JPH08162484A - 半導体パッケージの製造方法 - Google Patents
半導体パッケージの製造方法Info
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- JPH08162484A JPH08162484A JP30603694A JP30603694A JPH08162484A JP H08162484 A JPH08162484 A JP H08162484A JP 30603694 A JP30603694 A JP 30603694A JP 30603694 A JP30603694 A JP 30603694A JP H08162484 A JPH08162484 A JP H08162484A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体装置を樹脂で封止して半導体パッケ
ージを製造する方法として、従来よりも生産性の高い製
造方法を提供する。 【構成】 半導体装置４を封止する樹脂材料２の一部
または全てを成形前にフィルム１に担持させた状態で金
型５１、５２内に持ち込み、その後、その樹脂材料２を
加熱溶融させるか、あるいは金型内の未充填部分に封止
用の樹脂材料５を別途注入することにより、半導体装置
４を所定の状態に封止する。
ージを製造する方法として、従来よりも生産性の高い製
造方法を提供する。 【構成】 半導体装置４を封止する樹脂材料２の一部
または全てを成形前にフィルム１に担持させた状態で金
型５１、５２内に持ち込み、その後、その樹脂材料２を
加熱溶融させるか、あるいは金型内の未充填部分に封止
用の樹脂材料５を別途注入することにより、半導体装置
４を所定の状態に封止する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置を樹脂で封
止して半導体パッケージを製造する方法に関する。
止して半導体パッケージを製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えばチップ状のＬＳＩ等の半導体装置
を樹脂で封止してパッケージ化する方法として、トラン
スファ−成形による方法がある。これは、粉末状または
タブレット状の樹脂を加熱・加圧して溶融させたのち金
型に注入して固化させることによりパッケージ化するも
ので、これによれば、金型への樹脂注入を低速で行うこ
とで、一定品質の半導体パッケージを比較的低コストで
大量に生産することができる。このため、従来において
は半導体装置を樹脂で封止するに際し上記トランスファ
−成形による方法が最も多く用いられている。
を樹脂で封止してパッケージ化する方法として、トラン
スファ−成形による方法がある。これは、粉末状または
タブレット状の樹脂を加熱・加圧して溶融させたのち金
型に注入して固化させることによりパッケージ化するも
ので、これによれば、金型への樹脂注入を低速で行うこ
とで、一定品質の半導体パッケージを比較的低コストで
大量に生産することができる。このため、従来において
は半導体装置を樹脂で封止するに際し上記トランスファ
−成形による方法が最も多く用いられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年におけ
る半導体装置の低価格化の要求に伴い、上述のような半
導体装置の樹脂封止の分野においても、生産性の大幅な
向上が必要とされており、また環境保護の観点から産業
廃棄物をできるだけ少なくすべく、封止材料の効率的な
利用が強く要望されている。
る半導体装置の低価格化の要求に伴い、上述のような半
導体装置の樹脂封止の分野においても、生産性の大幅な
向上が必要とされており、また環境保護の観点から産業
廃棄物をできるだけ少なくすべく、封止材料の効率的な
利用が強く要望されている。
【０００４】この点に関し、従来のトランスファ−成形
による方法では、例えば、毎回封止材料の全てを加熱室
（トランスファ−ポットないしトランスファ−チャン
バ）中で可塑化させ、成形後は加熱室に残留した硬化物
（カル）を取り出すため、比較的時間を要するとともに
材料のムダが生じやすいという問題があった。
による方法では、例えば、毎回封止材料の全てを加熱室
（トランスファ−ポットないしトランスファ−チャン
バ）中で可塑化させ、成形後は加熱室に残留した硬化物
（カル）を取り出すため、比較的時間を要するとともに
材料のムダが生じやすいという問題があった。
【０００５】このような事情から、半導体パッケージの
製造方法においても、従来に比べてより高い生産性の実
現と封止材料の効率的な利用が課題となっている。本発
