JPH08163862A - Ｍｏｓｆｅｔドライブ方法および回路 - Google Patents
Ｍｏｓｆｅｔドライブ方法および回路Info
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- JPH08163862A JPH08163862A JP6298556A JP29855694A JPH08163862A JP H08163862 A JPH08163862 A JP H08163862A JP 6298556 A JP6298556 A JP 6298556A JP 29855694 A JP29855694 A JP 29855694A JP H08163862 A JPH08163862 A JP H08163862A
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- diode
- circuit
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 10
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 33
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 4
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 3
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K2217/00—Indexing scheme related to electronic switching or gating, i.e. not by contact-making or -breaking covered by H03K17/00
- H03K2217/0036—Means reducing energy consumption
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- Rectifiers (AREA)
- Power Conversion In General (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 ＭＯＳＦＥＴのゲート容量に蓄積されたエネ
ルギーを再利用する。 【構成】 パルス信号源（Ｄｖ）から印加されるパルス
信号の電圧が“Ｖ１”のとき、ＭＯＳＦＥＴ（Ｑ１）が
オンになる。このとき、Ｑ１のゲート容量（Ｃiss ）に
エネルギーが蓄積される。また、共振インダクタ（Ｌ
２）および第２ダイオード（Ｄ２）を介してコンデンサ
（Ｃ０）にエネルギーが蓄積されると共に、Ｃ０からエ
ネルギーが負荷（ＲＬ）に供給される。パルス信号の電
圧が“０”になると、Ｑ１がオフになる。また、Ｃiss
−Ｌ２−Ｄ２−Ｃ０−Ｃiss の共振回路が形成され、Ｃ
iss に蓄積されていたエネルギーはＬ２に移る。また、
Ｌ２−Ｄ２−Ｃ０−Ｄ３−Ｌ２の回路が形成され、Ｌ２
に蓄積されたエネルギーはＣ０に移る。そして、Ｃ０か
らエネルギーがＲＬに供給される。
ルギーを再利用する。 【構成】 パルス信号源（Ｄｖ）から印加されるパルス
信号の電圧が“Ｖ１”のとき、ＭＯＳＦＥＴ（Ｑ１）が
オンになる。このとき、Ｑ１のゲート容量（Ｃiss ）に
エネルギーが蓄積される。また、共振インダクタ（Ｌ
２）および第２ダイオード（Ｄ２）を介してコンデンサ
（Ｃ０）にエネルギーが蓄積されると共に、Ｃ０からエ
ネルギーが負荷（ＲＬ）に供給される。パルス信号の電
圧が“０”になると、Ｑ１がオフになる。また、Ｃiss
−Ｌ２−Ｄ２−Ｃ０−Ｃiss の共振回路が形成され、Ｃ
