JPH081769A - ポリエステルフィルムおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】 ポリエステルＡを主成分とする二軸配向ポリ
エステルフィルムであって、その少なくとも一方の表面
における突起の個数と該表面を形成する表層に含有され
る粒子の個数との比である突起個数／粒子個数（ＮR)が
５以上であり、かつ該表面における突起部分の面積比率
が０．００１％以上５％未満であることを特徴とする二
軸配向ポリエステルフィルム。 【効果】 高い電磁変換特性、走行性が得られるととも
に、ドロップアウト、ヘッド摩耗が低減できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ポリエステルフィルム
およびその製造法に関し、とくに、表面に微細な突起を
形成したポリエステルフィルムおよびその製造法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】ポリエステルフィルムは、種々の用途に
幅広く用いられている。ポリエステルフィルムの加工工
程、たとえば包装用途における印刷工程、磁気記録媒体
用途における磁性層塗布工程、あるいは感熱転写用途に
おける感熱転写層塗布などの工程における加工速度の増
大に伴い、ポリエステルフィルムには、一層良好な走行
性、耐摩耗性などの表面特性が要求されつつある。良好
な走行性を得るためには、フィルム表面に微細な突起を
均一に形成することが有効であることが知られている。

【０００３】フィルム表面に微細な突起を形成するため
に、コロイド状シリカに起因する実質的に球形のシリカ
粒子を含有せしめたポリエステルフィルムが知られてい
る（例えば特開昭５９−１７１６２３号公報）。また、
表面突起形成のための粒子を含有する薄層を基層に積層
したポリエステルフィルムも知られている（例えば特開
平２−７７４３１号公報）。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】例えば、ポリエステル
フィルムを磁気記録媒体の支持体として用いる場合、最
近は電磁変換特性に非常に高度なレベルを要求するた
め、支持体の上に設けられる磁性層と磁気ヘッドとの間
のスペーシングロスを極力小さくすることが望まれる。
従って前記支持体も非常に平滑であることが必要にな
る。そのような究極の平滑性を持った上で、摩擦係数を
低減しなければならない。この平滑性と摩擦低減という
相反する要求特性を満足させるための一つの手段は、超
平滑な支持体に超微細な突起を点在させることである。
このような超微細な突起を不活性粒子を用いて形成した
場合、次のような大きな問題がある。

【０００５】すなわち粒子の分散が非常に困難なために
粗大突起が生じる場合が多く、これによって電磁変換特
性の低下やドロップアウト、ヘッドの摩耗が発生しやす
くなる。また、これらの粗大突起はボイドも大きく削れ
やすい。このように削れが生じると削れ粉のもまたドロ
ップアウトの原因となり得る。

【０００６】本発明の目的は、本質的に含有粒子に頼る
ことなくポリエステルの結晶化を利用して表面に所望の
微細突起を形成したポリエステルフィルムおよびその製
造方法を提供することにあり、究極的には、強度の高い
表面突起が均一に形成された、耐傷つき性の良好な、し
かも、特に磁気記録媒体として用いられた場合に高いレ
ベルの電磁変換特性を得ることができ、かつ磁性層表面
の摩擦係数を低減可能なポリエステルフィルムを提供す
ることである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】この目的に沿う本発明の
ポリエステルフィルムは、ポリエステルＡを主成分とす
る二軸配向ポリエステルフィルムであって、その少なく
とも一方の表面における該表面の突起の個数と該表面を
形成する表層に含有される粒子の個数との比である突起
個数／粒子個数（ＮR)が５以上であり、かつ該表面にお
ける突起部分の面積比率が０．００１％以上５％未満
（好ましくは０．０１％以上５％未満、さらに好ましく
は０．１％以上５％未満）であることを特徴とする。

【０００８】上記ＮR の値が５より小さいと表面の突起
が破壊されやすく、また突起が破壊された場合にその破
片がフィルムを傷つけやすい。また上記突起部分の面積
比率が０．００１％未満であるとフィルム表面の摩擦係
数が高すぎてフィルムの安定な走行性や搬送性が得られ
ない。また突起部分の面積比率が５％以上だと粗大突起
が生じる確率が高くなる。突起個数／粒子個数（ＮR)お
よび突起の面積比率が上記範囲にあることによりフィル
ム表面の平滑性を損なうことなく、かつ摩擦を低減する
ことができる。また突起が接触相手の微小突起によって
削り取られる可能性を低減でき、粗大突起もないために
従って削れ粉の発生量が少なく、結果としてヘッド摩耗
が小さく、ドロップアウトも少ない磁気記録媒体を提供
しうる。

【０００９】本発明のポリエステルフィルムにおいて
は、電磁変換特性を高めるために突起を設ける表面がで
きるだけ平滑であることが好ましく、中心線平均粗さＲ
ａが、１５nm以下であることが好ましく、より好ましく
は１０nm以下である。また、粗大突起の有無の指標とし
て、表面の最大高さＲｔとＲａの比Ｒｔ／Ｒａの値が１
５．０以下であることが好ましく、より好ましくは１０
以下である。

