JPH08176452A - フタロシアニン化合物及びそれを含有してなる光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】 下記一般式（１） 【化１】 〔Ｍは２個の水素原子、２価の金属原子、３価１置換金
属原子、４価２置換金属原子、オキシ金属原子を表し、
Ｌ¹は式（２） 【化２】 〔ＯＲ¹は、炭素数１〜２０の直鎖又は分岐のアルコキ
シ基、Ｒ²はハロゲン原子１〜４置換の炭素数３〜２０
の直鎖又は分岐のアルキル基、ハロゲン原子１〜２置換
の炭素数４〜２０の直鎖又は分岐のアルケニル基を表
す。Ｘはハロゲン原子を表し、ｎは０〜２の数を表
す。〕で示されるフタロシアニン化合物及びそれを記録
層中に含有してなる光記録媒体。 【効果】 アルキル基、アルケニル基あるいはフタロシ
アニン環に置換したハロゲン原子により、通常記録みな
らず、高速記録及び高密度記録における感度、記録特
性、再生光安定性、保存安定性等に優れた特性を有する
光記録媒体が提供できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、新規な光ディスク用記
録材料、情報記録、表示センサー、保護眼鏡等のオプト
エレクトロニクス関連に重要な役割を果たす近赤外線吸
収剤として有用な化合物と、それを記録層に含有して形
成される光ディスク及び光カード等の光記録媒体に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】光ディスク、光カ−ド装置等における書
き込み及び読み取りのためレーザー光が利用されてい
る。特にこれらの装置で用いられる光記録媒体の記録方
式は、実用レベルとしては通常、光・熱変換を経たヒー
トモード記録（熱記録）が採用されており、そのために
記録層としては低融点金属、有機高分子、さらには融
解、蒸発、分解、あるいは昇華等の物理変化または化学
変化を起こす有機色素が種々提案されている。なかでも
融解、分解等の温度が低い有機色素系は記録感度上好ま
しいことから、シアニン系色素、フタロシアニン系色
素、ナフタロシアニン系色素、アゾ系色素などを中心に
記録層として開発されてきている。

【０００３】例えば、特開平2-147286号公報において、
記録層にシアニン系色素を含む光記録媒体が提案されて
いる。しかしながら、この媒体系は長期保存性および耐
光性に劣り、さらには記録特性も不十分であった。

【０００４】アントラキノン色素（例えば、特開昭58-2
24448号公報）、ナフトキノン色素（例えば、特開昭58-
224793号公報）を記録層に含む光記録媒体も提案されて
いるが、いずれもシアニン系色素と同様に長期保存性お
よび耐光性に劣り、さらには記録特性も不十分であっ
た。

【０００５】特開昭61-25886号公報、特開平2-43269号
公報(USP 4960538)、特開平2-296885号公報等において
は、記録層にナフタロシアニン色素を含む光記録媒体が
提案されている。この媒体系では、耐光性は優れるが、
記録層の反射率が低く、記録特性も不十分であった。

【０００６】また、光記録媒体の記録層に、フタロシア
ニン色素、特にアルコキシ置換フタロシアニンを利用す
る技術は、特開昭61-154888号公報(EP 186404)、同61-
197280号公報、同61-246091号公報、同62-39286号公報
(USP 4769307)、同63-37991号公報、同63-39388号公報
等により広く知られている。これらの特許に開示されて
いるフタロシアニン色素を用いた光記録媒体において
は、感度、屈折率、記録特性において十分な性能を有し
ているとは言い難かった。それを改良したのが特開平3-
62878号公報(USP 5124067)であるが、その改良化合物
においても、レーザー光による高速記録及び高密度記録
時の誤差が大きく未だ実用上十分ではなかった。

【０００７】特開平2-43269号公報(USP 4960538)及び
特開平2-296885号公報においてアルコキシ置換ナフタロ
シアニン、特開昭63-37991号公報において脂肪族炭化水
素オキシ置換フタロシアニン、特開昭63-39388号公報に
おいてはアルケニルチオ置換フタロシアニンの、光記録
媒体への利用を提案しているが、感度、記録特性に効果
があるということは記載されていない。

【０００８】尚、その他の公知の色素を用いた光記録媒
体の記録特性においても十分な性能を有しているものは
見出されていない。

【０００９】光記録媒体への書き込み及び読み出しは４
００〜９００ｎｍのレーザー光を利用するので、記録材
料の使用レーザー発振波長近傍における吸収係数、屈折
率等の制御及び書き込み時における精度の良いピット形
成が重要である。このことは、最近願望されている高速
記録、高密度記録においては特に重要である。そのた
め、構造安定性が高く、レーザー発振波長近傍の光に対
して屈折率が高く、分解特性が良好で、かつ感度の高い
光記録媒体用色素の開発が必要となる。しかし、従来開
発された光記録媒体用色素は、記録媒体に用いた時、特
に高速記録、高密度記録の感度（Ｃ／Ｎ比、最適記録パ
ワー）、記録特性（ジッター、デビエイション）につい
て欠点を有するという問題があった。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
欠点を改善し、高速記録、高密度記録時においても感度
が高く、記録特性並びに耐光性の良好な光記録媒体を提
供しうる色素を供給することである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、前項の課
題を解決すべく鋭意検討した結果、本発明を完成するに
至った。即ち、本発明は、 下記一般式（１）で表されるフタロシアニン化合
物、

【００１２】

【化３】 〔式（１）中、Ｍは２個の水素原子、２価の金属原子、
３価１置換金属原子、４価２置換金属原子、オキシ金属
原子を表し、Ｌ¹は式（２）

【００１３】

【化４】 （式（２）中、ＯＲ¹は、炭素数１〜２０の直鎖または
分岐のアルコキシ基を表し、Ｒ²は、各々独立にハロゲ
ン原子が１〜４置換している炭素数３〜２０の直鎖また
は分岐のアルキル基、ハロゲン原子が１〜２置換してい
る炭素数４〜２０の直鎖または分岐のアルケニル基を表
す。Ｘはハロゲン原子を表し、ｎは各々独立に０〜２の
数を表す。〕で示されるフタロシアニン化合物。

【００１４】 一般式（１）において、Ｍｅｔで表さ
れる中心金属が、Ｐｄ，Ｃｕ，Ｒｕ，Ｐｔ，Ｎｉ，Ｃ
ｏ，Ｒｈ，Ｚｎ，ＶＯ，ＴｉＯ，Ｓｉ（Ｙ）₂，Ｓｎ
（Ｙ）₂，Ｇｅ（Ｙ）₂（Ｙはハロゲン原子、アルコキシ
基、アリールオキシ基、アシルオキシ基、ヒドロキシ
基、アルキル基、アリール基、アルキルチオ基、アリー
ルチオ基、トリアルキルシリルオキシ基、トリアルキル
スズオキシ基、またはトリアルキルゲルマニウムオキシ
基を表す。）であるフタロシアニン化合物。 一般式（１）のフタロシアニン化合物を含有してな
る光記録媒体。 基板上に、一般式（１）のフタロシアニン化合物を
含有する記録層、その上に金またはアルミニウムからな
る反射層、さらにその上に保護層を積層した構成である
光記録媒体である。

【００１５】本発明のフタロシアニン化合物は、650〜9
00nmにシャープな吸収を有し、分子吸光係数は150,000
以上と高く、長期安定性および耐光性にも優れるため、
半導体レーザーを用いる光記録媒体(光ディスク、光カ
ード等)の記録材料に好適である。また、本発明の化合
物は、アルコキシ基及びハロゲン原子が置換しているア
ルキル基、またはアルケニル基がフタロシアニン環に置
換しているため、基板にスピンコート法により塗布する
際に使用する溶剤への溶解性が良好である。更に、機構
は未だ明らかでなく現在検討中であるが、本発明のフタ
ロシアニン化合物の特徴である、アルキル基、またはア
ルケニル基に置換しているハロゲン原子が光記録時の感
度の向上に寄与し、形成された信号の誤差の減少に効果
を上げている。すなわち、光記録時に色素の分解・溶融
が制御され精度の高いピット形成が行われ、記録媒体の
樹脂基板へのダメージが減少したこと、反射層を有する
記録媒体の場合は記録層と反射層である金属層との密着
性の改良である。従来の記録法のみならず、従来に比較
して高速である記録、あるいは高密度の記録法において
も光記録媒体の感度、記録特性の向上に効果を上げた。

