JPH08172178A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPH08172178A JPH08172178A JP6314943A JP31494394A JPH08172178A JP H08172178 A JPH08172178 A JP H08172178A JP 6314943 A JP6314943 A JP 6314943A JP 31494394 A JP31494394 A JP 31494394A JP H08172178 A JPH08172178 A JP H08172178A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＣＣＤレジスタに隣接して過剰電荷を排出す
る部分を有し、複数の画素列を並列に配置するＣＣＤリ
ニアイメージセンサにおいて、画素列相互間の間隔を狭
め得る構造を提供する。 【構成】 転送チャネル及びオーバフロー調整層の相互
間の不純物の濃度差を、転送チャネルから排出すべき過
剰な信号電荷のレベルに対応して設定する。この不純物
の濃度差により、信号電荷をガイドする転送チャネルの
壁の高さ（エネルギギャップ）が設定される。過剰な信
号電荷が発生すると、所定レベルを超える信号電荷は転
送チャネルからオーバフロー調整層をのり超えてオーバ
フロードレインに流入する。 【効果】 オーバフロー制御電極を用いずとも、所定レ
ベルを超える過剰な信号電荷を排出することが可能とな
る。
る部分を有し、複数の画素列を並列に配置するＣＣＤリ
ニアイメージセンサにおいて、画素列相互間の間隔を狭
め得る構造を提供する。 【構成】 転送チャネル及びオーバフロー調整層の相互
間の不純物の濃度差を、転送チャネルから排出すべき過
剰な信号電荷のレベルに対応して設定する。この不純物
の濃度差により、信号電荷をガイドする転送チャネルの
壁の高さ（エネルギギャップ）が設定される。過剰な信
号電荷が発生すると、所定レベルを超える信号電荷は転
送チャネルからオーバフロー調整層をのり超えてオーバ
フロードレインに流入する。 【効果】 オーバフロー制御電極を用いずとも、所定レ
ベルを超える過剰な信号電荷を排出することが可能とな
る。
Description
【０００１】
【産業の利用分野】本発明は、固体撮像装置に関し、特
に、カラー画像読み取り装置に適したＣＣＤリニアイメ
ージセンサの改良に関する。
に、カラー画像読み取り装置に適したＣＣＤリニアイメ
ージセンサの改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】リニアイメージセンサは、カラー複写機
やカラースキャナに広く利用されている。図４は、カラ
ーリニアイメージセンサの平面的な構成例を概略的に示
している。
やカラースキャナに広く利用されている。図４は、カラ
ーリニアイメージセンサの平面的な構成例を概略的に示
している。
【０００３】同図において、光像を電気信号に変換する
複数の光電変換素子による画素列１が行方向に形成され
ている。画素列１上には、色フィルタ６、例えば、赤色
フィルタの膜が形成される。この画素列１には、図示し
ない原稿の走査機構によって、原稿像が投影される。画
素列１に隣接しかつ画素列１と平行にＣＣＤレジスタ２
が配置される。画素列１の個々の光電変換素子に発生し
た信号電荷は、隣接するＣＣＤレジスタ２に転送され
る。ＣＣＤレジスタ２は、例えば、２相クロックによっ
て駆動され、信号電荷を水平方向に出力端まで順次に転
送する。ＣＣＤレジスタ２から出力される信号電荷は出
力部３のアンプによって増幅され、画像信号Ｒとして出
力される。
複数の光電変換素子による画素列１が行方向に形成され
ている。画素列１上には、色フィルタ６、例えば、赤色
フィルタの膜が形成される。この画素列１には、図示し
ない原稿の走査機構によって、原稿像が投影される。画
素列１に隣接しかつ画素列１と平行にＣＣＤレジスタ２
が配置される。画素列１の個々の光電変換素子に発生し
た信号電荷は、隣接するＣＣＤレジスタ２に転送され
る。ＣＣＤレジスタ２は、例えば、２相クロックによっ
て駆動され、信号電荷を水平方向に出力端まで順次に転
送する。ＣＣＤレジスタ２から出力される信号電荷は出
力部３のアンプによって増幅され、画像信号Ｒとして出
力される。
【０００４】ＣＣＤレジスタ２に平行してオーバフロー
