JPH08165331A

JPH08165331A - 樹脂封止型半導体装置

Info

Publication number: JPH08165331A
Application number: JP30864194A
Authority: JP
Inventors: Hiroyoshi Kokado; 博義小角; Kuniyuki Eguchi; 州志江口; Toshiaki Ishii; 利昭石井; Akira Nagai; 永井　　晃; Masahiko Ogino; 雅彦荻野; Akira Mogi; 亮茂木; Kazuhiro Suzuki; 和宏鈴木; Kunihiko Nishi; 邦彦西
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1994-12-13
Filing date: 1994-12-13
Publication date: 1996-06-25

Abstract

(57)【要約】【目的】成形性及び耐湿信頼性に優れた樹脂封止型半導
体装置を提供する。【構成】エポキシ樹脂，硬化剤，硬化促進剤として第四
級ホスホニウム塩からなる有機リン系化合物を必須成分
とする樹脂組成物で封止された樹脂封止型半導体装置。【効果】成形性，耐湿信頼性に優れており、実装の高信
頼性及び高実装化が図れる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、エポキシ樹脂組成物で
封止され、特に、成形性及び耐はんだリフロー性が優れ
た樹脂封止型半導体装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】トランジスタ，ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体
素子のパッケージには、量産性に優れた樹脂封止方式が
広く用いられている。封止材料としては成形性，吸湿特
性及び耐熱性等に優れたＯ−クレゾールノボラック型エ
ポキシ樹脂に硬化剤としてフェノールノボラック樹脂を
用い、これに充填剤や各種添加剤を配合したエポキシ樹
脂組成物が用いられている。

【０００３】ところで、各種エレクトロニクス機器の小
型軽量化，高性能化等のニーズから、これに用いる半導
体装置は実装の高密度化が強く要望され、最近では高密
度実装に適した表面実装型半導体装置が主流になりつつ
ある。しかも、パッケージは年々小型薄型化の趨勢にあ
る。それに伴い封止樹脂層の厚さは著しく薄肉化してい
る。特に、ＴＳＯＰ（Thin Small Outline Package)，
ＴＱＦＪ（Thin QuadOutline J-lead Package)，ＴＱＦ
Ｐ（Thin Quad Flat Package)といった半導体装置の内
で、厚さが１mm前後の薄型表面実装型パッケージの需要
が増大している。

【０００４】更には、厚さが０.５mm 以下の超薄型表面
実装型パッケージの開発も進められている。

【０００５】前記の半導体パッケージの生産において
は、生産性向上及び生産コスト低減を目的とした生産プ
ロセスの合理化が進められている。例えば、成形時間の
短縮を図るためには成形品に損傷を与えることなく取り
出す必要があることから、成形品の硬度や金型離型性が
必要である。硬度や離型性の改善には成形材料の硬化性
の向上が重要である。また、封止材料の流動特性は保管
中に経時変化するので、その防止目的に低温保管してい
るが、それでも変化を抑えることはできず、長期保管が
できないのが実状である。従来は成形終了後に未使用と
なった成形材料を成形機から取り出して、再び低温保管
していた。しかしながら、最近は生産工程の簡略化か
ら、成形終了後でも成形材料を回収することなくそのま
ま成形機内に、あるいはその周辺に放置しておく場合が
ある。そのため、材料特性の経時変化は益々大きくなっ
ており、成形品の信頼性が低下するので、成形メーカに
とって大きな問題となっている。つまり、封止材料の貯
蔵安定性向上が大切である。すなわち、封止材料として
は保管の簡素化には貯蔵安定性の向上、連続成形性
の増進には硬化性，金型離型性の成形性向上等の改善が
必要である。

