JPH0817700A - レジスト塗布方法およびレジスト塗布装置 - Google Patents
レジスト塗布方法およびレジスト塗布装置Info
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- JPH0817700A JPH0817700A JP6143428A JP14342894A JPH0817700A JP H0817700 A JPH0817700 A JP H0817700A JP 6143428 A JP6143428 A JP 6143428A JP 14342894 A JP14342894 A JP 14342894A JP H0817700 A JPH0817700 A JP H0817700A
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- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
- B05C11/02—Apparatus for spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to a surface ; Controlling means therefor; Control of the thickness of a coating by spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to the coated surface
- B05C11/08—Spreading liquid or other fluent material by manipulating the work, e.g. tilting
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- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 レジスト塗布時のレジスト溶液の使用量を、
レジスト膜の品質を低下させることなく低減させる。 【構成】 レジスト溶液の溶媒のみをウエハ１１の表面
に塗布する溶媒塗布工程と、溶媒のみを塗布されたウエ
ハの表面にレジスト溶液を塗布するレジスト塗布工程と
を備える。または、ウエハを囲む空間の雰囲気ガスにレ
ジスト溶液の溶媒のみを供給する溶媒供給工程と、ウエ
ハの表面にレジスト溶液を塗布するレジスト塗布工程
と、このレジスト塗布工程でウエハの表面に供給された
レジスト溶液がウエハの外周部まで広がった後に雰囲気
ガス中の溶媒を排出する溶媒排出工程とを備える。 【効果】 レジスト溶液内の溶媒の揮発速度を遅くする
ことができるので、塗布時レジスト溶液の供給量を少な
くしても均一で良好なレジスト膜を得ることができる。
レジスト膜の品質を低下させることなく低減させる。 【構成】 レジスト溶液の溶媒のみをウエハ１１の表面
に塗布する溶媒塗布工程と、溶媒のみを塗布されたウエ
ハの表面にレジスト溶液を塗布するレジスト塗布工程と
を備える。または、ウエハを囲む空間の雰囲気ガスにレ
ジスト溶液の溶媒のみを供給する溶媒供給工程と、ウエ
ハの表面にレジスト溶液を塗布するレジスト塗布工程
と、このレジスト塗布工程でウエハの表面に供給された
レジスト溶液がウエハの外周部まで広がった後に雰囲気
ガス中の溶媒を排出する溶媒排出工程とを備える。 【効果】 レジスト溶液内の溶媒の揮発速度を遅くする
ことができるので、塗布時レジスト溶液の供給量を少な
くしても均一で良好なレジスト膜を得ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造工程
等において使用されるレジスト塗布方法およびレジスト
塗布装置に関するものである。
等において使用されるレジスト塗布方法およびレジスト
塗布装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のレジスト塗布装置の一構成例につ
いて、図５を用いて説明する。
いて、図５を用いて説明する。
【０００３】同図に示したレジスト塗布装置おいて、半
導体ウエハ５１を吸着保持するためのウエハチャック５
２は、スピンモータ５３によって回転駆動される。ま
た、ウエハチャック５２の上方には、半導体ウエハ５１
の表面にレジスト溶液を滴下させるためのレジストノズ
ル５４が配設されている。このレジストノズル５４は、
ノズルモータ５５により、半導体ウエハ５１表面の中心
部上と端部外側上との間を移動する。カップ５６は、ウ
エハチャック５２の周囲を覆うように構成されている。
このカップ５６は、レジスト塗布工程中に半導体ウエハ
５１表面から外側に飛ばされたレジスト溶液を排出する
ための排出口５６ａを備えている。
導体ウエハ５１を吸着保持するためのウエハチャック５
２は、スピンモータ５３によって回転駆動される。ま
た、ウエハチャック５２の上方には、半導体ウエハ５１
の表面にレジスト溶液を滴下させるためのレジストノズ
ル５４が配設されている。このレジストノズル５４は、
ノズルモータ５５により、半導体ウエハ５１表面の中心
部上と端部外側上との間を移動する。カップ５６は、ウ
エハチャック５２の周囲を覆うように構成されている。
このカップ５６は、レジスト塗布工程中に半導体ウエハ
５１表面から外側に飛ばされたレジスト溶液を排出する
ための排出口５６ａを備えている。
【０００４】次に、このような構成のレジスト塗布装置
で半導体ウエハ５１の表面にレジストを塗布する工程に
ついて説明する。
で半導体ウエハ５１の表面にレジストを塗布する工程に
ついて説明する。
