JPH08162585A - リードフレームの加工方法及びリードフレーム並びに半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】多ピンかつ狭ピッチで、しかも半導体チップの
端子との接合性が良好なリードフレームの加工方法及び
リードフレーム並びに半導体装置を提供する。 【構成】相隣り合うインナーリード２０１内方先端部分
の端子接合部２０２ａ，２０２ｂをリード長手方向に２
段かつ交互にずらせた千鳥配置とし、リード長手方向外
側の端子接合部２０２ｂより外側寄りの近接位置に連結
部５を形成する。また、支持板２１５をインナーリード
２０２に固着すると共に、支持板２１５に設けた貫通溝
２１５Ａの位置に連結部５を位置決めする。さらに、半
導体チップ２１０と端子接合部４０２ａ，４０２ｂとの
接合の前後いずれかに連結部５をレーザ切断する。一
方、端子接合部４０２ａの後端部分と端子接合部４０２
ｂの先端部分とを連結するようにＴ字状の連結部５５を
設けてもよい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、小型かつ高性能な半導
体装置（ＬＳＩ）に使用されるリードフレームの加工方
法に係わり、特に、多ピンかつ狭ピッチの微細な加工パ
ターンを有するインナーリードを加工するのに好適なリ
ードフレームの加工方法、及びそのリードフレームの加
工方法により加工されたリードフレーム、並びにそのリ
ードフレームを用いた半導体装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体チップの高密度実装化、高
集積化がより一層厳しく要求されてきており、これに対
応するために半導体チップを搭載するリードフレームも
狭ピッチ化、多ピン化することが要求されている。この
ようなリードフレームを得るためには、微細かつ高精度
な加工、例えば板厚が０．３ｍｍ以下の金属板に、リー
ドピッチの最小値、即ちインナーリードの内方先端部分
におけるピッチが板厚の２倍以下でリード間隙の幅の最
小値が板厚以下となるような加工を施すことが要求さ
れ、そのための加工は大変困難になりつつある。

【０００３】インナーリードの内方先端部分と半導体チ
ップの各端子とをワイヤボンディングやバンプ等によっ
て接合する際にはインナーリード側にある程度の幅（広
さ）が必要であるが、上記のような多ピンかつ狭ピッチ
のリードフレームではインナーリード先端の幅が狭くな
るためその接合が難しくなる。その上、ワイヤボンディ
ングの場合には、インナーリードにおける端子接合部の
ピッチが狭すぎると、隣接するワイヤ同士が接触した
り、キャピラリーと呼ばれる接合治具の先端が隣接する
ワイヤや隣接する端子接合部と干渉して良好な接合が行
えなくなる。

【０００４】これに対し、特開平４−２６９８５６号公
報に記載の従来技術（以下、第１の従来技術という）で
は、インナーリードの長さを相隣り合うリード間で変え
ており、インナーリード内方先端部分、即ち半導体チッ
プの各端子接合部をリード長手方向へずらせて形成して
いる（以下、このような配置を千鳥配置という）。

【０００５】また、特開平２−２４７０８９号公報に記
載の従来技術（以下、第２の従来技術という）では、イ
ンナーリード内方の幅を広くして、ボンディングワイヤ
を高い密度で配置できるようにしている。

【０００６】一方、薄い金属板に多ピンかつ狭ピッチの
微細なパターンの切断を施していくと、金属板素材の剛
性が著しく低下し、小さな外力によっても変形してしま
う可能性が大きくなり、リードフレーム加工中にリード
が変形してリードピッチやリード幅の精度が低下した
り、たとえ高精度に加工を終えたとしてもその後の工程
におけるリードの変形やリード配列のみだれによって高
精度な寸法や形状を維持することができなくなる。

【０００７】これに対し、特開昭５８−１２３７４７号
公報に記載の従来技術（以下、第３の従来技術という）
では、インナーリードの内方先端部分を連結部にて連結
することによって剛性を確保しておき、セラミック材等
の固定部材（ベース）の所定位置にしっかりと固定した
後に、連結部をレーザ光によって切断（以下、レーザ切
断という）している。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】第１の従来技術におけ
る千鳥配置を利用すれば、多ピンかつ狭ピッチのリード
フレームであってもワイヤボンディング等による接合を
容易かつ確実に行うことができ、その上、第２の従来技
術のように半導体チップと接合されるリードフレーム先
端部分の端子接合部の幅を確保してやれば、接合性の向
上も図れる。さらに、第３の従来技術のようにインナー
リードの内方先端部分を連結部にて連結すれば、その部
分の剛性低下、従ってリードの変形が回避される。つま
り、半導体チップと接合される端子接合部の広さ確保の
ために制約されていた多ピン化や狭ピッチ化が、千鳥配
置によって従来の限界を超えて実現することが可能とな
ると共に、連結部の導入によってその高精度な寸法や形
状を維持することが可能となる。

【０００９】上記の場合、出来るだけ近接して連結部を
設けることが剛性向上に有利であるが、千鳥配置とした
インナーリード内方先端部分の端子接合部相互間の連結
部をレーザ切断する際には、レーザ光照射による入熱に
起因した熱影響が健全な表面とすべき端子接合部にまで
及び、端子接合部に酸化膜が形成されたり、熱応力や熱
歪みがその部分の金属板素材中に残留してしまい、良好
な端子接合部が得られなくなってしまう。これは、切断
対象とすべきリードフレームが多ピンかつ狭ピッチで微
細な切断パターンを有するために生じる不具合である。
良好な端子接合部が得られないと、その半導体チップと
の接合性が劣化してしまう。

【００１０】本発明の目的は、多ピンかつ狭ピッチで、
しかも半導体チップの端子との接合性が良好なリードフ
レームの加工方法、及びそのリードフレームの加工方法
により加工されたリードフレーム、並びにそのリードフ
レームを用いた半導体装置を提供することである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明によれば、内方先端部分で半導体チップの各
端子と接合される多数のインナーリード及びそのインナ
ーリードの外側に連続して延びるアウターリードを有
し、板厚が０．３ｍｍ以下で、リードピッチの最小値が
板厚の２倍以下で、リード間隙の幅の最小値が板厚以下
のリードフレームを薄い金属板から形成するリードフレ
ームの加工方法において、前記多数のインナーリードの
内方先端部分に、第１グループの端子接合部と、この第
１グループの端子接合部よりもリード長手方向外側にず
れて位置する第２グループの端子接合部とを含む端子接
合部を形成すると共に、第２グループの端子接合部の後
端部分に近接した位置に連結部を切り残して相隣り合う
リードを形成する第１の工程と、第１の工程の後、リー
ドフレーム加工に残されたそれ以外の処理を行う第２の
工程と、第２の工程の後、第１の工程で切り残された前
記連結部をレーザ光照射により切断して各々のインナー
リードを個別に分離する第３の工程とを有することを特
徴とするリードフレームの加工方法が提供される。

【００１２】また、上記目的を達成するため、本発明に
よれば、上記のようなリードフレームの加工方法におい
て、前記多数のインナーリードの内方先端部分に、第１
グループの端子接合部と、この第１グループの端子接合
部よりもリード長手方向外側にずれて位置する第２グル
ープの端子接合部とを含む端子接合部を形成すると共
に、第１グループの端子接合部の後端部分と第２グルー
プの端子接合部の先端部分とを連結する連結部を切り残
して相隣り合うリードを形成する第１の工程と、第１の
工程の後、リードフレーム加工に残されたそれ以外の処
理を行う第２の工程と、第２の工程の後、第１の工程で
切り残された前記連結部をレーザ光照射により切断して
各々のインナーリードを個別に分離する第３の工程とを
有することを特徴とするリードフレームの加工方法が提
供される。

【００１３】また、本発明において第２グループの端子
接合部の後端部分に近接した位置に連結部を切り残した
場合、好ましくは、第３の工程における連結部のレーザ
光照射による切断を、端子接合部と半導体チップの各端
子との接合の前後いずれかに行う。

