JPH0816755B2 - 液晶素子の配向処理方法及びその装置 - Google Patents

液晶素子の配向処理方法及びその装置

Info

Publication number
JPH0816755B2
JPH0816755B2 JP30219689A JP30219689A JPH0816755B2 JP H0816755 B2 JPH0816755 B2 JP H0816755B2 JP 30219689 A JP30219689 A JP 30219689A JP 30219689 A JP30219689 A JP 30219689A JP H0816755 B2 JPH0816755 B2 JP H0816755B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
roll
crystal element
alignment
voltage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP30219689A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH03163525A (ja
Inventor
公洋 湯浅
憲次 橋本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Idemitsu Kosan Co Ltd
Original Assignee
Idemitsu Kosan Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP17566289A external-priority patent/JPH0816754B2/ja
Application filed by Idemitsu Kosan Co Ltd filed Critical Idemitsu Kosan Co Ltd
Priority to JP30219689A priority Critical patent/JPH0816755B2/ja
Priority to DE69024847T priority patent/DE69024847T2/de
Priority to EP90110381A priority patent/EP0400654B1/en
Priority to US07/531,170 priority patent/US5110623A/en
Publication of JPH03163525A publication Critical patent/JPH03163525A/ja
Priority to US07/822,211 priority patent/US5231525A/en
Publication of JPH0816755B2 publication Critical patent/JPH0816755B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、液晶光学素子、液晶記憶素子、液晶音響素
子等に用いられる液晶素子の配向処理方法及び装置に関
する。
〔従来の技術〕
液晶材料の配向方法の一つとして電界を利用する方法
が知られている。例えば、高分子液晶を2枚の電極間
に挟み、150℃で60V、2kHzの交流電界を長時間印加して
垂直配向を行う方法(R.Simons,et al.:Polymer,27,811
(1986))、高分子液晶(主鎖型、側鎖型)を少なく
とも一方に絶縁層を設けた電極間で電場を印加すること
により絶縁破壊電圧の小さい液晶にも配向に十分な電界
を与えて配向させる方法(特開昭63−144324号公報)、
強誘電性液晶を等方相になるまで加熱した後に徐冷を
行い、この徐冷中に電界を印加して配向させる方法(特
開昭63−121815号公報、特開昭63−151927号公報)、
側鎖型液晶高分子に低分子液晶を混合し直流電圧を印加
して配向させる方法(特開昭63−243165号公報)等があ
る。
しかし、の方法では高温加熱及び長時間の交流電界
印加というプロセスが必要で生産性が悪い。また、強誘
電性液晶に対しては液晶分子の誘電率異方性Δεが正の
場合には垂直配向してしまい、負の場合では水平配向は
するがその向きは基板面内でランダムになってしまい強
