JPH08176832A - 堆積膜形成装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 周波数２０ＭＨｚ乃至４５０ＭＨｚの高周波
電力を印加することによりグロー放電を生じさせるプラ
ズマＣＶＤ法による堆積膜形成装置において、従来のプ
ラズマプロセスでは達成できなかった堆積速度で比較的
大面積の基体に均一に良質な特性を有する膜を作製し、
且つ、膜剥がれを低減して生産性の効率化、コストダウ
ンが行えることが可能な装置を提供するとを目的とす
る。 【構成】 減圧可能な堆積室内に、円筒状の被成膜基体
と、それを外包するカソード電極と該カソード電極を外
包する外部シールドと、整合回路を有し、放電周波数が
２０ＭＨｚ乃至４５０ＭＨｚの高周波電力でカソード電
極と被成膜基体との間にプラズマを発生させるＣＶＤ法
による堆積膜形成装置において、カソード電極近傍にコ
ンデンサを設けたことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体デバイスとして
の電子写真用感光体デバイス、画像入力用ラインセンサ
ー、撮像デバイス、光起力デバイス等に有用な結晶質、
または非単結晶質の機能性堆積膜を好適に形成し得るプ
ラズマＣＶＤ装置、半導体デバイスや光学素子としての
絶縁膜、金属配線等を好適に形成し得るスパッタリング
装置、或は半導体デバイス等のエッチング装置等のプラ
ズマ堆積膜形成装置に関し、更に詳しくは、特にプラズ
マを励起源として用い基体の処理を行うプラズマ堆積膜
形成装置であって、特に２０ＭＨｚ乃至４５０ＭＨｚの
高周波を好適に使用可能なプラズマ堆積膜形成装置に関
する。

【０００２】

【従来の技術】半導体等で使用されているプラズマ処理
装置はそれぞれの用途に応じて様々な装置がある。例え
ば、成膜等ではプラズマＣＶＤ装置を用いた酸化膜、窒
化膜の形成やアモルファスシリコン系の半導体膜、また
スパッタリング装置を用いた金属配線膜、エッチング装
置を用いた微細加工技術等、様々にその特徴を活かす装
置が使用されている。

【０００３】更に、近年膜質及び処理能力向上に対する
要望も強くなっており様々な工夫も検討されている。

【０００４】特に高周波電力を用いたプラズマプロセス
は、放電の安定性が高く酸化膜や窒化膜の絶縁性の材料
形成にも使用できる等、様々な利点より使用されてい
る。

【０００５】従来、プラズマＣＶＤ等のプラズマプロセ
スに用いられている放電用高周波電源の発振周波数は、
一般的に１３．５６ＭＨｚが用いられる。堆積膜形成に
一般的に多く使われているプラズマＣＶＤ装置の一例
を、図３に示す。図３に示されるプラズマＣＶＤ装置
は、円筒状の電子写真感光体用基体上にアモルファスシ
リコン膜（以下ａ−Ｓｉ膜と記す）を形成する場合に好
適な堆積膜形成装置である。以下、この装置を用いたａ
−Ｓｉ膜の成膜方法を説明する。

【０００６】減圧可能な反応容器３０１内に絶縁材料３
１０により電気的に絶縁されたカソード電極３０２及び
対向電極としての円筒状の被成膜基体３０３が配置され
ている。円筒状の被成膜基体３０３は、内部の加熱ヒー
ター３０４により、その内側より加熱される。カソード
電極３０２のまわりには、高周波電力が漏洩しないよう
に外部シールド３０５が配置されている。高周波電源３
０６は整合回路３０７を介してカソード電極３０２に高
周波電力供給用配線３１１により接続されている。３０
８は真空排気手段、３０９はガス供給手段である。

【０００７】反応容器３０１内を真空排気手段３０８に
よって所望の真空度（例えば１ｍＴｏｒｒ以下）まで排
気した後、ガス供給手段３０９によってシランガス、ジ
シランガス、メタンガス、エタンガスなどの原料ガスを
またジボランガス、ホスフィンガスなどのドーピングガ
スを導入し、数１０ミリメートルから数トールの圧力に
維持する。

【０００８】高周波電源３０６より１３．５６ＭＨｚの
高周波電力を、カソード電極３０２に加えて、カソード
電極３０２と円筒状の被成膜基体３０３との間にプラズ
マを発生させ、原料ガスを分解することにより、加熱ヒ
ーター３０４により、１００℃乃至４００℃程度に加熱
された円筒状の被成膜基体３０３上に、ａ−Ｓｉ膜を堆
積する。

【０００９】必要に応じて不図示の回転機構により円筒
状の被成膜基体３０３を回転させ、周方向の膜厚分布を
改善しても良い。

【００１０】この成膜方法で電子写真感光体の性能を満
足するａ−Ｓｉ膜を得るための堆積速度は例えば、１時
間当たり０．５乃至６μｍ程度であり、それ以上の堆積
速度で行われるように設定すると、感光体としての特性
を得ることができない場合がある。また、一般に電子写
真感光体としてａ−Ｓｉ膜を利用する場合、帯電能を得
るために、少なくとも２０乃至３０μｍの膜厚が必要で
あり、電子写真感光体を製造するためには長時間を要し
ていた。

【００１１】ところで、近年、平行平板型のプラズマＣ
ＶＤ装置を用い２０ＭＨｚ以上の高周波電源を用いたプ
ラズマＣＶＤ法の報告（Ｐｌａｓｍａ Ｃｈｅｍｉｓｔ
ｒｙａｎｄ Ｐｌａｓｍａ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ，Ｖ
ｏｌ.７，Ｎｏ.３，（１９８７）ｐ２６７−２７３）が
あり、放電周波数を１３．５６ＭＨｚより高くすること
で、堆積膜の性能を落とさずに堆積速度を向上させるこ
とができる可能性が示されており、注目されている。ま
た、この放電周波数を高くする報告はスパッタリング等
でもなされ、近年広くその優位性が検討されている。

【００１２】そこで、堆積速度向上のために、放電周波
数を従来使われていた１３．５６ＭＨｚより高い周波数
の高周波電力に変え、成膜手順は従来と同様の方法で行
うと確かに従来より速い堆積速度で作製できることは確
認できた。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例では以下のような問題が発生する場合があることが
判明した。

【００１４】即ち、放電周波数を１３．５６ＭＨｚより
高くし、被成膜基体を回転させながら成膜を行うと、確
かに従来の膜の特性とほぼ同等の膜が形成され、周方向
の膜厚分布も当然ながら均一に堆積することができる。
しかし、成膜炉のコスト低減、メンテナンスの煩雑さを
少なくするために、被成膜基体の回転機構を省略した堆
積膜形成装置を使い、被成膜基体を静止状態で成膜を行
うと、周方向の膜厚分布が非常に大きく発生しているこ
とが判明した。つまり、被成膜基体を回転させていると
きには表面に現れなかったが、実際には成膜炉内のプラ
ズマ状態は周方向でかなり遍在化しており、堆積速度が
場所により大きく異なることが明確になった。

