JPH0817260B2 - 駆動回路内蔵半導体レーザモジユール - Google Patents
駆動回路内蔵半導体レーザモジユールInfo
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- JPH0817260B2 JPH0817260B2 JP62318801A JP31880187A JPH0817260B2 JP H0817260 B2 JPH0817260 B2 JP H0817260B2 JP 62318801 A JP62318801 A JP 62318801A JP 31880187 A JP31880187 A JP 31880187A JP H0817260 B2 JPH0817260 B2 JP H0817260B2
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- JP
- Japan
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- semiconductor laser
- inductance
- substrate
- driving
- drive circuit
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
- H01S5/02325—Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
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- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
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- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
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-
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- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光通信、特にギガビツト帯の高速伝送システ
ム用の光送信器として好適な駆動回路内蔵半導体レーザ
モジュールに関する。
ム用の光送信器として好適な駆動回路内蔵半導体レーザ
モジュールに関する。
従来の数100Mb/S以下の中速光伝送用駆動回路内蔵半
導体レーザモジュールについては、アイ・イー・イー・
イー，ジャーナル オブ ライトウエーブ テクノロジ
イ,LT−2.No.4（1984年）第398頁（IEEE,Journal of Li
ghtwave Technology,LT−2.No.4（1984）.P398）に記載
されているように、半導体レーザと半導体レーザ駆動用
ICの搭載されていたIC搭載基板との接続は、ワイヤボン
デイングにより行なわれていた。ワイヤボンデイングに
よるワイヤのインダクタンスは、例えば25μｍ外径のAu
線を用いた場合、1mm長当たり約1nHであり、上記従来例
ではインダクタンスの低減のためワイヤを４本並列して
設けることによりインダクタンスを低減し、変調特性の
劣化を抑えている。
導体レーザモジュールについては、アイ・イー・イー・
イー，ジャーナル オブ ライトウエーブ テクノロジ
イ,LT−2.No.4（1984年）第398頁（IEEE,Journal of Li
ghtwave Technology,LT−2.No.4（1984）.P398）に記載
されているように、半導体レーザと半導体レーザ駆動用
ICの搭載されていたIC搭載基板との接続は、ワイヤボン
デイングにより行なわれていた。ワイヤボンデイングに
よるワイヤのインダクタンスは、例えば25μｍ外径のAu
線を用いた場合、1mm長当たり約1nHであり、上記従来例
ではインダクタンスの低減のためワイヤを４本並列して
設けることによりインダクタンスを低減し、変調特性の
劣化を抑えている。
半導体レーザと駆動用ICとの接続にワイヤボンデイン
グによるワイヤを使用した場合、ワイヤの熱抵抗が大き
いことから駆動用ICの発生する熱の半導体レーザへの流
入は低く抑えることができるが、そのインダクタンスが
問題となる。従来例ではワイヤの本数を増やすことによ
りインダクタンスを低減しているが、数100Mb/S以上の
高速伝送システム，ギガビツト帯の超高速伝送システム
に使用する場合、複数のワイヤ間の相互インダクタンス
