JPH08162803A - Rfスイッチ - Google Patents
RfスイッチInfo
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- JPH08162803A JPH08162803A JP6303438A JP30343894A JPH08162803A JP H08162803 A JPH08162803 A JP H08162803A JP 6303438 A JP6303438 A JP 6303438A JP 30343894 A JP30343894 A JP 30343894A JP H08162803 A JPH08162803 A JP H08162803A
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- switch
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- transmission
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 8
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 abstract description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
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- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
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- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Transceivers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 PHS,DECTや,マイクロ波帯の無線L
ANに用いるのに有用なRFスイッチを提供する。 【構成】 アンテナTと送信部のパワーアンプPAとを
第1ダイオードD1を介して接続する。そして、前記パ
ワーアンプPAから前記第1ダイオードD1に至る経路
を、送信RF信号Wの基本波の3次高調波で共振するL
C共振回路11(インダクタLとコンデンサCの直列共
振回路)により接地する。また、送信RF信号Wの基本
波の実効波長をλとするとき、前記アンテナTと受信部
の低雑音増幅器LNAとをλ/4伝送線路3を介して接
続する。そして、そのλ/4伝送線路3から前記低雑音
増幅器LNAに至る経路を、第2ダイオードD2を介し
て接地する。 【効果】 低コストで,小型化が容易で,高調波を効果
的に減衰させることが出来る。
ANに用いるのに有用なRFスイッチを提供する。 【構成】 アンテナTと送信部のパワーアンプPAとを
第1ダイオードD1を介して接続する。そして、前記パ
ワーアンプPAから前記第1ダイオードD1に至る経路
を、送信RF信号Wの基本波の3次高調波で共振するL
C共振回路11(インダクタLとコンデンサCの直列共
振回路)により接地する。また、送信RF信号Wの基本
波の実効波長をλとするとき、前記アンテナTと受信部
の低雑音増幅器LNAとをλ/4伝送線路3を介して接
続する。そして、そのλ/4伝送線路3から前記低雑音
増幅器LNAに至る経路を、第2ダイオードD2を介し
て接地する。 【効果】 低コストで,小型化が容易で,高調波を効果
的に減衰させることが出来る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、RF(Radio Frequ
ency)スイッチに関し、さらに詳しくは、低コストで,
小型化が容易で,高調波を効果的に減衰させることが出
来るRFスイッチに関する。
ency)スイッチに関し、さらに詳しくは、低コストで,
小型化が容易で,高調波を効果的に減衰させることが出
来るRFスイッチに関する。
【0002】
【従来の技術】図9は、従来のRFスイッチの一例を示
す回路図である。このRFスイッチ500において、切
換制御用電圧VC1に負電圧を印加し且つ切換制御用電
圧VC2に正電圧を印加すると、ダイオードD51が順
バイアスされ、ダイオードD53が逆バイアスされる。
したがって、送信部のパワーアンプPAからローパスフ
ィルタLPFを介してアンテナTへ送信RF信号Wを送
り出すことが出来ると共に、アンテナTと受信部側とは
切り離される。なお、前記ローパスフィルタLPFは、
