JPH08172216A - 歪量子井戸型半導体発光装置の製造方法 - Google Patents
歪量子井戸型半導体発光装置の製造方法Info
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- JPH08172216A JPH08172216A JP31321494A JP31321494A JPH08172216A JP H08172216 A JPH08172216 A JP H08172216A JP 31321494 A JP31321494 A JP 31321494A JP 31321494 A JP31321494 A JP 31321494A JP H08172216 A JPH08172216 A JP H08172216A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 低しきい値，高速動作，高速変調の歪量子井
戸型半導体発光装置の製造方法を提供する。 【構成】 基板上にクラッド層、光閉じ込め層、歪量子
井戸構造からなる活性層、光閉じ込め層およびクラッド
層をこの順に順次エピタキシャル成長させて積層する工
程を有する歪量子井戸型半導体発光装置の製造方法にお
いて、活性層の成長温度をクラッド層および光閉じ込め
層の成長温度よりも低くする。
戸型半導体発光装置の製造方法を提供する。 【構成】 基板上にクラッド層、光閉じ込め層、歪量子
井戸構造からなる活性層、光閉じ込め層およびクラッド
層をこの順に順次エピタキシャル成長させて積層する工
程を有する歪量子井戸型半導体発光装置の製造方法にお
いて、活性層の成長温度をクラッド層および光閉じ込め
層の成長温度よりも低くする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、歪を含んだ量子井戸構
造からなる活性層を有する歪量子井戸型半導体発光装置
の製造方法に関する。
造からなる活性層を有する歪量子井戸型半導体発光装置
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】大容量光通信は高度情報化社会を構築す
るために必須の技術であり、このことは高速直接変調が
可能な半導体レーザ素子の出現に負うところが大きい。
そのため、光通信に用いられる半導体レーザには、高速
変調、高出力、狭い発光スペクトル幅、低電力での動作
が要求される。ところで、多重量子井戸構造からなる活
性層を有する半導体レーザ素子では、量子サイズ効果に
基づく状態密度関数の変化、微分利得の増大を利用し
て、低いしきい値電流での動作、発振波長を材料に依存
せず変化させることが可能になり、温度特性、高速変調
特性にも優れた素子が得られている。さらに、量子井戸
に歪を導入して、量子井戸層のバンド構造を変化させ、
レーザ特性を改善した歪量子井戸半導体レーザ素子も開
発されている。この歪量子井戸半導体レーザ素子では、
重いホールの有効質量と状態密度が低減することによ
り、しきい値電流がさらに低減される。また、種々の損
失機構が減少するため、この素子では高出力発振が可能
になり、また微分利得の向上により、高速変調、高帯域
化が可能になる。
るために必須の技術であり、このことは高速直接変調が
可能な半導体レーザ素子の出現に負うところが大きい。
そのため、光通信に用いられる半導体レーザには、高速
変調、高出力、狭い発光スペクトル幅、低電力での動作
が要求される。ところで、多重量子井戸構造からなる活
性層を有する半導体レーザ素子では、量子サイズ効果に
基づく状態密度関数の変化、微分利得の増大を利用し
て、低いしきい値電流での動作、発振波長を材料に依存
せず変化させることが可能になり、温度特性、高速変調
特性にも優れた素子が得られている。さらに、量子井戸
に歪を導入して、量子井戸層のバンド構造を変化させ、
レーザ特性を改善した歪量子井戸半導体レーザ素子も開