誘電性液晶素子で必要な一軸水平配向は得られない。
の方法もスメクチックA相やネマチック相をとる液晶を
垂直配向させる方法である。この方法でも誘電率異方性
Δεが負の液晶であれば液晶を基板に水平にすることは
できるがその向きは基板面内でランダムになり、一軸水
平配向は不可能である。従って強誘電性液晶は低分子で
も高分子でも一軸水平配向できないという問題がある。
の方法では一軸配向するためには予め基板にはポリマ
ーコート及びラビング処理又は斜方蒸着等の界面処理が
必須であり、電界印加は界面による配向状態の欠陥を減
らすという補助的役割を担っているに過ぎない。従って
従来のラビング処理又は斜方蒸着による配向方法と同様
にプロセスが複雑であり、また等方相からの徐冷という
過程も必須であるため生産性に問題がある。の方法で
は液晶相−等方相転移温度以下で混合系の相分離が発生
せずに液晶状態が保存され、さらに常温で配向状態が変
化しないような側鎖型液晶高分子と低分子液晶の混合比
を選ぶ必要があり、任意の液晶を配向させることはでき
ないなどの問題がある。
また、液晶材料の配向に剪断力を利用する方法が知ら
れている。例えば、強誘電性液晶を2枚の基板間に挟
み、基板を相互にわずかにずらして剪断を印加して水平
配向させる方法(N.A.Clark.et al.:Appl.Phys.Lett.,3
6,899(1980))がある。しかし、この方法では大面積
の配向処理が難しく、また剪断を印加するときの温度制
御を精密に行わなければならないなどの問題がある。
〔発明が解決しようとする課題〕
本発明は、基板に配向制御膜を設けるなどの前処理が
必要なく、また精密な温度制御を要さずに大面積で均一
な配向を極めて短時間に得ることができる液晶素子の配
向処理方法を提供しようとするものである。また本発明
は、前記の配向処理方法を効率的に実現することができ
る液晶素子の配向処理装置を提供しようとするものであ
る。
〔課題を解決するための手段〕
本発明者らは前記課題を解決するために鋭意研究を重
ねた結果、導電性を有する配向ロールからなるローラー
を用いて液晶材料に電界を印加しながら曲げ変形による
剪断を加えて液晶素子を配向処理することにより、その
目的が達成されることを見出し本発明を完成するに至っ
た。
すなわち本発明は、強誘電性液晶材料を2枚の電極付
可撓性基板で挟持してなる液晶素子を、少なくとも1本
の導電性を有する配向ロールからなるローラーを用い、
液晶材料に電界の印加を行いながら配向ロールのロール
面に液晶素子を密着させ液晶材料に曲げ変形による剪断
を加えることにより配向処理することを特徴とする液晶
素子の配向処理方法を提供するものである。
本発明の方法により配向される液晶素子は、強誘電性
液晶材料を2枚の電極付可撓性基板で挟持してなる。
強誘電性液晶材料としては、実際に液晶素子を使用す
る温度でカイラルスメクチックC相等の強誘電相が発現
する材料であれば、特に限定されない。例えば、低分子
の強誘電性液晶、高分子の強誘電性液晶又はこれらの組
成物よりなる液晶材料、更に低分子若しくは高分子の非
強誘電性の非液晶物質又は低分子若しくは高分子の非誘
電性の液晶物質と、低分子若しくは高分子のカイラル性
を有する非液晶物質又は低分子若しくは高分子のカイラ
ル性を有する液晶物質とを、カイラルスメクチックC相
などの強誘電性液晶相を示すように組み合わせた液晶材
料が挙げられる。特にこれらの中でカイラルスメクチッ
クC相を示すものが好ましい。更に、これらの液晶材料
には接着剤、色素、減粘剤等の各種添加剤などを混合し
てもよい。強誘電性液晶材料を用いることで電界変化に
対する高速反応が可能となる。
可撓性基板としては、各種の材質のものを使用するこ
とができるが、通常、生産性、汎用性、加工性等の点か
ら可撓性を有するプラスチックからなる基板が好適に使
用される。
この可撓性を有するプラスチックの具体例としては、
例えば一軸又は二軸延伸ポリエチレンテレフタレートな
どの結晶性ポリマー、ポリスルホン、ポリエーテルスル
ホンなどの非結晶性ポリマー、ポリエチレン、ポリプロ
ピレン等のポリオレフィン、ポリカーボネート、ナイロ
ン等のポリアミドなどを挙げることができる。これらの
中でも、特に一軸延伸ポリエチレンテレフタレート、ポ