【００１６】以下に本発明の好ましい態様を詳述する。

【００１７】一般式（２）中、ＯＲ¹で示される炭素数
１〜２０の直鎖または分岐のアルコキシ基の具体例とし
ては、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、iso-
プロポキシ基、n-ブトキシ基、iso-ブトキシ基、sec-ブ
トキシ基、t-ブトキシ基、n-ペンチルオキシ基、iso-ペ
ンチルオキシ基、neo-ペンチルオキシ基、2-メチルブチ
ル-3-オキシ基、ペンチル-2-オキシ基、ペンチル-3-オ
キシ基、n-ヘキシルオキシ基、cyclo-ヘキシルオキシ
基、2-メチルペンチル-4-オキシ基、2-メチルペンチル-
3-オキシ基、3-メチルペンチル-4-オキシ基、4-メチル
ペンチル-4-オキシ基、n-ヘプチルオキシ基、ヘキシル-
3-オキシ基、2-メチルヘキシル-5-オキシ基、2,4-ジメ
チルペンチル-3-オキシ基、2-メチルヘキシル-3-オキシ
基、ヘプチル-4-オキシ基、n-オクチルオキシ基、2-エ
チルヘキシル-1-オキシ基、2,5-ジメチルヘキシル-3-オ
キシ基、2,4-ジメチルヘキシル-3-オキシ基、2,2,4-ト
リメチルペンチル-3-オキシ基、n-ノニルオキシ基、3,5
-ジメチルヘプチル-4-オキシ基、2,6-ジメチルヘプチル
-3-オキシ基、2,4-ジメチルヘプチル-3-オキシ基、2,2,
5,5-テトラメチルヘキシル-3-オキシ基、1-cyclo-ペン
チル-2,2-ジメチルプロピル-1-オキシ基、1-cyclo-ヘキ
シル-2,2-ジメチルプロピル-1-オキシ基等が挙げられ
る。

【００１８】一般式（２）中、Ｒ² 、で示されるハロゲ
ン原子が１〜４置換している炭素数３〜２０の直鎖また
は分岐のアルキル基又はハロゲン原子が１〜２置換して
いる炭素数４〜２０の直鎖または分岐のアルケニル基の
具体例として、１−クロル−プロピル基、２−クロル−
プロピル基、１−ブロム−プロピル基、２−ブロム−プ
ロピル基、１−ヨード−プロピル基、２−ヨード−プロ
ピル基、１−クロル−１−メチル−プロピル基、２−ク
ロル−１−メチル−プロピル基、１−ブロム−１−メチ
ル−プロピル基、２−ブロム−１−メチル−プロピル
基、１−ヨード−１−メチル−プロピル基、２−ヨード
−１−メチル−プロピル基、１−クロル−１−エチル−
プロピル基、２−クロル−１−エチル−プロピル基、１
−ブロム−１−エチル−プロピル基、２−ブロム−１−
エチル−プロピル基、１−ヨード−１−エチル−プロピ
ル基、２−ヨード−１−エチル−プロピル基、１−クロ
ル−１−プロピル−プロピル基、２−クロル−１−プロ
ピル−プロピル基、１−ブロム−１−プロピル−プロピ
ル基、２−ブロム−１−プロピル−プロピル基、１−ヨ
ード−１−プロピル−プロピル基、２−ヨード−１−プ
ロピル−プロピル基、

【００１９】２−クロル−ブチル基、３−クロル−ブチ
ル基、２−ブロム−ブチル基、３−ブロム−ブチル基、
２−ヨード−ブチル基、３−ヨード−ブチル基、２−ク
ロル−１−メチル−ブチル基、３−クロル−１−メチル
−ブチル基、２−ブロム−１−メチル−ブチル基、３−
ブロム−１−メチル−ブチル基、２−ヨード−１−メチ
ル−ブチル基、３−ヨード−１−メチル−ブチル基、２
−クロル−２−メチル−ブチル基、３−クロル−２−メ
チル−ブチル基、２−ブロム−２−メチル−ブチル基、
３−ブロム−２−メチル−ブチル基、２−ヨード−２−
メチル−ブチル基、３−ヨード−２−メチル−ブチル
基、２−クロル−３−メチル−ブチル基、３−クロル−
３−メチル−ブチル基、２−ブロム−３−メチル−ブチ
ル基、３−ブロム−３−メチル−ブチル基、２−ヨード
−３−メチル−ブチル基、３−ヨード−３−メチル−ブ
チル基、

【００２０】２−クロル−２，３−ジメチル−ブチル
基、３−クロル−２，３−ジメチル−ブチル基、２−ブ
ロム−２，３−ジメチル−ブチル基、３−ブロム−２，
３−ジメチル−ブチル基、２−ヨード−２，３−ジメチ
ル−ブチル基、３−ヨード−２，３−ジメチル−ブチル
基、２−クロル−１，１−ジメチル−ブチル基、３−ク
ロル−１，１−ジメチル−ブチル基、２−ブロム−１，
１−ジメチル−ブチル基、３−ブロム−１，１−ジメチ
ル−ブチル基、２−ヨード−１，１−ジメチル−ブチル
基、３−ヨード−１，１−ジメチル−ブチル基、２−ク
ロル−１−エチル−２−メチル−ブチル基、３−クロル
−１−エチル−２−メチル−ブチル基、２−ブロム−１
−エチル−２−メチル−ブチル基、３−ブロム−１−エ
チル−２−メチル−ブチル基、２−ヨード−１−エチル
−２−メチル−ブチル基、３−ヨード−１−エチル−２
−メチル−ブチル基、

【００２１】２−クロル−ペンチル基、３−クロル−ペ
ンチル基、２−ブロム−ペンチル基、３−ブロム−ペン
チル基、２−ヨード−ペンチル基、２−ヨード−ペンチ
ル基、２−クロル−１−メチル−ペンチル基、３−クロ
ル−１−メチル−ペンチル基、２−ブロム−１−メチル
−ペンチル基、３−ブロム−１−メチル−ペンチル基、
２−ヨード−１−メチル−ペンチル基、３−ヨード−１
−メチル−ペンチル基、２−クロル−２−メチル−ペン
チル基、３−クロル−２−メチル−ペンチル基、２−ブ
ロム−２−メチル−ペンチル基、３−ブロム−２−メチ
ル−ペンチル基、２−ヨード−２−メチル−ペンチル
基、３−ヨード−２−メチル−ペンチル基、２−クロル
−３−メチル−ペンチル基、３−クロル−３−メチル−
ペンチル基、２−ブロム−３−メチル−ペンチル基、３
−ブロム−３−メチル−ペンチル基、２−ヨード−３−
メチル−ペンチル基、３−ヨード−３−メチル−ペンチ
ル基、２−クロル−４−メチル−ペンチル基、３−クロ
ル−４−メチル−ペンチル基、２−ブロム−４−メチル
−ペンチル基、３−ブロム−４−メチル−ペンチル基、
２−ヨード−４−メチル−ペンチル基、３−ヨード−４
−メチル−ペンチル基、

【００２２】２−クロル−２，４−ジメチル−ペンチル
基、３−クロル−２，４−ジメチル−ペンチル基、２−
ブロム−２，４−ジメチル−ペンチル基、３−ブロム−
２，４−ジメチル−ペンチル基、２−ヨード−２，４−
ジメチル−ペンチル基、３−ヨード−２，４−ジメチル
−ペンチル基、２−クロル−１，４−ジメチル−ペンチ
ル基、３−クロル−１，４−ジメチル−ペンチル基、２
−ブロム−１，４−ジメチル−ペンチル基、３−ブロム
−１，４−ジメチル−ペンチル基、２−ヨード−１，４
−ジメチル−ペンチル基、３−ヨード−１，４−ジメチ
ル−ペンチル基、

【００２３】２−クロル−１−エチル−２−メチル−ペ
ンチル基、３−クロル−１−エチル−２−メチル−ペン
チル基、２−ブロム−１−エチル−２−メチル−ペンチ
ル基、３−ブロム−１−エチル−２−メチル−ペンチル
基、２−ヨード−１−エチル−２−メチル−ペンチル
基、３−ヨード−１−エチル−２−メチル−ペンチル
基、２−クロル−ヘキシル基、３−クロル−ヘキシル
基、２−ブロム−ヘキシル基、３−ブロム−ヘキシル
基、２−ヨード−ヘキシル基、３−ヨード−ヘキシル
基、

【００２４】２−クロル−１−メチル−ヘキシル基、３
−クロル−１−メチル−ヘキシル基、２−ブロム−１−
メチル−ヘキシル基、３−ブロム−１−メチル−ヘキシ
ル基、２−ヨード−１−メチル−ヘキシル基、３−ヨー
ド−１−メチル−ヘキシル基、２−クロル−３−メチル
−ヘキシル基、３−クロル−３−メチル−ヘキシル基、
２−ブロム−３−メチル−ヘキシル基、３−ブロム−３
−メチル−ヘキシル基、２−ヨード−３−メチル−ヘキ
シル基、３−ヨード−３−メチル−ヘキシル基、

【００２５】２−クロル−ヘプチル基、３−クロル−ヘ
プチル基、２−ブロム−ヘプチル基、３−ブロム−ヘプ
チル基、２−ヨード−ヘプチル基、３−ヨード−ヘプチ
ル基、２−クロル−２−メチル−ヘプチル基、３−クロ
ル−２−メチル−ヘプチル基、２−ブロム−２−メチル
−ヘプチル基、３−ブロム−２−メチル−ヘプチル基、
２−ヨード−２−メチル−ヘプチル基、３−ヨード−２
−メチル−ヘプチル基、

