JPH05314453A

JPH05314453A - 磁気記録媒体

Info

Publication number: JPH05314453A
Application number: JP12326992A
Authority: JP
Inventors: Satoshi Matsubaguchi; 敏松葉口
Original assignee: Fuji Photo Film Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Holdings Corp
Priority date: 1992-05-15
Filing date: 1992-05-15
Publication date: 1993-11-26

Abstract

(57)【要約】【目的】非磁性基板上に磁性層を有する磁気記録媒体
において、優れた製造適性および面内磁化型の記録方式
に適した特性を得る。【構成】磁性層を（Ｃｏ_100-xＰｄ_x）_100-yＣｒ_y
（ただし、ｘおよびｙの単位はat．％であり、10≦ｘ≦
40、５≦ｙ≦25の範囲にある）で表される磁性合金を主
成分とする金属薄膜とし、磁性層と非磁性支持体との間
に核生成層を設け、1)核生成層をＣｒＭ（ただし、Ｍは
Ｃｒの格子定数よりも大きな格子定数を有し、体心立方
格子結晶を形成する金属元素を表す）で表される組成物
からなるものとするか、2)磁性合金の格子定数ｃ₀と核
生成層の格子定数とが、一方が他方のほぼ整数倍の関係
となるようにする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、金属薄膜を磁性層とす
る磁気記録媒体に関し、特に磁性層と核生成層との界面
の整合性を改良することにより、磁気特性が向上せしめ
られた、水平記録すなわち面内記録に適した磁気記録媒
体に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】磁気記録においては、近年、記録密度の
向上への要求がますます高まっており、この要求に応え
るべく、磁気記録媒体の改良が鋭意進められている。中
でも記録密度の向上が最も期待される媒体としては、磁
性層に金属薄膜を使用した、いわゆる金属薄膜型磁気記
録媒体がある。

【０００３】磁気記録は、記録方式の観点から、磁性層
の面内方向に磁化容易軸を有する面内磁化型と磁性層の
膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有する垂直磁化型とに
大別される。金属薄膜型磁気記録媒体においても、これ
らの記録方式の各々に応じた各種の磁気材料の組成、磁
性層の構成、および成膜方法の改良が提案されている。

【０００４】垂直磁化型の記録方式は、ディジタル記録
に適した方式として有望視されているが、磁気ヘッドの
構造および特性面に問題が多く、未だ本格的な実用には
至っていない。

【０００５】それに対して、面内磁化型の記録方式にお
いては、磁気ヘッドの改良も進み、システムとしての記
録性能が一段と向上している。

【０００６】面内磁化型記録用の金属薄膜型磁気記録媒
体としては、例えば、ＣｏとＮｉとを主成分とする金属
薄膜を斜方真空蒸着法により成膜してなる磁性層を有す
るものが一部で実用化されている。

【０００７】斜方真空蒸着法は真空成膜法の中でも成膜
速度が大きく、また、磁気記録特性が比較的良好な磁気
記録媒体を得ることのできるものである。

【０００８】しかしながら、この方法で得られた金属薄
膜は磁性層面内での異方性が大きいものであった。磁気
記録媒体の形状がテープのように一定の走行方向を有す
るものである場合はその異方性が出力変動になる等の問
題はないが、ディスク状の回転磁気記録媒体の場合は磁
気異方性が円周方向の出力変動を招くことが問題であっ
た。

【０００９】また、真空蒸着法では、通常、被蒸着成分
の各々の蒸気圧が相違するので、多成分系の金属薄膜の
組成比を自由に調節しにくいという問題もあった。

【００１０】そのような理由から、ディスク状で使用さ
れる金属薄膜型磁気記録媒体の磁性層の成膜は通常、ス
パッタリングで行われている。

【００１１】そして、例えば、特開昭61-120330 号公報
に記載されるように、ＣｏＮｉ、ＣｏＮｉＣｒ等の薄膜
が、通常のマグネトロンスパッタリング方式によって成
膜されるが、製造される磁気記録媒体の抗磁力を高める
ためには、非磁性基板を100〜350 ℃程度に加熱しつ
つ、スパッタリング等で成膜することが必要であった。