リエーテルスルホン、ポリカーボネートなどが好まし
い。
本発明において、前記2枚の基板は、互いに同じ材質
のものであってもよく、又は相違する材質のものであっ
てもよいが、通常、上記の2枚の基板のうち少なくとも
一方の基板を光学的に透明なものとし、透明な電極を設
けて使用する。
本発明において使用する前記基板の形状としては、特
に制限はなく、使用目的等に応じて各種の形状のものを
使用することができるが、通常、板状、シート状若しく
はフィルム状のものなどが好適に使用することができ、
特に、連続的生産方式に有利であることなどから、長尺
のフィルム状のものが好適に使用される。
基板の厚みは、基板の透明度、可撓性の程度、強度、
加工性などの材質、素子の使用目的などに応じて適宜選
定することができ、通常20〜10000μm程度の範囲内で
設定される。
電極としては、通常用いられるもの、例えば、金属
膜、導電性酸化物膜などの導電性無機膜、導電性有機膜
など各種のものを使用することができる。
本発明において、前記2枚の電極のうち少なくとも一
方の電極として、通常、光学的に透明若しくは半透明の
ものを使用することが望ましく、少なくとも1枚の透明
若しくは半透明の電極は、透明な基板側に設けることが
望ましい。
この透明若しくは半透明の電極の具体例としては、例
えば、NESA膜といわれる参加錫膜、ITO膜といわれる酸
化錫を混入した酸化インジウム膜、酸化インジウム膜、
金やチタンなどの蒸着膜あるいは他の薄膜状の金属若し
くは合金などを挙げることができる。これらの電極は、
公知の手法などの各種の手法、例えば、蒸着法、印刷
法、塗布法、メッキ法、接着法など、あるいはこれらを
適宜組み合わせた手法を用いて、基板あるいは液晶層等
の所定の面上に設けることができる。
これらの電極の形状としては、特に制限はなく、基板
等の所定の面上の全面にわたるものであってもよく、ス
トライプ状のものであってもよく、又は他の所望の形状
のものであってもよい。
電極上には配向制御膜は特に必要としない。必要に応
じて導通防止のための絶縁膜、カラーフィルタ等を設け
てもよい。
前記の強誘電性液晶材料を電極付可撓性基板に挟持す
る方法は、特に限定はなく、この挟持によって液晶材料
が配向しなくてもよいので従来の任意の方法を用いるこ
とができる。例えば2枚の電極付可撓性基板を電極側が
対向するように配置しその間に強誘電性液晶材料を注入
する方法、強誘電性液晶材料を製膜し電極付可撓性基板
とラミネートする方法などが挙げられる。高速生産上好
ましい方法は液晶材料を製膜し電極付可撓性基板とラミ
ネートする方法である。このとき液晶材料の製膜方法と
しては電極付可撓性基板の電極上への液晶材料の塗布方
法など従来公知のあらゆる方法を用いることができる。
上記の液晶素子を少なくとも1本の導電性を有する配
向ロールからなるローラーを用いて液晶材料に電界の印
加を行いながら、配向ロールのロール面に液晶素子を密
着させ液晶材料に曲げ変形による剪断を加えて配向処理
し、液晶材料を配向させる。
ローラーは少なくとも1本の導電性を有する配向ロー
ルからなる。導電性を有する配向ロールは少なくともロ
ール面の一部又は全部が導電性を有するものであればよ
い。その材質としては、金属、プラスチック、ゴムなど
で導電性を有するものが挙げられる。ロール表面抵抗は
105Ω/□以下が好ましく、104Ω/□以下が特に好まし
い。表面抵抗が大きすぎると液晶材料に十分な電界が印
加されず、液晶材料の配向が不十分になることがある。
ロール径は直径10〜1000mmが好ましく、20〜200mmが特
に好ましい。ロール径が大きすぎると液晶材料に印加さ
れる剪断が不十分なことがあり、小さすぎると液晶素子
がはがれを生じたり、液晶素子の基板が割れてしまうこ
とがある。
液晶材料には電界の印加が行われている。この電界の
印加はローラーが少なくとも2本の導電性を有する配向
ロールからなるときは、配向ロール間に電圧を印加する
ことにより行うことができる。このとき、液晶素子全体
に電界が印加されるようにしてもよいが、液晶素子の液
晶材料の両側の電極をそれぞれ導電性を有する2本の配
向ロールに接触させることにより液晶素子の電極間に電
圧が印加されるようにすることが好ましい。液晶素子の
電極を導電性を有する配向ロールに接触させる方法とし