【００２６】２−クロル−３，４，４−トリメチル−２
−ヘプチル基、３−クロル−３，４，４−トリメチル−
２−ヘプチル基、２−ブロム−３，４，４−トリメチル
−２−ヘプチル基、３−ブロム−３，４，４−トリメチ
ル−２−ヘプチル基、２−ヨード−３，４，４−トリメ
チル−２−ヘプチル基、３−ヨード−３，４，４−トリ
メチル−２−ヘプチル基、

【００２７】２−クロル−オクチル基、３−クロル−オ
クチル基、２−ブロム−オクチル基、３−ブロム−オク
チル基、２−ヨード−オクチル基、３−ヨード−オクチ
ル基、２−クロル−ノニル基、３−クロル−ノニル基、
２−ブロム−ノニル基、３−ブロム−ノニル基、２−ヨ
ード−ノニル基、３−ヨード−ノニル基、２−クロル−
２，５−ジメチル−５−ヘプテニル基、３−クロル−
２，５−ジメチル−５−ヘプテニル基、２−ブロム−
２，５−ジメチル−５−ヘプテニル基、３−ブロム−
２，５−ジメチル−５−ヘプテニル基、２−ヨード−
２，５−ジメチル−５−ヘプテニル基、３−ヨード−
２，５−ジメチル−５−ヘプテニル基、５−クロル−
２，５−ジメチル−２−ヘプテニル基、６−クロル−
２，５−ジメチル−２−ヘプテニル基、５−ブロム−
２，５−ジメチル−２−ヘプテニル基、６−ブロム−
２，５−ジメチル−２−ヘプテニル基、５−ヨード−
２，５−ジメチル−２−ヘプテニル基、６−ヨード−
２，５−ジメチル−２−ヘプテニル基、

【００２８】２−クロル−５−ヘキセニル基、３−クロ
ル−５−ヘキセニル基、２−ブロム−５−ヘキセニル
基、３−ブロム−５−ヘキセニル基、２−ヨード−５−
ヘキセニル基、３−ヨード−５−ヘキセニル基、５−ク
ロル−２−ヘキセニル基、６−クロル−２−ヘキセニル
基、５−ブロム−２−ヘキセニル基、６−ブロム−２−
ヘキセニル基、５−ヨード−２−ヘキセニル基、６−ヨ
ード−２−ヘキセニル基、２−クロル−１−メチル−５
−ヘキセニル基、３−クロル−１−メチル−５−ヘキセ
ニル基、２−ブロム−１−メチル−５−ヘキセニル基、
３−ブロム−１−メチル−５−ヘキセニル基、２−ヨー
ド−１−メチル−５−ヘキセニル基、３−ヨード−１−
メチル−５−ヘキセニル基、５−クロル−１−メチル−
２−ヘキセニル基、６−クロル−１−メチル−２−ヘキ
セニル基、５−ブロム−１−メチル−２−ヘキセニル
基、６−ブロム−１−メチル−２−ヘキセニル基、５−
ヨード−１−メチル−２−ヘキセニル基、６−ヨード−
１−メチル−２−ヘキセニル基、２−クロル−２−メチ
ル−５−ヘキセニル基、３−クロル−２−メチル−５−
ヘキセニル基、２−ブロム−２−メチル−５−ヘキセニ
ル基、３−ブロム−２−メチル−５−ヘキセニル基、２
−ヨード−２−メチル−５−ヘキセニル基、３−ヨード
−２−メチル−５−ヘキセニル基、５−クロル−２−メ
チル−２−ヘキセニル基、６−クロル−２−メチル−２
−ヘキセニル基、５−ブロム−２−メチル−２−ヘキセ
ニル基、６−ブロム−２−メチル−２−ヘキセニル基、
５−ヨード−２−メチル−２−ヘキセニル基、６−ヨー
ド−２−メチル−２−ヘキセニル基、

【００２９】２−クロル−４−ヘプテニル基、３−クロ
ル−４−ヘプテニル基、２−ブロム−４−ヘプテニル
基、３−ブロム−４−ヘプテニル基、２−ヨード−４−
ヘプテニル基、３−ヨード−４−ヘプテニル基、４−ク
ロル−２−ヘプテニル基、５−クロル−２−ヘプテニル
基、４−ブロム−２−ヘプテニル基、５−ブロム−２−
ヘプテニル基、４−ヨード−２−ヘプテニル基、５−ヨ
ード−２−ヘプテニル基、

【００３０】１，２−ジクロル−プロピル基、１，２−
ジブロム−プロピル基、１，２−ジヨード−プロピル
基、１，２−ジクロル−１−メチル−プロピル基、１，
２−ジブロム−１−メチル−プロピル基、１，２−ジヨ
ード−１−メチル−プロピル基、１，２−ジクロル−１
−エチル−プロピル基、１，２−ジブロム−１−エチル
−プロピル基、１，２−ジヨード−１−エチル−プロピ
ル基、１，２−ジクロル−１−プロピル−プロピル基、
１，２−ジブロム−１−プロピル−プロピル基、１，２
−ジヨード−１−プロピル−プロピル基、

【００３１】２，３−ジクロル−ブチル基、２，３−ジ
ブロム−ブチル基、２，３−ジヨード−ブチル基、２，
３−ジクロル−１−メチル−ブチル基、２，３−ジブロ
ム−１−メチル−ブチル基、２，３−ジヨード−１−メ
チル−ブチル基、２，３−ジクロル−２−メチル−ブチ
ル基、２，３−ジブロム−２−メチル−ブチル基、２，
３−ジヨード−２−メチル−ブチル基、２，３−ジクロ
ル−３−メチル−ブチル基、２，３−ジブロム−３−メ
チル−ブチル基、２，３−ジヨード−３−メチル−ブチ
ル基、２，３−ジクロル−２，２−ジメチル−ブチル
基、２，３−ジブロム−２，３−ジメチル−ブチル基、
２，３−ジヨード−２，３−ジメチル−ブチル基、２，
３−ジクロル−１，１−ジメチル−ブチル基、２，３−
ジブロム−１，１−ジメチル−ブチル基、２，３−ジヨ
ード−１，１−ジメチル−ブチル基、２，３−ジクロル
−１−エチル−２−メチル−ブチル基、２，３−ジブロ
ム−１−エチル−２−メチル−ブチル基、２，３−ジヨ
ード−１−エチル−２−メチル−ブチル基、

【００３２】２，３−ジクロル−ペンチル基、２，３−
ジブロム−ペンチル基、２，３−ジヨード−ペンチル
基、２，３−ジクロル−１−メチル−ペンチル基、２，
３−ジブロム−１−メチル−ペンチル基、２，３−ジヨ
ード−１−メチル−ペンチル基、２，３−ジクロル−２
−メチル−ペンチル基、２，３−ジブロム−２−メチル
−ペンチル基、２，３−ジヨード−２−メチル−ペンチ
ル基、２，３−ジクロル−３−メチル−ペンチル基、
２，３−ジブロム−３−メチル−ペンチル基、２，３−
ジヨード−３−メチル−ペンチル基、２，３−ジクロル
−４−メチル−ペンチル基、２，３−ジブロム−４−メ
チル−ペンチル基、２，３−ジヨード−４−メチル−ペ
ンチル基、２，３−ジクロル−２，４−ジメチル−ペン
チル基、２，３−ジブロム−２，４−ジメチル−ペンチ
ル基、２，３−ジヨード−２，４−ジメチル−ペンチル
基、２，３−ジクロル−１，４−ジメチル−ペンチル
基、２，３−ジブロム−１，４−ジメチル−ペンチル
基、２，３−ジヨード−１，４−ジメチル−ペンチル
基、２，３−ジクロル−１−エチル−２−メチル−ペン
チル基、２，３−ジブロム−１−エチル−２−メチル−
ペンチル基、２，３−ジヨード−１−エチル−２−メチ
ル−ペンチル基、

【００３３】２，３−ジクロル−ヘキシル基、２，３−
ジブロム−ヘキシル基、２，３−ジヨード−ヘキシル
基、２，３−ジクロル−１−メチル−ヘキシル基、２，
３−ジブロム−１−メチル−ヘキシル基、２，３−ジヨ
ード−１−メチル−ヘキシル基、２，３−ジクロル−３
−メチル−ヘキシル基、２，３−ジブロム−３−メチル
−ヘキシル基、２，３−ジヨード−３−メチル−ヘキシ
ル基、２，３−ジクロル−ヘプチル基、２，３−ジブロ
ム−ヘプチル基、２，３−ジヨード−ヘプチル基、２，
３−ジクロル−２−メチル−ヘプチル基、２，３−ジブ
ロム−２−メチル−ヘプチル基、２，３−ジヨード−２
−メチル−ヘプチル基、２，３−ジクロル−３，４，４
−トリメチル２−ヘプチル基、２，３−ジブロム−３，
４，４−トリメチル−２−ヘプチル基、２，３−ジヨー
ド−３，４，４−トリメチル−２−ヘプチル基、２，３
−ジクロル−オクチル基、２，３−ジブロム−オクチル
基、２，３−ジヨード−オクチル基、２，３−ジクロル
−ノニル基、２，３−ジブロム−ノニル基、２，３−ジ
ヨード−ノニル基、

