JPH0523050B2

JPH0523050B2 -

Info

Publication number: JPH0523050B2
Application number: JP58223312A
Authority: JP
Inventors: Zenko Hirose; Takeshi Ueno; Katsumi Suzuki
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1983-11-29
Filing date: 1983-11-29
Publication date: 1993-03-31
Also published as: JPS60116125A

Description

【発明の詳細な説明】［発明の技術分野］本発明は非晶質膜等の薄膜を成膜する成膜方法
に関する。

［発明の技術的背景とその問題点］非晶質膜、例えば非晶質珪素膜を平板もしくは
円筒状の導電性基板の表面に成膜する方法として
は、グロー放電により珪素を含む原料ガスを分解
して成膜を行なう方法が知られている。

これは例えば第１図に示すような成膜装置を利
用するものである。すなわち、10^-6Torr程度に
減圧された反応室１内に、SiH₄（シラン）等の珪
素を含む原料ガスを導入管２を介して導入し、次
いで排気管３のバルブ４を調整して反応室１内を
0.1〜5Torrの反応圧力に設定し、反応室１内に
対向配置された電極５と導電性基板６との間に高
周波電力を印加して、プラズマを発生させ、非晶
質珪素膜を成膜している。

なお、７は導入管２から反応室１内へ導入する
原料ガスの流量を調整するためのバルブ、８は反
応室１の側壁、９は電極５をこの側壁８から電気
的に絶縁した状態で支持する絶縁体、１０は電極
５及び導電性基板６に高周波電力を供給するため
の高周波電源、１１はこの高周波電源１０からの
高周波電力が効率良く印加されるように整合を行
なうマツチングボツクス、１２は導電性基板６支
持する支持台、１３は導電性基板６を反応温度
（150℃〜300℃）に加熱するヒータである。

また、高周波電源１０の一端は接地され、他端
はマツチングボツクス１１に接続されている。

さらに、導電性基板６は支持台１２を介して側
壁８とともに接地されている。

さて、このような成膜方法では、第１図で符号
１４で示すように、電極５と導電性基板６との間
にプラズマが発生し成膜が行なわれるが、このと
き電極５から導電性基板６へ向う放電電流Iaの他
に、電極５から側壁８に向う放電電流Iwも流れ
プラズマ１４が拡散する。

すなわち、成膜を行なうために高周波電源１０
によつて印加される高周波電力の一部が電極５と
側壁８との間の放電のために消費されてしまい、
成膜効率が著しく悪化するという欠点があつた。
この従来の成膜方法では、たとえば高周波電源１
０として、13.56MHz100W出力のものを用い、反
応室１内の圧力を0.4Torrに設定し、導入管２を
介して導入される原料ガスとしてシランガスを
180SCCMの流量で導入して成膜を行なつた場合
に、成膜速度は１時間当たり6μｍ程度であつた。

従つて、このような成膜方法では、たとえば電
子写真感光体のように20μｍ程度の膜厚の非晶質
珪素膜を成膜する場合には成膜時間を多く要し、
工業的な製造には不適当であつた。

［発明の目的］本発明は上述した事情に鑑みてなされたもの
で、高速成膜が可能な成膜方法を提供することを
目的とする。

［発明の概要］本発明は、高周波電源等の交流電源と導電性基
板との間にインダクタンス素子を介在させること
により原料ガスのプラズマを膜が形成される導電
性基板の部位に集中させかつその密度を高めて成
膜効率を向上させ、これによつて高速成膜が可能
となる成膜方法である。

［発明の実施例］以下、本発明を図示した実施例に基づいて説明
する。

すなわち、第２図は本発明による成膜方法を実
現するための成膜装置の構成を示す説明図であ
る。

この第２図において、第１図に示した従来の成
膜装置と同一部分には同一符号を付して詳細な説
明を省略する。

すなわち、支持台１２にはヒータ１３が一体的
に設けられ、この支持台１２は、側壁８に対して
電気的に絶縁した状態で絶縁体１５によつて保持
されている。支持台１２は可変インダクタンス素
子１６を介して接地され、側壁８は直接接地され
ている。