iss に蓄積されていたエネルギーはＬ２に移る。また、
Ｌ２−Ｄ２−Ｃ０−Ｄ３−Ｌ２の回路が形成され、Ｌ２
に蓄積されたエネルギーはＣ０に移る。そして、Ｃ０か
らエネルギーがＲＬに供給される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ＭＯＳＦＥＴドライ
ブ方法および回路に関し、さらに詳しくは、少ない損失
でＭＯＳＦＥＴを高周波でスイッチングすることが出来
るＭＯＳＦＥＴドライブ方法および回路に関する。
ブ方法および回路に関し、さらに詳しくは、少ない損失
でＭＯＳＦＥＴを高周波でスイッチングすることが出来
るＭＯＳＦＥＴドライブ方法および回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は、従来のＭＯＳＦＥＴドライブ回
路の一例を示す回路図である。このＭＯＳＦＥＴドライ
ブ回路（５００）では、ＭＯＳＦＥＴ（Ｑ１）のゲート
（Ｇ）に第１抵抗（Ｒｇ１）および第２抵抗（Ｒｇ２）
を接続し、第１抵抗（Ｒｇ１）をパルス信号源（Ｄｖ）
に接続し、第２抵抗（Ｒｇ２）をＭＯＳＦＥＴ（Ｑ１）
のソース（Ｓ）に接続している。パルス信号源（Ｄｖ）
からパルス信号を印加し、そのパルス信号の電圧が“Ｖ
１”のとき、ＭＯＳＦＥＴ（Ｑ１）のドレイン（Ｄ）−
ソース（Ｓ）間がオンになる。また、前記パルス信号の
電圧が“０”のとき、ＭＯＳＦＥＴ（Ｑ１）のドレイン
（Ｄ）−ソース（Ｓ）間がオフになる。
路の一例を示す回路図である。このＭＯＳＦＥＴドライ
ブ回路（５００）では、ＭＯＳＦＥＴ（Ｑ１）のゲート
（Ｇ）に第１抵抗（Ｒｇ１）および第２抵抗（Ｒｇ２）
を接続し、第１抵抗（Ｒｇ１）をパルス信号源（Ｄｖ）
に接続し、第２抵抗（Ｒｇ２）をＭＯＳＦＥＴ（Ｑ１）
のソース（Ｓ）に接続している。パルス信号源（Ｄｖ）
からパルス信号を印加し、そのパルス信号の電圧が“Ｖ
１”のとき、ＭＯＳＦＥＴ（Ｑ１）のドレイン（Ｄ）−
ソース（Ｓ）間がオンになる。また、前記パルス信号の
電圧が“０”のとき、ＭＯＳＦＥＴ（Ｑ１）のドレイン
（Ｄ）−ソース（Ｓ）間がオフになる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来のＭＯＳＦＥ
Ｔドライブ回路（５００）において、ＭＯＳＦＥＴ（Ｑ
１）のオン時には、ＭＯＳＦＥＴ（Ｑ１）のゲート容量
（Ｃiss ）にエネルギーが蓄積される。そして、ＭＯＳ
ＦＥＴ（Ｑ１）のオフ時には、前記ゲート容量（Ｃiss
）に蓄積されたエネルギーが放電する。このようにゲ
ート容量（Ｃiss ）を充放電する際、そのエネルギーは
ドライブ回路に存在する抵抗により熱として消滅し、損
失となる。この損失Ｐlossは、スイッチング周波数（パ
ルス信号の周波数）をｆとするとき、 Ｐloss＝Ｃiss・Ｖ１・Ｖ１・ｆ となる。このため、スイッチング周波数ｆの高周波化に
伴い、損失Ｐlossが増大する問題点がある。そこで、こ
の発明の目的は、スイッチング周波数ｆを高周波化して
も、損失Ｐlossを増大しないように出来るＭＯＳＦＥＴ
ドライブ方法および回路を提供することにある。
Ｔドライブ回路（５００）において、ＭＯＳＦＥＴ（Ｑ
１）のオン時には、ＭＯＳＦＥＴ（Ｑ１）のゲート容量
（Ｃiss ）にエネルギーが蓄積される。そして、ＭＯＳ
ＦＥＴ（Ｑ１）のオフ時には、前記ゲート容量（Ｃiss
）に蓄積されたエネルギーが放電する。このようにゲ
ート容量（Ｃiss ）を充放電する際、そのエネルギーは
ドライブ回路に存在する抵抗により熱として消滅し、損
失となる。この損失Ｐlossは、スイッチング周波数（パ
ルス信号の周波数）をｆとするとき、 Ｐloss＝Ｃiss・Ｖ１・Ｖ１・ｆ となる。このため、スイッチング周波数ｆの高周波化に
伴い、損失Ｐlossが増大する問題点がある。そこで、こ