【０００５】まず、ウエハチャック５２に半導体ウエハ
５１を載置して、吸着固定させる。次に、ノズルモータ
５５の駆動により、レジストノズル５４を、半導体ウエ
ハ５１の表面中央部の上方まで移動させる。そして、ス
ピンモータ５３の駆動によるウエハチャック５２の回転
を開始する。これにより、半導体ウエハ５１の回転が開
始される。続いて、レジストノズル５４からレジスト溶
液を吐出すると、このレジスト溶液は半導体ウエハ５１
の表面に滴下されて広がり、余分なレジスト溶液が外側
に飛ばされる。この飛ばされたレジスト溶液は、カップ
５６で回収されて、排出口５６ａから排出される。
５１を載置して、吸着固定させる。次に、ノズルモータ
５５の駆動により、レジストノズル５４を、半導体ウエ
ハ５１の表面中央部の上方まで移動させる。そして、ス
ピンモータ５３の駆動によるウエハチャック５２の回転
を開始する。これにより、半導体ウエハ５１の回転が開
始される。続いて、レジストノズル５４からレジスト溶
液を吐出すると、このレジスト溶液は半導体ウエハ５１
の表面に滴下されて広がり、余分なレジスト溶液が外側
に飛ばされる。この飛ばされたレジスト溶液は、カップ
５６で回収されて、排出口５６ａから排出される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このような従来のレジ
スト塗布方法およびレジスト塗布装置においては、レジ
ストノズル５４から吐出されたレジスト溶液の大部分
が、半導体ウエハ５１の表面から外側に飛ばされてしま
う。このため、従来のレジスト塗布方法およびレジスト
塗布装置は、半導体ウエハ５１の表面に塗布されずに廃
棄されてしまうレジスト溶液の量が非常に多いという欠
点を有していた。レジスト溶液は高価であるため、塗布
されずに廃棄されてしまうレジスト溶液の量が多いこと
は製造コストの増大の原因となる。
スト塗布方法およびレジスト塗布装置においては、レジ
ストノズル５４から吐出されたレジスト溶液の大部分
が、半導体ウエハ５１の表面から外側に飛ばされてしま
う。このため、従来のレジスト塗布方法およびレジスト
塗布装置は、半導体ウエハ５１の表面に塗布されずに廃
棄されてしまうレジスト溶液の量が非常に多いという欠
点を有していた。レジスト溶液は高価であるため、塗布
されずに廃棄されてしまうレジスト溶液の量が多いこと
は製造コストの増大の原因となる。
【０００７】通常、レジストノズル５４から吐出される
レジスト溶液の９０パーセント以上が廃棄されてしま
う。すなわち、半導体ウエハ５１の表面に実際に塗布さ
れるレジスト溶液の１０倍以上のレジスト溶液が廃棄さ
れていることになる。
レジスト溶液の９０パーセント以上が廃棄されてしま
う。すなわち、半導体ウエハ５１の表面に実際に塗布さ
れるレジスト溶液の１０倍以上のレジスト溶液が廃棄さ
れていることになる。
【０００８】また、一旦レジスト塗布工程で使用されて
廃棄されたレジスト溶液には、不純物が混入しており、
また、溶媒の一部が揮発して濃度が変化しているので、
再利用することは不可能である。ここで、レジスト溶液
の濃度が変化していると再利用ができないのは、この濃
度変化により膜厚が変化するからである。
廃棄されたレジスト溶液には、不純物が混入しており、
また、溶媒の一部が揮発して濃度が変化しているので、
再利用することは不可能である。ここで、レジスト溶液
の濃度が変化していると再利用ができないのは、この濃
度変化により膜厚が変化するからである。
【０００９】これに対して、レジスト溶液の使用量を低
減させるために、レジストノズル５４から吐出されるレ
ジスト溶液の量を減少させると、半導体ウエハ５１の表
面上をレジスト溶液が広がる速度が遅くなってしまう。
したがって、レジスト溶液の溶媒が揮発する前に塗布を
終了させるためには半導体ウエハ５１の回転速度（すな
わちスピンモータ５３の駆動速度）を速くしなければな
らないが、この場合には、半導体ウエハ５１の表面上に
形成された溝にレジスト溶液が入り難くなってしまい、
均一で良好なレジスト膜を形成し難くなってしまう。
減させるために、レジストノズル５４から吐出されるレ
ジスト溶液の量を減少させると、半導体ウエハ５１の表
面上をレジスト溶液が広がる速度が遅くなってしまう。
したがって、レジスト溶液の溶媒が揮発する前に塗布を
終了させるためには半導体ウエハ５１の回転速度（すな
わちスピンモータ５３の駆動速度）を速くしなければな
らないが、この場合には、半導体ウエハ５１の表面上に
形成された溝にレジスト溶液が入り難くなってしまい、
均一で良好なレジスト膜を形成し難くなってしまう。
【００１０】一方、レジスト溶液の溶媒が揮発する前に
塗布を終了させるためにレジスト溶液の溶媒の量を増や
して濃度を低くすると、形成されたレジスト膜の膜厚が
薄くなってしまい、所望の膜厚を得ることが困難にな
る。
塗布を終了させるためにレジスト溶液の溶媒の量を増や
して濃度を低くすると、形成されたレジスト膜の膜厚が
薄くなってしまい、所望の膜厚を得ることが困難にな
る。
【００１１】本発明は、このような従来技術の欠点に鑑
みてなされたものであり、レジスト溶液の使用量を少な
くしてもレジスト膜の品質を低下させることがないレジ
スト塗布方法およびレジスト塗布装置を提供することを
目的とする。
みてなされたものであり、レジスト溶液の使用量を少な
くしてもレジスト膜の品質を低下させることがないレジ
スト塗布方法およびレジスト塗布装置を提供することを
目的とする。
【００１２】
(1) 第１の発明に係わるレジスト塗布方法は、レジスト
溶液の溶媒のみをウエハ保持手段で保持されたウエハの
表面に塗布する溶媒塗布工程と、前記溶媒のみを塗布さ