この部分以外は、第１図に示した従来の成膜装
置と同様の構成となつている。

しかして、この第２図に示した成膜装置の高周
波等価回路を示すと第３図のようになる。

第３図において、電極５にはマツチングボツク
ス１１を介して高周波電源１０の一端が接続さ
れ、高周波電源の他端は接地されている。マツチ
ングボツクス１１はコイル及びコンデンサを組合
せたLC回路であつて、高周波電源１０の出力イ
ンピーダンスの整合をとつて、高周波電力の伝送
効率を向上させる役割を持つている。

電極５と導電性基板６との間に高周波電力が印
加されることにより、両者の間にグロー放電を生
じ原料ガスのプラズマが発生する。

このとき、プラズマは、電極５、導電性基板
６、及び側壁８の近傍において暗部となり、中央
部分において明部となる。そこで、この暗部を等
価的にコンデンサで置換えると、電極５側にコン
デンサCc、導電性基板６側にコンデンサCa（導電
性基板６とプラズマ陽光柱との間に形成されるシ
ースによるキヤパシタンス）、側壁８側にコンデ
ンサCwをそれぞれ接地したものとみなせる。

コンデンサCc，Ca，Cwはそれぞれ放電インピ
ーダンスＺを介して相互に接続されている。コン
デンサCwの他端は側壁８を介して設置されてい
る。

さらに、導電性基板６はインダクタンス素子１
６を介して接地されている。

従つて、高周波電源１０から高周波電力を印加
すると、電極５の部分において放電電流Icが流
れ、側壁８の部分において放電電流Iwが流れ、
導電性基板６の部分において放電電流Iaが流れ
る。

モデル的にはIc＝Ia＋Iwとなる。

ここで電流Iwの値が大きいと、放電のため電
力がほとんど側壁８近傍におけるプラズマ発生の
ために消失されてしまい、導電性基板６近傍での
プラズマ発生が少なくなる。

このため、導電性基板６への成膜効率が低下す
る。

そこで、可変のインダクタンス素子１６を調整
し、インダクタンス素子１６の値Ｌが、コンデン
サCaとの間で共振するような値となるように設
定する。

そして、この共振条件を満足した場合には、第
３図に示した等価回路において、電極５側から見
て、導電性基板６を含む回路のインピーダンスは
最小となり、側壁８側のインピーダンスは最大と
なる。

これにより、電流Iwはほとんど無視しうる程
度となり、実質的にIc＝Iaの状態になる。

従つて、プラズマは導電性基板６の近傍に集中
するので、この基板６の近傍における原料ガスの
分解効率が著しく高まり、成膜速度が上昇する。

さて、次にこのような第２図に示す成膜装置を
利用した成膜方法の一実施例を説明する。

(1) 反応室内の圧力が10^-6Torrとなるまで、排
気管３に接続されている排気装置（図示しな
い）を作動させる（このときバルブ４は全開状
態である）。

(2) 次いでヒータ１３を作動させ、導電性基板６
を、150℃〜300℃の間の温度に加熱する。この
場合、導電性基板６は、アルミニウム製の平板
で、支持台１２によつて支持されている。

(3) 次いでバルブ７を開放し、導入管２を介して
原料ガスを反応室１内に導入する。原料ガスと
してはシランガスを用い、その流量を
180SCCMとした。

なお、原料ガスとしては、シランガスの他
に、ジシラン等の高次シランを単独又は混合し
て用いてもよいし、さらに膜中に添加物を添加
させる場合にはこの添加物を含むガスを同時に
導入してもよい。

たとえば、成膜される非晶質珪素膜の価電子
制御を行なうために、周期率表第ａ族又は第
ａ族元素を含むガスを同時導入し、また比抵
抗の制御を行なうために、酸素、炭素もしくは
窒素を含むガスを同時に導入してもよい。