【００１５】更に周方向では堆積速度だけでなく、堆積
膜の電子写真的な特性も場所により異なっていることが
分かった。この特性のムラは堆積された膜厚のみで説明
できないことから、堆積膜の膜質そのものが周方向で異
なっていることが推測される。また、周方向の膜質の良
好な部分では、被成膜基体を回転させて成膜を行った電
子写真感光体よりも特性に優れ、反対に周方向の膜質の
劣っている部分では、被成膜基体を回転させて成膜を行
った電子写真感光体の特性よりも劣っていることが判明
した。即ち、被成膜基体を回転させて性膜した電子写真
感光体は特性の劣った膜と優れた膜が積層状になり、平
均的な特性が現れていると考えられる。

【００１６】以上より、放電周波数を１３．５６ＭＨｚ
より高くし、被成膜基体を静止状態で成膜を行うと、周
方向の膜厚分布が非常に大きく発生し、電子写真感光体
のような比較的大面積の被加工体においては実用上問題
となるような画像ムラが生じる場合があった。更には、
被成膜基体を回転させて成膜を行う場合は、プラズマの
遍在化のために、特性の劣った膜と優れた膜が積層状に
なり、トータルとしての膜特性を劣化させるために、本
来あるべき良好な膜特性が得られないという問題があっ
た。

【００１７】そして更に、従来の堆積膜形成装置では、
わずかでも製造条件がずれると電子写真感光体に膜剥が
れが生じる場合があった。作製した電子写真感光体の膜
剥がれは、生産性を悪化させるばかりではなく、堆積膜
形成装置内に剥がれた膜が残留したまま電子写真感光体
を作製した場合、画像欠陥を引き起こし、製品として使
用できなくなる原因にもなり、また、剥がれた膜が堆積
膜形成装置の排気装置内に溜まり、排気装置の劣化を引
き起こして、メンテナンスを頻繁に行わなければならな
くなり、コストアップの原因となる。

【００１８】上記のような問題は、電子写真感光体のみ
ならず、画像入力用ラインセンサー、撮像デバイス、光
起力デバイス等に有用な結晶質、または非単結晶質の機
能性堆積膜を形成する場合に大きな問題となる。また、
ドライエッチング、スパッタリング等の他のプラズマプ
ロセスにおいても、放電周波数が２０ＭＨｚ乃至４５０
ＭＨｚの高周波電力を用いた場合には同様な問題が生
じ、このままでは実用上大きな問題になってくる。

【００１９】従って、本発明に係わる第一の目的は、従
来のプラズマプロセスでは達成できなかった堆積速度で
成膜することが可能な堆積膜形成装置を提供することに
ある。

【００２０】本発明に係わる第二の目的は、従来のプラ
ズマプロセスでは達成できなかった堆積速度で比較的大
面積の基体に均一にプラズマ処理することが可能な堆積
膜形成装置を提供することにある。

【００２１】本発明に係わる第三の目的は、２０ＭＨｚ
乃至４５０ＭＨｚの高周波による成膜において、膜剥が
れが低減することを可能にする堆積膜形成装置を提供す
ることにある。

【００２２】本発明に係わる第四の目的は、生産性の効
率化、コストダウンが行えることが可能な堆積膜形成装
置を提供することにある。

【００２３】

【課題を解決するための手段及び作用】本発明による堆
積膜形成装置は、上記目的を達成するために、減圧可能
な堆積室内に設置された円筒状の被成膜基体と、それを
外包するように配置されたカソード電極と、カソード電
極を外包するように配置された外部シールドと、外部シ
ールドの外部に整合回路とを有し、放電周波数が２０Ｍ
Ｈｚ乃至４５０ＭＨｚの高周波電力を整合回路を介して
前記カソード電極に印加することによってカソード電極
と円筒状の被成膜基体との間にプラズマを発生させるこ
とにより、堆積室内に導入された原料ガスを分解して円
筒状の被成膜基体上に堆積膜を形成するプラズマＣＶＤ
法による堆積膜形成装置において、カソード電極の周方
向の複数箇所に高周波電力を整合回路を介して供給し、
且つ、整合回路からカソード電極までの複数の配線が、
整合回路から外部シールドの外側を通り、且つ、外部シ
ールドからカソード電極までの配線が最短距離になるよ
うにカソード電極の接続部に接続され、且つ、カソード
電極の接続部と外部シールドとの間にコンデンサを設け
たことを特徴とする。

【００２４】本発明者らは、被成膜基体を静止状態で、
２０ＭＨｚ乃至４５０ＭＨｚの高周波を用いて成膜を行
った場合の周方向の膜厚及び膜特性ムラ、更には膜剥が
れを解決するために鋭意検討を行った。

【００２５】先ず、膜厚ムラが高周波電力を導入する位
置とどのような位置関係で発生するのかを確認する実験
を行った。その結果、予想に反して、高周波電力を導入
する位置と相関なく、膜厚分布が発生することが判明し
た。この理由については現在定かではないが、２０ＭＨ
ｚ乃至４５０ＭＨｚという、いわゆるＶＨＦ領域の高周
波を用いる場合、印加されるカソード電極のインダクタ
ンス成分が無視できなくなるものと考えられる。しか
し、単にインダクタンスのみが問題となる場合には、高
周波を印加した側で堆積速度が早くなり、印加位置より
物理的な距離が遠くなる反対側で堆積速度が遅くなるは
ずである。位置関係に相関が出ないということは、この
周波数領域ではカソード電極のインダクタンスのみが問
題となるだけではなく、カソード電極と被成膜基体の間
のキャパシタンスも問題となっている可能性がある。つ
まり、２０ＭＨｚ乃至４５０ＭＨｚという周波数領域で
は、成膜炉自体がインダクタンスとキャパシタンスの直
列共振回路を形成しており、共振条件、 ω＝１／（Ｌ・Ｃ）^1/2 を満たす位置で高周波パワーが高まり、原料ガスの分解
速度が高まるものと推測される。ここでωが角速度周波
数、Ｌはインダクタンス、Ｃはキャパシタンスである。

【００２６】更に、成膜後の被成膜基体に堆積した膜の
電気的特性を測定したところ、堆積速度の早い場所の膜
の方が、遅い場所の膜よりも良好な特性を示すことが判
明した。通常、堆積速度は遅いほど膜特性は良好となる
が、この場合には原料ガスに充分な高周波エネルギーを
供給することが、膜特性の向上に寄与しているものと思
われる。