明は、このような課題に応えるもので、半導体装置を樹
脂で封止して半導体パッケージを製造する方法として、
従来よりも生産性に優れ、しかも封止材料の効率的利用
が可能な方法を提供することを目的とする。
製造方法においても、従来に比べてより高い生産性の実
現と封止材料の効率的な利用が課題となっている。本発
明は、このような課題に応えるもので、半導体装置を樹
脂で封止して半導体パッケージを製造する方法として、
従来よりも生産性に優れ、しかも封止材料の効率的利用
が可能な方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本願の各発明は、半導体装置を樹脂で封止して半導
体パッケージを製造する方法において、それぞれ次のよ
うに構成したことを特徴とする。
め、本願の各発明は、半導体装置を樹脂で封止して半導
体パッケージを製造する方法において、それぞれ次のよ
うに構成したことを特徴とする。
【０００７】すなわち、本願の第１発明（請求項１に係
る発明）は、半導体装置を樹脂で封止して半導体パッケ
ージを製造するに際し、表面に封止用樹脂材料層を所定
の状態に設けてなるフィルムを用い、そのフィルム上の
封止用樹脂材料層がパッケージ成形用金型内に位置する
ように同金型に上記フィルムをセットし、次いで、その
金型内に半導体装置を挿入したうえで同金型を閉じ、そ
の状態で上記封止用樹脂材料層を加熱して溶融させるこ
とにより、上記半導体装置を封止することを特徴とす
る。
る発明）は、半導体装置を樹脂で封止して半導体パッケ
ージを製造するに際し、表面に封止用樹脂材料層を所定
の状態に設けてなるフィルムを用い、そのフィルム上の
封止用樹脂材料層がパッケージ成形用金型内に位置する
ように同金型に上記フィルムをセットし、次いで、その
金型内に半導体装置を挿入したうえで同金型を閉じ、そ
の状態で上記封止用樹脂材料層を加熱して溶融させるこ
とにより、上記半導体装置を封止することを特徴とす
る。
【０００８】また、本願の第２発明（請求項２に係る発
明）は、半導体装置を樹脂で封止して半導体パッケージ
を製造するに際し、表面に封止用樹脂材料層を所定の状
態に設けてなるフィルムを用い、半導体装置をそのフィ
ルム上の封止用樹脂材料層に予め固定したうえで同フィ
ルムとともに金型にセットし、次いで、その金型を閉じ
て同金型内に新たに封止材料を注入することにより、上
記半導体装置を封止することを特徴とする。
明）は、半導体装置を樹脂で封止して半導体パッケージ
を製造するに際し、表面に封止用樹脂材料層を所定の状
態に設けてなるフィルムを用い、半導体装置をそのフィ
ルム上の封止用樹脂材料層に予め固定したうえで同フィ
ルムとともに金型にセットし、次いで、その金型を閉じ
て同金型内に新たに封止材料を注入することにより、上
記半導体装置を封止することを特徴とする。
【０００９】さらに、本願の第３発明（請求項３に係る
発明）は、半導体装置を樹脂で封止して半導体パッケー
ジを製造するに際し、表面に封止用樹脂材料層を所定の
状態に設けてなるフィルムを用い、半導体装置をそのフ
ィルム上の封止用樹脂材料層に予め固定したうえで同フ
ィルムとともに金型にセットし、次いで、その金型を閉
じて同金型内の封止用樹脂材料層を加熱・溶融させるこ
とにより、上記半導体装置を封止することを特徴とす
る。
発明）は、半導体装置を樹脂で封止して半導体パッケー
ジを製造するに際し、表面に封止用樹脂材料層を所定の
状態に設けてなるフィルムを用い、半導体装置をそのフ
ィルム上の封止用樹脂材料層に予め固定したうえで同フ
ィルムとともに金型にセットし、次いで、その金型を閉
じて同金型内の封止用樹脂材料層を加熱・溶融させるこ
とにより、上記半導体装置を封止することを特徴とす
る。
【００１０】以上の場合において、製造される半導体パ
ッケージの信頼性、具体的には耐湿性や耐熱性等を向上
させるために、封止用樹脂材料層が設けられたフィルム
と同封止用樹脂材料層との間に金属箔の層を予め設けて
おくことにより、半導体装置の封止時に当該半導体パッ
ケージの表面に上記金属箔を転写させることが好まし
い。
ッケージの信頼性、具体的には耐湿性や耐熱性等を向上
させるために、封止用樹脂材料層が設けられたフィルム
と同封止用樹脂材料層との間に金属箔の層を予め設けて
おくことにより、半導体装置の封止時に当該半導体パッ
ケージの表面に上記金属箔を転写させることが好まし
い。
【００１１】上述したように本発明の最も大きな特徴
は、従来のトランスファ−成形法とは異なり、半導体装
置を封止する樹脂の一部あるいは全てを、半導体パッケ
ージの成形前に所定のフィルム上に担持した状態で金型