の発明の目的は、スイッチング周波数ｆを高周波化して
も、損失Ｐlossを増大しないように出来るＭＯＳＦＥＴ
ドライブ方法および回路を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】この発明のＭＯＳＦＥＴ
ドライブ方法は、ＭＯＳＦＥＴ（Ｑ１）のゲートにパル
ス信号を印加して前記ＭＯＳＦＥＴ（Ｑ１）のドレイン
−ソース間をオン／オフするＭＯＳＦＥＴドライブ方法
において、前記ＭＯＳＦＥＴ（Ｑ１）のオン時に前記Ｍ
ＯＳＦＥＴ（Ｑ１）のゲート容量（Ｃiss ）に蓄積され
たエネルギーを、前記ＭＯＳＦＥＴ（Ｑ１）のオフ時に
コンデンサまたは電池に移し、再利用に供することを構
成上の特徴とするものである。
ドライブ方法は、ＭＯＳＦＥＴ（Ｑ１）のゲートにパル
ス信号を印加して前記ＭＯＳＦＥＴ（Ｑ１）のドレイン
−ソース間をオン／オフするＭＯＳＦＥＴドライブ方法
において、前記ＭＯＳＦＥＴ（Ｑ１）のオン時に前記Ｍ
ＯＳＦＥＴ（Ｑ１）のゲート容量（Ｃiss ）に蓄積され
たエネルギーを、前記ＭＯＳＦＥＴ（Ｑ１）のオフ時に
コンデンサまたは電池に移し、再利用に供することを構
成上の特徴とするものである。
【０００５】この発明のＭＯＳＦＥＴドライブ回路は、
ＭＯＳＦＥＴ（Ｑ１）のゲートにパルス信号を印加して
前記ＭＯＳＦＥＴ（Ｑ１）のドレイン−ソース間をオン
／オフするＭＯＳＦＥＴドライブ回路において、前記Ｍ
ＯＳＦＥＴ（Ｑ１）のゲートに第１ダイオード（Ｄ１）
を接続し、この第１ダイオード（Ｄ１）を介して前記パ
ルス信号を印加し、前記ゲートに共振インダクタ（Ｌ
２）および第２ダイオード（Ｄ２）の直列回路を接続
し、この直列回路にコンデンサ（Ｃ０）または電池を接
続し、そのコンデンサ（Ｃ０）または電池から負荷へエ
ネルギーを供給することを構成上の特徴とするものであ
る。
ＭＯＳＦＥＴ（Ｑ１）のゲートにパルス信号を印加して
前記ＭＯＳＦＥＴ（Ｑ１）のドレイン−ソース間をオン
／オフするＭＯＳＦＥＴドライブ回路において、前記Ｍ
ＯＳＦＥＴ（Ｑ１）のゲートに第１ダイオード（Ｄ１）
を接続し、この第１ダイオード（Ｄ１）を介して前記パ
ルス信号を印加し、前記ゲートに共振インダクタ（Ｌ
２）および第２ダイオード（Ｄ２）の直列回路を接続
し、この直列回路にコンデンサ（Ｃ０）または電池を接
続し、そのコンデンサ（Ｃ０）または電池から負荷へエ
ネルギーを供給することを構成上の特徴とするものであ
る。
【０００６】
【作用】この発明のＭＯＳＦＥＴドライブ方法では、Ｍ
ＯＳＦＥＴ（Ｑ１）のオン時にＭＯＳＦＥＴ（Ｑ１）の
ゲート容量（Ｃiss ）に蓄積されたエネルギーを、ＭＯ
ＳＦＥＴ（Ｑ１）のオフ時にコンデンサまたは電池に移
す。そして、コンデンサまたは電池からエネルギーを何
らかの負荷へ供給する。このようにゲート容量（Ｃiss
）に蓄積されたエネルギーを再利用するため、損失と
なるエネルギーがほとんどなくなり、スイッチング周波
数を高周波化しても損失が増大しなくなる。
ＯＳＦＥＴ（Ｑ１）のオン時にＭＯＳＦＥＴ（Ｑ１）の
ゲート容量（Ｃiss ）に蓄積されたエネルギーを、ＭＯ
ＳＦＥＴ（Ｑ１）のオフ時にコンデンサまたは電池に移
す。そして、コンデンサまたは電池からエネルギーを何
らかの負荷へ供給する。このようにゲート容量（Ｃiss
）に蓄積されたエネルギーを再利用するため、損失と
なるエネルギーがほとんどなくなり、スイッチング周波
数を高周波化しても損失が増大しなくなる。
【０００７】この発明のＭＯＳＦＥＴドライブ回路で
は、ＭＯＳＦＥＴ（Ｑ１）のゲートに第１ダイオード
（Ｄ１）を介してパルス信号を印加し、ＭＯＳＦＥＴ
（Ｑ１）をスイッチングする。ＭＯＳＦＥＴ（Ｑ１）の
オフ時には、ＭＯＳＦＥＴ（Ｑ１）のゲート容量（Ｃis
s ）と共振インダクタ（Ｌ２）とで共振し、ＭＯＳＦＥ