発されている。この歪量子井戸半導体レーザ素子では、
重いホールの有効質量と状態密度が低減することによ
り、しきい値電流がさらに低減される。また、種々の損
失機構が減少するため、この素子では高出力発振が可能
になり、また微分利得の向上により、高速変調、高帯域
化が可能になる。
【０００３】歪量子井戸は、歪が導入されているため、
内部に応力が発生している。このため、材料と歪量に依
存した臨界膜厚と呼ばれる厚さ以上に量子井戸を厚くす
ると、歪量子井戸は転位を増殖して緩和を起こし、劣化
してしまう。従来の半導体発光装置では、この現象を防
ぐため、量子井戸の厚さは制限されていた。従って、歪
多重量子井戸型発光素子では、近接した量子井戸の厚さ
の総和が歪量の平均値で決まる臨界膜厚以下になるよう
に設計する必要があった。臨界膜厚を算出するために通
常用いられるている理論は、MatthewsとBlakeslee によ
り提案された模型を基にしたものである（ J.W. Matthe
ws and A. E. Blakeslee, J. Cryst. Growth 27, 118
(1974).参照）。しかしながら、発光装置の活性層に用
いられている量子井戸の厚さが薄いと、キャリアのオー
バーフローが顕著になり、また光の閉じ込めが困難にな
るため、しきい値電流が増加し、温度特性が悪化する。
上述の説明からわかるように、歪量子井戸発光装置で
は、歪が十分大きく、かつ十分な厚さの歪量子井戸層を
有する活性層が必要であった。
内部に応力が発生している。このため、材料と歪量に依
存した臨界膜厚と呼ばれる厚さ以上に量子井戸を厚くす
ると、歪量子井戸は転位を増殖して緩和を起こし、劣化
してしまう。従来の半導体発光装置では、この現象を防
ぐため、量子井戸の厚さは制限されていた。従って、歪
多重量子井戸型発光素子では、近接した量子井戸の厚さ
の総和が歪量の平均値で決まる臨界膜厚以下になるよう
に設計する必要があった。臨界膜厚を算出するために通
常用いられるている理論は、MatthewsとBlakeslee によ
り提案された模型を基にしたものである（ J.W. Matthe
ws and A. E. Blakeslee, J. Cryst. Growth 27, 118
(1974).参照）。しかしながら、発光装置の活性層に用
いられている量子井戸の厚さが薄いと、キャリアのオー
バーフローが顕著になり、また光の閉じ込めが困難にな
るため、しきい値電流が増加し、温度特性が悪化する。
上述の説明からわかるように、歪量子井戸発光装置で
は、歪が十分大きく、かつ十分な厚さの歪量子井戸層を
有する活性層が必要であった。
【０００４】従来の半導体発光装置の製作においては、
化合物半導体からなる歪量子井戸層を堆積するには、半
導体基板の上に順次、クラッド層、光閉じ込め層、活性
層となる歪量子井戸層を同じ温度でエピタキシャルに堆
積していた。しかしながら、この作製方法では、歪が十
分に大きく、かつ十分な厚さの歪量子井戸層を有する半
導体発光装置は実現できなかった。また、歪量子井戸層
の堆積温度を変える試みもなされている（公開特許公
報、特開平５−３４３７３８号参照））。この例でも、
歪量子井戸層を高温で成長しているため、以下で説明す
るように、歪が十分に大きく、かつ十分な厚さの歪量子
井戸層を有する半導体発光装置を実現することができな
かった。
化合物半導体からなる歪量子井戸層を堆積するには、半
導体基板の上に順次、クラッド層、光閉じ込め層、活性
層となる歪量子井戸層を同じ温度でエピタキシャルに堆
積していた。しかしながら、この作製方法では、歪が十
分に大きく、かつ十分な厚さの歪量子井戸層を有する半
導体発光装置は実現できなかった。また、歪量子井戸層
の堆積温度を変える試みもなされている（公開特許公
報、特開平５−３４３７３８号参照））。この例でも、
歪量子井戸層を高温で成長しているため、以下で説明す