送信RF信号Wに含まれる高次高調波を除去し、高次高
調波が放射されるのを防止している。一方、切換制御用
電圧VC1に正電圧を印加し且つ切換制御用電圧VC2
に負電圧を印加すると、ダイオードD51が逆バイアス
され、ダイオードD53が順バイアスされる。したがっ
て、送信部側とアンテナTとは切り離されると共に、ア
ンテナTでの受信RF信号は受信部の低雑音増幅器LN
A(Low Noise Amplifier)に入力される。
す回路図である。このRFスイッチ500において、切
換制御用電圧VC1に負電圧を印加し且つ切換制御用電
圧VC2に正電圧を印加すると、ダイオードD51が順
バイアスされ、ダイオードD53が逆バイアスされる。
したがって、送信部のパワーアンプPAからローパスフ
ィルタLPFを介してアンテナTへ送信RF信号Wを送
り出すことが出来ると共に、アンテナTと受信部側とは
切り離される。なお、前記ローパスフィルタLPFは、
送信RF信号Wに含まれる高次高調波を除去し、高次高
調波が放射されるのを防止している。一方、切換制御用
電圧VC1に正電圧を印加し且つ切換制御用電圧VC2
に負電圧を印加すると、ダイオードD51が逆バイアス
され、ダイオードD53が順バイアスされる。したがっ
て、送信部側とアンテナTとは切り離されると共に、ア
ンテナTでの受信RF信号は受信部の低雑音増幅器LN
A(Low Noise Amplifier)に入力される。
【0003】図10は、上記RFスイッチ500の別の
使用態様を示す回路図である。この回路では、RFスイ
ッチ500とアンテナTの間にRF信号の基本波だけを
通すバンドパスフィルタBPFを挿入している。ローパ
スフィルタLPFとバンドパスフィルタBPFとを併用
することで、高次高調波の除去特性を向上できる。
使用態様を示す回路図である。この回路では、RFスイ
ッチ500とアンテナTの間にRF信号の基本波だけを
通すバンドパスフィルタBPFを挿入している。ローパ
スフィルタLPFとバンドパスフィルタBPFとを併用
することで、高次高調波の除去特性を向上できる。
【0004】図11は、上記RFスイッチ500のさら
に別の使用態様を示す回路図である。この回路では、図
9のローパスフィルタLPFに代えて、3×(2N−
1)(N=1,2,…)次高調波を減衰させるオープン
スタブ(Open Stub)41と、2×N次高調波を減衰さ
せるショートスタブ(Short Stub)51とを用いてい
る。送信RF信号Wの基本波の実効波長をλとすると、
前記オープンスタブ41の長さはλ/12であり、前記
ショートスタブ51の長さはλ/4である。数値例を示
せば、基本波の周波数foが1.9GHzのとき、誘電
率が4.2のガラスエポキシ基板上にスタブを形成した
場合には、前記オープンスタブ41の長さは7.3mm
であり、前記ショートスタブ51の長さは22.3mm
である。
に別の使用態様を示す回路図である。この回路では、図
9のローパスフィルタLPFに代えて、3×(2N−
1)(N=1,2,…)次高調波を減衰させるオープン
スタブ(Open Stub)41と、2×N次高調波を減衰さ
せるショートスタブ(Short Stub)51とを用いてい
る。送信RF信号Wの基本波の実効波長をλとすると、
前記オープンスタブ41の長さはλ/12であり、前記
ショートスタブ51の長さはλ/4である。数値例を示
せば、基本波の周波数foが1.9GHzのとき、誘電
率が4.2のガラスエポキシ基板上にスタブを形成した
場合には、前記オープンスタブ41の長さは7.3mm
であり、前記ショートスタブ51の長さは22.3mm
である。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上記従来のRFスイッ
チ500では、図9の使用態様ではローパスフィルタL
PF(例えば小型の積層LCフィルタ)を用いるためコ
スト高となる問題点がある。また、ローパスフィルタL
PFを設置するため占有スペースが大きくなる問題点が
ある。例えば、基本波の周波数foが1.9GHzの場
合には10mm×30mm程度のスペースを要する。ま
た、図10の使用態様では、ローパスフィルタLPFと
バンドパスフィルタBPFとを併用することで、いっそ
うコスト高となり、占有スペースも大きくなる問題点が
ある。さらに、図11の使用態様では、オープンスタブ
41とショートスタブ51を併用するため、占有スペー
スが大きくなる問題点がある。そこで、この発明の目的
は、低コストで,小型化が容易で,高調波を効果的に減
衰させることが出来るRFスイッチを提供することにあ
る。
チ500では、図9の使用態様ではローパスフィルタL
PF(例えば小型の積層LCフィルタ)を用いるためコ