や浮遊容量などの寄生リアクタンスが問題となり、変調
特性の劣化の原因となる。また、ワイヤボンデイング作
業のバラツキに起因するワイヤ長のバラツキも特性バラ
ツキの原因となる。
グによるワイヤを使用した場合、ワイヤの熱抵抗が大き
いことから駆動用ICの発生する熱の半導体レーザへの流
入は低く抑えることができるが、そのインダクタンスが
問題となる。従来例ではワイヤの本数を増やすことによ
りインダクタンスを低減しているが、数100Mb/S以上の
高速伝送システム，ギガビツト帯の超高速伝送システム
に使用する場合、複数のワイヤ間の相互インダクタンス
や浮遊容量などの寄生リアクタンスが問題となり、変調
特性の劣化の原因となる。また、ワイヤボンデイング作
業のバラツキに起因するワイヤ長のバラツキも特性バラ
ツキの原因となる。
上記従来技術は高速伝送システム、特にギガビツト帯
で問題となる浮遊容量や寄生インダクタンス，特性のバ
ラツキの点について配慮がされておらず、ギガビツト帯
での高速変調動作に問題があつた。
で問題となる浮遊容量や寄生インダクタンス，特性のバ
ラツキの点について配慮がされておらず、ギガビツト帯
での高速変調動作に問題があつた。
本発明の目的はギガビツト帯での高速変調動作を可能
とし、特性バラツキが小さく、かつ、駆動用ICの発生す
る熱の半導体レーザへの流入を抑えた駆動回路内蔵半導
体レーザモジュールを提供することにある。
とし、特性バラツキが小さく、かつ、駆動用ICの発生す
る熱の半導体レーザへの流入を抑えた駆動回路内蔵半導
体レーザモジュールを提供することにある。
上記目的は、半導体レーザを搭載するステムに駆動用
IC搭載基板と接続するための電極リードを設け、電極リ
ードの寸法を規定することにより浮遊容量，寄生インダ
クタンスを低減し、かつ熱抵抗を適正化するとともに半
導体レーザ搭載部と駆動用IC搭載基板との間に不要なイ
ンダクタンスの増加を招くことない間隔の間隙を設けて
半導体レーザ搭載部と駆動用IC基板とを空間的に分割す
ることにより達成される。
IC搭載基板と接続するための電極リードを設け、電極リ
ードの寸法を規定することにより浮遊容量，寄生インダ
クタンスを低減し、かつ熱抵抗を適正化するとともに半
導体レーザ搭載部と駆動用IC搭載基板との間に不要なイ
ンダクタンスの増加を招くことない間隔の間隙を設けて
半導体レーザ搭載部と駆動用IC基板とを空間的に分割す
ることにより達成される。
電極リードのインダクタンスはその幅，厚さあるいは
外径，並列本数で決定される。これらを大きくするに従
がつてインダクタンスは低減できる。熱抵抗はインダク
タンスとともに低減されるため、熱の流入量は増加す
る。
外径，並列本数で決定される。これらを大きくするに従
がつてインダクタンスは低減できる。熱抵抗はインダク
タンスとともに低減されるため、熱の流入量は増加す
る。
必要とされるインダクタンスは所要の伝送速度を満た
す立上り，立下り時間を達成するよう、IC搭載基板の誘
電率，基板厚さ，パターン形状等により決まる容量との
関係より決定できる。また、必要な熱抵抗は電子冷却素
子により冷却された半導体レーザ搭載部の温度，電子冷
却素子の吸熱量と駆動用ICの発熱量と温度,ICの放熱経
路とその放熱抵抗より決定される。以上の関係より適正
なインダクタンスと熱抵抗を持つよう電極リードの寸
法，形状を決定することにより所要のインダクタンスを
保ち、かつ電極リードを介する伝導熱量を抑えることが
できる。
す立上り，立下り時間を達成するよう、IC搭載基板の誘
電率，基板厚さ，パターン形状等により決まる容量との
関係より決定できる。また、必要な熱抵抗は電子冷却素
子により冷却された半導体レーザ搭載部の温度，電子冷
却素子の吸熱量と駆動用ICの発熱量と温度,ICの放熱経
路とその放熱抵抗より決定される。以上の関係より適正
なインダクタンスと熱抵抗を持つよう電極リードの寸
法，形状を決定することにより所要のインダクタンスを
保ち、かつ電極リードを介する伝導熱量を抑えることが
できる。
電子冷却素子により冷却された半導体レーザ搭載部と
駆動用IC搭載基板との温度差は大きいため、これらを分
離し、熱伝導量を抑えなければならない。半導体レーザ
搭載部と駆動用IC搭載基板との間に間隔を設け、これら
を空間的に分割することが最も大きな断熱効果が得ら
れ、間隙を大きくするに従つてその効果は増す。しか
し、間隙を大きくすると電極リード長が長くなりインダ
クタンスが増加することから、所要のインダクタンスを
保つ範囲内で空間分離用の間隙寸法を決定することで、
駆動用IC搭載基板から半導体レーザ搭載部へのパツケー
ジ内の雰囲気を介した伝達熱量を抑えることができる。