【００２７】以上の結果から、２０ＭＨｚ乃至４５０Ｍ
Ｈｚの高周波を用いる成膜において、カソード電極の周
方向に、均一にパワーを入れることさえできれば被成膜
基体を回転させなくても、充分な周方向の膜厚の均一性
が得られ、かつ、充分な電力を供給できるため、堆積膜
の膜質をも向上させ得る可能性があるとの見解に至っ
た。

【００２８】そこで、カソード電極の周方向の複数箇所
に２０ＭＨｚ乃至４５０ＭＨｚの高周波電力を印加し、
堆積室内の複数箇所でＬＣ直列共振条件を満たすことに
より、周方向全体に充分高周波電力を供給する試みを行
ったところ、膜厚及び膜特性ムラが改善されることが分
かった。

【００２９】更に、作製した電子写真感光体に、膜剥が
れが生じる場合があることの原因については、本発明者
らは電子写真感光体の製造過程に何か問題が生じている
のではないかと考えた。そこで、本発明者らは放電状態
に注目して検討を行った。その結果、放電初期の整合状
態が不安定であることが判明した。ここで整合状態と
は、カソード電極の負荷から反射する電力（反射波）を
減らし、移送される電力が最大になるようにインピーダ
ンスを調整した状態のことである。整合状態としては、
負荷に投入された電力（進行波）と負荷から反射する電
力（反射波）で評価でき、進行波に対して反射波が小さ
く、安定しているほど整合状態は良い。この整合回路
は、入出力のインピーダンスと負荷のインピーダンスと
をマッチングするもので、π型やＴ型の整合回路があ
り、そのコイルのインダクタンスやコンデンサの容量を
調節して、出力電力効率を向上する。

【００３０】図３に示す装置を用いて、放電が生じる前
にあらかじめ反射波が０になるように整合を取り、高周
波電力を投入していっても、放電が起こった瞬間に反射
波が生じ、且つ、不安定であった。その後、整合状態を
調節することで反射波が０になり安定した。この放電初
期に反射波が生じて不安定になるという現象は、整合を
取る方法として自動的に調整されるもの、手動で調整さ
れるもの何れを用いた場合にも同様な現象が起こった。
即ち、放電前と放電中とで、カソード電極と基体との間
の空間インピーダンスが異なるからである。

【００３１】そこで、初期放電におけるプラズマの発光
強度を測定したところ、放電初期の反射波が生じる際に
プラズマの発光強度が大きく変化し、プラズマ状態が不
安定になっていることが分かった。つまり、初期放電の
整合状態の反射波は、プラズマの不安定さを示す一つの
尺度と考えられる。

【００３２】この放電初期の反射波が生じプラズマ状態
が不安定であるときにできる膜の影響で、その後に堆積
した膜との間に歪みが生じやすい状態になっており、わ
ずかに製造条件がずれただけでも膜剥がれが発生してし
まうのではないかと考えた。

【００３３】そこで検討を行った結果、放電初期の反射
波が生じ、プラズマ状態が不安定になることを防ぐため
に、コンデンサを高周波電力供給用配線上のカソード電
極近傍に設ければ、放電状態を初期から最期まで安定に
し、膜剥がれが低減できることが分かった。設置する位
置に関しては、カソード電極近傍にしなければ、放電が
立たなかったり、または、放電初期の反射波が大きくな
り、本発明の効果が充分に得られない。更にこの時、カ
ソード電極の周方向の複数箇所に高周波電力を印加する
際には、高周波電力供給用配線とカソード電極で囲まれ
た部分が無くなるように配線しなければ、膜剥がれを低
減できないことが判明した。

【００３４】この原因について本発明者らは、おそらく
高周波電力供給用配線がカソード電極に短的に配線され
ず、カソード電極と配線部分との容量により、疑似的な
コンデンサが形成されていることが影響しているのでは
ないかと考え、高周波電力供給用配線とカソード電極で
囲まれた部分ができないようなカソード電極の周方向の
複数箇所への配線の方法を検討した。

【００３５】つまり、整合回路からカソード電極までの
複数の配線が、整合回路から外部シールドの外側を通
り、且つ、外部シールドからカソード電極までの配線が
最短距離になるように、カソード電極に接続して配線す
れば、高周波電力供給用配線とカソード電極で囲まれた
疑似コンデンサができないとの結論に至った。

【００３６】以上のように、カソード電極の周方向の複
数箇所に高周波電力を印加し、且つ、整合回路からカソ
ード電極までの複数の配線が、整合回路から外部シール
ドの外側を通り、且つ、外部シールドからカソード電極
までの配線が最短距離になるようにカソード電極に接続
し、且つ、外部シールドからカソード電極までの配線上
のカソード電極近傍に、コンデンサを設けることで本発
明の効果が初めて得られる。

【００３７】以下、図面を用いて本発明をさらに詳細に
説明する。 （１）製造装置の構成例１ 図１は、本発明の方法を行うための装置の一例を模式的
に示したもので、図１（ａ）は上部から見た断面模式
図、図１（ｂ）は側面から見た断面模式図であり、電子
写真感光体のような円筒状の基体の堆積膜の作製に好適
なものである。尚、以下では高周波電力供給用配線の
内、整合回路から外部シールドの外側を通る配線部分を
第１配線１１１、外部シールド１０５からカソード電極
１０２までの配線部分を第２配線１１２と称して説明す
る。

【００３８】図１において、１０１は堆積膜を形成する
ための減圧可能な反応容器であり、真空排気手段１０８
により接続されている。１０９はガス供給手段であり、
原料ガスを反応容器１０１内に導入する。反応容器１０
１内には絶縁材料１１０により電気的に絶縁されたカソ
ード電極１０２及び対向電極としての円筒状の被成膜基
体１０３が配置されている。円筒状の被成膜基体１０３
は、内部の加熱ヒーター１０４により、その内側より加
熱される。カソード電極１０２のまわりには、第２配線
１１２の高周波電力が漏洩しないように、外部シールド
１０５が配置されている。更にその周りに第１配線１１
１の高周波電力が漏洩しないように、第２の外部シール
ド１１４が配置されている。このように、第１配線１１
１を外包するように第２の外部シールド１１４を設置す
れば、高周波電力の外部漏洩が防止でき、且つ、本発明
の効果も充分得られるため、より実用的である。

【００３９】また、２０ＭＨｚ乃至４５０ＭＨｚの高周
波を発生する高周波電源１０６は接合回路１０７を介
し、第１配線１１１及び第２配線１１２とカソード電極
１０２で囲まれて寄生容量や疑似コンデンサができない
ように整合回路１０７からカソード電極１０２までの複
数の第１配線１１１が、整合回路１０７から外部シール
ド１０５の外側を通り外部シールド１０５からカソード
電極１０２まで間に高耐圧小容量のコンデンサ１１３を
設け、各配線用の第２配線１１２が最短距離になるよう
にカソード電極１０２に接続され、且つ、放電状態を初
期から最期まで安定にし、膜剥がれを低減するために第
２配線１１２とカソード電極１０２の接続点間にコンデ
ンサ１１３を設けた。第２配線１１２とカソード電極１
０２上の高周波電力導入点での接線から９０°の角度を
なすようにすれば、第２配線１１２とカソード電極１０
２で囲まれた部分が無くなるので好ましいが、第２配線
１１２が最短距離になるように配線すれば、概ね第２配
線１１２とカソード電極１０２上の高周波電力導入点で
の接線が、９０°の角度をなすので本発明の効果は得ら
れる。