(4) 次いで、バルブ４の開度を調整して反応室１
内の圧力を0.4Torrに設定する。

(5) さらに、高周波電源１０を動作させて、電極
５と導電性基板６との間に高周波電力を印加す
る。

この場合、印加する高周波電力は、周波数
13.56MHzで電力100Wであつた。

このとき、可変インダクタンス素子１６を調
整すると前述の共振条件が成立し、プラズマが
導電性基板６の近傍にまで広がつて発生する。

(6) このような状態で、反応容器１内の反応圧
力、導電性基板６の温度、原料ガスの流量を所
定値に保持しながら、高周波電源１０の作動を
継続すると、導電性基板６の表面には、非晶質
珪素膜が堆積される。

この場合には、成膜速度が１時間当たり16μｍ
程度となり、従来の成膜方法に比較して約2.7倍
程度の高速成膜が可能となつた。

次に、第４図を参照して導電性基板６として円
筒状のものを用いた例を説明する。

反応室１は、基台１７上に設置されている。こ
の反応室１内には支持台１２が設けられている。
この支持台１２はシヤフト１８を介してギア１９
に連結されている。ギア１９はモータ２０に取付
けられたギア２１と噛合している。

従つて、モータ２０の回転によつて、シヤフト
１８を介して支持台１２は一定速度で回転するよ
うになつている。シヤフト１８は絶縁体２２によ
り電気的に絶縁されているとともに、可変インダ
クタンス素子１６を介して接地されている。一
方、支持台１２にはヒータ１３が立設されてい
て、このヒータ１３を囲繞するように、円筒状の
導電性基板６が支持台１２の上部に嵌合してい
る。

そして、導電性基板６と同軸に、反応室１内に
は電極５が設けられている。この電極５も円筒状
であつて、その内面側に複数の孔２３を持つてい
る。

側壁８の一側にはガス導入口２４、他側にはガ
ス排出口２５が設けられ、バルブ７を介して導入
管２、バルブ４を介して排気管３にそれぞれ接続
されている。この場合、導入口２４およおび排出
口２５は絶縁体２６，２７によつて側壁８に対し
て電気的に絶縁されている。

さらに、高周波電源１０はマツチングボツクス
１１を介して導入口２４に接続され、これによつ
て電気的には、電極５と導電性基板６との間に高
周波電力が印加されるように接続されている。

また、電極５は孔２３を有し、かつ導入口２４
及び排出口２５と連通しているので、電極として
の機能に加えて、反応室１内へ原料ガスを噴出
し、また反応室１外へ原料ガスを排出する機能も
持つている。この電極５は、絶縁リング２８，２
９によつて、側壁８に対して電気的に絶縁された
状態で保持されるようになつている。

さらに、円筒状の導電性基板６の上方及び下方
には、第５図に示すような、円盤状の遮蔽体３
０，３１が設けられている。この遮蔽体３０，３
１は中央に開口３２を持つ板体で、電極５と導電
性基板６とが対向する面の上端及び下端に存在す
る空間を遮蔽するように、配設されていて、電気
的に接地されている。

さらに、この遮蔽体３０，３１は電極５の上端
及び下端に対して間隙ｄ１，ｄ２をもつて離間す
る状態で取付けられているので、原料ガスの流れ
に影響を与えることはない。この間隙ｄ１，ｄ２
は、プラズマ中の電子の平均自由行程よりも小さ
い距離に設定されているので、この領域で異常放
電を起こすことはない。

従つて、第４図及び第５図に示した成膜装置を
用いた成膜方法によれば、インダクタンス素子１
６を調整して前述の共振条件を満足させれば、プ
ラズマが導電性基板６の近傍に集中するととも
に、遮蔽体３０，３１により、プラズマが反応室
１の上部及び下部へ拡散するのを防ぐことができ
る。