れた前記ウエハの表面に前記レジスト溶液を塗布するレ
ジスト塗布工程と、を備えたことを特徴とする。 (2) 第２の発明に係わるレジスト塗布装置は、ウエハを
保持するウエハ保持手段と、このウエハ保持手段で保持
された前記ウエハを回転させるウエハ回転手段と、前記
ウエハの表面にレジスト溶液の溶媒のみを供給する溶媒
供給手段と、前記ウエハの表面に前記レジスト溶液を供
給するレジスト溶液供給手段と、を備えたことを特徴と
する。 (3) 第３の発明に係わるレジスト塗布方法は、ウエハ保
持手段で保持されたウエハを囲む空間の雰囲気ガスにレ
ジスト溶液の溶媒のみを供給する溶媒供給工程と、前記
ウエハの表面に前記レジスト溶液を塗布するレジスト塗
布工程と、このレジスト塗布工程で前記ウエハの表面に
供給された前記レジスト溶液が前記ウエハの外周部まで
広がった後に、前記雰囲気ガス中の前記溶媒を排出する
溶媒排出工程と、を備えたことを特徴とする。 (4) 第４の発明に係わるレジスト塗布装置は、ウエハを
保持するウエハ保持手段と、このウエハ保持手段で保持
された前記ウエハを回転させるウエハ回転手段と、前記
ウエハ保持手段に保持された前記ウエハを囲む密閉空間
を形成する密閉手段と、この密閉手段により形成された
前記密閉空間の雰囲気ガスにレジスト溶液の溶媒を供給
する溶媒供給手段と、前記ウエハの表面に前記レジスト
溶液を供給するレジスト溶液供給手段と、前記溶媒供給
手段により供給された前記溶媒を排出するために前記密
閉手段に設けられた溶媒排出手段と、を備えたことを特
徴とする。
溶液の溶媒のみをウエハ保持手段で保持されたウエハの
表面に塗布する溶媒塗布工程と、前記溶媒のみを塗布さ
れた前記ウエハの表面に前記レジスト溶液を塗布するレ
ジスト塗布工程と、を備えたことを特徴とする。 (2) 第２の発明に係わるレジスト塗布装置は、ウエハを
保持するウエハ保持手段と、このウエハ保持手段で保持
された前記ウエハを回転させるウエハ回転手段と、前記
ウエハの表面にレジスト溶液の溶媒のみを供給する溶媒
供給手段と、前記ウエハの表面に前記レジスト溶液を供
給するレジスト溶液供給手段と、を備えたことを特徴と
する。 (3) 第３の発明に係わるレジスト塗布方法は、ウエハ保
持手段で保持されたウエハを囲む空間の雰囲気ガスにレ
ジスト溶液の溶媒のみを供給する溶媒供給工程と、前記
ウエハの表面に前記レジスト溶液を塗布するレジスト塗
布工程と、このレジスト塗布工程で前記ウエハの表面に
供給された前記レジスト溶液が前記ウエハの外周部まで
広がった後に、前記雰囲気ガス中の前記溶媒を排出する
溶媒排出工程と、を備えたことを特徴とする。 (4) 第４の発明に係わるレジスト塗布装置は、ウエハを
保持するウエハ保持手段と、このウエハ保持手段で保持
された前記ウエハを回転させるウエハ回転手段と、前記
ウエハ保持手段に保持された前記ウエハを囲む密閉空間
を形成する密閉手段と、この密閉手段により形成された
前記密閉空間の雰囲気ガスにレジスト溶液の溶媒を供給
する溶媒供給手段と、前記ウエハの表面に前記レジスト
溶液を供給するレジスト溶液供給手段と、前記溶媒供給
手段により供給された前記溶媒を排出するために前記密
閉手段に設けられた溶媒排出手段と、を備えたことを特
徴とする。
【００１３】
(1) 第１の発明に係わるレジスト塗布方法によれば、ウ
エハの表面にレジスト溶液の溶媒を塗布することによ
り、レジスト溶液内の溶媒の揮発速度を遅くすることが
できるので、レジスト溶液の供給量を少なくしてもウエ
ハ回転手段の回転速度を速くする必要がない。このた
め、その後の工程でウエハの表面にレジスト溶液を塗布
する際に、レジスト溶液の供給量を少なくしても、均一
で良好なレジスト膜を得ることができる。また、レジス
ト溶液の濃度を低下させる必要がないので、高精度のレ
ジスト膜厚を得ることができる。すなわち、第１の発明
によれば、レジスト溶液の使用量を少なくしてもレジス
ト膜の品質を低下させることがない。 (2) 第２の発明に係わるレジスト塗布装置によれば、ウ
エハ保持手段で保持された前記ウエハをウエハ回転手段
で回転させながら、溶媒供給手段によりウエハの表面に
レジスト溶液の溶媒を供給し、その後、レジスト溶液供
給手段でウエハの表面にレジスト溶液を供給することが
できる。したがって、上述の第１の発明に係わるレジス
ト塗布方法を使用したレジスト塗布を行うことができる
ので、レジスト溶液の使用量を少なくしてもレジスト膜
の品質を低下させることがない。 (3) 第３の発明に係わるレジスト塗布方法によれば、ウ
エハを囲む雰囲気ガス中にレジスト溶液の溶媒を供給す
ることとしたので、レジスト溶液の揮発速度を遅くする
ことができる。したがって、レジスト溶液の供給量を少
なくしても、ウエハ回転手段の回転速度を速くする必要
がない。このため、その後の工程で、回転中のウエハの
表面にレジスト溶液を供給することによりウエハの表面
にレジスト溶液を塗布する際に、レジスト溶液の供給量
を少なくしても、均一で良好なレジスト膜を得ることが
できる。また、レジスト溶液の濃度を低下させる必要が
ないので、高精度のレジスト膜厚を得ることができる。
すなわち、第３の発明によれば、レジスト溶液の使用量
を少なくしてもレジスト膜の品質を低下させることがな
い。 (4) 第４の発明に係わるレジスト塗布装置によれば、ウ
エハ保持手段に保持された前記ウエハを密閉手段で密閉
し、これにより得られた密閉空間内の雰囲気ガス中に溶
媒供給手段でレジスト溶液の溶媒を供給することができ
る。そして、その後、溶液供給手段でウエハの表面にレ
ジスト溶液を塗布することができる。さらに、溶媒排出
手段によって、溶媒を排出することができる。したがっ