【００３４】２，３−ジクロル−２，５−ジメチル−５
−ヘプテニル基、２，３−ジブロム−２，５−ジメチル
−５−ヘプテニル基、２，３−ジヨード−２，５−ジメ
チル−５−ヘプテニル基、５，６−ジクロル−２，５−
ジメチル−２−ヘプテニル基、５，６−ジブロム−２，
５−ジメチル−２−ヘプテニル基、５，６−ジヨード−
２，５−ジメチル−２−ヘプテニル基、２，５−ジクロ
ル−２，５−ジメチル−ヘプチル基、２，６−ジクロル
−２，５−ジメチル−ヘプチル基、３，５−ジクロル−
２，５−ジメチル−ヘプチル基、３，６−ジクロル−
２，５−ジメチル−ヘプチル基、２，５−ジブロム−
２，５−ジメチル−ヘプチル基、２，６−ジブロム−
２，５−ジメチル−ヘプチル基、３，５−ジブロム−
２，５−ジメチル−ヘプチル基、３，６−ジブロム−
２，５−ジメチル−ヘプチル基、２，５−ジヨード−
２，５−ジメチル−ヘプチル基、２，６−ジヨード−
２，５−ジメチル−ヘプチル基、３，５−ジヨード−
２，５−ジメチル−ヘプチル基、３，６−ジヨード−
２，５−ジメチル−ヘプチル基、

【００３５】２，３，５−トリクロル−２，５−ジメチ
ル−ヘプチル基、２，３，６−トリクロル−２，５−ジ
メチル−ヘプチル基、３，５，６−トリクロル−２，５
−ジメチル−ヘプチル基、２，５，６−トリクロル−
２，５−ジメチル−ヘプチル基、２，３，５−トリブロ
ム−２，５−ジメチル−ヘプチル基、２，３，６−トリ
ブロム−２，５−ジメチル−ヘプチル基、２，５，６−
トリブロム−２，５−ジメチル−ヘプチル基、３，５，
６−トリブロム−２，５−ジメチル−ヘプチル基、２，
３，５−トリヨード−２，５−ジメチル−ヘプチル基、
２，３，６−トリヨード−２，５−ジメチル−ヘプチル
基、２，５，６−トリヨード−２，５−ジメチル−ヘプ
チル基、３，５，６−トリヨード−２，５−ジメチル−
ヘプチル基、

【００３６】２，３，５−トリクロル−ヘキシル基、
２，３，６−トリクロル−ヘキシル基、２，５，６−ト
リクロル−ヘキシル基、３，５，６−トリクロル−ヘキ
シル基、２，３，５−トリブロム−ヘキシル基、２，
３，６−トリブロム−ヘキシル基、２，５，６−トリブ
ロム−ヘキシル基、３，５，６−トリブロム−ヘキシル
基、２，３，５−トリヨード−ヘキシル基、２，３，６
−トリヨード−ヘキシル基、２，５，６−トリヨード−
ヘキシル基、３，５，６−トリヨード−ヘキシル基、
２，３，５−トリクロル−１−メチル−ヘキシル基、
２，３，６−トリクロル−１−メチル−ヘキシル基、
２，５，６−トリクロル−１−メチル−ヘキシル基、
３，５，６−トリクロル−１−メチル−ヘキシル基、
２，３，５−トリブロム−１−メチル−ヘキシル基、
２，３，６−トリブロム−１−メチル−ヘキシル基、
２，５，６−トリブロム−１−メチル−ヘキシル基、
３，５，６−トリブロム−１−メチル−ヘキシル基、
２，３，５−トリヨード−１−メチル−ヘキシル基、
２，３，６−トリヨード−１−メチル−ヘキシル基、
２，５，６−トリヨード−１−メチル−ヘキシル基、
３，５，６−トリヨード−１−メチル−ヘキシル基、
２，３，５−トリクロル−５−メチル−ヘキシル基、
２，３，６−トリクロル−５−メチル−ヘキシル基、
２，５，６−トリクロル−５−メチル−ヘキシル基、
３，５，６−トリクロル−５−メチル−ヘキシル基、
２，３，５−トリブロム−５−メチル−ヘキシル基、
２，３，６−トリブロム−５−メチル−ヘキシル基、
２，５，６−トリブロム−５−メチル−ヘキシル基、
３，５，６−トリブロム−５−メチル−ヘキシル基、
２，３，５−トリヨード−５−メチル−ヘキシル基、
２，３，６−トリヨード−５−メチル−ヘキシル基、
２，５，６−トリヨード−５−メチル−ヘキシル基、
３，５，６−トリヨード−５−メチル−ヘキシル基、
２，３，５−トリクロル−２−メチル−ヘキシル基、
２，３，６−トリクロル−２−メチル−ヘキシル基、
２，５，６−トリクロル−２−メチル−ヘキシル基、
３，５，６−トリクロル−２−メチル−ヘキシル基、
２，３，５−トリブロム−２−メチル−ヘキシル基、
２，３，６−トリブロム−２−メチル−ヘキシル基、
２，５，６−トリブロム−２−メチル−ヘキシル基、
３，５，６−トリブロム−２−メチル−ヘキシル基、
２，３，５−トリヨード−２−メチル−ヘキシル基、
２，３，６−トリヨード−２−メチル−ヘキシル基、
２，５，６−トリヨード−２−メチル−ヘキシル基、
３，５，６−トリヨード−２−メチル−ヘキシル基、

【００３７】２，３，４−トリクロル−ヘプチル基、
２，３，５−トリクロル−ヘプチル基、２，４，５−ト
リクロル−ヘプチル基、３，４，５−トリクロル−ヘプ
チル基、２，３，４−トリブロム−ヘプチル基、２，
３，５−トリブロム−ヘプチル基、２，４，５−トリブ
ロム−ヘプチル基、３，４，５−トリブロム−ヘプチル
基、２，３，４−トリヨード−ヘプチル基、２，３，５
−トリヨード−ヘプチル基、２，４，５−トリヨード−
ヘプチル基、３，４，５−トリヨード−ヘプチル基、

【００３８】２，３，５，６−テトラクロル−２，５−
ジメチル−ヘプチル基、２，３，５，６−テトラブロム
−２，５−ジメチル−ヘプチル基、２，３，５，６−テ
トラヨード−２，５−ジメチル−ヘプチル基、２，３−
ジクロル−５−ヘキセニル基、２，３−ジブロム−５−
ヘキセニル基、２，３−ジヨード−５−ヘキセニル基、
５，６−ジクロル−２−ヘキセニル基、５，６−ジブロ
ム−２−ヘキセニル基、５，６−ジヨード−２−ヘキセ
ニル基、２，３，５，６−テトラクロル−ヘキシル基、
２，３，５，６−テトラブロム−ヘキシル基、２，３，
５，６−テトラヨード−ヘキシル基、

【００３９】２，３−ジクロル−１−メチル−５−ヘキ
セニル基、２，３−ジブロム−１−メチル−５−ヘキセ
ニル基、２，３−ジヨード−１−メチル−５−ヘキセニ
ル基、５，６−ジクロル−１−メチル−２−ヘキセニル
基、５，６−ジブロム−１−メチル−２−ヘキセニル
基、５，６−ジヨード−１−メチル−２−ヘキセニル
基、２，３，５，６−テトラクロル−１−メチル−ヘキ
シル基、２，３，５，６−テトラブロム−１−メチル−
ヘキシル基、２，３，５，６−テトラヨード−１−メチ
ル−ヘキシル基、２，３−ジクロル−２−メチル−５−
ヘキセニル基、２，３−ジブロム−２−メチル−５−ヘ
キセニル基、２，３−ジヨード−２−メチル−５−ヘキ
セニル基、５，６−ジクロル−２−メチル−２−ヘキセ
ニル基、５，６−ジブロム−２−メチル−２−ヘキセニ
ル基、５，６−ジヨード−２−メチル−２−ヘキセニル
基、

【００４０】２，３，５，６−テトラクロル−２−メチ
ル−ヘキシル基、２，３，５，６−テトラブロム−２−
メチル−ヘキシル基、２，３，５，６−テトラヨード−
２−メチル−ヘキシル基、

【００４１】２，３−ジクロル−５−メチル−５−ヘキ
セニル基、２，３−ジブロム−５−メチル−５−ヘキセ
ニル基、２，３−ジヨード−５−メチル−５−ヘキセニ
ル基、５，６−ジクロル−５−メチル−２−ヘキセニル
基、５，６−ジブロム−５−メチル−２−ヘキセニル
基、５，６−ジヨード−５−メチル−２−ヘキセニル
基、

【００４２】２，３，５，６−テトラクロル−５−メチ
ル−ヘキシル基、２，３，５，６−テトラブロム−５−
メチル−ヘキシル基、２，３，５，６−テトラヨード−
５−メチル−ヘキシル基、

【００４３】２，３−ジクロル−４−ヘプテニル基、
２，３−ジブロム−４−ヘプテニル基、２，３−ジヨー
ド−４−ヘプテニル基、４，５−ジクロル−２−ヘプテ
ニル基、４，５−ジブロム−２−ヘプテニル基、４，５
−ジヨード−２−ヘプテニル基、２，３，４，５−テト
ラクロル−ヘプチル基、２，３，４，５−テトラブロム
−ヘプチル基、２，３，４，５−テトラヨード−ヘプチ
ル基等が挙げられる。