るように、歪が十分に大きく、かつ十分な厚さの歪量子
井戸層を有する半導体発光装置を実現することができな
かった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、歪量子
井戸発光装置において、歪量が十分に大きく，かつ十分
な厚さの歪量子井戸層を有する活性層を形成することが
困難であるという問題があった。
井戸発光装置において、歪量が十分に大きく，かつ十分
な厚さの歪量子井戸層を有する活性層を形成することが
困難であるという問題があった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記問題点を解
決した歪量子井戸型半導体発光装置の製造方法を提供す
るもので、基板上にクラッド層、歪量子井戸構造からな
る活性層およびクラッド層をこの順に順次エピタキシャ
ル成長させて積層する工程を有する歪量子井戸型半導体
発光装置の製造方法において、活性層の成長温度をクラ
ッド層の成長温度よりも低くすることを特徴とするもの
である。
決した歪量子井戸型半導体発光装置の製造方法を提供す
るもので、基板上にクラッド層、歪量子井戸構造からな
る活性層およびクラッド層をこの順に順次エピタキシャ
ル成長させて積層する工程を有する歪量子井戸型半導体
発光装置の製造方法において、活性層の成長温度をクラ
ッド層の成長温度よりも低くすることを特徴とするもの
である。
【０００７】
【作用】本発明は、発明者らが鋭意研究を行った結果得
られた以下の新しい知見に基づくものである。すなわ
ち、 （１）それ以上の厚さにすると歪量子井戸が緩和を起こ
して劣化する臨界膜厚は、結晶の成長温度と強い相関関
係があり、成長温度が高くなるほど臨界膜厚が薄くなる
傾向がある。つまり、成長温度が高くなるほど、薄い厚
さで劣化が生じる。 （２）臨界膜厚がMatthewsとBlakeslee らにより予測さ
れた値より２倍程度大きくなる成長温度がある。 （３）成長温度が高くなるほど、点欠陥等の少ない結晶
が得られ、非発光センタが減少し、その結果、発光効率
も良くなる。 （４）（３）の効果は特にクラッド層、光閉じ込め層に
顕著であり、余分なキャリアの消費が抑制される。そこ
で、格子整合しているクラッド層、光閉じ込め層は点欠
陥等の少ない結晶が得られる温度で成長させると、活性
層に用いる歪量子井戸層はそれよりも低温で成長させる
ことにより、十分な厚さの歪量子井戸層を有する活性層
を形成することができる。多重量子井戸層の発光特性
は、一つの井戸層の発光効率 × キャリアの閉じ込め
られた量 × 光閉じ込め量に比例して向上するので、
このようにして形成された歪量子井戸型半導体発光装置
は優れた発光特性を有する。本発明では、上述のように
「臨界膜厚は成長温度により変化する」という現象を考
慮することにより、従来よりも一層優れた発光特性を実
現することができる。
られた以下の新しい知見に基づくものである。すなわ
ち、 （１）それ以上の厚さにすると歪量子井戸が緩和を起こ
して劣化する臨界膜厚は、結晶の成長温度と強い相関関
係があり、成長温度が高くなるほど臨界膜厚が薄くなる
傾向がある。つまり、成長温度が高くなるほど、薄い厚
さで劣化が生じる。 （２）臨界膜厚がMatthewsとBlakeslee らにより予測さ
れた値より２倍程度大きくなる成長温度がある。 （３）成長温度が高くなるほど、点欠陥等の少ない結晶
が得られ、非発光センタが減少し、その結果、発光効率
も良くなる。 （４）（３）の効果は特にクラッド層、光閉じ込め層に
顕著であり、余分なキャリアの消費が抑制される。そこ
で、格子整合しているクラッド層、光閉じ込め層は点欠
陥等の少ない結晶が得られる温度で成長させると、活性
層に用いる歪量子井戸層はそれよりも低温で成長させる
ことにより、十分な厚さの歪量子井戸層を有する活性層
を形成することができる。多重量子井戸層の発光特性
は、一つの井戸層の発光効率 × キャリアの閉じ込め
