JPH0816996B2 - 光磁気記録の再生方法及びそれに使用される媒体 - Google Patents
光磁気記録の再生方法及びそれに使用される媒体Info
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- JPH0816996B2 JPH0816996B2 JP61291728A JP29172886A JPH0816996B2 JP H0816996 B2 JPH0816996 B2 JP H0816996B2 JP 61291728 A JP61291728 A JP 61291728A JP 29172886 A JP29172886 A JP 29172886A JP H0816996 B2 JPH0816996 B2 JP H0816996B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、オーバーライト（over write）可能な光磁
気記録の再生方法並びにそれに使用される光磁気記録の
再生装置及び光磁気記録媒体に関する。
気記録の再生方法並びにそれに使用される光磁気記録の
再生装置及び光磁気記録媒体に関する。
最近、高密度、大容量、高いアクセス速度、並びに高
い記録及び再生速度を含めた種々の要求を満足する光学
的記録再生方法、それに使用される記録装置、再生装置
及び記録媒体を開発しようとする努力が成されている。
い記録及び再生速度を含めた種々の要求を満足する光学
的記録再生方法、それに使用される記録装置、再生装置
及び記録媒体を開発しようとする努力が成されている。
広範囲な光学的記録再生方法の中で、光磁気記録再生
方法は、情報を使用した後、消去することができ、新た
な情報を記録することができるというユニークな利点の
ために、最も大きな魅力に満ちている。
方法は、情報を使用した後、消去することができ、新た
な情報を記録することができるというユニークな利点の
ために、最も大きな魅力に満ちている。
この光磁気記録再生方法で使用される記録媒体は、記
録層として１層又は多層の垂直磁化膜（perpendicular
magnetic layer or layers）を有する。この磁化膜は、
例えばアモルファスのGdFeやGdCo、GdFeCo、TbFe、TbC
o、TbFeCoなどからなる。記録層は一般に同じ同心円状
又はらせん状のトラックを成しており、このトラックの
上に情報が記録される。ここで、本明細書では、膜面に
対し「上向き（upward）」又は「下向き（downward）」
の何れか一方を、「Ａ向き」、他方を「逆Ａ向き」と定
義する。記録すべき情報は、予め２値化されており、こ
の情報が「Ａ向き」の磁化を有するビット（Ｂ1）と、
「逆Ａ向き」の磁化を有するビット（Ｂ0）の２つの信
号で記録される。これらのビットＢ1,B0は、デジタル信
号の1,0の何れか一方と他方にそれぞれ相当する。しか
し、一般には記録されるトラックの磁化は、記録前に強
力な外部磁場を印加することによって「逆Ａ向き」に揃
えられる。この処理は初期化（initialize）と呼ばれ
る。その上でトラックに「Ａ向き」の磁化を有するビッ
ト（Ｂ1）を形成する。情報は、このビット（Ｂ1）の有
無及び／又はビット長によって記録される。
録層として１層又は多層の垂直磁化膜（perpendicular
magnetic layer or layers）を有する。この磁化膜は、
例えばアモルファスのGdFeやGdCo、GdFeCo、TbFe、TbC
o、TbFeCoなどからなる。記録層は一般に同じ同心円状
又はらせん状のトラックを成しており、このトラックの
上に情報が記録される。ここで、本明細書では、膜面に
対し「上向き（upward）」又は「下向き（downward）」
の何れか一方を、「Ａ向き」、他方を「逆Ａ向き」と定
義する。記録すべき情報は、予め２値化されており、こ
の情報が「Ａ向き」の磁化を有するビット（Ｂ1）と、
「逆Ａ向き」の磁化を有するビット（Ｂ0）の２つの信
号で記録される。これらのビットＢ1,B0は、デジタル信
号の1,0の何れか一方と他方にそれぞれ相当する。しか
し、一般には記録されるトラックの磁化は、記録前に強
力な外部磁場を印加することによって「逆Ａ向き」に揃
えられる。この処理は初期化（initialize）と呼ばれ
る。その上でトラックに「Ａ向き」の磁化を有するビッ
ト（Ｂ1）を形成する。情報は、このビット（Ｂ1）の有
無及び／又はビット長によって記録される。
ビット形成の原理： ビットの形成に於いては、レーザーの特徴即ち空間的
時間的に素晴らしい凝集性（coherence）が有利に使用
され、レーザー光の波長によって決定される回折限界と
ほとんど同じ位に小さいスポットにビームが絞り込まれ
る。絞り込まれた光はトラック表面に照射され、記録層
に直径が１μｍ以下のビットを形成することにより情報
が記録される。光学的記録においては、理論的に約108
ビット／cm2までの記録密度を達成することができる。
何故ならば、レーザビームはその波長とほとんど同じ位
に小さい直径を有するスポットにまで凝縮（concentrat
e）することが出来るからである。
時間的に素晴らしい凝集性（coherence）が有利に使用
され、レーザー光の波長によって決定される回折限界と
ほとんど同じ位に小さいスポットにビームが絞り込まれ
る。絞り込まれた光はトラック表面に照射され、記録層
に直径が１μｍ以下のビットを形成することにより情報
が記録される。光学的記録においては、理論的に約108
ビット／cm2までの記録密度を達成することができる。
何故ならば、レーザビームはその波長とほとんど同じ位
に小さい直径を有するスポットにまで凝縮（concentrat
e）することが出来るからである。
第３図に示すように、光磁気記録においては、レーザ
ービーム（Ｌ）を記録層（１）の上に絞りこみ、それを
加熱する。その間、初期化された向きとは反対の向きの
記録磁界（Hb）を加熱された部分に外部から印加する。
そうすると局部的に加熱された部分の保磁力Hc（coersi
vity）は減少し記録磁界（Hb）より小さくなる。その結
果、その部分の磁化は、記録磁界（Hb）の向きに並ぶ。
こうして逆に磁化されたビットが形成される。
ービーム（Ｌ）を記録層（１）の上に絞りこみ、それを
加熱する。その間、初期化された向きとは反対の向きの
記録磁界（Hb）を加熱された部分に外部から印加する。
そうすると局部的に加熱された部分の保磁力Hc（coersi
vity）は減少し記録磁界（Hb）より小さくなる。その結
果、その部分の磁化は、記録磁界（Hb）の向きに並ぶ。
こうして逆に磁化されたビットが形成される。
フェロ磁性材料とフェリ磁性材料では、磁化及びHcの
温度依存性が異なる。フェロ磁性材料はキュリー点付近
で減少するHcを有し、この現象に基づいて記録が実行さ
れる。従って、Tc書込み（キュリー点書込み）と引用さ
れる。
温度依存性が異なる。フェロ磁性材料はキュリー点付近
で減少するHcを有し、この現象に基づいて記録が実行さ
れる。従って、Tc書込み（キュリー点書込み）と引用さ
れる。
他方、フェリ磁性材料はキュリー点より低い補償温度
（compensation temperature）を有しており、そこでは
磁化（Ｍ）はゼロになる。逆にこの温度付近でHcが非常
に大きくなり、その温度から外れるとHcが急激に低下す
る。この低下したHcは、比較的弱い記録磁界（Hb）によ
って打ち負かされる。つまり、記録が可能になる。この
記録プロセスはＴcomp.書き込み（補償点書込み）と呼
ばれる。
（compensation temperature）を有しており、そこでは
磁化（Ｍ）はゼロになる。逆にこの温度付近でHcが非常
に大きくなり、その温度から外れるとHcが急激に低下す
る。この低下したHcは、比較的弱い記録磁界（Hb）によ
って打ち負かされる。つまり、記録が可能になる。この
記録プロセスはＴcomp.書き込み（補償点書込み）と呼
ばれる。
もっとも、キュリー点又はその近辺、及び補償温度の
近辺にこだわる必要はない。要するに、室温より高い所
定の温度に於いて、低下したHcを有する磁性材料に対
し、その低下したHcを打ち負かせる記録磁界（Hb）を印
加すれば、記録は可能である。
近辺にこだわる必要はない。要するに、室温より高い所
定の温度に於いて、低下したHcを有する磁性材料に対
し、その低下したHcを打ち負かせる記録磁界（Hb）を印
加すれば、記録は可能である。
再生の原理： 第３図は、光磁気効果に基づく情報再生の原理を示
す。光は、光路に垂直な平面上で全ての方向に通常は発
散している電磁場ベクトルを有する電磁波である。光が
直接偏光（Ｌp）に変換され、そして記録層（１）に照
射されたとき、光はその表面で反射されるか又は記録層
（１）を透過する。このとき、偏光面は磁化（Ｍ）の向
きに従って回転する。この回転する現象は、磁気カー
（Kerr）効果又は磁気ファラデー（Faraday）効果と呼
ばれる。
す。光は、光路に垂直な平面上で全ての方向に通常は発
散している電磁場ベクトルを有する電磁波である。光が
直接偏光（Ｌp）に変換され、そして記録層（１）に照
射されたとき、光はその表面で反射されるか又は記録層
（１）を透過する。このとき、偏光面は磁化（Ｍ）の向
きに従って回転する。この回転する現象は、磁気カー
（Kerr）効果又は磁気ファラデー（Faraday）効果と呼
ばれる。
例えば、もし反射光の偏光面が「Ａ向き」磁化に対し
てθk度回転するとすると、「逆Ａ向き」磁化に対して
は−θk度回転する。従って、光アナライザー（偏光
子）の軸を−θk度傾けた面に垂直にセットしておく
と、「逆Ａ向き」に磁化されたビット（Ｂ0）から反射
された光はアナライザーを透過することができない。そ
れに対して「Ａ向き」に磁化されたビット（Ｂ1）から
反射された光は、（sin2θk）2を乗じた分がアナライザ
ーを透過し、ディテクター（光電変換手段）に捕獲され
る。その結果、「Ａ向き」に磁化されたビット（Ｂ1）
は「逆Ａ向き」に磁化されたビット（Ｂ0）よりも明る
く見え、ディテクターに於いて強い電気信号を発生させ
る。このディテクターからの電気信号は、記録された情
報に従って変調されるので、情報が再生されるのであ
る。
てθk度回転するとすると、「逆Ａ向き」磁化に対して
は−θk度回転する。従って、光アナライザー（偏光
子）の軸を−θk度傾けた面に垂直にセットしておく
と、「逆Ａ向き」に磁化されたビット（Ｂ0）から反射
された光はアナライザーを透過することができない。そ
れに対して「Ａ向き」に磁化されたビット（Ｂ1）から
反射された光は、（sin2θk）2を乗じた分がアナライザ
ーを透過し、ディテクター（光電変換手段）に捕獲され
る。その結果、「Ａ向き」に磁化されたビット（Ｂ1）
は「逆Ａ向き」に磁化されたビット（Ｂ0）よりも明る
く見え、ディテクターに於いて強い電気信号を発生させ
る。このディテクターからの電気信号は、記録された情
報に従って変調されるので、情報が再生されるのであ
る。
ところで、記録ずみの媒体を再使用するには、（ｉ）
媒体を再び初期化装置で初期化するか、又は（ii）記録
装置に記録ヘッドと同様な消去ヘッドを併設するか、又
は（iii）予め、前段処理として記録装置又は消去装置
を用いて記録ずみ情報を消去する必要がある。
媒体を再び初期化装置で初期化するか、又は（ii）記録
装置に記録ヘッドと同様な消去ヘッドを併設するか、又
は（iii）予め、前段処理として記録装置又は消去装置
を用いて記録ずみ情報を消去する必要がある。
従って、光磁気記録方式では、これまで、記録ずみ情
報の有無にかかわらず新たな情報をその場で記録できる
オーバライトは、不可能とされていた。
報の有無にかかわらず新たな情報をその場で記録できる
オーバライトは、不可能とされていた。
もっとも、もし記録磁界（Hb）の向きを必要に応じて
「Ａ向き」と「逆Ａ向き」との間に自由に変えることが
できれば、オーバーライトが可能になる。しかしなが
ら、記録磁界（Hb）の向きを、高速度で変えることは不
可能である。例えば、記録磁界（Hb）印加手段が永久磁
石である場合には、磁石の向きを機械的に反転させる必
要がある。しかし、磁石の向きを高速で反転させること
は、無理である。記録磁界（Hb）印加手段が電磁石であ
る場合にも、大容量の電流の向きをそのように高速で変
えることは不可能である。
「Ａ向き」と「逆Ａ向き」との間に自由に変えることが
できれば、オーバーライトが可能になる。しかしなが
ら、記録磁界（Hb）の向きを、高速度で変えることは不
可能である。例えば、記録磁界（Hb）印加手段が永久磁
石である場合には、磁石の向きを機械的に反転させる必
要がある。しかし、磁石の向きを高速で反転させること
は、無理である。記録磁界（Hb）印加手段が電磁石であ
る場合にも、大容量の電流の向きをそのように高速で変
えることは不可能である。
先に、本発明者は、他の発明者と共に記録磁界（Hb）
の向きを変えずに、単に光を特定の２つの強度の間で情
報に従いパルス変調することによりオーバーライトが可
能な光磁気記録方法、記録装置及び記録媒体を発明し、
特許出願した（特願昭60-126775）。以下、この出願を
先願という。先願発明は、まだ公開されていないが、そ
の内容は次のようなものである。
の向きを変えずに、単に光を特定の２つの強度の間で情
報に従いパルス変調することによりオーバーライトが可
能な光磁気記録方法、記録装置及び記録媒体を発明し、
特許出願した（特願昭60-126775）。以下、この出願を
先願という。先願発明は、まだ公開されていないが、そ
の内容は次のようなものである。
記録方法の先願発明： 光磁気記録媒体の記録再生層に対して、情報を上向き
磁化を有するビットと下向き磁化を有するビットで記録
する光磁気記録方法において、 その方法が、 （ａ） 前記媒体として、垂直磁気異方性を有する第１
層を記録再生層とし垂直磁気異方性を有する第２層を記
録補助層とする多層光磁気記録媒体を使用すること； （ｂ） 前記媒体を移動させること； （ｃ） 初期補助磁界を印加することによって、記録す
る前までに、記録再生層の磁化はそのままにしておき、
記録補助層の磁化のみを、上向き又は下向きの何れか一
方に揃えておくこと； （ｄ） レーザービームを媒体に照射すること； （ｅ） 前記ビーム強度を記録すべき２値化情報に従い
パルス状に変調すること； （ｆ） 前記ビームを照射した時、照射部分に記録磁界
を印加すること； （ｇ） 前記パルス状ビームの強度が高レベルの時に上
向き磁化を有するビットと下向き磁化を有するビットの
何れか一方を形成させ、ビーム強度が低レベルの時に、
他方のビットを形成させること； からなるオーバーライト可能な光磁気記録方法。
磁化を有するビットと下向き磁化を有するビットで記録
する光磁気記録方法において、 その方法が、 （ａ） 前記媒体として、垂直磁気異方性を有する第１
層を記録再生層とし垂直磁気異方性を有する第２層を記
録補助層とする多層光磁気記録媒体を使用すること； （ｂ） 前記媒体を移動させること； （ｃ） 初期補助磁界を印加することによって、記録す
る前までに、記録再生層の磁化はそのままにしておき、
記録補助層の磁化のみを、上向き又は下向きの何れか一
方に揃えておくこと； （ｄ） レーザービームを媒体に照射すること； （ｅ） 前記ビーム強度を記録すべき２値化情報に従い
パルス状に変調すること； （ｆ） 前記ビームを照射した時、照射部分に記録磁界
を印加すること； （ｇ） 前記パルス状ビームの強度が高レベルの時に上
向き磁化を有するビットと下向き磁化を有するビットの
何れか一方を形成させ、ビーム強度が低レベルの時に、
他方のビットを形成させること； からなるオーバーライト可能な光磁気記録方法。
この方法では、レーザービームは、記録すべき情報に
従いパルス状に変調される。しかし、このこと自身は、
従来の光磁気記録でも行われており、記録すべき２値化
情報に従いビーム強度をパルス状に変調する手段は既知
の手段である。例えば、THE BELL SYSTEM TECHNICAL JO
URNAL,Vol.62（1983）,1923-1936に詳しく記載されてい
る。
従いパルス状に変調される。しかし、このこと自身は、
従来の光磁気記録でも行われており、記録すべき２値化
情報に従いビーム強度をパルス状に変調する手段は既知
の手段である。例えば、THE BELL SYSTEM TECHNICAL JO
URNAL,Vol.62（1983）,1923-1936に詳しく記載されてい
る。
先願発明に於いて特徴的なことの１つは、ビーム強度
の高レベルと低レベルである。即ち、ビーム強度が高レ
ベルの時に、記録磁界（Hb）により記録補助層の「Ａ向
き」磁化を「逆Ａ向き」に反転（reverse）させ、この
記録補助層の「逆Ａ向き」磁化によって記録再生層に
「逆Ａ向き」磁化〔又は「Ａ向き」磁化〕を有するビッ
トを形成する。ビーム強度が低レベルの時は、記録補助
層の「Ａ向き」磁化によって記録再生層に「Ａ向き」磁
化〔又は「逆Ａ向き」磁化〕を有するビットを形成す
る。
の高レベルと低レベルである。即ち、ビーム強度が高レ
ベルの時に、記録磁界（Hb）により記録補助層の「Ａ向
き」磁化を「逆Ａ向き」に反転（reverse）させ、この
記録補助層の「逆Ａ向き」磁化によって記録再生層に
「逆Ａ向き」磁化〔又は「Ａ向き」磁化〕を有するビッ
トを形成する。ビーム強度が低レベルの時は、記録補助
層の「Ａ向き」磁化によって記録再生層に「Ａ向き」磁
化〔又は「逆Ａ向き」磁化〕を有するビットを形成す
る。
必要な高レベルと低レベルが与えられれば、前述の文
献等に記載された変調手段を部分的に修正するだけで、
ビーム強度を先願発明に従い変調することは、当業者に
とって容易である。
献等に記載された変調手段を部分的に修正するだけで、
ビーム強度を先願発明に従い変調することは、当業者に
とって容易である。
なお、本明細書では、○○○〔又は△△△〕 という表現は、先に〔 〕の外の
○○○を読んだときには、以下の○○○〔又は△△△〕
のときにも、〔 〕の外の○○○を読むことにする。そ
れに対して先に○○○を読まずに〔 〕内の△△△の方
を選択して読んだときには、以下の○○○〔又は△△
△〕のときにも○○○を読まずに〔 〕内の△△△を読
むものとする。
○○○を読んだときには、以下の○○○〔又は△△△〕
のときにも、〔 〕の外の○○○を読むことにする。そ
れに対して先に○○○を読まずに〔 〕内の△△△の方
を選択して読んだときには、以下の○○○〔又は△△
△〕のときにも○○○を読まずに〔 〕内の△△△を読
むものとする。
すでに知られているように、記録をしない時にも、例
えば媒体における所定の記録場所をアクセスするために
レーザービームを非常な低レベル*で点灯することがあ
る。また、レーザービームを再生に兼用するときには、
非常な低レベル*の強度でレーザービームを点灯させる
ことがある。本発明においても、レーザービームの強度
をこの非常な低レベル*にすることもある。しかし、ビ
ットを形成するときの低レベルは、この非常な低レベル
*よりも高い。従って、例えば、先願発明におけるレー
ザービームの出力波形は、次の通りなる。
えば媒体における所定の記録場所をアクセスするために
レーザービームを非常な低レベル*で点灯することがあ
る。また、レーザービームを再生に兼用するときには、
非常な低レベル*の強度でレーザービームを点灯させる
ことがある。本発明においても、レーザービームの強度
をこの非常な低レベル*にすることもある。しかし、ビ
ットを形成するときの低レベルは、この非常な低レベル
*よりも高い。従って、例えば、先願発明におけるレー
ザービームの出力波形は、次の通りなる。
また、先願発明の明細書に具体的には開示しなかった
けれども、ビームを「近接した２本のビーム」とし、先
行ビームを低レベルで点灯して原則として変調せず、そ
れにより常に逆Ａ向き〔又はＡ向き」〕のビットを形成
し、−つまり、これで前の情報が消去される−、後行ビ
ームを高レベルと前記低レベルよりも低レベル（ゼロレ
ベルを含む）との間で情報に従いパルス変調することに
より、高レベルのときにのみＡ向き〔又は逆Ａ向き」〕
のビットを形成し、これにより記録することをしてもよ
い。
けれども、ビームを「近接した２本のビーム」とし、先
行ビームを低レベルで点灯して原則として変調せず、そ
れにより常に逆Ａ向き〔又はＡ向き」〕のビットを形成
し、−つまり、これで前の情報が消去される−、後行ビ
ームを高レベルと前記低レベルよりも低レベル（ゼロレ
ベルを含む）との間で情報に従いパルス変調することに
より、高レベルのときにのみＡ向き〔又は逆Ａ向き」〕
のビットを形成し、これにより記録することをしてもよ
い。
また、オーバーライト可能な光磁気記録装置の先願発
明の内容は、次のとおりである： 光磁気記録装置に於いて、その装置が、 （ａ） 光磁気記録媒体を移動させる手段； （ｂ） 初期補助磁界印加手段； （ｃ） レーザービーム光源； （ｄ） 記録すべき２値化情報に従いビーム強度を、 （１）上向き磁化を有するビットと下向き磁化を有する
ビットの何れか一方のビットを形成させるのに適当な温
度を媒体に与える高レベルと、（２）他方のビットを形
成させるのに適当な温度を媒体に与える低レベルとにパ
ルス状に変調する手段； （ｅ） 前記初期補助磁界印加手段と兼用されることが
あり得る記録磁界印加手段； からなるオーバーライト可能な装置。
明の内容は、次のとおりである： 光磁気記録装置に於いて、その装置が、 （ａ） 光磁気記録媒体を移動させる手段； （ｂ） 初期補助磁界印加手段； （ｃ） レーザービーム光源； （ｄ） 記録すべき２値化情報に従いビーム強度を、 （１）上向き磁化を有するビットと下向き磁化を有する
ビットの何れか一方のビットを形成させるのに適当な温
度を媒体に与える高レベルと、（２）他方のビットを形
成させるのに適当な温度を媒体に与える低レベルとにパ
ルス状に変調する手段； （ｅ） 前記初期補助磁界印加手段と兼用されることが
あり得る記録磁界印加手段； からなるオーバーライト可能な装置。
なお、先願発明に使用される変調手段は、ビーム強度
の高レベルと低レベルが与えられれば、従来の変調手段
を一部修正するだけで入手することができる。当業者に
とって、そのような修正は、ビーム強度の高レベルと低
レベルが与えられれば、容易であろう。
の高レベルと低レベルが与えられれば、従来の変調手段
を一部修正するだけで入手することができる。当業者に
とって、そのような修正は、ビーム強度の高レベルと低
レベルが与えられれば、容易であろう。
更にオーバーライト可能な光磁気記録媒体の先願発明
の内容は、次のとおりである： 垂直磁気異方性を有する第１層を記録再生層とし、垂
直磁気異方性を有する第２層を記録補助層とするオーバ
ーライト可能な多層光磁気記録媒体を提供する。
の内容は、次のとおりである： 垂直磁気異方性を有する第１層を記録再生層とし、垂
直磁気異方性を有する第２層を記録補助層とするオーバ
ーライト可能な多層光磁気記録媒体を提供する。
先願発明は、第１実施態様と第２実施態様とに大別さ
れる。いずれの実施態様においても、記録媒体は、多層
構造を有し、この構造は次のように分けられる。
れる。いずれの実施態様においても、記録媒体は、多層
構造を有し、この構造は次のように分けられる。
第１層は、室温で保磁力が高く磁化反転温度が低い記
録再生層である。第２層は第１層に比べ相対的に室温で
保磁力が低く磁化反転温度が高い記録補助層である。い
ずれも垂直磁化膜からなる。なお、第１層と第２層とも
に、それ自体多層膜から構成されていてもよい。場合に
より第１層と第２層との間に第３の層が存在していても
よい。更に第１層と第２層との間に明確な境界がなく、
一方から徐々に他方に変わってもよい。
録再生層である。第２層は第１層に比べ相対的に室温で
保磁力が低く磁化反転温度が高い記録補助層である。い
ずれも垂直磁化膜からなる。なお、第１層と第２層とも
に、それ自体多層膜から構成されていてもよい。場合に
より第１層と第２層との間に第３の層が存在していても
よい。更に第１層と第２層との間に明確な境界がなく、
一方から徐々に他方に変わってもよい。
第１実施態様では、第１層の保磁力をＨC1、第２層の
それをＨC2、第１層のキュリー点をＴC1、第２層のそれ
をＴC2、室温をＴR、低レベルのレーザービームを照射
した時の記録媒体の温度をＴL、高レベルのレーザービ
ームを照射した時のそれをＴH、第１層が受ける結合磁
界をＨD1、第２層が受ける結合磁界をＨD2とした場合、
記録媒体は、下記の式１を満足し、そして室温で式２〜
５を満足するものである。
それをＨC2、第１層のキュリー点をＴC1、第２層のそれ
をＴC2、室温をＴR、低レベルのレーザービームを照射
した時の記録媒体の温度をＴL、高レベルのレーザービ
ームを照射した時のそれをＴH、第１層が受ける結合磁
界をＨD1、第２層が受ける結合磁界をＨD2とした場合、
記録媒体は、下記の式１を満足し、そして室温で式２〜
５を満足するものである。
ＴR＜ＴC1ＴL＜ＴC2ＴH ……式１ ＨC1＞ＨC2＋|HD1ＨD2｜ ……式２ ＨC1＞ＨD1 ……式３ ＨC2＞ＨD2 ……式４ ＨC2＋ＨD2＜|Hini.|＜ＨC1±ＨD1 ……式５ 上記式中、符号「」は、等しいか又はほぼ等しいこ
とを表す。また上記式中、複合±，については、上段
が後述するＡ（antiparallel）タイプの媒体の場合であ
り、下段は後述するＰ（parallel）タイプの媒体の場合
である。なお、フェロ磁性体及び静磁結合した媒体はＰ
タイプに属する。
とを表す。また上記式中、複合±，については、上段
が後述するＡ（antiparallel）タイプの媒体の場合であ
り、下段は後述するＰ（parallel）タイプの媒体の場合
である。なお、フェロ磁性体及び静磁結合した媒体はＰ
タイプに属する。
つまり、保磁力と温度との関係をグラフで表すと、次
の如くなる。細線は第１層のそれを、太線は第２層のそ
れを表す。
の如くなる。細線は第１層のそれを、太線は第２層のそ
れを表す。
従って、この記録媒体に室温で初期補助磁界（Hin
i.）を印加すると、式５によれば、第１層の磁化の向き
は反転せずに第２層の磁化のみが反転する。そこで、記
録前に媒体に初期補助磁界（Hini.）を印加すると、第
２層のみを「Ａ向き」−ここでは「Ａ向き」を便宜的に
本明細書紙面において上向きの矢で示し、「逆Ａ向
き」を下向きの矢で示す−に磁化させることができ
る。そして、Hini.がゼロになっても、式４により、第
２層の磁化は再反転せずにそのまま保持される。
i.）を印加すると、式５によれば、第１層の磁化の向き
は反転せずに第２層の磁化のみが反転する。そこで、記
録前に媒体に初期補助磁界（Hini.）を印加すると、第
２層のみを「Ａ向き」−ここでは「Ａ向き」を便宜的に
