JPH08176821A - 薄膜形成方法および装置 - Google Patents
薄膜形成方法および装置Info
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- JPH08176821A JPH08176821A JP6337931A JP33793194A JPH08176821A JP H08176821 A JPH08176821 A JP H08176821A JP 6337931 A JP6337931 A JP 6337931A JP 33793194 A JP33793194 A JP 33793194A JP H08176821 A JPH08176821 A JP H08176821A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 ターゲット２９をスパッタして基板上に、Ｓ
ｉ，Ｔｉ，Ｚｒ等の金属ないしは金属の不完全反応物か
らなる超薄膜を形成する工程と、誘導結合型プラズマ源
によりこの超薄膜を反応性ガスのプラズマに曝して、超
薄膜と反応性ガスとを反応せしめＳｉＯ2 ，ＴｉＯ2 ，
ＺｒＯ2 等の金属化合物に変換する工程とを順序繰返
し、所望の膜厚の薄膜を形成する。 【効果】 簡単な構成および操作で、金属を高速でスパ
ッタし、これを酸化物等の化合物薄膜に変換し、安定し
た特性の化合物薄膜を高速で形成することができる。
ｉ，Ｔｉ，Ｚｒ等の金属ないしは金属の不完全反応物か
らなる超薄膜を形成する工程と、誘導結合型プラズマ源
によりこの超薄膜を反応性ガスのプラズマに曝して、超
薄膜と反応性ガスとを反応せしめＳｉＯ2 ，ＴｉＯ2 ，
ＺｒＯ2 等の金属化合物に変換する工程とを順序繰返
し、所望の膜厚の薄膜を形成する。 【効果】 簡単な構成および操作で、金属を高速でスパ
ッタし、これを酸化物等の化合物薄膜に変換し、安定し
た特性の化合物薄膜を高速で形成することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、スパッタにより安定し
て金属化合物薄膜を形成する方法およびそれに使用する
装置に関する。
て金属化合物薄膜を形成する方法およびそれに使用する
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】スパッタで、金属あるいは酸化物等の金
属化合物の薄膜を形成することが汎く行われている。し
かし、金属薄膜を形成する場合と比較して、酸化物のよ
うな金属化合物ターゲットを用いスパッタにより薄膜形
成する場合は、膜の堆積速度が遅いという問題がある。
金属をターゲットとし、スパッタ雰囲気中に酸素を導入
する反応性スパッタにより金属酸化物薄膜を成膜する場
合も同様であり、十分量の酸素ガスを導入するとスパッ
タ速度が著しく低下してしまう。
属化合物の薄膜を形成することが汎く行われている。し
かし、金属薄膜を形成する場合と比較して、酸化物のよ
うな金属化合物ターゲットを用いスパッタにより薄膜形
成する場合は、膜の堆積速度が遅いという問題がある。
金属をターゲットとし、スパッタ雰囲気中に酸素を導入
する反応性スパッタにより金属酸化物薄膜を成膜する場
合も同様であり、十分量の酸素ガスを導入するとスパッ
タ速度が著しく低下してしまう。
【０００３】また、スパッタや真空蒸着などで得られる
化合物薄膜は、その構成元素が欠乏することもある。た
とえば、ＳｉＯ2 ターゲットをスパッタして薄膜を形成
すると、形成される薄膜の組成はＳｉＯｘ（Ｘ＜２）と
なってしまう。Ａｒと十分量のＯ2 との混合ガス雰囲気
にスパッタを行なうことにより酸素の欠乏は防止しうる
が、この場合には膜の付着速度が１／２〜１／３に低下
してしまう。
化合物薄膜は、その構成元素が欠乏することもある。た
とえば、ＳｉＯ2 ターゲットをスパッタして薄膜を形成
すると、形成される薄膜の組成はＳｉＯｘ（Ｘ＜２）と
なってしまう。Ａｒと十分量のＯ2 との混合ガス雰囲気
にスパッタを行なうことにより酸素の欠乏は防止しうる
が、この場合には膜の付着速度が１／２〜１／３に低下
してしまう。
【０００４】本出願人は先に、スパッタによりチタン等