【００１０】本発明のポリエステルフィルムは前記表面
の突起が主に結晶に起因する突起であることが望まし
い。すなわち、表面の突起をポリエステルＡ自身の結晶
化を利用して形成するのである。従って粒子を添加する
場合のボイド発生の問題は実質的になくなり、破壊され
にくい強度の高い突起が形成される。

【００１１】摩擦をさらに低減する、フィルムを裁断し
やすくするなどの目的で粒子を補助的に添加しても構わ
ないが、この場合にも、表面の突起の個数と含有される
粒子の個数との比である突起個数／粒子個数（ＮR)が５
以上とする必要がある。ＮRが５未満であると、含有粒
子によって形成される突起の割合が多くなり、ボイド生
成による破壊され易い突起の割合が増大するので、突起
の脱落性が高まりドロップアウトが増加する。あるい
は、脱落した突起が堆積して固まりとなり、これがフィ
ルム表面に傷をつける場合がある。

【００１２】上記のようなポリエステルＡの結晶化を利
用した表面突起の形成は、次のように行われる。

【００１３】ポリエステルＡを主成分とする二軸配向フ
ィルムを作製するに際し、未延伸フィルムの少なくとも
片面に熱処理を施し、その後に該未延伸フィルムを二軸
延伸する事によって所望の表面突起が形成される。

【００１４】未延伸フィルムに先ず熱処理を施すことに
より、未延伸フィルムの特に表面の結晶化が進められ、
多数の微細な結晶が生成する。この未延伸フィルムが二
軸延伸され、フィルム二軸に配向されて目標とするフィ
ルム自身の強度が達成されるとともに、結晶とそうでな
い部分の硬さの差によって、上記微細結晶に起因する均
一な微細表面突起が形成される。

【００１５】ここで表面突起がポリエステルＡの微細結
晶からなるものか否かについては、対象となる突起の下
を、フィルム厚さ方向に適切な溶媒でエッチングしてい
き、その突起を形成する起因物が不溶物として残存する
場合は、外部から添加された粒子、あるいは、内部析出
した粒子とする（Ｉ）。不溶物として残存するものが実
質的になかった場合は、その突起を形成する起因物は微
細結晶であると推定できる（II）。上記の溶媒として
は、例えば、フェノール／四塩化炭素（重量比：６／
４）の混合溶媒などが好ましく用いられる。この方法で
視野を約１ｍｍ² とした時のＩの頻度、IIの頻度を求
め、Ｉ／（Ｉ＋II）の値が７０％以上である場合が好ま
しい。ただし、表面突起がポリエステルＡの微細結晶か
らなるものか否かの判定法については、上記の方法に限
定されるものではなく、適切な方法を選択することがで
きる。

【００１６】本発明においては、ポリエステルＡの種類
は特に限定されないが、結晶化パラメータ△Ｔcgが７０
℃以下、好ましくは６５℃以下さらに好ましくは６０℃
以下であることが望ましい。結晶化パラメータ△Ｔcgが
７０℃よりも大きいと、本発明で目標としている表面突
起が得られにくい。たとえ得られたとしても、フィルム
表面の耐傷つき性が劣り易い。

【００１７】本発明においては、ポリエステルＡの種類
は特に限定されないが、エチレンテレフタレート、エチ
レンα，β−ビス（２−クロルフェノキシ）エタン−
４，４−ジカルボキシレート、エチレンナフタレート単
位から選ばれた少なくとも一種の構造単位を主要構成成
分とする場合に特に好ましい。中でもエチレンテレフタ
レートを主要構成成分とするポリエステルの場合が特に
好ましい。なお、本発明の目的を阻害しない範囲内で、
二種以上のポリエステルを混合してもよいし、共重合ポ
リマを用いても良い。また、ポリエステルＡには実質的
に粒子が含有されていないことが望ましい。

【００１８】ポリエステルＡの重合は、重合触媒として
三酸化アンチモン、また、△Ｔcgを低下させ、結晶核剤
効果を高めるために、エステル交換触媒としての金属化
合物は酢酸塩を用いることが好ましい。酢酸塩として
は、特に限定されないが、マグネシウム化合物を用いる
ことが本発明の目的を達成するためには特に好ましい。
また、ＰＥＴの重合時に添加されるリン化合物として
は、ホスホン酸塩を用いることが好ましい。但し、ポリ
エステルＡの製造方法としては上記になんら限定される
ものではない。核剤効果を高めるために、触媒添加量を
増大することは、内部粒子の析出の原因となり、しかも
ヘイズが大きくなるために好ましくない。

【００１９】本発明のポリエステルフィルムは、ポリエ
ステルＡを主成分とする二軸配向フィルム単層で用いら
れてもよいし、ポリエステルＢを主成分とするフィルム
の少なくとも片面に積層された積層フィルムとして用い
られてもよい。

【００２０】ポリエステルＢの種類は特に限定されな
い。ポリエステルＢには、粒子が含有されないことが望
ましいが、含有されていても良い。

【００２１】本発明においては、未延伸フィルムの少な
くとも片面に熱処理を施し、その後に二軸延伸する。こ
こで未延伸フィルムとは、口金から押し出された直後の
冷却固化される前の状態から、一軸方向にわずかに微延
伸（２倍程度まで）されたものまでを指す。この熱処理
の目的は、延伸前のフィルム表面を好ましい結晶化度に
まで結晶性を高めることであり、処理方法としては、
押出直後の温度の高いフィルムを徐冷して結晶化させる
方法、いったん冷却、固化したフィルムを再加熱して
結晶化させる方法、一軸方向に微延伸させた状態で加
熱処理する方法がある。