【００１２】磁性金属薄膜を成膜する際に、非磁性基板
を加熱するためには、成膜装置の構造が複雑となるとと
もに、使用可能な非磁性基板の種類が限定されるという
問題があり、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィ
ルム等のプラスチック材料の使用は困難であった。

【００１３】一方、低温度での成膜でも高抗磁力が得ら
れる材料として、Ｃｏ−Ｐｔ系の材料（特開昭63-18741
4 号公報等）、Ｃｏ−Ｐｔ−ＢＯ系の材料（特開平２−
74012 号公報等）が知られているが、Ｐｔ材料は高価で
あるという実用上の問題があった。

【００１４】Ｐｔより安価であり、かつ、低温度の成膜
でも高抗磁力が得られる材料としてＣｏ−Ｐｄ系の金属
薄膜が特開平１−191318号公報および特開平２−30104
号公報に開示されているが、これらにはＰｄ量が60％以
上必要であって材料コスト的にもまだ高価であり、さら
に、これらの金属薄膜は、垂直磁気異方性には優れてい
るが、面内磁化型の記録方式においては良好な特性を示
すものではなかった。

【００１５】面内磁化方式に用いられる磁気記録媒体に
おいては、特開平２−154318号公報に記載されるよう
に、Ｃｒからなる膜を下地層として磁性層と非磁性基板
との間に形成することが知られている。このような下地
層を形成する理由は、柱状晶をなして成膜されるＣｒ
（体心立方格子：ｂｃｃ、格子定数：ａ₀＝2.8846オン
グストローム）の(110) 面の１辺の長さ（２^1/2ａ₀＝
4.079 オングストローム）と磁性層の主構成元素である
α−Ｃｏ（最密六方格子）の格子定数ｃ₀＝4.070オン
グストロームとがほぼ等しいので、両層の界面の整合性
が良好であり、磁性層のｃ軸が面内方向となり、かつ、
結晶歪も少なくなるためであると説明されている。

【００１６】しかしながら、磁性層を形成するＣｏ系合
金がＰｄを含有する場合、その合金の格子定数ｃ₀はＰ
ｄを含まない場合に比べて大きく、例えば、（Ｃｏ₈₀Ｐ
ｄ₂₀）₈₆Ｃｒ₁₄について実測された格子定数ｃ₀は4.15
1 オングストロームであった。

【００１７】このため、Ｐｄ含有Ｃｏ系合金により形成
された磁性層は、Ｐｄを含まないＣｏ系合金とは異な
り、下地層との整合性が悪く、結晶歪の増大に伴う角型
比Ｍｒ／Ｍｓ（Ｍｒ：残留磁束密度、Ｍｓ：飽和磁束密
度）等の磁気特性の低下を免れないものであった。

【００１８】

【発明が解決しようとする課題】本発明は以上のような
従来技術の問題点に鑑み、製造適性に優れ、かつ、面内
磁化型の記録方式に適した特性を有する磁気記録媒体を
提供することをその目的とするものである。

【００１９】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成する本発
明の第１の磁気記録媒体は、非磁性基板上に磁性層を有
する磁気記録媒体において、該磁性層が（Ｃｏ_100-xＰ
ｄ_x）_100-yＣｒ_y（ただし、ｘおよびｙの単位はat．
％であり、10≦ｘ≦40、５≦ｙ≦25の範囲にある）で表
される磁性合金を主成分とする金属薄膜であり、前記非
磁性基板と前記磁性層との間に核生成層が設けられてお
り、該核生成層がＣｒＭ（ただし、ＭはＣｒの格子定数
よりも大きな格子定数を有し、体心立方格子結晶を形成
する金属元素を表す）で表される組成物からなることを
特徴とするものである。