内に供給することにより、封止材料である樹脂の利用効
率および生産性の向上を図る点にある。
は、従来のトランスファ−成形法とは異なり、半導体装
置を封止する樹脂の一部あるいは全てを、半導体パッケ
ージの成形前に所定のフィルム上に担持した状態で金型
内に供給することにより、封止材料である樹脂の利用効
率および生産性の向上を図る点にある。
【００１２】以下、本発明の内容についてさらに詳細に
説明する。本発明に用いるフィルムとしては、パッケー
ジ成形時の金型温度（通常１５０〜２５０°Ｃ）に耐え
られる程度の耐熱性を有する材料であれば特に限定され
るものでなく、例えばポリエチレンテレフタレート（Ｐ
ＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリ
イミド（ＰＩ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦ
Ｅ）等からなる各フィルムをあげることができる。な
お、この種のフィルムには、必要に応じ離型処理を施し
てもよい。
説明する。本発明に用いるフィルムとしては、パッケー
ジ成形時の金型温度（通常１５０〜２５０°Ｃ）に耐え
られる程度の耐熱性を有する材料であれば特に限定され
るものでなく、例えばポリエチレンテレフタレート（Ｐ
ＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリ
イミド（ＰＩ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦ
Ｅ）等からなる各フィルムをあげることができる。な
お、この種のフィルムには、必要に応じ離型処理を施し
てもよい。
【００１３】また、上記フィルム上に設けられる封止用
樹脂材料層としては、耐熱性、耐湿性、耐溶剤性に優れ
た材料であれば、その他の点で特に限定されるものでは
ない。したがって、すでに半導体装置用封止材料として
用いられている各種のエポキシ樹脂だけでなく、従来の
トランスファ−成形では可塑化する温度や溶融粘度が高
かったために封止材料として用いることが難しかったポ
リイミド樹脂や他の熱可塑性の耐熱性樹脂（例えば液晶
ポリマー、変成ポリフェニレンエーテル等）の使用も可
能である。また、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂に関し
ては、予め硬化したものを用いることもできる。
樹脂材料層としては、耐熱性、耐湿性、耐溶剤性に優れ
た材料であれば、その他の点で特に限定されるものでは
ない。したがって、すでに半導体装置用封止材料として
用いられている各種のエポキシ樹脂だけでなく、従来の
トランスファ−成形では可塑化する温度や溶融粘度が高
かったために封止材料として用いることが難しかったポ
リイミド樹脂や他の熱可塑性の耐熱性樹脂（例えば液晶
ポリマー、変成ポリフェニレンエーテル等）の使用も可
能である。また、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂に関し
ては、予め硬化したものを用いることもできる。
【００１４】上記フィルムへの封止用樹脂材料層の固定
方法は任意であるが、例えば、加熱圧着による固定や、
予めフィルム上に仮固定用の接着層を設けておき、この
接着層を介して封止用樹脂材料層を固定させる方法など
をあげることができる。
方法は任意であるが、例えば、加熱圧着による固定や、
予めフィルム上に仮固定用の接着層を設けておき、この
接着層を介して封止用樹脂材料層を固定させる方法など
をあげることができる。
【００１５】また、特に上記第２発明において、フィル
ム上に封止用樹脂材料層を介して半導体装置を予め固定
した上で金型にセットする場合の当該封止用樹脂材料層
を構成するものとしては、室温圧着または加熱圧着によ
り接着力を有する材料を用いる。具体的には、ゴム−エ
ポキシ材料や熱可塑性ポリイミド樹脂などがあげられ
る。
ム上に封止用樹脂材料層を介して半導体装置を予め固定
した上で金型にセットする場合の当該封止用樹脂材料層
を構成するものとしては、室温圧着または加熱圧着によ
り接着力を有する材料を用いる。具体的には、ゴム−エ
ポキシ材料や熱可塑性ポリイミド樹脂などがあげられ
る。
【００１６】本発明でパッケージの信頼性を向上させる
ために用いる金属箔の材質としては、例えばアルミニウ
ム、ステンレス鋼、銅などがあげられ、その厚みは１〜
３００μｍの範囲、好ましくは５〜２００μｍの範囲に
設定される。厚みが１μｍ以下のものは、その取扱いが
困難であり、３００μｍを超えると半導体装置を包む樹
脂の厚さが減少する。