【００１４】また、本発明において第１グループの端子
接合部の後端部分と第２グループの端子接合部の先端部
分とを連結する連結部を切り残した場合、好ましくは、
第３の工程における連結部のレーザ光照射による切断
を、端子接合部と半導体チップの各端子との接合の前に
行う。

【００１５】また、上記のようなリードフレームの加工
方法において、好ましくは、第１の工程におけるリード
の形成の後で、かつ第３の工程における連結部のレーザ
光照射による切断よりも前に、前記リードの少なくとも
インナーリード部分に支持部材を固着する。

【００１６】この場合、支持部材として前記連結部に対
応する位置に貫通部を設けた支持板を接着することが好
ましい。

【００１７】また、本発明によれば、上記のようなリー
ドフレームの加工方法により加工されたリードフレーム
が提供される。

【００１８】さらに、本発明によれば、上記のようなリ
ードフレームに半導体チップが搭載され、その半導体チ
ップの各端子とインナーリードの端子接合部とが接合さ
れ、樹脂モールドにて上記半導体チップ及び上記インナ
ーリードを含む部分が一体封止されていることを特徴と
する樹脂モールド型の半導体装置が提供される。

【００１９】

【作用】上記のように構成した本発明においては、多数
のインナーリード（以下、適宜リードともいう）の内方
先端部分に形成される端子接合部を、互いにリード長手
方向にずれた第１グループの端子接合部及び第２グルー
プの端子接合部を含むように形成し、第２グループの端
子接合部を第１グループの端子接合部よりもリード長手
方向外側にずらせて位置させる。これにより、半導体チ
ップの各端子との接合に必要な最小の幅を確保しなが
ら、一定の寸法の中に多数の端子接合部を並べることが
でき、良好な接合性を損なうことなく多ピン化及び狭ピ
ッチ化が可能となる。特に、ワイヤボンディングの場合
に、隣接するワイヤ同士が接触したり、接合治具の先端
が隣接するワイヤや端子接合部と干渉することがなくな
る。

【００２０】また、第２グループの端子接合部の後端部
分に近接した位置に連結部を切り残ことにより、相隣り
合うインナーリード間での剛性が維持され、リードの変
形やリード配列の乱れが防止される。従って、インナー
リードのリードピッチの精度が維持されると共に、工程
中の金属板素材に変形を与えることなく取扱いが容易と
なる。

【００２１】続いてリードフレーム加工に残されたそれ
以外の処理を行い、その後に上記連結部をレーザ光切断
することにより、各々のインナーリードが個別に分離さ
れる。この時、上記のように連結部の位置が、第２グル
ープの端子接合部の後端部分に近接した位置にあるた
め、連結部のレーザ切断時の入熱に起因した熱影響が第
１グループの端子接合部は勿論、第２グループの端子接
合部にまでも及ぶことがなく、健全な表面とすべき端子
接合部に酸化膜が形成されることがなく、かつ熱応力や
熱歪みがその部分の金属板素材中に残留することがな
い。従って、良好な端子接合部が得られる。

【００２２】このように本発明では、上記のような特殊
な加工を行うことにより、板厚が０．３ｍｍ以下で、リ
ードピッチの最小値が板厚の２倍以下で、リード間隙の
幅の最小値が板厚以下であるような多ピンかつ狭ピッチ
のリードフレームを加工する場合であっても、半導体チ
ップの端子との接合性を良好にすることができる。

【００２３】また、上記の場合、第２グループの端子接
合部の後端部分に近接した位置に連結部を設けるため、
半導体チップの各端子と端子接合部との接合後に連結部
をレーザ切断しても、既に接合した端子接合部（リー
ド）やボンディングワイヤ（ワイヤボンディングを利用
する場合）等にレーザ光が当たったり熱影響を与えるこ
とがない。従って、連結部をレーザ切断するのは、半導
体チップの各端子と端子接合部との接合の前後いずれで
もよい。特に、半導体チップの各端子との接合後に連結
部をレーザ切断する場合には、連結部を残した状態で半
導体チップと端子接合部との接合を行うため、その接合
時にも端子接合部が動くことが避けられ接合の作業性を
一層向上することができる。また、この場合には、半導
体チップの搭載及び接合後にリードフレームの加工が完
了することになる。

【００２４】また、第２グループの端子接合部の後端部
分に近接した位置に連結部を設けるのではなく、第１グ
ループの端子接合部の後端部分と前記第２グループの端
子接合部の先端部分とを連結するように連結部を設ける
場合には、連結部のレーザ切断時の熱影響が及ぶ範囲が
第１グループの端子接合部の後端部分と第２グループの
端子接合部の先端部分のみに限られ、両者いずれの端子
接合部の主要な部分にもほとんど熱影響は及ばない。従
って、この時も健全な表面とすべき端子接合部に酸化膜
が形成されることがなく、かつ熱応力や熱歪みがその部
分の金属板素材中に残留することがなく、良好な端子接
合部が得られる。

【００２５】また、上記のように第１グループの端子接
合部の後端部分と前記第２グループの端子接合部の先端
部分とを連結するように連結部を設ける場合には、半導
体チップの各端子との接合の前に、連結部をレーザ切断
して各々のインナーリード個別に分離しておく必要があ
る。なぜならば、この場合には、半導体チップの各端子
と端子接合部との接合後に連結部をレーザ切断すると、
既に接合した端子接合部（リード）或いはボンディング
ワイヤ（ワイヤボンディングを利用する場合）等にレー
ザ光が当たったり、その部分に熱影響を与えてしまう可
能性があるからである。

【００２６】また、上述のリードの形成の後で、かつ連
結部のレーザ光照射による切断よりも前に、リードのう
ちの少なくとも剛性の低くなる傾向があるインナーリー
ドに支持部材を固着することにより、インナーリードが
拘束されてその剛性が一層強化され、またリードの変形
やリード配列の乱れが防止される。従って、その寸法や
形状の精度維持が一層確実になると共に、工程中の金属
板素材の取扱いが一層容易となる。また、連結部をレー
ザ切断した後でも、この支持部材により引き続きインナ
ーリードが拘束されるため、その剛性が維持され、リー
ドの変形やリード配列の乱れが防止される。さらに、こ
の支持部材で端子接合部が拘束されるため、半導体チッ
プの搭載後に行われるワイヤボンディングやバンプ等を
用いた半導体チップの各端子と端子接合部との接合時に
おいても、端子接合部が動いて位置ずれすることが避け
られ、良好な接合性を実現できる。

【００２７】また、その支持部材として上記連結部に対
応する位置に貫通部を設けた支持板を接着することによ
り、上述の連結部をレーザ切断する時に生じる溶融金属
の粒子、即ちスパッタやドロス等の付着の原因となる溶
融金属が貫通部を通過しながら排除される。このよう
に、支持部材に設けた貫通部の位置にある連結部をレー
ザ切断することにより、支持部材がレーザ切断されない
ためそのレーザ切断により除去すべき金属部分が最小と
なってスパッタやドロス等の量が減少すると共に、その
時付着するドロスが貫通部の中に収容される。従って、
その後の接合作業等において、加工治具や拘束治具や固
定治具などと突出したドロスが接触することがなく、変
形や加工誤差や寸法誤差の発生が避けられ、さらにドロ
ス等の不規則な剥落に起因する電気的短絡が生じること
が避けられる。

【００２８】

【実施例】本発明の第１の実施例によるリードフレーム
の加工方法及びリードフレーム並びに半導体装置につい
て、図１から図９を参照しながら説明する。

【００２９】但し、本実施例では、ＱＦＰ型半導体装置
用のリードフレームであって、板厚が０．３ｍｍ以下、
リードピッチの最小値が板厚の２倍以下、リード間隙の
幅の最小値が板厚以下であるような多ピンかつ狭ピッチ
のリードフレームを加工する場合について説明する。