スト高となる問題点がある。また、ローパスフィルタL
PFを設置するため占有スペースが大きくなる問題点が
ある。例えば、基本波の周波数foが1.9GHzの場
合には10mm×30mm程度のスペースを要する。ま
た、図10の使用態様では、ローパスフィルタLPFと
バンドパスフィルタBPFとを併用することで、いっそ
うコスト高となり、占有スペースも大きくなる問題点が
ある。さらに、図11の使用態様では、オープンスタブ
41とショートスタブ51を併用するため、占有スペー
スが大きくなる問題点がある。そこで、この発明の目的
は、低コストで,小型化が容易で,高調波を効果的に減
衰させることが出来るRFスイッチを提供することにあ
る。
【0006】
【課題を解決するための手段】第1の観点では、この発
明は、アンテナ部(T)を送信部(PA)と受信部(L
NA)とに切換接続するRFスイッチにおいて、前記ア
ンテナ部(T)と前記送信部(PA)とを第1ダイオー
ド(D1)を介して接続し、前記送信部(PA)から前
記第1ダイオード(D1)に至る経路に少なくとも3次
高調波を減衰させるトラップフィルタ(11)を設け、
送信RF信号の基本波の実効波長をλとするとき、前記
アンテナ部(T)と前記受信部(LNA)とをλ/4伝
送線路(3)を介して接続し、そのλ/4伝送線路
(3)から前記受信部(LNA)に至る経路を第2ダイ
オード(D2)を介して接地したことを特徴とするRF
スイッチ(100,200,300,400)を提供す
る。
明は、アンテナ部(T)を送信部(PA)と受信部(L
NA)とに切換接続するRFスイッチにおいて、前記ア
ンテナ部(T)と前記送信部(PA)とを第1ダイオー
ド(D1)を介して接続し、前記送信部(PA)から前
記第1ダイオード(D1)に至る経路に少なくとも3次
高調波を減衰させるトラップフィルタ(11)を設け、
送信RF信号の基本波の実効波長をλとするとき、前記
アンテナ部(T)と前記受信部(LNA)とをλ/4伝
送線路(3)を介して接続し、そのλ/4伝送線路
(3)から前記受信部(LNA)に至る経路を第2ダイ
オード(D2)を介して接地したことを特徴とするRF
スイッチ(100,200,300,400)を提供す
る。
【0007】第2の観点では、この発明は、上記構成の
RFスイッチにおいて、前記トラップフィルタ(11)
は、3次高調波に共振するLC共振回路(L,C)であ
ることを特徴とするRFスイッチ(100)を提供す
る。
RFスイッチにおいて、前記トラップフィルタ(11)
は、3次高調波に共振するLC共振回路(L,C)であ
ることを特徴とするRFスイッチ(100)を提供す
る。
【0008】第3の観点では、この発明は、上記構成の
RFスイッチにおいて、前記トラップフィルタ(11)
は、3次高調波に自己共振するコンデンサ(C1)であ
ることを特徴とするRFスイッチ(200)を提供す
る。
RFスイッチにおいて、前記トラップフィルタ(11)
は、3次高調波に自己共振するコンデンサ(C1)であ
ることを特徴とするRFスイッチ(200)を提供す
る。
【0009】第4の観点では、この発明は、上記構成の
RFスイッチにおいて、前記トラップフィルタ(11)
は、λ/6なる長さをもつショートスタブ(31)であ
ることを特徴とするRFスイッチ(300)を提供す
る。
RFスイッチにおいて、前記トラップフィルタ(11)
は、λ/6なる長さをもつショートスタブ(31)であ
ることを特徴とするRFスイッチ(300)を提供す
る。
【0010】第5の観点では、この発明は、上記構成の
RFスイッチにおいて、前記トラップフィルタ(11)
は、λ/12なる長さをもつオープンスタブ(41)で
あることを特徴とするRFスイッチ(400)を提供す
る。
RFスイッチにおいて、前記トラップフィルタ(11)
は、λ/12なる長さをもつオープンスタブ(41)で
あることを特徴とするRFスイッチ(400)を提供す
る。
【0011】
【作用】上記第1の観点のRFスイッチ(100,20
0,300,400)において、送信時には、第1ダイ
オード(D1)および第2ダイオード(D2)を順バイ
アス状態にする。すると、第1ダイオードは、順方向抵
抗だけとなり、送信RF信号が送信部(PA)からアン
テナ部(T)へ給電される。また、受信部(LNA)へ
の経路が第2ダイオード(D2)の順方向抵抗を介して
接地されるため、アンテナ部(T)から受信部(LN
A)が切り離される。送信RF信号に含まれる3次高調
波は、トラップフィルタ(11)により減衰させられ
る。また、送信RF信号に含まれる2×N次高調波は、
λ/4伝送線路(3)の受信部側端が第2ダイオード