ために用いる金属箔の材質としては、例えばアルミニウ
ム、ステンレス鋼、銅などがあげられ、その厚みは１〜
３００μｍの範囲、好ましくは５〜２００μｍの範囲に
設定される。厚みが１μｍ以下のものは、その取扱いが
困難であり、３００μｍを超えると半導体装置を包む樹
脂の厚さが減少する。
【００１７】さらに、金型へのフィルムの固定方法は各
種の方法があるが、例えば、金型に吸引孔を設け、その
吸引孔を通じてフィルムを吸引することにより金型の成
形面に同フィルムを吸着・固定させる方法をあげること
ができる。この方法は、金型の成形面に仮固定用の接着
剤等を設けなくても済むので作業効率が良く、金型成形
面を汚ごすことがないという利点がある。ただし、本発
明は、仮固定用の接着剤等を用いてフィルムを金型の成
形面に固定させるといった他の固定方法を排除するもの
ではない。
種の方法があるが、例えば、金型に吸引孔を設け、その
吸引孔を通じてフィルムを吸引することにより金型の成
形面に同フィルムを吸着・固定させる方法をあげること
ができる。この方法は、金型の成形面に仮固定用の接着
剤等を設けなくても済むので作業効率が良く、金型成形
面を汚ごすことがないという利点がある。ただし、本発
明は、仮固定用の接着剤等を用いてフィルムを金型の成
形面に固定させるといった他の固定方法を排除するもの
ではない。
【００１８】
【作用】本願第１発明の構成によれば、封止用樹脂材料
層を有するフィルムを金型にセットしたのち、その金型
内に半導体装置を挿入したうえで金型を閉じ、その状態
で加熱により同樹脂材料層を溶融させるだけで半導体装
置を封止することができるので、従来のトランスファ−
成形方法のように金型外部の加熱室で毎回キャビティ容
積に見合った所定量の封止材料を可塑化させて金型内に
注入するといったことを行わなくても済むことになる。
層を有するフィルムを金型にセットしたのち、その金型
内に半導体装置を挿入したうえで金型を閉じ、その状態
で加熱により同樹脂材料層を溶融させるだけで半導体装
置を封止することができるので、従来のトランスファ−
成形方法のように金型外部の加熱室で毎回キャビティ容
積に見合った所定量の封止材料を可塑化させて金型内に
注入するといったことを行わなくても済むことになる。
【００１９】また、本願第２発明の構成によれば、半導
体装置をそのフィルム上の封止用樹脂材料層に予め固定
したうえで同フィルムとともに金型にセットすること
で、封止用樹脂材料のみならず半導体装置をも金型内に
挿入することができ、しかもその後の封止材料の注入
は、金型内においてフィルム上の封止用樹脂材料層と半
導体装置とが占める部分を除いた空間部分に対してだけ
行えば足りるから、従来のように毎回封止材料の全てを
金型内に注入する必要がなく、また金型内への半導体装
置のセット作業も容易化されることになる。
体装置をそのフィルム上の封止用樹脂材料層に予め固定
したうえで同フィルムとともに金型にセットすること
で、封止用樹脂材料のみならず半導体装置をも金型内に
挿入することができ、しかもその後の封止材料の注入
は、金型内においてフィルム上の封止用樹脂材料層と半
導体装置とが占める部分を除いた空間部分に対してだけ
行えば足りるから、従来のように毎回封止材料の全てを
金型内に注入する必要がなく、また金型内への半導体装
置のセット作業も容易化されることになる。
【００２０】さらに、本願第３発明の構成によれば、予
め半導体装置を固定した封止用樹脂材料層を有するフィ
ルムを金型にセットしたのち、その金型内に半導体装置
を挿入したうえで金型を閉じ、その状態で加熱により同
樹脂材料層を溶融させるだけで半導体装置を封止するこ
とができるので、可塑化させた封止材料の金型内への注
入が不要となるか、もしくは封止用樹脂材料層だけでは
足りない時にだけ補助的に行えばよく、しかも金型内へ
の半導体装置のセット作業も容易化されることになる。
め半導体装置を固定した封止用樹脂材料層を有するフィ
ルムを金型にセットしたのち、その金型内に半導体装置
を挿入したうえで金型を閉じ、その状態で加熱により同
樹脂材料層を溶融させるだけで半導体装置を封止するこ
とができるので、可塑化させた封止材料の金型内への注
入が不要となるか、もしくは封止用樹脂材料層だけでは
足りない時にだけ補助的に行えばよく、しかも金型内へ
の半導体装置のセット作業も容易化されることになる。
【００２１】このように本発明によれば、予め成形に必
要な封止材料（封止樹脂）の全てもしくは大半を金型内
に持ち込むことができるから、従来に比べると新たに充
填しなければならない樹脂量を大幅に減少させることが
可能となる。これにより、封止材料である樹脂の利用効