られた量 × 光閉じ込め量に比例して向上するので、
このようにして形成された歪量子井戸型半導体発光装置
は優れた発光特性を有する。本発明では、上述のように
「臨界膜厚は成長温度により変化する」という現象を考
慮することにより、従来よりも一層優れた発光特性を実
現することができる。
【０００８】
【実施例】以下、実施例に基づいて本発明を詳細に説明
する。ＩｎＰ基板上に、１％の圧縮歪を持つＩｎ0.68Ｇ
ａ0.32Ａｓ量子井戸層を有する活性層と、格子整合した
ＩｎＡｌＡｓからなるクラッド層とＡｌＧａＩｎＡｓか
らなる光閉じ込め層を分子線エピタキシャル法で成長さ
せて、歪量子井戸型半導体レーザ素子を作製した。図１
は本実施例の断面図であり、図中、１はｎ−ＩｎＰ基
板、２はｎ−ＩｎＡｌＡｓクラッド層、３はｎ−ＡｌＧ
ａＩｎＡｓ光閉じ込め層、４は活性層、５はｐ−ＡｌＧ
ａＩｎＡｓ光閉じ込め層、６はｐ−ＩｎＡｌＡｓクラッ
ド層、７はＩｎＧａＡｓコンタクト層である。活性層４
は、圧縮歪みを有するＩｎ0.68Ｇａ0. 32Ａｓ量子井戸層
４ａと、格子整合するＩｎ0.52Ａｌ0.24Ｇａ0.24Ａｓ障
壁層４ｂからなり、発振波長は１．５５μｍである。な
お、クラッド層２、６、光閉じ込め層３、５、およびコ
ンタクト層７は格子整合している。
する。ＩｎＰ基板上に、１％の圧縮歪を持つＩｎ0.68Ｇ
ａ0.32Ａｓ量子井戸層を有する活性層と、格子整合した
ＩｎＡｌＡｓからなるクラッド層とＡｌＧａＩｎＡｓか
らなる光閉じ込め層を分子線エピタキシャル法で成長さ
せて、歪量子井戸型半導体レーザ素子を作製した。図１
は本実施例の断面図であり、図中、１はｎ−ＩｎＰ基
板、２はｎ−ＩｎＡｌＡｓクラッド層、３はｎ−ＡｌＧ
ａＩｎＡｓ光閉じ込め層、４は活性層、５はｐ−ＡｌＧ
ａＩｎＡｓ光閉じ込め層、６はｐ−ＩｎＡｌＡｓクラッ
ド層、７はＩｎＧａＡｓコンタクト層である。活性層４
は、圧縮歪みを有するＩｎ0.68Ｇａ0. 32Ａｓ量子井戸層
４ａと、格子整合するＩｎ0.52Ａｌ0.24Ｇａ0.24Ａｓ障
壁層４ｂからなり、発振波長は１．５５μｍである。な
お、クラッド層２、６、光閉じ込め層３、５、およびコ
ンタクト層７は格子整合している。
【０００９】上記実施例を作製するに際し、まず、１％
の圧縮歪を持つＩｎ0.68Ｇａ0.32Ａｓからなる層の厚さ
の上限を決定するために実験を行ったので、その内容を
説明する。無歪のＩｎＡｌＡｓ層を障壁層として厚さの
異なるＩｎ0.68Ｇａ0.32Ａｓ層を量子井戸層とし、高分
解能走査型電子顕微鏡，透化型電子顕微鏡を用いて、前
記量子井戸層には、緩和が生じているか、均一に歪が生
じているかを観察した。量子井戸層の成長温度と層厚を
変えて、観察した結果を図２に示す。実線が緩和と歪の
境界、すなわち臨界膜厚を示す。点線はMatthewsとBlak
eslee による模型を基に計算した値である。成長は分子
線エピタキシャル法で行い、成長温度を５００℃から５
３０℃の間で変化させた。図２からわかるように、臨界
膜厚は、成長温度が５００℃のときは２４ｎｍであり、
成長温度を５３０℃とすると１４ｎｍと約1.７分の１と
なる。また、成長温度が５３０℃ではMatthewsとBlakes
lee による値と等しくなるが、成長温度が５３０℃以下
では、それより大きな値を持つ。
の圧縮歪を持つＩｎ0.68Ｇａ0.32Ａｓからなる層の厚さ
の上限を決定するために実験を行ったので、その内容を
説明する。無歪のＩｎＡｌＡｓ層を障壁層として厚さの
異なるＩｎ0.68Ｇａ0.32Ａｓ層を量子井戸層とし、高分
解能走査型電子顕微鏡，透化型電子顕微鏡を用いて、前
記量子井戸層には、緩和が生じているか、均一に歪が生
じているかを観察した。量子井戸層の成長温度と層厚を
変えて、観察した結果を図２に示す。実線が緩和と歪の
境界、すなわち臨界膜厚を示す。点線はMatthewsとBlak