【００４０】また、この図では、整合回路１０７と９０
°の位置に１８０°の角度をなして２箇所接続されてい
るが、整合回路１０７側に１箇所と反対側に１箇所導入
しても、更には互いに１８０°の角度をなした任意の２
箇所に導入しても同様の効果が得られる。また、導入す
る２点が必ずしも互いに１８０°の角度をなしている必
要はなく、それより小さい角度でも本発明の効果は得ら
れる。また、２箇所以上に導入しても本発明の効果が得
られることは言うまでもない。

【００４１】カソード電極１０２に高周波電力を導入す
る軸方向の位置に関しては一般には、カソード電極１０
２のほぼ中央に導入されるが、必要に応じて軸方向の任
意の位置に導入しても本発明の効果は得られる。また、
高周波電力を導入する各々の点が軸方向に多少ずれても
本発明の効果は充分に得ることができる。 （２）製造装置の構成例２ 図２は本発明の堆積膜形成装置の他の一例を模式的に示
したものであり、電子写真感光体のような円筒状の基体
の堆積膜の作製に好適なものである。図１においては第
１配線１１１の高周波電力の漏洩を防ぐために第２の外
部シールド１１４を用いているが、この装置では第１配
線１１１の高周波電力の漏洩を防ぐための第２の外部シ
ールド１１４を無くして、第１配線１１１の高周波電力
の漏洩を防ぐ手段として同軸ケーブル２１１を用いてい
る。この場合、同軸ケーブル２１１の外部電極が整合回
路２０７本体外装及び外部シールド２０５に充分アース
されていなけらばならないのは言うまでもない。それ以
外は図１と同様な構成をしている。更には、第１配線１
１１の周りをアルミ、銅、鉄、ＳＵＳ、金、銀、プラチ
ナなどの金属で密閉し高周波電力をシールドしても本発
明の効果は充分得られる。同軸ケーブル２１１の芯線は
高耐圧小容量のコンデンサ２１３を介して第２配線２１
２として直接カソード電極２０２に半田又は溶着、ネジ
止めされ、その同軸ケーブル２１１の芯線と第２配線２
１２、第２配線２１２とコンデンサ２１３、コンデンサ
２１３と第２配線２１２、第２配線２１２とカソード電
極２０２等の接続は高周波の大電力信号を扱うので、定
在波のない整合のよい、抵抗損失の小さい配線で接続さ
れる。

【００４２】本発明の円筒状の被成膜基体１０３及び２
０３は、使用目的に応じた材質を有するものであれば良
い。材質においては銅、アルミニウム、金、銀、白金、
鉛、ニッケル、コバルト、鉄、クロム、モリブデン、チ
タン、ステンレスが電気伝導が良好のため好適である。
更に、これらの材料の中の２種以上の複合材料も耐熱性
が向上するために望ましい。更にはポリエステル、ポリ
エチレン、ポリカーボネート、セルロースアセテート、
ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデ
ン、ポリスチレン、ガラス、セラミックス、紙などの絶
縁材料に導電性材料を被覆したものはコストが低減でき
るため望ましい。

【００４３】カソード電極１０２及び２０２は、銅、ア
ルミニウム、金、銀、白金、鉛、ニッケル、コバルト、
鉄、クロム、モリブデン、チタン、ステンレスなどが熱
伝導が良く、電気伝導も良いので好適である。これらの
材料の中の２種以上の複合材料も耐熱性が向上するので
好適に用いられる。また、加工の容易さから形状は円筒
形状が好ましいが、必要に応じて楕円形、多角形状を用
いても良い。更に、カソード電極１０２及び２０２は放
電による温度上昇でカソード電極１０２及び２０２の材
質が反応炉中に混入するのを防ぐために冷却手段を設け
ることが望ましい。具体的な冷却手段としては、水、空
気、液体チッ素、ペルチェ素子などによる冷却が必要に
応じて用いられる。

【００４４】外部シールド１０５、２０５及び第２の外
部シールド１１４は、使用目的に応じた材質を有するも
のであれば良く、銅、アルミニウム、金、銀、白金、
鉛、ニッケル、コバルト、鉄、クロム、モリブデン、チ
タン、ステンレスが電気伝導が良好のため好適である。

【００４５】また、コンデンサ１１３、２１３には、１
ＫＶ以上の耐圧が望ましく、高周波特性のよいセラミッ
クやマイカ、ガラス等が用いられ、外部シールド及びカ
ソード電極との接続は半田や溶着やネジ止めでも、接続
抵抗やインダクタンスの小さな接続方法であれば、こだ
わらない。

【００４６】使用される高周波電源１０６及び２０６
は、発振周波数が２０ＭＨｚ乃至４５０ＭＨｚであれば
何でも使用できる。また、出力は１０Ｗ乃至５０００Ｗ
まで、装置に適した電力を発生することができればいか
なる出力のものでも好適に使用できる。更に、高周波電
源１０６及び２０６の出力変動率はいかなる値であって
も本発明の効果を得ることができる。

【００４７】使用される整合回路１０７及び２０７は高
周波電源１０６及び２０６と負荷の整合を取ることがで
きるものであればいかなる構成のものでも好適に使用で
きる。また、整合を取る方法としては自動的に調整され
るものが製造時の煩雑さを避けるために好適であるが、
手動で調整されるものであっても本発明の効果に全く影
響はなく、かつコストが安い点で望ましい。

【００４８】第１配線１１１及び２１１、第２配線１１
２及び２１２は銅、アルミニウム、金、銀、白金、鉛、
ニッケル、コバルト、鉄、クロム、モリブデン、チタ
ン、ステンレスが電気伝導が良好のため好適である。ま
た、第１配線１１１、同軸ケーブル２１１、第２配線１
１２及び２１２は外部シールド１０５及び２０５を通過
する際に、第１配線１１１、同軸ケーブル２１１、第２
配線１１２及び２１２を伝わる高周波電力が外部シール
ド１０５及び２０５を伝わりアースに落ちないように、
或いは外部シールド１０５及び２０５とは電気的に接触
しないように第１配線１１１、同軸ケーブル２１１、第
２配線１１２及び２１２上をテフロン、ガラス、セラミ
ックス等の絶縁材料で覆って外部シールド１０５及び２
０５に接続する、或いは第１配線１１１、同軸ケーブル
２１１、第２配線１１２及び２１２が外部シールド１０
５及び２０５と接触しないようにする。