Ｔ（Ｑ１）のオン時にゲート容量（Ｃiss ）に蓄積され
たエネルギーを第２ダイオード（Ｄ２）を介してコンデ
ンサ（Ｃ０）または電池に移す。そして、そのコンデン
サ（Ｃ０）または電池からエネルギーを何らかの負荷へ
供給する。このようにゲート容量（Ｃiss ）に蓄積され
たエネルギーを再利用するため、損失となるエネルギー
がほとんどなくなり、スイッチング周波数を高周波化し
ても損失が増大しなくなる。
は、ＭＯＳＦＥＴ（Ｑ１）のゲートに第１ダイオード
（Ｄ１）を介してパルス信号を印加し、ＭＯＳＦＥＴ
（Ｑ１）をスイッチングする。ＭＯＳＦＥＴ（Ｑ１）の
オフ時には、ＭＯＳＦＥＴ（Ｑ１）のゲート容量（Ｃis
s ）と共振インダクタ（Ｌ２）とで共振し、ＭＯＳＦＥ
Ｔ（Ｑ１）のオン時にゲート容量（Ｃiss ）に蓄積され
たエネルギーを第２ダイオード（Ｄ２）を介してコンデ
ンサ（Ｃ０）または電池に移す。そして、そのコンデン
サ（Ｃ０）または電池からエネルギーを何らかの負荷へ
供給する。このようにゲート容量（Ｃiss ）に蓄積され
たエネルギーを再利用するため、損失となるエネルギー
がほとんどなくなり、スイッチング周波数を高周波化し
ても損失が増大しなくなる。
【０００８】
【実施例】以下、図に示す実施例によりこの発明をさら
に詳細に説明する。なお、これによりこの発明が限定さ
れるものではない。
に詳細に説明する。なお、これによりこの発明が限定さ
れるものではない。
【０００９】−第１実施例− 図１は、この発明の第１実施例のＭＯＳＦＥＴドライブ
回路１００の回路図である。このＭＯＳＦＥＴドライブ
回路（１００）では、ＭＯＳＦＥＴ（Ｑ１）のゲート
（Ｇ）に第１ダイオード（Ｄ１）のカソードを接続し、
その第１ダイオード（Ｄ１）のアノードをパルス信号源
（Ｄｖ）に接続している。また、ＭＯＳＦＥＴ（Ｑ１）
のゲート（Ｇ）に共振インダクタ（Ｌ２）の一端を接続
し、その共振インダクタ（Ｌ２）の他端に第２ダイオー
ド（Ｄ２）のアノードを接続し、その第２ダイオード
（Ｄ２）のカソードをコンデンサ（Ｃ０）に接続し、そ
のコンデンサ（Ｃ０）から負荷（ＲＬ）にエネルギーを
供給するようにしている。さらに、ＭＯＳＦＥＴ（Ｑ
１）のゲート（Ｇ）に第３ダイオード（Ｄ３）のカソー
ドを接続し、その第３ダイオード（Ｄ３）のアノードを
ＭＯＳＦＥＴ（Ｑ１）のソース（Ｓ）に接続している。
なお、ソース（Ｓ），ドレイン（Ｄ）は位置が逆でもよ
い。
回路１００の回路図である。このＭＯＳＦＥＴドライブ
回路（１００）では、ＭＯＳＦＥＴ（Ｑ１）のゲート
（Ｇ）に第１ダイオード（Ｄ１）のカソードを接続し、
その第１ダイオード（Ｄ１）のアノードをパルス信号源
（Ｄｖ）に接続している。また、ＭＯＳＦＥＴ（Ｑ１）
のゲート（Ｇ）に共振インダクタ（Ｌ２）の一端を接続
し、その共振インダクタ（Ｌ２）の他端に第２ダイオー
ド（Ｄ２）のアノードを接続し、その第２ダイオード
（Ｄ２）のカソードをコンデンサ（Ｃ０）に接続し、そ
のコンデンサ（Ｃ０）から負荷（ＲＬ）にエネルギーを
供給するようにしている。さらに、ＭＯＳＦＥＴ（Ｑ
１）のゲート（Ｇ）に第３ダイオード（Ｄ３）のカソー
ドを接続し、その第３ダイオード（Ｄ３）のアノードを
ＭＯＳＦＥＴ（Ｑ１）のソース（Ｓ）に接続している。
なお、ソース（Ｓ），ドレイン（Ｄ）は位置が逆でもよ
い。
【００１０】パルス信号源（Ｄｖ）からパルス信号を印
加し、そのパルス信号の電圧が“Ｖ１”のとき、ＭＯＳ
ＦＥＴ（Ｑ１）のドレイン（Ｄ）−ソース（Ｓ）間がオ
ンになる。このとき、ＭＯＳＦＥＴ（Ｑ１）のゲート容
量（Ｃiss ）にエネルギーが蓄積される。また、共振イ
ンダクタ（Ｌ２）および第２ダイオード（Ｄ２）を介し
てコンデンサ（Ｃ０）にエネルギーが蓄積されると共
に、コンデンサ（Ｃ０）からエネルギーが負荷（ＲＬ）