【００３０】図１は本実施例によって加工されるリード
フレームの一例を示す図である。図１において、リード
フレーム２００には、多数のインナーリード２０２と、
これらインナーリード２０２に連続するアウターリード
２０３が配設されており、これら隣合うインナーリード
２０２とアウターリード２０３とはダムバー２０４によ
り互いに連結状に支持され、さらに腕２０５もダムバー
２０４によって支持されている。また、リードフレーム
２００の中央には貫通溝２１５Ａを備えた支持板２１５
（図４参照）が固着されている。この支持板２１５は、
インナーリード２０２の内方部分に接着膜２１５ａ（図
４参照）によって固着されている。

【００３１】インナーリード２０２は、リードフレーム
２００中央へ収束するように延びており、半導体チップ
２１０（図７〜図９参照）と接合されるインナーリード
２０２の内方先端部分において、相隣り合う端子接合部
２０２ａと２０２ｂとがそれぞれ第１グループと第２グ
ループとに属し、第１グループに属する端子接合部２０
２ａよりも第２グループに属する端子接合部２０２ｂが
リード長手方向外側にずれて位置する。即ち、端子接合
部２０２ａ及び２０２ｂがリード長手方向に２段かつ交
互にずらせた千鳥配置となっており、電気的接続を行う
のに十分な幅となっている。インナーリード２０２の内
側における相隣合うリード間隙２０８は特に狭く、極め
て微細な構造となっており、しかもこの部分の加工はリ
ードフレームの加工において最も寸法精度や清浄度が厳
しい部分である。

【００３２】さらに、リードフレーム２００の外周部分
には半導体チップの端子とインナーリード２０２との接
続時の位置決め用に位置決め穴２０７が設けられてい
る。尚、ダムバー２０４は、半導体チップのモールド時
にレジンを堰止める役割とインナーリード２０２及びア
ウターリード２０３を補強する役割を有し、モールド後
に除去される。

【００３３】次に、本実施例のリードフレームの加工方
法、及びそのリードフレームを用いた半導体装置の製造
工程を図２により説明する。まず、図２のステップＳ１
００において、例えば鋼、銅合金，４２アロイ、コバー
ル等の薄い金属板をレベラーにかけて平に矯正した後、
実際の加工に移る。次に、ステップＳ１１０で上記金属
板にアウターリード２０３を形成し、金属板の洗浄及び
乾燥を行う（ステップＳ１１１）。このステップＳ１１
０での加工はレーザ光を用いたものであっても、従来か
らのエッチング加工やプレス加工等の加工であってもよ
いが、エッチング加工やプレス加工等を用いた方が能率
よく加工できる。

【００３４】その後、ステップＳ１２０で金属板にイン
ナーリード２０２となる部分を加工し、金属板の洗浄及
び乾燥を行う（ステップＳ１２１）。このステップＳ１
２０での加工もレーザ光を用いたものであっても、従来
からのエッチング加工やプレス加工等の加工であっても
よい。特に、レーザ切断を利用した場合は微細な加工が
できるが、その場合はレーザ光照射時の入熱による熱影
響部、即ち後述するドロス、及びスパッタや表面の酸化
膜等を化学研磨処理等の表面処理により除去しておく必
要がある。

【００３５】上記ステップＳ１２０が完了した時のイン
ナーリード２０２の内方先端部分について図３により説
明する。但し、図３は、次のステップＳ１４０〜ステッ
プＳ１５１における支持板２１５固着後の図である。本
実施例では、相隣り合う半導体チップ２１０の各端子と
接合される端子接合部２０２ａ及び２０２ｂを、図１で
も説明したようにリード長手方向に２段かつ交互にずら
せた千鳥配置とする。これにより、接合に必要な最小の
幅を確保しながら、一定の寸法の中に多数の端子接合部
２０２ａ及び２０２ｂを並べることができ、良好な接合
性を損なうことなく極限にまで多ピン化及び狭ピッチ化
ができる。さらに、後述するようにワイヤボンディング
を利用して半導体チップ２０１との接合を行う場合に
は、隣接するワイヤ同士が接触したり、接合治具の先端
が隣接するワイヤや端子接合部と干渉することがなくな
る。

【００３６】また、インナーリード２０２内方にリード
同士を連結するための連結部を設ける。即ち、千鳥配置
とした端子接合部２０２ａ及び２０２ｂのうちリード長
手方向外側の端子接合部２０２ｂよりも外側寄り（アウ
ターリード２０３寄り）の近接位置をわずかに切り残
し、相隣り合うリードを連結する連結部５を形成する。
これにより、相隣り合うリード間での剛性が維持され、
リードの変形やリード配列の乱れが防止される。従っ
て、インナーリード２０２のリードピッチの精度が維持
されると共に、工程中の金属板素材に変形を与えること
なくの取扱いが容易となる。

【００３７】次に、ステップＳ１３０でインナーリード
２０２の内方先端部分の端子接合部２０２ａ，２０２ｂ
に銀メッキを施す。このように、メッキ領域を限定する
ことによりメッキ用の金属である銀が節約できる。ま
た、銀メッキを施すことにより、端子接合部２０２ａ及
び２０２ｂの接合性が一層向上する。尚、メッキする金
属としては銀の他、金や錫などでもよい。上記ステップ
Ｓ１３０の後、洗浄及び乾燥を行う（ステップＳ１３
１）。

【００３８】次に、ステップＳ１４０で支持板２１５上
に接着膜２１５ａを搭載し、ステップＳ１５０及びステ
ップＳ１５１で接着膜２１５ａ上にリードフレーム２０
０を搭載し接着（固着）する。この時、支持板２１５が
リードフレーム２００のインナーリード２０２内方部分
に固着されるようにする。このように支持板２１５でイ
ンナーリード２０２の内方部分を拘束することにより、
その剛性が一層強化され、またリードの変形やリード配
列の乱れが防止され、従ってその寸法や形状の精度の維
持が一層確実となり、工程中の金属板素材の取扱いがさ
らに容易となる。

【００３９】図４は上記支持板２１５の形状を示す図で
あり、（ａ）は上面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ方向の
断面図である。但し、（ｂ）では接着膜２１５ａを搭載
した状態を示す。支持板２１５には予め細長い切欠き状
の貫通溝２１５Ａがあけられており、支持板２１５をイ
ンナーリード２０２の内方部分に固着する際に、その貫
通溝２１５Ａの位置に連結部５が丁度位置決めされるよ
うにする。支持板４１５はリードフレーム２００のリー
ド同士を電気的に短絡するものであってはならないので
あって、その材質としては、耐熱性かつ絶縁性のあるア
ルミナやムライトなどのセラミック、或いはポリイミド
やエポキシなどの有機樹脂材料が適している。しかし、
少なくともインナーリード２０２との接触面に絶縁膜を
被覆した金属板であれば用いることができる。また、接
着膜２１５ａとして、耐熱性の接着材料を用いることに
より、樹脂モールド２３０（図９参照）による一体封止
時に、その接着膜２１５ａが劣化することがなく、支持
板２１５とインナーリード２０２との固着部分がはずれ
ることがない。

【００４０】次に、ステップＳ１６０において、図６に
示すように、相隣り合うリードを連結していた連結部５
をレーザ切断し、端子接合部２０２ａと端子接合部２０
２ｂ、従ってインナーリード２０２を個々に分離する。
連結部５をレーザ切断することにより、連結部５による
剛性の維持、及びリードの変形や配列の乱れ防止の効果
がなくなるが、その代わり上記支持板２１５により引き
続きインナーリード２０２が拘束されるため、その剛性
はさらに維持強化され、リードの変形やリード配列の乱
れが防止され、従って寸法や形状の精度が維持されるこ
と、及び工程中の金属板素材の取扱いの容易性は損なわ
れない。