なお、上記説明において、第２図に示した実施
例と同一の機能を有する部分については、同一符
号を付して詳細な説明を省略する。

しかして、この第４図及び第５図に示した成膜
装置を用いた成膜方法の一例を説明する。

(1) 反応室１内の圧力が10^-6Torrとなるまで、
バルブ４を開放して、排気管３から排気を行な
う。

(2) 次いで、ヒータ１３を作動させ、円筒状の導
電性基板６を150℃〜300℃の範囲の温度に加熱
する。

導電性基板６は、直径130mmのアルミニウム
製ドラムを用いた。

(3) 次いで、バルブ７を開放して原料ガスを導入
し、電極５の孔２３から噴出させる。この場
合、原料ガスとしてシランガスを用い、その流
量を300SCCMとした。

(4) そして、バルブ４の開度を調整し、反応室１
内の圧力を0.8Torrに設定する。

(5) さらに、高周波電源１０を動作させて、電極
５と導電性基板６との間に高周波電力を印加す
る。印加電力は、周波数13.56MHzで電力200W
であつた。このとき、前述と同様にインダクタ
ンス素子１６を調整し、前述の共振条件を満足
させる。

(6) このようにして成膜を行なつたところ、プラ
ズマが拡散することなく、導電性基板６の近傍
に集中した状態で成膜が行なわれた。そして、
この場合の成膜速度は１時間当たり22μｍであ
つた。

このようにして、非晶質珪素膜が成膜されたも
のを電子写真感光体として使用したところ、すぐ
れた感光特性が得られた。

すなわち、−6KVの電圧が印加されたコロナ放
電器により、表面を帯電させると、膜の表面電位
が−250Vとなり、2Luxのタングステンランプに
よる照射の場合に0.6Lux・Secの高い感度が得ら
れた。

なお、遮蔽体３０，３１を取外した状態で上記
と同様に成膜を行なつたところ、成膜速度は１時
間当たり20μｍとなつた。従つて、インダクタン
ス素子１６による共振効果に加えて、遮蔽体３
０，３１によるプラズマの閉込め効果により、高
速成膜が可能となることが立証された。

なお、上述の例では、成膜中は支持台１２が常
時回転しているので、成膜される膜の均一が得ら
れる。

ところで、ヒータ１３としては一般にはシーズ
ヒータが用いられるが、このシーズヒータは発熱
体をコイル状に巻回しているので、高周波的に
は、インダクタンス分を持ち、さらに支持台１２
に対して容量結合している。

従つて、放電によつて流れる高周波電源の一部
がヒータ１３を含む回路に流れこみ、前述の共振
条件を乱す恐れがある。

そこで、第６図に示す例では、このような不都
合を解消している。

すなわち、第６図においては、ヒータ１３と、
このヒータ１３に電力を印加する電源３３との間
に可変インダクタンス素子３４，３５を介在させ
たものである。

ヒータ１３は、発熱体部分３６とケーシング部
分３７とが距離ｄ３を以て、配設されているが、
この部分で支持台１２に対して容量結合してい
る。

これを等価回路で示すと、第７図のようにな
る。

第７図において、発熱体部分３６は、コンデン
サCi、インダクタンスLi、抵抗Riの直列回路
（ｉ＝１，２……）が多数並列的に接続されたも
のとして等価的に表され、図では便宜的にＬ，
Ｃ，Ｒの直列回路で示され、またヒータ１３の持
つストレーキヤパシテイがＣ２で表されている。

従つて、この等価回路において、電極５側の放
電電流Icは、側壁８に向う電流Iw及び導電性基
板６に向う電流、ヒータ１３を含む回路に向う電
流Ihに分かれる。従つて、ヒータ１３へのもれ電
流Ihを最小にしなければ、プラズマの集中化とい
う効果が低下する。

そこで、第６図に示すように、インダクタンス
素子３４，３５を設けることにより、もれ電流Ih
を阻止するように、ヒータ１３を含む回路の高周
波インピーダンスを上げることができる。