(D2)の順方向抵抗を介して接地されるためにλ/4
のショートスタブとして機能するので、やはり減衰させ
られる。従って、高調波の放射を防止することが出来
る。受信時には、第1ダイオード(D1)および第2ダ
イオード(D2)を逆バイアス状態にする。すると、第
1ダイオード(D1)により送信部(PA)とアンテナ
部(T)が切り離される。また、アンテナ部(T)で受
信された受信RF信号は、λ/4伝送線路(3)を介し
て受信部(LNA)に入力される。以上の構成では、λ
/4伝送線路を有するRFスイッチのフィルタ機能を利
用して2×N次高調波を減衰させる。従って、3次高調
波を減衰させるトラップフィルタ(11)だけを追加す
ればよい。このため、低コストになり、小型化が容易に
なり、高調波を効果的に減衰させることが出来る。
0,300,400)において、送信時には、第1ダイ
オード(D1)および第2ダイオード(D2)を順バイ
アス状態にする。すると、第1ダイオードは、順方向抵
抗だけとなり、送信RF信号が送信部(PA)からアン
テナ部(T)へ給電される。また、受信部(LNA)へ
の経路が第2ダイオード(D2)の順方向抵抗を介して
接地されるため、アンテナ部(T)から受信部(LN
A)が切り離される。送信RF信号に含まれる3次高調
波は、トラップフィルタ(11)により減衰させられ
る。また、送信RF信号に含まれる2×N次高調波は、
λ/4伝送線路(3)の受信部側端が第2ダイオード
(D2)の順方向抵抗を介して接地されるためにλ/4
のショートスタブとして機能するので、やはり減衰させ
られる。従って、高調波の放射を防止することが出来
る。受信時には、第1ダイオード(D1)および第2ダ
イオード(D2)を逆バイアス状態にする。すると、第
1ダイオード(D1)により送信部(PA)とアンテナ
部(T)が切り離される。また、アンテナ部(T)で受
信された受信RF信号は、λ/4伝送線路(3)を介し
て受信部(LNA)に入力される。以上の構成では、λ
/4伝送線路を有するRFスイッチのフィルタ機能を利
用して2×N次高調波を減衰させる。従って、3次高調
波を減衰させるトラップフィルタ(11)だけを追加す
ればよい。このため、低コストになり、小型化が容易に
なり、高調波を効果的に減衰させることが出来る。
【0012】上記第2の観点のRFスイッチ(100)
では、3次高調波に共振するLC共振回路(L,C)を
トラップフィルタとして用いる。このため、3次高調波
は減衰され、また、トラップフィルタを比較的簡単な構
成にできる。
では、3次高調波に共振するLC共振回路(L,C)を
トラップフィルタとして用いる。このため、3次高調波
は減衰され、また、トラップフィルタを比較的簡単な構
成にできる。
【0013】上記第3の観点のRFスイッチ(200)
では、3次高調波に自己共振するコンデンサ(C1)を
トラップフィルタとして用いる。これにより、3次高調
波を減衰できる。このため、回路構成をいっそう簡単化
できる。
では、3次高調波に自己共振するコンデンサ(C1)を
トラップフィルタとして用いる。これにより、3次高調
波を減衰できる。このため、回路構成をいっそう簡単化
できる。
【0014】上記第4の観点のRFスイッチ(300)
では、λ/6なる長さをもつショートスタブ(31)を
トラップフィルタとして用いる。これにより、3×N
(N=1,2,…)次高調波を減衰できる。このため、
素子数を低減して構成をいっそう簡単化できる。また、
ショートスタブは極めて安価に形成できるので、いっそ
う低コスト化できる。
では、λ/6なる長さをもつショートスタブ(31)を
トラップフィルタとして用いる。これにより、3×N
(N=1,2,…)次高調波を減衰できる。このため、
素子数を低減して構成をいっそう簡単化できる。また、
ショートスタブは極めて安価に形成できるので、いっそ
う低コスト化できる。
【0015】上記第5の観点のRFスイッチ(400)
では、λ/12なる長さをもつオープンスタブ(41)
をトラップフィルタとして用いる。これにより、3×
(2N−1)(N=1,2,…)次高調波を減衰でき
る。このため、スタブの長さはショートスタブの1/2
で済み、いっそう小型化することが出来る。
では、λ/12なる長さをもつオープンスタブ(41)
をトラップフィルタとして用いる。これにより、3×
(2N−1)(N=1,2,…)次高調波を減衰でき
る。このため、スタブの長さはショートスタブの1/2
で済み、いっそう小型化することが出来る。
【0016】
【実施例】以下、図に示す実施例によりこの発明をさら
に詳細に説明する。なお、これによりこの発明が限定さ
れるものではない。
に詳細に説明する。なお、これによりこの発明が限定さ