【０００６】一方、封止樹脂層が薄くなるにつれてパッ
ケージ内への水の浸入が容易になり、また、樹脂層の機
械的強度が小さくなるため、パッケージは小さな力が加
っただけで破損するようになる。また、表面実装型半導
体はプリント基板に赤外線やベーパーリフロー方式によ
るはんだ付け（実装）が行われており、その際、パッケ
ージは２００℃以上の高温に曝される。そのために、パ
ッケージが吸湿していると吸湿水分が急激に気化し、そ
の蒸気圧によってパッケージが膨れ、チップと封止樹脂
との界面に剥離が生じたり、パッケージにクラックが生
じたりする。その結果、半導体装置は素子特性が変動し
たり、素子表面のアルミニウム配線が腐食し易くなり、
実装後の各種信頼性が低下する。そのため、薄肉の表面
実装型の樹脂封止型半導体装置には耐はんだリフロー性
（はんだリフロー時のパッケージの耐クラック性）の向
上が強く望まれている。

【０００７】前記水分のパッケージへの浸入経路には次
の２つがある。１つは、樹脂封止層からの拡散透過、も
う１つは、リードフレームと封止材料との界面からの浸
入である。表面実装型半導体装置のパッケージに要求さ
れる耐はんだリフロー性を向上するためには、こうした
浸入水分の低減が極めて重要である。

【０００８】上記課題を解決するために、これまで種々
の対策が検討され、特に、封止材料の低吸湿化並びに高
接着化が有効であった。例えば、特開平3−207714 号ま
たは特開平4−48759号公報に提案されているように、ビ
フェニル骨格を有するエポキシ樹脂とフェノールアラル
キル樹脂硬化剤からなるエポキシ樹脂組成物でパッケー
ジを構成したり、また、特開平4−50223 号，特開平4−
199856号または特開平4−199857 号公報に提案されてい
るように、ナフタレン骨格を有する低吸湿性のエポキシ
樹脂組成物でパッケージを構成することによって、耐は
んだリフロー性を大幅に改善することが可能になった。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかし、前記の従来技
術は耐はんだリフロー性の改善にはかなりの効果がある
ものの、封止材料自体は室温付近の比較的低温でも貯蔵
安定性が劣る。しかも、成形時には成形品内部にボイド
が発生し易いという欠点があり、品質の安定した成形品
を得るのが難しかった。また、封止品を高温に放置する
と、半導体素子表面のアルミニウム電極とリードフレー
ムとを電気的に接続する金ワイヤとの接合部が短時間に
腐食され易く、接続信頼性が著しく劣るという問題があ
った。

【００１０】本発明の目的は、こうした状況に鑑み、貯
蔵安定性が優れており、ボイド等の内部欠陥がなく、し
かも、耐はんだリフロー性及び前記電極と金ワイヤとの
接続信頼性の優れたエポキシ樹脂組成物で封止された樹
脂封止型半導体装置を安定的に提供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明者らは前記特性に
影響を及ぼすと考えられる硬化促進剤を始め充填剤，カ
ップリング剤，離型剤などの各種添加剤，各素材の混練
条件，成形条件等について鋭意検討した。その結果、前
記課題は特定の硬化促進剤を用いることによって改善で
きることを見出し、本発明に至った。本発明の要旨は次
のとおりである。一般式（１）

【００１２】

【化４】

【００１３】（式中、Ｘは第四級ホスホニウムイオン、
ＲはＣ１〜４のアルキル基又はアルコキシ基、ｎ₁は１
〜２の整数を示す。）で表される有機リン系化合物を含
むエポキシ樹脂組成物で封止されていることを特徴とす
る樹脂封止型半導体装置。