以上のように、相反する関係にあるインダクタンスと熱
抵抗の低減に伴なう流入量を最適化することで、高速変
調特性を損なうことなく、半導体レーザ搭載部への不要
な熱流入を抑えることができるため、半導体レーザの温
度上昇を低減でき寿命劣化，特性の不安定化等を抑制で
きる。また、電極リードの形状，寸法の機械加工精度に
よるバラツキに起因するインダクタンスのバラツキやワ
イヤボンデイングのワイヤ長バラツキによるものより小
さいため、特性のバラツキを低減でき、品質の向上に有
効である。
駆動用IC搭載基板との温度差は大きいため、これらを分
離し、熱伝導量を抑えなければならない。半導体レーザ
搭載部と駆動用IC搭載基板との間に間隔を設け、これら
を空間的に分割することが最も大きな断熱効果が得ら
れ、間隙を大きくするに従つてその効果は増す。しか
し、間隙を大きくすると電極リード長が長くなりインダ
クタンスが増加することから、所要のインダクタンスを
保つ範囲内で空間分離用の間隙寸法を決定することで、
駆動用IC搭載基板から半導体レーザ搭載部へのパツケー
ジ内の雰囲気を介した伝達熱量を抑えることができる。
以上のように、相反する関係にあるインダクタンスと熱
抵抗の低減に伴なう流入量を最適化することで、高速変
調特性を損なうことなく、半導体レーザ搭載部への不要
な熱流入を抑えることができるため、半導体レーザの温
度上昇を低減でき寿命劣化，特性の不安定化等を抑制で
きる。また、電極リードの形状，寸法の機械加工精度に
よるバラツキに起因するインダクタンスのバラツキやワ
イヤボンデイングのワイヤ長バラツキによるものより小
さいため、特性のバラツキを低減でき、品質の向上に有
効である。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。半
導体レーザ１は光出力モニタ用フオトダイオード２とと
もにステム５に搭載されている。このシステム５は半導
体レーザ１に電気的に接続された電極リードとモニタ用
フオトダイオード２に接続された電極リード４を備えて
いる。ステム５は温度検出用サーミスタ（図示せず）と
ともに電子冷却素子６上に搭載されている。一方、半導
体レーザ駆動用GaAs−IC7はアルミナ基板８に搭載され
ており、アルミナ基板８はヒートシンク９に実装され、
同一のパツケージへ収納されている。
導体レーザ１は光出力モニタ用フオトダイオード２とと
もにステム５に搭載されている。このシステム５は半導
体レーザ１に電気的に接続された電極リードとモニタ用
フオトダイオード２に接続された電極リード４を備えて
いる。ステム５は温度検出用サーミスタ（図示せず）と
ともに電子冷却素子６上に搭載されている。一方、半導
体レーザ駆動用GaAs−IC7はアルミナ基板８に搭載され
ており、アルミナ基板８はヒートシンク９に実装され、
同一のパツケージへ収納されている。
半導体レーザ１はGaInAsPから成る分布帰環形レーザ
を使用した。駆動用IC7はカレントスイツチ構成のGaAsI
Cであり、2Gb/S帯の変調動作が可能である。アルミナ基
板８の基板厚10と基板上のパターン形状より決まる容量
を考慮し、2Gb/S動作を可能とする信号経路全体に許容
されるインダクタンスより駆動用IC7とアルミナ基板８
とを接続するワイヤのインダクタンス等を差し引くと電
極リード３の所要インダクタンスが求まる。
を使用した。駆動用IC7はカレントスイツチ構成のGaAsI
Cであり、2Gb/S帯の変調動作が可能である。アルミナ基
板８の基板厚10と基板上のパターン形状より決まる容量
を考慮し、2Gb/S動作を可能とする信号経路全体に許容
されるインダクタンスより駆動用IC7とアルミナ基板８
とを接続するワイヤのインダクタンス等を差し引くと電
極リード３の所要インダクタンスが求まる。
半導体レーザ１は電子冷却素子６により25℃に温度制
御されている。駆動用IC7の発生する熱量の大部分は熱
抵抗の小さいヒートシンク９を経て外部へ放熱される。
しかし、パツケージ外部の周囲温度が高くなるにしたが
い、25℃一定に温度制御されたステム５とアルミナ基板
８との温度差が大きくなるため、電極リード３を介する
熱伝導量が増加し、流入熱量が電子冷却素子６の吸熱量
を超えるとステム５の温度、すなわち半導体レーザ１の
温度は25℃に保たれず温度上昇が起こる。以上の現象を
抑えるために電極リード３の熱抵抗とステム５とアルミ
ナ基板８との間隙11を上記の電極リード３の所要インダ
クタンスを満たすように決定し、電極リード３の幅，厚
さをアルミナ基板８の基板厚10以下の寸法、間隙11は基
板厚10以上に設定した。この結果、パツケージ外部の周
囲温度、すなわち動作温度を70℃とした場合において