【００２０】前記Ｍとして好ましいものをその格子定数
とともに示すと、Ｅｕ（4.5820オングストローム）、Ｍ
ｏ（3.1468オングストローム）、Ｎｂ（3.3066オングス
トローム）、Ｔａ（3.298 オングストローム）、Ｖ（3.
0231オングストローム）、Ｗ（3.1652オングストロー
ム）等が挙げられる。

【００２１】また、前記目的を達成する本発明の第２の
磁気記録媒体は、非磁性基板上に磁性層を有する磁気記
録媒体において、該磁性層が（Ｃｏ_100-xＰｄ_x）
_100-yＣｒ_y（ただし、ｘおよびｙの単位はat．％であ
り、10≦ｘ≦40、５≦ｙ≦25の範囲にある）で表される
磁性合金を主成分とする金属薄膜であり、前記非磁性基
板と前記磁性層との間に核生成層が設けられており、前
記磁性合金の格子定数ｃ₀と前記核生成層の格子定数と
が、一方が他方のほぼ整数倍の関係にあることを特徴と
するものである。

【００２２】本発明の第２の磁気記録媒体における核生
成層を構成する組成物として好ましいものとしては、Ｔ
ｉＮ、ＶＮ、ＣｒＮ、Ｍｏ₂Ｎ、Ｗ₂Ｎ等が挙げられ
る。

【００２３】

【作用】本発明の磁気記録媒体において磁性層を形成す
る金属薄膜は（Ｃｏ_100-xＰｄ_x）_100-yＣｒ_yで表さ
れる磁性合金を主成分とするものであり、Ｃｒの組成比
ｙは５〜25at．％の範囲にあり、好ましくは10〜20at．
％の範囲にある。Ｃｒの添加量は多すぎると飽和磁化Ｍ
ｓが低下し、また、少なすぎると面内の抗磁力Ｈｃが充
分に得られない。

【００２４】一方、Ｃｏ−Ｐｄ系合金におけるＰｄの組
成比ｘは10〜40at．％の範囲にあり、好ましくは10〜30
at．％の範囲にある。Ｐｄの添加量が多すぎると面内の
抗磁力Ｈｃが低くなり、また、少なすぎるとＣｒの変動
に対する面内の抗磁力Ｈｃの安定性が損なわれ、好まし
くない。

【００２５】さらに特性の向上を図るため、この金属薄
膜中に前記合金組成に加えてＰｄおよびＣｒの添加効果
を損なわない範囲で、10at．％以下の酸素、窒素、炭
素、不活性ガス、金属、あるいは半金属等の添加元素を
加えてもよい。

【００２６】本発明の磁気記録媒体においては、磁性層
の組成においてＣｏを主成分とすることにより、飽和磁
化を高い状態に確保し、さらにＣｏに比較的少量のＰｄ
を添加することにより発生する磁歪の逆効果が磁気異方
性を誘起するために、非磁性基板をそれほど高温に加熱
しなくとも磁気異方性に優れた磁性層を得ることができ
るものと考えられる。さらに、Ｃｒを添加するとその偏
析効果により粒界分離性が高まるので、抗磁力等の磁気
特性が改良されているものと推定される。

【００２７】すなわち、本発明の磁気記録媒体は、特定
の組成範囲にあるＣｏ−Ｐｄ系合金にＣｒを特定範囲の
組成比で加えることにより、得られる金属薄膜磁性層の
磁気特性を改良しており、また、Ｃｏ−Ｐｄ系合金を主
体とした組成であるために、成膜の際の非磁性基板の温
度を高める必要がないので、製造方法が簡易なものでよ
く、製造コストも比較的安価であり、非磁性基板に要求
される耐熱性も軽減されているのでその選択の幅を広く
することができる。

【００２８】そして、本発明の第１の磁気記録媒体にお
いては、磁性層と非磁性支持体との間に核生成層が設け
られており、この核生成層は、Ｃｒの格子定数よりも大
きな格子定数を有し、Ｃｒと同様に体心立方格子結晶を
形成する金属元素Ｍの添加により、Ｃｒ単体によって形
成された層よりも大きな格子定数ａ₀を有しており、こ
の結果、核生成層の(110) 面における１辺の長さ（２
^1/2ａ₀）とＰｄ含有Ｃｏ系金属薄膜磁性層のα−Ｃｏ
の格子定数ｃ₀との差が小さくなり、磁性層と核生成層
との界面の整合性が高められている。