れるものではない。
【0017】−第1実施例− 図1は、この発明の第1実施例のRFスイッチを示す回
路図である。このRFスイッチ100では、アンテナT
と送信部のパワーアンプPAとを第1ダイオードD1を
介して接続する。そして、前記パワーアンプPAから前
記第1ダイオードD1に至る経路を、送信RF信号Wの
基本波の3次高調波で共振するLC共振回路11(イン
ダクタLとコンデンサCの直列共振回路)により接地す
る。また、送信RF信号Wの基本波の実効波長をλとす
るとき、前記アンテナTと受信部の低雑音増幅器LNA
とをλ/4伝送線路3を介して接続する。そして、その
λ/4伝送線路3から前記低雑音増幅器LNAに至る経
路を、第2ダイオードD2を介して接地する。なお、前
記基本波の周波数foは、例えば1.9GHzである。
路図である。このRFスイッチ100では、アンテナT
と送信部のパワーアンプPAとを第1ダイオードD1を
介して接続する。そして、前記パワーアンプPAから前
記第1ダイオードD1に至る経路を、送信RF信号Wの
基本波の3次高調波で共振するLC共振回路11(イン
ダクタLとコンデンサCの直列共振回路)により接地す
る。また、送信RF信号Wの基本波の実効波長をλとす
るとき、前記アンテナTと受信部の低雑音増幅器LNA
とをλ/4伝送線路3を介して接続する。そして、その
λ/4伝送線路3から前記低雑音増幅器LNAに至る経
路を、第2ダイオードD2を介して接地する。なお、前
記基本波の周波数foは、例えば1.9GHzである。
【0018】さて、送信時には、切換制御用電圧VC1
に正電圧を印加する。すると、ダイオードD1,D2が
順バイアスされて、図2に示す等価回路となる。そこ
で、送信RF信号Wが送信部のパワーアンプPAから順
方向抵抗Rf(≒0)を介してアンテナTへ給電され
る。また、受信部の低雑音増幅器LNAへの経路が順方
向抵抗Rf(≒0)を介して接地されるため、アンテナ
Tから低雑音増幅器LNAが切り離される。LC共振回
路11は、図3に示す周波数特性を有しており、3次高
調波で共振する。従って、3次高調波成分は減衰され、
除去される。伝送線路3は、受信部側端が順方向抵抗R
fを介して接地されるため、λ/4のショートスタブと
して機能する。λ/4のショートスタブは、図4に示す
周波数特性を有する。従って、2×N次高調波成分は減
衰され、除去される。
に正電圧を印加する。すると、ダイオードD1,D2が
順バイアスされて、図2に示す等価回路となる。そこ
で、送信RF信号Wが送信部のパワーアンプPAから順
方向抵抗Rf(≒0)を介してアンテナTへ給電され
る。また、受信部の低雑音増幅器LNAへの経路が順方
向抵抗Rf(≒0)を介して接地されるため、アンテナ
Tから低雑音増幅器LNAが切り離される。LC共振回
路11は、図3に示す周波数特性を有しており、3次高
調波で共振する。従って、3次高調波成分は減衰され、
除去される。伝送線路3は、受信部側端が順方向抵抗R
fを介して接地されるため、λ/4のショートスタブと
して機能する。λ/4のショートスタブは、図4に示す
周波数特性を有する。従って、2×N次高調波成分は減
衰され、除去される。
【0019】受信時には、切換制御用電圧VC1に負電
圧を印加する。すると、ダイオードD1,D2が逆バイ
アスされて、図5に示す等価回路となる。すなわち、送
信部側とアンテナTが切り離される。また、アンテナT
で受信された受信RF信号は、λ/4伝送線路3を介し
て受信部の低雑音アンプLNAに入力される。なお、受
信RF信号は微弱なので、ダイオードD2がオンするこ
とはない。
圧を印加する。すると、ダイオードD1,D2が逆バイ
アスされて、図5に示す等価回路となる。すなわち、送
信部側とアンテナTが切り離される。また、アンテナT
で受信された受信RF信号は、λ/4伝送線路3を介し
て受信部の低雑音アンプLNAに入力される。なお、受
信RF信号は微弱なので、ダイオードD2がオンするこ
とはない。
【0020】上記第1実施例のRFスイッチ100によ
れば、低コストになり、小型化が容易になり、高調波を
効果的に減衰させることが出来る。
れば、低コストになり、小型化が容易になり、高調波を
効果的に減衰させることが出来る。
【0021】−第2実施例− 図6は、この発明の第2実施例のRFスイッチを示す回
路図である。このRFスイッチ200は、上記第1実施
例のRFスイッチ100におけるLC共振回路11に代
えて、送信RF信号Wの基本波の3次高調波で自己共振
するコンデンサC1を用いている。上記第2実施例のR
Fスイッチ200によれば、コンデンサC1により3次
高調波を除去することができ、上記第1実施例と同じ効