【００４４】式（２）中、Ｘは、塩素、臭素、沃素等の
ハロゲン原子である。

【００４５】また、式（１）中、Ｍｅｔで示される２価
金属の例としては、Ｃｕ，Ｚｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｒ
ｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｍｎ，Ｓｎ，Ｍｇ，Ｐｂ，Ｈ
ｇ，Ｃｄ，Ｂａ，Ｔｉ，Ｂｅ，Ｃａ等が挙げられ、１置
換の３価金属の例としては、Ａｌ−Ｆ，Ａｌ−Ｃｌ，Ａ
ｌ−Ｂｒ，Ａｌ−Ｉ，Ｇａ−Ｆ，Ｇａ−Ｃｌ，Ｇａ−Ｂ
ｒ，Ｇａ−Ｉ，Ｉｎ−Ｆ，Ｉｎ−Ｃｌ，Ｉｎ−Ｂｒ，Ｉ
ｎ−Ｉ，Ｔｌ−Ｆ，Ｔｌ−Ｃｌ，Ｔｌ−Ｂｒ，Ｔｌ−
Ｉ，Ａｌ−Ｃ₆Ｈ₅，Ａｌ−Ｃ₆Ｈ₄（ＣＨ₃），Ｉｎ−Ｃ₆
Ｈ₅，Ｉｎ−Ｃ₆Ｈ₄（ＣＨ₃），Ｍｎ（ＯＨ），Ｍｎ（Ｏ
Ｃ₆Ｈ₅），Ｍｎ〔ＯＳｉ（ＣＨ₃）₃〕，Ｆｅ−Ｃｌ，Ｒ
ｕ−Ｃｌ等が挙げられ、２置換の４価金属の例として
は、ＣｒＣｌ₂，ＳｉＦ₂，ＳｉＣｌ₂，ＳｉＢｒ₂，Ｓｉ
Ｉ₂，ＳｎＦ₂，ＳｎＣｌ₂，ＳｎＢｒ₂，ＺｒＣｌ₂，Ｇ
ｅＦ₂，ＧｅＣｌ₂，ＧｅＢｒ₂，ＧｅＩ ₂，ＴｉＦ₂，Ｔ
ｉＣｌ₂，ＴｉＢｒ₂，Ｓｉ（ＯＨ）₂，Ｓｎ（ＯＨ）₂，
Ｇｅ（ＯＨ）₂，Ｚｒ（ＯＨ）₂，Ｍｎ（ＯＨ）₂，Ｔｉ
Ａ₂，ＣｒＡ₂，ＳｉＡ₂，ＳｎＡ₂，ＧｅＡ₂〔Ａはアル
キル基、フェニル基、ナフチル基およびその誘導体を表
す〕，Ｓｉ（ＯＡ’）₂，Ｓｎ（ＯＡ’）₂，Ｇｅ（Ｏ
Ａ’）₂，Ｔｉ（ＯＡ’）₂，Ｃｒ（ＯＡ’）₂〔Ａ’は
アルキル基、フェニル基、ナフチル基、トリアルキルシ
リル基、ジアルキルアルコキシシリル基およびその誘導
体を表す〕，Ｓｉ（ＳＡ”）₂，Ｓｎ（ＳＡ”）₂，Ｇｅ
（ＳＡ”）₂〔Ａ”はアルキル基、フェニル基、ナフチ
ル基およびその誘導体を表す〕等が挙げられ、オキシ金
属の例としては、ＶＯ，ＭｎＯ，ＴｉＯ等が挙げられ
る。特に好ましい例としては、Ｃｕ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｍ
ｇ，Ｚｎ，Ｐｄ，Ｐｔ，ＶＯ等である。

【００４６】一般式（１）で示されるフタロシアニン化
合物の合成法としては、下式（３）又は（４）

【００４７】

【化５】 〔式（３）及び（４）中、Ｒ¹は一般式（２）と同じ意
味を表し、Ｒ’はアルケニル基を表す。〕で示される化
合物を、例えば１，８−ジアザビシクロ［５，４，０］
−７−ウンデセン（ＤＢＵ）存在下に、金属誘導体とア
ルコール中で加熱反応する。あるいは、金属誘導体とク
ロルナフタレン、ブロムナフタレン、トリクロルベンゼ
ン等の高沸点溶媒中で加熱反応することでアルコキシ基
及びアルケニル基を有するフタロシアニン化合物を合成
し、これを塩化チオニル、塩化スフリル、塩化水素、臭
化水素、臭化水素酸、臭素、ヨウ化水素、ヨウ素、一塩
化ヨウ素等のハロゲン化剤とを反応させる方法等で得ら
れる。

【００４８】また、一般式（３）または（４）で示され
る化合物は、以下の経路で製造することができる。

【００４９】

【化６】 ３−ニトロフタロニトリル（Ａ）を、塩基の存在下、
Ｒ’ＯＨ〔Ｒ’は前記と同じ意味を表す。〕で示される
アリルアルコール誘導体と反応させてアルコキシフタロ
ニトリル（Ｂ）を得る。更に（Ｂ）をクライゼン転移反
応後、塩基の存在下、Ｒ¹Ｘ〔Ｒ¹は一般式（２）のＯＲ
¹表されるアルコキシ基に相当するアルキル基を表し、
Ｘはハロゲン原子を表す。〕で示されるアルキルハライ
ド誘導体と反応させることで目的とする一般式（３）で
示される化合物が製造される。一般式（４）で示されジ
イミノイソインドリン化合は一般式（３）で示される化
合物を、アルコール中、ナトリウムメチラートを触媒に
アンモニアと反応させて得ることができる。

【００５０】本発明のフタロシアニン化合物を用いて光
記録媒体を製造する方法には、透明基板上に本発明のフ
タロシアニン化合物を含む１〜３種の化合物を１層また
は２層に塗布、あるいは蒸着する方法があり、塗布法と
しては、バインダー樹脂２０重量％以下、好ましくは０
％と、本発明のフタロシアニン化合物０．０５〜２０重
量％、好ましくは０．５〜２０重量％となるように溶媒
に溶解し、スピンコーターで塗布する方法等がある。ま
た蒸着方法としては１０^-5〜１０^-7ｔｏｒｒ、１００〜
３００℃にて基板上にフタロシアニン化合物を堆積させ
る方法等がある。

【００５１】基板としては、光学的に透明な樹脂であれ
ばよい。例えば、アクリル樹脂、ポリエチレン樹脂、塩
化ビニル樹脂、塩化ビニリデン樹脂、ポリカーボネート
樹脂、ポリオレフィン共重合樹脂、塩化ビニル共重合樹
脂、塩化ビニリデン共重合樹脂、スチレン共重合樹脂等
が挙げられる。また基板は熱硬化性樹脂または紫外線硬
化性樹脂により表面処理がなされていてもよい。

【００５２】光記録媒体（光ディスク、光カード等）を
作製する場合、コストの面、ユーザーの取り扱いの面よ
り、基板はポリアクリレート基板またはポリカーボネー
ト基板を用い、かつスピンコート法により塗布されるの
が好ましい。

【００５３】基板の耐溶剤性より、スピンコートに用い
る溶剤は、ハロゲン化炭化水素（例えば、ジクロロメタ
ン、クロロホルム、四塩化炭素、テトラクロロエチレ
ン、ジクロロジフルオロエタン等）、エーテル類（例え
ば、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ジプロピ
ルエーテル、ジブチルエーテル、ジオキサン等）、アル
コール類（例えば、メタノール、エタノール、プロパノ
ール等）、セロソルブ類（例えば、メチルセロソルブ、
エチルセロソルブ等）、炭化水素類（例えば、ヘキサ
ン、シクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、シクロオ
クタン、ジメチルシクロヘキサン、オクタン、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン等）、あるいはこれらの混合溶
媒が好適に用いられる。

【００５４】記録媒体として加工するには、上記の様に
基板で覆う、あるいは２枚の記録層を設けた基板に、エ
アーギャップを設けて対向させて貼り合わせる、また
は、記録層上に反射層（アルミニウムまたは金）を設
け、熱硬化性または光硬化性樹脂の保護層を積層する方
法などがある。保護層として、Ａｌ₂Ｏ₃，ＳｉＯ₂，Ｓ
ｉＯ，ＳｎＯ₂等の無機化合物を利用してもよい。

【００５５】

【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
るが、本発明の実施の態様はこれにより限定されるもの
ではない。

【００５６】実施例１ 撹拌器、還流冷却器および窒素導入管を備えた容器に、
下記構造式（３−１）

【００５７】

【化７】 で示される３−（２−ペントキシ）−４−（１−プロペ
ニル）フタロニトリル２５．４ｇ（０．１モル）、ＤＢ
Ｕ１５．２ｇ（０．１モル）、及びｎ−アミルアルコー
ル１２５ｇを装入し、窒素雰囲気下で、１００℃まで昇
温させた。次に、同温度で塩化パラジウム５．３ｇ
（０．０３モル）を添加し、９５〜１００℃で２０時間
反応させた。反応終了後、冷却し、不溶物を濾別した。
濾液を減圧濃縮して溶媒を回収した後、カラム精製（シ
リカゲル５００ｇ、溶媒トルエン）し、下記構造式（５
−１）で示されるパラジウムテトラ［α−（２−ペント
キシ）−β−（１−プロペニル）］フタロシアニン化合
物１７．７ｇ（収率６３％）を得た。