【００４９】コンデンサ１１３及び２１３は、放電状態
を初期から最期まで安定にし、膜剥がれを低減するため
にカソード電極の高周波電力供給点に設けた。コンデン
サを設置しない場合は膜剥がれが低減できない。また、
設置する位置に関してはカソード電極の高周波電力供給
点にしなければ、放電が立たなかったり、放電が生じて
も放電初期の反射波が大きくなり、本発明の効果が充分
に得られない。即ち、第２配線１１２及び２１２上のカ
ソード電極１０２及び２０２にコンデンサ１１３及び２
１３を設けることは本発明では重要である。コンデンサ
１１３及び２１３の容量は、高周波電力の周波数にも依
存するが、１ｐＦ乃至２０００ｐＦが好ましい。コンデ
ンサ１１３及び２１３の容量が上記の範囲外では、放電
初期の反射波が大きくなり、本発明の効果が薄れる。ま
た、コンデンサ１１３及び２１３は、高周波電源１０６
及び２０６の出力電圧によって、絶縁破壊を起こさない
ように、充分な耐圧のものを使用することが望ましい。 （３）堆積膜の形成方法 図１に示した装置において本発明の堆積膜の形成方法の
一例は次の手順のように行われる。

【００５０】先ず、反応容器１０１内に表面を旋盤を用
いて鏡面加工を施した円筒状の被成膜基体１０３を加熱
ヒーター１０４を包含するように設置する。次に、不図
示の原料ガス導入バルブを閉とし、真空排気手段１０８
によって所望の真空度（例えば１ｍＴｏｒｒ以下）まで
排気する。続いて、不図示の原料ガス導入バルブを開と
し、加熱用の不活性ガス、一例としてアルゴンをガス供
給手段１０９により反応容器１０１内に導入し、反応容
器１０１内が所望の圧力になるように真空排気手段１０
８の排気速度及び加熱用ガスの流量を調整する。その
後、円筒状の被成膜基体１０３を内部の加熱ヒーター１
０４により、その内側から１００℃乃至４００℃程度の
温度になるように加熱する。円筒状の被成膜基体１０３
が所望の温度に加熱されたところで不図示の原料ガス導
入バルブを閉じ、反応容器１０１内へのガス流入を止め
る。

【００５１】堆積膜の形成は、不図示の原料ガス導入バ
ルブを開としてガス供給手段１０９からシランガス、ジ
シランガス、メタンガス、エタンガスなどの原料ガスを
またジボランガス、ホスフィンガスなどのドーピングガ
スを不図示のミキシングパネルにより混合した後に反応
容器１０１内に所定量導入し、反応容器１０１内を真空
排気手段１０８の排気速度を調節して所定内圧に維持す
る。反応容器１０１内のガスが所定内圧に満たされた時
点において、高周波電源１０６より２０ＭＨｚ乃至４５
０ＭＨｚの高周波電力を供給する。この時、あらかじめ
整合回路１０７を調整し、反射波が最小となるように調
整した後に高周波電力を供給していく。グロー放電が生
起したら高周波電力を所望の値に調整し、所望の膜厚を
形成したところで高周波電源１０６を切りグロー放電で
止め、同時に原料ガスの反応容器１０１内への流入を止
める。続いて反応容器１０１内のガスを真空排気手段１
０８によって高真空に排気する。更に、種々の機能を有
する堆積膜を積層する場合は、上記と同様の操作を繰り
返せばよい。

【００５２】

【実施例】以下本発明の効果を実証するための具体例を
説明するが、本発明は具体例によって何等限定されるも
のではない。 （１）［実施例１］ 図２に示す堆積膜形成装置において、円筒状の被成膜基
体２０３を静止状態にして放電周波数が１０５ＭＨｚの
高周波電源２０６を用い、アルミニウム製の円筒状の被
成膜基体２０３にａ−Ｓｉ膜を形成し電子写真感光体を
作製した。本実施例では、２０ｐＦのコンデンサ２１３
をカソード電極２０２と第２配線２１２の接続点の直前
と外部シールド２０５と間に配線を可能な限り短くして
設置し、また、同軸ケーブル２１１の長さ及び第２配線
２１２の長さは、配線によるインピーダンスが等しくな
るように、図２に示す２系統のそれぞれで同じ長さに揃
えた。更に、アルミニウム製のカソード電極２０２、ア
ルミニウム製の円筒状の被成膜基体２０３及びアルミニ
ウム製の外部シールド２０５を概ね同軸上に配置し、高
周波電力を導入する箇所はカソード電極２０２の周方向
等間隔２箇所とし、軸方向の位置はほぼ中央とした。成
膜条件として、表１に示された製造条件に従って下部阻
止層、光導電層、表面保護層の順に成膜を行った。

【００５３】

【表１】 （２）［比較例１］ 図３に示す堆積膜形成装置において、円筒状の被成膜基
体３０３を静止状態にして放電周波数が、（ａ）１３．
５６ＭＨｚ、または（ｂ）１０５ＭＨｚの２例の高周波
電源３０６を用い、アルミニウム製の円筒状の被成膜基
体３０３にａ−Ｓｉ膜を形成し電子写真感光体を作製し
た。またこの時、アルミニウム製のカソード電極３０
２、アルミニウム製の円筒状の被成膜基体３０３及びア
ルミニウム製の外部シールド３０５を概ね同軸上に配置
し、カソード電極３０２の軸方向のほぼ中央に高周波電
力を印加した。成膜条件として、表１に示された製造条
件に従って下部阻止層、光導電層、表面保護層の順に成
膜を行った。 （３）［比較例２］ 図２に示す堆積膜形成装置において、２０ｐＦのコンデ
ンサ２１３の設置位置を、（ａ）整合回路内部、（ｂ）
外部シールドとマッチングボックスの間、及び（ｃ）コ
ンデンサ２１３を設置せずの３例と変化させた以外は実
施例１と同様な条件でアルミニウム製の円筒状の被成膜
基体２０３に成膜し、電子写真感光体を作製した。成膜
条件として、表１に示された製造条件に従って下部阻止
層、光導電層、表面保護層の順に成膜を行った。

【００５４】実施例１、比較例１、及び比較例２で作製
した電子写真感光体は、以下に示す方法で評価した。 （ａ）膜厚分布及び堆積速度 作製した電子写真感光体の周方向２０箇所の膜厚を渦電
流式膜厚計（Ｋｅｔｔ科学研究所製）により測定して、
最大の膜厚と最小の膜厚の差を平均膜厚で割ることによ
り膜厚分布の比を計算した。そして、比較例１で（ｂ）
放電周波数１０５ＭＨｚにして作製した時の電子写真感
光体の膜厚分布の比を１．０とする相対値で評価を行っ
た。つまり、数値が小さいほど膜厚ムラは改善されてい
ることを示す。更に、平均膜厚を成膜時間で割ることに
より堆積速度を求め、評価を行った。堆積速度の評価基
準は比較例１で（ａ）放電周波数１３．５６ＭＨｚにし
て作製したときの電子写真感光体の時の堆積速度を基準
にし、次のように評価した。