の金属からなる超薄膜を基板上に堆積する工程と、この
超薄膜に酸素等の反応性ガスのイオンビームを照射して
酸化チタン等の金属化合物の超薄膜に変換する工程とを
繰り返し、所望の膜厚の金属化合物薄膜を形成すること
を提案した（特開昭６２−２８４０７６号公報）。
の金属からなる超薄膜を基板上に堆積する工程と、この
超薄膜に酸素等の反応性ガスのイオンビームを照射して
酸化チタン等の金属化合物の超薄膜に変換する工程とを
繰り返し、所望の膜厚の金属化合物薄膜を形成すること
を提案した（特開昭６２−２８４０７６号公報）。
【０００５】しかしながら、イオン銃は、消耗によるフ
ィラメントの交換が必要であり、また、フィラメント、
スクリーン電極、サプレッサー電極と構成部材が多く必
要であり、さらにこれらに伴い、真空室の汚染、スクリ
ーン電極電流の増大による電源電流容量問題、ニュート
ライザによる温度上昇などの問題点があることが判明し
た。
ィラメントの交換が必要であり、また、フィラメント、
スクリーン電極、サプレッサー電極と構成部材が多く必
要であり、さらにこれらに伴い、真空室の汚染、スクリ
ーン電極電流の増大による電源電流容量問題、ニュート
ライザによる温度上昇などの問題点があることが判明し
た。
【０００６】また、特開平４−４９６７号公報にスパッ
タ電極とイオン銃とを組み合わせた上記と同様の方法お
よび装置が提案されている。しかしこの方式では、スパ
ッタ源とイオン源とが電気的に結合されているため、ス
パッタ源側でのアーキングの影響をイオン源が受けるな
ど、安定した酸化物薄膜形成ができない懸念がある。ま
た、複数の高真空ポンプが必要になる等の、装置の大型
化・複雑化が問題となり、工業的に有利な方法であると
は言えない。
タ電極とイオン銃とを組み合わせた上記と同様の方法お
よび装置が提案されている。しかしこの方式では、スパ
ッタ源とイオン源とが電気的に結合されているため、ス
パッタ源側でのアーキングの影響をイオン源が受けるな
ど、安定した酸化物薄膜形成ができない懸念がある。ま
た、複数の高真空ポンプが必要になる等の、装置の大型
化・複雑化が問題となり、工業的に有利な方法であると
は言えない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、超薄膜に対
して酸化等の反応を行いながら成膜し、特性の安定した
金属化合物薄膜を高速で形成する方法および装置を提供
するものである。
して酸化等の反応を行いながら成膜し、特性の安定した
金属化合物薄膜を高速で形成する方法および装置を提供
するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜形成方法
は、スパッタにより基板上に、金属ないしは金属の不完
全反応物からなる超薄膜を形成する工程と、この超薄膜
を反応性ガスのプラズマに曝して、上記超薄膜と反応性
ガスとを反応せしめ金属化合物に変換する工程とを順序
繰返し、所望の膜厚の薄膜を形成することを特徴とす
る。本発明で超薄膜とは、超薄膜が複数回堆積されて最
終的な薄膜となることから、この最終的な薄膜との混同
を防止するために用いた用語であり、最終的な薄膜より
も十分に薄いという意味である。
は、スパッタにより基板上に、金属ないしは金属の不完
全反応物からなる超薄膜を形成する工程と、この超薄膜
を反応性ガスのプラズマに曝して、上記超薄膜と反応性
ガスとを反応せしめ金属化合物に変換する工程とを順序
繰返し、所望の膜厚の薄膜を形成することを特徴とす
る。本発明で超薄膜とは、超薄膜が複数回堆積されて最
終的な薄膜となることから、この最終的な薄膜との混同
を防止するために用いた用語であり、最終的な薄膜より
も十分に薄いという意味である。
【０００９】本発明の薄膜製造装置は、スパッタ電極
と、反応性ガスのプラスマを発生させるプラズマ源と、
薄膜が形成される基板を保持し、スパッタ電極によるス
パッタ薄膜形成部と、プラズマ源による反応性ガスのプ
ラズマ曝露部との間に基板を順次、繰返して搬送する基
板ホルダーとを具えたことを特徴とする。
と、反応性ガスのプラスマを発生させるプラズマ源と、
薄膜が形成される基板を保持し、スパッタ電極によるス
パッタ薄膜形成部と、プラズマ源による反応性ガスのプ