【００２９】ＣｒＭからなる核生成層の格子定数はＭの
添加量によって調節可能であり、磁性層のα−Ｃｏの格
子定数ｃ₀に応じて決定することができる。例えば、Ｍ
としてＮｂを組成比10％の割合で添加してなるＣｒ₉₀Ｎ
ｂ₁₀合金で核生成層を構成した場合の格子定数は2.925
オングストロームであり、したがって、その(110) 面に
おける１辺の長さ（２^1/2ａ₀）は4.137 オングストロ
ームとなる。

【００３０】一方、本発明の第２の磁気記録媒体におい
ては磁性層を構成する磁性合金の格子定数ｃ₀と核生成
層の格子定数とが、一方が他方のほぼ整数倍の関係にあ
るため、磁性層と核生成層との界面の整合性が高められ
ている。本発明者は、磁性層と核生成層の格子定数が同
一でなくても、一方が他方のほぼ整数倍の関係にあれ
ば、両層の格子定数が同一である場合とほぼ同等の作用
が得られることを見出し、本発明の第２の磁気記録媒体
を得たものである。すなわち、磁性層のα−Ｃｏの格子
定数ｃ₀の長さの中に核生成層の格子定数が整数個入っ
ていても、また、核生成層の格子定数の長さの中に磁性
層のα−Ｃｏの格子定数ｃ₀が整数個入っていても両層
の格子定数が同一である場合とほぼ同等の作用が得られ
る。

【００３１】ここで、「ほぼ整数倍」とは正確な整数倍
にあたる値に対して±５％程度の誤差を許容するもので
あるが、この誤差は±２％の範囲とすることが好まし
い。

【００３２】本発明の磁気記録媒体の核生成層および磁
性層はスパッタリング、真空蒸着等の真空成膜法によっ
て形成することができるが、スパッタリングが本発明を
より有効に実施する点で最も好ましい。

【００３３】所定のターゲットを用いたスパッタリング
によって非磁性支持体上に核生成層を形成した後、この
上に連続して、磁性金属薄膜形成用のターゲットを用い
たスパッタリングを行って磁性層を形成すれば、本発明
の磁気記録媒体を効率的に製造することができる。

【００３４】所定の組成の合金薄膜を形成するには、薄
膜組成に近い組成の合金ターゲット、あるいは複合ター
ゲットにてスパッタリング成膜を行ってもよいし、また
複数のターゲットを同時にスパッタリング（多元同時ス
パッタリング）してもよい。

【００３５】特に、後者の多元同時スパッタリングは、
粒界の分離性を高めるので磁気異方性を誘起しやすく、
本発明の磁気記録媒体の形成に望ましい方法である。例
えば、Ｃｏ−Ｐｄ合金ターゲットとＣｒターゲットを組
み合わせた２元同時スパッタリングを行うことにより、
Ｃｒの偏析効果を高め、磁気異方性の優れた金属薄膜を
得ることができる。

【００３６】本発明においては、磁気記録媒体の内部応
力に起因する磁歪の効果が効いていると考えられ、スパ
ッタリング時の成膜室の真空槽内の不活性ガスの圧力に
より、得られる磁気特性が変化するので製造の際にはガ
ス圧に留意することが特に望ましい。

【００３７】例えば、不活性ガスにＡｒを使用する場
合、Ａｒガス圧は、５×10^-3Torr以上にすることが望ま
しい。

【００３８】また、磁性層の特性をより向上させるた
め、例えば、スパッタリング成膜時の真空中の残留ガス
雰囲気、基板温度、基板表面の吸着物除去、基板からの
脱ガスの低減、成膜速度等の最適化を行うことが望まし
い。