本明細書紙面において上向きの矢で示し、「逆Ａ向
き」を下向きの矢で示す−に磁化させることができ
る。そして、Hini.がゼロになっても、式４により、第
２層の磁化は再反転せずにそのまま保持される。
初期補助磁界（Hini.）により第２層のみが、記録直
前まで「Ａ向き」に磁化されている状態を概念的に表
すと、次のようになる。
前まで「Ａ向き」に磁化されている状態を概念的に表
すと、次のようになる。
ここで、第１層における磁化の向き*は、それまでに
記録されていた情報を表わす。以下の説明においては、
向きに関係がないので、以下Ｘで示す。そして、上記の
表を簡単のために、次のように表す。
記録されていた情報を表わす。以下の説明においては、
向きに関係がないので、以下Ｘで示す。そして、上記の
表を簡単のために、次のように表す。
ここにおいて、高レベルのレーザービームを照射して
媒体温度をＴHに上昇させる。すると、ＴHはキュリー点
ＴC1より高温度なので第１層の磁化は消失してしまう。
更にＴHはキュリー点ＴC2付近なので第２層の磁化も全
く又はほぼ消失する。ここで、媒体の種類に応じて「Ａ
向き」又は「逆Ａ向き」の記録磁界（Hb）を印加する。
記録磁界（Hb）は、媒体自身からの浮遊磁界でもよい。
説明を簡単にするために「逆Ａ向き」の記録磁界（Hb）
を印加したとする。媒体は移動しているので、照射され
た部分は、レーザービームから直ぐに遠ざかり、空気で
冷却される。Hbの存在下で、媒体の温度が低下すると、
第２層の磁化は、Hbに従い、反転されて「逆Ａ向き」の
磁化となる（状態２H）。
媒体温度をＴHに上昇させる。すると、ＴHはキュリー点
ＴC1より高温度なので第１層の磁化は消失してしまう。
更にＴHはキュリー点ＴC2付近なので第２層の磁化も全
く又はほぼ消失する。ここで、媒体の種類に応じて「Ａ
向き」又は「逆Ａ向き」の記録磁界（Hb）を印加する。
記録磁界（Hb）は、媒体自身からの浮遊磁界でもよい。
説明を簡単にするために「逆Ａ向き」の記録磁界（Hb）
を印加したとする。媒体は移動しているので、照射され
た部分は、レーザービームから直ぐに遠ざかり、空気で
冷却される。Hbの存在下で、媒体の温度が低下すると、
第２層の磁化は、Hbに従い、反転されて「逆Ａ向き」の
磁化となる（状態２H）。
そして、さらに放冷が進み、媒体温度がＴC1より少し
下がると、再び第１層の磁化が現れる。その場合、磁気
的結合（交換結合ないし静磁結合）力のために、第１層
の磁化の向きは、第２層の磁化の向きの影響を受ける。
その結果、媒体に応じて（Ｐタイプの媒体の場合）又
は（Ａタイプの媒体の場合）が生じる。
下がると、再び第１層の磁化が現れる。その場合、磁気
的結合（交換結合ないし静磁結合）力のために、第１層
の磁化の向きは、第２層の磁化の向きの影響を受ける。
その結果、媒体に応じて（Ｐタイプの媒体の場合）又
は（Ａタイプの媒体の場合）が生じる。
この高レベルのレーザービームによる状態の変化をこ
こでは高温サイクルと呼ぶことにする。
こでは高温サイクルと呼ぶことにする。
次に、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度
をＴLに上昇させる。ＴLはキュリー点ＴC1付近なので第
１層の磁化は全く又はほぼ消失してしまうが、キュリー
点ＴC2よりは低温であるので第２層の磁化は消失しな
い。
をＴLに上昇させる。ＴLはキュリー点ＴC1付近なので第
１層の磁化は全く又はほぼ消失してしまうが、キュリー
点ＴC2よりは低温であるので第２層の磁化は消失しな
い。
ここでは、記録磁界（Hb）は、不要であるが、高速度
（短時間）でHbをON,OFFすることは不可能である。従っ
て、止むを得ず高温サイクルのときのままになってい
る。
（短時間）でHbをON,OFFすることは不可能である。従っ
て、止むを得ず高温サイクルのときのままになってい
る。
しかし、ＨC2はまだ大きいままなので、Hbによって第
２層の磁化が反転することはない。媒体は移動している
ので、照射された部分は、レーザービームから直ぐに遠
ざかり、空気で冷却される。冷却が進むと、再び第１層
の磁化が現れる。現れる磁化の向きは、磁気的結合力の
ために第２層の磁化の向きの影響を受ける。その結果、
媒体によって（Ｐタイプの場合）又は（Ａタイプの
場合）の磁化が出現する。この磁化は室温でも変わらな
い。
２層の磁化が反転することはない。媒体は移動している
ので、照射された部分は、レーザービームから直ぐに遠
ざかり、空気で冷却される。冷却が進むと、再び第１層
の磁化が現れる。現れる磁化の向きは、磁気的結合力の
ために第２層の磁化の向きの影響を受ける。その結果、
媒体によって（Ｐタイプの場合）又は（Ａタイプの
場合）の磁化が出現する。この磁化は室温でも変わらな
い。
この低レベルのレーザービームによる状態の変化をこ
こでは低温サイクルと呼ぶことにする。
こでは低温サイクルと呼ぶことにする。
以上、説明したように、第１層の磁化の向きがどうで
あれ、高温サイクルと低温サイクルとによって、互いに
反対向きの磁化又はを有するビットが形成される。
つまり、レーザービームを情報に従い高レベル（高温サ
イクル）と低レベル（低温サイクル）との間でパルス状
に変調することによりオーバーライトが可能となる。
あれ、高温サイクルと低温サイクルとによって、互いに
反対向きの磁化又はを有するビットが形成される。
つまり、レーザービームを情報に従い高レベル（高温サ
イクル）と低レベル（低温サイクル）との間でパルス状
に変調することによりオーバーライトが可能となる。
あるいは、前述のように先行ビームを低レベルで常時
点灯して低温サイクルで消去を行ない、後行ビームを情
報に従いパルス変調し、そのハイレベルのときに高温サ
イクルで記録を行ってもよい。
点灯して低温サイクルで消去を行ない、後行ビームを情
報に従いパルス変調し、そのハイレベルのときに高温サ
イクルで記録を行ってもよい。
なお、記録媒体は一般にディスク状であり、記録時、
媒体は回転される。そのため、記録された部分（ビッ
ト）は、１回転する間に再びHini.の作用を受け、その
結果、第２層の磁化は元の「Ａ向き」に揃えられる。
しかし、室温では、第２層の磁化の影響が第１層に及ぶ
ことはなく、そのため記録された情報は保持される。
媒体は回転される。そのため、記録された部分（ビッ
ト）は、１回転する間に再びHini.の作用を受け、その
結果、第２層の磁化は元の「Ａ向き」に揃えられる。
しかし、室温では、第２層の磁化の影響が第１層に及ぶ
ことはなく、そのため記録された情報は保持される。
そこで、第１層に直線偏光を照射すれば、その反射光
には情報が含まれているので、従来の光磁気記録媒体と
同様に情報が再生される。
には情報が含まれているので、従来の光磁気記録媒体と
同様に情報が再生される。
このような第１層及び第２層を構成する垂直磁化膜
は、補償温度を有せずキュリー点を有するフェロ磁性
体及びフェリ磁性体、並びに補償温度、キュリー点の
双方を有するフェリ磁性体の非晶質或いは結晶質からな
る群から選択される。
は、補償温度を有せずキュリー点を有するフェロ磁性
体及びフェリ磁性体、並びに補償温度、キュリー点の
双方を有するフェリ磁性体の非晶質或いは結晶質からな
る群から選択される。
以上の説明は、キュリー点を利用した第１実施態様の
説明である。それに対して第２実施態様は室温より高い
所定の温度に於いて低下したHcをを利用するものであ
る。第２実施態様は、第１実施態様におけるＴC1の代わ
りに第１層が第２層に磁気結合される温度ＴS1を使用
し、ＴC2の代わりに第２層がHbで反転する温度ＴS2を使
用すれば、第１実施態様と同様に説明される。
説明である。それに対して第２実施態様は室温より高い
所定の温度に於いて低下したHcをを利用するものであ
る。第２実施態様は、第１実施態様におけるＴC1の代わ
りに第１層が第２層に磁気結合される温度ＴS1を使用
し、ＴC2の代わりに第２層がHbで反転する温度ＴS2を使
用すれば、第１実施態様と同様に説明される。
第２実施態様では、第１層の保磁力をＨC1、第２層の
それをＨC2、第１層が第２層に磁気的に結合される温度
をＴS1とし、第２層の磁化がHbで反転する温度をＴS2、
室温をＴR、低レベルのレーザービームを照射した時の
媒体の温度をＴL、高レベルのレーザービームを照射し
た時のそれをＴH、第１層が受ける結合磁界をＨD1、第
２層が受ける結合磁界をＨD2とした場合、記録媒体は、
下記式６を満足し、かつ室温で式７〜10を満足するもの
である。
それをＨC2、第１層が第２層に磁気的に結合される温度
をＴS1とし、第２層の磁化がHbで反転する温度をＴS2、
室温をＴR、低レベルのレーザービームを照射した時の
媒体の温度をＴL、高レベルのレーザービームを照射し
た時のそれをＴH、第１層が受ける結合磁界をＨD1、第
２層が受ける結合磁界をＨD2とした場合、記録媒体は、
下記式６を満足し、かつ室温で式７〜10を満足するもの
である。
ＴR＜ＴS1ＴL＜ＴS2ＴH ……式６ ＨC1＞ＨC2＋|HD1ＨD2｜ ……式７ ＨC1＞ＨD1 ……式８ ＨC2＞ＨD2 ……式９ ＨC2＋ＨD2＜|Hini.|＜ＨC1±ＨD1 ……式10 上記式中、複合±，については、上段が後述するＡ
（antiparallel）タイプの媒体の場合であり、下段は後
述するＰ（parallel）タイプの媒体の場合である。
（antiparallel）タイプの媒体の場合であり、下段は後
述するＰ（parallel）タイプの媒体の場合である。
第１、第２実施態様ともに、第１層、第２層の双方が
遷移金属（例えばFe,Co）−重希土類金属（例えばGd,T
b,Dyその他）合金組成から選択された非晶質フェリ磁性
体である記録媒体が好ましい。
遷移金属（例えばFe,Co）−重希土類金属（例えばGd,T
b,Dyその他）合金組成から選択された非晶質フェリ磁性
体である記録媒体が好ましい。
第１層と第２層の双方とも、遷移金属（transition m
etal）−重希土類金属（heavy rare earth metal）合金
組成から選択された場合には、各合金としての外部に現
れる磁化の向き及び大きさは、合金内部の遷移金属原子
（以下、TMと略す）のスピン（spin）の向き及び大きさ
と重希土類金属原子（以下、REと略す）のスピンの向き
及び大きさとの関係で決まる。例えばTMのスピンの向き
及び大きさを点線のベクトルで表わし、REのスピンの
それを実線のベクトル↑で表し、合金全体の磁化の向き
及び大きさを二重実線のベクトルで表す。このとき、
ベクトルはベクトルとベクトル↑との和として表わ
される。ただし、合金の中ではTMスピンとREスピンとの
相互作用のためにベクトルとベクトル↑とは、向きが
必ず逆になっている。従って、と↑との和或いは↓と
との和は、両者の強度が等しいとき、合金のベクトル
はゼロ（つまり、外部に現れる磁化の大きさはゼロ）に
なる。このゼロになるときの合金組成は補償組成（comp
ensation composition）と呼ばれる。それ以外の組成の
ときには、合金は両スピンの強度差に等しい強度を有
し、いずれか大きい方のベクトルの向きに等しい向きを
有するベクトル（又は）を有する。このベクトルの
磁化が外部に現れる。例えば はとなり、 はとなる。
etal）−重希土類金属（heavy rare earth metal）合金
組成から選択された場合には、各合金としての外部に現
れる磁化の向き及び大きさは、合金内部の遷移金属原子
（以下、TMと略す）のスピン（spin）の向き及び大きさ
と重希土類金属原子（以下、REと略す）のスピンの向き
及び大きさとの関係で決まる。例えばTMのスピンの向き
及び大きさを点線のベクトルで表わし、REのスピンの
それを実線のベクトル↑で表し、合金全体の磁化の向き
及び大きさを二重実線のベクトルで表す。このとき、
ベクトルはベクトルとベクトル↑との和として表わ
される。ただし、合金の中ではTMスピンとREスピンとの
相互作用のためにベクトルとベクトル↑とは、向きが
必ず逆になっている。従って、と↑との和或いは↓と
との和は、両者の強度が等しいとき、合金のベクトル
はゼロ（つまり、外部に現れる磁化の大きさはゼロ）に
なる。このゼロになるときの合金組成は補償組成（comp
ensation composition）と呼ばれる。それ以外の組成の
ときには、合金は両スピンの強度差に等しい強度を有
し、いずれか大きい方のベクトルの向きに等しい向きを
有するベクトル（又は）を有する。このベクトルの
磁化が外部に現れる。例えば はとなり、 はとなる。
ある合金組成のTMスピンとREスピンの各ベクトルの強
度が、どちらか一方が大きいとき、その合金組成は、強
度の大きい方のスピン名をとって○○リッチ例えばREリ
ッチであると呼ばれる。
度が、どちらか一方が大きいとき、その合金組成は、強
度の大きい方のスピン名をとって○○リッチ例えばREリ
ッチであると呼ばれる。
第１層と第２層の両方について、TMリッチな組成とRE
リッチな組成とに分けられる。従って、縦軸座標に第１
層の組成を横軸座標に第２層の組成をとると、本発明の
媒体全体としては、種類を次の４象限に分類することが
できる。先に述べたＰタイプはＩ象限とIII象限に属す
るものであり、ＡタイプはII象限とIV象限に属するもの
である。
リッチな組成とに分けられる。従って、縦軸座標に第１
層の組成を横軸座標に第２層の組成をとると、本発明の
媒体全体としては、種類を次の４象限に分類することが
できる。先に述べたＰタイプはＩ象限とIII象限に属す
るものであり、ＡタイプはII象限とIV象限に属するもの
である。
〔縦横座標の交点は、両層の補償組成を表す。〕 一方、温度変化に対する保磁力の変化を見ると、キュ
リー点（保磁力ゼロの温度）に達する前に保磁力が一旦
無限大に増加してまた降下すると言う特性を持つ合金組
成がある。この無限大のときに相当する温度は補償温度
（Ｔcomp.）と呼ばれる。補償温度は、TMリッチの合金
組成においては、室温からキュリー点の間には存在しな
い。室温より下にある補償温度は、光磁気記録において
は無意味であるので、この明細書で補償温度とは室温か
らキュリー点の間に存在するものを言うことにする。
リー点（保磁力ゼロの温度）に達する前に保磁力が一旦
無限大に増加してまた降下すると言う特性を持つ合金組
成がある。この無限大のときに相当する温度は補償温度
（Ｔcomp.）と呼ばれる。補償温度は、TMリッチの合金
組成においては、室温からキュリー点の間には存在しな
い。室温より下にある補償温度は、光磁気記録において
は無意味であるので、この明細書で補償温度とは室温か
らキュリー点の間に存在するものを言うことにする。
第１層と第２層の補償温度の有無について分類する
と、媒体は４つのタイプに分類される。第１象限の媒体
は、４つ全部のタイプが含まれる。４つのタイプについ
て、「保磁力と温度との関係を表すグラフ」を書くと、
次の通りになる。なお、細線は第１層のそれであり、太
線は第２層のそれである。
と、媒体は４つのタイプに分類される。第１象限の媒体
は、４つ全部のタイプが含まれる。４つのタイプについ
て、「保磁力と温度との関係を表すグラフ」を書くと、
次の通りになる。なお、細線は第１層のそれであり、太
線は第２層のそれである。
ここで、第１層と第２層の両方についてREリッチかTM
リッチかで分け、かつ補償温度を持つか持たないかで分
けると、記録媒体は次の９クラスに分類される。
リッチかで分け、かつ補償温度を持つか持たないかで分
けると、記録媒体は次の９クラスに分類される。
〔発明が解決しようとする問題点〕 先願発明で使用される第１層（記録再生層）の材料と
しては、現在のところ入手可能な材料は、実はキュリー
点が低いため再生時にカー回転角θkが小さく、そのた
め再生した場合、C/N比が余り高くならないという問題
点があることが判明した。
しては、現在のところ入手可能な材料は、実はキュリー
点が低いため再生時にカー回転角θkが小さく、そのた
め再生した場合、C/N比が余り高くならないという問題
点があることが判明した。
従って、本発明の目的は、先願発明を改良してC/N比
を高くすることにある。
を高くすることにある。
一般的なディスク状の媒体を使用した場合、記述のよ
うに情報は第１層に記録され、第２層は１回転する間に
初期補助磁界Hini.によって元の例えば「Ａ向き」に揃
えられてしまうが、本発明者は、第２層（記録補助層）
に使用される材料が、現在のところ第１層の材料よりも
θkが大きい点に鑑み鋭意研究の結果、先願発明で使用
されるオーバーライト可能な光磁気記録媒体の中でも特
別のものを使用すれば、再生磁界を印加することにより
第１層に記録された情報を（第１層に記録された情報は
そのままにして）第２層に転写させることができ、この
情報を再生すれば、高いC/N比が得られることを見い出
し、本発明を成すに至った。
うに情報は第１層に記録され、第２層は１回転する間に
初期補助磁界Hini.によって元の例えば「Ａ向き」に揃
えられてしまうが、本発明者は、第２層（記録補助層）
に使用される材料が、現在のところ第１層の材料よりも
θkが大きい点に鑑み鋭意研究の結果、先願発明で使用
されるオーバーライト可能な光磁気記録媒体の中でも特
別のものを使用すれば、再生磁界を印加することにより
第１層に記録された情報を（第１層に記録された情報は
そのままにして）第２層に転写させることができ、この
情報を再生すれば、高いC/N比が得られることを見い出
し、本発明を成すに至った。
即ち、本発明は第１に、「情報が上向き磁化を有する
ビットと下向き磁化を有するビットの形で記録された垂
直磁気異方性を有する第１層と、垂直磁気異方性を有し
第１層の磁化の向きはそのままに磁化を所定の向きに揃
えることが可能な第２層を有するアンチパラレルタイプ
のディスク状多層光磁気記録媒体に対し、 前記第１層に記録された情報を第２層に転写させ、転
写された情報を再生することを特徴とする光磁気再生方
法」を提供する。
ビットと下向き磁化を有するビットの形で記録された垂
直磁気異方性を有する第１層と、垂直磁気異方性を有し
第１層の磁化の向きはそのままに磁化を所定の向きに揃
えることが可能な第２層を有するアンチパラレルタイプ
のディスク状多層光磁気記録媒体に対し、 前記第１層に記録された情報を第２層に転写させ、転
写された情報を再生することを特徴とする光磁気再生方
法」を提供する。
また、本願は第２に、「情報が上向き磁化を有するビ
ットと下向き磁化を有するビットの形で記録された垂直
磁気異方性を有する第１層と、垂直磁気異方性を有し第
１層の磁化の向きはそのままに磁化を所定の向きに揃え
ることが可能な第２層を有するアンチパラレルタイプの
ディスク状多層光磁気記録媒体」を提供する。
ットと下向き磁化を有するビットの形で記録された垂直
磁気異方性を有する第１層と、垂直磁気異方性を有し第
１層の磁化の向きはそのままに磁化を所定の向きに揃え
ることが可能な第２層を有するアンチパラレルタイプの
ディスク状多層光磁気記録媒体」を提供する。
先に説明したように先願発明では、初期補助磁界Hin
i.で第２層の磁化を「Ａ向き」に揃えたとすると、Ｐ
タイプの媒体の場合、記録直後は、次のような状態にな
っている。
i.で第２層の磁化を「Ａ向き」に揃えたとすると、Ｐ
タイプの媒体の場合、記録直後は、次のような状態にな
っている。
この状態10では、情報は第１層と第２層との両方に記
録されている。しかし、最も一般的なディスク状媒体の
場合、一回転する間に第２層の「逆Ａ向き」のビット
は再び初期補助磁界Hini.によって「Ａ向き」に反転
させられ、次のような状態となる。
録されている。しかし、最も一般的なディスク状媒体の
場合、一回転する間に第２層の「逆Ａ向き」のビット
は再び初期補助磁界Hini.によって「Ａ向き」に反転
させられ、次のような状態となる。
この状態11では、情報は第１層にのみ残されており、
従って、第１層にレーザービームを照射して情報を再生
することになる。
従って、第１層にレーザービームを照射して情報を再生
することになる。
ところで、この状態11では、第１層と第２層との間に
は−で示す磁壁が生じ、Ｐタイプ媒体の場合、多少不安
な状態となる。従って、この状態11をHini.とは逆向き
の再生磁界ＨRを印加することによって、元の安定な状
態： に戻すことは可能であって、そうすれば、記録は再び第
２層に転写されることになる。幸いなことに第２層はθ
kの大きな材料で作られていることが多いので、第２層
から再生すれば、C/N比が高くなる。また、情報は第１
層と第２層との両方に残されているので、２つのレーザ
ービーム及び再生手段を用いてそれぞれに電気信号に変
換した後、両者を足し合わせれば、より高いC/N比を得
ることも可能であり、１つのレーザービームと２つの再
生手段を用いて、第２層の反射光と両層の透過光をそれ
ぞれ電気信号に再生して両者を足し合わせれば、より高
いC/N比を得ることも可能である。
は−で示す磁壁が生じ、Ｐタイプ媒体の場合、多少不安
な状態となる。従って、この状態11をHini.とは逆向き
の再生磁界ＨRを印加することによって、元の安定な状
態： に戻すことは可能であって、そうすれば、記録は再び第
２層に転写されることになる。幸いなことに第２層はθ
kの大きな材料で作られていることが多いので、第２層
から再生すれば、C/N比が高くなる。また、情報は第１
層と第２層との両方に残されているので、２つのレーザ
ービーム及び再生手段を用いてそれぞれに電気信号に変
換した後、両者を足し合わせれば、より高いC/N比を得
ることも可能であり、１つのレーザービームと２つの再
生手段を用いて、第２層の反射光と両層の透過光をそれ
ぞれ電気信号に再生して両者を足し合わせれば、より高
いC/N比を得ることも可能である。
このことは、Ａタイプ媒体についても同様に説明され
る。
る。
従って、本発明では、先願発明に基づいて記録が終了
した後、ディスク状媒体をＨRで処理して状態10に戻し
た後、再生するのである。
した後、ディスク状媒体をＨRで処理して状態10に戻し
た後、再生するのである。
本発明では、第２層は記録補助層としての機能と再生
層としての機能を果たしており、第１層は記録層として
の記録のみを果たしている。
層としての機能を果たしており、第１層は記録層として
の記録のみを果たしている。
Ｐタイプの媒体は、室温で次のような磁気ヒステリシ
ス・カーブを有する。
ス・カーブを有する。
ヒステリシス・カーブの各ステージＳA〜ＳDにおける
媒体の磁化の様子を概念的に示すと次の通りである。
媒体の磁化の様子を概念的に示すと次の通りである。
そこで、今度は先願発明の記録方法における状態変化
をみると次のようになる。
をみると次のようになる。
この状態ＳDでHini.↑とは反対向きのＨR↓を印加す
ると、上記ヒステリシス・カーブに太線で示すミニヒス
テリシス・カーブに従って戻り、新しい状態ＳEが生ま
れる。これは状態ＳCと同じである。
ると、上記ヒステリシス・カーブに太線で示すミニヒス
テリシス・カーブに従って戻り、新しい状態ＳEが生ま
れる。これは状態ＳCと同じである。
注意しなければならないことは、再生磁界ＨRが大き
すぎると、「Ａ向き」磁化を有するビットの第２層が
反転させられて、新たな状態： が出現し、更に再生磁界ＨRが大きすぎると、「Ａ向
き」磁化を有するビットの第１層も反転させられて、
全てのビットが状態ＳC： に戻ってしまうことである。
すぎると、「Ａ向き」磁化を有するビットの第２層が
反転させられて、新たな状態： が出現し、更に再生磁界ＨRが大きすぎると、「Ａ向
き」磁化を有するビットの第１層も反転させられて、
全てのビットが状態ＳC： に戻ってしまうことである。
従って、再生磁界ＨRの大きさは、ヒステリシス・カ
ーブの下にで示すような所定の範囲内に限られる。
ーブの下にで示すような所定の範囲内に限られる。
つまり、式で示すと下記の通りである。
Ａタイプの媒体は、室温で次のような磁気ヒステリシ
ス・カーブを有する。
ス・カーブを有する。
ヒステリシス・カーブの各ステージＳA〜ＳDにおける
媒体の磁化の様子を概念的に示すと次の通りである。
媒体の磁化の様子を概念的に示すと次の通りである。
そこで、今度は先願発明の記録方法における状態変化
をみると次のようになる。
をみると次のようになる。
この状態ＳDでHini.↑とは反対向きのＨR↓を印加す
ると、上記ヒステリシス・カーブに太線で示すミニヒス
テリシス・カーブに従って戻り、新しい状態ＳEが生ま
れる。これは状態ＳCと同じである。
ると、上記ヒステリシス・カーブに太線で示すミニヒス
テリシス・カーブに従って戻り、新しい状態ＳEが生ま
れる。これは状態ＳCと同じである。
注意しなければならないことは、再生磁界ＨRが大き
すぎると、「Ａ向き」磁化を有するビットの第２層が
反転させられて、新たな状態： が出現し、更に再生磁界ＨRが大きすぎると、「Ａ向
き」磁化を有するビットの第１層も反転させられて、
全てのビットが状態ＳC： に戻ってしまうことである。
すぎると、「Ａ向き」磁化を有するビットの第２層が
反転させられて、新たな状態： が出現し、更に再生磁界ＨRが大きすぎると、「Ａ向
き」磁化を有するビットの第１層も反転させられて、
全てのビットが状態ＳC： に戻ってしまうことである。
従って、再生磁界Hini.の大きさは、ヒステリシス・
カーブの下にで示すような所定の範囲内に限られる。
カーブの下にで示すような所定の範囲内に限られる。
つまり、式で示すと下記の通りである。
ここで第１表に示したクラス１の記録媒体（Ｐタイプ
・Ｉ象限・タイプ１）に属する特定の媒体No.1を例にと
り、本発明の方法の原理について詳細に説明する。
・Ｉ象限・タイプ１）に属する特定の媒体No.1を例にと
り、本発明の方法の原理について詳細に説明する。
この媒体No.1は、次式11: ＴR＜Ｔcomp.1＜ＴC1ＴLＴcomp.2＜ＴC2ＴHの関
係を有する。この関係をグラフで示すと、次の如くな
る。細線は第１層のグラフを示し、太線は第２層のグラ
フを示す。
係を有する。この関係をグラフで示すと、次の如くな
る。細線は第１層のグラフを示し、太線は第２層のグラ
フを示す。
室温ＴRで第１層の磁化が初期補助磁界Hini.により反
転せずに第２層のみが反転する条件は、式12である。こ
の媒体No.1は式12を満足する。
転せずに第２層のみが反転する条件は、式12である。こ
の媒体No.1は式12を満足する。
ただし、ＨC1：第１層の保磁力 ＨC2：第２層の保磁力 ＭS1：第１層の飽和磁気モーメント （saturation magnetization） ＭS2：第２層の飽和磁気モーメント ｔ1 :第１層の膜厚 ｔ2 :第２層の膜厚 σW：界面磁壁エネルギー （interface well energy） このとき、Hini.の条件式は、式15で示される。Hini.