ラズマ曝露部との間に基板を順次、繰返して搬送する基
板ホルダーとを具えたことを特徴とする。
【００１０】プラズマ発生源としては、誘導結合型プラ
ズマ源を用いることが好ましい。誘導結合型プラズマ源
は構成が簡単であり、ＲＦ（高周波）アンテナが大気側
に設けられるので、真空室内が汚染することがない。
ズマ源を用いることが好ましい。誘導結合型プラズマ源
は構成が簡単であり、ＲＦ（高周波）アンテナが大気側
に設けられるので、真空室内が汚染することがない。
【００１１】また、スパッタ薄膜形成部とプラズマ曝露
部の周囲をそれぞれ遮蔽板で囲繞することが好適であ
り、これによりプラズマ曝露部の反応性ガスがスパッタ
薄膜形成部に流入することが防止される。
部の周囲をそれぞれ遮蔽板で囲繞することが好適であ
り、これによりプラズマ曝露部の反応性ガスがスパッタ
薄膜形成部に流入することが防止される。
【００１２】
【実施例】図１および図２は、本発明の薄膜形成方法お
よび装置について示す説明図であり、図１が上面図（判
りやすいように一部断面をしてある）、図２が図１の線
Ａ−Ｂ−Ｃに沿った側面図である。真空槽１１内の略円
筒状の基板ホルダ１３の回りには、スパッタ電極２１，
４１と、誘導結合型プラズマ発生装置６１（プラズマ
源）とが配設されている。スパッタ電極２１，４１の前
面がそれぞれスパッタ薄膜形成部を構成しており、この
スパッタ薄膜形成分は遮蔽板３１，５１でそれぞれ囲繞
されている。スパッタガスボンベ２７、４７からそれぞ
れマスフロー２５，４５を経て、アルゴンなどのスパッ
タ用ガスが導入されてスパッタ雰囲気が調整され、スパ
ッタ電源２３，４３により電力を印加することにより、
Ｓｉ，Ｔｉ，Ｚｒ等のターゲット２９，４９がスパッタ
される。図１では、異なる２種類の物質をスパッタする
ことを想定してスパッタ電極２１，４１を２つ設ける場
合を示している。
よび装置について示す説明図であり、図１が上面図（判
りやすいように一部断面をしてある）、図２が図１の線
Ａ−Ｂ−Ｃに沿った側面図である。真空槽１１内の略円
筒状の基板ホルダ１３の回りには、スパッタ電極２１，
４１と、誘導結合型プラズマ発生装置６１（プラズマ
源）とが配設されている。スパッタ電極２１，４１の前
面がそれぞれスパッタ薄膜形成部を構成しており、この
スパッタ薄膜形成分は遮蔽板３１，５１でそれぞれ囲繞
されている。スパッタガスボンベ２７、４７からそれぞ
れマスフロー２５，４５を経て、アルゴンなどのスパッ
タ用ガスが導入されてスパッタ雰囲気が調整され、スパ
ッタ電源２３，４３により電力を印加することにより、
Ｓｉ，Ｔｉ，Ｚｒ等のターゲット２９，４９がスパッタ
される。図１では、異なる２種類の物質をスパッタする
ことを想定してスパッタ電極２１，４１を２つ設ける場
合を示している。
【００１３】誘導結合型プラズマ発生装置６１は、石英
管からなるＲＦ（高周波）放電室６３にＲＦ（高周波）
コイル６５が巻回されてなり、マッチングボックス６７
を介して高周波電源６９から電力がＲＦコイル６５に投
入される。このとき、マスフロー７１を介して反応ガス
ボンベ７３から酸素などの反応性ガスが導入され、反応
性ガスのプラズマが形成される。
管からなるＲＦ（高周波）放電室６３にＲＦ（高周波）
コイル６５が巻回されてなり、マッチングボックス６７
を介して高周波電源６９から電力がＲＦコイル６５に投
入される。このとき、マスフロー７１を介して反応ガス
ボンベ７３から酸素などの反応性ガスが導入され、反応
性ガスのプラズマが形成される。
【００１４】以下、ＳｉＯ2 薄膜を形成する場合を例に
挙げて本発明をさらに詳細に説明する。ターゲット２９
としてシリコン（Ｓｉ）を固定し、スパッタガスボンベ
２７からアルコンガスを導入し、スパッタ電源２３から
電力を投入し、Ｓｉをスパッタさせる。一方、反応ガス
ボンベ１３から酸素ガスを導入し、誘導結合型プラズマ
発生装置６１を駆動することにより、酸素ガスのプラズ
マを発生させる。
挙げて本発明をさらに詳細に説明する。ターゲット２９
としてシリコン（Ｓｉ）を固定し、スパッタガスボンベ
２７からアルコンガスを導入し、スパッタ電源２３から
電力を投入し、Ｓｉをスパッタさせる。一方、反応ガス