【００３９】本発明の磁気記録媒体における非磁性基板
としては、Ａｌ，Ａｌ合金等の金属、ガラス、セラミッ
クス、合成樹脂等から形成された非磁性基板、あるいは
表面処理や下地処理を施された非磁性基板等を用いるこ
とができる。例えば、Ａｌ系合金、Ｎｉ−Ｐ層付Ａｌ基
板、各種強化ガラス、各種セラミックス、ポリエチレン
テレフタレート、ポリイミド、ポリエーテルイミド、無
機・有機複合材料等を用いることができる。非磁性基板
は、ディスク状のみならず、テープ状等、任意の形状と
することができる。

【００４０】また、本発明をより効果的に実施するた
め、磁性層の上に、保護層や潤滑層を設けてもよい。例
えば、保護層としては、カーボン薄膜、酸化膜、窒化
膜、炭化膜、金属薄膜、合金薄膜等が用いられる。潤滑
層としては、金属薄膜型磁気記録媒体用の潤滑剤として
知られている各種の化合物を使用することができる。中
でもパーフロロカーボン系潤滑剤は潤滑効果の上で望ま
しい。

【００４１】

【実施例】

（実施例１）マグネトロン・スパッタリング装置の真空
槽内に125mm 径のＣｏ₈₀Ｐｄ₂₀（at．％）の組成を有す
る合金ターゲットとＣｒターゲットを設置した。次い
で、前記真空槽内にアルゴンガスを導入し、10×10^-3To
rrの雰囲気下で２元同時スパッタリングを行い、ガラス
基板上に膜厚1000オングストロームのＣｏ−Ｐｄ−Ｃｒ
３元系合金からなる金属薄膜を形成した。この際、ガラ
ス基板は特に積極的に加熱しなかった。

【００４２】ここでＣｏ₈₀Ｐｄ₂₀ターゲットには２kWの
ＲＦ電力を、Ｃｒターゲットには０〜300 ＷのＤＣ電力
をそれぞれ投入することにより、得られる金属薄膜の組
成を変化させた。

【００４３】このようにして作製された、1000オングス
トロームの膜厚の金属薄膜の組成を、ＩＣＰ（Inductiv
ely Coupled Plasma Analysis ）で較正したＸＲＦ（蛍
光Ｘ線分析）によって定量した。その定量結果を表１に
示す。

【００４４】

【表１】

【００４５】本定量結果より、成膜されたＣｏ−Ｐｄ−
Ｃｒ系合金の薄膜は、ターゲット組成であるＣｏ：Ｐｄ
＝80：20の比率を保ちながら、Ｃｒの成膜パワーに比例
した組成のＣｒが取り込まれているものであることが認
められた。

【００４６】（実施例２〜４）実施例１において、Ｃｏ
₈₀Ｐｄ₂₀のターゲットをＣｏ₉₀Ｐｄ₁₀（実施例２）、Ｃ
ｏ₇₀Ｐｄ₃₀（実施例３）、Ｃｏ₆₀Ｐｄ₄₀（実施例４）に
替えた以外は、実施例１と同一の条件でそれぞれの組成
の磁性層を前記ガラス基板の上に成膜して磁性金属薄膜
試料を得た。

【００４７】（比較例１）実施例１において、Ｃｏ₈₀Ｐ
ｄ₂₀のターゲットをＰｄの含まれていないＣｏに替えた
以外は、実施例１と同一の条件で金属薄膜試料を得た。

【００４８】以上のようにして得られた磁性金属薄膜試
料の磁気特性を、振動試料型磁力計（ＶＳＭ）を使用し
て測定した結果が図１および図２である。

【００４９】また、これらのサンプルを用いて測定した
Ｘ線回折パターンのＰｄ量依存性を図３に示す。

【００５０】さらに、図３のピークシフトから計算した
Ｃｏ−Ｐｄ−Ｃｒ金属薄膜におけるα−Ｃｏの格子定数
の変化を図４に示す。ここで、格子定数ａおよびｃは、
α−Ｃｏの(002) 面と(101) 面の２θを図３からピーク
トップ法で読取り、ｄ（面間隔）値に換算し、次式で求
めたものである。