が無くなると、反転した第２層の磁化は交換結合力によ
り第１層の磁化の影響を受ける。それでも第２層の磁化
が再度反転せずに保持される条件は、式13〜14で示され
る。この媒体No.1は式13〜14を満足する。また、この媒
体は室温で式15の２を満足する。
が無くなると、反転した第２層の磁化は交換結合力によ
り第１層の磁化の影響を受ける。それでも第２層の磁化
が再度反転せずに保持される条件は、式13〜14で示され
る。この媒体No.1は式13〜14を満足する。また、この媒
体は室温で式15の２を満足する。
室温で式12〜14の条件を満足する記録媒体の第２層の
磁化は、記録の直前までに式15の条件を満足するHini.
により例えば「Ａ向き」 に揃えられる。このとき、第１層は記録状態のままで残
る（状態１）。
磁化は、記録の直前までに式15の条件を満足するHini.
により例えば「Ａ向き」 に揃えられる。このとき、第１層は記録状態のままで残
る（状態１）。
この状態１は記録直前まで保持される。ここでは記録磁
界（Hb）は の向きに印加される。
界（Hb）は の向きに印加される。
−高温サイクル− そして、高レベルのレーザービームを照射して媒体温
度をＴLに上昇させると、ＴLは第１層のキュリー点ＴC1
にほぼ等しいので、その磁化は消失する（状態２H）。
度をＴLに上昇させると、ＴLは第１層のキュリー点ＴC1
にほぼ等しいので、その磁化は消失する（状態２H）。
さらに照射を続けると、媒体の温度は更に上昇する。
媒体の温度が第２層のＴcomp.2より少し高い温度になっ
たとき、RE、TMの各スピンの方向は変わらないが、強度
の大小関係が逆転する そのため、第２層の磁化が反転し、「逆Ａ向き」の磁
化になる（状態３H）。
媒体の温度が第２層のＴcomp.2より少し高い温度になっ
たとき、RE、TMの各スピンの方向は変わらないが、強度
の大小関係が逆転する そのため、第２層の磁化が反転し、「逆Ａ向き」の磁
化になる（状態３H）。
しかし、この温度ではＨC2がまだ大きいので、 によって第２層の磁化が反転されることはない。さらに
温度が上昇し、ＴHになると、第２層の温度はほぼキュ
リー点ＴC2となり、第２層の磁化も消失する（状態
４H）。
温度が上昇し、ＴHになると、第２層の温度はほぼキュ
リー点ＴC2となり、第２層の磁化も消失する（状態
４H）。
この状態４Hにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体の温度は低下を始める。媒体の温度が
ＴC2より少し下がると、第２層に磁化が生じる。この場
合、 の磁化が生じる（状態５H）。しかし温度はまだＴC1よ
り高いので第１層には磁化は現れない。
ら外れると、媒体の温度は低下を始める。媒体の温度が
ＴC2より少し下がると、第２層に磁化が生じる。この場
合、 の磁化が生じる（状態５H）。しかし温度はまだＴC1よ
り高いので第１層には磁化は現れない。
そして、媒体の温度が更に下がり、Ｔcomp.2以下にな
ると、RE、TMの各スピンの方向は変わらないが、強度の
大小関係が逆転する その結果、合金全体の磁化は反転し、から「逆Ａ向
き」になる（状態６H）。
ると、RE、TMの各スピンの方向は変わらないが、強度の
大小関係が逆転する その結果、合金全体の磁化は反転し、から「逆Ａ向
き」になる（状態６H）。
この状態６Hでは媒体の温度はＴC1より高いので第１
層の磁化はまだ消失したままである。また、その温度で
のＨC2は大きいので第２層の磁化は、 で反転することはない。
層の磁化はまだ消失したままである。また、その温度で
のＨC2は大きいので第２層の磁化は、 で反転することはない。
そして、更に温度が低下してＴC1より少し下がると、
第１層に磁化が出現する。そのとき第２層からの交換結
合力がREスピン同士（↓）、TMスピン同士（）を揃え
るように働く。そして、第１層の温度はＴcomp.1以上な
のでTMスピンの方が大きく、そのため第１層には つまりの磁化が出現する。この状態が状態７Hであ
る。
第１層に磁化が出現する。そのとき第２層からの交換結
合力がREスピン同士（↓）、TMスピン同士（）を揃え
るように働く。そして、第１層の温度はＴcomp.1以上な
のでTMスピンの方が大きく、そのため第１層には つまりの磁化が出現する。この状態が状態７Hであ
る。
媒体の温度がこの状態７Hのときの温度から更に低下
して、Ｔcomp.1以下になると、第１層のREスピンとTMス
ピンの強度の大小関係の逆転が起こる その結果、の磁化が出現する（状態８H）。
して、Ｔcomp.1以下になると、第１層のREスピンとTMス
ピンの強度の大小関係の逆転が起こる その結果、の磁化が出現する（状態８H）。
そして、やがて媒体の温度は状態８Hのときの温度か
ら室温まで低下する。室温でのＨC1は十分に大きいので
第１層の磁化は によって反転されることなく、状態８Hが保持される。
こうして、「逆Ａ向き」のビット形成が完了する。
ら室温まで低下する。室温でのＨC1は十分に大きいので
第１層の磁化は によって反転されることなく、状態８Hが保持される。
こうして、「逆Ａ向き」のビット形成が完了する。
ところが、このビットは、媒体がディスク状であるた
め一回転する間にHini.↑の影響を再び受けて、 の状態となる。
め一回転する間にHini.↑の影響を再び受けて、 の状態となる。
そこで、再生時には、再生する前に式15の２を満足す
る再生磁界ＨRをHini.とは反対向き↓に印加する。そう
すると、 に戻る。そこで第２層にレーザービームを照射して再生
すると、第２層は第１層に比べθkが大きいのでC/N比が
高くなる。
る再生磁界ＨRをHini.とは反対向き↓に印加する。そう
すると、 に戻る。そこで第２層にレーザービームを照射して再生
すると、第２層は第１層に比べθkが大きいのでC/N比が
高くなる。
−低温サイクル− 一方、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度
をＴLに上昇させる。そうすると、ＴLは第１層のキュリ
ー点ＴC1にほぼ等しいので、第１層の磁化は消失する
（状態２L）。
をＴLに上昇させる。そうすると、ＴLは第１層のキュリ
ー点ＴC1にほぼ等しいので、第１層の磁化は消失する
（状態２L）。
この状態２Lに於いてレーザービームのスポット領域
から外れると、媒体温度は低下を始める。媒体温度がＴ
C1より少し下がると、第２層のRE,TMスピン の影響が交換結合力により第１層の各スピンに及ぶ。つ
まり、REスピン同士（↑）、TMスピン同士（）を揃え
る力が働く。その結果、第１層には、 即ちの磁化が記録磁界 に打ち勝って出現する（状態３L）。この状態の温度は
Ｔcomp.1以上なのでTMスピンの方が大きい。
から外れると、媒体温度は低下を始める。媒体温度がＴ
C1より少し下がると、第２層のRE,TMスピン の影響が交換結合力により第１層の各スピンに及ぶ。つ
まり、REスピン同士（↑）、TMスピン同士（）を揃え
る力が働く。その結果、第１層には、 即ちの磁化が記録磁界 に打ち勝って出現する（状態３L）。この状態の温度は
Ｔcomp.1以上なのでTMスピンの方が大きい。
媒体温度が更にＴcomp.1以下に冷えると高温サイクル
と同様に第１層のREスピンとTMスピンとの大小関係が逆
転する その結果、第１層の磁化はとなる（状態４L）。
と同様に第１層のREスピンとTMスピンとの大小関係が逆
転する その結果、第１層の磁化はとなる（状態４L）。
この状態４Lは媒体温度が室温まで下がっても保持さ
れる。その結果、「Ａ向き」のビット形成が完了す
る。
れる。その結果、「Ａ向き」のビット形成が完了す
る。
この状態は、再生時に再生磁界↓ＨRが印加されても
ＨRの大きさが式15の２で制限されているので変化する
ことはない。
ＨRの大きさが式15の２で制限されているので変化する
ことはない。
その結果、再生する前に再生磁界ＨRの印加処理を受
けた媒体は、第１層第２層ともに情報を保有しており、
従って、第２層にレーザービームを照射して再生するこ
とにより高いC/N比が得られる。
けた媒体は、第１層第２層ともに情報を保有しており、
従って、第２層にレーザービームを照射して再生するこ
とにより高いC/N比が得られる。
次に第１表に示したクラス２の記録媒体（Ｐタイプ・
Ｉ象限・タイプ２）に属する特定の媒体No.2を例にと
り、本発明の方法の原理について詳細に説明する。
Ｉ象限・タイプ２）に属する特定の媒体No.2を例にと
り、本発明の方法の原理について詳細に説明する。
この媒体No.2は、次式16: ＴR＜ＴC1ＴLＴcomp.2＜ＴC2ＴH の関係を有する。この関係をグラフで示すと、次の如く
なる。
なる。
室温ＴRで第１層の磁化が初期補助磁界Hini.により反
転せずに第２層の磁化のみが反転する条件は、式17であ
る。この媒体No.2は式17を満足する。
転せずに第２層の磁化のみが反転する条件は、式17であ
る。この媒体No.2は式17を満足する。
ただし、ＨC1：第１層の保磁力 ＨC2：第２層の保磁力 ＭS1：第１層の飽和磁気モーメント ＭS2：第２層の飽和磁気モーメント ｔ1 :第１層の膜厚 ｔ2 :第２層の膜厚 σW：界面磁壁エネルギー このとき、Hini.の条件式は、式20で示される。Hini.
が無くなると、反転した第２層の磁化は交換結合力によ
り第１層の磁化の影響を受ける。それでも第２層の磁化
が再度反転せずに保持される条件は、式18〜19で示され
る。この媒体No.2は式18〜19を満足する。また、この媒
体は室温で式20の２を満足する。
が無くなると、反転した第２層の磁化は交換結合力によ
り第１層の磁化の影響を受ける。それでも第２層の磁化
が再度反転せずに保持される条件は、式18〜19で示され
る。この媒体No.2は式18〜19を満足する。また、この媒
体は室温で式20の２を満足する。
室温で式17〜19の条件を満足する記録媒体の第２層の
磁化は、記録の直前までに式20の条件を満足するHini.
により例えば「Ａ向き」 に揃えられる。このとき、第１層は記録状態のままで残
る（状態１）。
磁化は、記録の直前までに式20の条件を満足するHini.
により例えば「Ａ向き」 に揃えられる。このとき、第１層は記録状態のままで残
る（状態１）。
この状態１は記録直前まで保持される。ここでは記録磁
界（Hb）は の向きに印加される。
界（Hb）は の向きに印加される。
−高温サイクル− そして、高レベルのレーザービームを照射して媒体温
度をＴLに上昇させると、ＴLは第１層のキュリー点ＴC1
にほぼ等しいので、その磁化は消失する（状態２H）。
度をＴLに上昇させると、ＴLは第１層のキュリー点ＴC1
にほぼ等しいので、その磁化は消失する（状態２H）。
さらに照射を続けると、媒体の温度は更に上昇する。
媒体の温度が第２層のＴcomp.2より少し高い温度になっ
たとき、RE、TMの各スピンの方向は変わらないが、強度
の大小関係が逆転する そのため、合金全体の磁化が反転し、「逆Ａ向き」の
磁化になる（状態３H）。
媒体の温度が第２層のＴcomp.2より少し高い温度になっ
たとき、RE、TMの各スピンの方向は変わらないが、強度
の大小関係が逆転する そのため、合金全体の磁化が反転し、「逆Ａ向き」の
磁化になる（状態３H）。
しかし、この温度ではＨC2がまだ大きいので、 によって第２層の磁化が反転されることはない。さらに
温度が上昇し、ＴHになると、第２層の温度はほぼキュ
リー点ＴC2となり、その磁化は消失する（状態４H）。
温度が上昇し、ＴHになると、第２層の温度はほぼキュ
リー点ＴC2となり、その磁化は消失する（状態４H）。
この状態４Hにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体の温度は低下を始める。媒体の温度が
ＴC2より少し下がると、第２層に磁化が生じる。この場
合、 の磁化が生じる。しかし温度はまだＴC1より高いので第
１層には磁化は現れない。この状態が状態５Hである。
ら外れると、媒体の温度は低下を始める。媒体の温度が
ＴC2より少し下がると、第２層に磁化が生じる。この場
合、 の磁化が生じる。しかし温度はまだＴC1より高いので第
１層には磁化は現れない。この状態が状態５Hである。
そして、媒体の温度が更に下がり、Ｔcomp.2以下にな
ると、RE、TMの各スピンの方向は変わらないが、強度の
大小関係が逆転する その結果、合金全体の磁化は反転してから「逆Ａ向
き」になる（状態６H）。
ると、RE、TMの各スピンの方向は変わらないが、強度の
大小関係が逆転する その結果、合金全体の磁化は反転してから「逆Ａ向
き」になる（状態６H）。
この状態６Hでは媒体の温度はＴC1より高いので第１
層の磁化はまだ消失したままである。また、その温度で
のＨC2は大きいので第２層の磁化が で反転することはない。
層の磁化はまだ消失したままである。また、その温度で
のＨC2は大きいので第２層の磁化が で反転することはない。
そして、更に温度が低下してＴC1より少し下がると、
第１層に磁化が出現する。そのとき第２層からの交換結
合力がREスピン同士（↓）、TMスピン同士（）を揃え
るように働く。そのため、第１層には つまりの磁化が出現する。この状態が状態７Hであ
る。
第１層に磁化が出現する。そのとき第２層からの交換結
合力がREスピン同士（↓）、TMスピン同士（）を揃え
るように働く。そのため、第１層には つまりの磁化が出現する。この状態が状態７Hであ
る。
そして、やがて媒体の温度は状態７Hのときの温度か
ら室温まで低下する。室温でのＨC1は十分に大きいので
第１層の磁化は によって反転されることなく、状態７Hが保持される。
こうして、「逆Ａ向き」のビット形成が完了する。
ら室温まで低下する。室温でのＨC1は十分に大きいので
第１層の磁化は によって反転されることなく、状態７Hが保持される。
こうして、「逆Ａ向き」のビット形成が完了する。
ところが、このビットは、媒体がディスク状であるた
め一回転する間にHini.↑の影響を再び受けて、 の状態となる。
め一回転する間にHini.↑の影響を再び受けて、 の状態となる。
そこで、再生時には、再生する前に式20の２を満足す
る再生磁界ＨRをHini.とは反対向き↓に印加する。そう
すると、 に戻る。そこで第２層にレーザービームを照射して再生
すると、第２層は第１層に比べθkが大きいのでC/N比が
高くなる。
る再生磁界ＨRをHini.とは反対向き↓に印加する。そう
すると、 に戻る。そこで第２層にレーザービームを照射して再生
すると、第２層は第１層に比べθkが大きいのでC/N比が
高くなる。
−低温サイクル− 一方、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度
をＴLに上昇させる。そうすると、ＴLは第１層のキュリ
ー点ＴC1にほぼ等しいので、その磁化は消失する（状態
２L）。
をＴLに上昇させる。そうすると、ＴLは第１層のキュリ
ー点ＴC1にほぼ等しいので、その磁化は消失する（状態
２L）。
この状態２Lに於いてレーザービームのスポット領域
から外れると、媒体温度は低下を始める。媒体温度がＴ
C1より少し下がると、第２層のRE,TMスピン の影響が交換結合力により第１層の各スピンに及ぶ。つ
まり、REスピン同士（↑）、TMスピン同士（）を揃え
る力が働く。その結果、第１層には、 即ちの磁化が出現する（状態３L）。
から外れると、媒体温度は低下を始める。媒体温度がＴ
C1より少し下がると、第２層のRE,TMスピン の影響が交換結合力により第１層の各スピンに及ぶ。つ
まり、REスピン同士（↑）、TMスピン同士（）を揃え
る力が働く。その結果、第１層には、 即ちの磁化が出現する（状態３L）。
この状態３Lは媒体温度が更に低下しても変化がな
い。その結果、第１層には、「Ａ向き」のビットが形成
される。
い。その結果、第１層には、「Ａ向き」のビットが形成
される。
この状態は、再生時に再生磁界↓ＨRが印加されても
ＨRの大きさが式20の２で制限されているので変化する
ことはない。
ＨRの大きさが式20の２で制限されているので変化する
ことはない。
その結果、再生する前に再生磁界ＨRの印加処理を受
けた媒体は、第１層第２層ともに情報を保有しており、
従って、第２層にレーザービームを照射して再生するこ
とにより高いC/N比が得られる。
けた媒体は、第１層第２層ともに情報を保有しており、
従って、第２層にレーザービームを照射して再生するこ
とにより高いC/N比が得られる。
次に第１表に示したクラス３の記録媒体（Ｐタイプ・
Ｉ象限・タイプ３）に属する特定の媒体No.3を例にと
り、本発明の方法の原理について詳細に説明する。
Ｉ象限・タイプ３）に属する特定の媒体No.3を例にと
り、本発明の方法の原理について詳細に説明する。
この媒体No.3は、次式21: ＴR＜Ｔcomp.1＜ＴC1ＴL＜ＴC2ＴH の関係を有する。この関係をグラフで示すと、次の如く
なる。
なる。
室温ＴRで第１層の磁化が初期補助磁界Hini.により反
転せずに第２層のみが反転する条件は、式22である。こ
の媒体No.3は式22を満足する。
転せずに第２層のみが反転する条件は、式22である。こ
の媒体No.3は式22を満足する。
ただし、ＨC1：第１層の保磁力 ＨC2：第２層の保磁力 ＭS1：第１層の飽和磁気モーメント ＭS2：第２層の飽和磁気モーメント ｔ1 :第１層の膜厚 ｔ2 :第２層の膜厚 σW：界面磁壁エネルギー このとき、Hini.の条件式は、式25で示される。Hini.
が無くなると、反転した第２層の磁化は交換結合力によ
り第１層の磁化の影響を受ける。それでも第２層の磁化
が再度反転せずに保持される条件は、式23〜24で示され
る。この媒体No.3は式23〜24を満足する。また、この媒
体は室温で式25の２を満足する。
が無くなると、反転した第２層の磁化は交換結合力によ
り第１層の磁化の影響を受ける。それでも第２層の磁化
が再度反転せずに保持される条件は、式23〜24で示され
る。この媒体No.3は式23〜24を満足する。また、この媒
体は室温で式25の２を満足する。
室温で式22〜24の条件を満足する記録媒体の第２層の
磁化は、記録の直前までに式25の条件を満足するHini.
により例えば「Ａ向き」 に揃えられる。このとき、第１層は記録状態のままで残
る（状態１）。
磁化は、記録の直前までに式25の条件を満足するHini.
により例えば「Ａ向き」 に揃えられる。このとき、第１層は記録状態のままで残
る（状態１）。
この状態１は記録直前まで保持される。ここでは、記録
磁界（Hb）は の向きに印加される。
磁界（Hb）は の向きに印加される。
−高温サイクル− そして、高レベルのレーザービームを照射して媒体温
度をＴLに上昇させると、ＴLは第１層のキュリー点ＴC1
にほぼ等しいので、その磁化は消失する（状態２H）。
度をＴLに上昇させると、ＴLは第１層のキュリー点ＴC1
にほぼ等しいので、その磁化は消失する（状態２H）。
さらにビームの照射が続き、媒体の温度がＴHとなる
と、ＴHは第２層のＴC2にほぼ等しいので、その磁化も
消失する（状態３H）。
と、ＴHは第２層のＴC2にほぼ等しいので、その磁化も
消失する（状態３H）。
この状態３Hにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。媒体の温度がＴ
C2より少し下がると、第２層に磁化が生じる。この場
合、 の磁化が生じる。しかし温度はまだＴC1より高いので第
１層には磁化は現れない。この状態が状態４Hである。
ら外れると、媒体温度は低下を始める。媒体の温度がＴ
C2より少し下がると、第２層に磁化が生じる。この場
合、 の磁化が生じる。しかし温度はまだＴC1より高いので第
１層には磁化は現れない。この状態が状態４Hである。
更に、媒体温度が低下してＴC1より少し下がると、第
１層にも磁化が出現する。この場合、第２層の磁化が交
換結合力により第１層に及ぶ。その結果、REスピン同士
（↓）、TMスピン同士（）を揃える力が働く。この場
合、媒体温度はまだＴcomp.1以上にあるので、TMスピン
の方がREスピンより大きくなる その結果、第２層にはの磁化が出現する（状態
５H）。
１層にも磁化が出現する。この場合、第２層の磁化が交
換結合力により第１層に及ぶ。その結果、REスピン同士
（↓）、TMスピン同士（）を揃える力が働く。この場
合、媒体温度はまだＴcomp.1以上にあるので、TMスピン
の方がREスピンより大きくなる その結果、第２層にはの磁化が出現する（状態
５H）。
この状態５Hの温度から、媒体温度が更に低下してＴ
comp.1以下になると、第１層のTMスピンとREスピンの強
度の大小関係が逆転する そのため、第１層の磁化が反転し、「逆Ａ向き」の磁
化になる（状態６H）。
comp.1以下になると、第１層のTMスピンとREスピンの強
度の大小関係が逆転する そのため、第１層の磁化が反転し、「逆Ａ向き」の磁
化になる（状態６H）。
そして、やがて媒体の温度は状態６Hのときの温度か
ら室温まで低下する。室温でのＨC1は十分に大きいので
第１層の磁化は、安定に保持される。こうして、「逆Ａ
向き」のビット形成が完了する。
ら室温まで低下する。室温でのＨC1は十分に大きいので
第１層の磁化は、安定に保持される。こうして、「逆Ａ
向き」のビット形成が完了する。
ところが、このビットは、媒体がディスク状であるた
め一回転する間にHini.↑の影響を再び受けて、 の状態となる。
め一回転する間にHini.↑の影響を再び受けて、 の状態となる。
そこで、再生時には、再生する前に式25の２を満足す
る再生磁界ＨRをHini.とは反対向き↓に印加する。そう
すると、 に戻る。そこで第２層にレーザービームを照射して再生
すると、第２層は第１層に比べθkが大きいのでC/N比が
高くなる。
る再生磁界ＨRをHini.とは反対向き↓に印加する。そう
すると、 に戻る。そこで第２層にレーザービームを照射して再生
すると、第２層は第１層に比べθkが大きいのでC/N比が
高くなる。
−低温サイクル− 一方、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度
をＴLに上昇させる。そうすると、ＴLは第１層のキュリ
ー点ＴC1にほぼ等しいので、その磁化は消失する。しか
し、この温度ではまだ第２層のＨC2は大きいので、第２
層の磁化は によって反転されることはない（状態２L）。
をＴLに上昇させる。そうすると、ＴLは第１層のキュリ
ー点ＴC1にほぼ等しいので、その磁化は消失する。しか
し、この温度ではまだ第２層のＨC2は大きいので、第２
層の磁化は によって反転されることはない（状態２L）。
この状態２Lにおいてレーザービームのスポット領域
から外れると、媒体温度は低下を始める。媒体温度がＴ
C1より少し下がると、第２層のRE,TMスピン の影響が交換結合力により第１層の各スピンに及ぶ。つ
まりREスピン同士（↑）、TMスピン同士（）を揃える
力が働く。その結果、第１層には、 即ちの磁化が出現する。この場合、温度はＴcomp.1以
上なのでTMスピンの方が大きくなる（状態３L）。
から外れると、媒体温度は低下を始める。媒体温度がＴ
C1より少し下がると、第２層のRE,TMスピン の影響が交換結合力により第１層の各スピンに及ぶ。つ
まりREスピン同士（↑）、TMスピン同士（）を揃える
力が働く。その結果、第１層には、 即ちの磁化が出現する。この場合、温度はＴcomp.1以
上なのでTMスピンの方が大きくなる（状態３L）。
媒体温度が更にＴcomp.1以下に冷えると高温サイクル
と同様に第１層のREスピンとTMスピンとの大小関係が逆
転する その結果、第１層の磁化は に打ち勝ってとなる（状態４L）。
と同様に第１層のREスピンとTMスピンとの大小関係が逆
転する その結果、第１層の磁化は に打ち勝ってとなる（状態４L）。
この状態４Lは媒体温度が室温まで下がっても保持さ
れる。その結果、「Ａ向き」のビット形成が完了す
る。
れる。その結果、「Ａ向き」のビット形成が完了す
る。
この状態は、再生時に再生磁界↓ＨRが印加されても
ＨRの大きさが式25の２で制限されているのいで変化す
ることはない。
ＨRの大きさが式25の２で制限されているのいで変化す
ることはない。
その結果、再生する前に再生磁界ＨRの印加処理を受
けた媒体は、第１層第２層ともに情報を保有しており、
従って、第２層にレーザービームを照射して再生するこ
とにより高いC/N比が得られる。
けた媒体は、第１層第２層ともに情報を保有しており、
従って、第２層にレーザービームを照射して再生するこ
とにより高いC/N比が得られる。
次に第１表に示したクラス４の記録媒体（Ｐタイプ・
Ｉ象限・タイプ４）に属する特定の媒体No.4を例にと
り、本発明の方法の原理について詳細に説明する。
Ｉ象限・タイプ４）に属する特定の媒体No.4を例にと
り、本発明の方法の原理について詳細に説明する。
この媒体No.4は、次式26: ＴR＜ＴC1ＴL＜ＴC2ＴH の関係を満足する。この関係をグラフで示すと、次の如
くなる。
くなる。
室温ＴRで第１層の磁化が初期補助磁界Hini.により反
転せずに第２層のみが反転する条件は、式27である。こ
の媒体No.4は式27を満足する。
転せずに第２層のみが反転する条件は、式27である。こ
の媒体No.4は式27を満足する。
ただし、ＨC1：第１層の保磁力 ＨC2：第２層の保磁力 ＭS1：第１層の飽和磁気モーメント ＭS2：第２層の飽和磁気モーメント ｔ1 :第１層の膜厚 ｔ2 :第２層の膜厚 σW：界面磁壁エネルギー このとき、Hini.の条件式は、式30で示される。Hini.