ボンベ１３から酸素ガスを導入し、誘導結合型プラズマ
発生装置６１を駆動することにより、酸素ガスのプラズ
マを発生させる。
【００１５】回転駆動装置１７（モータ）により基板を
搭載した基板ホルダ１３を回転すると、スパッタ電極２
１の前面（スパッタ薄膜形成部）で基板上にＳｉ超薄膜
が形成され、この超薄膜はＲＦ放電室６３の前面（プラ
ズマ曝露部）で酸素ガスのプラズマにより酸化されてＳ
ｉＯ2 に変換される。
搭載した基板ホルダ１３を回転すると、スパッタ電極２
１の前面（スパッタ薄膜形成部）で基板上にＳｉ超薄膜
が形成され、この超薄膜はＲＦ放電室６３の前面（プラ
ズマ曝露部）で酸素ガスのプラズマにより酸化されてＳ
ｉＯ2 に変換される。
【００１６】このように、基板を搭載した基板ホルダ１
３を回転させ、Ｓｉ超薄膜の形成と、ＳｉＯ2 への変換
を繰り返すことにより、所望膜厚のＳｉＯ2 薄膜を形成
できる。ＳｉＯ2 としてではなく金属Ｓｉとしてスパッ
タできるので、スパッタ速度を速めることができ、効率
的である。また、ＳｉＯ2 をスパッタした場合では、ス
パッタにより形成された薄膜はＳｉＯｘ（ｘ＜２）と酸
素の欠損が見られる場合があるが、本発明によれば、プ
ラズマ曝露部で酸素の欠損が補なわれ、安定したＳｉＯ
2 薄膜を形成できる。
３を回転させ、Ｓｉ超薄膜の形成と、ＳｉＯ2 への変換
を繰り返すことにより、所望膜厚のＳｉＯ2 薄膜を形成
できる。ＳｉＯ2 としてではなく金属Ｓｉとしてスパッ
タできるので、スパッタ速度を速めることができ、効率
的である。また、ＳｉＯ2 をスパッタした場合では、ス
パッタにより形成された薄膜はＳｉＯｘ（ｘ＜２）と酸
素の欠損が見られる場合があるが、本発明によれば、プ
ラズマ曝露部で酸素の欠損が補なわれ、安定したＳｉＯ
2 薄膜を形成できる。
【００１７】ついで、電力を印加するスパッタ電極をス
パッタ電極４１に変更し、ターゲット４９としてチタン
を用い、同様にしてチタン超薄膜の形成およびスパッタ
曝露部での酸化を繰り返して所望厚さの酸化チタン薄膜
を形成する。また、ターゲット４９として金属Ｚｒを用
いた場合は、同様に酸化ジルコニウム薄膜を形成でき
る。
パッタ電極４１に変更し、ターゲット４９としてチタン
を用い、同様にしてチタン超薄膜の形成およびスパッタ
曝露部での酸化を繰り返して所望厚さの酸化チタン薄膜
を形成する。また、ターゲット４９として金属Ｚｒを用
いた場合は、同様に酸化ジルコニウム薄膜を形成でき
る。
【００１８】この操作を繰り返すことにより、ＳｉＯ2
薄膜と、ＴｉＯ2 薄膜またはＺｒＯ2 との積層膜からな
る反射防止膜を形成できる。また、スパッタ電極２１，
４１の前面は、遮蔽板３１，５１で囲われ、一方、ＲＦ
放電室６３の前面は遮蔽板７５で囲われており、この囲
いの中にスパッタガスが２７，４７から、あるいは反応
性ガスが７３から導入され、真空ポンプ１５により排気
系に導かれる。よって、スパッタガスが遮蔽板７５内に
侵入したり、反応性ガスが遮蔽板３１，５１内に侵入す
ることがなく、反応性ガスの侵入によりスパッタ速度を
低下させることがない。特に、複数のターゲットを近距
離に近づけた場合に効果的である。
薄膜と、ＴｉＯ2 薄膜またはＺｒＯ2 との積層膜からな
る反射防止膜を形成できる。また、スパッタ電極２１，
４１の前面は、遮蔽板３１，５１で囲われ、一方、ＲＦ
放電室６３の前面は遮蔽板７５で囲われており、この囲
いの中にスパッタガスが２７，４７から、あるいは反応
性ガスが７３から導入され、真空ポンプ１５により排気
系に導かれる。よって、スパッタガスが遮蔽板７５内に
侵入したり、反応性ガスが遮蔽板３１，５１内に侵入す
ることがなく、反応性ガスの侵入によりスパッタ速度を
低下させることがない。特に、複数のターゲットを近距
離に近づけた場合に効果的である。
【００１９】また、スパッタによる放電と、反応性ガス
の誘導結合型の放電とは個別に制御でき互いに影響を与
えることがないので、安定して放電することができ、不
慮の事故を招くことがなく信頼性が高い。さらに、誘導
結合型のプラズマ発生装置では、ＲＦコイル６５が大気
側にあるので、真空室１１内の汚染の問題がなく、ま
た、カウフマン型イオン銃の場合のように、フィラメン