【００２２】さらに、本発明のポリエステルフィルムの
製造方法について、より詳細な例を説明する。

【００２３】ポリエステルを主成分とする溶融押出フイ
ルムを、冷却ロール表面で冷却する過程において、ポリ
エステルＡのガラス転移温度Ｔｇ以上、かつ融解温度Ｔ
ｍより１００℃高い温度（Ｔｍ＋１００℃）以下で、未
延伸フイルムを該冷却ロールと接触する反対の面から熱
処理し、その後に該未延伸フイルムを二軸延伸すること
によって、所望の表面突起が形成されるので好ましい。
より好ましくはＴｇより２０℃高い温度（Ｔｇ＋２０
℃）以上、かつＴｍより８０℃高い温度（Ｔｍ＋８０
℃）以下、さらに好ましくは、Ｔｇより４０℃高い温度
（Ｔｇ＋４０℃）以上、かつＴｍ以下である。未延伸フ
イルムを該冷却ロールと接触する反対の面から熱処理す
る方法としては、熱風又は、赤外線ヒータによる輻射熱
を用いることができるが、この方法に限定されるもので
はない。

【００２４】前記、冷却ロール表面の表面粗さが０．２
Ｓ以上で、かつ、１０Ｓ以下であると、延伸前のフイル
ム表面を所望の結晶化度にまで結晶性を高めることがで
き好ましい。より好ましくは、該冷却ロール表面の表面
粗さが０．３Ｓ以上で、かつ、８Ｓ以下である。ロール
表面の表面粗さが０．２Ｓ未満であると、冷却ロールに
未延伸フイルムが粘着し易い。また１０Ｓを超える表面
粗さでは所望の表面突起が形成されなくなったり、冷却
ロール上でフイルムが滑る場合がある。

【００２５】本発明においては、冷却固化した未延伸フ
イルムを熱処理する場合、その少なくとも片面の表面
（または表層）温度が、ポリエステルＡの冷結晶化温度
Ｔｃｃより２０℃低い（Ｔｃｃ−２０℃）以上、かつ降
温結晶化温度Ｔｍｃより４０℃高い（Ｔｍｃ＋４０℃）
以下で、０．５〜１００秒保たれるように熱処理し、そ
の後にＴｇ以上、かつＴｃｃより２０℃高い（Ｔｃｃ＋
２０℃）温度以下で二軸延伸することによって、所望の
表面突起が形成されるので好ましい。より好ましくは、
Ｔｃｃ以上、かつＴｍｃ以下で０．５〜５０秒、さらに
好ましくは、Ｔｃｃ以上、かつＴｍｃ以下で０．５〜２
０秒保たれるような熱処理である。

【００２６】また次のような製造条件も可能である。未
延伸フイルムを一軸方向に微延伸し、複屈折０．５×１
０^-3〜５０×１０^-3とし、次に該微延伸フイルムの少な
くとも片面の表面（または表層）温度が、ポリエステル
Ａの冷結晶化温度Ｔｃｃより２０℃低い（Ｔｃｃ−２０
℃）以上、かつ降温結晶化温度Ｔｍｃより４０℃高い
（Ｔｍｃ＋４０℃）以下で０．３〜５０秒保たれるよう
に熱処理し、その後にＴｇ以上、かつＴｃｃより２０℃
高い（Ｔｃｃ＋２０℃）温度以下で二軸延伸することに
よって、所望の表面突起が形成されるので好ましい。よ
り好ましくは、Ｔｃｃ以上、かつＴｍｃ以下で、０．５
〜２０秒、さらに好ましくは、Ｔｃｃより１０℃高い
（Ｔｃｃ＋１０℃）以上、かつＴｍｃより２０℃低い
（Ｔｍｃ−２０℃）以下で、０．５〜１５秒保たれるよ
うな熱処理である。

【００２７】熱処理方法については、加熱ロールに巻き
付けて熱処理する方法、ロールに巻き付けた状態でロー
ルと接触する反対の面から熱風処理する方法、あるいは
ロールに巻き付けた状態でロールと接触する反対の面か
ら赤外線ヒータで熱処理する方法、ロール／ロール間で
赤外線ヒータで熱処理する方法、ステンタを用いて加熱
する方法等があるが、特にこれらの方法に限定されるも
のではない。

【００２８】本発明においては、ポリエステルを主成分
とする溶融押出フイルムの少なくとも片面の表面（また
は表層）温度を、ポリエステルＡの降温結晶化温度Ｔｍ
ｃより７０℃低い温度（Ｔｍｃ−７０℃）以上、かつポ
リエステルＡの降温結晶化温度Ｔｍｃ以下で、０．５〜
２０秒保ち、次いで、ガラス転移温度Ｔｇ以下に冷却
し、その後に該未延伸フイルムを二軸延伸することによ
って、所望の表面突起が形成されるので好ましい。