果が得られる。また、回路構成をいっそう簡単化でき
る。
路図である。このRFスイッチ200は、上記第1実施
例のRFスイッチ100におけるLC共振回路11に代
えて、送信RF信号Wの基本波の3次高調波で自己共振
するコンデンサC1を用いている。上記第2実施例のR
Fスイッチ200によれば、コンデンサC1により3次
高調波を除去することができ、上記第1実施例と同じ効
果が得られる。また、回路構成をいっそう簡単化でき
る。
【0022】−第3実施例− 図7は、この発明の第3実施例のRFスイッチを示す回
路図である。このRFスイッチ300では、第1実施例
のRFスイッチ100におけるLC共振回路11に代え
て、送信RF信号Wの基本波の実効波長λに対してλ/
6なる長さをもつショートスタブ31を用いている。前
記ショートスタブ31の長さは、基本波の周波数foが
1.9GHzのとき、誘電率が4.2のガラスエポキシ
基板を用いた場合には、14.6mmである。上記第3
実施例のRFスイッチ300によれば、ショートスタブ
31により3×N次高調波を除去することができ、第1
実施例と同じ効果が得られる。また、ショートスタブ3
1をトラップフィルタとして用いるので、素子数を低減
して、構成をいっそう簡単化できる。また、ショートス
タブ31は極めて安価(例えば1円以下)に形成できる
ので、いっそう低コスト化できる。
路図である。このRFスイッチ300では、第1実施例
のRFスイッチ100におけるLC共振回路11に代え
て、送信RF信号Wの基本波の実効波長λに対してλ/
6なる長さをもつショートスタブ31を用いている。前
記ショートスタブ31の長さは、基本波の周波数foが
1.9GHzのとき、誘電率が4.2のガラスエポキシ
基板を用いた場合には、14.6mmである。上記第3
実施例のRFスイッチ300によれば、ショートスタブ
31により3×N次高調波を除去することができ、第1
実施例と同じ効果が得られる。また、ショートスタブ3
1をトラップフィルタとして用いるので、素子数を低減
して、構成をいっそう簡単化できる。また、ショートス
タブ31は極めて安価(例えば1円以下)に形成できる
ので、いっそう低コスト化できる。
【0023】−第4実施例− 図8は、この発明の第4実施例のRFスイッチを示す回
路図である。このRFスイッチ400では、第1実施例
のRFスイッチ100におけるLC共振回路11に代え
て、送信RF信号Wの基本波の実効波長λに対してλ/
12なる長さをもつオープンスタブ41を用いている。
前記オープンスタブ41の長さは、基本波の周波数fo
が1.9GHzのとき、誘電率が4.2のガラスエポキ
シ基板を用いた場合には、7.3mmである。上記第4
実施例のRFスイッチ400によれば、オープンスタブ
41により3×(2N−1)次高調波を除去することが
でき、第1実施例と同じ効果が得られる。また、オープ
ンスタブ41をトラップフィルタとして用いるので、素
子数を低減して、構成をいっそう簡単化できる。また、
オープンスタブ41は極めて安価(例えば1円以下)に
形成できるので、いっそう低コスト化できる。さらに、
スタブの長さは上記第3実施例にかかるショートスタブ
31(図7参照)の1/2で済むため、いっそう小型化
することが出来る。
路図である。このRFスイッチ400では、第1実施例
のRFスイッチ100におけるLC共振回路11に代え
て、送信RF信号Wの基本波の実効波長λに対してλ/
12なる長さをもつオープンスタブ41を用いている。
前記オープンスタブ41の長さは、基本波の周波数fo
が1.9GHzのとき、誘電率が4.2のガラスエポキ
シ基板を用いた場合には、7.3mmである。上記第4
実施例のRFスイッチ400によれば、オープンスタブ
41により3×(2N−1)次高調波を除去することが
でき、第1実施例と同じ効果が得られる。また、オープ
ンスタブ41をトラップフィルタとして用いるので、素
子数を低減して、構成をいっそう簡単化できる。また、
オープンスタブ41は極めて安価(例えば1円以下)に
形成できるので、いっそう低コスト化できる。さらに、
スタブの長さは上記第3実施例にかかるショートスタブ
31(図7参照)の1/2で済むため、いっそう小型化
することが出来る。
【0024】
【発明の効果】この発明のRFスイッチによれば、λ/
4伝送線路を有するRFスイッチのフィルタ機能を利用
して2×N次高調波を減衰させる。従って、3次高調波
を減衰させるトラップフィルタだけを追加すればよい。
このため、2次以上の高調波を減衰させるためのフィル
タ部品の追加が不要となって低コスト化ができ、また、
基板上に2次高調波用のトラップフィルタを設けなくて
もよいので、小型化が容易になり、高調波を効果的に減