ト、スクリーン電極、サプレッサー電極が不要で構造的
に簡単であり、特にフィラメントの交換が不要である。
また、ニュートライザーが不用のため、これに起因する
温度上昇の問題も解消できる。
の誘導結合型の放電とは個別に制御でき互いに影響を与
えることがないので、安定して放電することができ、不
慮の事故を招くことがなく信頼性が高い。さらに、誘導
結合型のプラズマ発生装置では、ＲＦコイル６５が大気
側にあるので、真空室１１内の汚染の問題がなく、ま
た、カウフマン型イオン銃の場合のように、フィラメン
ト、スクリーン電極、サプレッサー電極が不要で構造的
に簡単であり、特にフィラメントの交換が不要である。
また、ニュートライザーが不用のため、これに起因する
温度上昇の問題も解消できる。
【００２０】スパッタ条件および反応ガスプラズマの発
生条件を挙げれば以下の通りである。 （１）スパッタ条件（Ｓｉ） 投入電力：３．６ｋＷ 基板温度：室温 囲い内圧力：２．０×１０-3Ｔｏｒｒ 基板ホルダ回転数：１００ｒｐｍ 超薄膜の厚さ：２〜６オングストローム
生条件を挙げれば以下の通りである。 （１）スパッタ条件（Ｓｉ） 投入電力：３．６ｋＷ 基板温度：室温 囲い内圧力：２．０×１０-3Ｔｏｒｒ 基板ホルダ回転数：１００ｒｐｍ 超薄膜の厚さ：２〜６オングストローム
【００２１】（２）スパッタ条件（Ｚｒ） 投入電力：１．９ｋＷ 基板温度：室温 囲い内圧力：５．０×１０-3Ｔｏｒｒ 基板ホルダ回転数：１００ｒｐｍ 超薄膜の厚さ：１〜４オングストローム
【００２２】（３）反応ガスプラズマ条件（Ｏ2） 投入電力：１ｋＷ 圧力：１．４×１０-3Ｔｏｒｒ
【００２３】金属ターゲットとしては、Ａｌ，Ｔｉ，Ｚ
ｒ，Ｓｎ，Ｃｒ，Ｔａ，Ｆｅ，Ｓｉ，Ｔｅ，Ｎｉ−Ｃ
ｒ，Ｉｎ−Ｓｎなどが用いられ、反応性ガスのプラズマ
曝露により、Ａｌ2 Ｏ3 ，ＴｉＯ2 ，ＺｒＯ2 ，Ｔａ2
Ｏ5 ，ＳｉＯ2 の光学膜ないし絶縁膜，ＩＴＯ等の導電
膜，Ｆｅ2 Ｏ3 などの磁性膜，ＴｉＮ，ＣｒＮ，ＴｉＣ
などの超硬膜とされる。
ｒ，Ｓｎ，Ｃｒ，Ｔａ，Ｆｅ，Ｓｉ，Ｔｅ，Ｎｉ−Ｃ
ｒ，Ｉｎ−Ｓｎなどが用いられ、反応性ガスのプラズマ
曝露により、Ａｌ2 Ｏ3 ，ＴｉＯ2 ，ＺｒＯ2 ，Ｔａ2
Ｏ5 ，ＳｉＯ2 の光学膜ないし絶縁膜，ＩＴＯ等の導電
膜，Ｆｅ2 Ｏ3 などの磁性膜，ＴｉＮ，ＣｒＮ，ＴｉＣ
などの超硬膜とされる。
【００２４】ＴｉＯ2 ，ＺｒＯ2 ，ＳｉＯ2 のような絶
縁性の金属化合物は、金属(Ｔｉ，Ｚｒ，Ｓｉ)に比べて
スパッタ速度が極端に遅く生産性が悪いので、特に本発
明の方法が有用である。反応性ガスとしては、酸素，オ
ゾン，Ｎ2 Ｏ等の酸化性ガス、窒素等の窒化性ガス、メ
タン等の炭化性ガスなどが用いられる。
縁性の金属化合物は、金属(Ｔｉ，Ｚｒ，Ｓｉ)に比べて
スパッタ速度が極端に遅く生産性が悪いので、特に本発
明の方法が有用である。反応性ガスとしては、酸素，オ
ゾン，Ｎ2 Ｏ等の酸化性ガス、窒素等の窒化性ガス、メ
タン等の炭化性ガスなどが用いられる。
【００２５】
【発明の効果】本発明によれば、簡単な構成および操作
で、金属を高速でスパッタし、これを酸化物等の化合物
薄膜に変換し、安定した特性の化合物薄膜を高速で形成
することができる。
で、金属を高速でスパッタし、これを酸化物等の化合物
薄膜に変換し、安定した特性の化合物薄膜を高速で形成
することができる。
【図１】本発明の実施例を示す上面図である。
【図２】本発明の実施例を示す，図１の線Ａ−Ｂ−Ｃに
沿った側面図である。
沿った側面図である。
１１ 真空槽 １３ 基板ホルダー １５ 真空ポンプ １７ 回転駆動装置 ２１，４１ スパッタ電極 ２３，４３ スパッタ電源 ２５，４５ マスフロー ２７，４７ スパッタガスボンベ ２９，４９ ターゲット ３１，５１ 遮蔽板 ６１ 誘導結合型プラズマ発生装置 ６３ ＲＦ（高周波）放電室 ６５ ＲＦ（高周波）コイル ６７ マッチングボックス ６９ ＲＦ（高周波）電源 ７１ マスフロー ７３ 反応ガスボンベ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊東 孝 東京都品川区南大井３丁目２番６号 株式 会社シンクロン内
Claims (5)