【００４１】このレーザ切断で用いるレーザ光として
は、その断面を予めシリンドリカルレンズ等で細長い楕
円形に変換し、その被加工物上のスポット１１３Ｂが細
長い楕円形断面となるようにすれば、１回のレーザ光照
射でリード間隙２０８に沿った切断後の形状が得られ、
能率よくレーザ切断を行うことができる。

【００４２】図５は、レーザ切断の状況を示した断面図
である。ここで使用するレーザ光としてはＹＡＧレーザ
がふさわしく、微細かつ高精度な加工が可能である。図
５において、レーザ光１１３Ａは充分な熱エネルギ密度
を供給できるように集光レンズ１１６で集光され、加工
ノズル１１３先端部よりアシストガス１１７Ａと共に連
結部５表面の照射される。するとその部分が溶融し、こ
れが熱源となってこの溶融が表面から順次深さ方向に向
って進行し、やがて切断される。レーザ光１１３Ａは極
めて小さく集光できるので微細な寸法の加工に好適であ
り、高いエネルギー密度のレーザ光をごく短時間照射す
るだけで所望の連結部５を溶断することができ、しかも
金属板自体には変形や外力をほとんど与えない。

【００４３】この時、支持板２１５の貫通溝２１５Ａの
位置に連結部５が位置決めされているため、レーザ切断
時に生じたスパッタやドロス等の付着の原因となる溶融
金属粒子１３は、そのほとんどがアシストガス供給口１
１７から供給されるアシストガス１１７Ａによって貫通
溝２１５Ａを通過しながら吹き飛ばされ排除される。つ
まり、貫通溝２１５Ａは溶融金属粒子１３の逃げ部とし
て機能する。また、支持板２１５がレーザ切断されない
ためそのレーザ切断により除去する金属部分が最小とな
ってスパッタやドロス等の量が減少することになる。

【００４４】溶融金属が少なくなるといっても完全にな
くすことは不可能であり、やはり一部分の溶融金属は残
留してしまい、インナーリード２０２裏面の切り口付近
に付着し凝固してドロス１０となる。ところが、支持板
２１５の板厚を、このドロス１０の高さよりも十分厚く
しておけば、ドロス１０は支持板２１５の貫通溝２１５
Ａ内に完全に収容されることになる。

【００４５】貫通溝２１５Ａ内にあるドロス１０は、機
械的処理または化学的表面処理等によって完全には除去
することが不可能であるが、ドロス１０を貫通溝２１５
Ａ内に完全に収容することにより、機械的処理や化学的
表面処理等によって完全にドロス１０を除去する必要は
なく、その後の接合作業等において、加工治具や拘束治
具や固定治具などと突出したドロスが接触するようなこ
とがなく、変形や加工誤差や寸法誤差の発生が避けら
れ、さらにドロス等の不規則な剥落に起因する電気的短
絡が生じることが避けられる。

【００４６】例えば、支持板２１５の板厚は、金属板を
レーザ切断した時に発生するドロスの高さが通常０．０
１〜０．０３ｍｍ程度であるので、それ以上にすればよ
い。また、支持板２１５の剛性を十分確保することも考
慮すれば、実際にはその板厚を０．３〜０．５ｍｍ程度
とすることが望ましい。

【００４７】尚、支持板の寸法を可能な限り小さくし
て、連結部が支持板の端部から少し外側位置に来るよう
にすれば、上記のような貫通溝を設ける必要がなく、し
かもドロスが支持板の端部から突出することもない。

【００４８】上記ステップＳ１６０の後、ステップＳ１
７０でスパッタ、及びゴミやホコリを除去し、ステップ
Ｓ１７１で洗浄及び乾燥を行い、リードフレームの加工
が完了する。また、この時点で、端子接合部２０２ａ及
び２０２ｂにメッキ処理を施してもよい。

【００４９】引き続き半導体装置の製造を行う。即ち、
ステップＳ１８０及びステップＳ１８１で、支持板２１
５上に半導体チップ２１０を搭載、接着した後、半導体
チップ２１０の各端子と端子接合部２０２ａ及び２０２
ｂとをワイヤボンディングによって接合する（ステップ
Ｓ１８２）。

【００５０】図７は、上記ワイヤボンディングの工程を
説明する図である。インナーリード２０２内方先端部分
の端子接合部２０２ａ，２０２ｂは前述のように千鳥配
置としているが、本実施例における半導体チップ２１０
の各端子も、端子接合部２０２ａ，２０２ｂと同様の千
鳥配置とする。但し、図７において、半導体チップ２１
０の内側寄りの端子を端子（以下、接合用パッドともい
う）２１２ａ、外側寄りの端子を端子（接合用パッド）
２１２ｂとする。

【００５１】まず、図７（ａ）に示すように、半導体チ
ップ２１０の外側寄りの接合用パッド２１２ｂにキャピ
ラリー２４０によってワイヤ２１１を接合し、続いて図
７（ｂ）に示すようにインナーリード２０２の内側寄り
の端子接合部２０２ａにワイヤ２１１を渡して接合し、
ワイヤ２１１を切断する。さらに、図７（ｃ）に示すよ
うに、半導体チップ２１０の内側寄りの接合用パッド２
１２ａにてワイヤ２１１を接合し、続いて図７（ｄ）に
示すようにインナーリード２０２の外側寄りの端子接合
部２０２ｂにワイヤ２１１を渡して接合し、ワイヤ２１
１を切断する。ワイヤ２１１としては金線を使用するの
が一般的である。

【００５２】このような方法により、リードピッチが極
めて狭い場合でも、ワイヤ２１１同士が接触しないよう
に容易にワイヤボンディングが行え、キャピラリー２４
０の先端が隣接するワイヤ２１１と干渉することがなく
なる。また、超音波振動を印加して接合性を改善したウ
エッジボンディング法で接合を行う場合にも、位置ずれ
もなくしっかりと接合することができる。さらに、この
ステップＳ１８２においても支持板２１５によって端子
接合部２０２ａ及び２０２ｂが固定されるため、それら
端子接合部２０２ａ及び２０２ｂが動くことが避けら
れ、位置ずれせずに良好な接合性を実現できる。ステッ
プＳ１８２が完了した状態の上面図を図８（ａ）に、ま
た図８（ａ）のＢ−Ｂ方向の断面図を図８（ｂ）に示
す。

【００５３】上記ステップＳ１８２の後、ステップＳ１
９０で、上記のように接合したインナーリード２０２と
半導体チップ２１０及び支持板２１５を樹脂モールド２
３０で一体的に封止する。そして、ステップＳ２００で
アウターリード２０３にハンダメッキを施す。このハン
ダメッキは電子回路基板に半導体装置を実装する際のハ
ンダ付け性を向上するために行う。次に、ステップＳ２
０１でアウターリード２０３間に設けておいたダムバー
２０４をレーザ切断し、ステップＳ２０２で洗浄及び乾
燥を行う。

【００５４】次に、ステップＳ２１０でアウターリード
２０３の外側の枠材及びリードフレーム２００のコーナ
ー部分を切断してアウターリード２０３を個々に切り離
し、ステップＳ２１１でアウターリード２０３をガルウ
ィング状に折り曲げ成形し、ステップＳ２１２で半導体
チップ２１０の種々の電気的特性の確認を行う。

【００５５】さらに、製品番号や製造番号等をマーキン
グし（ステップＳ２２０）、外観検査等を行って半導体
装置が完成する。そして包装後に出荷される（ステップ
Ｓ２２１）。

【００５６】図９は、本実施例によるリードフレームを
用いた半導体装置の断面図であって、図９（ａ）はイン
ナーリードの端子接合部２０２ａに対応する断面図であ
り、図９（ｂ）はインナーリードの端子接合部２０２ｂ
に対応する断面図である。

