JPH0817777A - シリコンウェーハの洗浄方法 - Google Patents
シリコンウェーハの洗浄方法Info
- Publication number
- JPH0817777A JPH0817777A JP6173432A JP17343294A JPH0817777A JP H0817777 A JPH0817777 A JP H0817777A JP 6173432 A JP6173432 A JP 6173432A JP 17343294 A JP17343294 A JP 17343294A JP H0817777 A JPH0817777 A JP H0817777A
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- JP
- Japan
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- wafer
- silicon wafer
- solution
- etching
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＨＦ溶液中でシリコンウェーハ表面にパーテ
ィクルが転写、付着しない洗浄方法を提供する。 【構成】 ミラー研磨後のエッチングにおいて、その表
面粗度をＲｍａｘ値で２μｍ以下とする。例えばエッチ
ング温度の上昇、エッチング取り代の増加、エッチング
液組成の変更等である。
ィクルが転写、付着しない洗浄方法を提供する。 【構成】 ミラー研磨後のエッチングにおいて、その表
面粗度をＲｍａｘ値で２μｍ以下とする。例えばエッチ
ング温度の上昇、エッチング取り代の増加、エッチング
液組成の変更等である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はシリコンウェーハの洗浄
方法、詳しくはミラーウェーハをＨＦ洗浄したとき、研
磨剤残留に起因したパーティクルを低減するため、およ
び、ＨＦ溶液中でのパーティクルの再付着防止のための
改良に関する。詳しくは、ミラーウェーハに所定のエッ
チングを施してその表面粗度をコントロールすることに
より、研磨接着剤の残留等によるＨＦ溶液中でのパーテ
ィクルの付着を抑制する方法に関する。
方法、詳しくはミラーウェーハをＨＦ洗浄したとき、研
磨剤残留に起因したパーティクルを低減するため、およ
び、ＨＦ溶液中でのパーティクルの再付着防止のための
改良に関する。詳しくは、ミラーウェーハに所定のエッ
チングを施してその表面粗度をコントロールすることに
より、研磨接着剤の残留等によるＨＦ溶液中でのパーテ
ィクルの付着を抑制する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、ミラーウェーハは、ラップ工
程、ミラー研磨工程、エッチング工程等を経て製造され
る。このウェーハのミラー研磨工程にあっては、例えば
研磨剤としてアルミナ粉が、さらに、研磨接着剤として
ワックス等が使用されていた。この結果、研磨後のウェ
ーハ表裏面には研磨接着剤成分であるワックスが微量で
はあるが残留する。
程、ミラー研磨工程、エッチング工程等を経て製造され
る。このウェーハのミラー研磨工程にあっては、例えば
研磨剤としてアルミナ粉が、さらに、研磨接着剤として
ワックス等が使用されていた。この結果、研磨後のウェ
ーハ表裏面には研磨接着剤成分であるワックスが微量で
はあるが残留する。
【０００３】この接着剤成分の除去は、ＳＣ−１洗浄液
（アルカリ溶液＋過酸化水素水）による酸化還元処理等
の化学処理を施して行っていた。または、このＳＣ−１
洗浄後、超音波の使用による物理的な処理を施してい
た。しかしながら、前者の化学処理のみでは、ウェーハ
の表裏面に付着したワックスは未だ十分に除去されてい
なかった。また、後者の物理的な処理は設備、工程数が
増える等の不都合があった。よって、従来は、ウェーハ
加工工程の終了後、接着剤成分除去のため、再度ＨＦ溶
液中への浸漬、洗浄処理を行っていた。
（アルカリ溶液＋過酸化水素水）による酸化還元処理等
の化学処理を施して行っていた。または、このＳＣ−１
洗浄後、超音波の使用による物理的な処理を施してい
た。しかしながら、前者の化学処理のみでは、ウェーハ
の表裏面に付着したワックスは未だ十分に除去されてい
なかった。また、後者の物理的な処理は設備、工程数が
増える等の不都合があった。よって、従来は、ウェーハ
加工工程の終了後、接着剤成分除去のため、再度ＨＦ溶
液中への浸漬、洗浄処理を行っていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来のＨＦ洗浄処理工程では、複数枚のウェーハを
搭載したウェーハカセットをＨＦ溶液中にディッピング
していた。このため、ウェーハカセット内の複数のウェ
ーハ間で、あるウェーハの裏面から対向する他のウェー
ハのミラー面（表面）に、ＨＦ中で接着剤成分、およ
び、酸化膜中に取り込まれていたパーティクルが転写さ
れるという不都合が生じていた。すなわち、ＨＦ洗浄に
てウェーハ表面のパーティクル清浄度を悪化させてい
た。
うな従来のＨＦ洗浄処理工程では、複数枚のウェーハを
搭載したウェーハカセットをＨＦ溶液中にディッピング
していた。このため、ウェーハカセット内の複数のウェ
ーハ間で、あるウェーハの裏面から対向する他のウェー
ハのミラー面（表面）に、ＨＦ中で接着剤成分、およ
び、酸化膜中に取り込まれていたパーティクルが転写さ