- 【請求項１】 スパッタにより基板上に、金属ないしは
金属の不完全反応物からなる超薄膜を形成する工程と、
この超薄膜を反応性ガスのプラズマに曝して、上記超薄
膜と反応性ガスとを反応せしめ金属化合物に変換する工
程とを順序繰返し、所望の膜厚の薄膜を形成することを
特徴とする薄膜形成方法。 - 【請求項２】 プラズマが誘導結合型プラズマ源により
発生したものである請求項２に記載の薄膜形成方法。 - 【請求項３】 スパッタ電極と、 反応性ガスのプラスマを発生させるプラズマ源と、 薄膜が形成される基板を保持し、スパッタ電極によるス
パッタ薄膜形成部と、プラズマ源による反応性ガスのプ
ラズマ曝露部との間に基板を順次、繰返して搬送する基
板ホルダーとを具えたことを特徴とする薄膜形成装置。 - 【請求項４】 プラズマ源が誘導結合型プラズマ源であ
る請求項３に記載の薄膜形成装置。 - 【請求項５】 スパッタ薄膜形成部とプラズマ曝露部の
周囲を、それぞれ遮蔽板で囲繞し、プラズマ曝露部の反
応性ガスがスパッタ薄膜形成部に流入することを防止し
た請求項３または４に記載の薄膜形成装置。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6337931A JPH08176821A (ja) | 1994-12-26 | 1994-12-26 | 薄膜形成方法および装置 |
| DE69505942T DE69505942T2 (de) | 1994-12-26 | 1995-12-22 | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung dünner Schichten von metallischen Verbindungen |
| AT95850234T ATE173302T1 (de) | 1994-12-26 | 1995-12-22 | Verfahren und vorrichtung zur herstellung dünner schichten von metallischen verbindungen |
| EP95850234A EP0719874B1 (en) | 1994-12-26 | 1995-12-22 | Process of and apparatus for forming thin films of metallic compounds |
| KR1019950055583A KR960023214A (ko) | 1994-12-26 | 1995-12-23 | 금속 화합물의 얇은 필름을 형성하기 위한 방법 및 장치 |
| CA002166174A CA2166174A1 (en) | 1994-12-26 | 1995-12-27 | Process of and apparatus for forming thin films of metallic compounds |
| AU40761/95A AU692332B2 (en) | 1994-12-26 | 1995-12-28 | Process and apparatus for forming thin films of metallic compounds |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6337931A JPH08176821A (ja) | 1994-12-26 | 1994-12-26 | 薄膜形成方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08176821A true JPH08176821A (ja) | 1996-07-09 |
Family
ID=18313350
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6337931A Pending JPH08176821A (ja) | 1994-12-26 | 1994-12-26 | 薄膜形成方法および装置 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0719874B1 (ja) |