【００２９】熱処理の方法は、前記したように種々ある
が、これらの方法の一つをフイルムの製膜プロセスのな
かで実施し、目標とする表面形態を得ることができる
が、これらの方法を二つ以上併用して、フイルムの製膜
プロセスのなかで実施してもよい。

【００３０】本発明のフィルムの用途は特に限定されな
いが、磁気記録媒体用のベースフィルム、特にフィルム
表面の平滑性が要求される塗布型の高級メタルテープ、
金属薄膜型の磁気記録媒体のベースフィルムとして好適
に用いられる。また、インクリボン等の感熱転写用、Ｏ
ＨＰ等の感熱転写用、グラフィック用、包装用等にも使
用できる。

【００３１】［物性の測定法法ならびに効果の評価方
法］本発明の特性値の測定方法ならびに効果の評価方法
は次の通りである。

【００３２】（１）フィルム表面の突起個数、突起高
さ、突起高さの相対標準偏差 ２検出方式の走査型電子顕微鏡の走査型電子顕微鏡［Ｅ
ＳＭ−3200、エリオニクス（株）製］と断面測定装置
［ＰＭＳ−１、エリオニクス（株）製］においてフィル
ム表面の平坦面の高さを０として走査したときの突起の
高さ測定値を画像処理装置［ＩＢＡＳ2000、カールツァ
イス（株）製］に送り、画像処理装置上にフィルム表面
突起画像を再構築する。次に、この表面突起画像で突起
部分を２値化して得られた個々の突起部分の中で最も高
い値をその突起の突起高さとし、これを個々の突起につ
いて求める。この測定を場所を変えて５００回繰り返
し、１０ｎｍ以上のものを突起とし、突起個数および平
均突起高さを求めた。また個々の突起高さデータをもと
に、高さ分布の標準偏差を求めた。求められた標準偏差
を上記高さの平均値で割った値を、相対標準偏差とし
た。また走査型電子顕微鏡の倍率は、1000〜8000倍の間
を選択する。なお、場合によっては、高精度光干渉式３
次元表面解析装置（ＷＹＫＯ社製ＴＯＰＯ−３Ｄ、対物
レンズ：４０〜２００倍、高精度カメラ使用が有効）に
よって得られる高さ情報やピークカウントなどの個数情
報を上記ＳＥＭの値に読み変えても良い。また、突起個
数に関しては、突起を立体的にとらえるため、フィルム
を８２．５゜傾けて、倍率１万〜５０万倍で電子顕微鏡
（ＳＥＭ）による写真を撮影し、１００視野測定を行っ
た平均値から突起数を１ｍｍ² あたりに換算してもよ
い。

【００３３】（２）表層に含有される粒子個数 本発明で表層とは、フィルム表面より、深さ３Ｄまでの
部分をいう。ここで、３Ｄとは、フィルム中に含有され
る粒子の平均粒径Ｄ×３を意味する。またここで言う粒
子とはフィルムの断面をＴＥＭで観察した際に、観測さ
れる粒子の厚み方向の差し渡しが上記方法で求めた平均
突起高さ以上のものを粒子と定義し、厚み方向の差し渡
しがそれより小さいものは粒子とはしない。

【００３４】フィルム断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥ
Ｍ）により観察し、表面より深さ３Ｄまでの部分に存在
する粒子個数を倍率３０００〜１００００倍で５００視
野について観察し、１mm² あたりに換算してもよい。

【００３５】（３）粒子の平均粒径 フィルムからポリエステルをプラズマ灰化処理法で除去
し、粒子を露出させる。処理条件はポリマは灰化される
が粒子は極力ダメージを受けない条件を選択する。その
粒子を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察し、粒子画像
をイメージアナライザーで処理する。ＳＥＭの倍率はお
よそ２０００〜１００００倍、また１回の測定での視野
は一辺がおよそ１０〜５０μｍから適宜選択する。観察
箇所を変えて粒子数５０００個以上で、粒径との体積分
率から、次式で体積平均径ｄを得る。

【００３６】ｄ＝Σｄｉ・Ｎｖｉ ここでｄｉは粒径、Ｎｖｉはその体積分率である。

【００３７】粒子が有機粒子等で、プラズマ低温灰化処
理法で大幅にダメージを受ける場合には、以下の方法を
用いてもよい。

【００３８】フィルム断面を透過型電子顕微鏡を用い、
３０００〜１０００００倍で観察する。ＴＥＭの切片厚
さは約１００nmとし、場所を変えて５００視野以上測定
し、上記の式から体積平均径ｄを求める。

【００３９】（４）粒子の含有量 ポリエステル１００ｇにｏ−クロルフェノール１．０リ
ットルを加え１２０℃で３時間加熱した後、日立工機
（株）製超遠心機５５Ｐ−７２を用い、３００００ｒｐ
ｍで４０分間遠心分離を行い、得られた粒子を１００℃
で真空乾燥する。微粒子を走査型動熱量計にて測定した
とき、ポリエステルに相当する溶解ピークが認められる
場合には微粒子にｏ−クロルフェノールを加え、加熱冷
却後再び遠心分離を行う。融解ピークが認められなくな
ったとき、微粒子を析出粒子とする。通常遠心分離操作
は２回で足りる。かくして分離された粒子の重量の全体
重量に対する比率を求め、粒子の含有量とした。