に供給される。
加し、そのパルス信号の電圧が“Ｖ１”のとき、ＭＯＳ
ＦＥＴ（Ｑ１）のドレイン（Ｄ）−ソース（Ｓ）間がオ
ンになる。このとき、ＭＯＳＦＥＴ（Ｑ１）のゲート容
量（Ｃiss ）にエネルギーが蓄積される。また、共振イ
ンダクタ（Ｌ２）および第２ダイオード（Ｄ２）を介し
てコンデンサ（Ｃ０）にエネルギーが蓄積されると共
に、コンデンサ（Ｃ０）からエネルギーが負荷（ＲＬ）
に供給される。
【００１１】前記パルス信号の電圧が“０”になると、
ＭＯＳＦＥＴ（Ｑ１）のドレイン（Ｄ）−ソース（Ｓ）
間がオフに移行する。このとき、ゲート容量（Ｃiss ）
−共振インダクタ（Ｌ２）−第２ダイオード（Ｄ２）−
コンデンサ（Ｃ０）−ゲート容量（Ｃiss ）の共振回路
が形成され、ゲート容量（Ｃiss ）に蓄積されていたエ
ネルギーが共振インダクタ（Ｌ２）に移ることにより、
ＭＯＳＦＥＴ（Ｑ１）はオフとなる。また、共振インダ
クタ（Ｌ２）−第２ダイオード（Ｄ２）−コンデンサ
（Ｃ０）−第３ダイオード（Ｄ３）−共振インダクタ
（Ｌ２）の回路が形成され、共振インダクタ（Ｌ２）に
蓄積されたエネルギーはコンデンサ（Ｃ０）に移る。そ
して、コンデンサ（Ｃ０）からエネルギーが負荷（Ｒ
Ｌ）に供給される。
ＭＯＳＦＥＴ（Ｑ１）のドレイン（Ｄ）−ソース（Ｓ）
間がオフに移行する。このとき、ゲート容量（Ｃiss ）
−共振インダクタ（Ｌ２）−第２ダイオード（Ｄ２）−
コンデンサ（Ｃ０）−ゲート容量（Ｃiss ）の共振回路
が形成され、ゲート容量（Ｃiss ）に蓄積されていたエ
ネルギーが共振インダクタ（Ｌ２）に移ることにより、
ＭＯＳＦＥＴ（Ｑ１）はオフとなる。また、共振インダ
クタ（Ｌ２）−第２ダイオード（Ｄ２）−コンデンサ
（Ｃ０）−第３ダイオード（Ｄ３）−共振インダクタ
（Ｌ２）の回路が形成され、共振インダクタ（Ｌ２）に
蓄積されたエネルギーはコンデンサ（Ｃ０）に移る。そ
して、コンデンサ（Ｃ０）からエネルギーが負荷（Ｒ
Ｌ）に供給される。
【００１２】以上のように、ゲート容量（Ｃiss ）に蓄
積されたエネルギーを負荷（ＲＬ）に供給し再利用する
ため、損失となるエネルギーがほとんどなくなり、スイ
ッチング周波数を高周波化しても損失が増大しなくな
る。
積されたエネルギーを負荷（ＲＬ）に供給し再利用する
ため、損失となるエネルギーがほとんどなくなり、スイ
ッチング周波数を高周波化しても損失が増大しなくな
る。
【００１３】−第２実施例− 図２は、この発明の第２実施例のＭＯＳＦＥＴ同期整流
回路２００の回路図である。このＭＯＳＦＥＴ同期整流
回路（２００）では、主スイッチ（Ｑ０）をオン／オフ
して直流電圧（Ｅ）を変圧器（Ｔ）の１次巻線（Ｎｐ）
に断続的に印加し、変圧器（Ｔ）の２次巻線（Ｎｓ）に
誘起された誘起電圧（±Ｖ１）をＭＯＳＦＥＴ（Ｑ１）
で整流して、チョークコイル（Ｌ０）および平滑コンデ
ンサ（Ｃ０）で平滑し、出力電圧（Ｖ２）を負荷（Ｒ
Ｌ）に供給する。前記誘起電圧（±Ｖ１）は、第１ダイ
オード（Ｄ１）を介して、前記ＭＯＳＦＥＴ（Ｑ１）の
ゲート（Ｇ）に印加されている。このため、前記誘起電
圧（±Ｖ１）が“＋Ｖ１”のときは、前記ＭＯＳＦＥＴ
（Ｑ１）のドレイン（Ｄ）−ソース（Ｓ）間がオンにな
る。一方、前記誘起電圧（±Ｖ１）が“−Ｖ１”のとき
は、前記ＭＯＳＦＥＴ（Ｑ１）のドレイン（Ｄ）−ソー
ス（Ｓ）間がオフになる。従って、上記のごとく、誘起
電圧（±Ｖ１）がＭＯＳＦＥＴ（Ｑ１）により整流され
ることになる。なお、Ｎｒは３次巻線、Ｄｒはリカバリ
ーダイオードである。また、Ｄ０は環流ダイオードであ
る。また、前記ＭＯＳＦＥＴ（Ｑ１）のゲート（Ｇ）に
は、共振インダクタ（Ｌ２）および第２ダイオード（Ｄ
２）の直列回路が接続されている。そして、その直列回