【００５５】◎…比較例１で（ａ）放電周波数１３．５
６MHzの時より５０％以上速い ○…比較例１で（ａ）放電周波数１３．５６MHzの時よ
り１０乃至５０％速い △…比較例１で（ａ）放電周波数１３．５６MHzの時と
同程度で従来レベル ×…比較例１で（ａ）放電周波数１３．５６MHzの時よ
り２０％以上遅い （ｂ）放電安定性 放電安定性としては、各層での放電初期の放電状態で評
価し、放電が生じる前の整合状態を反射波が０になるよ
うに調節して高周波電力を投入していき、放電初期の進
行波に対する反射波の割合を求めた。放電初期の進行波
に対する反射波の割合は比較例１の（ｂ）放電周波数１
０５ＭＨｚにして作製した時の電子写真感光体の場合を
１．０としたときの相対値で表し、値が小さいほど放電
初期の放電状態が安定していることを示す。 （ｃ）電子写真特性 各々の感光体について電子写真装置（キヤノン社製ＮＰ
６０６０を実験用に改造したもの）にセットして、初期
の帯電能、残留電位等の電子写真特性を次のように評価
した。

【００５６】帯電能………電子写真用光受容部材を実験
装置に設置し、帯電器に＋６ｋＶの高電圧を印加しコロ
ナ帯電を行い、表面電位計により電子写真用光受容部材
の暗部表面電位を測定する。測定された値を膜厚で割る
ことによりノーマライズし、膜厚の影響を除いた。又、
周方向の膜厚の最大位置／最小位置それぞれについて評
価を行った。

【００５７】残留電位……電子写真用光受容部材を、一
定の暗部表面電位に帯電させる。そして直ちに一定光量
の比較的強い光を照射する。光像はハロゲンランプ光源
を用い、フィルターを用いて５５０ｎｍ以下の波長域の
光を除いた光を照射した。この時表面電位計により電子
写真用光受容部材の明部表面電位を測定する。

【００５８】それぞれについて、 ◎ 非常に良好 ○ 良好 △ 実用上問題無し × 実用上問題有り を用いて評価した。 （ｄ）膜剥がれ 作製した電子写真感光体１０００本の内、膜剥がれの生
じた電子写真感光体の本数で評価した。比較例１の
（ｂ）放電周波数１０５ＭＨｚにして作製した時の電子
写真感光体の場合を１．０としたときの相対値で表し、
値が小さいほど膜剥がれが生じた電子写真感光体の本数
が少ないことを示す。

【００５９】実施例１、比較例１及び比較例２で作製し
た電子写真感光体の膜厚分布、堆積速度、放電安定性、
帯電能、残留電位及び膜剥がれの結果を表２に示す。

【００６０】

【表２】 従来の堆積膜形成装置を用いて作製した比較例１（ａ）
の電子写真感光体は、実施例１より堆積速度の点で劣っ
ており、また比較例１（ｂ）の電子写真感光体は周方向
の膜厚の最大位置の帯電特性は良好だが、最小位置では
特性が劣っていることが分かる。一方、本発明の電子写
真感光体では膜厚の周方向のムラが非常に低減されてお
り、かつ、周方向の特性も良好なレベルに揃い、更に放
電安定性が非常に向上して、膜剥がれも大きく低減され
た。また、比較例２よりコンデンサは設置しなければ膜
剥がれは低減されず、また、本発明の堆積膜形成装置に
おけるコンデンサの設置位置は整合回路内部では放電が
立たず、カソード電極近傍に設置すれば効果がより顕著
になることが判明した。

【００６１】以上の結果より本発明のプラズマＣＶＤ堆
積膜形成装置により、良好な堆積膜が得られることが分
かった。 （４）［実施例２］ 図２に示す堆積膜形成装置において、放電周波数を１５
０ＭＨｚと変化させた以外は実施例１と同様な条件でア
ルミニウム製の円筒状の被成膜基体２０３に成膜し、電
子写真感光体を作製した。本実施例２においては基体は
回転状態で成膜した。成膜条件として、表１に示された
製造条件に従って下部阻止層、光導電層、表面保護層の
順に成膜を行った。 （５）［比較例３］ 図３に示す堆積膜形成装置において、放電周波数を１５
０ＭＨｚと変化させた以外は比較例１と同様な条件でア
ルミニウム製の円筒状の被成膜基体３０３に成膜し、電
子写真感光体を作製した。本比較例３においては基体は
回転状態で成膜した。成膜条件として、表１に示された
製造条件に従って下部阻止層、光導電層、表面保護層の
順に成膜を行った。

【００６２】実施例２及び比較例３で作製した電子写真
感光体を実施例１と同様に、膜厚分布、堆積速度、放電
安定性、帯電能、残留電位及び膜剥がれについて上記と
同様に評価を行った結果を表３に示す。

【００６３】

【表３】 ここで、周方向の膜厚ムラは、成膜時に被成膜基体２０
３または３０３を回転しているので実施例２、比較例３
共にあまり差はないが、電子写真的な特性では実施例２
は良好なのに対し、比較例３は劣っている。これは比較
例２では特性の良い膜と悪い膜が積層状となっており、
このために平均の特性が悪化したものと思われる。

【００６４】以上の結果より、本発明のプラズマＣＶＤ
堆積膜形成装置により被成膜基体を回転していても良好
な堆積膜が得られることが分かった。 （６）［実施例３］ 図２に示す堆積膜形成装置において、放電周波数を２０
ＭＨｚ、５０ＭＨｚ、３００ＭＨｚ、４５０ＭＨｚと変
化させた以外は実施例１と同様な条件でアルミニウム製
の円筒状の被成膜基体２０３に成膜し、電子写真感光体
を作製した。成膜条件として、表１に示された製造条件
に従って下部阻止層、光導電層、表面保護層の順に成膜
を行った。 （７）［比較例４］ 図２に示す堆積膜形成装置において、放電周波数を１５
ＭＨｚ、５００ＭＨｚと変化させた以外は実施例１と同
様な条件でアルミニウム製の円筒状の被成膜基体２０３
に成膜し、電子写真感光体を作製した。成膜条件とし
て、表１に示された製造条件に従って下部阻止層、光導
電層、表面保護層の順に成膜を行った。

【００６５】実施例３及び比較例４で作製した電子写真
感光体を実施例１と同様に、膜厚分布、堆積速度、放電
安定性、帯電能、残留電位及び膜剥がれについて評価を
行った結果を表４に示す。