【００１４】前記一般式（１）で表される硬化促進剤
は、第四級ホスホニウムのテトラ置換フェニルボレート
である。具体的にはテトラフェニルホスホニウム・テト
ラ（メチルフェニル）ボレート、テトラフェニルホスホ
ニウム・テトラ（エチルフェニル）ボレート、テトラフ
ェニルホスホニウム・テトラ（プロピルフェニル）ボレ
ート、テトラフェニルホスホニウム・テトラ（ブチルフ
ェニル）ボレート、テトラフェニルホスホニウム・テト
ラ（メトキシフェニル）ボレート、テトラフェニルホス
ホニウム・テトラ（エトキシフェニル）ボレート、テト
ラフェニルホスホニウム・テトラ（プロポキシフェニ
ル）ボレート、テトラフェニルホスホニウム・テトラ
（ブトキシフェニル）ボレート、テトラフェニルホスホ
ニウム・テトラ（２，４−ジメチルフェニル）ボレー
ト、テトラフェニルホスホニウム・テトラ（３，５−ジ
メトキシフェニル）ボレート、トリス（４−メチルフェ
ニル）フェニルホスホニウム・テトラ（メチルフェニ
ル）ボレート、ブチルトリス（３−メチルフェニル）ホ
スホニウム・テトラ（メチルフェニル）ボレート等があ
る。これら硬化促進剤は必要に応じて２種類以上併用す
ることができる。また、必要に応じて公知の硬化促進剤
と併用することができる。上記硬化促進剤は通常の硬化
促進剤と全く同様に用いることができる。しかも、必要
に応じて、予め１００℃以上で前記硬化剤と加熱，溶融
させてから用いることができる。硬化促進剤はエポキシ
樹脂１００重量部に対して５００〜１mmol、好ましくは
２００〜５mmolの範囲で配合するのが良い。

【００１５】本発明に使用されるエポキシ樹脂は特に限
定されるものではなく、公知のエポキシ樹脂が広く使用
できる。例えば、ビスフェノールＡ，ビスフェノール
Ｆ，レゾルシノール，フェノールノボラック，クレゾー
ルノボラック等のフェノール類のグリシジルエーテル，
ブタンジオール，ポリエチレングリコール，ポリプロピ
レングリコール等のアルコール類のグリシジルエーテ
ル，フタル酸，イソフタル酸，テトラヒドロフタル酸等
のカルボンサン類のグリシジルエステル，アニリン，イ
ソシアヌール酸等の窒素原子に結合した活性水素をグリ
シジル基で置換したもの等のグリシジル型（メチルグリ
シジル型も含む）エポキシ樹脂、分子内のオレフィン結
合をエポキシ化して得られるビニルシクロヘキセンジエ
ポキシド、３，４−エポキシシクロヘキシルメチル−
３，４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、２
−（３，４−エポキシ）シクロヘキシル−５，５スピロ
（３，４−エポキシ）シクロヘキサン−ｍ−ジオキサン
等いわゆる脂環型エポキシ樹脂，ビフェニル型エポキシ
樹脂，ナフタレン骨格を有する多官能のエポキシ樹脂，
ハロゲン化フェノールノボラック型エポキシ樹脂等が用
いられる。これらエポキシ樹脂の内で特に好適なのは、
前記一般式（２）

【００１６】

【化５】

【００１７】（式中、Ｒは水素原子またはメチル基を示
し互いに異なっていても良い。ｎ₂は０〜２の整数を示
す。）で表される１分子当たり２個以上のエポキシ基と
ビフェニル骨格とを有するビフェニル型エポキシ樹脂、
または一般式（４）

【００１８】

【化６】

【００１９】（式中、ｎ＝１〜１０）で表されるジシク
ロペンタジエン骨格を有するエポキシ樹脂、または一般
式（５）

【００２０】

【化７】

【００２１】または一般式（６）

【００２２】

【化８】

【００２３】または一般式（７）

【００２４】

【化９】

【００２５】（式中、ｎ＝１〜１０）で表されるナフタ
レン骨格を有するエポキシ樹脂等がある。また、これら
エポキシ樹脂は必要に応じて２種以上あるいは液状のエ
ポキシ樹脂と併用することができる。

【００２６】本発明に使用される硬化剤は特に限定され
るものではなく、公知の硬化剤が使用できる。例えば、
フェノール，クレゾール，キシレノール等とホルムアル
デヒド等とを酸性触媒で縮合させて得られるノボラック
類，フェノール／アラルキルエーテルとの重縮合物，ジ
シクロペンタジエン化合物，ナフタレン骨格を有する化
合物及びアルケニルフェノールの重合体等がある。それ
らの内では前記一般式（３）で表される硬化剤は、