率を大幅に向上させることができる。
要な封止材料（封止樹脂）の全てもしくは大半を金型内
に持ち込むことができるから、従来に比べると新たに充
填しなければならない樹脂量を大幅に減少させることが
可能となる。これにより、封止材料である樹脂の利用効
率を大幅に向上させることができる。
【００２２】また、パッケージ成形速度も、金型内に新
たに充填する樹脂量が少なくなる分だけ短縮化されるこ
とになる。さらに、封止用樹脂材料がフィルム上に担持
された状態で金型内に持ち込まれることにより、金型成
形面に同樹脂材料が直に接触する部分を減らすことがで
きるから、それだけ封止樹脂による金型の汚れも減少
し、その結果、金型を掃除する手間も削減することがで
きる。これらにより、半導体装置を樹脂で封止して半導
体パッケージを製造する際の成形効率すなわち生産性が
著しく向上することとなる。
たに充填する樹脂量が少なくなる分だけ短縮化されるこ
とになる。さらに、封止用樹脂材料がフィルム上に担持
された状態で金型内に持ち込まれることにより、金型成
形面に同樹脂材料が直に接触する部分を減らすことがで
きるから、それだけ封止樹脂による金型の汚れも減少
し、その結果、金型を掃除する手間も削減することがで
きる。これらにより、半導体装置を樹脂で封止して半導
体パッケージを製造する際の成形効率すなわち生産性が
著しく向上することとなる。
【００２３】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。図
１は、この実施例で用いるフィルム１の断面構造を拡大
して示すものである。図例では、フィルム１として、Ｓ
ｉ処理した厚さ３５μｍのＰＥＴフィルムが使用されて
いる。このフィルム１の表面１ａには、厚さ５００μｍ
のエポキシ系封止材料からなる封止用樹脂材料層２が所
定の状態、すなわち後述の金型内（キャビティ内）に納
まるように一定の間隔をあけた状態で固定されている。
１は、この実施例で用いるフィルム１の断面構造を拡大
して示すものである。図例では、フィルム１として、Ｓ
ｉ処理した厚さ３５μｍのＰＥＴフィルムが使用されて
いる。このフィルム１の表面１ａには、厚さ５００μｍ
のエポキシ系封止材料からなる封止用樹脂材料層２が所
定の状態、すなわち後述の金型内（キャビティ内）に納
まるように一定の間隔をあけた状態で固定されている。
【００２４】このような封止用樹脂材料層２を固定した
フィルム１を用いて、本実施例方法では、以下のような
手順で半導体パッケージを製造する。まず、図２の
（Ａ）に示すように、上下一対のパッケージ成形用金型
（図３参照）のうちの下側の金型５１に、上記樹脂材料
層２を有するフィルム１をセットする。このとき、フィ
ルム１の裏面（樹脂材料層２を設けていない方の面）１
ｂ側が金型５１の成形面に接触する側となるようにす
る。なお、この場合、フィルム１が金型５１の成形面に
沿うように、金型５１内と外部とを連通させる吸引孔
（図示せず）を予め設けておき、この吸引孔を介して同
金型内側を吸引することで、フィルム１を金型５１の成
形面に吸着させるようにしてもよい。ただし、このよう
にフィルム１を金型成形面に吸着させなくても、後述す
る封止材料の注入時にその圧力（樹脂圧）でフィルム１
は金型成形面に密着するので別段不都合を生じることは
ない。
フィルム１を用いて、本実施例方法では、以下のような
手順で半導体パッケージを製造する。まず、図２の
（Ａ）に示すように、上下一対のパッケージ成形用金型
（図３参照）のうちの下側の金型５１に、上記樹脂材料
層２を有するフィルム１をセットする。このとき、フィ
ルム１の裏面（樹脂材料層２を設けていない方の面）１
ｂ側が金型５１の成形面に接触する側となるようにす
る。なお、この場合、フィルム１が金型５１の成形面に
沿うように、金型５１内と外部とを連通させる吸引孔
（図示せず）を予め設けておき、この吸引孔を介して同
金型内側を吸引することで、フィルム１を金型５１の成
形面に吸着させるようにしてもよい。ただし、このよう
にフィルム１を金型成形面に吸着させなくても、後述す
る封止材料の注入時にその圧力（樹脂圧）でフィルム１
は金型成形面に密着するので別段不都合を生じることは
ない。
【００２５】こうして封止用樹脂材料層２を有するフィ
ルム１を金型５１にセットしたのち、予めリードフレー
ム３に固定した半導体装置４を、同図の（Ｂ）に示すよ
うに同フィルム１における封止用樹脂材料層２の表面側
にセットする。
ルム１を金型５１にセットしたのち、予めリードフレー
ム３に固定した半導体装置４を、同図の（Ｂ）に示すよ
うに同フィルム１における封止用樹脂材料層２の表面側
にセットする。