も、半導体レーザ１の温度は25℃一定に保つことが可能
で、半導体レーザ１の変調光出力波形の観測から2Gb/s
での高速変調動作に問題のないことが明らかとなつた。
御されている。駆動用IC7の発生する熱量の大部分は熱
抵抗の小さいヒートシンク９を経て外部へ放熱される。
しかし、パツケージ外部の周囲温度が高くなるにしたが
い、25℃一定に温度制御されたステム５とアルミナ基板
８との温度差が大きくなるため、電極リード３を介する
熱伝導量が増加し、流入熱量が電子冷却素子６の吸熱量
を超えるとステム５の温度、すなわち半導体レーザ１の
温度は25℃に保たれず温度上昇が起こる。以上の現象を
抑えるために電極リード３の熱抵抗とステム５とアルミ
ナ基板８との間隙11を上記の電極リード３の所要インダ
クタンスを満たすように決定し、電極リード３の幅，厚
さをアルミナ基板８の基板厚10以下の寸法、間隙11は基
板厚10以上に設定した。この結果、パツケージ外部の周
囲温度、すなわち動作温度を70℃とした場合において
も、半導体レーザ１の温度は25℃一定に保つことが可能
で、半導体レーザ１の変調光出力波形の観測から2Gb/s
での高速変調動作に問題のないことが明らかとなつた。
第２図に第１図に示した本発明の駆動回路内蔵半導体
レーザモジュールの実施例を示す。第２図では第１図と
電子冷却素子６の位置が異なるが、本発明とは関係な
い。半導体レーザ１はモニタ用フオトダイオード２とと
もにステム５に搭載されており、電子冷却素子６により
温度制御されている。半導体レーザ駆動用GaAs−IC7は
アルミナ基板８に搭載されており、ヒートシンク９に実
装されている。高周波信号はパツケージ12に設けられた
同軸型高周波コネクタ13より入力され、AC結合用の容量
14を介して駆動用IC7に導かれる。駆動用IC7の出力はア
ルミナ基板８上のパターンよりステム５に設けられたリ
ード３を通り半導体レーザ１へ入力される。ここでアル
ミナ基板８とステム５との間隙11をアルミナ基板８の基
板厚10以上に設定してアルミ基板８とステムとを空間的
に分割し、かつ、リード３の幅，厚さをアルミナ基板８
の基板厚10以下の寸法としている。
レーザモジュールの実施例を示す。第２図では第１図と
電子冷却素子６の位置が異なるが、本発明とは関係な
い。半導体レーザ１はモニタ用フオトダイオード２とと
もにステム５に搭載されており、電子冷却素子６により
温度制御されている。半導体レーザ駆動用GaAs−IC7は
アルミナ基板８に搭載されており、ヒートシンク９に実
装されている。高周波信号はパツケージ12に設けられた
同軸型高周波コネクタ13より入力され、AC結合用の容量
14を介して駆動用IC7に導かれる。駆動用IC7の出力はア
ルミナ基板８上のパターンよりステム５に設けられたリ
ード３を通り半導体レーザ１へ入力される。ここでアル
ミナ基板８とステム５との間隙11をアルミナ基板８の基
板厚10以上に設定してアルミ基板８とステムとを空間的
に分割し、かつ、リード３の幅，厚さをアルミナ基板８
の基板厚10以下の寸法としている。
半導体レーザ１の出射光は２つのレンズからなる結合
光学系15により光フアイバ16に結合される。
光学系15により光フアイバ16に結合される。
なお、第２図で示した実施例では入力信号の経路にAC
結合用の容量を示したが、DC結合も可能である。また、
結合光学系には２つのレンズを用いた系を示したが、同
等の機能を持つ光学系が採用可能である。
結合用の容量を示したが、DC結合も可能である。また、
結合光学系には２つのレンズを用いた系を示したが、同
等の機能を持つ光学系が採用可能である。
本発明によればギガビツト帯の高速変調特性を損なう
ことなく、電子冷却素子上に搭載された半導体レーザへ
の駆動用ICの発生する熱の流入を抑えることができるた
め広い温度範囲にわたつて半導体レーザを一定温度に制
御可能で、温度上昇による半導体レーザの寿命劣化，特
性の変動．電子冷却素子の消費電力の低減，変調特性の
バラツキの低減できるため、品質向上，信頼度向上の効
果がある。
ことなく、電子冷却素子上に搭載された半導体レーザへ
の駆動用ICの発生する熱の流入を抑えることができるた
め広い温度範囲にわたつて半導体レーザを一定温度に制
御可能で、温度上昇による半導体レーザの寿命劣化，特
性の変動．電子冷却素子の消費電力の低減，変調特性の
バラツキの低減できるため、品質向上，信頼度向上の効
果がある。
第１図は本発明の一実施例のパツケージ内部を現わした
斜視図である。第２図は本発明の他の実施例の全体を示
す平面図である。 １…半導体レーザ、２…モニタ用フオトダイオード、３
…電極リード、４…フオトダイオード用電極リード、５