【００５７】図９（ａ）及び（ｂ）に示すように、リー
ドフレーム２００のインナーリード２０２の下面には接
着膜２１５ａを介して支持板２１５が固着されており、
支持板２１５には半導体チップ２１０が搭載され、イン
ナーリード２０２内方先端部分の端子接合部２０２ａ
（または２０２ｂ）がそれぞれ半導体チップ２１０の各
接合用パッド２１２ａ（または２１２ｂ）とワイヤ２１
１を用いたワイヤボンディングにより電気的に接合され
ている。そして、支持板２１５及び半導体チップ２１０
を含むインナーリード２０２より内側の部分が樹脂モー
ルド２３０によって一体封止されており、樹脂モールド
２３０より外側のアウターリード２０３がガルウィング
状に折り曲げ成形されている。

【００５８】尚、半導体チップ２１０の接合用パッド２
１２ａ，２１２ｂと端子接合部２０２ａ，２０２ｂの接
合方法としては、上述のようにワイヤボンディングが一
般的であるが、端子接合部を半導体チップの端子直上ま
で伸延させておき、金バンプ等によって接合する方法を
用いてもよい。また、本実施例では半導体チップ２１０
を支持板２１５上に直接搭載する例を示したが、リード
フレームにダイパッドを予め設けておき、そのダイパッ
ド上に半導体チップを搭載しても良い。

【００５９】以上のような本実施例によれば、相隣り合
う端子接合部２０２ａ及び２０２ｂの配置を、それぞれ
第１グループ、及びそれよりもリード長手方向にずれた
第２グループに属するような配置、即ち２段かつ交互に
ずらせた千鳥配置とするので、良好な接合性を損なうこ
となく極限にまで多ピン化及び狭ピッチ化ができる。

【００６０】また、リード長手方向外側の端子接合部２
０２ｂよりも外側寄りの近接位置をわずかに切り残して
連結部５を形成するので、相隣り合うリード間での剛性
が維持され、リードの変形やリード配列の乱れが防止さ
れる。従って、インナーリード２０２のリードピッチの
精度が維持されると共に、工程中の金属板素材に変形を
与えることなくの取扱いが容易となる。

【００６１】さらに、連結部５の位置を、リード長手方
向外側の端子接合部２０２ｂよりも外側寄りの近接位置
とするので、連結部５のレーザ切断時の入熱に起因した
熱影響が端子接合部２０２ａにも端子接合部２０２ｂに
も及ぶことがなく、酸化膜や熱応力や熱歪み影響のない
良好な端子接合部を得ることができる。

【００６２】従って、板厚が０．３ｍｍ以下、リードピ
ッチの最小値が板厚の２倍以下、リード間隙の幅の最小
値が板厚以下であるような多ピンかつ狭ピッチのリード
フレームを加工する場合であっても、半導体チップの端
子との接合性を良好にすることができ、その端子接合部
の信頼性を向上することができる。

【００６３】また、支持板２１５をインナーリード２０
２の内方部分に固着してその部分を拘束するので、その
剛性が一層強化され、またリードの変形やリード配列の
乱れが防止され、従ってその寸法や形状の精度の維持が
一層確実となり、工程中の金属板素材の取扱いがさらに
容易となる。その上、連結部５のレーザ切断後も引き続
きインナーリード２０２を拘束してその効果を発揮する
ことができ、また半導体チップ２１０と端子接合部２０
２ａ及び２０２ｂの接合時においてもそれら端子接合部
２０２ａ，２０２ｂの位置ずれを防止して良好な接合性
を実現できる。しかも、半導体装置が最終的に製造され
た時にその強度及び信頼性の向上に役立つ。

【００６４】また、支持板２１５の貫通溝２１５Ａの位
置に連結部５を位置決めするので、貫通溝２１５Ａを溶
融金属粒子１３の逃げ部とすることができ、また支持板
２１５がレーザ切断されないためドロス等の量を減少す
ることができる。さらに、支持板２１５の板厚をドロス
１０の高さよりも十分厚くし、貫通溝２１５Ａ内にその
ドロス１０を完全に収容するので、ドロス１０をわざわ
ざ除去する必要がなくなり、加工治具や拘束治具や固定
治具などの治具類と突出したドロスとの接触に起因する
変形や誤差の発生が避けられ、さらにドロス等の不規則
な剥落に起因する電気的短絡が回避される。

【００６５】次に、本発明の第２の実施例によるリード
フレームの加工方法を図１０により説明する。

【００６６】本実施例は第１の実施例の変形例であっ
て、半導体チップの各端子と端子接合部とをワイヤボン
ディングした後に、連結部をレーザ切断する。即ち、図
１０のステップＳ２６０及びステップＳ２６１で支持板
上に半導体チップを搭載、接着し、ステップＳ２６２に
おいて半導体チップの各端子と端子接合部とをワイヤボ
ンディングによって接合し、その後に、ステップＳ２７
０連結部をレーザ切断し、さらにスパッタやゴミやホコ
リの除去（ステップＳ２８０）、及び洗浄及び乾燥（ス
テップＳ２８１）を行う。これらステップＳ２６０から
ステップＳ２８１以外の工程は図２の工程と同一であ
り、図２のステップと同等のステップには図１０におい
ても同一の符号を付した。

【００６７】図３のようにリード長手方向外側の端子接
合部よりもアウターリード寄りに連結部５を設ける場
合、半導体チップ２１０の各端子と端子接合部２０２
ａ，２０２ｂとの接合後に連結部５をレーザ切断して
も、既に接合した端子接合部（リード）やワイヤ等にレ
ーザ光が当たって、これらを溶断するとか熱影響を与え
ることがないため、本実施例では、半導体チップ２１０
の各端子と端子接合部２０２ａ，２０２ｂとをワイヤボ
ンディングした後に、連結部５をレーザ切断することが
できる。

【００６８】また、この場合には、連結部５を残した状
態で半導体チップ２１０と端子接合部２０２ａ，２０２
ｂとの接合を行うため、その接合時にも端子接合部２０
２ａ，２０２ｂが動くことが避けられ接合性を一層向上
することができる。勿論、この連結部５のレーザ切断は
樹脂モールド２３０による一体封止前に行うことには違
いがないが、本実施例の場合には、半導体チップ２１０
の搭載及び接合後にリードフレーム２００の加工が完了
することになる。

【００６９】以上のような本実施例によれば、第１の実
施例と同様の効果が得られるだけでなく、連結部５を残
した状態でワイヤボンディングを行うため、ワイヤボン
ディング時に接続部分２０２ａ，２０２ｂが動くことが
避けられ接合性を一層向上することができる。また、支
持板２１５の固着強度が第１の実施例に比べて多少低く
てもよい。

【００７０】次に、本発明の第３の実施例によるリード
フレームの加工方法を図１１により説明する。

【００７１】本実施例では、第１の実施例及び第２の実
施例のようにインナーリード２０２の内方部分に支持板
２１５を固着するのではなく、その代わりに図１１に示
すように充填材料２５０をインナーリード２０２のリー
ド間隙２０８に充填する。この充填材料２５０としては
グリース状のものを用い、スキージ法によって充填した
り、インナーリード２０２部分の上に載せて両面から圧
する方法等により、容易に充填することができる。ま
た、この充填材料２５０は少なくとも端子接合部２０２
ａ，２０２ｂ付近に充填することが必要であるが、でき
るだけリード先端まで充填することが望ましい。これ以
外の工程は第１の実施例または第２の実施例と同様であ
る。但し、図１１（ａ）はインナーリードとなる部分の
加工が完了した図３に相当する図、図１１（ｂ）は図１
１（ａ）のＢ−Ｂ方向の断面図であり、図１１において
図３と同等の部材には同一の符号を付した。

【００７２】このように充填材料２５０をインナーリー
ド２０２のリード間隙２０８に充填することにより、リ
ード間隙２０８の寸法が維持され、ワイヤボンディング
時などにおいてリードが変形しようとしてもリード同士
が接触することがない。従って、位置ずれせずに良好な
接合性を実現できる。