制御部４が設けられている。オーバフロー制御部４は、
光電変換素子に過剰に発生した信号電荷を、ＣＣＤレジ
スタ２においてオーバフロードレイン５にバイパスし、
過剰電荷によるノイズの発生や画質の低下を防止し、Ｓ
／Ｎの向上を図っている。オーバフロードレイン５は安
定化された電源の所定基準電位に接続されており、過剰
電荷を吸収する。
制御部４が設けられている。オーバフロー制御部４は、
光電変換素子に過剰に発生した信号電荷を、ＣＣＤレジ
スタ２においてオーバフロードレイン５にバイパスし、
過剰電荷によるノイズの発生や画質の低下を防止し、Ｓ
／Ｎの向上を図っている。オーバフロードレイン５は安
定化された電源の所定基準電位に接続されており、過剰
電荷を吸収する。
【０００５】このように構成されたリニアセンサがカラ
ー画像の読み取りのために、更に、２列形成される。追
加される第２列及び第３列の画素列上には、例えば、緑
色フィルタ及び青色フィルタの膜が夫々形成される。そ
の結果、各出力部３のアンプから三色分解されたカラー
の画像信号、すなわち、赤色画像信号Ｒ、緑色画像信号
Ｇ及び青色画像信号Ｂが得られる。
ー画像の読み取りのために、更に、２列形成される。追
加される第２列及び第３列の画素列上には、例えば、緑
色フィルタ及び青色フィルタの膜が夫々形成される。そ
の結果、各出力部３のアンプから三色分解されたカラー
の画像信号、すなわち、赤色画像信号Ｒ、緑色画像信号
Ｇ及び青色画像信号Ｂが得られる。
【０００６】図５は、ＣＣＤレジスタ２、オーバフロー
制御部４、オーバフロードレイン５等からなり、過剰な
信号電荷の電荷の一部を除去する過剰電荷排出の役割を
担う部分を概略的に示している。同図において、２１は
ＣＣＤレジスタ２の転送チャネル（表面チャネル又は埋
込チャネル）を形成するＮ型不純物領域であり、例え
ば、Ｐ型シリコン基板中にＮ型不純物（例えばリン）が
注入されて形成される。２２は転送チャネル上に、電荷
転送方向に配列される第１群の転送電極、２３は転送電
極２２を駆動クロック／φが供給される信号線２６に接
続するコンタクトである。ここで、／φは、信号φの反
転信号を意味する。２４は電荷転送方向に配列される第
２群の転送電極、２５は転送電極２４を駆動クロックφ
が供給される信号線２７に接続するコンタクトである。
転送電極２２及び２３は交互に配置される。駆動クロッ
クφ及び／φは互いに相補的に変化する２相クロックで
ある。４１はＮ型不純物領域２１に隣接して形成された
Ｎ型若しくはより低濃度のＮ型不純物領域、４２はＣＣ
Ｄレジスタ２に沿って配置されて、転送チャネルの壁の
高さを調整して、ＣＣＤレジスタの過剰な信号電荷をオ
ーバフロードレイン５１にバイパスするオーバフロー制
御電極である。オーバフロー制御電極４２はコンタクト
４３を介して制御電圧ＣＮＴが供給される信号線４４に
接続される。制御電圧ＣＮＴのレベルを適当に設定する
ことによってオーバフローの閾値を設定することが出来
る。オーバフロードレイン５１は、定電圧源によって一
定電位ＯＦに維持される信号線５２に接続される。オー
バフロードレイン５１は、信号線との接続のために高濃
度不純物拡散層Ｎ+ によって形成される。
制御部４、オーバフロードレイン５等からなり、過剰な
信号電荷の電荷の一部を除去する過剰電荷排出の役割を
担う部分を概略的に示している。同図において、２１は
ＣＣＤレジスタ２の転送チャネル（表面チャネル又は埋
込チャネル）を形成するＮ型不純物領域であり、例え
ば、Ｐ型シリコン基板中にＮ型不純物（例えばリン）が
注入されて形成される。２２は転送チャネル上に、電荷
転送方向に配列される第１群の転送電極、２３は転送電
極２２を駆動クロック／φが供給される信号線２６に接
続するコンタクトである。ここで、／φは、信号φの反
転信号を意味する。２４は電荷転送方向に配列される第
２群の転送電極、２５は転送電極２４を駆動クロックφ
が供給される信号線２７に接続するコンタクトである。
転送電極２２及び２３は交互に配置される。駆動クロッ
クφ及び／φは互いに相補的に変化する２相クロックで
ある。４１はＮ型不純物領域２１に隣接して形成された
Ｎ型若しくはより低濃度のＮ型不純物領域、４２はＣＣ
Ｄレジスタ２に沿って配置されて、転送チャネルの壁の
高さを調整して、ＣＣＤレジスタの過剰な信号電荷をオ
ーバフロードレイン５１にバイパスするオーバフロー制
御電極である。オーバフロー制御電極４２はコンタクト