eslee による模型を基に計算した値である。成長は分子
線エピタキシャル法で行い、成長温度を５００℃から５
３０℃の間で変化させた。図２からわかるように、臨界
膜厚は、成長温度が５００℃のときは２４ｎｍであり、
成長温度を５３０℃とすると１４ｎｍと約1.７分の１と
なる。また、成長温度が５３０℃ではMatthewsとBlakes
lee による値と等しくなるが、成長温度が５３０℃以下
では、それより大きな値を持つ。
【００１０】次に、１％の圧縮歪を持つＩｎ0.68Ｇａ
0.32Ａｓからなる層の結晶の発光効率、結晶の質を調べ
るために行った実験の内容を説明する。図３は、Ｉｎ
0.68Ｇａ0.32Ａｓ層を量子井戸層、ＡｌＧａＩｎＡｓを
障壁層とする単一量子井戸からのフォトルミネセンス
（ＰＬ）の発光強度と成長温度の関係を示す図である。
図３から分かるように、成長温度を５００℃から５３０
℃に上げるとフォトルミネセンスの強度が上がる。これ
は、結晶の質が向上して、格子欠陥などの非発光センタ
ーが減少したことを示す。図３には同時に、障壁層を構
成するＩｎx Ａｌ1-x Ａｓの組成の成長温度依存性を示
す。図３からかるように、成長温度が５３０℃以上で
は、Ｉｎ原子の脱離（ｘの減少）により組成が変化す
る。
0.32Ａｓからなる層の結晶の発光効率、結晶の質を調べ
るために行った実験の内容を説明する。図３は、Ｉｎ
0.68Ｇａ0.32Ａｓ層を量子井戸層、ＡｌＧａＩｎＡｓを
障壁層とする単一量子井戸からのフォトルミネセンス
（ＰＬ）の発光強度と成長温度の関係を示す図である。
図３から分かるように、成長温度を５００℃から５３０
℃に上げるとフォトルミネセンスの強度が上がる。これ
は、結晶の質が向上して、格子欠陥などの非発光センタ
ーが減少したことを示す。図３には同時に、障壁層を構
成するＩｎx Ａｌ1-x Ａｓの組成の成長温度依存性を示
す。図３からかるように、成長温度が５３０℃以上で
は、Ｉｎ原子の脱離（ｘの減少）により組成が変化す
る。
【００１１】上記実験の結果を考慮して、本発明の実施
例を作製した。成長条件は、格子整合しているクラッド
層２、６、光閉じ込め層３、５およびコンタクト層７
は、Ｉｎの脱離によりエピタキシャルに成長が行えなく
なる上限の温度（５３０℃）で成長させ、活性層４はそ
れよりも低い温度で成長させる。なお、クラッド層２、
６、光閉じ込め層３、５を異なる組成のＡｌＧａＩｎＡ
ｓで構成し、障壁層を格子整合したＡｌＧａＩｎＡｓで
構成した場合においても、クラッド層２、６、光閉じ込
め層３、５は５３０℃で成長させ、活性層４はそれより
も低い温度で成長させる。
例を作製した。成長条件は、格子整合しているクラッド
層２、６、光閉じ込め層３、５およびコンタクト層７
は、Ｉｎの脱離によりエピタキシャルに成長が行えなく
なる上限の温度（５３０℃）で成長させ、活性層４はそ
れよりも低い温度で成長させる。なお、クラッド層２、
６、光閉じ込め層３、５を異なる組成のＡｌＧａＩｎＡ
ｓで構成し、障壁層を格子整合したＡｌＧａＩｎＡｓで
構成した場合においても、クラッド層２、６、光閉じ込
め層３、５は５３０℃で成長させ、活性層４はそれより
も低い温度で成長させる。
【００１２】上記実施例において、発光波長１．５５μ
ｍのＩｎ0.68Ｇａ0.32Ａｓ量子井戸層４ａの厚さは３．
４ｎｍになる。また、格子整合したＩｎ0.52Ａｌ0.24Ｇ
ａ0. 24Ａｓ障壁層４ｂの厚さを１０ｎｍとする。従来の
成長では，成長温度を変化させず、発光効率の良い温
度，すなわち５３０℃を成長温度に選ぶと，臨界膜厚は
MatthewsとBlakeslee の理論で予想される値となり、平
均歪量から考えると、井戸数としては５個が上限とな
る。一方、本発明により、活性層の成長温度を５００℃
に設定すると、臨界膜厚は１．７倍となるので、量子井
戸数としては８個が上限となる。このように、成長温度
を下げることで、多くの量子井戸数を活性層として用い