ては、液晶素子を構成する2枚の電極付可撓性基板とし
て異なる幅のものを用いたり、2枚の電極付可撓性基板
をずらして配置したりすることにより電極面を一部露出
させ、この部分をロールに接触させる方法が好適であ
る。
配向ロール間又は配向ロールの導電部間に印加する電
圧は交流、直流のいずれでもよい。交流又は直流の電圧
を連続的又は間欠的に印加する。好ましい電界強度の最
大値は0.1〜150MV/m、特に好ましくは5〜100MV/mであ
る。印加する電圧が小さすぎると液晶材料の配向が不十
分になることがあり、大きすぎると液晶材料が絶縁破壊
を起こすことがある。
液晶素子を配向処理する温度は、基板間に挟持された
液晶材料が等方相を示す温度又は等方相と液晶相との混
相を示す温度よりも低い温度とすることが好ましい。特
に液晶材料が等方相以外の何らかの液晶相を示す温度と
することが好ましい。このような温度で液晶材料に電界
と剪断を同時に与えることにより、液晶材料を一軸水平
配向させることができる。
具体的には液晶材料がネマチック相(N相)、コレス
テリック(Ch相)、各種スメクチック相(Sm相)又はこ
れらの混相を示す温度が好ましい。温度が高く液晶材料
が等方相(Iso相)を示す温度であると、液晶材料の流
動性が大きすぎて配向しない。逆に温度が低く液晶材料
がガラス相や結晶相を示す温度であると、液晶材料に剪
断が十分かからないため配向しない。特に各種スメクチ
ック相を示す温度で液晶材料を配向させることが好まし
い。通常室温でカイラルスメクチックC相などを示す液
晶材料では室温で配向処理を行えばよい。
本発明はまた、長尺又は枚葉の液晶素子を移動し又は
繰り出す搬送ロール、搬送された液晶素子をロール面に
密着させて液晶素子に曲げ変形を与える配向ロールであ
って、少なくともロール面に複数の互いに絶縁された導
電部を有する配向ロールを少なくとも1本有するローラ
ー、ローラーの配向ロールの導電部間に電圧を印加する
電圧印加手段及び曲げ変形を加えられた液晶素子を引き
取る引取ロールからなる液晶素子の配向処理装置を提供
するものである。
本発明は更に、長尺又は枚葉の液晶素子を移動し又は
繰り出す搬送ロール、搬送された液晶素子をロール面に
密着させて液晶素子に曲げ変形を与える配向ロールであ
って導電性を有する配向ロールを少なくとも2本有する
ローラー、ローラーの配向ロール間に電圧を印加する電
圧印加手段及び曲げ変形を加えられた液晶素子を引き取
る引取ロールからなる液晶素子の配向処理装置を提供す
るものである。
第1図に導電性を有するロールを2本用いた場合の本
発明の長尺の液晶素子に対する配向処理装置の一例を示
す。ただし、液晶素子を繰り出す搬送ロールと曲げ変形
を加えられた液相素子を引き取る引取ロールは省略して
いる。
1は強誘電性液晶を2枚の電極付基板で挟持してなる
液晶素子であり配向処理されていない未配向の液晶素子
である。この液晶素子では2枚の電極付可撓性基板がず
らして配置されており、2枚の基板が重なり合 いな
い液晶素子の端の部分ではそれぞれの電極面5、6が露
出している。本配向処理装置は2本の導電性を有する配
向ロール3及び4と電圧源7よりなる。搬送ロールから
繰り出された未配向の液晶素子1を表裏交互に配向ロー
ル3及び4のロール面に密着させて通過させることによ
り、未配向の液晶素子1の液晶材料には曲げ変形による
剪断が与えられる。このとき未配向の液晶素子1は液晶
素子の両側に露出している電極面5及び6をそれぞれ導
電性を有する配向ロール4、3に接触させながら曲げ変
形を受ける。導電性を有する配向ロール3、4の間には
電圧源が接続されて電圧が印加されているので液晶素子
の電極面5、6間にも電圧が加わり、液晶材料には電界
と剪断が同時に印加されている。このときに液晶材料は
剪断方向と直角すなわち矢印8の方向に配向する。この
後、配向処理された液相素子2は引取ロールにより引き
取られる。
ここで液晶素子を配向ロールに導入する位置などに必
要に応じ補助ロールを設けてもよい。また液晶素子をラ
イン速度vで動かすための駆動装置(モーター等)を設
けてもよい。
また、必要に応じて各ロール温度を変えたり、配向処
理装置全体を恒温槽の中に収めたりなどして液晶材料の
温度を等方相温度以下の任意の温度に設定することがで
きるようにすることが好ましい。
