JPS6327817A - 液晶素子 - Google Patents

液晶素子

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JPS6327817A JP61170894A JP17089486A JPS6327817A JP S6327817 A JPS6327817 A JP S6327817A JP 61170894 A JP61170894 A JP 61170894A JP 17089486 A JP17089486 A JP 17089486A JP S6327817 A JPS6327817 A JP S6327817A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は液晶表示装置の製造方法に関し、詳しくは強誘
電性液晶を用いた液晶表示装置に関するものである。
［従来の技術］ 従来、強誘電性液晶を利用した液晶表示装置は応答速度
か速く、メモリ表示か可能なことから、表示容量の大き
い大型表示素子への応用か大いに期待されている。
しかしなから、強誘電性液晶のディスプレイを実現する
為には、液晶材料、分子配向法、超薄型パネルの製造、
高時分割駆動方式等の課題か多く残されている。
それ等の中て、分子配向法においては、基板上に従来の
Ｔ％型液晶表示に用いられれているポリイミド、ポリビ
ニルアルコール等の高分子膜を形成し、一方向にラビン
グ処理する方法か行われているか、強誘電性液晶を注入
した場合、均一な分子配向が得られず部分的にメモリ性
を有しなかったり、またコントラストか不十分となる等
の欠点かあった。
［発明か解決しようとする問題点］ 本発明の目的は上記の様な従来例の欠点を除去し、均一
て高コントラストか得られ、かつ充分なメモリ性を有す
る液晶表示装置を提供することにある。
又、本発明の別の目的は、ＯＡ機謬に利用しうる大面積
てかつ高精細な液晶表示装置を提供することにある。
［問題点を解決するための手段］ 即ち、本発明は表面に透明電極を形成した２枚の基板間
に強誘電性液晶を挟持してなる液晶表示装置において、
一方の基板上にホモジニアス配向処理か施された配向膜
を形成し、他方の基板上に液晶分子か而に対し十分に大
きな角度て同一方向に傾向配向する処理か施された配向
膜を形成してなることを特徴とする液晶表示装置である
。
以下、本発明を図面に従って詳細に説明する。
第１図は本発明の液晶表示装置の一例を示す説明図及び
第２図はそのＡＡ線断面図である。第１図及び第２図に
おいて、本発明の液晶表示装置はガラス板、プラスチッ
ク板等からなる上基板ｌに透明電極３とホモジニアス配
向処理が施された配向膜５を形成した上電極板と、ガラ
ス板、プラスチック板等からなる下基板２に透明電極４
と液晶分子が面に対し十分に大きな角度で同一方向に傾
向配向する処理が施された配向膜６を形成した下電極板
の間に液晶層７か配置され、上下基板の外側に偏光板８
．９か具備されてなるものである。
液晶層７には強誘電性液晶か用いられ、本発明に使用さ
れる好ましい強誘電性液晶としては、シッフ塩基、エス
テル系、ビフェニル系の各強誘電性液晶から選択される
。その代表的なものを表１に列挙する。
表　　　１ ＣＨ３ ＣＨ３ＣＨ３ ＣＨ。
ＣＨ３ ＣＨ３ ＣＨ。
ＣＨ３ Ｈ３ 本発明の液晶表示装置において、一方の基板上にホモシ
ニアス配向処理が施された配向膜を形成するには、電極
パターンニンクした基板上に、例えばポリイミド、ポリ
アミド、ＳｉＯ□、ＴｉＯ□なとの絶縁膜を通常の方法
で形成した後にラビングにより水平配向処理を行う。
次に、本発明において、２枚の基板のうち他方の基板上
に液晶分子が面に対して十分に大きな角度て同一方向に
傾向配向する処理か施された配向膜を形成する方法を第
３図（ａ）〜（ｅ）に示す工程図により説明する。
先ず、第３図（ａ）において、基板１０の上に電極パタ
ーンｔｉを形成した後、第３図（ｂ）に示す様にその上
に高分子フィルム材料を塗布し、加熱、硬化せしめて配