【００７３】また、この場合は支持板がないため、連結
部５のレーザ切断時に生じるドロス等が板面より突出す
ることが懸念されるが、それらは機械的処理または化学
的表面処理等によって除去することが可能である。

【００７４】以上のような本実施例によれば、充填材料
２５０が第１の実施例及び第２の実施例における支持板
と同様の機能を果たし、端子接合部２０２ａ，２０２ｂ
が位置ずれせずに良好な接合性を実現でき、信頼性の高
い半導体装置を製造することができる。また、連結部５
のレーザ切断時に生じるドロス等は機械的処理または化
学的表面処理等によって除去することができる。

【００７５】次に、本発明の第４の実施例によるリード
フレームの加工方法及びリードフレーム並びに半導体装
置について、図１２から図１７を参照しながら説明す
る。

【００７６】図１２は本実施例によって加工されるリー
ドフレームの一例を示す図である。本実施例のリードフ
レーム４００は、図１と同様に多数のインナーリード４
０２、アウターリード４０３、ダムバー４０４、位置決
め穴４０７を有するが、それに加えて、リードフレーム
４００の中央部分には、半導体チップを搭載するダイパ
ッド４０１が設けられている。このダイパッド４０１の
周辺は腕４０５以外は切欠き部４０６が設けられてお
り、この切欠き部４０６によりインナーリード４０２は
ダイパッド４０１と分離され、かつ隣合うインナーリー
ド４０２はこの切欠き部４０６によりそれぞれ分離され
ている。さらに、リードフレーム４００中央のインナー
リード４０２の内方部分には、貫通溝４１５Ａを備えた
支持板４１５が接着膜４１５ａ（図１７参照）によって
固着されている。

【００７７】半導体チップ２１０（図１７参照）と接合
されるインナーリード４０２の内方先端部分において、
相隣り合う端子接合部４０２ａと４０２ｂとがそれぞれ
第１グループと第２グループとに属し、第１グループに
属する端子接合部４０２ａよりも第２グループに属する
端子接合部４０２ｂがリード長手方向外側にずれて位置
する。即ち、第１の実施例と同様に端子接合部４０２ａ
及び４０２ｂがリード長手方向に２段かつ交互にずらせ
た千鳥配置となっており、電気的接続を行うのに十分な
幅となっている。但し、これら端子接合部４０２ａ，４
０２ｂと支持板４１５の貫通溝４１５Ａとの位置関係
は、第１の実施例と若干異なるが、その位置関係につい
ては、図１４で詳細に述べる。

【００７８】次に、本実施例のリードフレームの加工方
法、及びそのリードフレームを用いた半導体装置の製造
工程を図１３により説明する。図１３のステップＳ３０
０からステップＳ３１１までは、図２のステップＳ１０
０からステップＳ１１１までと同様に、金属板にレベラ
ーをかけ、アウターリード４０３を形成し、洗浄及び乾
燥を行う。

【００７９】次に、ステップＳ３２０で金属板にインナ
ーリード３０２となる部分を図２と同様な適宜の方法に
よって加工し、金属板の洗浄及び乾燥を行う（ステップ
Ｓ３２１）。この時のインナーリード４０２の内方先端
部分は、図１４のようになる。

【００８０】本実施例では、相隣り合う半導体チップ４
１０の各端子と接合される端子接合部４０２ａ及び４０
２ｂを、リード長手方向に２段かつ交互にずらせた千鳥
配置とするが、千鳥配置としたリード長手方向内側の端
子接合部４０２ａの後端部分と外側の端子接合部４０２
ｂの先端部分とを連結するように連結部５５を設ける。
即ち、端子接合部４０２ｂの先端部分と端子接合部４０
２ａの後端部分とがＴ字状の連結部分５５で連結される
ことになる。但し、図１４は、次のステップＳ３４０〜
ステップＳ３５１における支持板４１５固着後の図であ
り、図３に相当する図である。

【００８１】上記のようなインナーリード４０２の形状
は、本質的には第１の実施例と同様である。従って、千
鳥配置とすることによって良好な接合性を損なうことな
く極限にまで多ピン化及び狭ピッチ化ができ、かつ隣接
するワイヤ同士の接触や接合治具と隣接するワイヤまた
は端子接合部との干渉もなくなる。また、連結部５を形
成することによって剛性が維持され、かつリードの変形
や配列の乱れが防止され、リードピッチの精度が維持さ
れると共に工程中の金属板素材の取扱いが容易となる。

【００８２】次に、ステップＳ３３０でインナーリード
４０２の内方先端部分の端子接合部４０２ａ，４０２ｂ
に銀メッキを施し、洗浄及び乾燥を行う（ステップＳ３
３１）。

【００８３】次に、図２のステップＳ１４０からステッ
プＳ１５１と同様に、ステップＳ３４０で支持板４１５
上に接着膜４１５ａを搭載し、ステップＳ３５０及びス
テップＳ３５１で接着膜４１５ａ上にリードフレーム４
００を固着する。また、支持板４１５にも細長い切欠き
状の貫通溝４１５Ａがあけられており、支持板４１５の
貫通溝４１５Ａの位置に連結部５５が丁度位置決めされ
るようにする。つまり、貫通溝４１５Ａは千鳥配置とし
た端子接合部４０２ａと端子接合部４０２ｂとの間に位
置し、貫通溝４１５Ａを挟んで端子接合部４０２ａと端
子接合部４０２ｂとが振り分けて配置されることにな
る。これにより、端子接合部４０２ａ及び端子接合部４
０２ｂのいずれもが貫通溝４１５Ａを避けてしっかりと
支持板４１５に固着されることになり、確実に剛性が強
化されてその寸法や形状の精度が維持されると共に、半
導体チップ４１０との接合時にも端子接合部４０２ａ及
び端子接合部４０２ｂのいずれもが位置ずれせずに一層
良好な接合性を実現できる。

【００８４】次に、ステップＳ３６０において、図１５
に示すように、相隣り合うリードを連結していたＴ字状
の連結部５５をレーザ切断し、端子接合部４０２ａと端
子接合部４０２ｂ、従ってインナーリード４０２を個々
に分離する。このレーザ切断で用いるレーザ光として
は、第１の実施例のような細長い楕円形断面のものを用
いてもよいが、連結部５５の形状がＴ字状であることを
考慮すると、図１５に示した被加工物上のスポット１１
３Ｄとなるような円形の断面のまま用いてもよい。上記
ステップＳ３６０の後、ステップＳ３７０でスパッタ、
及びゴミやホコリを除去し、ステップＳ３７１で洗浄及
び乾燥を行い、リードフレームの加工が完了する。

【００８５】引き続き半導体装置の製造を行う。即ち、
ステップＳ３８０及びステップＳ３８１で、ダイパッド
４０１上に半導体チップ４１０を搭載、接着した後、図
２のステップＳ１８２と同様に半導体チップ４１０の各
端子と端子接合部４０２ａ及び４０２ｂとをワイヤボン
ディングによって接合する（ステップＳ３８２）。この
ステップＳ３８２が完了した状態の上面図を図１６
（ａ）に、また図１６（ａ）のＢ−Ｂ方向の断面図を図
１６（ｂ）に示す。図１６において、半導体チップ４１
０の接合用パッド４１２ａ及び４１２ｂも千鳥配置とな
っており、半導体チップ４１０の外側寄りの接合用パッ
ド４１２ｂとインナーリード４０２の内側寄りの端子接
合部４０２ａとがワイヤ４１１により、また半導体チッ
プ４１０の内側寄りの接合用パッド４１２ａとインナー
リード４０２の外側寄りの端子接合部４０２ｂとがワイ
ヤ４１１により、それぞれ接続される。このステップＳ
３８２においても支持板４１５によって端子接合部４０
２ａ及び４０２ｂが固定されるため、それら端子接合部
４０２ａ及び４０２ｂが動くことが避けられ、位置ずれ
せずに良好な接合性を実現できる。