第2図はローラーが1本の配向ロールからなる本発明
の液晶素子の配向処理装置に用いられる配向ロールの一
例を示す説明図である。
ローラーは1本の配向ロール9からなる。配向ロール
9の表面は3つの領域に分かれており、両端の領域が導
電性を有する材質からなる導電部10で、真中の領域が絶
縁性を有する材質からなる絶縁部11である。絶縁部11に
より両端の導電部10は互いに絶縁されている。
このローラーを用いてなる配向処理装置では、電圧印
加手段は配向ロールの2個の導電部10の間に電圧を印加
できるように接続される。このようなローラーを用いる
ことにより1本の配向ロールで液晶材料を配向させるこ
とができる。
液晶素子が枚葉であるときには第3図に示す装置が好
適に使用できる。第3図は本発明の配向処理装置の他の
例の説明図であり、第4図(a)〜(c)は第3図の配
向処理装置における各ロールの動作を示す説明図であ
る。ただし、第3図では曲げ変形を加えられた液晶素子
を引き取る引取ロールを省略している。
12は搬送ロール、13は未配向の液晶素子、14は配向
部、15及び18はゴムロール、16及び17は導電性を有する
配向ロールである。搬送ロール12からなる素子移動用ロ
ール群によって供給される枚葉の未配向の液晶素子13は
配向部14に運ばれる。次いでゴムロール15及び配向ロー
ル17がエアシリンダーによって配向ロール16、ゴムロー
ル18にそれぞれ降りることで液晶素子13を押さえる(第
4図(a))。次いでロール対17、18がロール対15、16
の下に滑らかに移動する(第4図(b))。その後導電
性を有する配向ロール16及び17間に電圧印加手段7によ
り電圧を印加し、同時に駆動用モーターと連動している
ロール18によって配向処理速度vで液晶素子13を移動さ
せる(第4図(c))。このときに液晶材料には電界と
剪断が同時にかかり、液晶材料は配向する。また、この
装置では配向部14全体を恒温槽の中に配置すること等に
より、配向処理時の温度を可変とすることが好ましい。
〔実施例〕
以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明するが、
本発明はこれに限定されるものではない。
実施例1 強誘電性液晶としてチッソ(株)製CS−1026を用い
た。本液晶とエポキシ系樹脂(セメダイン(株)製ハイ
スーパの主剤と硬化剤の1:1体積比混合物)との4:1(重
量比)混合物をジクロルメタンに溶解して15重量%溶液
とした。この溶液をITO電極付PES基板(厚み100μm、
幅150mm、長さ20m)のITO電極上にマイクログラビアコ
ーターを用いて塗布製膜した。溶媒蒸発後の液晶材料の
膜厚は2.2μmであった。次いで同じ種類の何も塗布し
ていないITO電極付PES基板をITO電極が液晶材料膜と接
するようにラミネートして、配向処理前の液晶素子を作
製した。こののち長さ1mの液晶素子を切り出して直ちに
第1図に示したような配向処理装置で配向処理した。導
電性を有する配向ロール3及び4には信越ポリマー
(株)製のシンエツSRロール(長さ200mm、直径40mm、
表面抵抗3×102Ω/□のシリコーン導電ゴム製)2本
を用いた。電圧源7としては直流20Vのものを用い、雰
囲気温度は室温(液晶材料がカイラルスメクチックC相
を示す温度)とした。配向処理後、液晶素子2を数cm角
程度に小さく切り出してクロスニコル間に配置し、液晶
素子の電極間に±5Vの電圧を印加したときの透過率の比
すなわちコントラストを測定した。同様の測定を配向処
理装置のライン速度vを変化させて配向処理した液晶素
子について行ったところ、第1表に示すようになった。
このように広いライン速度範囲で十分な配向を得るこ
とが可能であり、このことは液晶材料の製膜や基板等の
ラミネートなどの工程と連続的に生産できることを意味
する。また、双安定時のコントラストも非常に良好であ
り、これは偏光顕微鏡による観察からジグザグ欠陥が非
常に少ないためであることがわかった。これは配向処理
時の電圧印加によってスメクチックの層構造が基板に対
してほぼ垂直ないわるるブックシェルフ構造をとってい
るためだと思われる。
実施例2 液晶として以下の構造と特性を有する強誘電性高分子
液晶を用いた。
相転移挙動 この強誘電性液晶を10重量%ジクロルメタン溶液とし
