JPH08162302A - サーミスタとその製造方法 - Google Patents
サーミスタとその製造方法Info
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- JPH08162302A JPH08162302A JP6301071A JP30107194A JPH08162302A JP H08162302 A JPH08162302 A JP H08162302A JP 6301071 A JP6301071 A JP 6301071A JP 30107194 A JP30107194 A JP 30107194A JP H08162302 A JPH08162302 A JP H08162302A
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- atom
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- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 抵抗値の経時変化の小さい優れたサーミスタ
とその製造方法を提供することを目的とするものであ
る。 【構成】 上記目的を達成するために本発明のサーミス
タは、サーミスタ素体１をＭｎ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｆ
ｅ，Ａｌの酸化物の中から１種あるいは２種以上混合し
たもの１００原子％に対し、Ｚｒの酸化物を０．０１原
子％以上、１０原子％未満添加したもので形成し、この
サーミスタ素体１に電極２ａ，２ｂを形成するものであ
る。
とその製造方法を提供することを目的とするものであ
る。 【構成】 上記目的を達成するために本発明のサーミス
タは、サーミスタ素体１をＭｎ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｆ
ｅ，Ａｌの酸化物の中から１種あるいは２種以上混合し
たもの１００原子％に対し、Ｚｒの酸化物を０．０１原
子％以上、１０原子％未満添加したもので形成し、この
サーミスタ素体１に電極２ａ，２ｂを形成するものであ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばガラス封入サー
ミスタに用いるサーミスタとその製造方法に関するもの
である。
ミスタに用いるサーミスタとその製造方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＮＴＣサーミスタは、サーミスタ
素体を、マンガン−ニッケル系、マンガン−ニッケル−
コバルト系などの酸化物を用いて形成し、このサーミス
タ素体に電極を形成していた。
素体を、マンガン−ニッケル系、マンガン−ニッケル−
コバルト系などの酸化物を用いて形成し、このサーミス
タ素体に電極を形成していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の構成では、
高温使用下において、サーミスタ素体の結晶構造の変化
等のために抵抗値の経時変化が大きくなるという問題点
を有していた。本発明は上記問題点を解決するもので、
高温使用下における抵抗値の経時変化の小さい安定した
特性を有するサーミスタを提供することを目的とするも
のである。
高温使用下において、サーミスタ素体の結晶構造の変化
等のために抵抗値の経時変化が大きくなるという問題点
を有していた。本発明は上記問題点を解決するもので、
高温使用下における抵抗値の経時変化の小さい安定した
特性を有するサーミスタを提供することを目的とするも
のである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明のサーミスタは、サーミスタ素体をＭｎ，Ｎ
ｉ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ａｌの酸化物の中から１種ある
いは２種以上混合したもの１００原子％に対し、Ｚｒの
酸化物を０．０１原子％以上、１０原子％未満添加した
ものを用いて形成し、これに電極を形成したものであ
る。
に、本発明のサーミスタは、サーミスタ素体をＭｎ，Ｎ
ｉ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ａｌの酸化物の中から１種ある