路は、前記平滑コンデンサ（Ｃ０）に接続されている。
回路２００の回路図である。このＭＯＳＦＥＴ同期整流
回路（２００）では、主スイッチ（Ｑ０）をオン／オフ
して直流電圧（Ｅ）を変圧器（Ｔ）の１次巻線（Ｎｐ）
に断続的に印加し、変圧器（Ｔ）の２次巻線（Ｎｓ）に
誘起された誘起電圧（±Ｖ１）をＭＯＳＦＥＴ（Ｑ１）
で整流して、チョークコイル（Ｌ０）および平滑コンデ
ンサ（Ｃ０）で平滑し、出力電圧（Ｖ２）を負荷（Ｒ
Ｌ）に供給する。前記誘起電圧（±Ｖ１）は、第１ダイ
オード（Ｄ１）を介して、前記ＭＯＳＦＥＴ（Ｑ１）の
ゲート（Ｇ）に印加されている。このため、前記誘起電
圧（±Ｖ１）が“＋Ｖ１”のときは、前記ＭＯＳＦＥＴ
（Ｑ１）のドレイン（Ｄ）−ソース（Ｓ）間がオンにな
る。一方、前記誘起電圧（±Ｖ１）が“−Ｖ１”のとき
は、前記ＭＯＳＦＥＴ（Ｑ１）のドレイン（Ｄ）−ソー
ス（Ｓ）間がオフになる。従って、上記のごとく、誘起
電圧（±Ｖ１）がＭＯＳＦＥＴ（Ｑ１）により整流され
ることになる。なお、Ｎｒは３次巻線、Ｄｒはリカバリ
ーダイオードである。また、Ｄ０は環流ダイオードであ
る。また、前記ＭＯＳＦＥＴ（Ｑ１）のゲート（Ｇ）に
は、共振インダクタ（Ｌ２）および第２ダイオード（Ｄ
２）の直列回路が接続されている。そして、その直列回
路は、前記平滑コンデンサ（Ｃ０）に接続されている。
【００１４】さて、前記誘起電圧（±Ｖ１）が“＋Ｖ
１”のとき、ＭＯＳＦＥＴ（Ｑ１）のゲート容量（Ｃis
s ）にエネルギーが蓄積される。これにより、ＭＯＳＦ
ＥＴ（Ｑ１）のドレイン（Ｄ）−ソース（Ｓ）間がオン
になり、チョークコイル（Ｌ０）を介して平滑コンデン
サ（Ｃ０）にエネルギーが蓄積される。また、第１ダイ
オード（Ｄ１）および共振インダクタ（Ｌ２）および第
２ダイオード（Ｄ２）を介して平滑コンデンサ（Ｃ０）
にエネルギーが蓄積される。そして、平滑コンデンサ
（Ｃ０）からエネルギーが負荷（ＲＬ）に供給される。
１”のとき、ＭＯＳＦＥＴ（Ｑ１）のゲート容量（Ｃis
s ）にエネルギーが蓄積される。これにより、ＭＯＳＦ
ＥＴ（Ｑ１）のドレイン（Ｄ）−ソース（Ｓ）間がオン
になり、チョークコイル（Ｌ０）を介して平滑コンデン
サ（Ｃ０）にエネルギーが蓄積される。また、第１ダイ
オード（Ｄ１）および共振インダクタ（Ｌ２）および第
２ダイオード（Ｄ２）を介して平滑コンデンサ（Ｃ０）
にエネルギーが蓄積される。そして、平滑コンデンサ
（Ｃ０）からエネルギーが負荷（ＲＬ）に供給される。
【００１５】前記誘起電圧（±Ｖ１）が“−Ｖ１”にな
ると、ＭＯＳＦＥＴ（Ｑ１）のドレイン（Ｄ）−ソース
（Ｓ）間がオフになる。このとき、チョークコイル（Ｌ
０）−平滑コンデンサ（Ｃ０）−環流ダイオード（Ｄ
０）−チョークコイル（Ｌ０）の回路が形成され、チョ
ークコイル（Ｌ０）に蓄積されていたエネルギーは、平
滑コンデンサ（Ｃ０）に移る。そして、平滑コンデンサ
（Ｃ０）からエネルギーが負荷（ＲＬ）に供給される。
また、ゲート容量（Ｃiss ）−共振インダクタ（Ｌ２）
−第２ダイオード（Ｄ２）−平滑コンデンサ（Ｃ０）−
ゲート容量（Ｃiss ）の共振回路が形成され、ゲート容
量（Ｃiss ）に蓄積されていたエネルギーは共振インダ
クタ（Ｌ２）に移る。また、共振インダクタ（Ｌ２）−
第２ダイオード（Ｄ２）−平滑コンデンサ（Ｃ０）−環
流ダイオード（Ｄ０）−第１ダイオード（Ｄ１）−共振
インダクタ（Ｌ２）の回路が形成され、共振インダクタ
（Ｌ２）に蓄積されたエネルギーはコンデンサ（Ｃ０）
に移る。そして、コンデンサ（Ｃ０）からエネルギーが
負荷（ＲＬ）に供給される。
ると、ＭＯＳＦＥＴ（Ｑ１）のドレイン（Ｄ）−ソース
（Ｓ）間がオフになる。このとき、チョークコイル（Ｌ
０）−平滑コンデンサ（Ｃ０）−環流ダイオード（Ｄ
０）−チョークコイル（Ｌ０）の回路が形成され、チョ