ることができる。一つ一つの井戸層からの発光効率は下
がるが、全体としてみると全体の井戸層厚さを上げるこ
とで、層厚に依存する光閉じ込め量は上がり、また、キ
ャリア密度が下がるため、全体としての発光効率は上が
る。このように、活性層の総厚が大きくなることで、光
の閉じ込め率が大きくなり、しきい値電流が下がる。
ｍのＩｎ0.68Ｇａ0.32Ａｓ量子井戸層４ａの厚さは３．
４ｎｍになる。また、格子整合したＩｎ0.52Ａｌ0.24Ｇ
ａ0. 24Ａｓ障壁層４ｂの厚さを１０ｎｍとする。従来の
成長では，成長温度を変化させず、発光効率の良い温
度，すなわち５３０℃を成長温度に選ぶと，臨界膜厚は
MatthewsとBlakeslee の理論で予想される値となり、平
均歪量から考えると、井戸数としては５個が上限とな
る。一方、本発明により、活性層の成長温度を５００℃
に設定すると、臨界膜厚は１．７倍となるので、量子井
戸数としては８個が上限となる。このように、成長温度
を下げることで、多くの量子井戸数を活性層として用い
ることができる。一つ一つの井戸層からの発光効率は下
がるが、全体としてみると全体の井戸層厚さを上げるこ
とで、層厚に依存する光閉じ込め量は上がり、また、キ
ャリア密度が下がるため、全体としての発光効率は上が
る。このように、活性層の総厚が大きくなることで、光
の閉じ込め率が大きくなり、しきい値電流が下がる。
【００１３】また、従来用いられているMatthewsとBlak
eslee 理論を基に素子を設計すると、臨界膜厚は上記実
施例よりも小さい値となり、活性層の歪量子井戸層の総
厚は薄くなる。しかし、本発明の知見を基に設計するこ
とで，十分な厚さの歪量子井戸層を活性層とする半導体
レーザを実現でき，従来のレーザ素子よりも低しきい値
動作，高速動作，高速変調が可能な素子が実現可能にな
る。
eslee 理論を基に素子を設計すると、臨界膜厚は上記実
施例よりも小さい値となり、活性層の歪量子井戸層の総
厚は薄くなる。しかし、本発明の知見を基に設計するこ
とで，十分な厚さの歪量子井戸層を活性層とする半導体
レーザを実現でき，従来のレーザ素子よりも低しきい値
動作，高速動作，高速変調が可能な素子が実現可能にな
る。
【００１４】なお，本発明の実施例は，分子線エピタキ
シャル法で成長した場合について述べてあるが、他の半
導体結晶作製法、すなわちＭＯＣＶＤ法などで成長させ
た素子にも適用できる。また、用いた材料も上記のＡｌ
ＧａＩｎＡｓ系にとどまらず、ＩｎＧａＡｓＰ系の歪量
子井戸を用いた半導体発光装置に適用することができ
る。
シャル法で成長した場合について述べてあるが、他の半
導体結晶作製法、すなわちＭＯＣＶＤ法などで成長させ
た素子にも適用できる。また、用いた材料も上記のＡｌ
ＧａＩｎＡｓ系にとどまらず、ＩｎＧａＡｓＰ系の歪量
子井戸を用いた半導体発光装置に適用することができ
る。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の歪量子井
戸型半導体発光装置の製造方法によれば、基板上にクラ
ッド層、歪量子井戸構造からなる活性層およびクラッド
層をこの順に順次エピタキシャル成長させて積層する工
程を有する歪量子井戸型半導体発光装置の製造方法にお
いて、活性層の成長温度をクラッド層の成長温度よりも
低くするため、十分な大きさの歪を持つ井戸層を，十分
な厚さで成長でき，低しきい値，高速動作，高速変調の
歪量子井戸型半導体発光装置を実現することができると
いう優れた効果がある。
戸型半導体発光装置の製造方法によれば、基板上にクラ
ッド層、歪量子井戸構造からなる活性層およびクラッド
層をこの順に順次エピタキシャル成長させて積層する工
程を有する歪量子井戸型半導体発光装置の製造方法にお
いて、活性層の成長温度をクラッド層の成長温度よりも
低くするため、十分な大きさの歪を持つ井戸層を，十分
な厚さで成長でき，低しきい値，高速動作，高速変調の