が無くなると、反転した第１層の磁化は交換結合力によ
り第１層の磁化の影響を受ける。それでも第２層の磁化
が再度反転せずに保持される条件は、式28〜29で示され
る。この媒体No.4は式28〜29を満足する。また、この媒
体は室温で式30の２を満足する。
が無くなると、反転した第１層の磁化は交換結合力によ
り第１層の磁化の影響を受ける。それでも第２層の磁化
が再度反転せずに保持される条件は、式28〜29で示され
る。この媒体No.4は式28〜29を満足する。また、この媒
体は室温で式30の２を満足する。
室温で式27〜29の条件を満足する記録媒体の第２層の
磁化は、記録の直前までに式30の条件を満足するHini.
により例えば「Ａ向き」 に揃えられる。このとき、第１層は記録状態のままで残
る（状態１）。
磁化は、記録の直前までに式30の条件を満足するHini.
により例えば「Ａ向き」 に揃えられる。このとき、第１層は記録状態のままで残
る（状態１）。
この状態１は記録直前まで保持される。ここでは、記録
磁界（Hb）は の向きに印加される。
磁界（Hb）は の向きに印加される。
−高温サイクル− そして、高レベルのレーザービームを照射して媒体温
度をＴLに上昇させると、ＴLは第１層のキュリー点ＴC1
にほぼ等しいので、その磁化は消失する（状態２H）。
度をＴLに上昇させると、ＴLは第１層のキュリー点ＴC1
にほぼ等しいので、その磁化は消失する（状態２H）。
ビームの照射が続いて、媒体の温度が更に上昇しＴH
になると、第２層の温度ＴHはキュリー点ＴC2にほぼ等
しいので、第２層の磁化も消失する。これが状態３Hで
ある。
になると、第２層の温度ＴHはキュリー点ＴC2にほぼ等
しいので、第２層の磁化も消失する。これが状態３Hで
ある。
この状態３Hにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体の温度は低下を始める。媒体の温度が
ＴC2より少し下がると、第２層の磁化が出現する。この
場合、 の磁化が生じる。しかし温度はＴC1より高いので第１層
には磁化が現れない。この状態が状態４Hである。
ら外れると、媒体の温度は低下を始める。媒体の温度が
ＴC2より少し下がると、第２層の磁化が出現する。この
場合、 の磁化が生じる。しかし温度はＴC1より高いので第１層
には磁化が現れない。この状態が状態４Hである。
そして、媒体温度が更に下がり、ＴC1より少し下がる
と、第１層に磁化が出現する。そのとき第２層からの交
換結合力がREスピン同士（↓）、TMスピン同士（）を
揃えるように働く。そのため第１層には つまりの磁化が出現する。この状態が状態５Hであ
る。
と、第１層に磁化が出現する。そのとき第２層からの交
換結合力がREスピン同士（↓）、TMスピン同士（）を
揃えるように働く。そのため第１層には つまりの磁化が出現する。この状態が状態５Hであ
る。
そして、やがて媒体の温度は状態５Hのときの温度か
ら室温まで低下する。室温でのＨC1は十分に大きいので
第１層の磁化は安定に保持される。こうして、「逆Ａ向
き」のビット形成が完了する。
ら室温まで低下する。室温でのＨC1は十分に大きいので
第１層の磁化は安定に保持される。こうして、「逆Ａ向
き」のビット形成が完了する。
ところが、このビットは、媒体がディスク状であるた
め一回転する間にHini.↑の影響を再び受けて、 の状態となる。
め一回転する間にHini.↑の影響を再び受けて、 の状態となる。
そこで、再生時には、再生する前に式30の２を満足す
再生磁界ＨRをHini.とは反対向き↓に印加する。そうす
ると、 に戻る。そこで第２層にレーザービームを照射して再生
すると、第２層は第１層に比べθkが大きいのでC/N比が
高くなる。
再生磁界ＨRをHini.とは反対向き↓に印加する。そうす
ると、 に戻る。そこで第２層にレーザービームを照射して再生
すると、第２層は第１層に比べθkが大きいのでC/N比が
高くなる。
−低温サイクル− 一方、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度
をＴLに上昇させる。そうすると、ＴLは第１層のキュリ
ー点ＴC1を越えているので、第１層の磁化は消失する。
この状態では、ＨC2はまだ十分に大きいので、第２層の
磁化は で反転することはない。この状態が状態２Lである。
をＴLに上昇させる。そうすると、ＴLは第１層のキュリ
ー点ＴC1を越えているので、第１層の磁化は消失する。
この状態では、ＨC2はまだ十分に大きいので、第２層の
磁化は で反転することはない。この状態が状態２Lである。
この状態２Lにおいてレーザービームのスポット領域
から外れると、媒体温度は低下を始める。媒体温度がＴ
C1より少し下がると、第２層のRE,TMスピン の影響が交換結合力により第１層の各スピンに及ぶ。つ
まり交換結合力はREスピン同士（↑）、TMスピン同士
（）を揃えるように働く。その結果、第１層には、 即ちの磁化が に打ち勝って出現する。この状態が状態３Lである。
から外れると、媒体温度は低下を始める。媒体温度がＴ
C1より少し下がると、第２層のRE,TMスピン の影響が交換結合力により第１層の各スピンに及ぶ。つ
まり交換結合力はREスピン同士（↑）、TMスピン同士
（）を揃えるように働く。その結果、第１層には、 即ちの磁化が に打ち勝って出現する。この状態が状態３Lである。
この状態３Lは媒体温度が室温まで下がっても保持さ
れる。その結果、「Ａ向き」のビット形成が完了す
る。
れる。その結果、「Ａ向き」のビット形成が完了す
る。
この状態は、再生時に再生磁界↓ＨRが印加されても
ＨRの大きさが式30の２で制限されているので、変化す
ることはない。
ＨRの大きさが式30の２で制限されているので、変化す
ることはない。
その結果、再生する前に再生磁界ＨRの印加処理を受
けた媒体は、第１層第２層共に情報を記録しており、第
２層にレーザービームを照射して再生することにより高
いC/N比が得られる。
けた媒体は、第１層第２層共に情報を記録しており、第
２層にレーザービームを照射して再生することにより高
いC/N比が得られる。
次に第１表に示したクラス５の記録媒体（Ａタイプ・
II象限・タイプ３）に属する特定の媒体No.5を例にと
り、本発明の方法の原理について詳細に説明する。
II象限・タイプ３）に属する特定の媒体No.5を例にと
り、本発明の方法の原理について詳細に説明する。
この媒体No.5は、次式31: ＴR＜Ｔcomp.1＜ＴC1ＴL＜ＴC2ＴH の関係を有する。この関係をグラフで示すと、次の如く
なる。
なる。
室温ＴRで第１層の磁化が初期補助磁界Hini.により反
転せずに第２層のみが反転する条件は、式32である。こ
の媒体No.5は式32を満足する。
転せずに第２層のみが反転する条件は、式32である。こ
の媒体No.5は式32を満足する。
ただし、ＨC1：第１層の保磁力 ＨC2：第２層の保磁力 ＭS1：第１層の飽和磁気モーメント ＭS2：第２層の飽和磁気モーメント ｔ1 :第１層の膜厚 ｔ2 :第２層の膜厚 σW：界面磁壁エネルギー このとき、Hini.の条件式は、式35で示される。Hini.
が無くなると、反転した第２層の磁化は交換結合力によ
り第１層の磁化の影響を受ける。それでも第２層の磁化
が再度反転せずに保持される条件は、式33〜34で示され
る。この媒体No.5は式33〜34を満足する。また、この媒
体は室温で式35の２を満足する。
が無くなると、反転した第２層の磁化は交換結合力によ
り第１層の磁化の影響を受ける。それでも第２層の磁化
が再度反転せずに保持される条件は、式33〜34で示され
る。この媒体No.5は式33〜34を満足する。また、この媒
体は室温で式35の２を満足する。
室温で式32〜34の条件を満足する記録媒体の第２層の
磁化は、記録の直前までに式35の条件を満足するHini.
により例えば「Ａ向き」 に揃えられる。このとき、第１層は記録状態のままで残
る（状態１）。
磁化は、記録の直前までに式35の条件を満足するHini.
により例えば「Ａ向き」 に揃えられる。このとき、第１層は記録状態のままで残
る（状態１）。
この状態１は記録直前まで保持される。ここでは、記録
磁界（Hb）は の向きに印加される。
磁界（Hb）は の向きに印加される。
−高温サイクル− そして、高レベルのレーザービームを照射して媒体温
度をＴLに上昇させると、ＴLは第１層のキュリー点ＴC1
にほぼ等しいので、その磁化は消失する（状態２H）。
度をＴLに上昇させると、ＴLは第１層のキュリー点ＴC1
にほぼ等しいので、その磁化は消失する（状態２H）。
さらにビームの照射が続き、媒体の温度がＴHとなる
と、ＴHはＴC2にほぼ等しいので、第２層の磁化も消失
する。（状態３H）。
と、ＴHはＴC2にほぼ等しいので、第２層の磁化も消失
する。（状態３H）。
この状態３Hにおいてレーザービームのスポット領域
から外れると、媒体温度は低下を始める。媒体の温度が
ＴC2より少し下がると、第２層の磁化が出現する。この
場合、 の磁化が出現る。しかし、温度はＴC1より高いので第１
層には磁化が現れない。この状態が状態４Hである。
から外れると、媒体温度は低下を始める。媒体の温度が
ＴC2より少し下がると、第２層の磁化が出現する。この
場合、 の磁化が出現る。しかし、温度はＴC1より高いので第１
層には磁化が現れない。この状態が状態４Hである。
更に、媒体温度が低下してＴC1より少し下がると、第
１層にも磁化が出現する。その場合、第２層の磁化が交
換結合力により第１層に及ぶ。その結果、REスピン同士
（↑）、TMスピン同士（）を揃える力が働く。この場
合、媒体温度はまだＴcomp.1以上にあるので、TMスピン
の方がREスピンより大きくなる その結果、第２層にはの磁化が出現する（状態
５H）。
１層にも磁化が出現する。その場合、第２層の磁化が交
換結合力により第１層に及ぶ。その結果、REスピン同士
（↑）、TMスピン同士（）を揃える力が働く。この場
合、媒体温度はまだＴcomp.1以上にあるので、TMスピン
の方がREスピンより大きくなる その結果、第２層にはの磁化が出現する（状態
５H）。
この状態５Hの温度から、媒体温度が更に低下してＴ
comp.1以下になると、第１層のTMスピンとREスピンの強
度の大小関係が逆転する そのため、第１層の磁化が反転し、「逆Ａ向き」の磁
化になる（状態６H）。
comp.1以下になると、第１層のTMスピンとREスピンの強
度の大小関係が逆転する そのため、第１層の磁化が反転し、「逆Ａ向き」の磁
化になる（状態６H）。
そして、やがて媒体の温度は状態６Hのときの温度か
ら室温まで低下する。室温でのＨC1は十分に大きいので
第１層の磁化は安定に保持される。こうして、「Ａ向
き」のビット形成が完了する。
ら室温まで低下する。室温でのＨC1は十分に大きいので
第１層の磁化は安定に保持される。こうして、「Ａ向
き」のビット形成が完了する。
ところが、このビットは、媒体がディスク状であるた
め一回転する間にHini.↑の影響を再び受けて、 の状態となる。
め一回転する間にHini.↑の影響を再び受けて、 の状態となる。
そこで、再生時には、再生する前に式35の２を満足す
再生磁界ＨRをHini.とは反対向き↓に印加する。そうす
ると、 に戻る。
再生磁界ＨRをHini.とは反対向き↓に印加する。そうす
ると、 に戻る。
−低温サイクル− 一方、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度
をＴLに上昇させる。そうすると、ＴLは第１層のキュリ
ー点ＴC1にほぼ等しいので、その磁化は消失する。しか
し、この温度ではまだ第２層のＨC2は大きいので、その
磁化は によって反転されることはない（状態２L）。
をＴLに上昇させる。そうすると、ＴLは第１層のキュリ
ー点ＴC1にほぼ等しいので、その磁化は消失する。しか
し、この温度ではまだ第２層のＨC2は大きいので、その
磁化は によって反転されることはない（状態２L）。
この状態２Lでビームの照射が終了すると、媒体温度
は降下し始める。媒体温度がＴC1より少し下がると、第
２層のRE,TMスピン の影響が交換結合力により第１層の各スピンに及ぶ。つ
まりREスピン同士（↓）、TMスピン同士（）を揃える
力が働く。その結果、第１層には、 に打ち勝って出現する。この場合、温度はＴcomp.1以上
なのでTMスピンの方が大きくなる（状態３L）。
は降下し始める。媒体温度がＴC1より少し下がると、第
２層のRE,TMスピン の影響が交換結合力により第１層の各スピンに及ぶ。つ
まりREスピン同士（↓）、TMスピン同士（）を揃える
力が働く。その結果、第１層には、 に打ち勝って出現する。この場合、温度はＴcomp.1以上
なのでTMスピンの方が大きくなる（状態３L）。
媒体温度が更にＴcomp.1以下に冷えると高温サイクル
と同様に第１層のREスピンとTMスピンとの大小関係が逆
転する その結果、第１層の磁化はとなる（状態４L）。
と同様に第１層のREスピンとTMスピンとの大小関係が逆
転する その結果、第１層の磁化はとなる（状態４L）。
この状態４Lは媒体温度が室温まで下がっても保持さ
れる。その結果、「逆Ａ向き」のビット形成が完了す
る。
れる。その結果、「逆Ａ向き」のビット形成が完了す
る。
この状態は、再生時に再生磁界ＨRが印加されても、
ＨRの大きさが式35の２で制限されているので変化する
ことはない。
ＨRの大きさが式35の２で制限されているので変化する
ことはない。
その結果、再生する前に再生磁界ＨRの印加処理を受
けた媒体は、第１層第２層共に情報を記録しており、第
２層にレーザービームを照射して再生することにより高
いC/N比が得られる。
けた媒体は、第１層第２層共に情報を記録しており、第
２層にレーザービームを照射して再生することにより高
いC/N比が得られる。
次に第１表に示したクラス６の記録媒体（Ａタイプ・
II象限・タイプ４）に属する特定の媒体No.6を例にと
り、本発明の方法の原理について詳細に説明する。
II象限・タイプ４）に属する特定の媒体No.6を例にと
り、本発明の方法の原理について詳細に説明する。
この媒体No.6は、次式36: ＴR＜ＴC1ＴL＜ＴC2ＴH の関係を満足する。この関係をグラフで示すと、次の如
くなる。
くなる。
室温ＴRで第１層の磁化が初期補助磁界Hini.により反
転せずに第２層のみが反転する条件は、式37である。こ
の媒体No.6は式37を満足する。
転せずに第２層のみが反転する条件は、式37である。こ
の媒体No.6は式37を満足する。
ただし、ＨC1：第１層の保磁力 ＨC2：第２層の保磁力 ＭS1：第１層の飽和磁気モーメント ＭS2：第２層の飽和磁気モーメント ｔ1 :第１層の膜厚 ｔ2 :第２層の膜厚 σW：界面磁壁エネルギー このとき、Hini.の条件式は、式40で示される。Hini.
が無くなると、反転した第２層の磁化は交換結合力によ
り第１層の磁化の影響を受ける。それでも第２層の磁化
が再度反転せずに保持される条件は、式38〜39で示され
る。この媒体No.6は式38〜39を満足する。また、この媒
体は、室温で式40の２を満足する。
が無くなると、反転した第２層の磁化は交換結合力によ
り第１層の磁化の影響を受ける。それでも第２層の磁化
が再度反転せずに保持される条件は、式38〜39で示され
る。この媒体No.6は式38〜39を満足する。また、この媒
体は、室温で式40の２を満足する。
室温で式37〜39の条件を満足する記録媒体の第２層の
磁化は、記録の直前までに式40の条件を満足するHini.
により例えば「Ａ向き」 に揃えられる。このとき、第１層は記録状態のままで残
る（状態１）。
磁化は、記録の直前までに式40の条件を満足するHini.
により例えば「Ａ向き」 に揃えられる。このとき、第１層は記録状態のままで残
る（状態１）。
この状態１は記録直前まで保持される。ここでは、記録
磁界（Hb）は の向きに印加される。
磁界（Hb）は の向きに印加される。
−高温サイクル− そして、高レベルのレーザービームを照射して媒体温
度をＴLに上昇させると、ＴLは第１層のキュリー点ＴC1
にほぼ等しいので、その磁化は消失する（状態２H）。
度をＴLに上昇させると、ＴLは第１層のキュリー点ＴC1
にほぼ等しいので、その磁化は消失する（状態２H）。
ビームの照射が続いて、媒体温度が更に上昇しＴHに
なると、第２層の温度ＴHはＴC2にほぼ等しいので、そ
の磁化も消失する。これが状態３Hである。
なると、第２層の温度ＴHはＴC2にほぼ等しいので、そ
の磁化も消失する。これが状態３Hである。
この状態３Hにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体の温度は低下し始める。媒体の温度が
ＴC2より少し下がると、第２層の磁化が出現する。この
場合、 の磁化が出現する。しかし、温度はＴC1より高いので第
１層には磁化が現れない。この状態が状態４Hである。
ら外れると、媒体の温度は低下し始める。媒体の温度が
ＴC2より少し下がると、第２層の磁化が出現する。この
場合、 の磁化が出現する。しかし、温度はＴC1より高いので第
１層には磁化が現れない。この状態が状態４Hである。
そして、媒体温度が更に下がり、ＴC1より少し下がる
と、第１層に磁化が出現する。そのとき第２層からの交
換結合力がREスピン同士（↑）、TMスピン同士（）を
揃えるように働く。そのため、第１層には に打ち勝って出現する。この状態が状態５Hである。
と、第１層に磁化が出現する。そのとき第２層からの交
換結合力がREスピン同士（↑）、TMスピン同士（）を
揃えるように働く。そのため、第１層には に打ち勝って出現する。この状態が状態５Hである。
そして、やがて媒体の温度は状態５Hのときの温度か
ら室温まで低下する。室温でのＨC1は十分に大きいので
第１層の磁化は安定に保持される。こうして、「Ａ向
き」のビット形成が完了する。
ら室温まで低下する。室温でのＨC1は十分に大きいので
第１層の磁化は安定に保持される。こうして、「Ａ向
き」のビット形成が完了する。
ところが、このビットは、媒体がディスク状であるた
め一回転する間にHini.↑の影響を再び受けて、 の状態となる。
め一回転する間にHini.↑の影響を再び受けて、 の状態となる。
そこで、再生時には、再生する前に式40の２を満足す
再生磁界ＨRをHini.とは反対向き↓に印加する。そうす
ると、 に戻る。
再生磁界ＨRをHini.とは反対向き↓に印加する。そうす
ると、 に戻る。
−低温サイクル− 一方、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度
をＴLに上昇させる。そうすると、ＴLは第１層のキュリ
ー点ＴC1にほぼ等しいので、その磁化は消失する。この
状態では、ＨC2はまだ十分に大きいので、第２層の磁化
は で反転することはない。この状態が状態２Lである。
をＴLに上昇させる。そうすると、ＴLは第１層のキュリ
ー点ＴC1にほぼ等しいので、その磁化は消失する。この
状態では、ＨC2はまだ十分に大きいので、第２層の磁化
は で反転することはない。この状態が状態２Lである。
この状態２Lにおいてレーザービームのスポット領域
から外れると、媒体温度は低下を始める。媒体温度がＴ
C1より少し下がると、第２層のRE,TMスピン の影響が交換結合力により第１層の各スピンに及ぶ。交
換結合力はREスピン同士（↓）、TMスピン同士（）を
揃えるように働く。その結果、第１層には、 即ちの磁化が出現する。この状態が状態３Lである。
から外れると、媒体温度は低下を始める。媒体温度がＴ
C1より少し下がると、第２層のRE,TMスピン の影響が交換結合力により第１層の各スピンに及ぶ。交
換結合力はREスピン同士（↓）、TMスピン同士（）を
揃えるように働く。その結果、第１層には、 即ちの磁化が出現する。この状態が状態３Lである。
この状態３Lは媒体温度が室温まで下がっても保持さ
れる。その結果、「逆Ａ向き」のビット形成が完了す
る。
れる。その結果、「逆Ａ向き」のビット形成が完了す
る。
この状態は、再生時に再生磁界↓ＨRが印加されて
も、ＨRの大きさが式40の２で制限されているので、変
化することはない。
も、ＨRの大きさが式40の２で制限されているので、変
化することはない。
その結果、再生する前に再生磁界ＨRの印加処理を受
けた媒体は、第１層第２層共に情報を記録しており、第
２層にレーザービームを照射して再生することにより高
いC/N比が得られる。
けた媒体は、第１層第２層共に情報を記録しており、第
２層にレーザービームを照射して再生することにより高
いC/N比が得られる。
次に第１表に示したクラス７の記録媒体（Ｐタイプ・
III象限・タイプ４）に属する特定の媒体No.7を例にと
り、本発明の方法の原理について詳細に説明する。
III象限・タイプ４）に属する特定の媒体No.7を例にと
り、本発明の方法の原理について詳細に説明する。
この媒体No.7は、次式41: ＴR＜ＴC1ＴL＜ＴC2ＴH の関係を満足する。この関係をグラフで示すと、次の如
くなる。
くなる。
室温ＴRで第１層の磁化が初期補助磁界Hini.により反
転せずに第２層のみが反転する条件は、式42である。こ
の媒体No.7は式42を満足する。
転せずに第２層のみが反転する条件は、式42である。こ
の媒体No.7は式42を満足する。
ただし、ＨC1：第１層の保磁力 ＨC2：第２層の保磁力 ＭS1：第１層の飽和磁気モーメント ＭS2：第２層の飽和磁気モーメント ｔ1 :第１層の膜厚 ｔ2 :第２層の膜厚 σW：界面磁壁エネルギー このとき、Hini.の条件式は、式45で示される。Hini.