いは２種以上混合したもの１００原子％に対し、Ｚｒの
酸化物を０．０１原子％以上、１０原子％未満添加した
ものを用いて形成し、これに電極を形成したものであ
る。
【０００５】
【作用】上記構成によるとＺｒは４価を取るためスピネ
ル相やＮａＣｌ相に固溶せず、単独で析出する。このた
めスピネル単相領域における正方晶−立方晶の変態や、
スピネルとＮａＣｌ相の混晶領域におけるスピネル相−
ＮａＣｌ相の相変態を抑制し、高温使用下における抵抗
値の経時変化を小さくすることができ、また、素体強度
が向上する。
ル相やＮａＣｌ相に固溶せず、単独で析出する。このた
めスピネル単相領域における正方晶−立方晶の変態や、
スピネルとＮａＣｌ相の混晶領域におけるスピネル相−
ＮａＣｌ相の相変態を抑制し、高温使用下における抵抗
値の経時変化を小さくすることができ、また、素体強度
が向上する。
【０００６】
（実施例１）以下、本発明の第１の実施例について説明
する。
する。
【０００７】酸化マンガン、酸化ニッケル、酸化コバル
ト、酸化クロム、酸化アルミニウム、酸化鉄、ジルコニ
ウムの酸化物を焼結後の金属原子組成が（表１）、（表
２）、（表３）の組成比になるように配合し、ボールミ
ルで１６時間湿式混合した。
ト、酸化クロム、酸化アルミニウム、酸化鉄、ジルコニ
ウムの酸化物を焼結後の金属原子組成が（表１）、（表
２）、（表３）の組成比になるように配合し、ボールミ
ルで１６時間湿式混合した。
【０００８】
【表１】
【０００９】
【表２】
【００１０】
【表３】
【００１１】その後、１００℃〜２００℃で脱水乾燥
し、乳鉢、乳棒を用いて粉体にした。次に、この粉体を
６００℃〜１０００℃で２時間仮焼し、これら仮焼物を
ボールミルで２０時間湿式粉砕後、１００℃〜２００℃
で脱水乾燥し、純水とポリビニールアルコール（ＰＶ
Ａ）をバインダーとして８ｗｔ％添加し、乳鉢、乳棒で
顆粒状に造粒した後、所要量採取して、例えば直径３０
ｍｍ、熱さ１５ｍｍのブロック型に成形圧１ｔ／ｃｍ2
で加圧成形し成形品を得た。これらを空気中１０００℃
〜１４５０℃の温度で２時間焼結させた。焼成後、この
ブロックを厚さ５００μｍのウェハにスライスし、１０
００℃以上で熱処理を行い、歪を除去した。次に、この
ウェハの両面にＰｔペーストをスクリーン印刷し、９８
０℃で焼き付けを行い電極を形成した。電極焼付け後、
ウェハを例えば７００μｍ角に分断して、図１に示すよ
うな両面に電極２ａ，２ｂが形成されたサーミスタ素体
１を得た。
し、乳鉢、乳棒を用いて粉体にした。次に、この粉体を
６００℃〜１０００℃で２時間仮焼し、これら仮焼物を
ボールミルで２０時間湿式粉砕後、１００℃〜２００℃
で脱水乾燥し、純水とポリビニールアルコール（ＰＶ
Ａ）をバインダーとして８ｗｔ％添加し、乳鉢、乳棒で
顆粒状に造粒した後、所要量採取して、例えば直径３０
ｍｍ、熱さ１５ｍｍのブロック型に成形圧１ｔ／ｃｍ2
で加圧成形し成形品を得た。これらを空気中１０００℃
〜１４５０℃の温度で２時間焼結させた。焼成後、この
ブロックを厚さ５００μｍのウェハにスライスし、１０
００℃以上で熱処理を行い、歪を除去した。次に、この
ウェハの両面にＰｔペーストをスクリーン印刷し、９８
０℃で焼き付けを行い電極を形成した。電極焼付け後、
ウェハを例えば７００μｍ角に分断して、図１に示すよ
うな両面に電極２ａ，２ｂが形成されたサーミスタ素体
１を得た。
【００１２】次に、サーミスタ素体１の電極２ａ，２ｂ
上にジュメット線などのリード線４ａ，４ｂを耐熱導電
性塗料３ａ，３ｂで接合後、７００℃から９００℃で焼
き付けた。このリード線４ａ，４ｂ付きサーミスタ素体
１をケイ酸鉛系ガラスチューブ内に収め、トンネル炉に
よりガラス被膜５で封着し、ガラス封止型のＮＴＣサー
ミスタ（以降サーミスタ素子という）を得た。
上にジュメット線などのリード線４ａ，４ｂを耐熱導電
性塗料３ａ，３ｂで接合後、７００℃から９００℃で焼
き付けた。このリード線４ａ，４ｂ付きサーミスタ素体
１をケイ酸鉛系ガラスチューブ内に収め、トンネル炉に
よりガラス被膜５で封着し、ガラス封止型のＮＴＣサー
ミスタ（以降サーミスタ素子という）を得た。
【００１３】このようにして完成した各サーミスタ素子
を直流４端子法を用いて２５℃の抵抗値（Ｒ２５）、８
５℃の抵抗値（Ｒ８５）を測定し、（数３）を用いて、