４３を介して制御電圧ＣＮＴが供給される信号線４４に
接続される。制御電圧ＣＮＴのレベルを適当に設定する
ことによってオーバフローの閾値を設定することが出来
る。オーバフロードレイン５１は、定電圧源によって一
定電位ＯＦに維持される信号線５２に接続される。オー
バフロードレイン５１は、信号線との接続のために高濃
度不純物拡散層Ｎ+ によって形成される。
【０００７】図６は、図５に示されるＡ−Ａ’方向にお
ける断面図を示しており、同図において図５に示される
部分と対応する部分には同一符号を付し、かかる部分の
説明は省略する。Ｎ型不純物領域２１は、不純物が（１
〜３）×１０16ｃｍ3 程度注入される。Ｎ型不純物領域
４１は、不純物が０．５×１０16ｃｍ3 〜１０16ｃｍ3
程度注入される。Ｎ型不純物領域５１は、不純物が１０
18ｃｍ3 〜１０22ｃｍ3 程度注入される。不純物として
は、例えば、Ｐ型シリコン基板に対応してリンが用いら
れる。不純物領域２１及び４１の両側には素子分離領域
のフィールド酸化膜１０３が形成される。フィールド酸
化膜１０３の下部には隣接領域と電気的に分離するため
にＰ型不純物が高濃度で拡散されている。
ける断面図を示しており、同図において図５に示される
部分と対応する部分には同一符号を付し、かかる部分の
説明は省略する。Ｎ型不純物領域２１は、不純物が（１
〜３）×１０16ｃｍ3 程度注入される。Ｎ型不純物領域
４１は、不純物が０．５×１０16ｃｍ3 〜１０16ｃｍ3
程度注入される。Ｎ型不純物領域５１は、不純物が１０
18ｃｍ3 〜１０22ｃｍ3 程度注入される。不純物として
は、例えば、Ｐ型シリコン基板に対応してリンが用いら
れる。不純物領域２１及び４１の両側には素子分離領域
のフィールド酸化膜１０３が形成される。フィールド酸
化膜１０３の下部には隣接領域と電気的に分離するため
にＰ型不純物が高濃度で拡散されている。
【０００８】図７は、ＣＣＤレジスタにおける電荷転送
の様子を説明する説明図である。２相の駆動パルスφ、
／φが転送電極２２及び２４に夫々供給されると、ＣＣ
Ｄレジスタ２の転送チャネルのエネルギレベルは同図の
ａ及びｂの間で変化し、信号電荷を紙面に対して垂直な
方向に転送する。エネルギギャップによる転送チャネル
の壁の高さは、Ｎ型領域４１の不純物濃度とオーバフロ
ー制御電極４２への印加電圧ＣＮＴによって転送チャネ
ルのエネルギレベルとは独立に定まる。高輝度の光像が
照射されて光電変換素子１に発生した過剰な信号電荷が
ＣＣＤレジスタ２に転送されると、図７のｃに示すよう
に、余分な信号電荷が壁をのりこえてオーバフロードレ
インに流れ込み、排除される。これにより、隣接する画
素への過剰電荷による影響が回避される。
の様子を説明する説明図である。２相の駆動パルスφ、
／φが転送電極２２及び２４に夫々供給されると、ＣＣ
Ｄレジスタ２の転送チャネルのエネルギレベルは同図の
ａ及びｂの間で変化し、信号電荷を紙面に対して垂直な
方向に転送する。エネルギギャップによる転送チャネル
の壁の高さは、Ｎ型領域４１の不純物濃度とオーバフロ
ー制御電極４２への印加電圧ＣＮＴによって転送チャネ
ルのエネルギレベルとは独立に定まる。高輝度の光像が
照射されて光電変換素子１に発生した過剰な信号電荷が
ＣＣＤレジスタ２に転送されると、図７のｃに示すよう
に、余分な信号電荷が壁をのりこえてオーバフロードレ
インに流れ込み、排除される。これにより、隣接する画
素への過剰電荷による影響が回避される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来構成で
は、ＣＣＤレジスタを画素列間に設けているため、画素
列間に一定の間隔を確保する必要がある。そのため、画
像読取装置側では、読取り位置のずれを補償する必要が
ある場合には、ラインメモリが必要となる。ラインメモ
リを減らすために画素列間の距離を極力小さくすること
が要求される。従来構成では、オーバーフロードレイン
領域の占める面積が大きいため、画素列間距離を狭める
のが困難である。すなわち、図４及び５に示されるよう
に、ＣＣＤレジスタ２に隣接する領域４、５に、転送電
極２４、オーバーフロー制御電極４２、オーバフロード
レイン５１、オーバーフロー制御電極４２を接続する信
号線４４、オーバフロードレイン５１を接続する信号線
５２を配置するため、当該隣接領域部分の面積を小さく
することが出来ない。
は、ＣＣＤレジスタを画素列間に設けているため、画素