衰させることが出来る。特に、PHS(Personal Han
dy System),DECT(Digital EuropeanCordles
s Telephon)や,マイクロ波帯の無線LAN(Local
Area Network)に用いるRFスイッチとして有用であ
る。
4伝送線路を有するRFスイッチのフィルタ機能を利用
して2×N次高調波を減衰させる。従って、3次高調波
を減衰させるトラップフィルタだけを追加すればよい。
このため、2次以上の高調波を減衰させるためのフィル
タ部品の追加が不要となって低コスト化ができ、また、
基板上に2次高調波用のトラップフィルタを設けなくて
もよいので、小型化が容易になり、高調波を効果的に減
衰させることが出来る。特に、PHS(Personal Han
dy System),DECT(Digital EuropeanCordles
s Telephon)や,マイクロ波帯の無線LAN(Local
Area Network)に用いるRFスイッチとして有用であ
る。
【図1】この発明の第1実施例のRFスイッチを示す回
路図である。
路図である。
【図2】図1のRFスイッチの送信時の等価回路図であ
る。
る。
【図3】図1のLC共振回路の周波数特性図である。
【図4】図1のλ/4ショートスタブの周波数特性図で
ある。
ある。
【図5】図1のRFスイッチの受信時の等価回路図であ
る。
る。
【図6】この発明の第2実施例のRFスイッチを示す回
路図である。
路図である。
【図7】この発明の第3実施例のRFスイッチを示す回
路図である。
路図である。
【図8】この発明の第4実施例のRFスイッチを示す回
路図である。
路図である。
【図9】従来のRFスイッチの一例を示す回路図であ
る。
る。
【図10】図9のRFスイッチの別の使用態様を示す回
路図である。
路図である。
【図11】図9のRFスイッチのさらに別の使用態様を
示す回路図である。
示す回路図である。
100,200,300,400 RFスイッチ 3 λ/4伝送線路 11 LC共振回路 31 ショートスタブ 41 オープンスタブ D1,D2 ダイオード C,C1 コンデンサ L インダクタ T アンテナ PA 送信部のパワーアン
プ LNA 受信部の低雑音増幅
器
プ LNA 受信部の低雑音増幅
器
Claims (5)
- 【請求項1】 アンテナ部(T)を送信部(PA)と受
信部(LNA)とに切換接続するRFスイッチにおい
て、 前記アンテナ部(T)と前記送信部(PA)とを第1ダ
イオード(D1)を介して接続し、前記送信部(PA)
から前記第1ダイオード(D1)に至る経路に少なくと
も3次高調波を減衰させるトラップフィルタ(11)を
設け、送信RF信号の基本波の実効波長をλとすると
き、前記アンテナ部(T)と前記受信部(LNA)とを
λ/4伝送線路(3)を介して接続し、そのλ/4伝送
線路(3)から前記受信部(LNA)に至る経路を第2
ダイオード(D2)を介して接地したことを特徴とする
RFスイッチ(100,200,300,400)。 - 【請求項2】 請求項1に記載のRFスイッチにおい
て、前記トラップフィルタ(11)は、3次高調波に共
振するLC共振回路(L,C)であることを特徴とする
RFスイッチ(100)。 - 【請求項3】 請求項1に記載のRFスイッチにおい
て、前記トラップフィルタ(11)は、3次高調波に自
己共振するコンデンサ(C1)であることを特徴とする
RFスイッチ(200)。 - 【請求項4】 請求項1に記載のRFスイッチにおい
て、前記トラップフィルタ(11)は、λ/6なる長さ
をもつショートスタブ(31)であることを特徴とする
RFスイッチ(300)。 - 【請求項5】 請求項1に記載のRFスイッチにおい
て、前記トラップフィルタ(11)は、λ/12なる長
さをもつオープンスタブ(41)であることを特徴とす
るRFスイッチ(400)。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6303438A JPH08162803A (ja) | 1994-12-07 | 1994-12-07 | Rfスイッチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6303438A JPH08162803A (ja) | 1994-12-07 | 1994-12-07 | Rfスイッチ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08162803A true JPH08162803A (ja) | 1996-06-21 |
Family
ID=17921009