| JP (1) | JPH08176821A (ja) |
| KR (1) | KR960023214A (ja) |
| AT (1) | ATE173302T1 (ja) |
| AU (1) | AU692332B2 (ja) |
| CA (1) | CA2166174A1 (ja) |
| DE (1) | DE69505942T2 (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002256429A (ja) * | 2001-02-28 | 2002-09-11 | Tomonobu Hata | スパッタリング装置 |
| JP2003013217A (ja) * | 2001-06-28 | 2003-01-15 | Ulvac Japan Ltd | 誘電体膜の成膜方法及び成膜装置 |
| JP2005226088A (ja) * | 2004-02-10 | 2005-08-25 | Ulvac Japan Ltd | 成膜方法及び成膜装置 |
| JP2006509102A (ja) * | 2002-12-04 | 2006-03-16 | ライボルト オプティクス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 多層膜を製造する方法および前記方法を実施するための装置 |
| JP2007186771A (ja) * | 2006-01-16 | 2007-07-26 | Bridgestone Corp | ガスフロースパッタリング成膜方法及び装置 |
| JP2007308795A (ja) * | 2006-04-17 | 2007-11-29 | Shincron:Kk | 有色基材の製造方法および有色基材 |
| JP2008078670A (ja) * | 2007-09-28 | 2008-04-03 | Ulvac Japan Ltd | シリコン半導体に於ける化合物バリア膜形成方法 |
| JP2010168665A (ja) * | 2002-12-04 | 2010-08-05 | Leybold Optics Gmbh | 多層膜を製造する方法および前記方法を実施するための装置 |
| JP2010174378A (ja) * | 2010-03-19 | 2010-08-12 | Shincron:Kk | 薄膜形成方法 |
| US7967957B2 (en) | 2002-08-09 | 2011-06-28 | Kobe Steel, Ltd. | Method for preparing alumna coating film having alpha-type crystal structure as primary structure |
| JP5036827B2 (ja) * | 2008-09-05 | 2012-09-26 | 株式会社シンクロン | 成膜方法及び撥油性基材 |
| JP2020050907A (ja) * | 2018-09-26 | 2020-04-02 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 成膜装置 |
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| DE19640832C2 (de) * | 1996-10-02 | 2000-08-10 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zur Herstellung wärmereflektierender Schichtsysteme |
| US6103320A (en) | 1998-03-05 | 2000-08-15 | Shincron Co., Ltd. | Method for forming a thin film of a metal compound by vacuum deposition |
| JP3735461B2 (ja) * | 1998-03-27 | 2006-01-18 | 株式会社シンクロン | 複合金属の化合物薄膜形成方法及びその薄膜形成装置 |