列間に一定の間隔を確保する必要がある。そのため、画
像読取装置側では、読取り位置のずれを補償する必要が
ある場合には、ラインメモリが必要となる。ラインメモ
リを減らすために画素列間の距離を極力小さくすること
が要求される。従来構成では、オーバーフロードレイン
領域の占める面積が大きいため、画素列間距離を狭める
のが困難である。すなわち、図４及び５に示されるよう
に、ＣＣＤレジスタ２に隣接する領域４、５に、転送電
極２４、オーバーフロー制御電極４２、オーバフロード
レイン５１、オーバーフロー制御電極４２を接続する信
号線４４、オーバフロードレイン５１を接続する信号線
５２を配置するため、当該隣接領域部分の面積を小さく
することが出来ない。
【００１０】よって、本発明は、ＣＣＤレジスタに隣接
して過剰電荷を排出する機能部分を有し、複数の画素列
を並列に配置するＣＣＤリニアイメージセンサにおい
て、画素列相互間の間隔を狭め得る構造を提供すること
を目的とする。
して過剰電荷を排出する機能部分を有し、複数の画素列
を並列に配置するＣＣＤリニアイメージセンサにおい
て、画素列相互間の間隔を狭め得る構造を提供すること
を目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明の固体撮像装置は、入射光量に応じた信号電荷を
発生する複数の光電変換素子からなる、光電変換素子列
（１）と、上記光電変換素子列に発生した複数の信号電
荷を第１の不純物拡散層（２１）によって形成される転
送チャネルに取込み、上記転送チャネル中を順次に転送
する、ＣＣＤレジスタ（２）と、上記第１の不純物拡散
層に沿って低抵抗に形成された第２の不純物拡散層（１
０２）からなり、上記転送チャネルから排出される信号
電荷を所定ノードに流し込む、オーバフロードレイン
と、上記第１及び第２の不純物拡散層相互間に設けら
れ、かつ、上記第１の不純物拡散層よりも低不純物濃度
に設定される第３の不純物拡散層（１０１）からなる、
オーバフロー調整層と、を備えることを特徴とする。
本発明の固体撮像装置は、入射光量に応じた信号電荷を
発生する複数の光電変換素子からなる、光電変換素子列
（１）と、上記光電変換素子列に発生した複数の信号電
荷を第１の不純物拡散層（２１）によって形成される転
送チャネルに取込み、上記転送チャネル中を順次に転送
する、ＣＣＤレジスタ（２）と、上記第１の不純物拡散
層に沿って低抵抗に形成された第２の不純物拡散層（１
０２）からなり、上記転送チャネルから排出される信号
電荷を所定ノードに流し込む、オーバフロードレイン
と、上記第１及び第２の不純物拡散層相互間に設けら
れ、かつ、上記第１の不純物拡散層よりも低不純物濃度
に設定される第３の不純物拡散層（１０１）からなる、
オーバフロー調整層と、を備えることを特徴とする。
【００１２】
【作用】転送チャネルの第１の不純物拡散層及びオーバ
フロー調整層の第３の不純物拡散層相互間の不純物の濃
度差を、転送チャネルから排出すべき過剰な信号電荷の
レベルに対応して設定する。この不純物の濃度差によ
り、信号電荷をガイドする転送チャネルの壁の高さ（エ
ネルギギャップ）が設定される。過剰な信号電荷が発生
すると、転送チャネルから所定レベルを超える信号電荷
がオーバフロー調整層をのり超えてオーバフロードレイ
ンに流入する。この結果、オーバフロー制御電極を用い
ずとも、所定レベルを超える過剰な信号電荷を排出する
ことが可能となる。
フロー調整層の第３の不純物拡散層相互間の不純物の濃
度差を、転送チャネルから排出すべき過剰な信号電荷の
レベルに対応して設定する。この不純物の濃度差によ
り、信号電荷をガイドする転送チャネルの壁の高さ（エ
ネルギギャップ）が設定される。過剰な信号電荷が発生
すると、転送チャネルから所定レベルを超える信号電荷
がオーバフロー調整層をのり超えてオーバフロードレイ
ンに流入する。この結果、オーバフロー制御電極を用い
ずとも、所定レベルを超える過剰な信号電荷を排出する
ことが可能となる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。図
１は、本発明の実施例を示しており、図５に対応する部
分には同一符号を付し、かかる部分の説明は省略する。
また、図２は、図１のＡ−Ａ’方向における断面図であ
り、図６と対応する部分には同一符号を付している。
１は、本発明の実施例を示しており、図５に対応する部