【００８６】尚、本実施例では、第２の実施例のように
（図１０のステップＳ２６０からステップＳ２８１参
照）ステップＳ３８２のワイヤボンディング後に連結部
５５をレーザ切断することはできない。なぜならば、図
１５及び図１６からわかるように、半導体チップ４１０
の接合用パッド４１２ａと端子接合部４０２ｂとを接合
するワイヤ４１１が連結部５５の直上にあるため、ワイ
ヤボンディング後に連結部５５をレーザ切断するとワイ
ヤ４１１まで同時に切断されてしまうからである。

【００８７】上記ステップＳ３８２の後、ステップＳ３
９０で、インナーリード４０２、ダイパッド４０１、半
導体チップ４１０及び支持板４１５を樹脂モールド４３
０（図１７参照）で一体的に封止する。その後のステッ
プＳ４００におけるアウターリード４０３へのハンダメ
ッキからステップＳ４１２における半導体チップ４１０
の電気的特性の確認、及びステップＳ４２０の製品番号
や製造番号等のマーキングは図２のステップＳ２００か
らステップＳ２２０と同様であり、最後に包装後に出荷
される（ステップＳ４２１）。

【００８８】図１７は、本実施例によるリードフレーム
を用いた半導体装置の断面図であって、図１７（ａ）は
インナーリードの端子接合部４０２ａに対応する断面図
であり、図１７（ｂ）はインナーリードの端子接合部４
０２ｂに対応する断面図である。

【００８９】図１７（ａ）及び（ｂ）に示すように、リ
ードフレーム４００のインナーリード４０２及びダイパ
ッド４０１の下面には接着膜４１５ａを介して支持板４
１５が固着されており、ダイパッド４０１には半導体チ
ップ４１０が搭載され、インナーリード４０２内方先端
部分の端子接合部４０２ａ（または４０２ｂ）がそれぞ
れ半導体チップ４１０の各接合用パッド４１２ａ（また
は４１２ｂ）とワイヤ４１１を用いたワイヤボンディン
グにより接合されている。図１７では接着膜４１５ａが
支持板４１５の側面にも存在するが、インナーリード４
０２及びダイパッド４０１の下面と接する面にのみあれ
ば十分である。また、図１７（ａ）と（ｂ）とを比べて
わかるように、貫通溝４１５Ａを挟んで端子接合部４０
２ａと端子接合部４０２ｂとが振り分けて配置されてい
る。さらに、図２と同様に、ダイパッド４０１、支持板
４１５、及び半導体チップ４１０を含むインナーリード
４０２より内側の部分が樹脂モールド４３０によって一
体封止されており、樹脂モールド４３０より外側のアウ
ターリード４０３がガルウィング状に折り曲げ成形され
ている。

【００９０】尚、上記ではリードフレーム４００にダイ
パッド４０１設けておきそのダイパッド４０１上に半導
体チップ４１０を搭載する例について示したが、ダイパ
ッドを省略して第１の実施例のように支持板上に接着膜
を介して半導体チップを直接搭載してもよい。

【００９１】以上のような本実施例によれば、第１の実
施例と同様の効果が得られるだけでなく、次のような効
果が得られる。即ち、端子接合部４０２ａと端子接合部
４０２ｂとの間に設けたＴ字状の連結部５５を支持板４
１５の貫通溝４１５Ａの位置に位置決めし、貫通溝４１
５Ａを挟んで端子接合部４０２ａと端子接合部４０２ｂ
とを振り分けて配置するので、両方の端子接合部４０２
ａ，４０２ｂが貫通溝４１５Ａを避けてしっかりと支持
板４１５に固着され、確実に剛性が強化されてその寸法
や形状の精度が維持される。また、半導体チップ４１０
との接合時にも端子接合部４０２ａ，４０２ｂのいずれ
もが位置ずれせずに一層良好な接合性を実現できる。

【００９２】尚、予め金属板の少なくともインナーリー
ドとなる部分の板厚を元の板厚よりも減肉しておけばイ
ンナーリードを形成するに当たって次のような作用効果
が得られる。まず、レーザ切断を行う場合には、板厚が
薄いことにより溶融金属の量が減少してドロスやスパッ
タ等の量が減る。また、プレス加工を行う場合には、板
厚が薄いことにより刃物に加わる力が軽減され、刃物の
破損等による不具合が回避される。さらに、エッチング
加工を行う場合には、サイドエッチの進行に起因して腐
食穴が完全に貫通しないような事態が避けられ、微細な
貫通溝を楽にあけることができる。特に、プレス加工や
エッチング加工などの従来から一般的によく利用されて
いる加工方法の場合、従来の加工限界を超えて極めて微
細な加工を行うことができる。さらに、この場合、連結
部５または５５を設けることにより、金属板の板厚が薄
くなることに起因する剛性の低下が回避される。

【００９３】また、以上の第１実施例から第４の実施例
では、端子接合部を第１グループと第２グループとで構
成してリード長手方向に２段かつ交互にずらせた千鳥配
置としたが、３段以上の多段階にずらせてもよい。

【００９４】さらに、第１、第２、及び第４の実施例に
おける支持板や、第３の実施例における充填材は連結部
の補助的な役割を果たすものであって、本発明の目的を
達成するために絶対に必要なものではない。従って、リ
ードピッチがある程度大きい場合などには支持板や充填
材を省略することもできる。

【００９５】

【発明の効果】本発明によれば、第１グループの端子接
合部よりも第２グループの端子接合部をリード長手方向
外側にずらせて位置させるので、良好な接合性を損なう
ことなく極限にまで多ピン化及び狭ピッチ化ができ、し
かも接合作業が容易になる。また、連結部を形成するの
で、相隣り合うインナーリード間での剛性が維持され、
またリードの変形や配列の乱れが防止され、リードピッ
チの精度維持及び金属板素材の取扱いの容易化が図れ
る。さらに、連結部の位置を第２グループの端子接合部
の後端部分に近接した位置とするので、レーザ切断によ
る熱影響が端子接合部に及ぶことがなく、酸化膜や熱応
力や熱歪み影響のない良好な端子接合部を得ることがで
きる。従って、板厚が０．３ｍｍ以下、リードピッチの
最小値が板厚の２倍以下、リード間隙の幅の最小値が板
厚以下であるような多ピンかつ狭ピッチのリードフレー
ムを加工する場合であっても、半導体チップの端子との
接合性を良好にすることができ、その端子接合部の信頼
性を向上することができる。

【００９６】また、第１グループの端子接合部の後端部
分と前記第２グループの端子接合部の先端部分とを連結
するように連結部を設けるので、連結部のレーザ切断時
における熱影響がいずれの端子接合部にも及ばない。従
って、この時も健全な表面とすべき端子接合部に酸化膜
が形成されることがなく、かつ熱応力や熱歪みがその部
分の金属板素材中に残留することがなく、良好な端子接
合部が得られる。

【００９７】また、支持部材をリードのうち少なくとも
インナーリードに固着するので、その部分の剛性が一層
強化され、また変形やリード配列の乱れが防止される。
従って、その寸法や形状の精度が維持が一層確実になる
と共に、工程中の金属板素材の取扱いが一層容易とな
る。その上、連結部のレーザ切断後もその剛性維持及び
リードの変形や配列の乱れの防止の効果があり、半導体
チップの各端子と端子接合部との接合時にも端子接合部
の位置ずれを防止して良好な接合性を実現できる。

【００９８】また、支持部材として連結部に対応する位
置に貫通部を設けた支持板を接着するので、貫通部を溶
融金属粒子の逃げ部とすることができ、ドロス等の量を
減少することができる。さらに、貫通部内にドロスを完
全に収容するので、ドロスを除去する必要がなくなり、
加工治具や拘束治具や固定治具などの治具類と突出した
ドロスとの接触に起因する変形や誤差の発生が避けら
れ、さらにドロス等の不規則な剥落に起因する電気的短
絡が回避される。