【００５８】

【化８】 可視吸光スペクトル及び元素分析の結果は以下の通りで
あった。

【００５９】可視吸収： λ_max＝７０８ｎｍ ε_g＝２．７×１０⁵cm²g^-1（溶媒：トルエン）

【００６０】上記フタロシアニン化合物５ｇ（４．５ｍ
ｍｏｌ）を１，１，２−トリクロルエタン３０ｇに溶解
させ、水１０ｇを加えた。次に臭素５．４ｇ（３３．８
ｍｍｏｌ）と１，１，２−トリクロルエタン３ｇとの混
合溶液を５０〜５５℃で３０分で滴下し、同温度で１時
間して終了した。１０％亜硫酸水素ナトリウム水溶液５
ｇを加えて洗浄した。有機層をメタノール８０ｇ滴下
し、析出した結晶を濾過し、カラム精製（シリカゲル１
００ｇ、溶媒トルエン）し下記構造式（１−１）で示さ
れる臭素化フタロシアニン化合物８．０ｇを得た。ＮＭ
Ｒより側鎖二重結合は全て臭素が置換していること、元
素分析より臭素は１１．５個置換していることがわかっ
た。よって環には３．５個置換していることがわかっ
た。

【００６１】

【化９】 可視吸光スペクトル及び元素分析の結果は以下の通りで
あった。

【００６２】可視吸収： λ_max＝７１４ｎｍ ε_g＝１．６×１０⁵cm²g^-1（溶媒：トルエン）

【００６３】上記フタロシアニン化合物のｎ−オクタン
溶液（１０ｇ／ｌ）をスパイラルグルーブ（ピッチ１．
６μｍ、溝幅０．６μｍ、溝深０．１８μｍ）付きの外
形１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍのＣＤ−Ｒ用ポリカーボ
ネート基板上に５００〜１０００ｒｐｍでスピンコート
成膜した。その上に３０ｎｍの金をスパッタ蒸着して反
射層を形成し、続いて光硬化型ポリアクリル樹脂により
オーバーコート後光硬化させ保護層を形成してＣＤ−Ｒ
型媒体を作製した。この媒体に、波長７８０ｎｍの半導
体レーザーを用いて、線速１．４ｍ／ｓでＥＦＭ信号を
５．５ｍＷのパワーで書き込んだときのエラーレートは
０．２％未満であった。また、線速２ｍ／ｓ、０．８ｍ
Ｗのレーザー光で、１０⁵回再生しても記録に変化はな
かった。

【００６４】実施例２ 実施例１で合成した、構造式（５−１）で示されるパラ
ジウムテトラ［α−（２−ペントキシ）−β−（１−プ
ロペニル）］フタロシアニン化合物５ｇ（４．５ｍｍｏ
ｌ）を１，１，２−トリクロルエタン３０ｇに溶解さ
せ、水１０ｇを加えた。次に塩化スルフリル７．９ｇ
（５８．５ｍｍｏｌ）と１，１，２−トリクロルエタン
６ｇとの混合溶液を５０〜５５℃で３０分で滴下し、同
温度で１時間して終了した。１０％水酸化ナトリウム水
溶液６０ｇを加えて中和、分液後、有機層をメタノール
１５０ｇに滴下し、析出した結晶を濾過し乾燥後、カラ
ム精製（シリカゲル１００ｇ、溶媒トルエン）し、下記
構造式（１−２）で示される塩素化フタロシアニン化合
物８．０ｇを得た。ＮＭＲより側鎖二重結合は全て塩素
が置換していること、元素分析より塩素は１０．５個置
換していることがわかった。よって環には２．５個置換
していることがわかった。

【００６５】

【化１０】 可視吸光スペクトル及び元素分析の結果は以下の通りで
あった。

【００６６】可視吸収： λ_max＝７０５ｎｍ ε_g＝１．７×１０⁵cm²g^-1（溶媒：トルエン）

【００６７】上記フタロシアニン化合物のエチルシクロ
ヘキサン溶液（１０ｇ／ｌ）を実施例１と同様にスピン
コーターによりＣＤ−Ｒ用ポリカーボネート基板上に塗
布し、その上に金をスパッタ蒸着し、続いてＵＶ硬化樹
脂を用いて保護層を形成し、ＣＤ−Ｒ型媒体を作製し
た。この媒体に７８０ｎｍの半導体レーザーを用いて線
速１．４ｍ／ｓでＥＦＭ信号を６．０ｍＷのパワーで書
き込んだときのエラーレートは０．２％未満であり、
０．５ｍＷの再生光で百万回再生を行っても変化がなか
った。また８０℃／８５％の条件で１０００時間経過後
も記録・再生に支障はなかった。

【００６８】実施例３ 実施例１と同様の容器に、下記構造式（３−２）

【００６９】

【化１１】 で示される３−（４−メチル−２−ペントキシ）−４−
（１−プロペニル）フタロニトリル２６．８ｇ（０．１
モル）、ＤＢＵ１５．２ｇ（０．１モル）およびｎ−ア
ミルアルコール１２０ｇを装入し、窒素雰囲気下で１０
０℃まで昇温させた。次に、同温度で塩化パラジウム
５．３ｇ（０．０３モル）を添加し、９５〜１００℃で
２０時間反応させた。反応終了後、冷却し、不溶物を濾
別した。濾液を減圧濃縮して溶媒を回収した後、カラム
精製（シリカゲル５００ｇ、溶媒トルエン）し、下記構
造式（５−２）で示されるパラジウムテトラ［α−（４
−メチル−２−ペントキシ）−β−（１−プロペニ
ル）］フタロシアニン化合物１９．２ｇ（収率６５％）
を得た。

【００７０】

【化１２】 可視吸光スペクトル及び元素分析の結果は以下の通りで
あった。

【００７１】可視吸収： λ_max＝７０４ｎｍ ε_g＝２．３×１０⁵cm²g^-1（溶媒：トルエン）

【００７２】上記フタロシアニン化合物５．８ｇ（４．
５ｍｍｏｌ）を１，１，２−トリクロルエタン３０ｇに
溶解させ、水１０ｇを加えた。次に臭素４．３ｇ（２７
ｍｍｏｌ）と１，１，２−トリクロルエタン３ｇとの混
合溶液を５０〜５５℃で３０分で滴下し、同温度で１時
間して終了した。１５％亜硫酸水素ナトリウム水溶液５
ｇを加えて洗浄した。有機層をメタノール１００ｇに滴
下し析出した結晶を濾過し、乾燥後、カラム精製（シリ
カゲル１００ｇ、溶媒トルエン）し、下記構造式（１−
３）の臭素化フタロシアニン６．９ｇを得た。元素分析
より臭素は１０．１個置換していること、ＮＭＲより側
鎖二重結合は全て臭素に置換していることがわかった。
よって環には２．１個置換しいていることがわかった。
可視吸光スペクトル及び元素分析の結果は以下の通りで
あった。

【００７３】

【化１３】 可視吸収： λ_max＝７１１ｎｍ ε_g＝１．４×１０⁵cm²g^-1（溶媒：トルエン）

【００７４】上記フタロシアニン化合物のジブチルエ−
テル溶液（１０ｇ／ｌ）を実施例１と同様にスピンコー
ターによりＣＤ−Ｒ用ポリカ−ボネート基板上に塗布
し、その上に金をスパッタ蒸着し、続いて塗布面にＵＶ
硬化樹脂を用いて保護層を形成し、ＣＤ−Ｒを作製し
た。この媒体に７８０ｎｍ、線速１．４ｍ／ｓ，４ｍＷ
の半導体レーザー光によりＥＦＭ信号を書き込んだとき
のエラーレートは０．２％未満であった。また、０．５
ｍＷのレーザ−光により再生可能で、再生光安定性を調
べたところ、１０⁵回の再生が可能であった。さら８０
℃／湿度８５％の条件で１０００時間経過後も記録、再
生に支障はなかった。

【００７５】実施例４ 実施例３で合成した構造式（５−２）のパラジウムテト
ラ［α−（４−メチル−２−ペントキシ）−β−（１−
プロペニル）］フタロシアニン化合物５．８ｇ（４．５
ｍｍｏｌ）を１，１，２−トリクロロエタン４０ｇに溶
解し、５０〜５５℃で塩化スルフリル９．２ｇ（６８ｍ
ｍｏｌ）を滴下する。同温度で２時間反応した。１０％
水酸化ナトリウム８０ｇで中和した。有機層を分液後、
メタノール１００ｇに滴下し析出した結晶を濾過し乾燥
後、カラム精製（シリカゲル１００ｇ、溶媒トルエン）
し、下記構造式（１−４）で示される塩素化フタロシア
ニン７．２ｇを得た。元素分析より塩素は１０．８個置
換していること、ＮＭＲより側鎖二重結合は全て塩素に
置換していることがわかった。よって環には２．８個置
換しいていることがわかった。