分には同一符号を付し、かかる部分の説明は省略する。
また、図２は、図１のＡ−Ａ’方向における断面図であ
り、図６と対応する部分には同一符号を付している。
【００１４】本実施例では、図４に示されるオーバフロ
ー制御部４及びオーバフロードレイン５は、転送電極２
４を配線２７に接続するコンタクト２５部分を絶縁する
素子分離領域のフィールド酸化膜１０３の下部に、オー
バフロー調整層１０１及びオーバフロードレイン１０２
によって夫々形成される。オーバフロー制御部４２に相
当する機能を担うオーバフロー調整層１０１は、埋込チ
ャネル領域２１に沿って形成され、この領域２１よりも
不純物濃度の低い、例えば、不純物濃度（０．５〜３）
×１０16ｃｍ3 程度のＮ- 型不純物拡散層で形成され
る。オーバフロードレイン１０２は、不純物拡散層１０
１に隣接して、例えば、不純物濃度が１０18ｃｍ3 〜１
０22ｃｍ3 程度の高濃度不純物拡散層１０２によって形
成される。Ｎ+ 不純物拡散層１０２は図示しない適当な
場所で一定電位のノードに接続される。オーバフロー調
整層１０１及びオーバフロードレイン１０２は、過剰電
荷排出部を形成し、前述したオーバフロー制御部４及び
オーバフロードレイン５と同様に過剰電荷を排除する役
割を担う。
ー制御部４及びオーバフロードレイン５は、転送電極２
４を配線２７に接続するコンタクト２５部分を絶縁する
素子分離領域のフィールド酸化膜１０３の下部に、オー
バフロー調整層１０１及びオーバフロードレイン１０２
によって夫々形成される。オーバフロー制御部４２に相
当する機能を担うオーバフロー調整層１０１は、埋込チ
ャネル領域２１に沿って形成され、この領域２１よりも
不純物濃度の低い、例えば、不純物濃度（０．５〜３）
×１０16ｃｍ3 程度のＮ- 型不純物拡散層で形成され
る。オーバフロードレイン１０２は、不純物拡散層１０
１に隣接して、例えば、不純物濃度が１０18ｃｍ3 〜１
０22ｃｍ3 程度の高濃度不純物拡散層１０２によって形
成される。Ｎ+ 不純物拡散層１０２は図示しない適当な
場所で一定電位のノードに接続される。オーバフロー調
整層１０１及びオーバフロードレイン１０２は、過剰電
荷排出部を形成し、前述したオーバフロー制御部４及び
オーバフロードレイン５と同様に過剰電荷を排除する役
割を担う。
【００１５】この構造では、過剰電荷排出部が、転送電
極２４の接続領域の下部に配置され、従来構成における
オーバフロー制御電極４２、コンタクト４３、信号線４
４、信号線５２は除かれている。このため、隣接する画
素列相互間を狭く形成することが可能となる。
極２４の接続領域の下部に配置され、従来構成における
オーバフロー制御電極４２、コンタクト４３、信号線４
４、信号線５２は除かれている。このため、隣接する画
素列相互間を狭く形成することが可能となる。
【００１６】図３は、ＣＣＤレジスタの転送チャネルに
おける電荷転送の様子を説明する説明図である。転送電
極２２及び２３に駆動パルスが交互に供給されると、Ｃ
ＣＤレジスタ２の転送チャネル２１のエネルギレベルは
同図のａ及びｂの間で変化し、信号電荷を紙面に対して
垂直な方向に転送する。転送チャネルとオーバフロード
レイン間に形成される転送チャネルの壁の高さは、Ｎ-
型領域１０１の不純物濃度によって定められる。この壁
は転送電極への駆動パルスの印加に応じて転送チャネル
と同様にエネルギレベルが変動する。
おける電荷転送の様子を説明する説明図である。転送電
極２２及び２３に駆動パルスが交互に供給されると、Ｃ
ＣＤレジスタ２の転送チャネル２１のエネルギレベルは
同図のａ及びｂの間で変化し、信号電荷を紙面に対して
垂直な方向に転送する。転送チャネルとオーバフロード
レイン間に形成される転送チャネルの壁の高さは、Ｎ-
型領域１０１の不純物濃度によって定められる。この壁
は転送電極への駆動パルスの印加に応じて転送チャネル
と同様にエネルギレベルが変動する。
【００１７】高輝度の光像が照射されて光電変換素子１
に発生した過剰な信号電荷がＣＣＤレジスタ２に転送さ
れると、図３のｃに示すように、余分な信号電荷が不純
物濃度差によって設定された転送チャネルの壁をのりこ
えてオーバフロードレイン１０２に流れ込む。前述した
ようにオーバフロードレイン１０２は適当な場所で一定
電位、例えば接地電位のノード接続されているので、過
剰電荷は排除される。これにより、従来と同様、隣接す
る画素への過剰電荷による影響が回避される。