【００９９】従って、本発明によれば、小形かつ高性能
でしかも信頼性の高い半導体装置を実現することがで
き、そのような半導体装置を容易かつ安価に製造するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例によるリードフレームの
加工方法によって加工されるリードフレームの一例を示
す図である。

【図２】図１のリードフレームの加工方法を含む半導体
装置の製造工程を示すフローチャートである。

【図３】インナーリードの内方先端部分の拡大図であ
り、支持板固着後の図である。

【図４】支持板の形状を示す図であり、（ａ）はその上
面図、（ｂ）は接着膜を搭載した状態を示す（ａ）のＢ
−Ｂ方向の断面図である。

【図５】連結部をレーザ切断する状況を説明する断面図
である。

【図６】図３に示した連結部をレーザ切断している状況
を示す図である。

【図７】ワイヤボンディングの工程を説明する断面図で
あって、（ａ）は半導体チップ外側寄りの端子にワイヤ
を接合した状態、（ｂ）はインナーリード内側寄りの端
子接合部にワイヤを渡して接合した状態、（ｃ）は半導
体チップ内側寄りの端子にワイヤを接合した状態、
（ｄ）はインナーリード外側寄りの端子接合部にワイヤ
を渡して接合した状態を示す図である。

【図８】図７のワイヤボンディングが完了した状態を示
す図であって、（ａ）は上面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−
Ｂ方向の断面図である。

【図９】図１のリードフレームを用いた半導体装置の断
面図であって、（ａ）はインナーリードの端子接合部２
０２ａに対応する図、（ｂ）はインナーリードの端子接
合部２０２ｂに対応する図である。

【図１０】本発明の第２の実施例によるリードフレーム
の加工方法を含んだ半導体装置の製造工程を示すフロー
チャートである。

【図１１】本発明の第３の実施例によるリードフレーム
の加工方法を説明する図であって、（ａ）はインナーリ
ードとなる部分の加工が完了した図３に相当する図、
（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ方向の断面図である。

【図１２】本発明の第４の実施例によるリードフレーム
の加工方法によって加工されるリードフレームの一例を
示す図である。

【図１３】図１２のリードフレームの加工方法を含む半
導体装置の製造工程を示すフローチャートである。

【図１４】インナーリードの内方先端部分の拡大図であ
り、支持板固着後の図である。

【図１５】図１４に示した連結部をレーザ切断している
状況を示す図である。

【図１６】ワイヤボンディングが完了した状態を示す図
であって、（ａ）は上面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ方
向の断面図である。

【図１７】図１２のリードフレームを用いた半導体装置
の断面図であって、（ａ）はインナーリードの端子接合
部４０２ａに対応する図、（ｂ）はインナーリードの端
子接合部４０２ｂに対応する図である。

【符号の説明】

５ 連結部 １０ ドロス １３ 溶融金属粒子 ５５ 連結部 １１３ 加工ノズル １１３Ａ レーザ光 １１３Ｂ スポット １１３Ｄ スポット １１６ 集光レンズ １１７ アシストガス供給口 １１７Ａ アシストガス ２００ リードフレーム ２０２ インナーリード ２０２ａ，２０２ｂ 端子接合部 ２０３ アウターリード ２０８ リード間隙 ２１０ 半導体チップ ２１１ ワイヤ（金線等） ２１２ａ，２１２ｂ （半導体チップの）端子（または
接合用パッド） ２１５ 支持板 ２１５Ａ （支持板の）貫通溝 ２１５ａ 接着膜 ２３０ 樹脂モールド ２５０ 充填材料 ４００ リードフレーム ４０１ ダイパッド ４０２ インナーリード ４０２ａ，４０２ｂ 端子接合部 ４０３ アウターリード ４１０ 半導体チップ ４１１ ワイヤ（金線等） ４１２ａ，４１２ｂ （半導体チップの）端子（または
接合用パッド） ４１５ 支持板 ４１５Ａ （支持板の）貫通溝 ４１５ａ 接着膜 ４３０ 樹脂モールド

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 内方先端部分で半導体チップの各端子と
   接合される多数のインナーリード及びそのインナーリー
   ドの外側に連続して延びるアウターリードを有し、板厚
   が０．３ｍｍ以下で、リードピッチの最小値が板厚の２
   倍以下で、リード間隙の幅の最小値が板厚以下のリード
   フレームを薄い金属板から形成するリードフレームの加
   工方法において、 前記多数のインナーリードの内方先端部分に、第１グル
   ープの端子接合部と、この第１グループの端子接合部よ
   りもリード長手方向外側にずれて位置する第２グループ
   の端子接合部とを含む端子接合部を形成すると共に、前
   記第２グループの端子接合部の後端部分に近接した位置
   に連結部を切り残して相隣り合うリードを形成する第１
   の工程と、 前記第１の工程の後、リードフレーム加工に残されたそ
   れ以外の処理を行う第２の工程と、 前記第２の工程の後、前記第１の工程で切り残された前
   記連結部をレーザ光照射により切断して各々のインナー
   リードを個別に分離する第３の工程とを有することを特
   徴とするリードフレームの加工方法。
2. 【請求項２】 内方先端部分で半導体チップの各端子と
   接合される多数のインナーリード及びそのインナーリー
   ドの外側に連続して延びるアウターリードを有し、板厚
   が０．３ｍｍ以下で、リードピッチの最小値が板厚の２
   倍以下で、リード間隙の幅の最小値が板厚以下のリード
   フレームを薄い金属板から形成するリードフレームの加
   工方法において、 前記多数のインナーリードの内方先端部分に、第１グル
   ープの端子接合部と、この第１グループの端子接合部よ
   りもリード長手方向外側にずれて位置する第２グループ
   の端子接合部とを含む端子接合部を形成すると共に、前
   記第１グループの端子接合部の後端部分と前記第２グル
   ープの端子接合部の先端部分とを連結する連結部を切り
   残して相隣り合うリードを形成する第１の工程と、 前記第１の工程の後、リードフレーム加工に残されたそ
   れ以外の処理を行う第２の工程と、 前記第２の工程の後、前記第１の工程で切り残された前
   記連結部をレーザ光照射により切断して各々のインナー
   リードを個別に分離する第３の工程とを有することを特
   徴とするリードフレームの加工方法。
3. 【請求項３】 請求項１または２記載のリードフレーム
   の加工方法において、前記第３の工程における前記連結
   部のレーザ光照射による切断を、前記端子接合部と前記
   半導体チップの各端子との接合の前に行うことを特徴と
   するリードフレームの加工方法。
4. 【請求項４】 請求項１記載のリードフレームの加工方
   法において、前記第３の工程における前記連結部のレー
   ザ光照射による切断を、前記端子接合部と前記半導体チ
   ップの各端子との接合の後に行うことを特徴とするリー
   ドフレームの加工方法。
5. 【請求項５】 請求項３または４記載のリードフレーム
   の加工方法において、前記第１の工程におけるリードの
   形成の後で、かつ前記第３の工程における前記連結部の
   レーザ光照射による切断よりも前に、前記リードの少な
   くとも前記インナーリード部分に支持部材を固着するこ
   とを特徴とするリードフレームの加工方法。
6. 【請求項６】 請求項５記載のリードフレームの加工方
   法において、前記支持部材として前記連結部に対応する
   位置に貫通部を設けた支持板を接着することを特徴とす
   るリードフレームの加工方法。
7. 【請求項７】 請求項１から６のうちいずれか１項記載
   のリードフレームの加工方法により加工されたリードフ
   レーム。
8. 【請求項８】 請求項７記載のリードフレームに半導体
   チップが搭載され、その半導体チップの各端子と前記イ
   ンナーリードの端子接合部とが接合され、樹脂モールド
   にて前記半導体チップ及び前記インナーリードを含む部
   分が一体封止されていることを特徴とする樹脂モールド
   型の半導体装置。