…ステム、６…電子冷却素子、７…半導体レーザ駆動用
IC、８…アルミナ基板、９…ヒートシンク、10…基板
厚、11…間隙、12…パツケージ、13…同軸型高周波コネ
クタ、14…容量、15…結合光学系、16…光フアイバ
斜視図である。第２図は本発明の他の実施例の全体を示
す平面図である。 １…半導体レーザ、２…モニタ用フオトダイオード、３
…電極リード、４…フオトダイオード用電極リード、５
…ステム、６…電子冷却素子、７…半導体レーザ駆動用
IC、８…アルミナ基板、９…ヒートシンク、10…基板
厚、11…間隙、12…パツケージ、13…同軸型高周波コネ
クタ、14…容量、15…結合光学系、16…光フアイバ
Claims (1)
- 【請求項１】一つの閉じられた空間内において、半導体
レーザと、該半導体レーザを搭載する半導体レーザ搭載
部材が電子冷却素子上に搭載され、上記半導体レーザ搭
載部にその一端が電気的絶縁材を介して接続され、かつ
上記半導体レーザと電気的に接続された電極リードと、
上記半導体レーザを駆動する駆動用ICと、該駆動用ICを
搭載するとともに上記電極リードの他端を接続する基板
とからなり、、上記半導体レーザ搭載部材と上記基板と
の間が空間的に熱絶縁されていることを特徴とする駆動
回路内蔵半導体レーザモジュール。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62318801A JPH0817260B2 (ja) | 1987-12-18 | 1987-12-18 | 駆動回路内蔵半導体レーザモジユール |
| US07/285,595 US4912715A (en) | 1987-12-18 | 1988-12-16 | Semiconductor laser module incorporating driver circuit therein |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62318801A JPH0817260B2 (ja) | 1987-12-18 | 1987-12-18 | 駆動回路内蔵半導体レーザモジユール |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01199483A JPH01199483A (ja) | 1989-08-10 |
| JPH0817260B2 true JPH0817260B2 (ja) | 1996-02-21 |
Family
ID=18103096
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62318801A Expired - Lifetime JPH0817260B2 (ja) | 1987-12-18 | 1987-12-18 | 駆動回路内蔵半導体レーザモジユール |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4912715A (ja) |
| JP (1) | JPH0817260B2 (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2763980B2 (ja) * | 1992-01-14 | 1998-06-11 | 富士通株式会社 | 光半導体モジュール |
| JPH06232504A (ja) * | 1993-01-29 | 1994-08-19 | Canon Inc | レーザ走査装置 |
| US5422900A (en) * | 1994-04-28 | 1995-06-06 | Eastman Kodak Company | Integrated laser module |
| FR2731308B1 (fr) * | 1995-03-01 | 1997-05-30 | France Telecom | Ensemble modulaire incluant deux circuits electroniques a relier electriquement pour la transmission d'un signal hyperfrequence |
| US6181718B1 (en) * | 1997-01-08 | 2001-01-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electronically cooled semiconductor laser module with modified ground line inductance |