２５℃での比抵抗（ρ２５）を、また（数４）を用いて
２５℃と８５℃間のＢ定数（Ｂ２５／８５）を算出し
た。
を直流４端子法を用いて２５℃の抵抗値（Ｒ２５）、８
５℃の抵抗値（Ｒ８５）を測定し、（数３）を用いて、
２５℃での比抵抗（ρ２５）を、また（数４）を用いて
２５℃と８５℃間のＢ定数（Ｂ２５／８５）を算出し
た。
【００１４】
【数３】
【００１５】
【数４】
【００１６】また、抵抗変化率は、２５℃で抵抗値（Ｒ
２５Ａ）を測定した試料を、３００℃に維持した高温槽
中に３０００時間放置した後、試料の抵抗値（Ｒ２５
Ｂ）を２５℃で再度測定した。放置前後の抵抗値の変化
率を（数５）により求めた。
２５Ａ）を測定した試料を、３００℃に維持した高温槽
中に３０００時間放置した後、試料の抵抗値（Ｒ２５
Ｂ）を２５℃で再度測定した。放置前後の抵抗値の変化
率を（数５）により求めた。
【００１７】
【数５】
【００１８】（表１）、（表２）、（表３）において、
＊印は本発明の範囲外のものである。
＊印は本発明の範囲外のものである。
【００１９】また、表を見てもわかるように、本発明の
特許請求の範囲に示した組成では、抵抗変化率が±５％
以内であるが、本発明の請求の範囲外のものはいずれも
抵抗変化率が大きい。
特許請求の範囲に示した組成では、抵抗変化率が±５％
以内であるが、本発明の請求の範囲外のものはいずれも
抵抗変化率が大きい。
【００２０】（実施例２）以下、本発明の第２の実施例
について説明する。
について説明する。
【００２１】酸化マンガン、酸化ニッケル、酸化コバル
ト、酸化クロム、酸化アルミニウム、酸化鉄、水酸化ジ
ルコニウムを焼結後の金属原子組成が（表４）の組成比
になるように配合し、第１の実施例と同様にサーミスタ
素子を作成した。
ト、酸化クロム、酸化アルミニウム、酸化鉄、水酸化ジ
ルコニウムを焼結後の金属原子組成が（表４）の組成比
になるように配合し、第１の実施例と同様にサーミスタ
素子を作成した。
【００２２】
【表４】
【００２３】まず、ボールミルで１６時間湿式混合した
後、１００℃〜２００℃で脱水乾燥し、乳鉢、乳棒を用
いて粉体にした。次にこの粉体を６００℃〜１０００℃
で２時間仮焼し、これら仮焼物をボールミルで２０時間
湿式粉砕後、１００℃〜２００℃で脱水乾燥し、純水と
ポリビニールアルコール（ＰＶＡ）をバインダーとして
８ｗｔ％添加し、乳鉢、乳棒で顆粒状に造粒した後、所
要量採取して例えば直径３０ｍｍ、厚さ１５ｍｍのブロ
ック型に成形圧１ｔ／ｃｍ2で加圧成形し成形品を得
た。これらを空気中１０００℃〜１４５０℃の温度で２
時間焼結させた。焼成後、このブロックを厚さ５００μ
ｍのウェハにスライスし、１０００℃以上で熱処理を行
い、歪を除去した。次にこのウェハの両面にＰｔペース
トをスクリーン印刷し、９８０℃で焼き付けを行い電極
を形成した。電極焼付け後、ウェハを例えば７００μｍ
角に分断して図１に示すような両面に電極２ａ，２ｂが
形成されたサーミスタ素体１を得た。
後、１００℃〜２００℃で脱水乾燥し、乳鉢、乳棒を用
いて粉体にした。次にこの粉体を６００℃〜１０００℃
で２時間仮焼し、これら仮焼物をボールミルで２０時間
湿式粉砕後、１００℃〜２００℃で脱水乾燥し、純水と
ポリビニールアルコール（ＰＶＡ）をバインダーとして
８ｗｔ％添加し、乳鉢、乳棒で顆粒状に造粒した後、所
要量採取して例えば直径３０ｍｍ、厚さ１５ｍｍのブロ
ック型に成形圧１ｔ／ｃｍ2で加圧成形し成形品を得
た。これらを空気中１０００℃〜１４５０℃の温度で２
時間焼結させた。焼成後、このブロックを厚さ５００μ
ｍのウェハにスライスし、１０００℃以上で熱処理を行
い、歪を除去した。次にこのウェハの両面にＰｔペース
トをスクリーン印刷し、９８０℃で焼き付けを行い電極
を形成した。電極焼付け後、ウェハを例えば７００μｍ
角に分断して図１に示すような両面に電極２ａ，２ｂが
形成されたサーミスタ素体１を得た。
【００２４】次に、サーミスタ素体１の電極２ａ，２ｂ
状にジュメット線などのリード線４ａ，４ｂを耐熱導電
性塗料３ａ，３ｂで接合後、７００℃から９００℃で焼
き付けた。このリード線付きサーミスタ素体をホウケイ
酸鉛系ガラスチューブ内に収め、トンネル炉によりガラ
ス被膜５で封着し、ガラス封止型のＮＴＣサーミスタ
（以降サーミスタ素子という）を得た。
状にジュメット線などのリード線４ａ，４ｂを耐熱導電