| JP2000099922A (ja) * | 1998-09-17 | 2000-04-07 | Sony Corp | 磁気トンネル素子及びその製造方法 |
| WO2004108981A1 (ja) * | 2003-06-03 | 2004-12-16 | Shincron Co., Ltd. | 薄膜の形成方法及びその形成装置 |
| US20060134436A1 (en) * | 2004-12-17 | 2006-06-22 | Afg Industries, Inc. | Air oxidizable scratch resistant protective layer for optical coatings |
| CN114703461B (zh) * | 2022-04-12 | 2024-03-15 | 浙江水晶光电科技股份有限公司 | 一种化合物薄膜及其制备方法 |
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| US4151064A (en) * | 1977-12-27 | 1979-04-24 | Coulter Stork U.S.A., Inc. | Apparatus for sputtering cylinders |
| US4591418A (en) * | 1984-10-26 | 1986-05-27 | The Parker Pen Company | Microlaminated coating |
| JPS62256956A (ja) * | 1986-04-30 | 1987-11-09 | Honda Motor Co Ltd | チタン系製品の表面処理方法 |
| US4842704A (en) * | 1987-07-29 | 1989-06-27 | Collins George J | Magnetron deposition of ceramic oxide-superconductor thin films |
| ATE138111T1 (de) * | 1989-11-13 | 1996-06-15 | Optical Coating Laboratory Inc | Geometrie und gestaltungen eines geräts zum magnetronzerstäuben |
| JPH06101020A (ja) * | 1992-09-21 | 1994-04-12 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜形成方法 |
-
1994
- 1994-12-26 JP JP6337931A patent/JPH08176821A/ja active Pending
-
1995
- 1995-12-22 EP EP95850234A patent/EP0719874B1/en not_active Revoked
- 1995-12-22 DE DE69505942T patent/DE69505942T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1995-12-22 AT AT95850234T patent/ATE173302T1/de not_active IP Right Cessation
- 1995-12-23 KR KR1019950055583A patent/KR960023214A/ko not_active Withdrawn
- 1995-12-27 CA CA002166174A patent/CA2166174A1/en not_active Abandoned
- 1995-12-28 AU AU40761/95A patent/AU692332B2/en not_active Withdrawn - After Issue
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| KR960023214A (ko) | 1996-07-18 |
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