が無くなると、反転した第２層の磁化は交換結合力によ
り第１層の磁化の影響を受ける。それでも第２層の磁化
が再度反転せずに保持される条件は、式43〜44で示され
る。この媒体No.7は式43〜44を満足する。また、この媒
体は室温で式45の２を満足する。
が無くなると、反転した第２層の磁化は交換結合力によ
り第１層の磁化の影響を受ける。それでも第２層の磁化
が再度反転せずに保持される条件は、式43〜44で示され
る。この媒体No.7は式43〜44を満足する。また、この媒
体は室温で式45の２を満足する。
室温で式42〜44の条件を満足する記録媒体の第２層の
磁化は、記録の直前までに式45の条件を満足するHini.
により例えば「Ａ向き」 に揃えられる。このとき、第１層は記録状態のままで残
る（状態１）。
磁化は、記録の直前までに式45の条件を満足するHini.
により例えば「Ａ向き」 に揃えられる。このとき、第１層は記録状態のままで残
る（状態１）。
この状態１は記録直前まで保持される。ここでは、記録
磁界（Hb）は の向きに印加される。
磁界（Hb）は の向きに印加される。
−高温サイクル− そして、高レベルのレーザービームを照射して媒体温
度をＴLに上昇させると、ＴLは第１層のキュリー点ＴC1
にほぼ等しいので、その磁化は消失する（状態２H）。
度をＴLに上昇させると、ＴLは第１層のキュリー点ＴC1
にほぼ等しいので、その磁化は消失する（状態２H）。
ビームの照射が続いて、媒体温度が更に上昇しＴHに
なると、第２層の温度ＴHはキュリー点ＴC2にほぼ等し
いので、その磁化も消失する。これが状態３Hである。
なると、第２層の温度ＴHはキュリー点ＴC2にほぼ等し
いので、その磁化も消失する。これが状態３Hである。
この状態３Hにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体の温度は低下し始める。媒体の温度が
ＴC2より少し下がると、第２層の磁化が出現する。この
場合、 の磁化が出現する。しかし、温度はまだＴC1より高いの
で第１層には磁化が現れない。この状態が状態４Hであ
る。
ら外れると、媒体の温度は低下し始める。媒体の温度が
ＴC2より少し下がると、第２層の磁化が出現する。この
場合、 の磁化が出現する。しかし、温度はまだＴC1より高いの
で第１層には磁化が現れない。この状態が状態４Hであ
る。
そして、媒体温度が更に下がり、ＴC1より少し下がる
と、第１層に磁化が出現する。そのとき第２層 からの交換結合力がREスピン同士（↑）、TMスピン同士
（）を揃えるように働く。そのため、第１層には つまりの磁化が出現する。この状態が状態５Hであ
る。
と、第１層に磁化が出現する。そのとき第２層 からの交換結合力がREスピン同士（↑）、TMスピン同士
（）を揃えるように働く。そのため、第１層には つまりの磁化が出現する。この状態が状態５Hであ
る。
そして、やがて媒体の温度は状態５Hのときの温度か
ら室温まで低下する。室温でのＨC1は十分に大きいので
第１層の磁化は安定に保持される。こうして、「逆Ａ向
き」のビット形成が完了する。
ら室温まで低下する。室温でのＨC1は十分に大きいので
第１層の磁化は安定に保持される。こうして、「逆Ａ向
き」のビット形成が完了する。
ところが、このビットは、媒体がディスク状であるた
め一回転する間にHini.↑の影響を再び受けて第２層が
反転し、 の状態となる。
め一回転する間にHini.↑の影響を再び受けて第２層が
反転し、 の状態となる。
そこで、再生時には、再生する前に式45の２を満足す
る再生磁界ＨRをHini.とは反対向き↓に印加する．そう
すると、 に戻る。
る再生磁界ＨRをHini.とは反対向き↓に印加する．そう
すると、 に戻る。
−低温サイクル− 一方、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度
をＴLに上昇させる。そうすると、ＴLは第１層のキュリ
ー点ＴC1にほぼ等しいので、その磁化は消失する。この
状態では、ＨC2はまだ十分に大きいので、第２層の磁化
は で反転することはない。この状態が状態２Lである。
をＴLに上昇させる。そうすると、ＴLは第１層のキュリ
ー点ＴC1にほぼ等しいので、その磁化は消失する。この
状態では、ＨC2はまだ十分に大きいので、第２層の磁化
は で反転することはない。この状態が状態２Lである。
この状態２Lにおいてレーザービームのスポット領域
から外れると、媒体温度は低下を始める。媒体温度がＴ
C1より少し下がると、第２層のRE,TMスピン の影響が交換結合力により第１層の各スピンに及ぶ。交
換結合力はREスピン同士（↓）、TMスピン同士（）を
揃えるように働く。その結果、第１層には、 即ちの磁化が に打ち勝って出現する。この状態が状態３Lである。
から外れると、媒体温度は低下を始める。媒体温度がＴ
C1より少し下がると、第２層のRE,TMスピン の影響が交換結合力により第１層の各スピンに及ぶ。交
換結合力はREスピン同士（↓）、TMスピン同士（）を
揃えるように働く。その結果、第１層には、 即ちの磁化が に打ち勝って出現する。この状態が状態３Lである。
この状態３Lは媒体温度が室温まで下がっても保持さ
れる。その結果、「Ａ向き」のビット形成が完了す
る。
れる。その結果、「Ａ向き」のビット形成が完了す
る。
この状態は、再生時に再生磁界ＨR↓が印加されても
ＨRの大きさは式45の２で制限されているので、変化す
ることはない。
ＨRの大きさは式45の２で制限されているので、変化す
ることはない。
その結果、再生する前に再生磁界ＨRの印加処理を受
けた媒体は、第１層第２層ともに情報を記録しており、
第２層にレーザービームを照射して再生することにより
高いC/N比が得られる。
けた媒体は、第１層第２層ともに情報を記録しており、
第２層にレーザービームを照射して再生することにより
高いC/N比が得られる。
次に第１表に示したクラス８の記録媒体（Ａタイプ・
IV象限・タイプ２）に属する特定の媒体No.8を例にと
り、本発明の方法の原理について詳細に説明する。
IV象限・タイプ２）に属する特定の媒体No.8を例にと
り、本発明の方法の原理について詳細に説明する。
この媒体No.8は、次式46: ＴR＜ＴC1ＴLＴcomp.2＜ＴC2ＴH の関係を有する。この関係をグラフで示すと、次の如く
なる。
なる。
室温ＴRで第１層の磁化が初期補助磁界Hini.により反
転せずに第２層のみが反転する条件は、式47である。こ
の媒体No.8は室温で式47を満足する。
転せずに第２層のみが反転する条件は、式47である。こ
の媒体No.8は室温で式47を満足する。
ただし、ＨC1：第１層の保磁力 ＨC2：第２層の保磁力 ＭS1：第１層の飽和磁気モーメント ＭS2：第２層の飽和磁気モーメント ｔ1 :第１層の膜厚 ｔ2 :第２層の膜厚 σW：界面磁壁エネルギー このとき、Hini.の条件式は、式50で示される。Hini.
が無くなると、反転した第２層の磁化は交換結合力によ
り第１層の磁化の影響を受ける。それでも第２層の磁化
が再度反転せずに保持される条件は、式48〜49で示され
る。この媒体No.8は式48〜49を満足する。また、この媒
体は室温で式50の２を満足する。
が無くなると、反転した第２層の磁化は交換結合力によ
り第１層の磁化の影響を受ける。それでも第２層の磁化
が再度反転せずに保持される条件は、式48〜49で示され
る。この媒体No.8は式48〜49を満足する。また、この媒
体は室温で式50の２を満足する。
室温で式47〜49の条件を満足する記録媒体の第２層の
磁化は、記録の直前までに式50の条件を満足するHini.
により例えば「Ａ向き」 に揃えられる。このとき、第１層は記録状態のままで残
る（状態１）。
磁化は、記録の直前までに式50の条件を満足するHini.
により例えば「Ａ向き」 に揃えられる。このとき、第１層は記録状態のままで残
る（状態１）。
この状態１は記録直前まで保持される。ここでは、記録
磁界（Hb）は の向きに印加される。
磁界（Hb）は の向きに印加される。
−高温サイクル− そして、高レベルのレーザービームを照射して媒体温
度をＴLに上昇させると、ＴLは第１層のキュリー点ＴC1
にほぼ等しいので、その磁化は消失する（状態２H）。
度をＴLに上昇させると、ＴLは第１層のキュリー点ＴC1
にほぼ等しいので、その磁化は消失する（状態２H）。
さらにビームの照射が続き、媒体温度がＴcomp.2より少
したかくなると、REスピン（↑）及びTMスピン（）の
向きは変わらずに、強度の大小関係が逆転する その結果、第２層の磁化は反転して「逆Ａ向き」とな
る。この状態が状態３Hである。
したかくなると、REスピン（↑）及びTMスピン（）の
向きは変わらずに、強度の大小関係が逆転する その結果、第２層の磁化は反転して「逆Ａ向き」とな
る。この状態が状態３Hである。
しかし、この温度ではＨC2がまだ大きいので、第２層
の磁化は で反転されることはない。更にビームの照射が続き、そ
のため媒体温度が更に上昇してＴHになったとする。す
ると、ＴHはＴC2にほぼ等しいので、第２層の磁化も消
失する（状態４H）。
の磁化は で反転されることはない。更にビームの照射が続き、そ
のため媒体温度が更に上昇してＴHになったとする。す
ると、ＴHはＴC2にほぼ等しいので、第２層の磁化も消
失する（状態４H）。
この状態４Hにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。媒体温度がＴC2
より少し下がると、第２層に磁化が生じる。この場合、 の磁化が出現する。しかし、温度はまだＴC1より高いの
で第１層には磁化が現れない。この状態が状態５Hであ
る。
ら外れると、媒体温度は低下を始める。媒体温度がＴC2
より少し下がると、第２層に磁化が生じる。この場合、 の磁化が出現する。しかし、温度はまだＴC1より高いの
で第１層には磁化が現れない。この状態が状態５Hであ
る。
さらに媒体温度が低下してＴcomp.2より少し下がる
と、REスピン（↓）及びTMスピン（）の向きは変わら
ずに、強度の大小関係が逆転する その結果、第２層の磁化は反転して「逆Ａ向き」とな
る。この状態では、ＨC2は既に相当大きくなっているの
で第２層の磁化は により反転されることはない。そして、温度はまだＴC1
より高いので第１層の磁化はまだ現れない。この状態が
状態６Hである。
と、REスピン（↓）及びTMスピン（）の向きは変わら
ずに、強度の大小関係が逆転する その結果、第２層の磁化は反転して「逆Ａ向き」とな
る。この状態では、ＨC2は既に相当大きくなっているの
で第２層の磁化は により反転されることはない。そして、温度はまだＴC1
より高いので第１層の磁化はまだ現れない。この状態が
状態６Hである。
更に、媒体温度が低下してＴC1より少し下がると、第
１層にも磁化が出現する。この場合、第２層の磁化 が交換結合力により第１層に及ぶ。その結果、REスピン
同士（↓）、TMスピン同士（）を揃える力が働く。そ
の結果、第１層には の磁化が出現する（状態７H）。
１層にも磁化が出現する。この場合、第２層の磁化 が交換結合力により第１層に及ぶ。その結果、REスピン
同士（↓）、TMスピン同士（）を揃える力が働く。そ
の結果、第１層には の磁化が出現する（状態７H）。
そして、やがて媒体の温度は状態７Hのときの温度か
ら室温まで低下する。室温でのＨC1は十分に大きいので
第１層の磁化は安定に保持される。こうして、「Ａ向
き」のビット形成が完了する。
ら室温まで低下する。室温でのＨC1は十分に大きいので
第１層の磁化は安定に保持される。こうして、「Ａ向
き」のビット形成が完了する。
ところが、このビットは、媒体がディスク状であるた
め一回転する間にHini.↑の影響を再び受けて、 の状態となる。
め一回転する間にHini.↑の影響を再び受けて、 の状態となる。
そこで、再生時には、再生する前に式50の２を満足す
る再生磁界ＨRをHini.とは反対向き↓に印加する。そう
すると、 の状態に戻る。
る再生磁界ＨRをHini.とは反対向き↓に印加する。そう
すると、 の状態に戻る。
−低温サイクル− 一方、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度
をＴLに上昇させる。そうすると、ＴLは第１層のキュリ
ー点ＴC1にほぼ等しいので、その磁化は消失する。しか
し、この温度ではまだ第２層のＨC2は大きいので、その
磁化は によって反転されることはない（状態２L）。
をＴLに上昇させる。そうすると、ＴLは第１層のキュリ
ー点ＴC1にほぼ等しいので、その磁化は消失する。しか
し、この温度ではまだ第２層のＨC2は大きいので、その
磁化は によって反転されることはない（状態２L）。
この状態２Lにおいてレーザービームのスポット領域
から外れると、媒体温度は低下を始める。媒体温度がＴ
C1より少し下がると、第２層のRE,TMスピン の影響が交換結合力により第１層の各スピンに及ぶ。つ
まりREスピン同士（↑）、TMスピン同士（）を揃える
力が働く。その結果、第１層には、 に打ち勝って出現する。この状態が状態３Lである。
から外れると、媒体温度は低下を始める。媒体温度がＴ
C1より少し下がると、第２層のRE,TMスピン の影響が交換結合力により第１層の各スピンに及ぶ。つ
まりREスピン同士（↑）、TMスピン同士（）を揃える
力が働く。その結果、第１層には、 に打ち勝って出現する。この状態が状態３Lである。
この状態３Lは媒体温度が室温まで下がっても保持さ
れる。その結果、「逆Ａ向き」のビット形成が完了す
る。
れる。その結果、「逆Ａ向き」のビット形成が完了す
る。
この状態は、再生時に再生磁界↓ＨRが印加されて
も、ＨRの大きさが式50の２で制限されているので、変
化することはない。
も、ＨRの大きさが式50の２で制限されているので、変
化することはない。
その結果、再生する前に再生磁界ＨRの印加処理を受
けた媒体は、第１層第２層共に情報を保持しており、第
２層にレーザービームを照射して再生することにより、
第１層から再生する場合よりも高いC/N比が得られる。
けた媒体は、第１層第２層共に情報を保持しており、第
２層にレーザービームを照射して再生することにより、
第１層から再生する場合よりも高いC/N比が得られる。
次に第１表に示したクラス９の記録媒体（Ａタイプ・
IV象限・タイプ４）に属する特定の媒体No.9を例にと
り、本発明の方法の原理について詳細に説明する。
IV象限・タイプ４）に属する特定の媒体No.9を例にと
り、本発明の方法の原理について詳細に説明する。
この媒体No.9は、次式51: ＴR＜ＴC1ＴL＜ＴC2ＴH の関係を満足する。この関係をグラフで示すと、次の如
くなる。
くなる。
室温ＴRで第１層の磁化が初期補助磁界Hini.により反
転せずに第２層のみが反転する条件は、式52である。こ
の媒体No.9は式52を満足する。
転せずに第２層のみが反転する条件は、式52である。こ
の媒体No.9は式52を満足する。
ただし、ＨC1：第１層の保磁力 ＨC2：第２層の保磁力 ＭS1：第１層の飽和磁気モーメント ＭS2：第２層の飽和磁気モーメント ｔ1 :第１層の膜厚 ｔ2 :第２層の膜厚 σW：界面磁壁エネルギー このとき、Hini.の条件式は、式55で示される。Hini.
が無くなると、反転した第２層の磁化は交換結合力によ
り第１層の磁化の影響を受ける。それでも第２層の磁化
が再度反転せずに保持される条件は、式53〜54で示され
る。この媒体No.9は式53〜54を満足する。また、この媒
体は室温で式55の２を満足する。
が無くなると、反転した第２層の磁化は交換結合力によ
り第１層の磁化の影響を受ける。それでも第２層の磁化
が再度反転せずに保持される条件は、式53〜54で示され
る。この媒体No.9は式53〜54を満足する。また、この媒
体は室温で式55の２を満足する。
室温で式52〜54の条件を満足する記録媒体の第２層の
磁化は、記録の直前までに式55の条件を満足するHini.
により例えば「Ａ向き」 に揃えられる。このとき、第１層は記録状態のままで残
る（状態１）。
磁化は、記録の直前までに式55の条件を満足するHini.
により例えば「Ａ向き」 に揃えられる。このとき、第１層は記録状態のままで残
る（状態１）。
この状態１は記録直前まで保持される。ここでは、記録
磁界（Hb）は の向きに印加される。
磁界（Hb）は の向きに印加される。
−高温サイクル− そして、高レベルのレーザービームを照射して媒体温
度をＴLに上昇させると、ＴLは第１層のキュリー点ＴC1
にほぼ等しいので、その磁化は消失する（状態２H）。
度をＴLに上昇させると、ＴLは第１層のキュリー点ＴC1
にほぼ等しいので、その磁化は消失する（状態２H）。
ビームの照射が続いて、媒体温度が更に上昇してＴH
になると、媒体特に第２層の温度ＴHはＴC2にほぼ等し
いので、その磁化も消失する。これが状態３Hである。
になると、媒体特に第２層の温度ＴHはＴC2にほぼ等し
いので、その磁化も消失する。これが状態３Hである。
この状態３Hにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体の温度は低下し始める。媒体の温度が
ＴC2より少し下がると、第２層の磁化が出現する。この
場合、 の磁化が出現する。しかし、この温度はまだＴC1より高
いので第１層には磁化は現れない。この状態が状態４H
である。
ら外れると、媒体の温度は低下し始める。媒体の温度が
ＴC2より少し下がると、第２層の磁化が出現する。この
場合、 の磁化が出現する。しかし、この温度はまだＴC1より高
いので第１層には磁化は現れない。この状態が状態４H
である。
そして、媒体温度が更に下がり、ＴC1より少し下がる
と、第１層に磁化が出現する。そのとき第２層 からの交換結合力がREスピン同士（↓）、TMスピン同士
（）を揃えるように働く。そのため第１層には つまりの磁化が に打ち勝って出現する。この状態が状態５Hである。
と、第１層に磁化が出現する。そのとき第２層 からの交換結合力がREスピン同士（↓）、TMスピン同士
（）を揃えるように働く。そのため第１層には つまりの磁化が に打ち勝って出現する。この状態が状態５Hである。
そして、やがて媒体の温度は状態５Hのときの温度か
ら室温まで低下する。室温でのＨC1は十分に大きいので
第１層の磁化は安定に保持される。こうして、「Ａ向
き」のビット形成が完了する。
ら室温まで低下する。室温でのＨC1は十分に大きいので
第１層の磁化は安定に保持される。こうして、「Ａ向
き」のビット形成が完了する。
ところが、このビットは、媒体がディスク状であるた
め一回転する間にHini.↑の影響を再び受けて、 の状態となる。
め一回転する間にHini.↑の影響を再び受けて、 の状態となる。
そこで、再生時には、再生する前に式55の２を満足す
る再生磁界ＨRをHini.とは反対向き↓に印加する。そう
すると、 に戻る。
る再生磁界ＨRをHini.とは反対向き↓に印加する。そう
すると、 に戻る。
−低温サイクル− 一方、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度
をＴLに上昇させる。そうすると、ＴLは第１層のキュリ
ー点ＴC1にほぼ等しいので、その磁化は消失する。この
状態では、ＨC2はまだ十分に大きいので、第２層の磁化
は で反転することはない。この状態が状態２Lである。
をＴLに上昇させる。そうすると、ＴLは第１層のキュリ
ー点ＴC1にほぼ等しいので、その磁化は消失する。この
状態では、ＨC2はまだ十分に大きいので、第２層の磁化
は で反転することはない。この状態が状態２Lである。
この状態２Lにおいてレーザービームのスポット領域
から外れると、媒体温度は低下を始める。媒体温度がＴ
C1より少し下がると、第２層のRE,TMスピン の影響が交換結合力により第１層の各スピンに及ぶ。交
換結合力はREスピン同士（↑）、TMスピン同士（）を
揃えるように働く。その結果、第１層には、 即ちの磁化が出現する。この状態が状態３Lある。
から外れると、媒体温度は低下を始める。媒体温度がＴ
C1より少し下がると、第２層のRE,TMスピン の影響が交換結合力により第１層の各スピンに及ぶ。交
換結合力はREスピン同士（↑）、TMスピン同士（）を
揃えるように働く。その結果、第１層には、 即ちの磁化が出現する。この状態が状態３Lある。
この状態３Lは媒体温度が室温まで下がっても保持さ
れる。その結果、「逆Ａ向き」のビット形成が完了す
る。
れる。その結果、「逆Ａ向き」のビット形成が完了す
る。
この状態は、再生時に再生磁界ＨR↓が印加されて
も、ＨRの大きさは式55の２で制限されているので、変
化することはない。
も、ＨRの大きさは式55の２で制限されているので、変
化することはない。
その結果、再生する前に再生磁界ＨRの印加処理を受
けた媒体は、第１層第２層ともに情報を記録しており、
第２層にレーザービームを照射して再生することにより
高いC/N比が得られる。
けた媒体は、第１層第２層ともに情報を記録しており、
第２層にレーザービームを照射して再生することにより
高いC/N比が得られる。
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本
発明はこれに限定されるものではない。
発明はこれに限定されるものではない。
（実施例１…………媒体No.1のうちの１つ） ２元の電子ビーム加熱真空蒸着装置を用い、下記第２
表に示す蒸発源を２個所に置く。
表に示す蒸発源を２個所に置く。
厚さ1.2mm、直径200mmのガラス基板を該装置のチャン
バー内にセットする。該装置のチャンバー内を一旦１×
10-6Torr.以下の真空度に排気する。その後、真空度を
１〜２×10-6Torr.に保持しながら、蒸着速度約３Å／
秒で、蒸着を行なう。これにより基板上に、厚さ2000Å
のGd24Tb3Fe73（注：添字の数字は、原子％）の第２層
（記録補助兼再生層）を形成する。続いて、真空状態を
保持したまま蒸発源を取り替える。そして、また蒸着を
行ない、第２層の上に厚さ1000ÅのGd14Dy12Fe74の第１
層（記録層）を形成する。第１及び第２層ともに垂直磁
化膜である。
バー内にセットする。該装置のチャンバー内を一旦１×
10-6Torr.以下の真空度に排気する。その後、真空度を
１〜２×10-6Torr.に保持しながら、蒸着速度約３Å／
秒で、蒸着を行なう。これにより基板上に、厚さ2000Å
のGd24Tb3Fe73（注：添字の数字は、原子％）の第２層
（記録補助兼再生層）を形成する。続いて、真空状態を
保持したまま蒸発源を取り替える。そして、また蒸着を
行ない、第２層の上に厚さ1000ÅのGd14Dy12Fe74の第１
層（記録層）を形成する。第１及び第２層ともに垂直磁
化膜である。
こうして、クラス１（Ｐタイプ・Ｉ象限・タイプ１）
属する２層光磁気記録媒体No.1が製造された。
属する２層光磁気記録媒体No.1が製造された。
この媒体の製造条件及び特性を下記第２表に示す。
この媒体は、ＴL＝170℃、ＴH＝230℃（実施例16参
照）とすれば、 式11: ＴR＜Ｔcomp.1＜ＴC1ＴLＴcomp.2＜ＴC2ＴH を満足している。また、式15に於いて、 であるので、初期補助磁界Hini.を600 Oeとすれば、式1
5を満足する。そうすれば、第１層の磁化は室温でHini.
によって反転されずに、第２層の磁化のみが反転され
る。
照）とすれば、 式11: ＴR＜Ｔcomp.1＜ＴC1ＴLＴcomp.2＜ＴC2ＴH を満足している。また、式15に於いて、 であるので、初期補助磁界Hini.を600 Oeとすれば、式1
5を満足する。そうすれば、第１層の磁化は室温でHini.
によって反転されずに、第２層の磁化のみが反転され
る。
更に、 を満足しているので、Hini.が取り去られても、第１層
第２層の磁化はそれぞれ保持される。
第２層の磁化はそれぞれ保持される。
従って、Hini.＝600 Oeの初期補助磁界を例えば「Ａ
向き」↑に印加し、Hb＝600 Oeの記録磁界を「Ａ向き」 に印加することによりオーバーライトが可能になる。
尚、HbとHini.の大きさ及び向きが等しいので、この場
合、それぞれの印加手段を１つに兼用した記録装置を使
用することができる。
向き」↑に印加し、Hb＝600 Oeの記録磁界を「Ａ向き」 に印加することによりオーバーライトが可能になる。
尚、HbとHini.の大きさ及び向きが等しいので、この場
合、それぞれの印加手段を１つに兼用した記録装置を使
用することができる。
記録直後に形成されたビットは、式15を満足するHin
i.によって第１層の磁化はそのままの向きで残るもの
の、第２層については「Ａ向き」に反転させられる。
i.によって第１層の磁化はそのままの向きで残るもの
の、第２層については「Ａ向き」に反転させられる。
そこで本発明では、再生する前にこの反転させられた
第２層の「Ａ向き」の磁化のみ（つまり、第１層の
のビットに対応するのみ）を再生磁界ＨR↓で再度
「逆Ａ向き」に反転させる。
第２層の「Ａ向き」の磁化のみ（つまり、第１層の
のビットに対応するのみ）を再生磁界ＨR↓で再度
「逆Ａ向き」に反転させる。
このとき、式15の２に於いて、 であるので、再生磁界ＨRを300 Oeとすれば、式15の２
が満足される。従って、ＨRにより第２層の「Ａ向き」
磁化（第１層ののビットに対応するのみ）が再反
転させられて、記録直後の状態：「逆Ａ向き」に戻っ
ても、第２層の「Ａ向き」磁化（第１層ののビット
に対応するのみ）は、反転させられない。
が満足される。従って、ＨRにより第２層の「Ａ向き」
磁化（第１層ののビットに対応するのみ）が再反
転させられて、記録直後の状態：「逆Ａ向き」に戻っ
ても、第２層の「Ａ向き」磁化（第１層ののビット
に対応するのみ）は、反転させられない。
このとき第１層はＨRの影響を受けない。
（実施例２…………媒体No.2のうちの１つ） 実施例１と同様に、基板上に厚さ2000ÅのGd24Tb3Fe
73の第２層及びその上に厚さ500ÅのTb27Fe73の第１層
を形成する。これにより、クラス２（Ｐタイプ・Ｉ象限
・タイプ２）に属する媒体No.2が製造された。
73の第２層及びその上に厚さ500ÅのTb27Fe73の第１層
を形成する。これにより、クラス２（Ｐタイプ・Ｉ象限
・タイプ２）に属する媒体No.2が製造された。
この媒体の製造条件及び特性を下記第３表に示す。
この媒体は、ＴL＝150℃、ＴH＝230℃（実施例17参
照）とすれば、 式16: ＴR＜ＴC1ＴLＴcomp.2＜ＴC2ＴH を満足している。また、式20に於いて、 であるので、初期補助磁界Hini.を600 Oeとすれば、式2
0を満足する。そうすれば、第１層の磁化は室温でHini.