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6303438A Pending JPH08162803A (ja) | 1994-12-07 | 1994-12-07 | Rfスイッチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08162803A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6633206B1 (en) | 1999-01-27 | 2003-10-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High-frequency switch |
| US7408423B2 (en) | 2004-12-24 | 2008-08-05 | Fujitsu Limited | Semiconductor device and adjusting method for semiconductor device |
| JP2011171922A (ja) * | 2010-02-17 | 2011-09-01 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波スイッチ回路 |
| CN109565263A (zh) * | 2016-08-10 | 2019-04-02 | 株式会社村田制作所 | 功率放大模块、前端电路以及通信装置 |
| US10886058B2 (en) | 2019-01-16 | 2021-01-05 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Inductor and low-noise amplifier including the same |
-
1994
- 1994-12-07 JP JP6303438A patent/JPH08162803A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6633206B1 (en) | 1999-01-27 | 2003-10-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High-frequency switch |
| US6897738B2 (en) | 1999-01-27 | 2005-05-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High-frequency switch |
| US7391284B2 (en) | 1999-01-27 | 2008-06-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High-frequency switch |
| US7408423B2 (en) | 2004-12-24 | 2008-08-05 | Fujitsu Limited | Semiconductor device and adjusting method for semiconductor device |
| US7619490B2 (en) | 2004-12-24 | 2009-11-17 | Fujitsu Microelectronics Limited | Semiconductor device and adjusting method for semiconductor device |
| JP2011171922A (ja) * | 2010-02-17 | 2011-09-01 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波スイッチ回路 |
| CN109565263A (zh) * | 2016-08-10 | 2019-04-02 | 株式会社村田制作所 | 功率放大模块、前端电路以及通信装置 |
| CN109565263B (zh) * | 2016-08-10 | 2022-10-14 | 株式会社村田制作所 | 功率放大模块、前端电路以及通信装置 |
| US10886058B2 (en) | 2019-01-16 | 2021-01-05 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Inductor and low-noise amplifier including the same |
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