ークコイル（Ｌ０）に蓄積されていたエネルギーは、平
滑コンデンサ（Ｃ０）に移る。そして、平滑コンデンサ
（Ｃ０）からエネルギーが負荷（ＲＬ）に供給される。
また、ゲート容量（Ｃiss ）−共振インダクタ（Ｌ２）
−第２ダイオード（Ｄ２）−平滑コンデンサ（Ｃ０）−
ゲート容量（Ｃiss ）の共振回路が形成され、ゲート容
量（Ｃiss ）に蓄積されていたエネルギーは共振インダ
クタ（Ｌ２）に移る。また、共振インダクタ（Ｌ２）−
第２ダイオード（Ｄ２）−平滑コンデンサ（Ｃ０）−環
流ダイオード（Ｄ０）−第１ダイオード（Ｄ１）−共振
インダクタ（Ｌ２）の回路が形成され、共振インダクタ
（Ｌ２）に蓄積されたエネルギーはコンデンサ（Ｃ０）
に移る。そして、コンデンサ（Ｃ０）からエネルギーが
負荷（ＲＬ）に供給される。
【００１６】以上のように、ゲート容量（Ｃiss ）に蓄
積されたエネルギーを負荷（ＲＬ）に供給し再利用する
ため、損失となるエネルギーがほとんどなくなり、主ス
イッチ（Ｑ０）のスイッチング周波数を高周波化しても
損失が増大しなくなる。
積されたエネルギーを負荷（ＲＬ）に供給し再利用する
ため、損失となるエネルギーがほとんどなくなり、主ス
イッチ（Ｑ０）のスイッチング周波数を高周波化しても
損失が増大しなくなる。
【００１７】
【発明の効果】この発明のＭＯＳＦＥＴドライブ方法お
よび回路によれば、ＭＯＳＦＥＴのゲート容量に蓄積さ
れたエネルギーを再利用するため、損失となるエネルギ
ーがほとんどなくなる。従って、損失を増大させずに、
スイッチング周波数を高周波化することが出来る。
よび回路によれば、ＭＯＳＦＥＴのゲート容量に蓄積さ
れたエネルギーを再利用するため、損失となるエネルギ
ーがほとんどなくなる。従って、損失を増大させずに、
スイッチング周波数を高周波化することが出来る。
【図１】この発明の第１実施例のＭＯＳＦＥＴドライブ
回路の回路図である。
回路の回路図である。
【図２】この発明の第２実施例のＭＯＳＦＥＴ同期整流
回路の回路図である。
回路の回路図である。
【図３】従来のＭＯＳＦＥＴドライブ回路の一例の回路
図である。
図である。
１００ ＭＯＳＦＥＴドライブ回路 ２００ ＭＯＳＦＥＴ同期整流回路 Ｑ１ ＭＯＳＦＥＴ Ｃiss ゲート容量 Ｄ１ 第１ダイオード Ｌ２ 共振インダクタ Ｄ２ 第２ダイオード Ｃ０ コンデンサ（平滑コンデン
サ） Ｔ 変圧器 Ｄ０ 環流ダイオード Ｌ０ チョークコイル Ｑ０ 主スイッチ
サ） Ｔ 変圧器 Ｄ０ 環流ダイオード Ｌ０ チョークコイル Ｑ０ 主スイッチ
Claims (2)
- 【請求項１】 ＭＯＳＦＥＴ（Ｑ１）のゲートにパルス
信号を印加して前記ＭＯＳＦＥＴ（Ｑ１）のドレイン−
ソース間をオン／オフするＭＯＳＦＥＴドライブ方法に
おいて、 前記ＭＯＳＦＥＴ（Ｑ１）のオン時に前記ＭＯＳＦＥＴ
（Ｑ１）のゲート容量（Ｃiss ）に蓄積されたエネルギ
ーを、前記ＭＯＳＦＥＴ（Ｑ１）のオフ時にコンデンサ
または電池に移し、再利用に供することを特徴とするＭ
ＯＳＦＥＴドライブ方法。 - 【請求項２】 ＭＯＳＦＥＴ（Ｑ１）のゲートにパルス
信号を印加して前記ＭＯＳＦＥＴ（Ｑ１）のドレイン−
ソース間をオン／オフするＭＯＳＦＥＴドライブ回路に
おいて、 前記ＭＯＳＦＥＴ（Ｑ１）のゲートに第１ダイオード
（Ｄ１）を接続し、この第１ダイオード（Ｄ１）を介し
て前記パルス信号を印加し、前記ゲートに共振インダク
タ（Ｌ２）および第２ダイオード（Ｄ２）の直列回路を
接続し、この直列回路にコンデンサ（Ｃ０）または電池
を接続し、そのコンデンサ（Ｃ０）または電池から負荷
へエネルギーを供給することを特徴とするＭＯＳＦＥＴ