によって反転されずに、第２層の磁化のみが反転され
る。
照）とすれば、 式16: ＴR＜ＴC1ＴLＴcomp.2＜ＴC2ＴH を満足している。また、式20に於いて、 であるので、初期補助磁界Hini.を600 Oeとすれば、式2
0を満足する。そうすれば、第１層の磁化は室温でHini.
によって反転されずに、第２層の磁化のみが反転され
る。
更に、 を満足しているので、Hini.が取り去られても、第１層
第２層の磁化はそれぞれ保持される。
第２層の磁化はそれぞれ保持される。
従って、Hini.＝600 Oeの初期補助磁界を例えば「Ａ
向き」↑に印加し、Hb＝600 Oeの記録磁界を「Ａ向き」 に印加することによりオーバーライトが可能になる。
尚、HbとHini.の大きさ及び向きが等しいので、この場
合、それぞれの印加手段を１つに兼用した記録装置を使
用することができる。
向き」↑に印加し、Hb＝600 Oeの記録磁界を「Ａ向き」 に印加することによりオーバーライトが可能になる。
尚、HbとHini.の大きさ及び向きが等しいので、この場
合、それぞれの印加手段を１つに兼用した記録装置を使
用することができる。
記録直後に形成されたビットは、式20を満足するHin
i.によって第１層の磁化はそのままの向きで残るもの
の、第２層については「Ａ向き」に反転させられる。
i.によって第１層の磁化はそのままの向きで残るもの
の、第２層については「Ａ向き」に反転させられる。
そこで本発明は、再生する前にこの反転させられた第
２層の「Ａ向き」の磁化のみ（つまり、第１ののビ
ットに対応するのみ）を再生磁界ＨR↓で再度「逆Ａ
向き」に反転させる。
２層の「Ａ向き」の磁化のみ（つまり、第１ののビ
ットに対応するのみ）を再生磁界ＨR↓で再度「逆Ａ
向き」に反転させる。
このとき、式20の２に於いて、 であるので、再生磁界ＨRを300 Oeとすれば、式20の２
が満足される。従って、ＨRにより第２層の「Ａ向き」
磁化（第１層ののビットに対応するのみ）が再反
転させられて、記録直後の状態：「逆Ａ向き」に戻っ
ても、第２層の「Ａ向き」磁化（第１層ののビット
に対応するのみ）は、反転させられない。
が満足される。従って、ＨRにより第２層の「Ａ向き」
磁化（第１層ののビットに対応するのみ）が再反
転させられて、記録直後の状態：「逆Ａ向き」に戻っ
ても、第２層の「Ａ向き」磁化（第１層ののビット
に対応するのみ）は、反転させられない。
このとき第１層はＨRの影響を受けない。
（実施例３…………媒体No.3のうちの１つ） 実施例１と同様に、基板上に厚さ1000ÅのTb28Fe65Co
7の第２層及びその上に厚さ500ÅのGd23Tb3Fe74の第１
層を形成する。これにより、クラス３（Ｐタイプ・Ｉ象
限・タイプ３）に属する媒体No.3が製造された。
7の第２層及びその上に厚さ500ÅのGd23Tb3Fe74の第１
層を形成する。これにより、クラス３（Ｐタイプ・Ｉ象
限・タイプ３）に属する媒体No.3が製造された。
この媒体の製造条件及び特性を下記第４表に示す。
この媒体は、ＴL＝170℃、ＴH＝220℃（実施例18参
照）とすれば、 式21: ＴR＜Ｔcomp.1＜ＴC1ＴL＜ＴC2ＴH を満足している。また、式25に於いて、 であるので、初期補助磁界Hini.を4000 Oeとすれば、式
25を満足する。そうすれば、第１層の磁化は室温でHin
i.によって反転されずに、第２層の磁化のみが反転され
る。
照）とすれば、 式21: ＴR＜Ｔcomp.1＜ＴC1ＴL＜ＴC2ＴH を満足している。また、式25に於いて、 であるので、初期補助磁界Hini.を4000 Oeとすれば、式
25を満足する。そうすれば、第１層の磁化は室温でHin
i.によって反転されずに、第２層の磁化のみが反転され
る。
更に、 を満足しているので、Hini.が取り去られても、第１層
第２層の磁化はそれぞれ保持される。
第２層の磁化はそれぞれ保持される。
従って、Hini.＝4000 Oeの初期補助磁界を例えば「Ａ
向き」↑に印加し、Hb＝300 Oeの記録磁界を「逆Ａ向
き」 に印加することによりオーバーライトが可能になる。
向き」↑に印加し、Hb＝300 Oeの記録磁界を「逆Ａ向
き」 に印加することによりオーバーライトが可能になる。
記録直後に形成されたビットは、式25を満足するHin
i.によって第１層の磁化はそのままの向きで残るもの
の、第２層については「Ａ向き」に反転させられる。
i.によって第１層の磁化はそのままの向きで残るもの
の、第２層については「Ａ向き」に反転させられる。
そこで本発明は、再生する前にこの反転させられた第
２層の「Ａ向き」の磁化のみ（つまり、第１層のの
ビットに対応するのみ）を再生磁界ＨR↓で再度「逆
Ａ向き」に反転させる。
２層の「Ａ向き」の磁化のみ（つまり、第１層のの
ビットに対応するのみ）を再生磁界ＨR↓で再度「逆
Ａ向き」に反転させる。
このとき、式25の２に於いて、 であるので、再生磁界ＨRを3000 Oeとすれば、式25の２
が満足される。従って、ＨRにより第２層の「Ａ向き」
磁化（第１層ののビットに対応するのみ）が再反
転させられて、記録直後の状態：「逆Ａ向き」に戻っ
ても、第２層の「Ａ向き」磁化（第１層ののビット
に対応するのみ）は、反転させられない。
が満足される。従って、ＨRにより第２層の「Ａ向き」
磁化（第１層ののビットに対応するのみ）が再反
転させられて、記録直後の状態：「逆Ａ向き」に戻っ
ても、第２層の「Ａ向き」磁化（第１層ののビット
に対応するのみ）は、反転させられない。
このとき第１層はＨRの影響を受けない。
（実施例４…………媒体No.4の一種） 実施例１と同様に、基板上に厚さ1000ÅのGd14Dy14Fe
72の第２層及びその上に厚さ1000ÅのTb13Dy13Fe74の第
１層を形成する。これによりクラス４（Ｐタイプ・Ｉ象
限・タイプ４）に属する２層磁気記録媒体No.4が製造さ
れた。
72の第２層及びその上に厚さ1000ÅのTb13Dy13Fe74の第
１層を形成する。これによりクラス４（Ｐタイプ・Ｉ象
限・タイプ４）に属する２層磁気記録媒体No.4が製造さ
れた。
このディスク状媒体の製造条件及び特性を下記第５表
に示す。
に示す。
この媒体は、ＴL＝120℃、ＴH＝160℃（実施例16参
照）とすれば、 式26: ＴR＜ＴC1ＴL＜ＴC2ＴH を満足している。また、式30に於いて、 であるので、初期補助磁界Hini.を4000 Oeとすれば、式
30を満足する。そうすれば、第１層の磁化は室温でHin
i.によって反転されずに、第２層の磁化のみが反転され
る。
照）とすれば、 式26: ＴR＜ＴC1ＴL＜ＴC2ＴH を満足している。また、式30に於いて、 であるので、初期補助磁界Hini.を4000 Oeとすれば、式
30を満足する。そうすれば、第１層の磁化は室温でHin
i.によって反転されずに、第２層の磁化のみが反転され
る。
更に、 を満足しているので、Hini.が取り去られても、第１層
第２層の磁化はそれぞれ保持される。
第２層の磁化はそれぞれ保持される。
従って、Hini.＝4000 Oeの初期補助磁界を例えば「Ａ
向き」↑に印加し、Hb＝300 Oeの記録磁界を「逆Ａ向
き」 に印加することによりオーバーライトが可能になる。
向き」↑に印加し、Hb＝300 Oeの記録磁界を「逆Ａ向
き」 に印加することによりオーバーライトが可能になる。
記録直後に形成されたビットは、式30を満足するHin
i.によって第１層の磁化はそのままの向きで残るもの
の、第２層については「Ａ向き」に反転させられる。
i.によって第１層の磁化はそのままの向きで残るもの
の、第２層については「Ａ向き」に反転させられる。
そこで、本発明では、再生する前にこの反転させられ
た第２層の「Ａ向き」磁化（第１層ののビットに対
応する第２層の磁化）のみを再生磁界ＨR↓で再度
「逆Ａ向き」に反転させる。
た第２層の「Ａ向き」磁化（第１層ののビットに対
応する第２層の磁化）のみを再生磁界ＨR↓で再度
「逆Ａ向き」に反転させる。
このとき、式30の２に於いて、 であるので、再生磁界ＨRを3000 Oeとすれば、式30の２
が満足される。従って、ＨRにより第２層の「Ａ向き」
磁化（第１層ののビットに対応するビットのみ）
が、再度反転されて記録直後の状態：「逆Ａ向き」に
戻っても、第２層の磁化（第１層ののビットに対応
するビットのみ）は、反転されない。
が満足される。従って、ＨRにより第２層の「Ａ向き」
磁化（第１層ののビットに対応するビットのみ）
が、再度反転されて記録直後の状態：「逆Ａ向き」に
戻っても、第２層の磁化（第１層ののビットに対応
するビットのみ）は、反転されない。
このとき第１層は影響を受けない。
（実施例５…………媒体No.5のうちの１つ） 実施例１と同様に、基板上に厚さ600ÅのTb18Fe74Co8
の第２層及びその上に厚さ500ÅのGd13Dy13Fe74の第１
層を形成する。これによりクラス５（Ｐタイプ・II象限
・タイプ３）に属する２層光磁気記録媒体No.5が製造さ
れた。
の第２層及びその上に厚さ500ÅのGd13Dy13Fe74の第１
層を形成する。これによりクラス５（Ｐタイプ・II象限
・タイプ３）に属する２層光磁気記録媒体No.5が製造さ
れた。
このディスク状媒体の製造条件及び特性を下記第６表
に示す。
に示す。
この媒体は、ＴL＝165℃、ＴH＝210℃（実施例20参
照）とすれば、 式31: ＴR＜Ｔcomp.1＜ＴC1ＴL＜ＴC2ＴH を満足している。また、式35に於いて、 であるので、初期補助磁界Hini.を4000 Oeとすれば、式
35を満足する。そうすれば、第１層の磁化は室温でHin
i.によって反転されずに、第２層の磁化のみが反転され
る。
照）とすれば、 式31: ＴR＜Ｔcomp.1＜ＴC1ＴL＜ＴC2ＴH を満足している。また、式35に於いて、 であるので、初期補助磁界Hini.を4000 Oeとすれば、式
35を満足する。そうすれば、第１層の磁化は室温でHin
i.によって反転されずに、第２層の磁化のみが反転され
る。
更に、 を満足しているので、Hini.が取り去られても、第１層
第２層の磁化はそれぞれ保持される。
第２層の磁化はそれぞれ保持される。
従って、Hini.＝4000 Oeの初期補助磁界を例えば「Ａ
向き」↑に印加し、Hb＝300 Oeの記録磁界を「逆Ａ向
き」 に印加することによりオーバーライトが可能になる。
向き」↑に印加し、Hb＝300 Oeの記録磁界を「逆Ａ向
き」 に印加することによりオーバーライトが可能になる。
記録直後に形成されたビットは、式35を満足するHin
i.によって第１層の磁化はそのままの向きで残るものの
第２層については「Ａ向き」に反転させられる。
i.によって第１層の磁化はそのままの向きで残るものの
第２層については「Ａ向き」に反転させられる。
そこで、本発明では、再生する前にこの反転させられ
た第２層の「Ａ向き」の磁化（第１層ののビットに
対応する第２層の磁化）のみを再生磁界ＨR↓で再度
「逆Ａ向き」に反転させる。
た第２層の「Ａ向き」の磁化（第１層ののビットに
対応する第２層の磁化）のみを再生磁界ＨR↓で再度
「逆Ａ向き」に反転させる。
このとき、式35の２に於いて、 であるので、再生磁界ＨRを3000 Oeとすれば、式35の２
が満足される。従って、ＨRにより第２層の「Ａ向き」
磁化（第１層ののビットに対応する磁化のみ）が、
再度反転されて記録直後の状態：「逆Ａ向き」に戻っ
ても、第２層の磁化（第１層ののビットに対応する
磁化のみ）は、反転されない。
が満足される。従って、ＨRにより第２層の「Ａ向き」
磁化（第１層ののビットに対応する磁化のみ）が、
再度反転されて記録直後の状態：「逆Ａ向き」に戻っ
ても、第２層の磁化（第１層ののビットに対応する
磁化のみ）は、反転されない。
このとき第１層は影響を受けない。
（実施例６…………媒体No.6の一種） ３元のRFマグネトロン・スパッタリング装置を用い、
下記第７表に示すターゲット:Tb,Fe,FeCo合金の３個を
置く。ターゲットは最初にTbとFeの２個（２元）を使用
し、次にTbとFeCo合金の２個（２元）を使用する。厚さ
1.2mm、直径200mmのガラス基板を該装置のチャンバー内
にセットする。
下記第７表に示すターゲット:Tb,Fe,FeCo合金の３個を
置く。ターゲットは最初にTbとFeの２個（２元）を使用
し、次にTbとFeCo合金の２個（２元）を使用する。厚さ
1.2mm、直径200mmのガラス基板を該装置のチャンバー内
にセットする。
該装置のチャンバー内を一旦７×10-7Torr.以下の真
空度に排気した後、Arガスを５×10-3Torr.導入する。
そして、堆積（deposition）速度約２Å／秒で、スパッ
タリングを行なう。これにより基板上に、厚さ1000Åの
Tb18Fe74Co8の第２層を形成する。続いて、真空状態を
保持したまま、ターゲットを変える。そして、またスパ
ッタリングを行ない、第２層の上に厚さ500ÅのTb27Fe
73の第１層を形成する。第１層第２層ともに垂直磁化膜
である。
空度に排気した後、Arガスを５×10-3Torr.導入する。
そして、堆積（deposition）速度約２Å／秒で、スパッ
タリングを行なう。これにより基板上に、厚さ1000Åの
Tb18Fe74Co8の第２層を形成する。続いて、真空状態を
保持したまま、ターゲットを変える。そして、またスパ
ッタリングを行ない、第２層の上に厚さ500ÅのTb27Fe
73の第１層を形成する。第１層第２層ともに垂直磁化膜
である。
こうして、クラス６（Ａタイプ・II象限・タイプ４）
に属する２層光磁気記録媒体No.6が製造された。
に属する２層光磁気記録媒体No.6が製造された。
このディスク状媒体の製造条件及び特性を下記第７表
に示す。
に示す。
この媒体は、ＴL＝155℃、ＴH＝220℃（実施例21参
照）とすれば、 式36: ＴR＜ＴC1ＴL＜ＴC2ＴH 及び を満足している。また、式40に於いて、 であるので、初期補助磁界Hini.を4000 Oeとすれば、式
40を満足する。そうすれば、第１層の磁化は室温でHin
i.によって反転されずに、第２層の磁化のみが反転され
る。
照）とすれば、 式36: ＴR＜ＴC1ＴL＜ＴC2ＴH 及び を満足している。また、式40に於いて、 であるので、初期補助磁界Hini.を4000 Oeとすれば、式
40を満足する。そうすれば、第１層の磁化は室温でHin
i.によって反転されずに、第２層の磁化のみが反転され
る。
更に、 を満足しているので、Hini.が取り去られても、層1a及
び層2aの磁化はそれぞれ保持される。
び層2aの磁化はそれぞれ保持される。
従って、Hini.＝4000 Oeの初期補助磁界を例えば「Ａ
向き」↑に印加し、Hb＝300 Oeの記録磁界を「逆Ａ向
き」 に印加することによりオーバーライトが可能になる。
向き」↑に印加し、Hb＝300 Oeの記録磁界を「逆Ａ向
き」 に印加することによりオーバーライトが可能になる。
記録直後に形成されたビットは、式40を満足するHin
i.によって第１層の磁化はそのままの向きで残るものの
第２層については「Ａ向き」に反転させられる。
i.によって第１層の磁化はそのままの向きで残るものの
第２層については「Ａ向き」に反転させられる。
そこで、本発明では、再生する前にこの反転させられ
た第２層の「Ａ向き」磁化（第１層ののビットに対
応するのビットのみ）を再生磁界ＨR↓で再度「逆Ａ
向き」に反転させる。このとき、式40の２に於いて、 であるので、再生磁界ＨRを3000 Oeとすれば、式40の２
が満足される。従って、ＨR↓により第２層の「Ａ向
き」磁化（第１層ののビットに対応するの磁化の
み）が、再度反転されて記録直後の状態：「逆Ａ向き」
に戻っても、第２層の磁化（第１層ののビットに
対応するの磁化のみ）は反転されない。このとき第１
層は影響を受けない。
た第２層の「Ａ向き」磁化（第１層ののビットに対
応するのビットのみ）を再生磁界ＨR↓で再度「逆Ａ
向き」に反転させる。このとき、式40の２に於いて、 であるので、再生磁界ＨRを3000 Oeとすれば、式40の２
が満足される。従って、ＨR↓により第２層の「Ａ向
き」磁化（第１層ののビットに対応するの磁化の
み）が、再度反転されて記録直後の状態：「逆Ａ向き」
に戻っても、第２層の磁化（第１層ののビットに
対応するの磁化のみ）は反転されない。このとき第１
層は影響を受けない。
（実施例７…………媒体No.7の一種） 実施例６と同様に、基板上に厚さ1000ÅのTb18Fe74Co
8の第２層及びその上に厚さ1000ÅのTb21Fe79の第１層
を形成する。これにより、クラス７（Ｐタイプ・III象
限・タイプ４）に属する媒体No.7が製造された。
8の第２層及びその上に厚さ1000ÅのTb21Fe79の第１層
を形成する。これにより、クラス７（Ｐタイプ・III象
限・タイプ４）に属する媒体No.7が製造された。
このディスク状媒体の製造条件及び特性を下記第８表
に示す。
に示す。
この媒体は、ＴL＝155℃、ＴH＝220℃（実施例22参
照）とすれば、 式41: ＴR＜ＴC1ＴL＜ＴC2ＴH を満足している。また、式45に於いて、 であるので、初期補助磁界Hini.を4000 Oeとすれば、式
45を満足する。そうすれば、第１層の磁化は室温でHin
i.によって反転されずに、第２層の磁化のみが反転され
る。
照）とすれば、 式41: ＴR＜ＴC1ＴL＜ＴC2ＴH を満足している。また、式45に於いて、 であるので、初期補助磁界Hini.を4000 Oeとすれば、式
45を満足する。そうすれば、第１層の磁化は室温でHin
i.によって反転されずに、第２層の磁化のみが反転され
る。
更に、 を満足しているので、Hini.が取り去られても、第１層
第２層の磁化はそれぞれ保持される。
第２層の磁化はそれぞれ保持される。
従って、Hini.＝4000 Oeの初期補助磁界を例えば「Ａ
向き」↑に印加し、Hb＝300 Oeの記録磁界を「逆Ａ向
き」 に印加することによりオーバーライトが可能になる。
向き」↑に印加し、Hb＝300 Oeの記録磁界を「逆Ａ向
き」 に印加することによりオーバーライトが可能になる。
記録直後に形成されたビットは、式45を満足するHin
i.によって第１層の磁化はそのままの向きで残るものの
第２層については「Ａ向き」に反転させられる。
i.によって第１層の磁化はそのままの向きで残るものの
第２層については「Ａ向き」に反転させられる。
そこで、本発明では、再生する前にこの反転させられ
た第２層の「Ａ向き」の磁化（第１層ののビットに
対応するのビットのみ）を再生磁界ＨR↓で再度「逆
Ａ向き」に反転させる。このとき、式45の２に於い
て、 であるので、再生磁界ＨRを3000 Oeとすれば、式45の２
が満足される。従って、↓ＨRにより第２層の「Ａ向
き」磁化（第１層ののビットに対応するのビット
のみ）が、再度反転されて記録直後の状態：「逆Ａ向
き」に戻っても、第２層の磁化（第１層ののビッ
トに対応するのビットのみ）は、反転されない。
た第２層の「Ａ向き」の磁化（第１層ののビットに
対応するのビットのみ）を再生磁界ＨR↓で再度「逆
Ａ向き」に反転させる。このとき、式45の２に於い
て、 であるので、再生磁界ＨRを3000 Oeとすれば、式45の２
が満足される。従って、↓ＨRにより第２層の「Ａ向
き」磁化（第１層ののビットに対応するのビット
のみ）が、再度反転されて記録直後の状態：「逆Ａ向
き」に戻っても、第２層の磁化（第１層ののビッ
トに対応するのビットのみ）は、反転されない。
このとき第１層は影響を受けない。
（実施例８…………媒体No.8の一種） 実施例６と同様に、基板上に厚さ2000ÅのGd24Tb3Fe
73の第２層及びその上に厚さ500ÅのTb21Fe79の第１層
を形成する。これにより、クラス８（Ａタイプ・IV象限
・タイプ２）に属する媒体No.8が製造された。
73の第２層及びその上に厚さ500ÅのTb21Fe79の第１層
を形成する。これにより、クラス８（Ａタイプ・IV象限
・タイプ２）に属する媒体No.8が製造された。
このディスク状媒体の製造条件及び特性を下記第９表
に示す。
に示す。
この媒体は、ＴL＝155℃、ＴH＝230℃（実施例23参
照）とすれば、 式46: ＴR＜ＴC1ＴLＴcomp.2＜ＴC2ＴH を満足している。また、式50に於いて、 であるので、初期補助磁界Hini.を800 Oeとすれば、式5
0を満足する。そうすれば、第１層の磁化は室温でHini.
によって反転されずに、第２層の磁化のみが反転され
る。
照）とすれば、 式46: ＴR＜ＴC1ＴLＴcomp.2＜ＴC2ＴH を満足している。また、式50に於いて、 であるので、初期補助磁界Hini.を800 Oeとすれば、式5
0を満足する。そうすれば、第１層の磁化は室温でHini.