歪量子井戸型半導体発光装置を実現することができると
いう優れた効果がある。
【図１】本発明に係る歪量子井戸型半導体発光装置の製
造方法の一実施例を用いて製作された歪量子井戸型半導
体発光装置の断面図である。
造方法の一実施例を用いて製作された歪量子井戸型半導
体発光装置の断面図である。
【図２】成長温度と臨界膜厚の関係を示す図である。
【図３】Ｉｎ0.68Ｇａ0.32Ａｓ層を量子井戸層とする単
一量子井戸からのフォトルミネセンス（ＰＬ）の発光強
度と成長温度の関係を示す図である。
一量子井戸からのフォトルミネセンス（ＰＬ）の発光強
度と成長温度の関係を示す図である。
１ 基板 ２、６ クラッド層 ３、５ 光閉じ込め層 ４ 活性層 ４ａ 量子井戸層 ４ｂ 障壁層 ７ コンタクト層
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上にクラッド層、歪量子井戸構造か
らなる活性層およびクラッド層をこの順に順次エピタキ
シャル成長させて積層する工程を有する歪量子井戸型半
導体発光装置の製造方法において、活性層の成長温度を
クラッド層の成長温度よりも低くすることを特徴とする
歪量子井戸型半導体発光装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31321494A JPH08172216A (ja) | 1994-12-16 | 1994-12-16 | 歪量子井戸型半導体発光装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31321494A JPH08172216A (ja) | 1994-12-16 | 1994-12-16 | 歪量子井戸型半導体発光装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08172216A true JPH08172216A (ja) | 1996-07-02 |
Family
ID=18038487
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31321494A Pending JPH08172216A (ja) | 1994-12-16 | 1994-12-16 | 歪量子井戸型半導体発光装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08172216A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010165708A (ja) * | 2009-01-13 | 2010-07-29 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体レーザ |
| JP2012256685A (ja) * | 2011-06-08 | 2012-12-27 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体発光素子 |
-
1994
- 1994-12-16 JP JP31321494A patent/JPH08172216A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010165708A (ja) * | 2009-01-13 | 2010-07-29 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体レーザ |
| JP2012256685A (ja) * | 2011-06-08 | 2012-12-27 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体発光素子 |
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