て、上述の第３の発明に係わるレジスト塗布方法を使用
したレジスト塗布を行うことができるので、レジスト溶
液の使用量を少なくしてもレジスト膜の品質を低下させ
ることがない。
エハの表面にレジスト溶液の溶媒を塗布することによ
り、レジスト溶液内の溶媒の揮発速度を遅くすることが
できるので、レジスト溶液の供給量を少なくしてもウエ
ハ回転手段の回転速度を速くする必要がない。このた
め、その後の工程でウエハの表面にレジスト溶液を塗布
する際に、レジスト溶液の供給量を少なくしても、均一
で良好なレジスト膜を得ることができる。また、レジス
ト溶液の濃度を低下させる必要がないので、高精度のレ
ジスト膜厚を得ることができる。すなわち、第１の発明
によれば、レジスト溶液の使用量を少なくしてもレジス
ト膜の品質を低下させることがない。 (2) 第２の発明に係わるレジスト塗布装置によれば、ウ
エハ保持手段で保持された前記ウエハをウエハ回転手段
で回転させながら、溶媒供給手段によりウエハの表面に
レジスト溶液の溶媒を供給し、その後、レジスト溶液供
給手段でウエハの表面にレジスト溶液を供給することが
できる。したがって、上述の第１の発明に係わるレジス
ト塗布方法を使用したレジスト塗布を行うことができる
ので、レジスト溶液の使用量を少なくしてもレジスト膜
の品質を低下させることがない。 (3) 第３の発明に係わるレジスト塗布方法によれば、ウ
エハを囲む雰囲気ガス中にレジスト溶液の溶媒を供給す
ることとしたので、レジスト溶液の揮発速度を遅くする
ことができる。したがって、レジスト溶液の供給量を少
なくしても、ウエハ回転手段の回転速度を速くする必要
がない。このため、その後の工程で、回転中のウエハの
表面にレジスト溶液を供給することによりウエハの表面
にレジスト溶液を塗布する際に、レジスト溶液の供給量
を少なくしても、均一で良好なレジスト膜を得ることが
できる。また、レジスト溶液の濃度を低下させる必要が
ないので、高精度のレジスト膜厚を得ることができる。
すなわち、第３の発明によれば、レジスト溶液の使用量
を少なくしてもレジスト膜の品質を低下させることがな
い。 (4) 第４の発明に係わるレジスト塗布装置によれば、ウ
エハ保持手段に保持された前記ウエハを密閉手段で密閉
し、これにより得られた密閉空間内の雰囲気ガス中に溶
媒供給手段でレジスト溶液の溶媒を供給することができ
る。そして、その後、溶液供給手段でウエハの表面にレ
ジスト溶液を塗布することができる。さらに、溶媒排出
手段によって、溶媒を排出することができる。したがっ
て、上述の第３の発明に係わるレジスト塗布方法を使用
したレジスト塗布を行うことができるので、レジスト溶
液の使用量を少なくしてもレジスト膜の品質を低下させ
ることがない。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。
【００１５】（実施例１）実施例１として、第１の発明
（請求項１）に係わるレジスト塗布方法および第２の発
明（請求項２）に係わるレジスト塗布装置の一実施例を
説明する。
（請求項１）に係わるレジスト塗布方法および第２の発
明（請求項２）に係わるレジスト塗布装置の一実施例を
説明する。
【００１６】図１は、本実施例に係わるレジスト塗布装
置の構成を概略的に示す断面図である。
置の構成を概略的に示す断面図である。
【００１７】同図に示したレジスト塗布装置おいて、半
導体ウエハ１１を吸着保持するためのウエハチャック１
２は、スピンモータ１３によって回転駆動される。ま
た、ウエハチャック１２の上方には、ディスペンスノズ
ル１４が配設されている。このディスペンスノズル１４
は、半導体ウエハ１１の表面に溶媒を滴下させるための
溶媒ノズル１４ａと、半導体ウエハ１１の表面にレジス
ト溶液を滴下させるためのレジストノズル１４ｂとを備
えている。
導体ウエハ１１を吸着保持するためのウエハチャック１
２は、スピンモータ１３によって回転駆動される。ま
た、ウエハチャック１２の上方には、ディスペンスノズ
ル１４が配設されている。このディスペンスノズル１４
は、半導体ウエハ１１の表面に溶媒を滴下させるための
溶媒ノズル１４ａと、半導体ウエハ１１の表面にレジス
ト溶液を滴下させるためのレジストノズル１４ｂとを備
えている。
【００１８】このディスペンスノズル１４は、図示しな
いノズル移動手段により、半導体ウエハ１１表面の中心
部上と端部外側上との間を移動する。また、このノズル
移動手段は、溶媒を滴下させる際には溶媒ノズル１４ａ
が半導体ウエハ１１の中央部上方に位置するようにディ
スペンスノズル１４を移動させ、レジスト溶液を滴下さ
せる際にはレジストノズル１４ｂが半導体ウエハ１１の
中央部上方に位置するようにディスペンスノズル１４を
移動させる。
いノズル移動手段により、半導体ウエハ１１表面の中心
部上と端部外側上との間を移動する。また、このノズル
移動手段は、溶媒を滴下させる際には溶媒ノズル１４ａ
が半導体ウエハ１１の中央部上方に位置するようにディ
スペンスノズル１４を移動させ、レジスト溶液を滴下さ
せる際にはレジストノズル１４ｂが半導体ウエハ１１の
中央部上方に位置するようにディスペンスノズル１４を
移動させる。
【００１９】カップ１６は、ウエハチャック１２の周囲
を覆うように構成されている。このカップ１６は、レジ
スト塗布工程中に半導体ウエハ１１表面から外側に飛ば
されたレジスト溶液を排出するための排出口１６ａを備
えている。
を覆うように構成されている。このカップ１６は、レジ
スト塗布工程中に半導体ウエハ１１表面から外側に飛ば
されたレジスト溶液を排出するための排出口１６ａを備
えている。
【００２０】なお、レジスト溶液の種類や濃度等は特に