【００４０】（５）結晶化パラメータ△Ｔcg パーキンエルマー社のＤＳＣ（示差走査熱量計）II型を
用いて測定した。ＤＳＣの測定条件は次のとおりであ
る。すなわち、試料１０mgをＤＳＣ装置にセットし、３
００℃の温度で５分間溶融した後、液体窒素中に急冷す
る。この急冷試料を１０℃／分で昇温し、ガラス転移点
Ｔｇを検知する。さらに昇温を続け、ガラス状態からの
結晶化発熱ピーク温度をもって冷結晶化温度Ｔccとした
ＴccとＴgの差（Ｔcc−Ｔg ）を結晶化パラメータ△Ｔc
gと定義する。ガラス状態からの結晶化発熱ピーク温度
をもって冷結晶化温度Ｔｃｃ、結晶融解に基づく吸熱ピ
ーク温度を融解温度Ｔｍ、同じように降温時の結晶化発
熱ピーク温度を降温結晶化温度Ｔｍｃとした。Ｔｃｃと
Ｔｇの差（Ｔｃｃ−Ｔｇ）を結晶化パラメータ△Ｔｃｇ
と定義する。

【００４１】（６）表面粗さパラメータＲａ、Ｒｔ 小坂研究所製の高精度薄膜段差測定器ＥＴ−１０を用い
て測定した。条件は下記のとおりであり、２０回の測定
の平均値をもって値とした。

【００４２】・触針先端半径 ：０．５μｍ ・触針荷重 ：５mg ・測定長 ：１mm ・カットオフ ：０．０８mm ・触針スピード ：４μm ／sec なお、Ｒｔ、Ｒａの定義は例えば、奈良治郎著「表面粗
さの測定・評価法」（総合技術センター、１９８３）に
しめされているものである。

【００４３】（７）複屈折 アッベ屈折計を用いて、一軸配向フイルムの長手方向屈
折率ｎMD、幅方向屈折率ｎTDを測定し、この両方の値の
差、つまり｜ｎMD−ｎTD｜で定義した。なお、光源はナ
トリウムＤ線（波長５８９ｎｍ）で、マウント液は、ヨ
ウ化メチレンを用い、２５℃、６５％ＲＨにて測定し
た。

【００４４】（８）フイルム温度放射温度計、接触式表
面温度計、またはサーモラベルをフイルムに貼付けて測 定した。なお溶融状態のフイルム温度は、放射温度計、
または溶融状態のフイルムに熱電対を差し込んで測定し
た。

【００４５】（９）出力特性（Ｃ／Ｎ） 本発明のフィルムのＡ層表面に、連続真空蒸着装置を用
いて、微量の酸素の存在下にコバルト・ニッケル合金
（Ｎｉ２０重量％）の蒸着層を形成させた（厚み：２０
０ｎｍ）。次いで、蒸着層表面にカーボン保護膜、反対
面にバックコート層を公知の手段で形成させた後、８ｍ
ｍ幅にスリットし、パンケーキを作成した。次いで、こ
のパンケーキから長さ２００ｍ分を、カセットに組み込
みカセットテープとした。

【００４６】このテープに、市販のＨｉ８用ＶＴＲ（Ｓ
ＯＮＹ社製 ＥＶ−ＢＳ３０００）を用いて、７ＭＨｚ
±１ＭＨｚのＣ／Ｎの測定を行なった。

【００４７】このＣ／Ｎを市販のＨｉ８用ビデオテープ
（１２０分ＭＥ）と比較して、 ＋３ｄＢ以上 ：優 ＋１〜＋３ｄＢ：良 ＋１ｄＢ未満 ：不良 と判定した。

【００４８】（１０）テープ磁性面走行性 上記の８ｍｍ幅のテープを、テープ走行試験機を用い
て、２０℃、５０％ＲＨ下で、メタルガイドピン（材
質：ＳＵＳ、表面粗度：０．１ｓ）に磁性面が接触する
ようにして走行させた（走行速度３．３ｃｍ／分、走行
張力２０ｇ、巻き付け角６０度）。１００回繰り返し走
行後の摩擦係数を測定し、 ０．２未満 ：優 ０．２以上０．３未満 ：良 ０．３以上 ：不良 と判定した。

【００４９】（１１）ヘッド摩耗 上記の８ｍｍ幅のテープを、上記Hi-8用ＶＴＲを用いて
４０℃、８０％RHの条件で再生巻き戻しを１００回繰り
返し、ヘッドの状態をレーザーテック（株）製、レーザ
ー顕微鏡を用いて観察し、走行前と比べてヘッドの摩耗
量が １μm 未満のものを 優 １〜３μm のものを 良 ３μm 以上のものを 不良 と判定した。

【００５０】（１２）積層厚さ 透過型電子顕微鏡（日立製Ｈ−６００型）を用いて、加
速電圧１００ｋＶで、フィルム断面を、超薄切片法（Ｒ
ｕＯ₄ 染色）で観察し、その界面をとらえ、その積層厚
さを求める。倍率は、判定したい積層厚さによって選ぶ
ことが通常であり、特に限定されないが、１万〜１０万
倍が適当である。