【００２６】次いで、図３に示すように、下側の金型５
１に対して上側の金型５２を閉じる。このようにして両
金型５１、５２を閉じた状態では、下側の金型５１内は
フィルム１に固定された封止用樹脂材料層２が充填され
た状態となっているが、半導体装置４の上側に位置する
金型５２内は未充填の空間５２ａのまま残される。
１に対して上側の金型５２を閉じる。このようにして両
金型５１、５２を閉じた状態では、下側の金型５１内は
フィルム１に固定された封止用樹脂材料層２が充填され
た状態となっているが、半導体装置４の上側に位置する
金型５２内は未充填の空間５２ａのまま残される。
【００２７】そこで、その未充填の空間５２ａに、図４
に示すように加熱により可塑化された封止材料である樹
脂５を充填する。このとき、金型５１、５２は成形温度
（通常１５０〜２５０°Ｃ）まで加熱するため、その温
度で金型５１内の封止用樹脂材料層２が溶融する場合も
あるが、同樹脂材料層２が溶融もしくは非溶融のいずれ
の状態であっても、その上方の未充填の部分に上記封止
材料５が充填されることによって、図示の状態で下側に
位置する封止用樹脂材料層２と上側に位置する封止材料
５とが半導体装置４を挟んだ形で互いに結合して一体化
することとなる。
に示すように加熱により可塑化された封止材料である樹
脂５を充填する。このとき、金型５１、５２は成形温度
（通常１５０〜２５０°Ｃ）まで加熱するため、その温
度で金型５１内の封止用樹脂材料層２が溶融する場合も
あるが、同樹脂材料層２が溶融もしくは非溶融のいずれ
の状態であっても、その上方の未充填の部分に上記封止
材料５が充填されることによって、図示の状態で下側に
位置する封止用樹脂材料層２と上側に位置する封止材料
５とが半導体装置４を挟んだ形で互いに結合して一体化
することとなる。
【００２８】こうして封止材料５の充填により半導体装
置４を封止したのち、その封止材料５等が硬化するのを
待って金型５１、５２を開き、その金型内からパッケー
ジングされた半導体装置４を取り出して、そのパッケー
ジの片側表面に付着しているフィルム１を剥がす。これ
により、図５に示すように上記樹脂材料層２および封止
材料５により形成された樹脂６で半導体装置４を封止し
てなる半導体パッケージ７が得られる。
置４を封止したのち、その封止材料５等が硬化するのを
待って金型５１、５２を開き、その金型内からパッケー
ジングされた半導体装置４を取り出して、そのパッケー
ジの片側表面に付着しているフィルム１を剥がす。これ
により、図５に示すように上記樹脂材料層２および封止
材料５により形成された樹脂６で半導体装置４を封止し
てなる半導体パッケージ７が得られる。
【００２９】このような構成によれば、封止用樹脂材料
層２を有するフィルム１を下側の金型５１にセットした
のち、その上にリードフレーム３付きの半導体装置４を
セットして上側の金型５２を閉じ、その状態で同上側の
金型５２内に封止材料を充填するだけで半導体装置４を
封止することができる。したがって、半導体パッケージ
の成形に必要な封止材料、つまり新たに充填しなければ
ならない封止材料は、上記フィルム１とともに金型５１
内に予め持ち込まれた封止用樹脂材料層２の分だけ少な
くて済むから、充填時に生じる材料のムダ、つまり半導
体パッケージの成形に関与することなく廃棄される余剰
の材料の量を削減することができる。
層２を有するフィルム１を下側の金型５１にセットした
のち、その上にリードフレーム３付きの半導体装置４を
セットして上側の金型５２を閉じ、その状態で同上側の
金型５２内に封止材料を充填するだけで半導体装置４を
封止することができる。したがって、半導体パッケージ
の成形に必要な封止材料、つまり新たに充填しなければ
ならない封止材料は、上記フィルム１とともに金型５１
内に予め持ち込まれた封止用樹脂材料層２の分だけ少な
くて済むから、充填時に生じる材料のムダ、つまり半導
体パッケージの成形に関与することなく廃棄される余剰
の材料の量を削減することができる。
【００３０】また、パッケージ成形速度も金型５１、５
２内に新たに充填する封止材料量が少なくなる分だけ短
縮化されるとともに、封止材料が直に接触するのが、ほ
ぼ上側の金型５２の成形面だけとなるから、それだけ封
止樹脂による金型の汚れも減少し、その結果、金型を掃
除する手間も削減することができる。
２内に新たに充填する封止材料量が少なくなる分だけ短
縮化されるとともに、封止材料が直に接触するのが、ほ
ぼ上側の金型５２の成形面だけとなるから、それだけ封
止樹脂による金型の汚れも減少し、その結果、金型を掃
除する手間も削減することができる。
【００３１】以上により、半導体パッケージ７を製造す