【００６６】

【表４】 上記により、放電周波数２０ＭＨｚ乃至４５０ＭＨｚで
は実施例１と同様に良好な結果が得られた。しかしなが
ら、放電周波数１５ＭＨｚでは成膜時間の短縮が図れず
５００ＭＨｚでは膜剥がれに対する効果が薄れることが
明確になった。

【００６７】以上の結果より放電周波数２０ＭＨｚ乃至
４５０ＭＨｚの範囲で本発明のプラズマＣＶＤ堆積膜形
成装置を用いることにより、良好な堆積膜が得られるこ
とが分かった。 （８）［実施例４］ 図１に示す堆積膜形成装置において、被成膜基体１０３
を静止状態にして放電周波数が２００ＭＨｚの高周波電
源１０８を用い、コンデンサ１１３を１ｐＦ、２００ｐ
Ｆ、１０００ｐＦ、２０００ｐＦと変化させアルミニウ
ム製の円筒状の被成膜基体１０３にａ−Ｓｉ膜を形成し
電子写真感光体を作製した。本実施例では、コンデンサ
１１３をカソード電極１０２の直前に設置し、また、第
１配線１１１及び第２配線１１２の長さは配線によるイ
ンピーダンスが等しくなるようにそれぞれ同じ長さに揃
えた。更に、アルミニウム製のカソード電極１０２、ア
ルミニウム製の円筒状の被成膜基体１０３及びアルミニ
ウム製の外部シールド１０５を概ね同軸上に配置し、高
周波電力を導入する箇所はカソード電極１０２の周方向
概ね等間隔２箇所とし、各々の軸方向の導入位置は中央
に取り付けた。成膜条件として、表５の条件で電荷輸送
層、電荷発生層、表面保護層の順に成膜を行った。 （９）［比較例５］ 図１に示す堆積膜形成装置において、コンデンサ１１３
を０．５ｐＦ、２５００ｐＦと変化させた以外は実施例
４と同様な条件でアルミニウム製の円筒状の被成膜基体
１０３に成膜し、電子写真感光体を作製した。成膜条件
として、表５の条件で電荷輸送層、電荷発生層、表面保
護層の順に成膜を行った。

【００６８】

【表５】 実施例４及び比較例５で作製した電子写真感光体を実施
例１と同様に、膜厚分布、堆積速度、放電安定性、帯電
能、残留電位及び膜剥がれについて評価を行った結果を
表６に示す。

【００６９】

【表６】 上記により、容量が１ｐＦ乃至２０００ｐＦのコンデン
サでは実施例１と同様に良好な結果が得られた。しかし
ながら、容量が０．５ｐＦ及び２５００ｐＦのコンデン
サでは効果が薄れることが明確になった。

【００７０】以上の結果より容量が１ｐＦ乃至２０００
ｐＦのコンデンサでは本発明のプラズマＣＶＤ堆積膜形
成装置を用いることにより、良好な堆積膜が得られるこ
とが分かった。 （１０）［実施例５］ 図２に示す堆積膜形成装置を用いて、放電周波数を６０
ＭＨｚにした以外は実施例１と同様な条件でアルミニウ
ム製の円筒状の被成膜基体２０３に成膜し、電子写真感
光体を作製した。本実施例では、同軸ケーブル２１１の
長さは多少異なったものを使用した（短い配線は最も長
い配線の８０％程度にした）。尚、高周波電力を導入す
る箇所はカソード電極２０２の周方向概ね等間隔４箇所
とし、軸方向の位置はほぼ中央とした。成膜条件とし
て、表１に示された製造条件に従って下部阻止層、光導
電層、表面保護層の順に成膜を行った。

【００７１】実施例５で作製した電子写真感光体を実施
例１と同様に膜厚分布、堆積速度、放電安定性、帯電
能、残留電位及び膜剥がれについて評価を行ったところ
実施例１と同様に良好な結果が得られた。

【００７２】以上の結果より第１配線（同軸ケーブル２
１１）の長さが多少異なっても本発明の結果になんら影
響が無いことが判明した。

【００７３】更に得られた電子写真感光体をキヤノン製
複写機ＮＰ−６６５０に設置し画像を出したところ、ハ
ーフトーン画像にムラは無く、均一な画像が得られた。
更に、写真原稿の複写においても原稿に忠実で鮮明な画
像を得ることができた。 （１１）［実施例６］ 図２に示す堆積膜形成装置において、実施例１と同様な
条件でアルミニウム製の円筒状の被成膜基体２０３に成
膜し、電子写真感光体を作製した。本実施例では、第２
配線２１２の長さは多少異なったものを使用した（短い
配線は最も長い配線の８０％程度にした）。尚、高周波
電力を導入する箇所はカソード電極２０２の周方向概ね
等間隔３箇所とし、軸方向の位置はほぼ中央とした。成
膜条件として、表１に示された製造条件に従って下部阻
止層、光導電層、表面保護層の順に成膜を行った。

【００７４】実施例６で作製した電子写真感光体を実施
例１と同様に、膜厚分布、堆積速度、放電安定性、帯電
能、残留電位及び膜剥がれについて評価を行ったところ
実施例１と同様に良好な結果が得られた。

【００７５】以上の結果より第２配線２０３の長さが多
少異なっても本発明の効果になんら影響が無いことが判
明した。

【００７６】更に得られた電子写真感光体をキヤノン製
複写機ＮＰ−６６５０に設置し画像を出したところ、ハ
ーフトーン画像にムラは無く、均一な画像が得られた。
更に、写真原稿の複写においても原稿に忠実で鮮明な画
像を得ることができた。 （１２）［実施例７］ 図１に示す堆積膜形成装置において、被成膜基体１０３
を静止状態にして放電周波数が１０５ＭＨｚの高周波電
源１０６を用い、アルミニウム製の円筒状の被成膜基体
１０３にａ−Ｓｉ膜を形成し電子写真感光体を作製し
た。本実施例では、５０ｐＦの高圧コンデンサ１１３を
カソード電極１０２の直前に設置し、また、第１配線１
１１及び第２配線１１２の長さは配線によるインピーダ
ンスが等しくなるようにそれぞれ同じ長さに揃えた。更
に、アルミニウム製のカソード電極１０２、アルミニウ
ム製の円筒状の被成膜基体１０３及びアルミニウム製の
外部シールド１０５を概ね同軸上に配置し、高周波電力
を導入する箇所はカソード電極１０２の周方向概ね等間
隔２箇所とし、各々の軸方向の導入位置は１０ｃｍ程度
ずれた位置に取り付けた。成膜条件として、表５の条件
で電荷輸送層、電荷発生層、表面保護層の順に成膜を行
った。

【００７７】実施例７で作製した電子写真感光体を実施
例１と同様に、膜厚分布、堆積速度、放電安定性、帯電
能、残留電位及び膜剥がれについて評価を行ったところ
実施例１と同様に良好な結果が得られた。