てダイレクトグラビアコーターでITO電極付ポリカーボ
ネート基板(厚み100μm、幅200mm、長さ10m)のITO電
極上に塗布製膜した。溶媒乾燥後、何も塗布していない
同種の基板をITO電極が液晶膜に接するようにラミネー
トした。液晶膜厚は1.9μmであった。この後液晶素子
を長さ1mずつに切り出し、実施例1と同じ装置を用いて
配向処理した。
ここで、ライン速度vはv=5m/分に固定し、配向ロ
ール3及び4を加熱して配向処理した。配向ロール温度
を変化させて配向処理した液晶素子について実施例1と
同様にコントラストの測定を行ったところ、第2表に示
すようになった。なお、配向ロール間への印加電圧はV
=±40V、5Hzの矩形波とした。
上記のように非常に広い温度範囲で十分な配向を得る
ことが可能であった。また、ジグザグ欠陥も殆ど見られ
ない良好な配向状態であった。
実施例3 第3図に示した配向処理装置を作製した。ここでは配
向部14全体を恒温槽の中に配置し、配向処理時の温度を
可変にした。
本実施例では実施例1と同じ導電性を有する配向ロー
ルを用いた。実施例2で作製した未配向の液晶素子を長
さ20cmずつの枚葉として、上記装置により配向試験を行
った。恒温槽中の温度を40℃に固定し、導電性を有する
配向ロール16、17間の印加電圧は直流30Vとした。配向
処理速度vを変化させた液晶素子について実施例1と同
様にコントラストを測定したところ、第3表に示すよう
な結果を得た。
このように比較的小型の枚葉の液晶素子に対してもゆ
るやかな条件で良好な配向を得ることが可能であること
が確認できた。
実施例4 実施例2と同様の液晶、基板を用いて同様の塗布法、
ラミネート法により第5図(a)及び(b)に示すよう
な幅200mm、長さ150mmの液晶素子19を得た。第5図
(b)に示すように、この液晶素子19の一方の基板20上
のITO電極22は電極Aと電極Bとに分かれている。また
電極Aと電極Bの付いている基板20は他方の基板21より
幅が広く、電極A及び電極Bの電極面の一部がそれぞれ
液晶素子19の両端から露出している。
この液晶素子を第2図に示した1本の配向ロール9か
らなるローラーによって配向処理した。ここで配向ロー
ル9の導電部10は表面抵抗102Ω/□の導電性シリコー
ンゴムからなり、絶縁部11は非導電性のシリコーンゴム
からなるものとした。またロール直径は50mm、幅は300m
mとした。
この配向ロール9の2つの導電部10間に±40V、20Hz
の矩形波を印加しながら液晶素子19の電極A及び電極B
をそれぞれ配向ロール9の2つの導電部10と接触させつ
つ、等温で第6図のように液晶素子19を配向ロール9の
ロール面に密着させて液晶材料に曲げ変形による剪断を
与えた。ここでは配向ロール9を移動させて液晶素子19
全体に電界と剪断を印加した。この配向処理後、クロス
ニコル下でコントラストを測定したところ、±5Vの印加
で70を得た。このことからロールが1本のローラーでも
必要な配向が十分得られることが明らかになった。
〔発明の効果〕
本発明の液晶素子の配向処理方法によると、基板の配
向制御膜を設けるなどの前処理が必要なく、また精密な
温度制御を要さずに大面積で均一な配向を極めて短時間
に得ることができる。また本発明の液晶素子の配向処理
装置によると、前記の配向処理方法を効率的に実現する
ことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の液晶素子の配向処理装置の一例を示
す説明図である。ただし液晶素子を繰り出す搬送ロール
と曲げ変形による剪断を加えられた液晶素子を引き取る
引取ロールは省略している。 第2図は本発明の液晶素子の配向処理装置に用いられる
配向ロールの一例を示す説明図である。 第3図は本発明の配向処理装置の他の例の説明図であ
り、第4図(a)〜(c)は第3図の配向処理装置にお
ける各ロールの動作を示す説明図である。 第5図(a)は実施例で得た液晶素子の平面図であり、
第5図(b)はその断面図である。 第6図は実施例の液晶素子の曲げ変形を説明する説明図