【００７６】

【化１４】 可視吸収： λ_max＝６９９ｎｍ ε_g＝１．７×１０⁵cm²g^-1（溶媒：トルエン）

【００７７】上記フタロシアニン化合物のエチルシクロ
ヘキサン溶液（２０ｇ／ｌ）を実施例１と同様にスピン
コーターによりＣＤ−Ｒ用ポリカーボネート基板上に塗
布し、その上に金をスパッタ蒸着し、続いてＵＶ硬化樹
脂を用いて保護層を形成し、ＣＤ−Ｒ型媒体を作製し
た。この媒体に７８０ｎｍの半導体レーザーを用いて線
速２．８ｍ／ｓでＥＦＭ信号を５．５ｍＷのパワーで書
き込んだときのエラーレートは０．２％未満であり、
０．５ｍＷの再生光で百万回再生を行っても変化がなか
った。また８０℃／８５％の条件で１０００時間経過後
も記録・再生に支障はなかった。

【００７８】実施例５ 実施例１と同様の容器に、下記構造式（３−３）

【００７９】

【化１５】 で示される３−（２−ペントキシ）−４−（１，４−ジ
メチル−２−ペンテニル）フタロニトリル３１．１ｇ
（０．１モル）、ＤＢＵ１５．２ｇ（０．１モル）およ
びｎ−アミルアルコール１５０ｇを装入し、窒素雰囲気
下で１００℃まで昇温させた。次に、同温度で塩化第一
銅３．０ｇ（０．０３モル）を添加し、９５〜１００℃
で２５時間反応させた。反応終了後、冷却し、不溶物を
濾別した。濾液を減圧濃縮して溶媒を回収した後、カラ
ム精製（シリカゲル５００ｇ、溶媒トルエン）し、下記
構造式（５−３）の銅テトラ［α−（２−ペントキシ）
−β−（１，４−ジメチル−２−ペンテニル）］フタロ
シアニン化合物１８．５ｇ（収率５５％）を得た。

【００８０】

【化１６】 可視吸光スペクトル及び元素分析の結果は以下の通りで
あった。

【００８１】可視吸収： λ_max＝７０８ｎｍ ε_g＝２．３×１０⁵cm²g^-1（溶媒：トルエン）

【００８２】上記フタロシアニン化合物５．８ｇ（４．
５ｍｍｏｌ）を１，１，２−トリクロロエタン４０ｇに
溶解し、５０〜５５℃で臭素４．８ｇ（３０ｍｍｏｌ）
を滴下する。同温度で２時間反応した。１０％亜硫酸水
素ナトリウム１０ｇで洗浄した。有機層を分液後、メタ
ノール８０ｇに滴下し析出した結晶を濾過し乾燥後、カ
ラム精製（シリカゲル１００ｇ、溶媒トルエン）し、下
記構造式（１−５）の臭素化フタロシアニン７．２ｇを
得た。元素分析より臭素は１０．２個置換しているこ
と、ＮＭＲより側鎖二重結合は全て臭素に置換している
ことがわかった。よって環には２．２個置換しいている
ことがわかった。

【００８３】

【化１７】 可視吸収： λ_max＝７２５ｎｍ ε_g＝１６×１０⁵cm²g^-1（溶媒：トルエン）

【００８４】上記フタロシアニン化合物のエチルシクロ
ヘキサン溶液（２０ｇ／ｌ）を実施例１と同様にスピン
コーターによりＣＤ−Ｒ用ポリカーボネート基板上に塗
布し、その上に金をスパッタ蒸着し、続いてＵＶ硬化樹
脂を用いて保護層を形成し、ＣＤ−Ｒ型媒体を作製し
た。この媒体に７８０ｎｍの半導体レーザーを用いて線
速２．８ｍ／ｓでＥＦＭ信号を５．５ｍＷのパワーで書
き込んだときのエラーレートは０．２％未満であり、
０．５ｍＷの再生光で百万回再生を行っても変化がなか
った。また８０℃／８５％の条件で１０００時間経過後
も記録・再生に支障はなかった。

【００８５】実施例６ 実施例５と同様に、構造式（３−３）で示される３−
（２−ペントキシ）−４−（１，４−ジメチル−２−ペ
ンテニル）フタロニトリル３１．１ｇ（０．１モル）、
ＤＢＵ１５．２ｇ（０．１モル）およびｎ−アミルアル
コール１５０ｇを装入し、窒素雰囲気下で１００℃まで
昇温させた。次に、同温度で塩化パラジウム５．３ｇ
（０．０３モル）を添加し、９５〜１００℃で２５時間
反応させた。反応終了後、冷却し、不溶物を濾別した。
濾液を減圧濃縮して溶媒を回収した後、カラム精製（シ
リカゲル５００ｇ、溶媒トルエン）し、下記構造式（５
−４）のパラジウムテトラ［α−（２−ペントキシ）−
β−（１，４−ジメチル−２−ペンテニル）］フタロシ
アニン化合物１８．５ｇ（収率５５％）を得た。

【００８６】

【化１８】 可視吸光スペクトル及び元素分析の結果は以下の通りで
あった。

【００８７】可視吸収： λ_max＝６９３ｎｍ ε_g＝２．３×１０⁵cm²g^-1（溶媒：トルエン）

【００８８】上記フタロシアニン化合物６．１ｇ（４．
５ｍｍｏｌ）を１，１，２−トリクロロエタン３５ｇに
溶解させ、水１０ｇを加えた。次に５０〜５５℃で塩化
スルフリル９．２ｇ（６８ｍｍｏｌ）を滴下する。同温
度で２時間反応した。１０％水酸化ナトリウム８０ｇで
中和した。有機層を分液後、メタノール１００ｇに滴下
し析出した結晶を濾過し乾燥後、カラム精製（シリカゲ
ル１００ｇ、溶媒トルエン）し、下記構造式（１−６）
で示される塩素化フタロシアニン７．０ｇを得た。元素
分析より塩素は１０．８個置換していること、ＮＭＲよ
り側鎖二重結合は全て塩素に置換していることがわかっ
た。よって環には２．８個置換しいていることがわかっ
た。

【００８９】

【化１９】 可視吸光スペクトル及び元素分析の結果は以下の通りで
あった。

【００９０】可視吸収： λ_max＝７０４ｎｍ ε_g＝１．７×１０⁵cm²g^-1（溶媒：トルエン）

【００９１】上記フタロシアニン化合物を用いて実施例
１と同様にしてＣＤ−Ｒ型媒体を作製した。この媒体
に、波長７８０ｎｍのレーザーを用いて、線速１．４ｍ
／ｓでＥＦＭ信号を６．０ｍＷのパワーで書き込んだと
きのエラーレートは、０．２％未満であった。

【００９２】実施例７ 実施例５で合成した構造式（５−４）のパラジウムテト
ラ［α−（２−ペントキシ）−β−（１，４−ジメチル
−２−ペンテニル）］フタロシアニン化合物６．１ｇ
（４．５ｍｍｏｌ）を１，１，２−トリクロロエタン４
０ｇに溶解し、５０〜５５℃で臭素５．８ｇ（３６ｍｍ
ｏｌ）を滴下する。同温度で２時間反応した。１０％亜
硫酸水素ナトリウム１０ｇで洗浄した。有機層を分液
後、メタノール８０ｇに滴下し析出した結晶を濾過し乾
燥後、カラム精製（シリカゲル１００ｇ、溶媒トルエ
ン）し、下記構造式（１−７）で示される臭素化フタロ
シアニン９．２ｇを得た。元素分析より臭素は１１．５
個置換していること、ＦＤ−ＭＳより側鎖二重結合は全
て臭素に置換していることがわかった。よって環には
３．５個置換しいていることがわかった。

【００９３】

【化２０】 可視吸光スペクトル及び元素分析の結果は以下の通りで
あった。

【００９４】可視吸収： λ_max＝７１７ｎｍ ε_g＝２．１×１０⁵cm²g^-1（溶媒：トルエン）

【００９５】上記フタロシアニン化合物を用いて実施例
１と同様にしてＣＤ−Ｒ型媒体を作製した。この媒体
に、波長７８０ｎｍのレーザーを用いて、線速１．４ｍ
／ｓでＥＦＭ信号を６．０ｍＷのパワーで書き込んだと
きのエラーレートは、０．２％未満であった。

【００９６】実施例８ 実施例１の方法で下記構造式（３−４）

【００９７】

【化２１】 で示される３−（２，４−ジメチル−３−ペントキシ）
−４−（１−プロペニル）フタロニトリルを用いた以外
は同様に行い得られた構造式（５−５）

【００９８】

【化２２】 のパラジウムテトラ［α−（２，４−ジメチル−３−ペ
ントキシ）−β−（１−プロペニル）］フタロシアニン
化合物５．５ｇ（４．５ｍｍｏｌ）を１，１，２−トリ
クロロエタン４０ｇに溶解し、５０〜５５℃で臭素４．
８ｇ（３０ｍｍｏｌ）を滴下し、同温度で２時間反応し
た。１０％亜硫酸水素ナトリウム１０ｇで洗浄した。有
機層を分液後、メタノール１００ｇに滴下し析出した結
晶を濾過し乾燥後、カラム精製（シリカゲル１００ｇ、
溶媒トルエン）し、下記構造式（１−８）で示される臭
素化フタロシアニン８．０ｇを得た。元素分析より臭素
は１０．０個置換していること、ＦＤ−ＭＳより側鎖二
重結合は全て臭素に置換していることがわかった。よっ
て環には２．０個置換しいていることがわかった。