によって反転されずに、第２層の磁化のみが反転され
る。
更に、 を満足しているので、Hini.が取り去られても、第１層
第２層の磁化はそれぞれ保持される。
第２層の磁化はそれぞれ保持される。
従って、Hini.＝800 Oeの初期補助磁界を例えば「Ａ
向き」↑に印加し、Hb＝800 Oeの記録磁界を「逆Ａ向
き」 に印加することによりオーバーライトが可能になる。
尚、HbとHini.の大きさ及び向きが等しいので、この場
合、それぞれの印加手段を１つに兼用した記録装置を使
用することができる。
向き」↑に印加し、Hb＝800 Oeの記録磁界を「逆Ａ向
き」 に印加することによりオーバーライトが可能になる。
尚、HbとHini.の大きさ及び向きが等しいので、この場
合、それぞれの印加手段を１つに兼用した記録装置を使
用することができる。
記録直後に形成されたビットは、式50を満足するHin
i.によって第１層の磁化はそのままの向きで残るものの
第２層については「Ａ向き」に反転させられる。
i.によって第１層の磁化はそのままの向きで残るものの
第２層については「Ａ向き」に反転させられる。
そこで、本発明では、再生する前にこの反転させられ
た第２層の「Ａ向き」磁化（第１層ののビットに対
応するのビットのみ）を再生磁界ＨR↓で再度「逆Ａ
向き」に反転させる。このとき、式50の２に於いて、 であるので、再生磁界ＨRを300 Oeとすれば、式50の２
が満足される。従って、↓ＨRにより第２層の「Ａ向
き」磁化（第１層ののビットに対応するの磁化の
み）が、再度反転されて記録直後の状態：「逆Ａ向き」
に戻っても、第２層の磁化（第１層ののビットに
対応するの磁化のみ）は、反転されない。
た第２層の「Ａ向き」磁化（第１層ののビットに対
応するのビットのみ）を再生磁界ＨR↓で再度「逆Ａ
向き」に反転させる。このとき、式50の２に於いて、 であるので、再生磁界ＨRを300 Oeとすれば、式50の２
が満足される。従って、↓ＨRにより第２層の「Ａ向
き」磁化（第１層ののビットに対応するの磁化の
み）が、再度反転されて記録直後の状態：「逆Ａ向き」
に戻っても、第２層の磁化（第１層ののビットに
対応するの磁化のみ）は、反転されない。
このとき第１層は影響を受けない。
（実施例９…………媒体No.9の一種） 実施例１と同様に、基板上に厚さ500ÅのTb29Fe61Co
10の第２層及びその上に厚さ1000ÅのGd4Tb19Fe77の第
１層を形成する。これにより、クラス９（Ａタイプ・IV
象限・タイプ４）に属する媒体No.9が製造された。
10の第２層及びその上に厚さ1000ÅのGd4Tb19Fe77の第
１層を形成する。これにより、クラス９（Ａタイプ・IV
象限・タイプ４）に属する媒体No.9が製造された。
この媒体の製造条件及び特性を下記第10表に示す。
この媒体は、ＴL＝170℃、ＴH＝220℃（実施例24参
照）とすれば、 式51: ＴR＜ＴC1ＴL＜ＴC2ＴH を満足している。また、式55に於いて、 であるので、初期補助磁界Hini.を4000 Oeとすれば、式
55を満足する。そうすれば、第１層の磁化は室温でHin
i.によって反転されずに、第２層の磁化のみが反転され
る。
照）とすれば、 式51: ＴR＜ＴC1ＴL＜ＴC2ＴH を満足している。また、式55に於いて、 であるので、初期補助磁界Hini.を4000 Oeとすれば、式
55を満足する。そうすれば、第１層の磁化は室温でHin
i.によって反転されずに、第２層の磁化のみが反転され
る。
更に、 を満足しているので、Hini.が取り去られても、第１層
第２層の磁化はそれぞれ保持される。
第２層の磁化はそれぞれ保持される。
従って、Hini.＝4000 Oeの初期補助磁界を例えば「Ａ
向き」↑に印加し、Hb＝300 Oeの記録磁界を「逆Ａ向
き」 に印加することによりオーバーライトが可能になる。
向き」↑に印加し、Hb＝300 Oeの記録磁界を「逆Ａ向
き」 に印加することによりオーバーライトが可能になる。
記録直後に形成されたビットは、式55を満足するHin
i.によって第１層の磁化はそのままの向きで残るものの
第２層については「Ａ向き」に反転させられる。
i.によって第１層の磁化はそのままの向きで残るものの
第２層については「Ａ向き」に反転させられる。
そこで、本発明では、再生する前にこの反転させられ
た第２層の「Ａ向き」磁化（第１層ののビットに対
応する磁化のみ）を再生磁界ＨR↓で再度「逆Ａ向き」
に反転させる。このとき、式55の２に於いて、 であるので、再生磁界ＨRを3000 Oeとすれば、式55の２
が満足される。
た第２層の「Ａ向き」磁化（第１層ののビットに対
応する磁化のみ）を再生磁界ＨR↓で再度「逆Ａ向き」
に反転させる。このとき、式55の２に於いて、 であるので、再生磁界ＨRを3000 Oeとすれば、式55の２
が満足される。
従って、ＨRにより第２層の「Ａ向き」（第１層の
のビットに対応する磁化のみ）が、再度反転されて記
録直後の状態：「逆Ａ向き」に戻っても、第２層の磁
化（第１層ののビットに対応する磁化のみ）は反転
されない。
のビットに対応する磁化のみ）が、再度反転されて記
録直後の状態：「逆Ａ向き」に戻っても、第２層の磁
化（第１層ののビットに対応する磁化のみ）は反転
されない。
このとき第１層は影響を受けない。
（実施例10…………光磁気記録装置） この装置は記録専用であり、その全体構成を第４図
（概念図）に示す。
（概念図）に示す。
この装置は、基本的には、 （ａ） 記録媒体20の回転手段21; （ｂ） 初期補助磁界Hini.印加手段22; （ｃ） レーザービーム光源23; （ｄ） 記録すべき２値化情報に従い、ビーム強度を、
（１）上向き磁化を有するビットと下向き磁化を有する
ビットの何れか一方のビットを形成させるのに適当な媒
体温度ＴHを与える高レベルと、（２）他方のビットを
形成させるのに適当な媒体温度ＴLを与える低レベルと
にパルス状に変調する手段24; （ｅ） 記録磁界Hb印加手段25; からなる。
（１）上向き磁化を有するビットと下向き磁化を有する
ビットの何れか一方のビットを形成させるのに適当な媒
体温度ＴHを与える高レベルと、（２）他方のビットを
形成させるのに適当な媒体温度ＴLを与える低レベルと
にパルス状に変調する手段24; （ｅ） 記録磁界Hb印加手段25; からなる。
記録磁界Hb印加手段25は、電磁石又は好ましくは永久
磁石が一般的である。場合によっては、記録磁界Hbは記
録媒体の記録トラック以外の部分からの浮遊磁界を利用
してもよく、その場合には、印加手段25は、記録媒体20
の垂直磁化膜（第１及び第２層）のうち浮遊磁界を発生
する領域を指す。
磁石が一般的である。場合によっては、記録磁界Hbは記
録媒体の記録トラック以外の部分からの浮遊磁界を利用
してもよく、その場合には、印加手段25は、記録媒体20
の垂直磁化膜（第１及び第２層）のうち浮遊磁界を発生
する領域を指す。
ここでは、印加手段25として、Hb＝300 Oeで磁界の向
きが「逆Ａ向き」↓の永久磁石を使用する。この永久磁
石25は、ディスク状媒体20の半径方向の長さにほぼ相当
する長さを有する棒状のものを固定して設置する。永久
磁石25は、光源23を含む記録ヘッド（ピックアップ）と
共に移動させることはしないことにする。その方がピッ
クアップが軽くなり、高速アクセスが可能になる。
きが「逆Ａ向き」↓の永久磁石を使用する。この永久磁
石25は、ディスク状媒体20の半径方向の長さにほぼ相当
する長さを有する棒状のものを固定して設置する。永久
磁石25は、光源23を含む記録ヘッド（ピックアップ）と
共に移動させることはしないことにする。その方がピッ
クアップが軽くなり、高速アクセスが可能になる。
また、初期補助磁界Hini.印加手段22としては、電磁
石又は好ましくは永久磁石が使用される。ここではHin
i.＝4000 Oe、磁界の向きが「Ａ向き」↑の永久磁石を
使用する。この永久磁石22は、ディスク状媒体の半径方
向の長さにほぼ相当する長さを有する棒状のものを固定
して設置する。
石又は好ましくは永久磁石が使用される。ここではHin
i.＝4000 Oe、磁界の向きが「Ａ向き」↑の永久磁石を
使用する。この永久磁石22は、ディスク状媒体の半径方
向の長さにほぼ相当する長さを有する棒状のものを固定
して設置する。
なお、本記録装置は、再生系の装置を付加して記録再
生兼用装置に修正してもよい。
生兼用装置に修正してもよい。
（実施例11…………光磁気記録装置） この装置は記録専用であり、その全体構成を第５図
（概念図）に示す。
（概念図）に示す。
この装置は、基本的には、 （ａ） 記録媒体20の回転手段21; （ｃ） レーザービーム光源23; （ｄ） 記録すべき２値化情報に従い、ビーム強度を、
（１）上向き磁化を有するビットと下向き磁化を有する
ビットの何れか一方のビットを形成させるのに適当な媒
体温度ＴHを与える高レベルと、（２）他方のビットを
形成させるのに適当な媒体温度ＴLを与える低レベルと
にパルス状に変調する手段24; （b,e） 初期補助磁界Hini.印加手段22と兼用された記
録磁界Hb印加手段25; からなる。
（１）上向き磁化を有するビットと下向き磁化を有する
ビットの何れか一方のビットを形成させるのに適当な媒
体温度ＴHを与える高レベルと、（２）他方のビットを
形成させるのに適当な媒体温度ＴLを与える低レベルと
にパルス状に変調する手段24; （b,e） 初期補助磁界Hini.印加手段22と兼用された記
録磁界Hb印加手段25; からなる。
記録磁界Hbの向きと初期補助磁界Hini.の向きとが一
致するときには、記録磁界Hb印加手段25と初期補助磁界
Hini.印加手段22とを兼用させることができる場合があ
る。これは次のような場合である。仮に磁界を集中した
い記録個所（ビームの当たっているスポット領域）に記
録磁界Hb印加手段25を設置しても、磁界を一点に集中す
ることは不可能である。つまり、記録個所の周囲には必
ず漏れ磁界が印加されてしまう。従って、この漏れ磁界
を利用すれば、記録の前に初期補助磁界Hini.磁界を印
加することが可能となる。そこで、本実施例の装置では
手段22と25を兼用させた。
致するときには、記録磁界Hb印加手段25と初期補助磁界
Hini.印加手段22とを兼用させることができる場合があ
る。これは次のような場合である。仮に磁界を集中した
い記録個所（ビームの当たっているスポット領域）に記
録磁界Hb印加手段25を設置しても、磁界を一点に集中す
ることは不可能である。つまり、記録個所の周囲には必
ず漏れ磁界が印加されてしまう。従って、この漏れ磁界
を利用すれば、記録の前に初期補助磁界Hini.磁界を印
加することが可能となる。そこで、本実施例の装置では
手段22と25を兼用させた。
兼用された手段22＆25は、一般に電磁石又は好ましく
は永久磁石である。ここでは、Hb＝Hini.＝600 Oeで磁
界の向きが「Ａ向き」↑の永久磁石を使用する。この永
久磁石22＆25は、ディスク状記録媒体20の半径方向の長
さにほぼ相当する長さを有する棒状のものである。この
磁石22＆25は、本記録装置に固定して設置し、光源23を
含むピックアップと共に移動させることはしないことに
する。その方がピックアップが軽くなり、高速アクセス
が可能になる。
は永久磁石である。ここでは、Hb＝Hini.＝600 Oeで磁
界の向きが「Ａ向き」↑の永久磁石を使用する。この永
久磁石22＆25は、ディスク状記録媒体20の半径方向の長
さにほぼ相当する長さを有する棒状のものである。この
磁石22＆25は、本記録装置に固定して設置し、光源23を
含むピックアップと共に移動させることはしないことに
する。その方がピックアップが軽くなり、高速アクセス
が可能になる。
（実施例12…………光磁気記録装置） この装置は記録専用であり、その全体構成を第５図
（概念図）に示す。
（概念図）に示す。
この装置は、基本的には、 （ａ） 記録媒体20の回転手段21; （ｃ） レーザービーム光源23; （ｄ） 記録すべき２値化情報に従い、ビーム強度を、
（１）上向き磁化を有するビットと下向き磁化を有する
ビットの何れか一方のビットを形成させるのに適当な媒
体温度ＴHを与える高レベルと、（２）他方のビットを
形成させるのに適当な媒体温度ＴLを与える低レベルと
にパルス状に変調する手段24; （b,e） 初期補助磁界Hini.印加手段22と兼用された記
録磁界Hb印加手段25; からなる。
（１）上向き磁化を有するビットと下向き磁化を有する
ビットの何れか一方のビットを形成させるのに適当な媒
体温度ＴHを与える高レベルと、（２）他方のビットを
形成させるのに適当な媒体温度ＴLを与える低レベルと
にパルス状に変調する手段24; （b,e） 初期補助磁界Hini.印加手段22と兼用された記
録磁界Hb印加手段25; からなる。
兼用された手段22＆25として、ここでは、Hb＝Hini.
＝800 Oeで磁界の向きが「Ａ向き」↑の永久磁石を使用
する。この永久磁石22＆25は、ディスク状記録媒体20の
半径方向の長さにほぼ相当する長さを有する棒状のもの
である。この磁石22＆25は、本記録装置に固定して設置
し、光源23を含むピックアップと共に移動させることは
しないことにする。
＝800 Oeで磁界の向きが「Ａ向き」↑の永久磁石を使用
する。この永久磁石22＆25は、ディスク状記録媒体20の
半径方向の長さにほぼ相当する長さを有する棒状のもの
である。この磁石22＆25は、本記録装置に固定して設置
し、光源23を含むピックアップと共に移動させることは
しないことにする。
（実施例13…………光磁気記録の再生装置） この装置は再生専用であり、その全体構成を第１図
（概念図）に示す。
（概念図）に示す。
この装置は、基本的には、 （ａ） 情報が上向き磁化を有するビットと下向き磁化
を有するビットの形で記録された、垂直磁気異方性を有
する第１層を記録層とし、垂直磁気異方性を有する第２
層を記録補助兼再生層とするオーバーライト可能なディ
スク状多層光磁気記録媒体20を回転させる回転手段21; （ｂ） 第１層に記録された情報を再生前に第２層に転
写させる再生磁界印加手段28; （ｃ） 直線偏光光源としてのレーザービーム光源23; （ｄ） 第２層に照射された直線偏光の反射光を受光し
て反射光に含まれた情報を電気信号の形で再生する再生
手段を構成する光アナライザー30及びディテクター31; からなる。なお、第１図に於いて、26はコリメーターレ
ンズ、27は対物レンズ、29はビームスプリッターであ
る。
を有するビットの形で記録された、垂直磁気異方性を有
する第１層を記録層とし、垂直磁気異方性を有する第２
層を記録補助兼再生層とするオーバーライト可能なディ
スク状多層光磁気記録媒体20を回転させる回転手段21; （ｂ） 第１層に記録された情報を再生前に第２層に転
写させる再生磁界印加手段28; （ｃ） 直線偏光光源としてのレーザービーム光源23; （ｄ） 第２層に照射された直線偏光の反射光を受光し
て反射光に含まれた情報を電気信号の形で再生する再生
手段を構成する光アナライザー30及びディテクター31; からなる。なお、第１図に於いて、26はコリメーターレ
ンズ、27は対物レンズ、29はビームスプリッターであ
る。
再生磁界印加手段28として、ここでは、ＨR＝300 Oe
で磁界の向きが「逆Ａ向き」↓の永久磁石を使用する。
この永久磁石28は、ディスク状記録媒体20の半径方向の
長さにほぼ相当する長さを有する棒状のものであり、回
転方向に於いてレーザービームの照射位置（光源23を含
むピックアップの位置）よりも上手に設置してある。そ
の結果、再生前に手段28により第１層に記録された情報
を第２層に転写させることができ、この転写された情報
を再生すれば、高いC/N比が得られる。
で磁界の向きが「逆Ａ向き」↓の永久磁石を使用する。
この永久磁石28は、ディスク状記録媒体20の半径方向の
長さにほぼ相当する長さを有する棒状のものであり、回
転方向に於いてレーザービームの照射位置（光源23を含
むピックアップの位置）よりも上手に設置してある。そ
の結果、再生前に手段28により第１層に記録された情報
を第２層に転写させることができ、この転写された情報
を再生すれば、高いC/N比が得られる。
（実施例14…………光磁気記録の再生装置） この装置は再生専用であり、全体構成は基本的には実
施例13の装置（第１図）と同一である。
施例13の装置（第１図）と同一である。
ただし、再生磁界印加手段28として、ここでは、ＨR
＝3000 Oeで磁界の向きが「逆Ａ向き」↓の永久磁石を
使用する。この永久磁石28は、ディスク状記録媒体20の
半径方向の長さにほぼ相当する長さを有する棒状のもの
であり、回転方向に於いてレーザービームの照射位置
（光源23を含むピックアップの位置）よりも上手に設置
してある。その結果、再生前に手段28により第１層に記
録された情報を第２層に転写させることができる。
＝3000 Oeで磁界の向きが「逆Ａ向き」↓の永久磁石を
使用する。この永久磁石28は、ディスク状記録媒体20の
半径方向の長さにほぼ相当する長さを有する棒状のもの
であり、回転方向に於いてレーザービームの照射位置
（光源23を含むピックアップの位置）よりも上手に設置
してある。その結果、再生前に手段28により第１層に記
録された情報を第２層に転写させることができる。
（実施例15…………光磁気記録兼再生装置） この装置は記録も再生も可能であり、その全体構成を
第６図（概念図）に示す。
第６図（概念図）に示す。
この装置は、基本的には、 （ａ） 記録媒体20の回転手段21; （ｂ） 初期補助磁界Hini.印加手段22; （ｃ） 直接偏光光源を兼ねたレーザービーム光源23; （ｄ） 記録すべき２値化情報に従い、ビーム強度を、
（１）上向き磁化を有するビットと下向き磁化を有する
ビットの何れか一方のビットを形成させるのに適当な媒
体温度ＴHを与える高レベルと、（２）他方のビットを
形成させるのに適当な媒体温度ＴLを与える低レベルと
にパルス状に変調する手段24; （ｅ） 記録磁界Hb印加手段25; （ｆ） 記録媒体20の第１層に記録された情報を再生前
に第２層に転写させる再生磁界印加手段28; （ｇ） 第２層に照射された直線偏光の反射光を受光し
て反射光に含まれた情報を電気信号の形で再生する再生
手段を構成する光アナライザー30及びディテクター31; からなる。
（１）上向き磁化を有するビットと下向き磁化を有する
ビットの何れか一方のビットを形成させるのに適当な媒
体温度ＴHを与える高レベルと、（２）他方のビットを
形成させるのに適当な媒体温度ＴLを与える低レベルと
にパルス状に変調する手段24; （ｅ） 記録磁界Hb印加手段25; （ｆ） 記録媒体20の第１層に記録された情報を再生前
に第２層に転写させる再生磁界印加手段28; （ｇ） 第２層に照射された直線偏光の反射光を受光し
て反射光に含まれた情報を電気信号の形で再生する再生
手段を構成する光アナライザー30及びディテクター31; からなる。
記録磁界Hb印加手段25として、ここではHb＝600 Oeで
磁界の向きが「Ａ向き」↑の電磁石を使用する。この電
磁石25は、ディスク状媒体20の半径方向の長さにほぼ相
当する長さを有する棒状のものを固定して設置する。電
磁石25は、光源23を含む記録ヘッド（ピックアップ）と
共に移動させることはしないことにする。その方がピッ
クアップが軽くなり、高速アクセスが可能になる。ま
た、この電磁石25は、再生時には通電を止めて機能を停
止させておく。
磁界の向きが「Ａ向き」↑の電磁石を使用する。この電
磁石25は、ディスク状媒体20の半径方向の長さにほぼ相
当する長さを有する棒状のものを固定して設置する。電
磁石25は、光源23を含む記録ヘッド（ピックアップ）と
共に移動させることはしないことにする。その方がピッ
クアップが軽くなり、高速アクセスが可能になる。ま
た、この電磁石25は、再生時には通電を止めて機能を停
止させておく。
初期補助磁界Hini.印加手段22には、電磁石又は永久
磁石が使用される。ここではHini.＝600 Oe、磁界の向
きが「Ａ向き」↑の電磁石を使用する。この電磁石22
は、ディスク状媒体の半径方向の長さにほぼ相当する長
さを有する棒状のものを固定して設置する。
磁石が使用される。ここではHini.＝600 Oe、磁界の向
きが「Ａ向き」↑の電磁石を使用する。この電磁石22
は、ディスク状媒体の半径方向の長さにほぼ相当する長
さを有する棒状のものを固定して設置する。
再生磁界印加手段28としては、ここでは、ＨR＝300 O
eで磁界の向きが「逆Ａ向き」↓の電磁石を使用する。
この電磁石28は、ディスク状記録媒体20の半径方向の長
さにほぼ相当する長さを有する棒状のものであり、第７
図に示すように回転方向に於いてレーザービーム（直線
偏光ＬP）の照射位置よりも上手に設置してある。電磁
石28は、再生するときのみ通電して機能を発揮させる。
eで磁界の向きが「逆Ａ向き」↓の電磁石を使用する。
この電磁石28は、ディスク状記録媒体20の半径方向の長
さにほぼ相当する長さを有する棒状のものであり、第７
図に示すように回転方向に於いてレーザービーム（直線
偏光ＬP）の照射位置よりも上手に設置してある。電磁
石28は、再生するときのみ通電して機能を発揮させる。
初期補助磁界Hini.印加手段22として永久磁石を使用
した場合には、電磁石28は、第８図に示すように回転方
向において手段22よりも下手に設置する。そうしない
と、再生時に電磁石28で第２層に情報を転写しても、手
段22によりその情報が消去されてしまうからである。そ
れに対して電磁石を使用して再生時に手段22の機能を停
止できれば設置場所の問題はなくなる。
した場合には、電磁石28は、第８図に示すように回転方
向において手段22よりも下手に設置する。そうしない
と、再生時に電磁石28で第２層に情報を転写しても、手
段22によりその情報が消去されてしまうからである。そ
れに対して電磁石を使用して再生時に手段22の機能を停
止できれば設置場所の問題はなくなる。
更に電磁石を用いれば、初期補助磁界Hini.印加手段2
2と再生磁界印加手段28とを共用させ、電流の流す向き
を変えることにより手段22又は28として働かせることが
できる。
2と再生磁界印加手段28とを共用させ、電流の流す向き
を変えることにより手段22又は28として働かせることが
できる。
尚、本実施例では、Hini.↑＝600 Oe、Hb↑＝600 Oe
と大きさ及び向きが等しいので、手段22と手段25を１つ
の電磁石で兼用できるので、手段28も兼用させて３手段
を１つの電磁石で機能させることが可能となる。
と大きさ及び向きが等しいので、手段22と手段25を１つ
の電磁石で兼用できるので、手段28も兼用させて３手段
を１つの電磁石で機能させることが可能となる。
実施例10〜15のまとめ （実施例16…………光磁気記録・再生） 実施例11の記録装置（第５図参照）を使用して光磁気
記録を実施する。まず、回転手段21で実施例１の記録媒
体20を8.5m/秒の一定線速度で移動させる。
記録を実施する。まず、回転手段21で実施例１の記録媒
体20を8.5m/秒の一定線速度で移動させる。
その媒体20に対し、レーザービームを基板側から（つ
まり、第２層側から）照射する。このビームは、手段24
により高レベル時:9.3mW（on disk）、低レベル時:6.6m
W（on disk）の出力がでるように調整されている。そし
てビームは、手段24により情報に従いパルス状に変調さ
れる。ここでは、記録すべき情報を周波数1MHzの信号と
した。従って、ビームを周波数1MHzで変調させながら媒
体20に照射した。これにより、1MHzの信号が記録された
はずである。
まり、第２層側から）照射する。このビームは、手段24
により高レベル時:9.3mW（on disk）、低レベル時:6.6m
W（on disk）の出力がでるように調整されている。そし
てビームは、手段24により情報に従いパルス状に変調さ
れる。ここでは、記録すべき情報を周波数1MHzの信号と
した。従って、ビームを周波数1MHzで変調させながら媒
体20に照射した。これにより、1MHzの信号が記録された
はずである。
そこで、実施例13の光磁気再生装置（第１図）で基板
側からレーザービームを照射して再生すると、C/N比は5
4dBであり、記録されていることが確かめられた。この5
4dBは、基板への積層順序を逆にした構造：第２層／第
１層／基板の記録媒体に全く同様に記録し、再生磁界Ｈ
Rの印加処理をせずに再生した場合よりも3dB高かった。
このことを以下の実施例では54dBの後に（＋3dB）と表
示することにする。
側からレーザービームを照射して再生すると、C/N比は5
4dBであり、記録されていることが確かめられた。この5
4dBは、基板への積層順序を逆にした構造：第２層／第
１層／基板の記録媒体に全く同様に記録し、再生磁界Ｈ
Rの印加処理をせずに再生した場合よりも3dB高かった。
このことを以下の実施例では54dBの後に（＋3dB）と表
示することにする。
次に媒体20の既に記録した領域に、今度は実施例11の
装置により周波数5MHzの信号を新たな情報として記録し
た。この情報を同様に再生すると、C/N比＝51dB（＋3d
B）で新たな情報が再生された。エラー発生率は、10-5
〜10-6であった。このとき、1MHzの信号（前の情報）は
全く現れなかった。
装置により周波数5MHzの信号を新たな情報として記録し
た。この情報を同様に再生すると、C/N比＝51dB（＋3d
B）で新たな情報が再生された。エラー発生率は、10-5
〜10-6であった。このとき、1MHzの信号（前の情報）は
全く現れなかった。
この結果、オーバーライトが可能であることが判っ
た。
た。
なお、この条件では、媒体の温度は、高レベル時:TH
＝230℃、低レベル時:TL＝170℃に達する。
＝230℃、低レベル時:TL＝170℃に達する。
（実施例17…………光磁気記録・再生） 実施例15の記録装置（第６図参照）を使用して光磁気
記録を実施する。まず、回転手段21で実施例２の記録媒
体20を8.5m/秒の一定線速度で移動させる。
記録を実施する。まず、回転手段21で実施例２の記録媒
体20を8.5m/秒の一定線速度で移動させる。
その媒体20に対し、レーザービームを基板側から（つ
まり、第２層側から）照射する。このビームは、手段24
により高レベル時:9.3mW（on disk）、低レベル時:5.7m
W（on disk）の出力がでるように調整されている。そし
てビームは、手段24により情報に従いパルス状に変調さ
れる。ここでは、記録すべき情報を周波数1MHzの信号と
した。このとき、再生磁界印加手段28は、出力をゼロに
しておいた。従って、ビームを周波数1MHzで変調させな
がら媒体20に照射した。これにより、1MHzの信号が記録
されたはずである。
まり、第２層側から）照射する。このビームは、手段24
により高レベル時:9.3mW（on disk）、低レベル時:5.7m
W（on disk）の出力がでるように調整されている。そし
てビームは、手段24により情報に従いパルス状に変調さ
れる。ここでは、記録すべき情報を周波数1MHzの信号と
した。このとき、再生磁界印加手段28は、出力をゼロに
しておいた。従って、ビームを周波数1MHzで変調させな
がら媒体20に照射した。これにより、1MHzの信号が記録
されたはずである。
そこで、同じ装置で今度は再生磁界印加手段28の出力
を300 Oeにして基板側からレーザービームを照射して再
生すると、C/N比は55dB（＋3dB）であり、記録されてい
ることが確かめられた。
を300 Oeにして基板側からレーザービームを照射して再
生すると、C/N比は55dB（＋3dB）であり、記録されてい
ることが確かめられた。
次に媒体20の既に記録した領域に、今度は同じ装置に
より周波数5MHzの信号を新たな情報として記録した。こ
のときも再生磁界印加手段28は、出力をゼロにしておい
た。
より周波数5MHzの信号を新たな情報として記録した。こ
のときも再生磁界印加手段28は、出力をゼロにしておい
た。
そして、ＨR＝300 Oeの下に記録された情報を同様に
再生すると、C/N比＝52dB（＋3dB）で新たな情報が再生
された。エラー発生率は、10-5〜10-6であった。このと
き、1MHzの信号（前の情報）は全く現れなかった。
再生すると、C/N比＝52dB（＋3dB）で新たな情報が再生
された。エラー発生率は、10-5〜10-6であった。このと