限定されないが、ここでは、東京応化製のＯＦＰＲ８６
００ＡＣの粘度４０ｃｐのものを使用した場合について
説明する。このレジスト溶液では、溶媒としてＥＣＡ
（エチルセロソルブアセテート）が使用されている。
限定されないが、ここでは、東京応化製のＯＦＰＲ８６
００ＡＣの粘度４０ｃｐのものを使用した場合について
説明する。このレジスト溶液では、溶媒としてＥＣＡ
（エチルセロソルブアセテート）が使用されている。
【００２１】次に、このような構成のレジスト塗布装置
で半導体ウエハ１１の表面にレジストを塗布する方法に
ついて説明する。 まず、ウエハチャック１２に半導体ウエハ１１を載置
し、吸着固定させる。 次に、ノズル移動手段の駆動によって、溶媒ノズル１
４ａが半導体ウエハ１１の表面中央部の上方に配置され
るように、ディスペンスノズル１４を移動させる。 スピンモータ１３の駆動を開始して、ウエハチャック
１２を回転させる。これにより、半導体ウエハ１１の回
転が開始される。 図２（ａ）に示すようにして、溶媒ノズル１４ａか
ら、レジスト溶液に使用されている溶媒２１と同じ液体
（ここではＥＣＡ）を、半導体ウエハ１１の表面全域に
供給する。これにより、この溶媒は、半導体ウエハ１１
の表面に滴下されて均一に広がり、図２（ｂ）に示した
ような溶媒膜が得られる。このとき、余分な溶媒が外側
に飛ばされる。この飛ばされた溶媒は、カップ１６で回
収されて、排出口１６ａから排出される。 そして、スピンモータ１３の駆動を停止して、半導体
ウエハ１１の回転を止める。 次に、ノズル移動手段の駆動により、レジストノズル
１４ｂが半導体ウエハ１１の表面中央部の上方に位置す
るように、ディスペンスノズル１４を移動させる。 続いて、図３（ａ）に示したようにして、レジストノ
ズル１４ｂから、レジスト溶液３１を吐出する。 そして、スピンモータ１３の駆動を開始して、半導体
ウエハ１１を回転させる。これにより、このレジスト溶
液は、半導体ウエハ１１の表面に均一に広がる。このよ
うなレジスト溶液の塗布は、少なくとも半導体ウエハ１
１上の溶媒が揮発する前に行う。なお、このとき、余分
なレジスト溶液は外側に飛ばされ、カップ１６で回収さ
れて、排出口１６ａから排出される。その後、図３
（ｂ）に示したように溶媒が揮発して、レジスト膜３
１′を有する半導体ウエハ１１を得る。 最後に、スピンモータ１３の駆動を停止して、半導体
ウエハ１１の回転を止める。
で半導体ウエハ１１の表面にレジストを塗布する方法に
ついて説明する。 まず、ウエハチャック１２に半導体ウエハ１１を載置
し、吸着固定させる。 次に、ノズル移動手段の駆動によって、溶媒ノズル１
４ａが半導体ウエハ１１の表面中央部の上方に配置され
るように、ディスペンスノズル１４を移動させる。 スピンモータ１３の駆動を開始して、ウエハチャック
１２を回転させる。これにより、半導体ウエハ１１の回
転が開始される。 図２（ａ）に示すようにして、溶媒ノズル１４ａか
ら、レジスト溶液に使用されている溶媒２１と同じ液体
（ここではＥＣＡ）を、半導体ウエハ１１の表面全域に
供給する。これにより、この溶媒は、半導体ウエハ１１
の表面に滴下されて均一に広がり、図２（ｂ）に示した
ような溶媒膜が得られる。このとき、余分な溶媒が外側
に飛ばされる。この飛ばされた溶媒は、カップ１６で回
収されて、排出口１６ａから排出される。 そして、スピンモータ１３の駆動を停止して、半導体
ウエハ１１の回転を止める。 次に、ノズル移動手段の駆動により、レジストノズル
１４ｂが半導体ウエハ１１の表面中央部の上方に位置す
るように、ディスペンスノズル１４を移動させる。 続いて、図３（ａ）に示したようにして、レジストノ
ズル１４ｂから、レジスト溶液３１を吐出する。 そして、スピンモータ１３の駆動を開始して、半導体
ウエハ１１を回転させる。これにより、このレジスト溶
液は、半導体ウエハ１１の表面に均一に広がる。このよ
うなレジスト溶液の塗布は、少なくとも半導体ウエハ１
１上の溶媒が揮発する前に行う。なお、このとき、余分
なレジスト溶液は外側に飛ばされ、カップ１６で回収さ
れて、排出口１６ａから排出される。その後、図３
（ｂ）に示したように溶媒が揮発して、レジスト膜３
１′を有する半導体ウエハ１１を得る。 最後に、スピンモータ１３の駆動を停止して、半導体
ウエハ１１の回転を止める。
【００２２】このように、本実施例によれば、半導体ウ
エハ１１の表面にレジスト溶液の溶媒を塗布することと
したので、レジスト溶液の揮発速度を遅くすることがで
きる。したがって、レジスト溶液の供給量を少なくして
もスピンモータ１３の回転速度を速くする必要がない。
すなわち、その後の工程で、回転中の半導体ウエハ１
１の表面にレジスト溶液を供給する際に、レジスト溶液
の供給量を少なくしても、均一で良好なレジスト膜を得
ることができる。
エハ１１の表面にレジスト溶液の溶媒を塗布することと
したので、レジスト溶液の揮発速度を遅くすることがで
きる。したがって、レジスト溶液の供給量を少なくして
もスピンモータ１３の回転速度を速くする必要がない。
すなわち、その後の工程で、回転中の半導体ウエハ１
１の表面にレジスト溶液を供給する際に、レジスト溶液
の供給量を少なくしても、均一で良好なレジスト膜を得
ることができる。
【００２３】また、本実施例によれば、レジスト溶液の
濃度を低下させる必要がないので、均一な塗布が可能と
なり、高精度のレジスト膜厚を得ることができる。
濃度を低下させる必要がないので、均一な塗布が可能と
なり、高精度のレジスト膜厚を得ることができる。
【００２４】本発明者の検討によれば、上述のようなレ
ジスト溶液を用いた場合、一回のレジスト溶液の供給量