【００９９】

【化２３】 可視吸光スペクトル及び元素分析の結果は以下の通りで
あった。

【０１００】可視吸収： λ_max＝７１５ｎｍ ε_g＝２．４×１０⁵cm²g^-1（溶媒：トルエン）

【０１０１】上記フタロシアニン化合物を用いて実施例
１と同様にしてＣＤ−Ｒ型媒体を作製した。この媒体
に、波長７８０ｎｍのレーザーを用いて、線速１．４ｍ
／ｓでＥＦＭ信号を６．０ｍＷのパワーで書き込んだと
きのエラーレートは、０．２％未満であった。０．５ｍ
Ｗの再生光で百万回再生を行っても変化がなかった。ま
た８０℃／８５％の条件で１０００時間経過後も記録・
再生に支障はなかった。

【０１０２】実施例９ 実施例８で使用したパラジウムテトラ［α−（２，４−
ジメチル−３−ペントキシ）−β−（１−プロペニ
ル）］フタロシアニン化合物５．５ｇ（４．５ｍｍｏ
ｌ）を１，１，２−トリクロロエタン４０ｇに溶解し、
５０〜５５℃で塩化スルフリル９．４ｇ（７０ｍｍｏ
ｌ）を滴下し、同温度で２時間反応した。１０％水酸化
ナトリウム８０ｇで中和した。有機層を分液後、メタノ
ール１００ｇに滴下し析出した結晶を濾過し乾燥後、カ
ラム精製（シリカゲル１００ｇ、溶媒トルエン）し、下
記構造式（１−９）で示される塩素化フタロシアニン
７．０ｇを得た。元素分析より塩素は１０．８個置換し
ていること、ＮＭＲより側鎖二重結合は全て塩素に置換
していることがわかった。よって環には２．８個置換し
ていることがわかった。

【０１０３】

【化２４】 可視吸収： λ_max＝７０５ｎｍ ε_g＝１．６×１０⁵cm²g^-1（溶媒：トルエン）

【０１０４】上記フタロシアニン化合物を用いて実施例
１と同様にしてＣＤ−Ｒ型媒体を作製した。この媒体
に、波長７８０ｎｍのレーザーを用いて、線速１．４ｍ
／ｓでＥＦＭ信号を６．０ｍＷのパワーで書き込んだと
きのエラーレートは、０．２％未満であった。０．５ｍ
Ｗの再生光で百万回再生を行っても変化がなかった。

【０１０５】実施例10 実施例１と同様の方法で得た下記構造式（５−６）

【０１０６】

【化２５】 で示される銅テトラ［α−（２，４−ジメチル−３−ペ
ントキシ）−β−（１−プロペニル）］フタロシアニン
化合物５．４ｇ（４．５ｍｍｏｌ）を１，１，２−トリ
クロロエタン３５ｇに溶解し、５０〜５５℃で臭素４．
８ｇ（３０ｍｍｏｌ）を滴下する。同温度で２時間反応
した。１０％亜硫酸水素ナトリウム１０ｇで洗浄した。
有機層を分液後、メタノール１００ｇに滴下し析出した
結晶を濾過し乾燥後、カラム精製（シリカゲル１００
ｇ、溶媒トルエン）し、下記構造式（１−１０）の臭素
化フタロシアニン８．０ｇを得た。元素分析より臭素は
１０．０個置換していること、ＦＤ−ＭＳより側鎖二重
結合は全て臭素に置換していることがわかった。よって
環には２．０個置換しいていることがわかった。

【０１０７】

【化２６】 可視吸光スペクトル及び元素分析の結果は以下の通りで
あった。

【０１０８】可視吸収： λ_max＝７２４ｎｍ ε_g＝２．３×１０⁵cm²g^-1（溶媒：トルエン）

【０１０９】上記フタロシアニン化合物１０ｇをジブチ
ルエ−テルとジイソプロピルエーテルの３：１（体積
比）混合溶媒５００ｍｌに溶解し、スピンコーターによ
りポリカ−ボネート製光カード基板上に厚み１００ｎｍ
で塗布し、続いて塗布面にＵＶ硬化樹脂を用いて保護層
を形成し、光カ−ドを作製した。この媒体に７８０ｎ
ｍ、線速２ｍ／ｓ，４ｍＷの半導体レーザー光により記
録したとき、ＣＮ比は６０ｄＢであった。また、線速２
ｍ／ｓ，０．８ｍＷのレーザ−光により１０⁵回の再生
が可能であった。

【０１１０】実施例１１〜３２ 実施例１と同様にして下記第１表に示すハロゲン化フタ
ロシアニン化合物を合成し、実施例１と同様にＣＤ−Ｒ
媒体を作製し、７８０ｎｍの半導体レーザーを用いて線
速１．４ｍ／ｓｅｃでＥＦＭ信号を書き込むのに必要な
レーザーパワー（ｍＷ）を測定し、その時のエラーレー
トを評価した。エラーレートの評価として、○はエラー
レートが１０未満、×はエラーレートが１０以上である
ことを示す。また、比較例として下記構造式（Ａ）で示
される特開平３−６２８７８号公報（USP 5124067）の
例示化合物を用いて実施例１と同様にして作製した媒体
を同様に評価して、結果を第１表に示す。

【０１１１】

【化２７】

【０１１２】

【表１】

【０１１３】

【表２】

【０１１４】

【表３】

【０１１５】

【表４】

【０１１６】

【表５】

【０１１７】本発明のフタロシアニン化合物を用いた光
記録媒体は、通常記録の６．０ｍＷレーザーパワー及び
３．６ｍＷ低レーザー、高速記録及び高密度記録におい
て良好な感度、記録特性を示した。

【０１１８】

【発明の効果】本発明のフタロシアニン化合物は、アル
コキシ基、及びハロゲン原子が置換したアルキル基ある
いはアルケニル基がフタロシアニン環に置換しているた
め、基板にスピンコート法により塗布する際に使用する
溶剤への溶解性が向上した。また、置換したハロゲン原
子により、記録時に色素の分解・溶融が制御され精度の
高いピット形成が行われたこと、分解発熱量の減少によ
り記録媒体の樹脂基板へのダメージが減少したこと、反
射層を有する記録媒体の場合は記録層と反射層である金
属層との密着性の向上に寄与し、従来の記録法のみなら
ず、従来に比較して高速である記録、あるいは高密度の
記録法においても光記録媒体の感度、記録特性の向上に
効果を上げた。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 西本 泰三 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 東圧化学株式会社内 (72)発明者 津田 武 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 東圧化学株式会社内 (72)発明者 詫摩 啓輔 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 東圧化学株式会社内

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下記一般式（１） 【化１】 〔式（１）中、Ｍは２個の水素原子、２価の金属原子、
   ３価１置換金属原子、４価２置換金属原子、オキシ金属
   原子を表し、Ｌ¹は式（２） 【化２】 （式（２）中、ＯＲ¹は、炭素数１〜２０の直鎖または
   分岐のアルコキシ基を表し、Ｒ²は、ハロゲン原子が１
   〜４置換している炭素数３〜２０の直鎖または分岐のア
   ルキル基、ハロゲン原子が１〜２置換している炭素数４
   〜２０の直鎖または分岐のアルケニル基を表す。Ｘはハ
   ロゲン原子を表し、ｎは各々独立に０〜２の数を表
   す。〕で示されるフタロシアニン化合物。
2. 【請求項２】 一般式（１）において、Ｍで表される中
   心金属が、Ｐｄ，Ｃｕ，Ｒｕ，Ｐｔ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｒ
   ｈ，Ｚｎ，ＶＯ，ＴｉＯ，Ｓｉ（Ｙ）₂，Ｓｎ（Ｙ）₂，
   Ｇｅ（Ｙ）₂（Ｙはハロゲン原子、アルコキシ基、アリ
   ールオキシ基、アシルオキシ基、ヒドロキシ基、アルキ
   ル基、アリール基、アルキルチオ基、アリールチオ基、
   トリアルキルシリルオキシ基、トリアルキルスズオキシ
   基、またはトリアルキルゲルマニウムオキシ基を表
   す。）である請求項１記載のフタロシアニン化合物。
3. 【請求項３】 請求項１又は２に記載のフタロシアニン
   化合物を含有してなる光記録媒体。
4. 【請求項４】 基板上に、請求項１又は２に記載のフタ
   ロシアニン化合物を含有する記録層、その上に金または
   アルミニウムからなる反射層、さらにその上に保護層を
   積層した構成である請求項３記載の光記録媒体。