る際の材料の利用効率と成形効率、つまり生産性が著し
く向上することとなる。なお、上述した実施例では、封
止用樹脂材料層２を有するフィルム１を金型５１にセッ
トしたのちに半導体装置４を挿入したが、図６に示すよ
うに、封止用樹脂材料層１２を有するフィルム１１に、
リードフレーム１３付きの半導体装置１４を予め固定し
たものを使用してもよい。この場合は、半導体装置１４
を金型に別途挿入する手間が省ける。
る際の材料の利用効率と成形効率、つまり生産性が著し
く向上することとなる。なお、上述した実施例では、封
止用樹脂材料層２を有するフィルム１を金型５１にセッ
トしたのちに半導体装置４を挿入したが、図６に示すよ
うに、封止用樹脂材料層１２を有するフィルム１１に、
リードフレーム１３付きの半導体装置１４を予め固定し
たものを使用してもよい。この場合は、半導体装置１４
を金型に別途挿入する手間が省ける。
【００３２】また、図７に示すように、封止用樹脂材料
層２２を有するフィルム２１を下側の金型１５１にセッ
トするだけでなく、上側の金型１５２にも、封止用樹脂
材料層３２を予め固定したフィルム３１をセットするよ
うにしてもよい。この場合において、図例では、一方の
フィルム３１をセットしたときに、同フィルム３１上の
封止樹脂材料層３２と半導体装置２４との間に封止材料
を充填すべき空間１５２ａを残すようにしているが、こ
のような空間を残すことは必ずしも必要ではない。な
お、上記空間１５２ａへの封止材料の充填は、フィルム
が存在しない図面を貫く方向から行う。
層２２を有するフィルム２１を下側の金型１５１にセッ
トするだけでなく、上側の金型１５２にも、封止用樹脂
材料層３２を予め固定したフィルム３１をセットするよ
うにしてもよい。この場合において、図例では、一方の
フィルム３１をセットしたときに、同フィルム３１上の
封止樹脂材料層３２と半導体装置２４との間に封止材料
を充填すべき空間１５２ａを残すようにしているが、こ
のような空間を残すことは必ずしも必要ではない。な
お、上記空間１５２ａへの封止材料の充填は、フィルム
が存在しない図面を貫く方向から行う。
【００３３】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、半導体
装置を樹脂で封止して半導体パッケージを製造するに際
し、あらかじめ成形に必要な封止材料（封止樹脂）の大
半を金型内に持ち込むことができるので、金型内に新た
に充填しなければならない樹脂量を減少させることが可
能となる。これにより、封止材料である樹脂の利用効率
が大幅に向上することとなる。また、半導体パッケージ
の成形速度も新たに充填する樹脂量が少ない分だけ短縮
化することができる。さらに、フィルム上に封止用樹脂
材料を担持させた状態でこれを金型内に持ち込むことに
より、金型汚れを減少させることができる。
装置を樹脂で封止して半導体パッケージを製造するに際
し、あらかじめ成形に必要な封止材料（封止樹脂）の大
半を金型内に持ち込むことができるので、金型内に新た
に充填しなければならない樹脂量を減少させることが可
能となる。これにより、封止材料である樹脂の利用効率
が大幅に向上することとなる。また、半導体パッケージ
の成形速度も新たに充填する樹脂量が少ない分だけ短縮
化することができる。さらに、フィルム上に封止用樹脂
材料を担持させた状態でこれを金型内に持ち込むことに
より、金型汚れを減少させることができる。
【００３４】こうして、本発明によれば、半導体装置を
樹脂で封止して半導体パッケージを製造するに際し、材
料の利用効率と成形効率すなわち生産性の大幅な向上を
図ることができる。
樹脂で封止して半導体パッケージを製造するに際し、材
料の利用効率と成形効率すなわち生産性の大幅な向上を
図ることができる。
【図１】本発明の一実施例で用いたフィルムの構造を示
す拡大断面図
す拡大断面図
【図２】同実施例において、下側の金型上にフィルムを
セットしたのち、その上に半導体装置をセットする前後
の状態を示す同金型周辺の断面図
セットしたのち、その上に半導体装置をセットする前後
の状態を示す同金型周辺の断面図
【図３】上記金型上にフィルムおよび半導体装置をセッ
トしたのちに上側の金型を合わせて両金型を閉じた状態
を示す断面図
トしたのちに上側の金型を合わせて両金型を閉じた状態
を示す断面図
【図４】その金型内に封止材料である樹脂を充填した状
態を示す同金型の断面図
態を示す同金型の断面図
【図５】上記実施例で製造された半導体パッケージを示
す断面図
す断面図
【図６】本発明の他の実施例で用いられるフィルムの一
例を示すもので、封止用樹脂材料層を有するフィルムに