【００２７】

【化１０】

【００２８】（式中、ｍは１〜１０の整数を示す。）１
分子当たり少なくとも２個の水酸基を有するフェノール
とアラルキルエーテルとの重縮合物であり、前記一般式
（２）で表されるビフェニル型エポキシ樹脂に、特に好
適である。上記エポキシ樹脂に対して０.５〜１.５当
量、好ましくは０.８〜１.２当量配合する。０.５当量
未満ではエポキシ樹脂の硬化が不充分となり、硬化物の
耐熱性，耐湿性並びに電気特性が劣る。また、１.５当
量を超えると硬化剤成分が過剰になり硬化樹脂中に多量
のフェノール性水酸基が残るため、電気特性並びに耐湿
性が悪くなる。上記硬化剤は、本発明の目的を損なわな
い範囲において、硬化剤全体に対して７０重量％以下の
他の硬化剤例えばフェノールノボラック樹脂のようなフ
ェノール類とアルデヒド類との縮合物とを併用すること
もできる。

【００２９】無機充填剤としては溶融シリカ，結晶シリ
カ，アルミナ，炭酸カルシウム，ケイ酸ジルコニウム，
ケイ酸カルシウム，タルク，クレー，マイカ等の微粉末
を用いることができる。無機充填剤は樹脂組成物全体に
対して、５０〜９０容量％の無機充填剤を配合すること
が望ましい。これら無機充填剤は硬化物の熱膨張係数や
熱伝導率，弾性率などの改良を目的に添加するものであ
り、配合量が５０容量％未満ではこれらの特性を充分に
改良できず、また、９０容量％を超えると樹脂組成物の
粘度が著しく上昇し流動性が低下して成形が困難にな
る。また、無機充填剤の平均粒径は０.１〜５０μｍの
範囲が特に好ましい。０.１μｍ未満では樹脂組成物の
粘度が上昇し、また、１００μｍを超えると樹脂成分と
充填剤とが分離しやすくなり、硬化物が不均一になった
りあるいは硬化物特性がばらついたり、更には狭い隙間
への充填性が低下する。例えば、充填剤を７５容量％以
上配合する場合、充填剤粒子は角形より球形が好まし
く、且つ粒度分布が０.１〜100μｍと云う広範囲に分布
したものが望ましい。このような充填剤は最密充填構造
をとりやすいため配合量を増しても材料の粘度上昇が少
なく、流動性の優れた組成物を得ることができる。

【００３０】本発明では、必要に応じて樹脂硬化物の強
靱化や低弾性率化のための可撓化剤等を用いることがで
きる。可撓化剤はエポキシ樹脂及び硬化剤と非相溶性あ
るいは一部相溶性のものがガラス転移温度を余り下げず
に硬化物の低弾性化が図れることから、ブタジエン・ア
クリルニトリル系共重合体やそれらの末端または側鎖に
アミノ基，エポキシ基，カルボキシル基を有する変性共
重合体やアクリルニトリル・ブタジエン・スチレン共重
合体等のブタジエン系可撓化剤や末端または側鎖にアミ
ノ基，水酸基，エポキシ基，カルボキシル基等を有する
変性シリコーン系のエラストマー等が用いられるが、耐
湿性や純度の点からシリコーン系可撓化剤が特に有効で
ある。可撓化剤の配合量は全樹脂組成物に対して２〜２
０重量％が好ましい。配合量が２重量％未満では硬化物
の強靱化や低弾性率化にはほとんど効果がない。また、
２０重量％を超えると樹脂組成物の流動性や高温の機械
的強度が著しく低下したり、樹脂硬化物表面に可撓化剤
が浮き出て成形金型を汚すので好ましくない。