き、1MHzの信号（前の情報）は全く現れなかった。
この結果、オーバーライトが可能であることが判っ
た。
た。
なお、この条件では、媒体の温度は、高レベル時:TH
＝230℃、低レベル時:TL＝150℃に達する。
＝230℃、低レベル時:TL＝150℃に達する。
（実施例18…………光磁気記録・再生） 実施例10の記録装置（第４図参照）を使用して光磁気
記録を実施する。まず、回転手段21で実施例３の記録媒
体20を8.5m/秒の一定線速度で移動させる。
記録を実施する。まず、回転手段21で実施例３の記録媒
体20を8.5m/秒の一定線速度で移動させる。
その媒体20に対し、レーザービームを基板側から（つ
まり、第２層側から）照射する。このビームは、手段24
により高レベル時:8.9mW（on disk）、低レベル時:6.6m
W（on disk）の出力がでるように調整されている。そし
てビームは、手段24により情報に従いパルス状に変調さ
れる。ここでは、記録すべき情報を周波数5MHzの信号と
した。従って、ビームを周波数5MHzで変調させながら媒
体20に照射した。これにより、5MHzの信号が記録された
はずである。
まり、第２層側から）照射する。このビームは、手段24
により高レベル時:8.9mW（on disk）、低レベル時:6.6m
W（on disk）の出力がでるように調整されている。そし
てビームは、手段24により情報に従いパルス状に変調さ
れる。ここでは、記録すべき情報を周波数5MHzの信号と
した。従って、ビームを周波数5MHzで変調させながら媒
体20に照射した。これにより、5MHzの信号が記録された
はずである。
そこで、実施例14の光磁気再生装置（第１図）で基板
側からレーザービームを照射して再生すると、C/N比は5
3dB（＋2dB）であり、記録されていることが確かめられ
た。
側からレーザービームを照射して再生すると、C/N比は5
3dB（＋2dB）であり、記録されていることが確かめられ
た。
次に媒体20の既に記録した領域に、今度は同じ実施例
10の装置により周波数2MHzの信号を新たな情報として記
録した。この情報を同様に実施例14の装置で再生する
と、C/N比＝56dB（＋2dB）で新たな情報が再生された。
エラー発生率は、10-5〜10-6であった。このとき、5MHz
の信号（前の情報）は全く現れなかった。
10の装置により周波数2MHzの信号を新たな情報として記
録した。この情報を同様に実施例14の装置で再生する
と、C/N比＝56dB（＋2dB）で新たな情報が再生された。
エラー発生率は、10-5〜10-6であった。このとき、5MHz
の信号（前の情報）は全く現れなかった。
この結果、オーバーライトが可能であることが判っ
た。
た。
なお、この条件では、媒体の温度は、高レベル時:TH
＝220℃、低レベル時:TL＝170℃に達する。
＝220℃、低レベル時:TL＝170℃に達する。
（実施例19…………光磁気記録・再生） 実施例10の記録装置（第４図参照）を使用して光磁気
記録を実施する。まず、回転手段21で実施例４の記録媒
体20を8.5m/秒の一定線速度で移動させる。
記録を実施する。まず、回転手段21で実施例４の記録媒
体20を8.5m/秒の一定線速度で移動させる。
その媒体20に対し、レーザービームを基板側から（つ
まり、第２層側から）照射する。このビームは、手段24
により高レベル時:6.1mW（on disk）、低レベル時:4.3m
W（on disk）の出力がでるように調整されている。そし
てビームは、手段24により情報に従いパルス状に変調さ
れる。ここでは、記録すべき情報を周波数5MHzの信号と
した。従って、ビームを周波数5MHzで変調させながら媒
体20に照射した。これにより、5MHzの信号が記録された
はずである。
まり、第２層側から）照射する。このビームは、手段24
により高レベル時:6.1mW（on disk）、低レベル時:4.3m
W（on disk）の出力がでるように調整されている。そし
てビームは、手段24により情報に従いパルス状に変調さ
れる。ここでは、記録すべき情報を周波数5MHzの信号と
した。従って、ビームを周波数5MHzで変調させながら媒
体20に照射した。これにより、5MHzの信号が記録された
はずである。
そこで、実施例14の光磁気再生装置（第１図）で基板
側からレーザービームを照射して再生すると、C/N比は4
9dB（＋2dB）であり、記録されていることが確かめられ
た。
側からレーザービームを照射して再生すると、C/N比は4
9dB（＋2dB）であり、記録されていることが確かめられ
た。
次に媒体20の既に記録した領域に、今度は同じ実施例
10の装置により周波数2MHzの信号を新たな情報として記
録した。この情報を同様に実施例14の装置で再生する
と、C/N比＝52dB（＋2dB）で新たな情報が再生された。
エラー発生率は、10-5〜10-6であった。このとき、5MHz
の信号（前の情報）は全く現れなかった。
10の装置により周波数2MHzの信号を新たな情報として記
録した。この情報を同様に実施例14の装置で再生する
と、C/N比＝52dB（＋2dB）で新たな情報が再生された。
エラー発生率は、10-5〜10-6であった。このとき、5MHz
の信号（前の情報）は全く現れなかった。
この結果、オーバーライトが可能であることが判っ
た。
た。
なお、この条件では、媒体の温度は、高レベル時:TH
＝160℃、低レベル時:TL＝120℃に達する。
＝160℃、低レベル時:TL＝120℃に達する。
（実施例20…………光磁気記録・再生） 実施例10の記録装置（第４図参照）を使用して光磁気
記録を実施する。まず、回転手段21で実施例５の記録媒
体20を8.5m/秒の一定線速度で移動させる。
記録を実施する。まず、回転手段21で実施例５の記録媒
体20を8.5m/秒の一定線速度で移動させる。
その媒体20に対し、レーザービームを基板側から（つ
まり、第２層側から）照射する。このビームは、手段24
により高レベル時:8.4mW（on disk）、低レベル時:6.4m
W（on disk）の出力がでるように調整されている。そし
てビームは、手段24により情報に従いパルス状に変調さ
れる。ここでは、記録すべき情報を周波数5MHzの信号と
した。従って、ビームを周波数5MHzで変調させながら媒
体20に照射した。これにより、5MHzの信号が記録された
はずである。
まり、第２層側から）照射する。このビームは、手段24
により高レベル時:8.4mW（on disk）、低レベル時:6.4m
W（on disk）の出力がでるように調整されている。そし
てビームは、手段24により情報に従いパルス状に変調さ
れる。ここでは、記録すべき情報を周波数5MHzの信号と
した。従って、ビームを周波数5MHzで変調させながら媒
体20に照射した。これにより、5MHzの信号が記録された
はずである。
そこで、実施例14の光磁気再生装置（第１図）で基板
側からレーザービームを照射して再生すると、C/N比は5
0dB（＋2dB）であり、記録されていることが確かめられ
た。
側からレーザービームを照射して再生すると、C/N比は5
0dB（＋2dB）であり、記録されていることが確かめられ
た。
次に媒体20の既に記録した領域に、今度は同じ実施例
10の装置により周波数4MHzの信号を新たな情報として記
録した。この情報を同様に実施例14の装置で再生する
と、C/N比＝51dB（＋2dB）で新たな情報が再生された。
エラー発生率は、10-5〜10-6であった。このとき、5MHz
の信号（前の情報）は全く現れなかった。
10の装置により周波数4MHzの信号を新たな情報として記
録した。この情報を同様に実施例14の装置で再生する
と、C/N比＝51dB（＋2dB）で新たな情報が再生された。
エラー発生率は、10-5〜10-6であった。このとき、5MHz
の信号（前の情報）は全く現れなかった。
この結果、オーバーライトが可能であることが判っ
た。
た。
なお、この条件では、媒体の温度は、高レベル時:TH
＝210℃、低レベル時:TL＝165℃に達する。
＝210℃、低レベル時:TL＝165℃に達する。
（実施例21…………光磁気記録・再生） 実施例10の記録装置（第４図参照）を使用して光磁気
記録を実施する。まず、回転手段21で実施例６の記録媒
体20を8.5m/秒の一定線速度で移動させる。
記録を実施する。まず、回転手段21で実施例６の記録媒
体20を8.5m/秒の一定線速度で移動させる。
その媒体20に対し、レーザービームを基板側から（つ
まり、第２層側から）照射する。このビームは、手段24
により高レベル時:8.1mW（on disk）、低レベル時:5.9m
W（on disk）の出力がでるように調整されている。そし
てビームは、手段24により情報に従いパルス状に変調さ
れる。ここでは、記録すべき情報を周波数5MHzの信号と
した。従って、ビームを周波数5MHzで変調させながら媒
体20に照射した。これにより、5MHzの信号が記録された
はずである。
まり、第２層側から）照射する。このビームは、手段24
により高レベル時:8.1mW（on disk）、低レベル時:5.9m
W（on disk）の出力がでるように調整されている。そし
てビームは、手段24により情報に従いパルス状に変調さ
れる。ここでは、記録すべき情報を周波数5MHzの信号と
した。従って、ビームを周波数5MHzで変調させながら媒
体20に照射した。これにより、5MHzの信号が記録された
はずである。
そこで、実施例14の光磁気再生装置（第１図）で基板
側からレーザービームを照射して再生すると、C/N比は5
1dB（＋2dB）であり、記録されていることが確かめられ
た。
側からレーザービームを照射して再生すると、C/N比は5
1dB（＋2dB）であり、記録されていることが確かめられ
た。
次に媒体20の既に記録した領域に、同じ実施例10の装
置により今度は周波数3MHzの信号を新たな情報として記
録した。この情報を同様に実施例14の装置で再生する
と、C/N比＝53dB（＋2dB）で新たな情報が再生された。
エラー発生率は、10-5〜10-6であった。このとき、5MHz
の信号（前の情報）は全く現れなかった。
置により今度は周波数3MHzの信号を新たな情報として記
録した。この情報を同様に実施例14の装置で再生する
と、C/N比＝53dB（＋2dB）で新たな情報が再生された。
エラー発生率は、10-5〜10-6であった。このとき、5MHz
の信号（前の情報）は全く現れなかった。
この結果、オーバーライトが可能であることが判っ
た。
た。
なお、この条件では、媒体の温度は、高レベル時:TH
＝220℃、低レベル時:TL＝155℃に達する。
＝220℃、低レベル時:TL＝155℃に達する。
（実施例22…………光磁気記録・再生） 実施例10の記録装置（第４図参照）を使用して光磁気
記録を実施する。まず、回転手段21で実施例７の記録媒
体20を8.5m/秒の一定線速度で移動させる。
記録を実施する。まず、回転手段21で実施例７の記録媒
体20を8.5m/秒の一定線速度で移動させる。
その媒体20に対し、レーザービームを基板側から（つ
まり、第２層側から）照射する。このビームは、手段24
により高レベル時:8.9mW（on disk）、低レベル時:5.9m
W（on disk）の出力がでるように調整されている。そし
てビームは、手段24により情報に従いパルス状に変調さ
れる。ここでは、記録すべき情報を周波数5MHzの信号と
した。従って、ビームを周波数5MHzで変調させながら媒
体20に照射した。これにより、5MHzの信号が記録された
はずである。
まり、第２層側から）照射する。このビームは、手段24
により高レベル時:8.9mW（on disk）、低レベル時:5.9m
W（on disk）の出力がでるように調整されている。そし
てビームは、手段24により情報に従いパルス状に変調さ
れる。ここでは、記録すべき情報を周波数5MHzの信号と
した。従って、ビームを周波数5MHzで変調させながら媒
体20に照射した。これにより、5MHzの信号が記録された
はずである。
そこで、実施例14の光磁気再生装置（第１図）で基板
側からレーザービームを照射して再生すると、C/N比は5
1dB（＋2dB）であり、記録されていることが確かめられ
た。
側からレーザービームを照射して再生すると、C/N比は5
1dB（＋2dB）であり、記録されていることが確かめられ
た。
次に媒体20の既に記録した領域に、同じ実施例10の装
置により今度は周波数2MHzの信号を新たな情報として記
録した。この情報を同様に実施例14の装置で再生する
と、C/N比＝54dB（＋2dB）で新たな情報が再生された。
エラー発生率は、10-5〜10-6であった。このとき、5MHz
の信号（前の情報）は全く現れなかった。
置により今度は周波数2MHzの信号を新たな情報として記
録した。この情報を同様に実施例14の装置で再生する
と、C/N比＝54dB（＋2dB）で新たな情報が再生された。
エラー発生率は、10-5〜10-6であった。このとき、5MHz
の信号（前の情報）は全く現れなかった。
この結果、オーバーライトが可能であることが判っ
た。
た。
なお、この条件では、媒体の温度は、高レベル時:TH
＝220℃、低レベル時:TL＝155℃に達する。
＝220℃、低レベル時:TL＝155℃に達する。
（実施例23…………光磁気記録・再生） 実施例12の記録装置（第５図参照）を使用して光磁気
記録を実施する。まず、回転手段21で実施例８の記録媒
体20を8.5m/秒の一定線速度で移動させる。
記録を実施する。まず、回転手段21で実施例８の記録媒
体20を8.5m/秒の一定線速度で移動させる。
その媒体20に対し、レーザービームを基板側から（つ
まり、第２層側から）照射する。このビームは、手段24
により高レベル時:9.3mW（on disk）、低レベル時:5.9m
W（on disk）の出力がでるように調整されている。そし
てビームは、手段24により情報に従いパルス状に変調さ
れる。ここでは、記録すべき情報を周波数1MHzの信号と
した。従って、ビームを周波数1MHzで変調させながら媒
体20に照射した。これにより1MHzの信号が記録されたは
ずである。
まり、第２層側から）照射する。このビームは、手段24
により高レベル時:9.3mW（on disk）、低レベル時:5.9m
W（on disk）の出力がでるように調整されている。そし
てビームは、手段24により情報に従いパルス状に変調さ
れる。ここでは、記録すべき情報を周波数1MHzの信号と
した。従って、ビームを周波数1MHzで変調させながら媒
体20に照射した。これにより1MHzの信号が記録されたは
ずである。
そこで、実施例13の光磁気再生装置（第１図）で基板
側からレーザービームを照射して再生すると、C/N比は5
4dB（＋2dB）であり、記録されていることが確かめられ
た。
側からレーザービームを照射して再生すると、C/N比は5
4dB（＋2dB）であり、記録されていることが確かめられ
た。
次に媒体20の既に記録した領域に、今度は同じ実施例
12の装置により今度は周波数2MHzの信号を新たな情報と
して記録した。この情報を同様に実施例13の装置で再生
すると、C/N比＝53dB（＋2dB）で新たな情報が再生され
た。エラー発生率は、10-5〜10-6であった。このとき、
1MHzの信号（前の情報）は全く現れなかった。
12の装置により今度は周波数2MHzの信号を新たな情報と
して記録した。この情報を同様に実施例13の装置で再生
すると、C/N比＝53dB（＋2dB）で新たな情報が再生され
た。エラー発生率は、10-5〜10-6であった。このとき、
1MHzの信号（前の情報）は全く現れなかった。
この結果、オーバーライトが可能であることが判っ
た。
た。
なお、この条件では、媒体の温度は、高レベル時:TH
＝230℃、低レベル時:TL＝155℃に達する。
＝230℃、低レベル時:TL＝155℃に達する。
（実施例24…………光磁気記録・再生） 実施例10の記録装置（第４図参照）を使用して光磁気
記録を実施する。まず、回転手段21で実施例９の記録媒
体20を8.5m/秒の一定線速度で移動させる。
記録を実施する。まず、回転手段21で実施例９の記録媒
体20を8.5m/秒の一定線速度で移動させる。
その媒体20に対し、レーザービームを基板側から（つ
まり、第２層側から）照射する。このビームは、手段24
により高レベル時:9.3mW（on disk）、低レベル時:5.9m
W（on disk）の出力がでるように調整されている。そし
てビームは、手段24により情報に従いパルス状に変調さ
れる。ここでは、記録すべき情報を周波数5MHzの信号と
した。従って、ビームを周波数5MHzで変調させながら媒
体20に照射した。これにより5MHzの信号が記録されたは
ずである。
まり、第２層側から）照射する。このビームは、手段24
により高レベル時:9.3mW（on disk）、低レベル時:5.9m
W（on disk）の出力がでるように調整されている。そし
てビームは、手段24により情報に従いパルス状に変調さ
れる。ここでは、記録すべき情報を周波数5MHzの信号と
した。従って、ビームを周波数5MHzで変調させながら媒
体20に照射した。これにより5MHzの信号が記録されたは
ずである。
そこで、実施例14の光磁気再生装置（第１図）で基板
側からレーザービームを照射して再生すると、C/N比は5
3dB（＋2dB）であり、記録されていることが確かめられ
た。
側からレーザービームを照射して再生すると、C/N比は5
3dB（＋2dB）であり、記録されていることが確かめられ
た。
次に媒体20の既に記録した領域に、同じ実施例10の装
置により今度は周波数6MHzの信号を新たな情報として記
録した。この情報を同様に実施例14の装置で再生する
と、C/N比＝51dB（＋2dB）で新たな情報が再生された。
エラー発生率は、10-5〜10-6であった。このとき、5MHz
の信号（前の情報）は全く現れなかった。
置により今度は周波数6MHzの信号を新たな情報として記
録した。この情報を同様に実施例14の装置で再生する
と、C/N比＝51dB（＋2dB）で新たな情報が再生された。
エラー発生率は、10-5〜10-6であった。このとき、5MHz
の信号（前の情報）は全く現れなかった。
この結果、オーバーライトが可能であることが判っ
た。
た。
なお、この条件では、媒体の温度は、高レベル時:TH
＝220℃、低レベル時:TL＝170℃に達する。
＝220℃、低レベル時:TL＝170℃に達する。
以上のとおり、本発明によれば、先願発明の一実施態
様に従いディスク状記録媒体の第１層（記録層）に記録
された情報を、再生磁界ＨRを印加することにより第２
層（記録補助層）に転写させ、これに直線偏光を照射し
てその反射光から情報を再生するので、第１層の材料に
比べ第２層の材料の方がθkが現在のところ一般に大き
いことから、転写させずに単に第１層に直線偏光を照射
してその反射光から情報を再生した場合に比べ、C/N比
が高くなる。
様に従いディスク状記録媒体の第１層（記録層）に記録
された情報を、再生磁界ＨRを印加することにより第２
層（記録補助層）に転写させ、これに直線偏光を照射し
てその反射光から情報を再生するので、第１層の材料に
比べ第２層の材料の方がθkが現在のところ一般に大き
いことから、転写させずに単に第１層に直線偏光を照射
してその反射光から情報を再生した場合に比べ、C/N比
が高くなる。
第１図は、本発明の実施例13、14にかかる再生装置の全
体構成を説明する概念図である。 第２図は、光磁気記録方式の記録原理を説明する概念図
である。 第３図は、光磁気記録方式の再生原理を説明する概念図
である。 第４図は、本発明の実施例10にかかる光磁気記録装置の
全体構成を示す概念図である。 第５図は、本発明の実施例11、12にかかる光磁気記録装
置の全体構成を示す概念図である。 第６図は、実施例15にかかる再生磁界印加処理装置の全
体構成を示す概念図である。 第７図は、第６図の装置を第６図紙面に垂直な方向で、
かつ記録媒体20に平行な方向から見たときの、初期補助
磁界印加手段22と記録磁界印加手段25と再生磁界印加手
段28との位置関係を示す説明図である。 〔主要部分の符号の説明〕 Ｌ……レーザービーム Lp……直線偏光 Ｂ1……「Ａ向き」磁化を有するビット Ｂ0……「逆Ａ向き」磁化を有するビット １……記録層 20……オーバーライト可能な光磁気記録媒体 20a……基板 21……記録媒体を回転させる回転手段 22……初期補助磁界Hini.印加手段 23……直線偏光光源と兼用したレーザービーム光源 24……記録すべき２値化情報に従い、ビーム強度を、
（１）「Ａ向き」磁化を有するビット又は「逆Ａ向き」
磁化を有するビットの何れか一方を形成するのに適当な
温度を媒体に与える高レベルと、（２）他方のビットを
形成するのに適当な温度を媒体に与える低レベルとにパ
ルス状に変調する手段 25……記録磁界Hb印加手段 26……コリメーターレンズ 27……対物レンズ 28……再生磁界印加手段 29……ビームスプリッター 30……光アナライザー 31……ディテクター
体構成を説明する概念図である。 第２図は、光磁気記録方式の記録原理を説明する概念図
である。 第３図は、光磁気記録方式の再生原理を説明する概念図
である。 第４図は、本発明の実施例10にかかる光磁気記録装置の
全体構成を示す概念図である。 第５図は、本発明の実施例11、12にかかる光磁気記録装
置の全体構成を示す概念図である。 第６図は、実施例15にかかる再生磁界印加処理装置の全
体構成を示す概念図である。 第７図は、第６図の装置を第６図紙面に垂直な方向で、
かつ記録媒体20に平行な方向から見たときの、初期補助
磁界印加手段22と記録磁界印加手段25と再生磁界印加手
段28との位置関係を示す説明図である。 〔主要部分の符号の説明〕 Ｌ……レーザービーム Lp……直線偏光 Ｂ1……「Ａ向き」磁化を有するビット Ｂ0……「逆Ａ向き」磁化を有するビット １……記録層 20……オーバーライト可能な光磁気記録媒体 20a……基板 21……記録媒体を回転させる回転手段 22……初期補助磁界Hini.印加手段 23……直線偏光光源と兼用したレーザービーム光源 24……記録すべき２値化情報に従い、ビーム強度を、
（１）「Ａ向き」磁化を有するビット又は「逆Ａ向き」
磁化を有するビットの何れか一方を形成するのに適当な
温度を媒体に与える高レベルと、（２）他方のビットを
形成するのに適当な温度を媒体に与える低レベルとにパ
ルス状に変調する手段 25……記録磁界Hb印加手段 26……コリメーターレンズ 27……対物レンズ 28……再生磁界印加手段 29……ビームスプリッター 30……光アナライザー 31……ディテクター
Claims (2)
- 【請求項１】情報が上向き磁化を有するビットと下向き
磁化を有するビットの形で記録された垂直磁気異方性を
有する第１層と、垂直磁気異方性を有し第１層の磁化の
向きはそのままに磁化を所定の向きに揃えることが可能
な第２層を有するアンチパラレルタイプのディスク状多
層光磁気記録媒体に対し、 前記第１層に記録された情報を第２層に転写させ、転写
された情報を再生することを特徴とする光磁気再生方
法。 - 【請求項２】情報が上向き磁化を有するビットと下向き
磁化を有するビットの形で記録された垂直磁気異方性を
有する第１層と、垂直磁気異方性を有し第１層の磁化の
向きはそのままに磁化を所定の向きに揃えることが可能
な第２層を有するアンチパラレルタイプのディスク状多
層光磁気記録媒体。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61291728A JPH0816996B2 (ja) | 1986-12-08 | 1986-12-08 | 光磁気記録の再生方法及びそれに使用される媒体 |
| US07/453,255 US5239524A (en) | 1985-06-11 | 1989-12-20 | Over write capable magnetooptical recording method, and magnetooptical recording apparatus and medium used therefor |
| US08/091,913 US5367507A (en) | 1985-06-11 | 1993-07-16 | Over write capable magnetooptical recording method, and magnetooptical recording apparatus and medium used therefor |
| US08/092,686 US5539709A (en) | 1985-06-11 | 1993-07-16 | Magnetooptical recording method and apparatus using multi-layered media |
| US08/370,360 US5680373A (en) | 1985-06-11 | 1995-01-09 | Reproducing apparatus for magneto-optical recording device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61291728A JPH0816996B2 (ja) | 1986-12-08 | 1986-12-08 | 光磁気記録の再生方法及びそれに使用される媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63144447A JPS63144447A (ja) | 1988-06-16 |
| JPH0816996B2 true JPH0816996B2 (ja) | 1996-02-21 |
Family
ID=17772628
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61291728A Expired - Lifetime JPH0816996B2 (ja) | 1985-06-11 | 1986-12-08 | 光磁気記録の再生方法及びそれに使用される媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0816996B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63155449A (ja) * | 1986-12-19 | 1988-06-28 | Canon Inc | 光磁気記録方法 |
| JPH0227548A (ja) * | 1988-07-15 | 1990-01-30 | Nikon Corp | 小型化されたｏｗ型光磁気記録装置 |
| JPH0229957A (ja) * | 1988-07-18 | 1990-01-31 | Nikon Corp | オーバーライト可能な光磁気記録装置 |
| JP2503708B2 (ja) * | 1989-11-14 | 1996-06-05 | 三菱電機株式会社 | 光磁気記録媒体及び装置 |
| JPH03296938A (ja) * | 1990-04-17 | 1991-12-27 | Mitsubishi Electric Corp | 光磁気記録媒体および記録方式 |
| JP2636694B2 (ja) * | 1993-08-13 | 1997-07-30 | 日本電気株式会社 | 光磁気記録媒体の記録再生方法および記録再生装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5778652A (en) * | 1980-11-01 | 1982-05-17 | Daido Steel Co Ltd | Thermal magnetic recording carrier and thermal magnetic recording system |
-
1986
- 1986-12-08 JP JP61291728A patent/JPH0816996B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63144447A (ja) | 1988-06-16 |
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