れるという不都合が生じていた。すなわち、ＨＦ洗浄に
てウェーハ表面のパーティクル清浄度を悪化させてい
た。
【０００５】また、この接着剤除去処理後、再付着した
パーティクル成分の持込みによって量産ラインへの悪影
響を及ぼしていたという課題があった。
パーティクル成分の持込みによって量産ラインへの悪影
響を及ぼしていたという課題があった。
【０００６】そこで、本願発明者らは、上記課題を解決
すべく検討を重ねた結果、研磨ウェーハの表面粗度をコ
ントロールすることにより、接着剤を相対的に効率良く
除去することのできる条件を見出した。すなわち、ウェ
ーハの表面粗さをＲｍａｘ値で２μｍ以下とすることに
より、研磨剤除去処理である化学処理または物理処理を
より効果的にすることを可能とした。これは、Ｒｍａｘ
値の低下によって表面粗度で表される凹凸が徐々に小さ
くなり、接着剤とウェーハ面との接触面積が低減される
からである。また、ウェーハ表裏面と接着剤との間の静
電結合力を小さく抑える効果と、見かけの接触角の低下
により洗浄液のしみこみが容易になることによるものと
考えられる。
すべく検討を重ねた結果、研磨ウェーハの表面粗度をコ
ントロールすることにより、接着剤を相対的に効率良く
除去することのできる条件を見出した。すなわち、ウェ
ーハの表面粗さをＲｍａｘ値で２μｍ以下とすることに
より、研磨剤除去処理である化学処理または物理処理を
より効果的にすることを可能とした。これは、Ｒｍａｘ
値の低下によって表面粗度で表される凹凸が徐々に小さ
くなり、接着剤とウェーハ面との接触面積が低減される
からである。また、ウェーハ表裏面と接着剤との間の静
電結合力を小さく抑える効果と、見かけの接触角の低下
により洗浄液のしみこみが容易になることによるものと
考えられる。
【０００７】本発明は、ＨＦ溶液中でのディッピングに
てウェーハのミラー面への接着剤成分の転写、パーティ
クルの再付着を防止し、ウェーハ表面のパーティクル清
浄度を良好に保持することを、その目的としている。
てウェーハのミラー面への接着剤成分の転写、パーティ
クルの再付着を防止し、ウェーハ表面のパーティクル清
浄度を良好に保持することを、その目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載した発明
では、ミラー研磨後のシリコンウェーハをＨＦ溶液に浸
漬するシリコンウェーハの洗浄方法において、この浸漬
するシリコンウェーハの表面粗さをＲｍａｘ値で２μｍ
以下としたシリコンウェーハの洗浄方法である。
では、ミラー研磨後のシリコンウェーハをＨＦ溶液に浸
漬するシリコンウェーハの洗浄方法において、この浸漬
するシリコンウェーハの表面粗さをＲｍａｘ値で２μｍ
以下としたシリコンウェーハの洗浄方法である。
【０００９】請求項２に記載した発明は、ミラー研磨
後、所定のエッチング処理を行うことにより、シリコン
ウェーハの表面粗さを制御する請求項１に記載のシリコ
ンウェーハの洗浄方法である。
後、所定のエッチング処理を行うことにより、シリコン
ウェーハの表面粗さを制御する請求項１に記載のシリコ
ンウェーハの洗浄方法である。
【００１０】
【作用】本発明に係るシリコンウェーハの洗浄方法によ
れば、ＨＦ溶液中のウェーハの表面粗さが高度に平坦で
ある結果、ＨＦ溶液中のまたはこれに溶け出した接着剤
成分がウェーハ表面に結合、付着しようとしても、付着
することはない。より具体的には、エッチング時に光沢
度（平坦度）をあげる処理、例えばエッチング温度の上
昇、エッチング取り代の増加、エッチング液組成の変更
等を行う。
れば、ＨＦ溶液中のウェーハの表面粗さが高度に平坦で
ある結果、ＨＦ溶液中のまたはこれに溶け出した接着剤
成分がウェーハ表面に結合、付着しようとしても、付着
することはない。より具体的には、エッチング時に光沢
度（平坦度）をあげる処理、例えばエッチング温度の上
昇、エッチング取り代の増加、エッチング液組成の変更
等を行う。
【００１１】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明
する。研磨した材料であるエッチング処理後のシリコン
ウェーハは、例えば混酸処理によるエッチングを採用し
た場合は、図１に示したように、化学反応により、その
表面粗度が一定の値を示すことが知られている。図１に
おいて示す光沢度とは、一定の光量を対象とする面に照
射し、このとき反射してくる光の光量を測定することに
より、その面の粗度を評価した数値である。したがっ
て、表面粗度Ｒｍａｘ値は光沢度に対して一定の相関関
係を有していることがわかる。この測定には、例えば日
本電飾（株）製の光沢度測定機を使用する。
する。研磨した材料であるエッチング処理後のシリコン
ウェーハは、例えば混酸処理によるエッチングを採用し
た場合は、図１に示したように、化学反応により、その
表面粗度が一定の値を示すことが知られている。図１に
おいて示す光沢度とは、一定の光量を対象とする面に照
射し、このとき反射してくる光の光量を測定することに
より、その面の粗度を評価した数値である。したがっ
て、表面粗度Ｒｍａｘ値は光沢度に対して一定の相関関
係を有していることがわかる。この測定には、例えば日
本電飾（株）製の光沢度測定機を使用する。
【００１２】混酸エッチング処理時に作製した、様々な
光沢度、すなわち各種の表面粗さを有する研磨材料（シ
リコンウェーハ）を所定の接着剤塗布後、研磨した。Ｈ
Ｆ洗浄には、体積濃度５％のＨＦ溶液を使用した。この