【００３１】また、上記の各種添加剤の他に樹脂成分と
充填剤との接着性を高めるためのカップリング剤とし
て、各種シラン系化合物，チタン系化合物，アルミニウ
ムキレート類，アルミニウム／ジルコニウム系化合物等
の公知の添加剤を用いることができる。更に、カルナバ
ワックス，モンタン酸系ワックス，ポリエチレン系ワッ
クス，ポリアルキレン系ワックス等公知の化合物を離型
剤として用いても良い。カーボンブラック，酸化チタ
ン，鉛丹，ベンガラ等の公知の化合物を着色剤として用
いても良い。

【００３２】前記の各素材は通常ミキシングロール，押
出し機，ニーダ等を用い５０〜100℃で溶融，混練して
封止材料にすることができる。

【００３３】

【作用】本発明の半導体装置が優れた生産性及び耐はん
だリフロー性を示す理由は以下のように考えられる。

【００３４】先ず、前記一般式（１）で示される硬化促
進剤を用いたエポキシ樹脂組成物を用いると優れた生産
性を示すのは、本発明の硬化促進剤は常温付近の温度で
は極めて安定で、加熱することにより速やかに硬化する
所謂、優れた潜在的な反応性を有しているため、樹脂組
成物の硬化時の溶融粘度の上昇を防止し、被封止体に対
する濡れ性を向上すると共にボイドの極めて少ない成形
品が得られるためと考えられる。しかも、潜在硬化性を
有しているため封止材料は金型の細部にまで充填され易
く、しかも硬化が速やかに行われるため成形品の金型離
型性が極めて良好である。それ故、成形品の金型離型性
が優れており、樹脂封止型半導体装置は損傷を受けるこ
となく容易に金型から取り出すことができる。従って、
信頼性の高い樹脂封止型半導体装置が得られる。

【００３５】また、優れた耐はんだリフロー性を示すの
は、上述したようにボイドが少ない無損傷である成形信
頼性の高い半導体装置が得られることから、実装試験に
おいても高信頼性のものが得られるものと考えられる。

【００３６】また、本発明で用いるエポキシ樹脂は特に
限定するものではないが、ビフェニル型エポキシ樹脂ま
たはジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂またはナフタ
レン型エポキシ樹脂を用いると特に好適な理由は、従来
のものに比べて化学構造的に疎水性であり、しかも硬化
物は高い密度を有することから分子鎖のパッキングが密
になっているため、形成された網目構造が水を透過させ
にくいことや、あるいは硬化物中の水酸基濃度が小さい
ため低吸湿性になっているものと考えられる。従って、
こうした樹脂を用いた封止材料は、それ自体が低吸湿性
になっているものと考えられる。また、このような樹脂
は硬化物のガラス転移温度が高いわりに、橋かけ密度が
低いため樹脂が柔軟性であり、硬化によって発生する残
留応力が小さく、これを用いた封止材料はチップやリー
ドフレームに対する接着性が優れており、これらの界面
からパッケージ内に浸入する水分量は大幅に低減される
ものと考える。従って、耐はんだリフロー性が著しく向
上するのは、上記のようにパッケージ内に浸入する水分
量が大幅に低減するためと考えられる。

【００３７】耐はんだリフロー性が著しく向上するの
は、上記のようにパッケージ内に浸入する水分量が大幅
に低減するためと考えられる。

【００３８】特に、前記一般式（２）で示されるエポキ
シ樹脂を用いた場合に優れた耐はんだリフロー性を示す
のは、この樹脂の持っている低吸湿性，高接着性の特性
と共に、本発明の硬化促進剤を用いたことによって封止
樹脂の分子鎖パッキングがより密になって、吸湿率がよ
り小さくなり、硬化物の柔軟性が高まるために接着力が
一層高くなるためと考えられる。更に、本発明で用いた
硬化促進剤は潜在的な反応促進性を有するため、樹脂組
成物の硬化時の溶融粘度を低下させ、被封止体に対する
濡れ性を向上するためと考えられる。

【００３９】また、本発明で用いた樹脂組成物が成形時
にボイドの発生が少ないのは、上記硬化促進剤がエポキ
シ樹脂や硬化剤中の低分子量成分と比較的低温で選択的
に反応し、樹脂が硬化する際発生する揮発成分を低減さ
せる効果があるためと考えられる。