【００５１】

【数１】

【００５２】図１は、Ｃｏ−Ｐｄ−Ｃｒ金属薄膜の３元
系の各組成と飽和磁化Ｍｓとの関係を示すグラフであ
り、縦軸は飽和磁化Ｍｓ(emu／cc）、横軸はＣｒ濃度
（at．％）であり、パラメータはＣｏ／Ｐｄ組成比であ
る。

【００５３】図２はＣｏ−Ｐｄ−Ｃｒ金属薄膜の３元系
の各組成と面内の抗磁力Ｈｃとの関係を示すグラフであ
る。縦軸は面内の抗磁力Ｈｃ(Oe)、横軸はＣｒ濃度（a
t．％）であり、パラメータはＣｏ／Ｐｄ組成比であ
る。この図から、Ｈｃのピークを与えるＣｒ濃度はＰｄ
含有量が増えるほど低い方へシフトすることが認められ
る。しかしながら、Ｐｄ含有量が多すぎるとＨｃが低く
なり、少なすぎるとＣｒ組成の変動に対するＨｃの変動
が大きくなる傾向も認められる。また、Ｐｄを含まない
系ではＨｃが顕著に低下することも認められる。

【００５４】図３から、Ｃｏ−Ｐｄ−Ｃｒ３元金属薄膜
がｈｃｐ構造のα−Ｃｏであることが認められる。Ｐｄ
含有量が増加するのに伴って各ピークが低角側へシフト
しているが、これは格子定数の変化に対応する。この結
果を格子定数として計算した結果が図４であるが、Ｐｄ
含有量の増加に伴ってａ₀、ｃ₀ともに単調増加してい
ることが認められる。また、図４から、Ｐｄ含有量が10
〜40at．％の範囲にある場合、格子定数ｃ₀は4.10〜4.
24オングストロームの範囲にあることが認められる。

【００５５】（実施例５〜８）前記マグネトロン・スパ
ッタリング装置の真空槽内にＣｒＭに対応するＣｒ₈₅Ｗ
₁₅（実施例５）、Ｃｒ₉₀Ｔａ₁₀（実施例６）、Ｃｒ₇₀Ｖ
₃₀（実施例７）、Ｃｒ₉₂Ｎｂ₈（実施例８）と、Ｃｏ₈₀
Ｐｄ₂₀（at．％）の組成を有する合金ターゲットと、Ｃ
ｒターゲットを設置した。

【００５６】真空槽内にアルゴンガスを導入し、５×10
^-3Torrの雰囲気下において500 ＷのＤＣ電力でＣｒＭタ
ーゲットのスパッタリングを行い、ガラス基板上に膜厚
1000オングストロームのＣｒＭからなる核生成層を形成
した。

【００５７】次いで、Ｃｏ₈₀Ｐｄ₂₀ターゲットには２kW
のＲＦ電力を、Ｃｒターゲットには150 ＷのＤＣ電力を
それぞれ投入することにより、核生成層の上に膜厚800
オングストロームのＣｏ−Ｐｄ−Ｃｒ系合金薄膜を形成
し、磁気記録媒体の試料を得た。

【００５８】（比較例２）ＣｒＭターゲットの替りにＣ
ｒターゲットを用いた以外は実施例５〜８と同一の条件
で磁気記録媒体の試料を作製した。

【００５９】以上のようにして得た磁気記録媒体の磁気
特性をＶＳＭを用いて測定した結果を表２に示す。

【００６０】

【表２】

【００６１】ＣｒＭからなる核生成層を有する実施例５
〜８の磁気記録媒体は金属元素Ｍの添加による核生成層
と磁性層との整合性の改善効果により、比較例２の磁気
記録媒体よりも良好な角型比を有していることが認めら
れる。