向膜１２を形成する。次に、第３図（Ｃ）において、配
向膜１２の上を綿布等で外周面を被覆したラビングロー
ラー１３を回転しながら移動せしめ、一方向にラビング
を行い、水平配向処理を施す。さらに、第３図（ｄ）に
おいて、前記配向膜の上に垂直配向膜１４を形成した後
、第３図（ｅ）に示す如く、ラビング処理等の一軸性配
向処理を施すことにより作成する。
本発明において、垂直配向膜としてはフッ化炭素鎖を有
する界面活性剤（ダイキンＦＳ１５０　’）　、やフッ
化炭素鎖な有するケイ素酸エステル（ダイキンＦＳ１１
６　）　、　４級アンモニウム塩界面活性剤（ＤＭＯＡ
Ｆ）、レシチン、ヘキサデシルアミン等の被膜か用いら
れる。
本発明の別の好ましい具体例ては、−軸性配向処理とし
て斜方蒸着法を用い、その斜方恭着面に前述の垂直配向
処理を施すことによって所定の傾斜て配向した強誘電性
液晶のドメインを得ることがてきる。
［作用］ 本発明は液晶表示装置の一方の基板上にホモシニアス配
向処理が施された配向膜を形成し、他方の基板上に液晶
分子か面に対し十分に大きな角度で同一方向に傾向配向
する処理が施された配向膜を形成しているので、強誘電
性液晶の非らせん構造によって発現する少なくとも２つ
の安定状態が表われる際に、液晶分子の基板間における
ねじれ列が調整され、均一なモノドメインの液晶配向か
得られるものと推定される。
［実施例］ 以下、実施例を示し本発明をさらに具体的に説明する。
実施例１ 電極パターンニングしたガラス基板上に、ポリイミド（
東し■製、５Ｐ−５ｉｎ　　２％ＮＭＰ溶液）をスピン
ナーにて、２０００　ｒ、ｐ、ｍ、２０ｓｅｃて塗布し
、３００°Ｃで１時間の加熱を行い絶縁膜を形成した。
キュアー後、ラビング（１０００ｒ、ｐ、ｍ、３往復）
により、水平配向処理を行い上基板を得た。
次に、下基板は、上基板と同様に絶縁膜を形成した後、
垂直配向剤（ダイキン株製、フッ素系シラン剤であるｒ
ＦＳ−１１６，）を２０００　ｒ、ｐ、ｍ、２０ｓｅｃ
てスピンナー塗布し、８０°Ｃ〜１５０°Ｃて６０分間
加熱した後、下基板と同一方向にラビング処理した。
この様にして得られた上基板と下基板をシールスペーサ
ーを介して接着することによりセル厚約１〜１．５　ｇ
を形成し、空隙に強誘電性液晶であるチッソ補装の’Ｃ
５１１０ｂ（商品名）を注入し、封口剤で封口して所期
の液晶表示装置を得た。
作製された液晶表示装置は、コントラストを十分に大き
く均一にすることかてき、またメモリ性を利用した高時
分割駆動が得られた。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明の液晶表示装置は、強誘電
性液晶において均一なモノドメインの液晶配向が容易に
得られると共に表示素子として表示認識性か向上する優
れた効果かある。
又１本発明の液晶素子に全面に亘って所定の交流電圧（
例えば、　２００Ｈｚ、１０ボルトの交流電圧）を印加
すると、この交流印加前と比較してチルト角の増大が見
られ、この結果、表示装置として適用した時に増大した
コントラストを達成することかてきる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の液晶表示装置の一例を示す説明図、第
２図はそのＡＡ線断面図および第３図は一方の基板に実
施される傾向配向処理を示す工程図である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 表面に透明電極を形成した２枚の基板間に強誘電性液晶
    を挟持してなる液晶表示装置において、一方の基板上に
    ホモジニアス配向処理が施された配向膜を形成し、他方
    の基板上に液晶分子が面に対し十分に大きな角度で同一
    方向に傾向配向する処理が施された配向膜を形成してな
    ることを特徴とする液晶表示装置
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