【００４０】上記の硬化促進剤がエポキシ樹脂組成物か
らなる封止材料に対して優れた特性を付与し、封止後の
半導体装置の各種信頼性を大幅に改善する効果があるこ
とは、全く予想外のことである。

【００４１】

【実施例】以下に、本発明の実施例を示して更に具体的
に説明する。

【００４２】〔実施例１〜８，比較例１〜７〕表１に実
施例及び比較例に用いた硬化促進剤名と略号を示す。

【００４３】

【表１】

【００４４】表２，表３に示すエポキシ樹脂組成物を６
０〜１００℃に加熱した二軸ロールで約１０分間混練し
た後、冷却，粉砕して封止材料を得た。なお、表中の配
合量は部で示す。また、硬化促進剤の配合法において、
単独添加とは封止材料の全成分をビニール袋内で混合す
る方法であり、溶融添加とは硬化促進剤と硬化剤を予め
１００℃以上で加熱溶融，混合，冷却，粉砕後に他の成
分とビニール袋内で混合する方法である。表中の各種封
止材料を作製した後、４℃で一昼夜保管した後、１８０
℃,７０kg／cm²，９０秒間の条件でトランスファー成形
し、成形性，成形品中のボイド量，吸湿率及び封止材料
の貯蔵安定性について評価した。

【００４５】

【表２】

【００４６】

【表３】

【００４７】

【表４】

【００４８】

【表５】

【００４９】結果を表４，表５及び図１に示す。

【００５０】表中、スパイラルフローはＥＭＭＩ−１−
６６に定められたスパイラルフロー測定用金型をトラン
スファー成形機の上下熱板間に狭持し、２５ｇの封止材
料を上記条件で成形したときの成形品の長さで評価し
た。熱時硬度は直径２０mmφ，厚さ２mmの円板を上記条
件でトランスファー成形し、成形金型が開いた直後の硬
度をバーコル硬度計で測定した。バリ長さの評価にはバ
リ発生金型を用いた。すなわち、金型内にギャップの異
なる狭室を設け、上記条件でトランスファー成形した時
のギャップ５μｍの狭室に流れる距離を測定した。ま
た、成形品の内部ボイドは上記直径２０mmφの円板をソ
フトＸ線透視装置で観察して評価した。

【００５１】吸湿率は直径９０mmφ，厚さ２mmの円板を
ポリテトラフルオロエチレン−SUSの二重圧力容器に入
れて、６０℃／１００％ＲＨの雰囲気中で１６８時間吸
湿させたときの値を吸湿率とした。

【００５２】また、封止材料を温度２５℃，湿度９０％
ＲＨの恒温恒湿槽に所定時間保管した時の流動性（スパ
イラルフロー）の経時変化を測定し，結果を図１に示
す。

【００５３】表４，表５より本実施例の封止材料は流動
性，熱時硬度等の成形性が優れており、しかも成形品の
吸湿率が小さくて半導体封止材料に適していることが分
かる。

【００５４】図１より本実施例の封止材料は貯蔵安定性
が特に優れていることが分かる。

【００５５】次に、表面にアルミニウムのジクザク配線
を形成したシリコーンチップ（６×６mm）を４２アロイ
系のリードフレームに搭載し、更に、チップ表面のアル
ミニウム電極間とリードフレーム間を金線（ψ３０μ
ｍ）でワイヤボンデングした後、全体を実施例１〜８及
び比較例１〜７で用いたと同じ材料を用いて前記と同条
件でトランスファー成形して封止し、更に１８０℃で５
時間の後硬化を行い、ＱＦＰ(Quad Flat Package)−６
４ピンを作製した。各半導体装置の耐はんだリフロー
性，耐湿信頼性試験，高温放置信頼性試験を行った。結
果を表６に示す。耐はんだリフロー性試験は、上記の樹
脂封止型半導体装置を８５℃／８５％ＲＨ下にて１６８
時間吸湿させた後、２４０℃の赤外線リフロー炉中で９
０秒間加熱する試験を行い、パッケージのクラック発生
数を調べた。