予め半導体装置を固定したものを示す拡大断面図
例を示すもので、封止用樹脂材料層を有するフィルムに
予め半導体装置を固定したものを示す拡大断面図
【図７】本発明のさらに他の実施例を示すもので、封止
用樹脂材料層を有するフィルムを上下の金型にセットし
た状態を示す同金型の断面図
用樹脂材料層を有するフィルムを上下の金型にセットし
た状態を示す同金型の断面図
１、１１、２１、３１・・・フィルム ２、１２、２２、３２・・・封止用樹脂材料層 ４、１４、２４・・・半導体装置 ５・・・封止材料 ６・・・樹脂 ７・・・半導体パッケージ ５１、５２・・・金型
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体装置を樹脂で封止して半導体パッ
ケージを製造するに際し、表面に封止用樹脂材料層を所
定の状態に設けてなるフィルムを用い、そのフィルム上
の封止用樹脂材料層がパッケージ成形用金型内に位置す
るように同金型に上記フィルムをセットし、次いで、そ
の金型内に半導体装置を挿入したうえで同金型を閉じ、
その状態で上記封止用樹脂材料層を加熱して溶融させる
ことにより、上記半導体装置を封止することを特徴とす
る半導体パッケージの製造方法。 - 【請求項２】 半導体装置を樹脂で封止して半導体パッ
ケージを製造するに際し、表面に封止用樹脂材料層を所
定の状態に設けてなるフィルムを用い、半導体装置をそ
のフィルム上の封止用樹脂材料層に予め固定したうえで
同フィルムとともに金型にセットし、次いで、その金型
を閉じて同金型内に新たに封止材料を注入することによ
り、上記半導体装置を封止することを特徴とする半導体
パッケージの製造方法。 - 【請求項３】 半導体装置を樹脂で封止して半導体パッ
ケージを製造するに際し、表面に封止用樹脂材料層を所
定の状態に設けてなるフィルムを用い、半導体装置をそ
のフィルム上の封止用樹脂材料層に予め固定したうえで
同フィルムとともに金型にセットし、次いで、その金型
を閉じて同金型内の封止用樹脂材料層を加熱・溶融させ
ることにより、上記半導体装置を封止することを特徴と
する半導体パッケージの製造方法。 - 【請求項４】 フィルムと封止用樹脂材料層との間に金
属箔の層を予め設けておくことにより、半導体装置の封
止時に当該半導体パッケージの表面に上記フィルム上の
金属箔を転写させることを特徴とする請求項１〜３のい
ずれかに記載の半導体パッケージの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30603694A JPH08162484A (ja) | 1994-12-09 | 1994-12-09 | 半導体パッケージの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30603694A JPH08162484A (ja) | 1994-12-09 | 1994-12-09 | 半導体パッケージの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08162484A true JPH08162484A (ja) | 1996-06-21 |
Family
ID=17952297
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30603694A Pending JPH08162484A (ja) | 1994-12-09 | 1994-12-09 | 半導体パッケージの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08162484A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021158212A (ja) * | 2020-03-26 | 2021-10-07 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | プリント配線板の製造方法 |
-
1994
- 1994-12-09 JP JP30603694A patent/JPH08162484A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021158212A (ja) * | 2020-03-26 | 2021-10-07 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | プリント配線板の製造方法 |
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