を、従来の０．９ｃｃから０．６ｃｃまで減らすことが
できた（半導体ウエハ１１の回転速度やレジスト溶液の
濃度等は、従来の場合と同じとした）。
ジスト溶液を用いた場合、一回のレジスト溶液の供給量
を、従来の０．９ｃｃから０．６ｃｃまで減らすことが
できた（半導体ウエハ１１の回転速度やレジスト溶液の
濃度等は、従来の場合と同じとした）。
【００２５】（実施例２）実施例２として、第３の発明
（請求項３）に係わるレジスト塗布方法および第４の発
明（請求項４）に係わるレジスト塗布装置の一実施例を
説明する。
（請求項３）に係わるレジスト塗布方法および第４の発
明（請求項４）に係わるレジスト塗布装置の一実施例を
説明する。
【００２６】図４は、本実施例に係わるレジスト塗布装
置の構成を概略的に示す断面図である。
置の構成を概略的に示す断面図である。
【００２７】同図に示したレジスト塗布装置おいて、半
導体ウエハ４１を吸着保持するためのウエハチャック４
２は、スピンモータ４３によって回転駆動される。ま
た、ウエハチャック４２には、このウエハチャック４２
とともに回転する回転板４４が設けられている。また、
ウエハチャック４２の上方には、内蓋４５が配設されて
いる。この内蓋４５は、シリンダ４６を用いて側壁部４
５ａが回転板４４に接するまで下降させることにより、
ウエハチャック４２に保持された半導体ウエハ４１を囲
む密閉空間を形成する。そして、この内蓋４５は、回転
板４４に伴って回転する。
導体ウエハ４１を吸着保持するためのウエハチャック４
２は、スピンモータ４３によって回転駆動される。ま
た、ウエハチャック４２には、このウエハチャック４２
とともに回転する回転板４４が設けられている。また、
ウエハチャック４２の上方には、内蓋４５が配設されて
いる。この内蓋４５は、シリンダ４６を用いて側壁部４
５ａが回転板４４に接するまで下降させることにより、
ウエハチャック４２に保持された半導体ウエハ４１を囲
む密閉空間を形成する。そして、この内蓋４５は、回転
板４４に伴って回転する。
【００２８】内蓋４５の上面には、レジストノズル４７
ａおよび溶媒ノズル４７ｂが設けられている。レジスト
ノズル４７ａは、ウエハチャック４２に保持された半導
体ウエハ４１の表面中央部にレジスト溶液を滴下させる
ことができるように、配置されている。また、溶媒ノズ
ル４７ｂは、密閉空間内の雰囲気ガス中に溶媒を供給し
て、この雰囲気ガスの溶媒濃度を飽和濃度にするために
使用される。
ａおよび溶媒ノズル４７ｂが設けられている。レジスト
ノズル４７ａは、ウエハチャック４２に保持された半導
体ウエハ４１の表面中央部にレジスト溶液を滴下させる
ことができるように、配置されている。また、溶媒ノズ
ル４７ｂは、密閉空間内の雰囲気ガス中に溶媒を供給し
て、この雰囲気ガスの溶媒濃度を飽和濃度にするために
使用される。
【００２９】カップ４８は、ウエハチャック４２の周囲
を覆うように構成されている。このカップ４８は、レジ
スト塗布工程中に半導体ウエハ４１表面から外側に飛ば
されたレジスト溶液を排出するための排出口４８ａを備
えている。
を覆うように構成されている。このカップ４８は、レジ
スト塗布工程中に半導体ウエハ４１表面から外側に飛ば
されたレジスト溶液を排出するための排出口４８ａを備
えている。
【００３０】なお、本実施例においても、上述の実施例
１と同様、レジスト溶液の種類や濃度等は特に限定され
ないが、東京応化製のＯＦＰＲ８６００ＡＣの粘度４０
ｃｐのものを使用する。溶媒としては、ＥＣＡ（エチル
セロソルブアセテート）を使用する。
１と同様、レジスト溶液の種類や濃度等は特に限定され
ないが、東京応化製のＯＦＰＲ８６００ＡＣの粘度４０
ｃｐのものを使用する。溶媒としては、ＥＣＡ（エチル
セロソルブアセテート）を使用する。
【００３１】次に、このような構成のレジスト塗布装置
で半導体ウエハ４１の表面にレジストを塗布する方法に
ついて説明する。 まず、ウエハチャック４２に半導体ウエハ４１を載置
し、吸着固定させる。 次に、シリンダ４６を駆動させて内蓋４５を下降させ
る。そして、この内蓋４５と回転板４４とによって、ウ
エハチャック４２に保持された半導体ウエハ４１を囲む
密閉空間を形成する。 続いて、溶媒ノズル４７ｂから、レジスト溶液に使用
されている溶媒と同じ液体（ここではＥＣＡ）を、密閉
空間内の雰囲気ガスに供給する。そして、この雰囲気ガ
ス中の溶媒濃度を、飽和濃度にする。 次に、レジストノズル４７ａから、半導体ウエハ４１
の表面に、レジスト溶液を吐出する。 その後、スピンモータ４３の駆動を開始して、半導体
ウエハ４１を回転させる。これにより、このレジスト溶
液は、半導体ウエハ４１の表面に均一に広がる。このと
き、密閉空間中雰囲気ガスが飽和濃度の溶媒を含んでい
るので、レジスト溶液中の溶媒は揮発しない。 そして、レジスト溶液が半導体ウエハ４１の外周部に
まで達すると、シリンダ４６を駆動させて内蓋４５を上
昇させ、密閉空間の密閉を解く。これにより、溶媒を含
む雰囲気ガスが排出されて、レジスト溶液中の溶媒の揮
発が始まる。このとき、余分なレジスト溶液は外側に飛
ばされ、カップ４８で回収されて、排出口４８ａから排
出される。なお、レジスト溶液が半導体ウエハ４１の外
周部にまで達したか否かの判断は、例えば、半導体ウエ
ハ４１の回転が開始されてからの経過時間（通常、０．
５秒前後）によって行うことができる。
で半導体ウエハ４１の表面にレジストを塗布する方法に
ついて説明する。 まず、ウエハチャック４２に半導体ウエハ４１を載置
し、吸着固定させる。 次に、シリンダ４６を駆動させて内蓋４５を下降させ
る。そして、この内蓋４５と回転板４４とによって、ウ
エハチャック４２に保持された半導体ウエハ４１を囲む