【００５６】耐湿信頼性試験は、上記半導体装置を６５
℃，９５％ＲＨの恒温恒湿槽中で１６８時間吸湿させた
後、２１５℃／９０秒間のベーパーリフロー処理を行
い、更に、塩水に浸漬後、６５℃／９５％ＲＨの条件下
で５００時間放置した後、アルミニウム腐食が発生した
素子数を調べた。

【００５７】高温放置信頼性試験は上記半導体装置を２
００℃の高温槽中に２００時間放置し、金ワイヤとアル
ミニウム配線の接合部の接続不良を調べた。

【００５８】表６より、本実施例の半導体装置は耐はん
だリフロー性，耐湿信頼性及び高温放置特性等が優れて
いることが分かる。

【００５９】

【表６】

【００６０】上記各実施例の封止材料は成形性に優れ、
しかも成形品の吸湿率も小さく、半導体装置として高い
信頼性が得られることが分かる。

【００６１】

【発明の効果】本発明の樹脂封止型半導体は成形性及び
耐湿信頼性等が優れており、実装の高信頼性及び高密度
化を図ることが出来る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の封止材料と比較例の材料について、２
５℃，湿度９０％ＲＨで保管した時の、材料の流動性の
経時変化を示したものである。本発明の封止材料は貯蔵
安定性がすぐれていることがわかる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｈ０１Ｌ 23/29 23/31 (72)発明者永井晃茨城県日立市大みか町七丁目１番１号株式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者荻野雅彦茨城県日立市大みか町七丁目１番１号株式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者茂木亮茨城県日立市大みか町七丁目１番１号株式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者鈴木和宏茨城県日立市大みか町七丁目１番１号株式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者西邦彦東京都小平市上水本町五丁目20番１号株式会社日立製作所半導体事業部内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】エポキシ樹脂，硬化剤，硬化促進剤，充填
剤を必須成分とする成分を溶融混練してなるエポキシ樹
脂組成物によって被覆ないしはモールドされた樹脂封止
型半導体装置において、該硬化促進剤は一般式（１）【化１】（式中、Ｘは第四級ホスホニウムイオン、ＲはＣ１〜４
のアルキル基又はアルコキシ基、ｎ₁は１〜２の整数を
示す。）で表される有機リン系化合物であることを特徴
とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項２】前記エポキシ樹脂は一般式（２）【化２】（式中、Ｒは水素原子またはメチル基を示し互いに異な
っていても良い。ｎ₂は０〜２の整数を示す。）で表さ
れるビフェニル骨格を有するエポキシ樹脂、またはジシ
クロペンタジエン骨格を有するエポキシ樹脂、またはナ
フタレン骨格を有するエポキシ樹脂の少なくとも１種類
を含むことを特徴とする請求項１記載の樹脂封止型半導
体装置。
【請求項３】前記硬化剤は一般式（３）【化３】（式中、ｍは１〜１０の整数を示す。）で表されるフェ
ノールとアラルキルエーテルとの重縮合物は硬化剤全体
の１００〜３０重量％含むことを特徴とする請求項１記
載の樹脂封止型半導体装置。
【請求項４】前記一般式（１）で表される硬化促進剤
は、前記エポキシ樹脂１００重量部に対して５００〜１
mmol配合されていることを特徴とする請求項１記載の樹
脂封止型半導体装置。
【請求項５】前記一般式(３)で表される硬化剤は、前記
エポキシ樹脂に対して０.５〜１.５当量配合されている
ことを特徴とする請求項１記載の樹脂封止型半導体装
置。
【請求項６】前記充填剤は粒度分布０.１〜１００μｍ
の球形または角形あるいは両者を併用した充填剤である
ことを特徴とする請求項１記載の樹脂封止型半導体装
置。