ドライブ回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6298556A JPH08163862A (ja) | 1994-12-01 | 1994-12-01 | Ｍｏｓｆｅｔドライブ方法および回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6298556A JPH08163862A (ja) | 1994-12-01 | 1994-12-01 | Ｍｏｓｆｅｔドライブ方法および回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08163862A true JPH08163862A (ja) | 1996-06-21 |
Family
ID=17861273
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6298556A Pending JPH08163862A (ja) | 1994-12-01 | 1994-12-01 | Ｍｏｓｆｅｔドライブ方法および回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08163862A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6756623B2 (en) | 2001-10-19 | 2004-06-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and method of driving transistors |
| JP2007166794A (ja) * | 2005-12-14 | 2007-06-28 | Origin Electric Co Ltd | 電源回路 |
| JP2007166795A (ja) * | 2005-12-14 | 2007-06-28 | Origin Electric Co Ltd | 電源回路 |
| WO2021259319A1 (zh) * | 2020-06-23 | 2021-12-30 | 华为技术有限公司 | 一种具有能量回收功能的驱动电路及开关电源 |
| CN116827116A (zh) * | 2023-08-02 | 2023-09-29 | 江苏远方动力科技有限公司 | 一种提高功率器件驱动可靠性的谐振辅助电路 |
-
1994
- 1994-12-01 JP JP6298556A patent/JPH08163862A/ja active Pending
Cited By (5)
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| US6756623B2 (en) | 2001-10-19 | 2004-06-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and method of driving transistors |
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| JP2007166795A (ja) * | 2005-12-14 | 2007-06-28 | Origin Electric Co Ltd | 電源回路 |
| WO2021259319A1 (zh) * | 2020-06-23 | 2021-12-30 | 华为技术有限公司 | 一种具有能量回收功能的驱动电路及开关电源 |
| CN116827116A (zh) * | 2023-08-02 | 2023-09-29 | 江苏远方动力科技有限公司 | 一种提高功率器件驱动可靠性的谐振辅助电路 |
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