密閉空間を形成する。 続いて、溶媒ノズル４７ｂから、レジスト溶液に使用
されている溶媒と同じ液体（ここではＥＣＡ）を、密閉
空間内の雰囲気ガスに供給する。そして、この雰囲気ガ
ス中の溶媒濃度を、飽和濃度にする。 次に、レジストノズル４７ａから、半導体ウエハ４１
の表面に、レジスト溶液を吐出する。 その後、スピンモータ４３の駆動を開始して、半導体
ウエハ４１を回転させる。これにより、このレジスト溶
液は、半導体ウエハ４１の表面に均一に広がる。このと
き、密閉空間中雰囲気ガスが飽和濃度の溶媒を含んでい
るので、レジスト溶液中の溶媒は揮発しない。 そして、レジスト溶液が半導体ウエハ４１の外周部に
まで達すると、シリンダ４６を駆動させて内蓋４５を上
昇させ、密閉空間の密閉を解く。これにより、溶媒を含
む雰囲気ガスが排出されて、レジスト溶液中の溶媒の揮
発が始まる。このとき、余分なレジスト溶液は外側に飛
ばされ、カップ４８で回収されて、排出口４８ａから排
出される。なお、レジスト溶液が半導体ウエハ４１の外
周部にまで達したか否かの判断は、例えば、半導体ウエ
ハ４１の回転が開始されてからの経過時間（通常、０．
５秒前後）によって行うことができる。
【００３２】このように、レジスト溶液が半導体ウエハ
４１の外周部にまで達してからレジスト溶液中の溶媒の
揮発を開始させることにより、レジスト膜の膜厚の均一
性を、さらに向上させることができる。 最後に、スピンモータ４３の駆動を停止して、半導体
ウエハ４１の回転を止める。
４１の外周部にまで達してからレジスト溶液中の溶媒の
揮発を開始させることにより、レジスト膜の膜厚の均一
性を、さらに向上させることができる。 最後に、スピンモータ４３の駆動を停止して、半導体
ウエハ４１の回転を止める。
【００３３】このように、本実施例によれば、半導体ウ
エハ４１を囲む雰囲気ガス中に溶媒を供給することとし
たので、レジスト溶液の揮発速度を遅くすることができ
る。したがって、レジスト溶液の供給量を少なくして
も、スピンモータ４３の回転速度を速くする必要がな
い。このため、その後の工程で半導体ウエハ４１の表
面にレジスト溶液を塗布する際に、レジスト溶液の供給
量を少なくしても、均一で良好なレジスト膜を得ること
ができる。
エハ４１を囲む雰囲気ガス中に溶媒を供給することとし
たので、レジスト溶液の揮発速度を遅くすることができ
る。したがって、レジスト溶液の供給量を少なくして
も、スピンモータ４３の回転速度を速くする必要がな
い。このため、その後の工程で半導体ウエハ４１の表
面にレジスト溶液を塗布する際に、レジスト溶液の供給
量を少なくしても、均一で良好なレジスト膜を得ること
ができる。
【００３４】また、レジスト溶液の濃度を低下させる必
要がないので、高精度のレジスト膜厚を得ることができ
る。
要がないので、高精度のレジスト膜厚を得ることができ
る。
【００３５】さらに、本実施例によれば、レジスト溶液
が半導体ウエハ４１の外周部にまで達してから密閉を解
くことによりレジスト溶液中の溶媒の揮発を開始させる
こととしたので、レジスト膜の膜厚の均一性をさらに向
上させることができる。
が半導体ウエハ４１の外周部にまで達してから密閉を解
くことによりレジスト溶液中の溶媒の揮発を開始させる
こととしたので、レジスト膜の膜厚の均一性をさらに向
上させることができる。
【００３６】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、レジスト溶液の使用量を少なくしてもレジスト膜
の品質を低下させることがないレジスト塗布方法および
レジスト塗布装置を提供することができる。これによ
り、半導体装置の製造コストを低減させることが可能と
なる。
れば、レジスト溶液の使用量を少なくしてもレジスト膜
の品質を低下させることがないレジスト塗布方法および
レジスト塗布装置を提供することができる。これによ
り、半導体装置の製造コストを低減させることが可能と
なる。
【図１】実施例１に係わるレジスト塗布装置の構成を概
略的に示す断面図である。
略的に示す断面図である。
【図２】実施例１における溶媒の塗布を説明するための
図であり、（ａ）はウエハ表面への溶媒の供給を示す装
置断面図、（ｂ）は塗布された溶媒の状態を示すウエハ
断面図である。
図であり、（ａ）はウエハ表面への溶媒の供給を示す装
置断面図、（ｂ）は塗布された溶媒の状態を示すウエハ
断面図である。
【図３】実施例１におけるレジスト溶液の塗布を説明す
るための図であり、（ａ）はウエハ表面へのレジスト溶
液の供給を示す装置断面図、（ｂ）は塗布されたレジス
ト溶液の状態を示すウエハ断面図である。
るための図であり、（ａ）はウエハ表面へのレジスト溶
液の供給を示す装置断面図、（ｂ）は塗布されたレジス
ト溶液の状態を示すウエハ断面図である。
【図４】実施例２に係わるレジスト塗布装置の構成を概
略的に示す断面図である。
略的に示す断面図である。
【図５】従来のレジスト塗布装置の一構成例を概略的に
示す断面図である。
示す断面図である。
１１ 半導体ウエハ １２ ウエハチャック １３ スピンモータ １４ ディスペンスノズル １４ａ 溶媒ノズル １４ｂ レジストノズル １６ カップ １６ａ 排出口 ４１ 半導体ウエハ ４２ ウエハチャック ４３ スピンモータ ４４ 回転板 ４５ 内蓋 ４５ａ 側壁部 ４６ シリンダ ４７ａ レジストノズル ４７ｂ 溶媒ノズル ４８ カップ ４８ａ 排出口
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０３Ｆ 7/16 ５０１ // Ｂ０５Ｃ 11/08 (72)発明者 布 谷 伸 仁 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１ 株式会 社東芝多摩川工場内