性塗料３ａ，３ｂで接合後、７００℃から９００℃で焼
き付けた。このリード線付きサーミスタ素体をホウケイ
酸鉛系ガラスチューブ内に収め、トンネル炉によりガラ
ス被膜５で封着し、ガラス封止型のＮＴＣサーミスタ
（以降サーミスタ素子という）を得た。
【００２５】このようにして完成した各サーミスタ素子
を直流４端子法を用いて２５℃の抵抗値（Ｒ２５）、８
５℃の抵抗値（Ｒ８５）を測定し、（数３）を用いて、
２５℃での比抵抗（ρ２５）を、（数４）を用いて２５
℃と８５℃間のＢ定数（Ｂ２５／８５）を、また（数
６）を用いて２５℃の抵抗値の変動係数を算出した。
を直流４端子法を用いて２５℃の抵抗値（Ｒ２５）、８
５℃の抵抗値（Ｒ８５）を測定し、（数３）を用いて、
２５℃での比抵抗（ρ２５）を、（数４）を用いて２５
℃と８５℃間のＢ定数（Ｂ２５／８５）を、また（数
６）を用いて２５℃の抵抗値の変動係数を算出した。
【００２６】
【数６】
【００２７】その結果を（表４）に示す。比較のために
ジルコニアの出発原料を水酸化ジルコニウムの代わり
に、酸化ジルコニウムを使用した結果を（表５）に示
す。
ジルコニアの出発原料を水酸化ジルコニウムの代わり
に、酸化ジルコニウムを使用した結果を（表５）に示
す。
【００２８】
【表５】
【００２９】（表４）、（表５）において＊印の試料は
本発明の請求の範囲外のものである。表を見てもわかる
ように、サーミスタ素体１の組成が同じならば、ジルコ
ニアの原材料に水酸化ジルコニウムを使用した方が、酸
化ジルコニウムを使用した物より変動係数は小さい。
本発明の請求の範囲外のものである。表を見てもわかる
ように、サーミスタ素体１の組成が同じならば、ジルコ
ニアの原材料に水酸化ジルコニウムを使用した方が、酸
化ジルコニウムを使用した物より変動係数は小さい。
【００３０】また、本発明の特許請求の範囲外の組成の
サーミスタ素体１の試料は、原材料に水酸化ジルコニウ
ムを使用しても、抵抗値の変動係数は３％以上と大き
く、酸化ジルコニウムを使用した物と差はなかった。
サーミスタ素体１の試料は、原材料に水酸化ジルコニウ
ムを使用しても、抵抗値の変動係数は３％以上と大き
く、酸化ジルコニウムを使用した物と差はなかった。
【００３１】これは、酸化ジルコニウムより、水酸化ジ
ルコニウムの方が、活性化が高いため、上記サーミスタ
素体１の原材料に水酸化ジルコニウムを使用することに
より、反応性が、促進され、サーミスタ素体１が、均質
化されるためである。
ルコニウムの方が、活性化が高いため、上記サーミスタ
素体１の原材料に水酸化ジルコニウムを使用することに
より、反応性が、促進され、サーミスタ素体１が、均質
化されるためである。
【００３２】（実施例３）以下、本発明の第３の実施例
について説明する。
について説明する。
【００３３】サーミスタ素体１が（表６）、（表７）、
（表８）に示す組成のサーミスタにリード線４ａ，４ｂ
を耐熱導電性塗料３ａ，３ｂで接合後、ガラス被膜５で
封止した試料を作成し、直流４端子法を用いて２５℃の
抵抗値（Ｒ２５）、８５℃の抵抗値（Ｒ８５）を測定
し、（数３）を用いて、２５℃での比抵抗（ρ２５）
を、（数４）を用いて２５℃と８５℃間のＢ定数（Ｂ２
５／８５）を算出した。
（表８）に示す組成のサーミスタにリード線４ａ，４ｂ
を耐熱導電性塗料３ａ，３ｂで接合後、ガラス被膜５で
封止した試料を作成し、直流４端子法を用いて２５℃の
抵抗値（Ｒ２５）、８５℃の抵抗値（Ｒ８５）を測定
し、（数３）を用いて、２５℃での比抵抗（ρ２５）
を、（数４）を用いて２５℃と８５℃間のＢ定数（Ｂ２
５／８５）を算出した。
【００３４】
【表６】
【００３５】
【表７】
【００３６】
【表８】
【００３７】そして、サーミスタ素子を実使用条件（電
圧１２Ｖ、電流１３０ｍＡ）で１００時間エージングし
た後、３００℃に維持した高温槽中に３０００時間放置
した後、試料の抵抗値（Ｒ２５Ｂ）を２５℃で再度測定
した。放置前後の抵抗値の変化率を（数５）により求め
た。
圧１２Ｖ、電流１３０ｍＡ）で１００時間エージングし
た後、３００℃に維持した高温槽中に３０００時間放置
した後、試料の抵抗値（Ｒ２５Ｂ）を２５℃で再度測定
した。放置前後の抵抗値の変化率を（数５）により求め
た。
【００３８】（表６）、（表７）、（表８）に結果を示
す。（表１）〜（表６）を見ると、本発明のサーミスタ
に実使用条件でエージングを行った試料は、抵抗値の経