【００５１】（１３）突起部分の面積比率 測定にはハイヒ゛シ゛ョン画像解析を適用し、測定装置として、
ハイヒ゛シ゛ョンハ゜ーソナル画像解析システムとして“PIAS- IV”
（（株）ヒ゜アス製）、光学顕微鏡としてLeitｚ社製“Meta
loplan”を使用した。

【００５２】（Ａ）フ゜レハ゜ラート作製フィルム 試料をアルミニウム蒸着( 膜厚500 〜800 オンク゛ストローム ) し
て、スライト゛ク゛ラス に貼り付けたものをフ゜レハ゜ラートとする。

【００５３】（Ｂ）調整法および測定条件 光学顕微鏡の対物レンス゛を８０倍に設定して、反射法で検
鏡し、画像解析装置のハイヒ゛シ゛ョンモニターにその画像を取り込
む。この時、モニター上での観察倍率は3900倍になる。画像
を入力する場合は白黒画像で、緑色フィルター をかけた条件
で行い、入力した画像は二値化を行って輝度変換する。
この時の濃度レヘ゛ルを表す輝度値は１７５に設定する。設
定前は、予めフ゛ランク 値として鏡面を測定した時の輝度平
均値が１５４になるように光学顕微鏡の絞り等の明るさ
を調節する。使用した鏡面はニコン（株）製の対物マイクロメータ
（反射型）に使われている光沢面を用いた。

【００５４】（Ｃ）測定 突起画像を二値化して得られた個々の突起の画素数の和
を測定して、測定視野の全画素数を除して突起部分の面
積比率を次式により求める。１視野あたりの全画素数は
約２００万で、この時の測定面積は０．００６４ｍｍ²
であり、 場所を変えて、これを１０回繰り返す。なお、
突起は等価円にした時の直径が０．１１μm 以上のもの
と定義した。

【００５５】

【式１】

【００５６】

【実施例】次に本発明を実施例に基づいて説明する。

【００５７】実施例 ポリエステルＡとして、常法により重合したポリエチレ
ンテレフタレート（重合触媒：酢酸マグネシウム０．１
０重量％、三酸化アンチモン０．０３重量％、リン化合
物としてジメチルフェニルホスホネート０．３５重量％
を用いた。）を用いた（固有粘度：０．６０、融点：２
５８℃）。

【００５８】また、ポリエステルＢとして、酢酸マグネ
シウム０．０６重量％、三酸化アンチモン０．００８重
量％、トリメチルホスフェート０．０２重量％を用い
て、常法により重合したポリエチレンテレフタレートを
用いた（固有粘度：０．６２、融点：２５９℃）。

【００５９】実施例１ ポリエステルＡのペレットを１８０℃で３時間乾燥後、
公知の押出機を用いて、２９０℃で溶融押出しを行い、
静電印加キャスト法を用いて、表面温度３０℃のキャス
ティングドラム上に巻き付けて、冷却、固化し、未延伸
フィルムを作った。この未延伸フィルムを、表面温度１
４０℃の公知のテフロン製ロールを用いて、１２秒間熱
処理を行った。

【００６０】熱処理後フィルムを、温度９０℃にて、長
手方向に３．４倍延伸し、さらに公知のステンタを用い
て、延伸速度２０００％／分で、９５℃で、幅方向に
３．５倍延伸し、さらに定長下で２１０℃にて５秒間熱
処理を行い、厚さ１０μｍの２軸配向フィルムを得た。

【００６１】実施例２ ポリエステルＡのペレットとポリエステルＢのペレット
を１：９の割合で混合し、この混合ペレットを１８０℃
で３時間乾燥後、公知の押出機を用いて、２９０℃で溶
融押出しを行い、静電印加キャスト法を用いて、表面温
度３０℃のキャスティングドラム上に巻き付けて、冷
却、固化し、未延伸フィルムを作った。この未延伸フィ
ルムを、表面温度１４０℃の公知のテフロン製ロールを
用いて、８秒間熱処理を行った。

【００６２】熱処理後フィルムを、温度９０℃にて、長
手方向に３．４倍延伸し、さらに公知のステンタを用い
て、延伸速度２０００％／分で、９５℃で、幅方向に
３．５倍延伸し、さらに定長下で２１０℃にて５秒間熱
処理を行い、厚さ１０μｍの２軸配向フィルムを得た。

【００６３】実施例３ Ａ／Ｂ／Ａ３層構成の積層フィルムとした。１８０℃で
３時間乾燥したポリエステルＡ、Ｂのペレットを、それ
ぞれ２台の押出機に供給し、２９０℃で溶融し、３層用
の矩形の合流ブロック（フィードブロック）で、合流積
層し、静電印加キャスト法を用いて、表面温度３０℃の
キャスティングドラム上に巻き付けて、冷却、固化し、
未延伸フィルムを作った。この未延伸フィルムを、表面
温度１４０℃の公知のテフロン製ロールを用いて、１２
秒間熱処理を行った。

【００６４】以下実施例１と同様のプロセスで総厚さ１
０μｍの二軸配向積層フィルムを得た。Ａ層の積層厚さ
は両面でそれぞれ０．７μｍであった。だだし、実施例
３においては、延伸倍率を長手方向、幅方向にそれぞれ
４．０倍とした。