Claims (4)
- 【請求項１】レジスト溶液の溶媒のみをウエハ保持手段
で保持されたウエハの表面に塗布する溶媒塗布工程と、 前記溶媒のみを塗布された前記ウエハの表面に前記レジ
スト溶液を塗布するレジスト塗布工程と、 を備えたことを特徴とするレジスト塗布方法。 - 【請求項２】ウエハを保持するウエハ保持手段と、 このウエハ保持手段で保持された前記ウエハを回転させ
るウエハ回転手段と、 前記ウエハの表面にレジスト溶液の溶媒のみを供給する
溶媒供給手段と、 前記ウエハの表面に前記レジスト溶液を供給するレジス
ト溶液供給手段と、 を備えたことを特徴とするレジスト塗布装置。 - 【請求項３】ウエハ保持手段で保持されたウエハを囲む
空間の雰囲気ガスにレジスト溶液の溶媒のみを供給する
溶媒供給工程と、 前記ウエハの表面に前記レジスト溶液を塗布するレジス
ト塗布工程と、 このレジスト塗布工程で前記ウエハの表面に供給された
前記レジスト溶液が前記ウエハの外周部まで広がった後
に、前記雰囲気ガス中の前記溶媒を排出する溶媒排出工
程と、 を備えたことを特徴とするレジスト塗布方法。 - 【請求項４】ウエハを保持するウエハ保持手段と、 このウエハ保持手段で保持された前記ウエハを回転させ
るウエハ回転手段と、 前記ウエハ保持手段に保持された前記ウエハを囲む密閉
空間を形成する密閉手段と、 この密閉手段により形成された前記密閉空間の雰囲気ガ
スにレジスト溶液の溶媒を供給する溶媒供給手段と、 前記ウエハの表面に前記レジスト溶液を供給するレジス
ト溶液供給手段と、 前記溶媒供給手段により供給された前記溶媒を排出する
ために前記密閉手段に設けられた溶媒排出手段と、 を備えたことを特徴とするレジスト塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6143428A JPH0817700A (ja) | 1994-06-24 | 1994-06-24 | レジスト塗布方法およびレジスト塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6143428A JPH0817700A (ja) | 1994-06-24 | 1994-06-24 | レジスト塗布方法およびレジスト塗布装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0817700A true JPH0817700A (ja) | 1996-01-19 |
Family
ID=15338499
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6143428A Pending JPH0817700A (ja) | 1994-06-24 | 1994-06-24 | レジスト塗布方法およびレジスト塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0817700A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003022892A (ja) * | 2001-07-06 | 2003-01-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置の製造方法 |
| JP2004153262A (ja) * | 2003-10-14 | 2004-05-27 | Oki Electric Ind Co Ltd | スピンコート法 |
| KR101023069B1 (ko) * | 2008-11-18 | 2011-03-24 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
-
1994
- 1994-06-24 JP JP6143428A patent/JPH0817700A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003022892A (ja) * | 2001-07-06 | 2003-01-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置の製造方法 |
| US8197052B2 (en) | 2001-07-06 | 2012-06-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a light emitting device |
| US8425016B2 (en) | 2001-07-06 | 2013-04-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a light emitting device |
| US8752940B2 (en) | 2001-07-06 | 2014-06-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a light emitting device |
| JP2004153262A (ja) * | 2003-10-14 | 2004-05-27 | Oki Electric Ind Co Ltd | スピンコート法 |
| KR101023069B1 (ko) * | 2008-11-18 | 2011-03-24 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030704 |