すなわち、インダクタンス阻止１６を調整して
共振状態とすることにより、IwＯの条件を満
たし、かつωLh＞＞１／ωC₂となるようにインダ
クタンス素子３４，３５を調整することにより、
ヒータ１３を含む回路へのもれ電流が最小とな
る。

従つて、第７図において、電流Iw，Ihが最小
となり、プラズマが導電性基板６の近傍に集中す
ることにより、成膜効率が向上する。

なお、第６図及び第７図に示した例では、第２
図及び第３図に示した例と同一部分には同一符号
を付し説明を省略する。

しかして、この第６図及び第７図に示した成膜
装置を用いて、第２図及び第３図に示した例と同
一の成膜条件及び成膜手順で成膜を行なつたとこ
ろ、成膜速度として、１時間当たり18μｍの膜厚
とすることができた。

ところで、第６図において、電極５と導電性基
板６との間には、成膜時プラズマが発生するが、
この電極５及び導電性基板６間のポテンシヤル分
布を示すと第８図のようになる。すなわち、プラ
ズマは導電性基板６側まで拡がつている。

さらに、成膜速度を上げるには、第９図に示す
ような導電性基板６側の電位を負極性側となるよ
うにし、導電性基板６側のプラズマ密度を高めれ
ばよい。これは、例えば、第１０図に示す成膜装
置によつて達成される。

すなわち、第１０図に示した成膜装置は、第２
図に示したものに対して、インダクタンス素子１
６をコンデンサ３７を介して接地したものであ
る。

これを等価回路で示すと、第１１図に示すよう
になる。

すなわち、インダクタンス素子１６を含む回路
に、コンデンサ３７を直接接続することにより、
コンデンサ３７の値Cbに応じて負のバイアス電
圧が発生する。

このバイアス電圧は、コンデンサ３７の両端の
交流電圧のうちの直流分によつて生ずる自己バイ
アス電圧である。従つて、この負のバイアス電圧
によつて、陽光柱１４を導電性基板１２側に引寄
せることができ、成膜速度が向上する。

なお、第１０図及び１１図においては、第２図
及び第３図に示した同一部分について同一符号を
付して説明を省略する。ここで、コンデンサ３７
としては、最適のバイアス電圧を得る目的で、調
整可能な可変キヤパシタンス素子であることが望
ましい。

さて、この第１０図及び第１１図に示した成膜
装置を用いて、第２図及び第３図に示した例にお
ける成膜条件及び成膜手順と同一の態様で成膜を
行なつたところ、18.5μｍ／時間の成膜速度が得
られた。

なお、さらにプラズマの密度を高める手段とし
て、第１２図及び第１３図に示すように、磁界発
生手段を利用することができる。

この第１２図及び第１３図に示した例は、第４
図に示した例と比較して、次の点が相違してい
て、その他の部分は同一である。

すなわち、まず、導入口２４は、反応室１の上
端部の側壁８に設けられ、ここに導入管２がバル
ブ７を介して接続されている。

また、排出口２５は基台１７に設けられ、バル
ブ４を介して排気管３に接続されている。

さらに、ヒータ１３としては、第１３図の平面
図から明らかなように棒状のランプヒータを用い
ている。このランプヒータ１３は円筒状の導電性
基板６の内面側に離間して４本支持台１２上に立
接されている。なお、図示していないが、ランプ
ヒータ１３に対向して放物射状の反射面をもつリ
フレクタも４本立設されている。さらに、この各
ランプヒータ１３の相互対向面間に、磁界発生手
段として永久磁石３８を配設している。この永久
磁石３８は棒状のものであつて、隣接する同志が
異極性となる如く相互に離間した状態で支持台１
２上に４本立接されている。

従つて、この永久磁石３８によつて、第１３図
において示されるように磁界が発生する。これに
よつて、プラズマ中の電子が磁界に沿つて螺旋運
動を行なうことになり、円筒状の導電性基板６の
表面近傍でのプラズマ発生効率が高まり、結果的
に陽光柱の発光強度が強くなる。