【００６２】（実施例９〜13）ＣｒＭターゲットの替り
にＴｉＮ（実施例９）、ＶＮ（実施例10）、ＣｒＮ（実
施例11）、Ｍｏ₂Ｎ（実施例12）、Ｗ₂Ｎ（実施例13）
からなる窒化物ターゲットを用いた以外は実施例５〜８
と同一の条件で磁気記録媒体の試料を作製した。

【００６３】以上のようにして得た磁気記録媒体および
前記比較例２の磁気記録媒体の磁気特性をＶＳＭを用い
て測定した結果を、それらの核生成層の格子定数ととも
に表３に示す。

【００６４】

【表３】

【００６５】窒化物からなる核生成層を有する実施例９
〜13の磁気記録媒体は核生成層と磁性層との整合性の改
善効果により、比較例２の磁気記録媒体よりも良好な角
型比を有していることが認められる。

【００６６】

【発明の効果】本発明は、特定の組成範囲にあるＣｏ−
Ｐｄ−Ｃｒ系磁性合金を主成分とする金属薄膜によって
磁性層を構成し、磁性層と非磁性支持体との間に核生成
層を設け、1)この核生成層をＣｒＭ（ただし、ＭはＣｒ
の格子定数よりも大きな格子定数を有し、体心立方格子
結晶を形成する金属元素を表す）で表される組成物から
なるものとすること、もしくは2)磁性合金の格子定数ｃ
₀と前記核生成層の格子定数とが、一方が他方のほぼ整
数倍の関係にあるようにすることにより、成膜時の非磁
性支持体の温度をあまり高くすることなく、高抗磁力
の、特に角型比の優れた磁気記録媒体を提供するもので
ある。

【図面の簡単な説明】

【図１】Ｃｏ−Ｐｄ−Ｃｒ金属薄膜の３元系の各組成と
飽和磁化Ｍｓとの関係を示すグラフ

【図２】Ｃｏ−Ｐｄ−Ｃｒ金属薄膜の３元系の各組成と
面内の抗磁力Ｈｃとの関係を示すグラフ

【図３】Ｃｏ−Ｐｄ−Ｃｒ金属薄膜のＸ線回折パターン
を示すグラフ

【図４】Ｃｏ−Ｐｄ−Ｃｒ金属薄膜におけるＰｄ含有量
とα−Ｃｏの格子定数との関係を示すグラフ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】非磁性基板上に磁性層を有する磁気記録
媒体において、該磁性層が（Ｃｏ_100-xＰｄ_x）_100-y
Ｃｒ_y（ただし、ｘおよびｙの単位はat．％であり、10
≦ｘ≦40、５≦ｙ≦25の範囲にある）で表される磁性合
金を主成分とする金属薄膜であり、前記非磁性基板と前
記磁性層との間に核生成層が設けられており、該核生成
層がＣｒＭ（ただし、ＭはＣｒの格子定数よりも大きな
格子定数を有し、体心立方格子結晶を形成する金属元素
を表す）で表される組成物からなるものであることを特
徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】前記ＭがＥｕ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、
およびＷからなる群より選ばれた少なくとも１つの元素
であることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項３】非磁性基板上に磁性層を有する磁気記録
媒体において、該磁性層が（Ｃｏ_100-xＰｄ_x）_100-y
Ｃｒ_y（ただし、ｘおよびｙの単位はat．％であり、10
≦ｘ≦40、５≦ｙ≦25の範囲にある）で表される磁性合
金を主成分とする金属薄膜であり、前記非磁性基板と前
記磁性層との間に核生成層が設けられており、前記磁性
合金の格子定数ｃ₀と前記核生成層の格子定数とが、一
方が他方のほぼ整数倍の関係にあることを特徴とする磁
気記録媒体。
【請求項４】前記核生成層がＴｉＮ、ＶＮ、ＣｒＮ、
Ｍｏ₂Ｎ、およびＷ₂Ｎからなる群より選ばれた少なく
とも１つの組成物からなるものであることを特徴とする
請求項３記載の磁気記録媒体。