である。 符号の説明 1……未配向の液晶素子 2……配向処理された液晶素子 3、4……導電性を有する配向ロール 5、6……電極面、7……電圧源 8……配向方向を表す矢印 9……配向ロール、10……導電部 11……絶縁部、12……搬送ロール 13……未配向の液晶素子 14……配向部 15、18……ゴムロール 16、17……導電性を有する配向ロール 19……液晶素子 20……電極A、電極Bの付いている基板 21……基板、22……ITO電極 23……液晶材料

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】強誘電性液晶材料を2枚の電極付可撓性基
    板で挟持してなる液晶素子を、少なくとも1本の導電性
    を有する配向ロールからなるローラーを用い、液晶材料
    に電界の印加を行いながら配向ロールのロール面に液晶
    素子を密着させ液晶材料に曲げ変形による剪断を加える
    ことにより配向処理することを特徴とする液晶素子の配
    向処理方法。
  2. 【請求項2】液晶材料が等方相を示す温度又は等方相と
    液晶相との混相を示す温度よりも低い温度で配向処理す
    る請求項1記載の液晶素子の配向処理方法。
  3. 【請求項3】ローラーが少なくとも2本の導電性を有す
    る配向ロールからなり、液晶材料への電界の印加が配向
    ロール間に電圧を印加し配向ロールと液晶素子の液晶材
    料の両側の電極とを接触させて電極間に電圧を印加させ
    ることにより行われる請求項1記載の液晶素子の配向処
    理方法。
  4. 【請求項4】長尺又は枚葉の液晶素子を移動し又は繰り
    出す搬送ロール、搬送された液晶素子をロール面に密着
    させて液晶素子に曲げ変形を加える配向ロールであって
    少なくともロール面に複数の互いに絶縁された導電部を
    有する配向ロールを少なくとも1本有するローラー、ロ
    ーラーの配向ロールの導電部間に電圧を印加する電圧印
    加手段及び曲げ変形を加えられた液晶素子を引き取る引
    取ロールからなる液晶素子の配向処理装置。
  5. 【請求項5】長尺又は枚葉の液晶素子を移動し又は繰り
    出す搬送ロール、搬送された液晶素子をロール面に密着
    させて液晶素子に曲げ変形を加える配向ロールであって
    導電性を有する配向ロールを少なくとも2本有するロー
    ラー、ローラーの配向ロール間に電圧を印加する電圧印
    加手段及び曲げ変形を加えられた液晶素子を引き取る引
    取ロールからなる液晶素子の配向処理装置。
JP30219689A 1989-06-02 1989-11-22 液晶素子の配向処理方法及びその装置 Expired - Lifetime JPH0816755B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP30219689A JPH0816755B2 (ja) 1989-07-10 1989-11-22 液晶素子の配向処理方法及びその装置
DE69024847T DE69024847T2 (de) 1989-06-02 1990-05-31 Verfahren und Gerät zur Orientierung eines Flüssigkristallmaterials und damit orientierte Flüssigkristallvorrichtung
EP90110381A EP0400654B1 (en) 1989-06-02 1990-05-31 Method of orienting a liquid crystal material, apparatus therefor, and liquid crystal device oriented thereby
US07/531,170 US5110623A (en) 1989-06-02 1990-05-31 Method of orienting a liquid crystal material, apparatus therefor, and liquid crystal device oriented thereby
US07/822,211 US5231525A (en) 1989-06-02 1992-01-17 Apparatus for orienting a liquid crystal material using a shear force and electric field