従つて、成膜速度が著しく向上する。

なお、第１２図及び第１３図に示した例では、
第４図及び第５図に示した例と同一部分に同一符
号を付して説明を省略する。

しかして、この例において、第４図及び第５図
に示した例における成膜方法と同一の成膜条件、
成膜手順で成膜を行なつたところ、25μｍ／時間
の成膜速度が得られた。

［発明の効果］以上述べたように、本発明によれば、原料ガス
のプラズマを膜が形成される導電性基板の近傍に
集中させかつその密度を高めることができるの
で、成膜効率が向上し、高速成膜が可能になる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の成膜方法を説明するための成膜
装置の概略構成を示す説明図、第２図は本発明の
一実施例を説明するための成膜装置の概略構成を
示す説明図、第３図は第２図に示した成膜装置の
高周波等価回路図、第４図は本発明の他の実施例
を説明するための成膜装置の概略縦断面図、第５
図は第４図に示した成膜装置の要部を示す平面
図、第６図は本発明のさらに他の実施例を説明す
るための成膜装置の概略構成を示す説明図、第７
図は第６図に示した成膜装置の高周波等価回路
図、第８図及び第９図は従来の成膜方法の欠点を
説明するための説明図、第１０図は本発明のさら
に他の実施例を説明するための成膜装置の概略構
成を示す説明図、第１１図は第１０図に示した成
膜装置の高周波等価回路図、第１２図は本発明の
さらに他の実施例を説明するための成膜装置を示
す概略縦断面図、第１３図は第１２図に示す成膜
装置の要部を示す平面図である。１……反応室、５……電極、６……導電性基
板、１０……高周波電源、１３……ヒータ、１６
……インダクタンス素子、３０，３１……遮蔽
体、３３……ヒータ用電源、３７……コンデン
サ、３８……磁界発生手段。