に発生した過剰な信号電荷がＣＣＤレジスタ２に転送さ
れると、図３のｃに示すように、余分な信号電荷が不純
物濃度差によって設定された転送チャネルの壁をのりこ
えてオーバフロードレイン１０２に流れ込む。前述した
ようにオーバフロードレイン１０２は適当な場所で一定
電位、例えば接地電位のノード接続されているので、過
剰電荷は排除される。これにより、従来と同様、隣接す
る画素への過剰電荷による影響が回避される。
【００１８】このように、本発明の構成では、過剰電荷
がのりこえる転送チャネルの壁（エネルギギャップ）の
高さを、制御電極に印加するバイアス電圧のレベルによ
り設定するのではなく、転送チャネル２１とこのチャネ
ル層２１に隣接するオーバフロー調整層１０１相互間の
不純物濃度差によって設定するので、転送チャネル２１
から過剰電荷をオーバフロードレイン１０２に排出する
機能を簡単な構造で実現することが可能となる。
がのりこえる転送チャネルの壁（エネルギギャップ）の
高さを、制御電極に印加するバイアス電圧のレベルによ
り設定するのではなく、転送チャネル２１とこのチャネ
ル層２１に隣接するオーバフロー調整層１０１相互間の
不純物濃度差によって設定するので、転送チャネル２１
から過剰電荷をオーバフロードレイン１０２に排出する
機能を簡単な構造で実現することが可能となる。
【００１９】なお、実施例ではＰ型半導体基板にＮ型不
純物を用いて不純物層１０１及び１０２を形成している
が、勿論、Ｎ型半導体基板にＰ型不純物を用いて不純物
層１０１及び１０２を形成しても良い。また、各不純物
層の不純物濃度は実施例に限定されるものではなく、適
宜に設定することが可能である。
純物を用いて不純物層１０１及び１０２を形成している
が、勿論、Ｎ型半導体基板にＰ型不純物を用いて不純物
層１０１及び１０２を形成しても良い。また、各不純物
層の不純物濃度は実施例に限定されるものではなく、適
宜に設定することが可能である。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の固体撮像
装置では、ＣＣＤレジスタからの過剰電荷を排出する過
剰電荷排出部を不純物拡散層によって形成するため、過
剰電荷排出部を転送電極と配線との接続領域部分の下部
に設けることができる。このため、隣接する画素列相互
間を狭く配置することが可能となる。
装置では、ＣＣＤレジスタからの過剰電荷を排出する過
剰電荷排出部を不純物拡散層によって形成するため、過
剰電荷排出部を転送電極と配線との接続領域部分の下部
に設けることができる。このため、隣接する画素列相互
間を狭く配置することが可能となる。
【図１】本発明の実施例を示す、ＣＣＤリニアイメージ
センサの過剰電荷排出を行う部分を説明する図である。
センサの過剰電荷排出を行う部分を説明する図である。
【図２】図１のＡ−Ａ’方向における断面図である。
【図３】実施例の動作を説明する説明図である。
【図４】カラーリニアイメージセンサの概略構成をしめ
す説明図である。
す説明図である。
【図５】ＣＣＤリニアイメージセンサの過剰電荷排出を
行う部分を説明する図である。
行う部分を説明する図である。
【図６】図５のＡ−Ａ’方向における断面図である。
【図７】ＣＣＤチャネルの動作とオーバフロー制御を説
明する説明図である。
明する説明図である。
１ 画素列 ２ ＣＣＤレジスタ ３ 出力部 ４ オーバフロー制御部 ５ オーバフロードレイン ６ 色フィルタ １０１ オーバフロー調整層 １０２ オーバフロードレイン
Claims (5)
- 【請求項１】入射光量に応じた信号電荷を発生する複数
の光電変換素子からなる、光電変換素子列と、 前記光電変換素子列に発生した複数の信号電荷を第１の
不純物拡散層によって形成される転送チャネルに取込
み、前記転送チャネル中を順次に転送する、ＣＣＤレジ
スタと、 前記第１の不純物拡散層に沿って低抵抗に形成された第
２の不純物拡散層からなり、前記転送チャネルから排出
される信号電荷を所定ノードに流し込む、オーバフロー
ドレインと、 前記第１及び第２の不純物拡散層相互間に設けられ、か
つ、前記第１の不純物拡散層よりも低不純物濃度に設定
される第３の不純物拡散層からなる、オーバフロー調整
層と、 を備えることを特徴とする固体撮像装置。 - 【請求項２】前記第１の不純物拡散層及び前記第３の不
純物拡散層相互間の不純物の濃度差が、前記転送チャネ
ルから排出すべき信号電荷のレベルに対応して設定され