【００６５】実施例４ 実施例３においてポリエステルＡのかわりに実施例２で
用いた混合ペレットを用いて、Ａ／Ｂ／Ａ３層構成の積
層フィルムを作成した。ただし未延伸フィルムの熱処理
は表面温度１３０℃の公知のテフロン製ロールを用い
て、１０秒間熱処理を行った。

【００６６】以下実施例１と同様のプロセスで総厚さ１
０μｍの二軸配向積層フィルムを得た。Ａ層の積層厚さ
は両面でそれぞれ０．７μｍであった。だだし、延伸倍
率を長手方向、幅方向にそれぞれ４．０倍とした。

【００６７】実施例５ 実施例３においてポリエステルＡのかわりにポリエステ
ルＡとＢを重量比５対９５で混合したものを用い、実施
例３と同様のプロセスで総厚さ１０μｍの二軸配向積層
フィルムを得た。Ａ層の積層厚さは両面でそれぞれ０．
６μｍであった。だだし、実施例５においては、延伸倍
率を長手方向、幅方向にそれぞれ４．０倍とした。

【００６８】実施例６、比較例１、２ 平均粒径０．０３μｍのコロイダルシリカに起因するシ
リカ粒子を含有するエチレングリコールスラリーを調製
し、このエチレングリコールスラリーを１９０℃で２時
間熱処理した後、テレフタル酸ジメチルとエステル交換
反応させ、重縮合し、該粒子を０．５〜１．０重量％含
有するポリエチレンテレフタレートのペレットを作成し
た（重合触媒：酢酸マグネシウム０．１０重量％、三酸
化アンチモン０．０３重量％、リン化合物としてトリメ
チルホスフェート０．０２６重量％を用いた）。このペ
レットをポリエステルＣとする。

【００６９】実施例３において、ポリエステルＡのかわ
りにポリエステルＡとポリエステルＣを下記の割合で混
合し、以下実施例３と同様にして総厚さ１０μｍの二軸
配向積層フィルムを得た。Ａ層の積層厚さは両面でそれ
ぞれ０．６μｍであった。だだし、延伸倍率を長手方
向、幅方向にそれぞれ４．０倍とした。

【００７０】実施例６：ポリエステルＡ：Ｃ＝９９．
９：０．１ 比較例１：ポリエステルＡ：Ｃ＝ ９９：１ 比較例２：ポリエステルＡ：Ｃ＝ ９５：５ 比較例３ ポリエステルＢのみを用いて、実施例１と同様のプロセ
スで厚さ１０μｍの２軸配向フィルムを得た。

【００７１】実施例７ 実施例３と同様に、１８０℃で３時間乾燥したポリエス
テルＡ、Ｂのペレットを、それぞれ２台の押出機に供給
し、２９０℃で溶融し、３層用の矩形の合流ブロック
（フィードブロック）で、合流積層し、静電印加キャス
ト法を用いて、表面温度３０℃のキャスティングドラム
上に巻き付け、ドラムと反対側の面を３３０℃の熱風を
吹き付けることによりフィルムのドラムと反対側の面を
１５０〜１８０℃で４秒間保ったのち冷却、固化し、未
延伸フィルムを作った。この未延伸フィルムを温度９０
℃にて、長手方向に３．４倍延伸し、さらに公知のステ
ンタを用いて、延伸速度２０００％／分で、９５℃で、
幅方向に３．５倍延伸し、さらに定長下で２１０℃にて
５秒間熱処理を行い、厚さ１０μｍの２軸配向フィルム
を得た。

【００７２】実施例８ 実施例３と同様に１８０℃で３時間乾燥したポリエステ
ルＡ、Ｂのペレットを、それぞれ２台の押出機に供給
し、２９０℃で溶融し、３層用の矩形の合流ブロック
（フィードブロック）で、合流積層し、静電印加キャス
ト法を用いて、表面温度３０℃のキャスティングドラム
上に巻き付けて、冷却、固化し、未延伸フィルムを作っ
た。この未延伸フィルムを、一軸方向に１．８倍延伸し
た後、表面温度１４０℃の公知のテフロン製ロールを用
いて、１０秒間熱処理を行った。さらに温度９０℃に
て、長手方向に２．０倍延伸し、さらに公知のステンタ
を用いて、延伸速度２０００％／分で、９５℃で、幅方
向に３．５倍延伸し、さらに定長下で２１０℃にて５秒
間熱処理を行い、厚さ１０μｍの２軸配向フィルムを得
た。

【００７３】比較例４ 実施例５において、表層を構成するホ゜リエステル A およびB
にそれぞれ平均粒子径0.4 μm の炭酸カルシウム 粒子を０．
１重量％添加し、実施例５と同様にして二軸配向積層フィ
ルムを得た。

【００７４】上記の各実施例および比較例における、各
フィルム特性を表１に示す。

【００７５】

【表１】 表１に示すように、本発明の範囲内のポリエステルフィ
ルムは、Ｃ／Ｎ、ドロップアウト、テープ磁性面走行
性、ヘッド摩耗において優れた性能を示すが、比較例に
おけるポリエステルフィルムは、本発明の範囲内のポリ
エステルフィルムに比べ、上記のいずれかの項目におい
て劣ったものであった。