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17566289A JPH0816754B2 (ja) 1989-07-10 1989-07-10 ドットマトリクス液晶素子及びその製造方法
JP30219689A JPH0816755B2 (ja) 1989-07-10 1989-11-22 液晶素子の配向処理方法及びその装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH03163525A JPH03163525A (ja) 1991-07-15
JPH0816755B2 true JPH0816755B2 (ja) 1996-02-21

Family

ID=26496864

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP30219689A Expired - Lifetime JPH0816755B2 (ja) 1989-06-02 1989-11-22 液晶素子の配向処理方法及びその装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0816755B2 (ja)

Also Published As

Publication number Publication date
JPH03163525A (ja) 1991-07-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0395957B1 (en) Method of producing a substrate coated with a film of liquid crystal material and method and apparatus of producing a liquid crystal optical device
JPS6327817A (ja) 液晶素子
US5238523A (en) Apparatus for producing a liquid crystal optical device
JPH0816755B2 (ja) 液晶素子の配向処理方法及びその装置
US5231525A (en) Apparatus for orienting a liquid crystal material using a shear force and electric field
US5110623A (en) Method of orienting a liquid crystal material, apparatus therefor, and liquid crystal device oriented thereby
KR19990071956A (ko) 시트상 재료의 표면의 평탄화법 및 그에 기초하는시트상 재료의 제조 방법
JP3124367B2 (ja) 液晶光学素子配向方法及びその装置
JPH05289081A (ja) 強誘電性液晶素子配向修復方法
JPH06342162A (ja) 液晶光学素子の配向方法
JPH0816754B2 (ja) ドットマトリクス液晶素子及びその製造方法
JP2571623B2 (ja) 液晶材料の配向方法
JPH0728062A (ja) 液晶光学素子の配向装置
JPH0210322A (ja) 液晶光学素子の配向方法
JP2648342B2 (ja) 液晶光学素子の配向方法
JP2672628B2 (ja) 液晶光学素子の配向方法
JPH0627448A (ja) 液晶表示パネルの製造方法及び製造装置
JP2889656B2 (ja) 液晶表示素子
JPH0743691A (ja) 強誘電性高分子液晶を用いた液晶光学素子の製造方法及びその階調表示方法
JPS6240428A (ja) 液晶素子の製造方法
JPH07119912B2 (ja) 液晶表示装置の製造方法
KR960003480B1 (ko) 액정표시소자 구조 및 제조방법
JPH05303104A (ja) 液晶素子の製造方法
JP2544544B2 (ja) 液晶素子の配向処理方法
JPH06242449A (ja) 液晶表示素子の配向方法及び配向装置