ＨＦ溶液中で５インチウェーハを２５枚カセットに保持
し、研磨接着剤除去効果の確認を行った。
光沢度、すなわち各種の表面粗さを有する研磨材料（シ
リコンウェーハ）を所定の接着剤塗布後、研磨した。Ｈ
Ｆ洗浄には、体積濃度５％のＨＦ溶液を使用した。この
ＨＦ溶液中で５インチウェーハを２５枚カセットに保持
し、研磨接着剤除去効果の確認を行った。
【００１３】図２は、各光沢度（表面粗さ）に対するＨ
Ｆ溶液中からの転写パーティクルの平均値を示してい
る。図２は洗浄時のパーティクルの除去し易さを示して
いる。光沢度の増加（粗さが低下、平坦化する）にした
がい転写パーティクル量が指数関数的に減少しているこ
とを確認することができる。平均光沢度は、エッチング
取り代を３０〜４０μｍまで変化させることにより作製
したサンプルウェーハを使用している。ＨＦ転写評価方
法は、５％ＨＦ溶液中に１０分間ディップ後表面のパー
ティクルをパーティクルカウンタ（サーフスキャン：テ
ンコール社製）により測定したものである。
Ｆ溶液中からの転写パーティクルの平均値を示してい
る。図２は洗浄時のパーティクルの除去し易さを示して
いる。光沢度の増加（粗さが低下、平坦化する）にした
がい転写パーティクル量が指数関数的に減少しているこ
とを確認することができる。平均光沢度は、エッチング
取り代を３０〜４０μｍまで変化させることにより作製
したサンプルウェーハを使用している。ＨＦ転写評価方
法は、５％ＨＦ溶液中に１０分間ディップ後表面のパー
ティクルをパーティクルカウンタ（サーフスキャン：テ
ンコール社製）により測定したものである。
【００１４】図３は、清浄ＨＦ溶液５％中をラテックス
粒子により強制的に汚染させた場合、その材料の光沢度
と付着パーティクル量との関係を示している。これは、
ＨＦ溶液中からのパーティクル再付着のし易さのみを示
したものである。あらかじめ５％ＨＦ溶液中にラテック
ス粒子０．３μｍを１３０００個／１０ｍｌの濃度に調
整した。この中に図２に示した方法で作製したサンプル
ウェーハを１分間、１０分間、ディップさせた後に、同
様にパーティクル数をカウントしたものである。この結
果、材料粗度の向上（平坦化）により、再付着パーティ
クル量も抑制されていることが判る。
粒子により強制的に汚染させた場合、その材料の光沢度
と付着パーティクル量との関係を示している。これは、
ＨＦ溶液中からのパーティクル再付着のし易さのみを示
したものである。あらかじめ５％ＨＦ溶液中にラテック
ス粒子０．３μｍを１３０００個／１０ｍｌの濃度に調
整した。この中に図２に示した方法で作製したサンプル
ウェーハを１分間、１０分間、ディップさせた後に、同
様にパーティクル数をカウントしたものである。この結
果、材料粗度の向上（平坦化）により、再付着パーティ
クル量も抑制されていることが判る。
【００１５】最終的にＨＦ中における転写パーティクル
を上記２つの効果により図４に示したように抑制した結
果を得た。このときの表面粗度は１．５μｍ以上で２．
０μｍ以下である。１．５μｍ≦Ｒｍａｘ≦２．０μｍ
である。
を上記２つの効果により図４に示したように抑制した結
果を得た。このときの表面粗度は１．５μｍ以上で２．
０μｍ以下である。１．５μｍ≦Ｒｍａｘ≦２．０μｍ
である。
【００１６】
【発明の効果】本発明によれば、ＨＦ溶液中でのウェー
ハ表面へのパーティクルの転写を抑止することができ
る。
ハ表面へのパーティクルの転写を抑止することができ
る。
【図１】本発明の一実施例に係るシリコンウェーハの洗
浄方法におけるエッチング処理後の光沢度と表面粗度の
相関を示すグラフである。
浄方法におけるエッチング処理後の光沢度と表面粗度の
相関を示すグラフである。
【図２】本発明の一実施例に係るシリコンウェーハの洗
浄方法におけるエッチング処理後の光沢度と転写パーテ
ィクルとの関係を示すグラフである。
浄方法におけるエッチング処理後の光沢度と転写パーテ
ィクルとの関係を示すグラフである。
【図３】本発明の一実施例に係るシリコンウェーハの洗
浄方法におけるエッチング処理後の光沢度とＨＦ溶液で
の再付着によるパーティクルとの関係を示すグラフであ
る。
浄方法におけるエッチング処理後の光沢度とＨＦ溶液で
の再付着によるパーティクルとの関係を示すグラフであ
る。
【図４】本発明の一実施例に係るシリコンウェーハの洗
浄方法におけるパーティクルの低減効果を示すグラフで
ある。
浄方法におけるパーティクルの低減効果を示すグラフで
ある。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高石 和成 東京都千代田区岩本町３丁目８番16号 三 菱マテリアルシリコン株式会社内 (72)発明者 堀 憲治 東京都千代田区岩本町３丁目８番16号 三 菱マテリアルシリコン株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 ミラー研磨後のシリコンウェーハをＨＦ
溶液に浸漬するシリコンウェーハの洗浄方法において、 この浸漬するシリコンウェーハの表面粗さをＲｍａｘ値
で２μｍ以下としたシリコンウェーハの洗浄方法。 - 【請求項２】 ミラー研磨後、所定のエッチング処理を
行うことにより、シリコンウェーハの表面粗さを制御す