る、 ことを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。 - 【請求項３】前記光電変換素子列、前記ＣＣＤレジス
タ、前記オーバフロー調整層、前記オーバフロードレイ
ンを順番に繰り返して複数組配列し、複数の画像信号を
得る、 ことを特徴とする請求項１又は２記載の固体撮像装置。 - 【請求項４】各組の光電変換素子列各々の上に色分解の
ための色フィルタ層が形成される、 ことを特徴とする請求項３記載の固体撮像装置。 - 【請求項５】前記第２の不純物拡散層、あるいは前記第
２及び第３の２つの不純物拡散層が、素子分離領域内に
形成される、 ことを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31494394A JP3592772B2 (ja) | 1994-12-19 | 1994-12-19 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31494394A JP3592772B2 (ja) | 1994-12-19 | 1994-12-19 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08172178A true JPH08172178A (ja) | 1996-07-02 |
| JP3592772B2 JP3592772B2 (ja) | 2004-11-24 |
Family
ID=18059525
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31494394A Expired - Fee Related JP3592772B2 (ja) | 1994-12-19 | 1994-12-19 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3592772B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001358326A (ja) * | 2000-05-23 | 2001-12-26 | Samsung Electronics Co Ltd | 固体撮像素子及びその形成方法 |
| EP1289020A3 (en) * | 2001-08-31 | 2004-04-21 | Eastman Kodak Company | A lateral overflow drain, antiblooming structure for ccd devices having improved breakdown voltage |
| JP2006210716A (ja) * | 2005-01-28 | 2006-08-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置及びその製造方法 |
| JP2007173390A (ja) * | 2005-12-20 | 2007-07-05 | Fujifilm Corp | Ｃｃｄ型固体撮像素子 |
-
1994
- 1994-12-19 JP JP31494394A patent/JP3592772B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| US7473944B2 (en) * | 2005-01-28 | 2009-01-06 | Panasonic Corporation | Solid-state imaging device |
| US7723145B2 (en) | 2005-01-28 | 2010-05-25 | Panasonic Corporation | Solid-state imaging device and manufacturing method for the same |
| JP2007173390A (ja) * | 2005-12-20 | 2007-07-05 | Fujifilm Corp | Ｃｃｄ型固体撮像素子 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3592772B2 (ja) | 2004-11-24 |
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