【００７８】以上の結果よりカソード電極１０２の高周
波電力印加位置が、軸方向で多少ずれても本発明の効果
になんら影響が無いことが判明した。

【００７９】更に得られた電子写真感光体をキヤノン製
複写機ＮＰ−６６５０に設置し画像を出したところ、ハ
ーフトーン画像にムラは無く、均一な画像が得られた。
更に、写真原稿の複写においても原稿に忠実で鮮明な画
像を得ることができた。

【００８０】尚、上記実施例、比較例で示した堆積膜形
成装置は、基体、カソード電極、外部シールド等が同軸
上に配置、形成されているが、いわゆる量産型といわれ
る堆積膜形成装置に、本発明を適用してもよい。即ち、
この堆積膜形成装置は、中心位置にかソード電極がＲＦ
電源から整合回路を介して接続されており、その周囲に
複数本の円筒状基体が配置されてアースされており、所
定の原料ガスが噴出される反応容器で囲まれている。そ
うして、カソード電極にＲＦ電力が供給されれば、カソ
ード電極と周囲の円筒状基体との空間でグロー放電が開
始し、円筒状基体に所定のａ−Ｓｉ膜が形成される。そ
の際、カソード電極とＲＦ電力を供給する整合回路との
接続部と反応容器との間に小容量のコンデンサを接続す
ることで、上記実施例の事実結果から、膜剥がれが発生
しなくなると推察できる。

【００８１】また、上記実施例では、基体とカソード電
極間でグロー放電を行なう例を示したが、その際、基体
は周囲の外部シールドと同一電位であっても、また直流
電位及び／又は交流電位でバイアスを加えられていても
よい。要は整合回路とカソード電極との接続整合関係
が、放電前と放電中とで異なることが、膜剥がれに大き
く関係していると考えられるからである。

【００８２】

【発明の効果】本発明による堆積膜形成装置によれば、
従来のプラズマプロセスＣＶＤ法では達成できなかった
堆積速度で成膜することが可能になる。

【００８３】本発明による堆積膜形成装置によれば、比
較的大面積の基体であっても、複数層であっても、均一
にプラズマ処理による堆積膜を得ることが可能になる。

【００８４】本発明による堆積膜形成装置によれば、２
０ＭＨｚ乃至４５０ＭＨｚの高周波による成膜におい
て、特にグロー放電の開始時の高周波電力の突入電界、
電流をコンデンサにより抑制すると予測するが、膜堆積
における膜剥がれを低減することが可能になる。

【００８５】本発明による堆積膜形成装置によれば、生
産性の効率化、コストダウンが行えることが可能にな
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を実施したプラズマＣＶＤ装置を上から
見た模式的断面図（ａ）及び横から見た模式的断面図
（ｂ）である。

【図２】本発明を実施したプラズマＣＶＤ装置を上から
見た模式的断面図（ａ）及び横から見た模式的断面図
（ｂ）である。

【図３】従来のプラズマＣＶＤ装置を上から見た模式的
断面図（ａ）及び横から見た模式的断面図（ｂ）であ
る。

【符号の説明】

１０１，２０１，３０１ 反応容器 １０２，２０２，３０２ カソード電極 １０３，２０３，３０３ 円筒状の被成膜基体 １０４，２０４，３０４ 加熱ヒーター １０５，２０５，３０５ 外部シールド １０６，２０６，３０６ 高周波電源 １０７，２０７，３０７ 整合回路 １０８，２０８，３０８ 真空排気手段 １０９，２０９，３０９ ガス供給手段 １１０，２１０，３１０ 絶縁材料 １１１ 第１配線 １１２，２１２ 第２配線 １１３，２１３ コンデンサ １１４，２１４ 第２の外部シールド ２１１ 同軸ケーブル ３１１ 高周波電力供給用配線

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/205

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 減圧可能な堆積室内に設置された円筒状
   の被成膜基体と、それを外包するように配置されたカソ
   ード電極と、前記カソード電極を外包するように配置さ
   れた外部シールドと、前記外部シールドの外部に整合回
   路とを有し、放電周波数が２０ＭＨｚ乃至４５０ＭＨｚ
   の高周波電力を前記整合回路を介して前記カソード電極
   に印加することによって前記カソード電極と前記円筒状
   の被成膜基体との間にプラズマを発生させることによ
   り、前記堆積室内に導入された原料ガスを分解して前記
   円筒状の被成膜基体上に堆積膜を形成するプラズマＣＶ
   Ｄ法による堆積膜形成装置において、 前記カソード電極の周方向の複数箇所に前記高周波電力
   を前記整合回路を介して供給し、且つ前記整合回路から
   前記カソード電極までの複数の配線が、前記整合回路か
   ら前記外部シールドの外側を通り、且つ前記外部シール
   ドから前記カソード電極までの配線が最短距離になるよ
   うに前記カソード電極の接続部に接続され、且つ前記カ
   ソード電極の接続部と前記外部シールドとの間にコンデ
   ンサを設けたことを特徴とする堆積膜形成装置。
2. 【請求項２】 前記整合回路から前記外部シールドの外
   側を通る前記複数の配線を外包するように設置された第
   ２の外部シールドを設けたことを特徴とする請求項１に
   記載の堆積膜形成装置。
3. 【請求項３】 前記整合回路から前記外部シールドの外
   側を通る前記複数の配線に同軸ケーブルを用いることを
   特徴とする請求項１に記載の堆積膜形成装置。
4. 【請求項４】 前記整合回路から前記外部シールドの外
   側を通る前記複数の配線の長さが概ね同じであることを
   特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の堆積膜形
   成装置。
5. 【請求項５】 前記外部シールドから前記カソード電極
   までの前記複数の配線の長さがほぼ同じであることを特
   徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の堆積膜形成
   装置。
6. 【請求項６】 前記コンデンサの容量が１ｐＦ乃至２０
   ００ｐＦであることを特徴とする請求項１乃至５のいず
   れかに記載の堆積膜形成装置。
7. 【請求項７】 前記カソード電極が前記円筒状の被成膜
   基体と概ね同軸上に配置されることを特徴とする請求項
   １乃至６のいずれかに記載の堆積膜形成装置。
8. 【請求項８】 前記外部シールドが前記円筒状の被成膜
   基体と概ね同軸上に配置されることを特徴とする請求項
   １乃至７のいずれかに記載の堆積膜形成装置。
9. 【請求項９】 前記カソード電極に高周波電力を供給す
   る位置が、前記カソード電極の周方向においてほぼ等間
   隔であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに
   記載の堆積膜形成装置。
10. 【請求項１０】 前記カソード電極に高周波電力を供給
    する位置が、前記カソード電極の軸方向においてほぼ中
    央に位置することを特徴とする請求項１乃至９のいずれ
    かに記載の堆積膜形成装置。