【００７６】

【発明の効果】本発明のフィルムにおいては、超平滑面
に高強度の結晶性の微細突起を形成することにより電磁
変換特性の低下を招くことなく、磁性層を設けた時にも
該磁性層表面の摩擦係数を低くすることができ、安定な
走行性を得ることができ、またドロップアウト、ヘッド
摩耗が低減できる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｂ３２Ｂ 27/20 Ｚ 8413−4Ｆ 27/36 8413−4Ｆ Ｃ０８Ｊ 5/18 ＣＦＤ // Ｂ２９Ｋ 67:00 105:16 Ｂ２９Ｌ 9:00 Ｃ０８Ｌ 67:00

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ポリエステルＡを主成分とする二軸配向
   ポリエステルフィルムであって、その少なくとも一方の
   表面における突起の個数と該表面を形成する表層に含有
   される粒子の個数との比である突起個数／粒子個数（Ｎ
   R)が５以上であり、かつ該表面における突起部分の面積
   比率が０．００１％以上５％未満であることを特徴とす
   る二軸配向ポリエステルフィルム。
2. 【請求項２】 前記表面の突起が主に結晶に起因する突
   起であることを特徴とする請求項１のポリエステルフィ
   ルム。
3. 【請求項３】 前記ポリエステルＡの結晶化パラメータ
   △Ｔcgが７０℃以下であることを特徴とする請求項１な
   いし２のポリエステルフィルム。
4. 【請求項４】 前記少なくとも一方の表面における表面
   粗さＲａが１５ｎｍ以下であり、かつＲａとＲｔの比Ｒ
   ａ／Ｒｔが１５．０以下である請求項１ないし３のポリ
   エステルフィルム。
5. 【請求項５】 ポリエステルＢを主成分とするフィルム
   の少なくとも片面に、請求項１ないし４のいずれかに記
   載のポリエステルフィルムが積層されてなることを特徴
   とするポリエステルフィルム。
6. 【請求項６】 未延伸フィルムの少なくとも片面に熱処
   理を施し、その後にその未延伸フィルムを二軸延伸する
   ことを特徴とする請求項１ないし５に記載のフィルム。
7. 【請求項７】 ポリエステルを主成分とする溶融押出フ
   イルムを、冷却ロール表面で冷却する過程において、ポ
   リエステルＡのガラス転移温度Ｔｇ以上、かつ融解温度
   Ｔｍより１００℃高い温度（Ｔｍ＋１００℃）以下で、
   未延伸フイルムを該冷却ロールと接触する反対の面から
   熱処理し、その後に該未延伸フイルムを二軸延伸するこ
   とを特徴とする、請求項１ないし６のいずれかに記載の
   ポリエステルフイルムの製造方法。
8. 【請求項８】 冷却固化した未延伸フイルムの少なくと
   も片面の表面（または表層）の温度が、ポリエステルＡ
   の冷結晶化温度Ｔｃｃより２０℃低い（Ｔｃｃ−２０
   ℃）温度以上、かつ降温結晶化温度Ｔｍｃより４０℃高
   い（Ｔｍｃ＋４０℃）以下で、０．５〜１００秒保たれ
   るように熱処理し、その後にＴｇ以上、かつＴｃｃより
   ２０℃高い（Ｔｃｃ＋２０℃）温度以下で二軸延伸する
   ことを特徴とする、請求項１ないし６のいずれかに記載
   のポリエステルフイルムの製造方法。
9. 【請求項９】 未延伸フイルムを一軸方向に微延伸し、
   複屈折０．５×１０^-3〜５０×１０^-3とし、次に該微延
   伸フイルムの少なくとも片面の表面（または表層）温度
   が、ポリエステルＡの冷結晶化温度Ｔｃｃより２０℃低
   い（Ｔｃｃ−２０℃）温度以上、かつ降温結晶化温度Ｔ
   ｍｃより４０℃高い（Ｔｍｃ＋４０℃）以下で、０．３
   〜５０秒保たれるように熱処理し、その後にＴｇ以上、
   かつＴｃｃより２０℃高い（Ｔｃｃ＋２０℃）温度以下
   で二軸延伸することを特徴とする、請求項１ないし６の
   いずれかに記載のポリエステルフイルムの製造方法。
10. 【請求項１０】 ポリエステルを主成分とする溶融押出
    フイルムの少なくとも片面の表面（または表層）温度
    を、ポリエステルＡの降温結晶化温度Ｔｍｃより７０℃
    低い温度（Ｔｍｃ−７０℃）以上、かつポリエステルＡ
    の降温結晶化温度Ｔｍｃ以下で、０．５〜２０秒保ち、
    次いで、ガラス転移温度Ｔｇ以下に２段階冷却し、その
    後に該未延伸フイルムを二軸延伸することを特徴とす
    る、請求項１ないし６のいずれかに記載のポリエステル
    フイルムの製造方法。
11. 【請求項１１】 冷却ロール表面の表面粗さが０．２Ｓ
    以上で、かつ、１０Ｓ以下であることを特徴とする、請
    求項７に記載のポリエステルフイルムの製造方法。