る請求項１に記載のシリコンウェーハの洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6173432A JPH0817777A (ja) | 1994-07-01 | 1994-07-01 | シリコンウェーハの洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6173432A JPH0817777A (ja) | 1994-07-01 | 1994-07-01 | シリコンウェーハの洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0817777A true JPH0817777A (ja) | 1996-01-19 |
Family
ID=15960355
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6173432A Pending JPH0817777A (ja) | 1994-07-01 | 1994-07-01 | シリコンウェーハの洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0817777A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2823599A1 (fr) * | 2001-04-13 | 2002-10-18 | Commissariat Energie Atomique | Substrat demomtable a tenue mecanique controlee et procede de realisation |
| US7713369B2 (en) | 2001-04-13 | 2010-05-11 | Commissariat A L'energie Atomique | Detachable substrate or detachable structure and method for the production thereof |
| JP2019014164A (ja) * | 2017-07-07 | 2019-01-31 | キヤノン株式会社 | シリコン基板の加工方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63293813A (ja) * | 1987-05-27 | 1988-11-30 | Hitachi Ltd | 半導体基板 |
| JPH04115528A (ja) * | 1990-09-05 | 1992-04-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体素子の製造方法 |
| JPH05190929A (ja) * | 1992-01-10 | 1993-07-30 | Tdk Corp | 電子部品の製造方法 |
| JPH05198549A (ja) * | 1991-08-26 | 1993-08-06 | Nippondenso Co Ltd | 半導体基板の製造方法 |
| JPH06112451A (ja) * | 1992-09-29 | 1994-04-22 | Nagano Denshi Kogyo Kk | Ｓｏｉ基板の製造方法 |
-
1994
- 1994-07-01 JP JP6173432A patent/JPH0817777A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63293813A (ja) * | 1987-05-27 | 1988-11-30 | Hitachi Ltd | 半導体基板 |
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| JPH05190929A (ja) * | 1992-01-10 | 1993-07-30 | Tdk Corp | 電子部品の製造方法 |
| JPH06112451A (ja) * | 1992-09-29 | 1994-04-22 | Nagano Denshi Kogyo Kk | Ｓｏｉ基板の製造方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2823599A1 (fr) * | 2001-04-13 | 2002-10-18 | Commissariat Energie Atomique | Substrat demomtable a tenue mecanique controlee et procede de realisation |
| WO2002084722A3 (fr) * | 2001-04-13 | 2003-11-06 | Commissariat Energie Atomique | Substrat demontable a tenue mecanique controlee et procede de realisation |
| US7713369B2 (en) | 2001-04-13 | 2010-05-11 | Commissariat A L'energie Atomique | Detachable substrate or detachable structure and method for the production thereof |
| JP2019014164A (ja) * | 2017-07-07 | 2019-01-31 | キヤノン株式会社 | シリコン基板の加工方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20001212 |