時変化率が５％以下と低い。そしてサーミスタ素体１の
組成が同じならば、エージングを行った試料の方が、エ
ージングを行っていない試料の方より抵抗値の経時変化
は小さい。
す。（表１）〜（表６）を見ると、本発明のサーミスタ
に実使用条件でエージングを行った試料は、抵抗値の経
時変化率が５％以下と低い。そしてサーミスタ素体１の
組成が同じならば、エージングを行った試料の方が、エ
ージングを行っていない試料の方より抵抗値の経時変化
は小さい。
【００３９】また、本発明の特許請求の範囲外の組成の
サーミスタ素体１の試料は、実使用条件でエージングを
行っても、抵抗値の経時変化は±５％以上と大きく、エ
ージング無しのものと差はなかった。
サーミスタ素体１の試料は、実使用条件でエージングを
行っても、抵抗値の経時変化は±５％以上と大きく、エ
ージング無しのものと差はなかった。
【００４０】これは、上記サーミスタを実使用温度でエ
ージングすることにより、結晶構造、気孔濃度やモビリ
ティーがその温度で平衡状態となり経時変化である抵抗
変化率が小さくなるからである。
ージングすることにより、結晶構造、気孔濃度やモビリ
ティーがその温度で平衡状態となり経時変化である抵抗
変化率が小さくなるからである。
【００４１】（実施例４）以下、本発明の第４の実施例
について説明する。
について説明する。
【００４２】図１は本発明の実施例に適用されるサーミ
スタの構造である。サーミスタ素体１の両面には電極２
ａ，２ｂが形成されている。この電極２ａ，２ｂはＰ
ｔ，Ａｇ，Ａｇ−Ｐｄ等の金属粉末とガラスフリットを
所定の割合で含有した電極ペーストがサーミスタ素体１
上に塗布、焼き付けされ形成されている。
スタの構造である。サーミスタ素体１の両面には電極２
ａ，２ｂが形成されている。この電極２ａ，２ｂはＰ
ｔ，Ａｇ，Ａｇ−Ｐｄ等の金属粉末とガラスフリットを
所定の割合で含有した電極ペーストがサーミスタ素体１
上に塗布、焼き付けされ形成されている。
【００４３】こうして形成された電極２ａ，２ｂには、
Ａｕ等の、耐熱導電性塗料３ａ，３ｂによりリード線４
ａ，４ｂが接続されている。このようにして形成された
リード線４ａ，４ｂ付きサーミスタ素子をガラス管の中
に通したのち、８００〜１０００℃まで加熱溶着し、ガ
ラス被膜５を形成する。
Ａｕ等の、耐熱導電性塗料３ａ，３ｂによりリード線４
ａ，４ｂが接続されている。このようにして形成された
リード線４ａ，４ｂ付きサーミスタ素子をガラス管の中
に通したのち、８００〜１０００℃まで加熱溶着し、ガ
ラス被膜５を形成する。
【００４４】このような構造のサーミスタ素子を、（表
９）（表１０）に示すような構成で本発明に従い作成
し、２５℃における抵抗値を測定した。
９）（表１０）に示すような構成で本発明に従い作成
し、２５℃における抵抗値を測定した。
【００４５】
【表９】
【００４６】
【表１０】
【００４７】そして、これらについて、高温放置試験、
及びヒートサイクル試験を行い、試験後の抵抗値（Ｒ２
５Ｂ）を２５℃で再度測定し、試験前後の抵抗値の変化
率を（数５）により求めた。
及びヒートサイクル試験を行い、試験後の抵抗値（Ｒ２
５Ｂ）を２５℃で再度測定し、試験前後の抵抗値の変化
率を（数５）により求めた。
【００４８】なお、高温放置試験は、３００℃において
３０００時間放置後に測定を実施した。
３０００時間放置後に測定を実施した。
【００４９】またヒートサイクル試験は３００℃に３０
分間放置後、直ちに常温で１０分間風冷を行うのを１サ
イクルとして１０００サイクル後に測定を実施した。
分間放置後、直ちに常温で１０分間風冷を行うのを１サ
イクルとして１０００サイクル後に測定を実施した。
【００５０】その結果を（表９）、（表１０）に示す。
（表９）、（表１０）から明らかなように、本発明の構
成のサーミスタ素子は、高温放置試験の抵抗値変化率が
５％以下と低く、ヒートサイクル試験後の抵抗値変化率
も３％以下と低く、優れた耐熱性及び高温安定性を有す
ることがわかる。本発明の請求の範囲外の構成のサーミ
スタ素子は、高温放置試験、及びヒートサイクル試験中
に破損したり、使用に耐えられないほどの抵抗値変化を
示している。
（表９）、（表１０）から明らかなように、本発明の構
成のサーミスタ素子は、高温放置試験の抵抗値変化率が
５％以下と低く、ヒートサイクル試験後の抵抗値変化率
も３％以下と低く、優れた耐熱性及び高温安定性を有す
