | Method of anisotropic dry etching of thin film semiconductors | |
| JPH09263948A (ja) | プラズマを用いた薄膜形成方法、薄膜製造装置、エッチング方法、及びエッチング装置 | |
| JPH07130712A (ja) | Ｐｔを主成分とする合金のエッチング方法 | |
| US7192875B1 (en) | Processes for treating morphologically-modified silicon electrode surfaces using gas-phase interhalogens | |
| JP2995794B2 (ja) | ▲ｉｉｉ▼−▲ｖ▼族化合物半導体基板のエッチング方法 | |
| JPH06291063A (ja) | 表面処理装置 | |
| JPH05160078A (ja) | ドライエッチング方法 | |
| KR20170095463A (ko) | 박막제조를 위한 이종 기상 증착방법 및 이종 기상 증착장치 | |
| JP2612373B2 (ja) | 反応性イオンエッチング方法 | |
| JPS6329504A (ja) | バイアススパツタ方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19970527 |