Claims

【特許請求の範囲】１壁部を有する減圧状態の反応室内に原料ガス
を導入する第１の工程と、この第１の工程に続
き、交流電源に接続され前記反応室内に配設され
る電極とこの電極に対向して前記反応室内に配設
されインダクタンス素子を介して基準電位に接続
された導電性基板との間に、前記交流電源にて高
周波電力を印加して前記原料ガスのプラズマを発
生し前記導電性基板の表面に前記原料ガスに含ま
れる原子を含む膜を成膜する第２の工程とを有
し、前記壁部において流れる放電電流の値を小さ
くし、前記導電性基板へ流れる放電電流の値を大
きくするよう、前記インダクタンス素子は、前記
第２の工程にて発生されるプラズマのプラズマ陽
光柱と前記導電性基板との間に形成されるシース
によるキヤパシタンスと共振する値に設定されて
いることを特徴とする成膜方法。２反応室内に存在する原料ガスは珪素を含むガ
スであり、これによつて導電性基板の表面に非晶
質珪素膜を成膜することを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の成膜方法。３壁部を有する減圧状態の反応室内に原料ガス
を導入する第１の工程と、この第１の工程に続
き、交流電源に接続され前記反応室内に配設され
る電極とこの電極に対向して前記反応室内に配設
されインダクタンス素子を介して基準電位に接続
された導電性基板との間に、前記交流電源にて高
周波電力を印加して前記原料ガスのプラズマを発
生し前記導電性基板の表面に前記原料ガスに含ま
れる原子を含む膜を成膜する第２の工程と、この
第２の工程実行時に、前記導電性基板と前記電極
との対向面端部近傍のプラズマの拡散を遮蔽体に
て防止する第３の工程とを有し、前記壁部におい
て流れる放電電流の値を小さくし、前記導電性基
板へ流れる放電電流の値を大きくするよう、前記
インダクタンス素子は、前記第２の工程にて発生
されるプラズマのプラズマ陽光柱と前記導電性基
板との間に形成されるシースによるキヤパシタン
スと共振する値に設定されていることを特徴とす
る成膜方法。４導電性基板は円筒状の基板であり、電極はこ
の円筒状の基板と同軸でかつこれを囲繞する円筒
状の電極で、遮蔽体が円筒状の基板の軸方向に沿
つて端部に設けられていることを特徴とする特許
請求の範囲第３項記載の成膜方法。５電極と遮蔽体とを、プラズマ中の電子の平均
自由行程よりも小さい距離をもつて離間えること
を特徴とする特許請求の範囲第４項記載の成膜方
法。６壁部を有する減圧状態の反応室内に原料ガス
を導入する第１の工程と、前記反応室内に配設さ
れ且つ第１のインダクタンス素子を介して基準電
位に接続された導電性基板を、ヒータ用電源に第
２のインダクタンス素子を介して接続されたヒー
タにて加熱する第２の工程と、前記反応室内に配
設され且つ前記導電性基板に対向して設けられた
電極と前記導電性基板との間に、前記電極に接続
された交流電源にて高周波電力を印加して前記原
料ガスのプラズマを発生し、前記導電性基板の表
面に前記原料ガスに含まれる原子を含む膜を成膜
する第３の工程とを有し、前記壁部において流れ
る放電電流の値を小さくし、前記導電性基板へ流
れる放電電流の値を大きくするよう、前記インダ
クタンス素子は、前記第３の工程にて発生される
プラズマのプラズマ陽光柱と前記導電性基板との
間に形成されるシースによるキヤパシタンスと共
振する値に設定されていることを特徴とする成膜
方法。７第２のインダクタンス素子はヒータを含む回
路のインピーダンスを最大とするような値に設定
されていることを特徴とする特許請求の範囲第６
項記載の成膜方法。８壁部を有する減圧状態の反応室内に原料ガス
を導入する第１の工程と、この第１の工程に続
き、交流電源に接続され前記反応室内に配設され
る電極とこの電極に対向して前記反応室内に配設
されインダクタンス素子及びコンデンサの直列接
続を介して基準電位に接続された導電性基板との
間に、前記交流電源にて高周波電力を印加して前
記原料ガスのプラズマを発生し前記導電性基板の
表面に前記原料ガスに含まれる原子を含む膜を成
膜する第２の工程とを有し、前記壁部において流
れる放電電流の値を小さくし、前記導電性基板へ
流れる放電電流の値を大きくするよう、前記イン
ダクタンス素子は、前記第２の工程にて発生され
るプラズマのプラズマ陽光柱と前記導電性基板と
の間に形成されるシースによるキヤパシタンスと
共振する値に設定されていることを特徴とする成
膜方法。９コンデンサは、導電性基板にバイアス電圧を
与えるためにその値が設定されていることを特徴
とする特許請求の範囲第８項記載の成膜方法。１０壁部を有する減圧状態の反応室内に原料ガ
スを導入する第１の工程と、この第１の工程に続
き、交流電源に接続され前記反応室内に配設され
る電極とこの電極に対向して前記反応室内に配設
されるインダクタンス素子を介して基準電位に接
続された導電性基板との間に、前記交流電源にて
高周波電力を印加して前記原料ガスのプラズマを
発生し前記導電性基板の表面に前記原料ガスに含
まれる原子を含む膜を成膜する第２の工程と、こ
の第２の工程実行時に、前記導電性基板を間に挟
んで前記電極と対向して配設される磁界発生手段
が磁界を発生する第３の工程とを有し、前記壁部
において流れる放電電流の値を小さくし、前記導
電性基板へ流れる放電電流の値を大きくするよ
う、前記インダクタンス素子は、前記第２の工程
にて発生されるプラズマのプラズマ陽光柱と前記
導電性基板との間に形成されるシースによるキヤ
パシタンスと共振する値に設定されていることを
特徴とする成膜方法。