ることがわかる。本発明の請求の範囲外の構成のサーミ
スタ素子は、高温放置試験、及びヒートサイクル試験中
に破損したり、使用に耐えられないほどの抵抗値変化を
示している。
【００５１】
【発明の効果】以上のように本発明のサーミスタは、サ
ーミスタ素体を、Ｍｎ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ａｌ
の酸化物の中から１種あるいは２種以上混合したもの１
００原子％に対し、Ｚｒの酸化物を０．０１原子％以
上、１０原子％未満添加して形成したものである。
ーミスタ素体を、Ｍｎ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ａｌ
の酸化物の中から１種あるいは２種以上混合したもの１
００原子％に対し、Ｚｒの酸化物を０．０１原子％以
上、１０原子％未満添加して形成したものである。
【００５２】その結果、Ｚｒは４価を取るためスピネル
相やＮａＣｌ相に固溶せず、単独で析出する。
相やＮａＣｌ相に固溶せず、単独で析出する。
【００５３】このためスピネル単相領域における正方晶
−立方晶の変態や、スピネルとＮａＣｌ相の混晶領域に
おけるスピネル相−ＮａＣｌ相の相変態を疎外し、高温
使用下における抵抗値の経時変化を小さくすることがで
きる。
−立方晶の変態や、スピネルとＮａＣｌ相の混晶領域に
おけるスピネル相−ＮａＣｌ相の相変態を疎外し、高温
使用下における抵抗値の経時変化を小さくすることがで
きる。
【００５４】そして、サーミスタを実使用温度でエージ
ングすることにより、結晶構造、気孔濃度やモビリティ
ーがその温度で平衡状態となり、さらに抵抗値の経時変
化を小さくすることができる。
ングすることにより、結晶構造、気孔濃度やモビリティ
ーがその温度で平衡状態となり、さらに抵抗値の経時変
化を小さくすることができる。
【００５５】また、実施例で示したように、サーミスタ
素体の熱膨張係数、リード線の熱膨張係数、及びガラス
の熱膨張係数が（数７）、（数８）の関係式で表される
サーミスタをガラス封入サーミスタ用に用いることによ
り、サーミスタの抵抗値不良やオープン不良を確実に防
止することができる。
素体の熱膨張係数、リード線の熱膨張係数、及びガラス
の熱膨張係数が（数７）、（数８）の関係式で表される
サーミスタをガラス封入サーミスタ用に用いることによ
り、サーミスタの抵抗値不良やオープン不良を確実に防
止することができる。
【００５６】
【数７】
【００５７】
【数８】
【図１】本発明の一実施例におけるサーミスタの断面図
１ サーミスタ素体 ２ａ 電極 ２ｂ 電極 ４ａ リード線 ４ｂ リード線 ５ ガラス被膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 味山 雅彦 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 サーミスタ素体と、このサーミスタ素体
に設けた電極とを備え、前記サーミスタ素体は、Ｍｎ，
Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ａｌの酸化物の中から１種あ
るいは２種以上混合したもの１００原子％に対し、Ｚｒ
の酸化物を０．０１原子％以上、１０原子％未満添加し
たもので形成したサーミスタ。 - 【請求項２】 サーミスタ素体と、このサーミスタ素体
の表面に設けた電極と、この電極に接続固定したリード
線と、前記サーミスタ素体と前記リード線の一部を被覆
したガラスとを備え、前記サーミスタ素体の熱膨張係数
αｓ、前記リード線の熱膨張係数αｒ、及び前記ガラス
の熱膨張係数αｇの関係が（数１）、（数２）で表され
るサーミスタ。 【数１】 【数２】 - 【請求項３】 Ｍｎ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ａｌの
酸化物の中から１種あるいは２種以上混合したもの１０
０原子％に対し、水酸化ジルコニウムを０．０１原子％
以上、１０原子％未満添加してサーミスタ素体を形成
し、次に、このサーミスタ素体に電極を形成するサーミ
スタの製造方法。 - 【請求項４】 Ｍｎ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ａｌの
酸化物の中から１種あるいは２種以上混合したもの１０