| US6243404B1 (en) | 1999-01-25 | 2001-06-05 | Lucent Technologies, Inc. | Laser module with adjustable operating temperature range |
| US6611540B1 (en) | 1999-07-29 | 2003-08-26 | Otward Maria Mueller | Diode-laser system for hyperpolarized He-3 and Xe-129 gas generation and other applications |
| US6614818B1 (en) * | 1999-12-01 | 2003-09-02 | Lightwave Electronics | Mode-hop-free single frequency solid state laser |
| US6786627B2 (en) | 2001-09-21 | 2004-09-07 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Light generating module |
| GB2381656A (en) * | 2001-11-01 | 2003-05-07 | Bookham Technology Plc | Hybridised laser transmitters |
| US7061949B1 (en) * | 2002-08-16 | 2006-06-13 | Jds Uniphase Corporation | Methods, apparatus, and systems with semiconductor laser packaging for high modulation bandwidth |
| GB2405993A (en) * | 2003-09-11 | 2005-03-16 | Agilent Technologies Inc | An arrangement for dissipating heat in an electro-optical system |
| JP4599091B2 (ja) * | 2004-05-19 | 2010-12-15 | 日本オプネクスト株式会社 | 光モジュールおよび光伝送装置 |
| JP4796082B2 (ja) * | 2008-01-07 | 2011-10-19 | 日本オプネクスト株式会社 | 光モジュールおよび光伝送装置 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5368588A (en) * | 1976-12-01 | 1978-06-19 | Hitachi Ltd | Semiconductor laser device |
| JPS5370689A (en) * | 1976-12-06 | 1978-06-23 | Hitachi Ltd | Semiconductor laser device |
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| JPS60112389A (ja) * | 1983-11-22 | 1985-06-18 | Oki Electric Ind Co Ltd | トランク回路のｃポジション回路 |
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| JPH0738484B2 (ja) * | 1986-07-28 | 1995-04-26 | 松下電器産業株式会社 | 光半導体装置 |
| DE3732433A1 (de) * | 1987-09-26 | 1989-04-06 | Standard Elektrik Lorenz Ag | Lasermodul und verfahren zum ankoppeln einer glasfaser |
-
1987
- 1987-12-18 JP JP62318801A patent/JPH0817260B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-12-16 US US07/285,595 patent/US4912715A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01199483A (ja) | 1989-08-10 |
| US4912715A (en) | 1990-03-27 |
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