０原子％に対し、Ｚｒの酸化物を０．０１原子％以上、
１０原子％未満添加してサーミスタ素体を形成し、次
に、このサーミスタ素体に電極を形成した後、実使用温
度においてエージングするサーミスタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6301071A JPH08162302A (ja) | 1994-12-05 | 1994-12-05 | サーミスタとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6301071A JPH08162302A (ja) | 1994-12-05 | 1994-12-05 | サーミスタとその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08162302A true JPH08162302A (ja) | 1996-06-21 |
Family
ID=17892526
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6301071A Pending JPH08162302A (ja) | 1994-12-05 | 1994-12-05 | サーミスタとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08162302A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006032856A (ja) * | 2004-07-21 | 2006-02-02 | Tdk Corp | サーミスタ組成物及びサーミスタ素子 |
| JP2009115789A (ja) * | 2007-10-15 | 2009-05-28 | Denso Corp | 温度センサ及びその製造方法 |
| JP2009188179A (ja) * | 2008-02-06 | 2009-08-20 | Tdk Corp | サーミスタ用組成物 |
| JP2009288023A (ja) * | 2008-05-28 | 2009-12-10 | Denso Corp | 温度センサ |
| WO2011136193A1 (ja) * | 2010-04-28 | 2011-11-03 | 株式会社デンソー | 感温素子を備えた温度センサ |
| EP2779178A1 (en) * | 2013-03-12 | 2014-09-17 | NGK Spark Plug Co., Ltd. | Thermistor Element, Temperature Sensor, and Method for Manufacturing the Thermistor Element |
-
1994
- 1994-12-05 JP JP6301071A patent/JPH08162302A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| DE112011101480B4 (de) * | 2010-04-28 | 2018-11-15 | Denso Corporation | Temperatursensor mit einem wärmeempfindlichen Bauteil |
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| EP2985767A1 (en) * | 2013-03-12 | 2016-02-17 | NGK Spark Plug Co., Ltd. | Thermistor element and temperature sensor comprising the thermistor element |
| US9312054B2 (en) | 2013-03-12 | 2016-04-12 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Thermistor element, temperature sensor, and method for manufacturing the thermistor element |
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