JPH0817805A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH0817805A JPH0817805A JP16899294A JP16899294A JPH0817805A JP H0817805 A JPH0817805 A JP H0817805A JP 16899294 A JP16899294 A JP 16899294A JP 16899294 A JP16899294 A JP 16899294A JP H0817805 A JPH0817805 A JP H0817805A
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- oxide film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 フォトレジストを用いたエッチバック法によ
ってシリコン酸化膜を平坦化するとき、エッチバック中
のフォトレジストとシリコン酸化膜とのエッチング選択
比を常に１に保つ。 【構成】 電極３、４の表面を樹脂膜８で被覆し、検知
器１０で検知された処理室１１内のＣＯ又はＣＯ2 の発
光スペクトルの増大に見合った分だけ、制御器１２によ
り高周波電源５の出力を増加させる。すると、樹脂膜８
から放出された炭素がシリコン酸化膜の反応生成物であ
る酸素や酸化物と反応してＣＯ又はＣＯ2となる。この
結果、シリコン酸化膜から供給される酸素及び酸化物が
フォトレジストと反応することを防止でき、フォトレジ
ストのエッチング速度が増加しない。
ってシリコン酸化膜を平坦化するとき、エッチバック中
のフォトレジストとシリコン酸化膜とのエッチング選択
比を常に１に保つ。 【構成】 電極３、４の表面を樹脂膜８で被覆し、検知
器１０で検知された処理室１１内のＣＯ又はＣＯ2 の発
光スペクトルの増大に見合った分だけ、制御器１２によ
り高周波電源５の出力を増加させる。すると、樹脂膜８
から放出された炭素がシリコン酸化膜の反応生成物であ
る酸素や酸化物と反応してＣＯ又はＣＯ2となる。この
結果、シリコン酸化膜から供給される酸素及び酸化物が
フォトレジストと反応することを防止でき、フォトレジ
ストのエッチング速度が増加しない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造装置に関
し、特にエッチング装置に関する。
し、特にエッチング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体素子の微細化に伴って、素
子を構成する薄膜の膜厚（縦方向）に比べ、素子の寸法
（横方向）の縮小が顕著になってきている。その結果、
素子表面の段差が増大し、半導体素子製造に最も重要な
フォトリソグラフィ技術において焦点深度の余裕度が確
保できなくなったり、段差部に配線層のエッチング残り
を生じて素子の製造歩留りが悪化する等の問題が生じて
いる。
子を構成する薄膜の膜厚（縦方向）に比べ、素子の寸法
（横方向）の縮小が顕著になってきている。その結果、
素子表面の段差が増大し、半導体素子製造に最も重要な
フォトリソグラフィ技術において焦点深度の余裕度が確
保できなくなったり、段差部に配線層のエッチング残り
を生じて素子の製造歩留りが悪化する等の問題が生じて
いる。
【０００３】そこで、素子表面の段差を軽減するために
平坦化技術がクローズアップされている。平坦化の方法
としては幾つかの技術が提案されており、最も簡便で有
効な方法として、フォトレジスト膜による平坦化技術
（エッチバック法）がある。
平坦化技術がクローズアップされている。平坦化の方法
としては幾つかの技術が提案されており、最も簡便で有
効な方法として、フォトレジスト膜による平坦化技術
（エッチバック法）がある。
【０００４】フォトレジスト膜による平坦化技術では、
シリコン酸化膜で覆われた半導体基板上にフォトレジス
トを塗布し、その後にフォトレジスト及びシリコン酸化
膜のエッチング速度比（選択比）が１となるようにし
て、シリコン酸化膜の表面が平坦になるまでエッチバッ
クを行う。
シリコン酸化膜で覆われた半導体基板上にフォトレジス
トを塗布し、その後にフォトレジスト及びシリコン酸化
膜のエッチング速度比（選択比）が１となるようにし
て、シリコン酸化膜の表面が平坦になるまでエッチバッ
クを行う。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述のフォト
レジスト膜による平坦化技術では、エッチバック開始直
後にフォトレジストのみをエッチバックし、フォトレジ
スト膜厚が一番薄い段差上部のシリコン酸化膜が露出し
た後はフォトレジスト及びシリコン酸化膜の両方をエッ
チバックし、エッチバックの最後ではシリコン酸化膜の
みをエッチバックすることになる。また、このとき、プ
ラズマ中にはエッチング反応によって生成された反応生
成物が供給される。一方、エッチング選択比は、プラズ
マ中のラジカル粒子と、半導体基板に入射する正イオン
とに依存することが知られており、特にフォトレジスト
は有機物質であることから、そのエッチング速度はプラ
ズマ中の酸素又は酸素ラジカルの分圧に強く依存する。
レジスト膜による平坦化技術では、エッチバック開始直
後にフォトレジストのみをエッチバックし、フォトレジ
スト膜厚が一番薄い段差上部のシリコン酸化膜が露出し
た後はフォトレジスト及びシリコン酸化膜の両方をエッ
チバックし、エッチバックの最後ではシリコン酸化膜の
みをエッチバックすることになる。また、このとき、プ
ラズマ中にはエッチング反応によって生成された反応生
成物が供給される。一方、エッチング選択比は、プラズ
マ中のラジカル粒子と、半導体基板に入射する正イオン
とに依存することが知られており、特にフォトレジスト
は有機物質であることから、そのエッチング速度はプラ
ズマ中の酸素又は酸素ラジカルの分圧に強く依存する。
【０００６】従って、フォトレジスト膜厚が一番薄い段
差上部のシリコン酸化膜が露出し、フォトレジスト及び
シリコン酸化膜の両方をエッチバックすると、プラズマ
中にシリコン酸化膜の反応生成物である酸素や酸化物が
供給される。この結果、これらの反応生成物がフォトレ
ジストと反応し、フォトレジストのエッチング速度がシ
リコン酸化膜に比べて増大し、所望の平坦化形状が得ら
れなくなるという問題があった。
差上部のシリコン酸化膜が露出し、フォトレジスト及び
シリコン酸化膜の両方をエッチバックすると、プラズマ
中にシリコン酸化膜の反応生成物である酸素や酸化物が
供給される。この結果、これらの反応生成物がフォトレ
ジストと反応し、フォトレジストのエッチング速度がシ
リコン酸化膜に比べて増大し、所望の平坦化形状が得ら
れなくなるという問題があった。
【０００７】そこで、本発明の目的は、フォトレジスト
とシリコン酸化膜とを同時にエッチングする際に、シリ
コン酸化膜からの反応生成物の影響を回避してフォトレ
ジストとシリコン酸化膜とを常にエッチング選択比１で
エッチングすることのできる半導体製造装置を提供する
ことである。
とシリコン酸化膜とを同時にエッチングする際に、シリ
コン酸化膜からの反応生成物の影響を回避してフォトレ
ジストとシリコン酸化膜とを常にエッチング選択比１で
エッチングすることのできる半導体製造装置を提供する
ことである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の半導体製造装置は、第１の高周波電源に接
続された基板載置用電極及びこれと平行に設置された対
向電極を処理室内に有し、上記基板載置用電極と上記対
向電極との間に生成された反応性ガスプラズマによって
上記基板載置用電極上に載置された基板をドライエッチ
ングする半導体製造装置において、上記基板載置用電極
の近傍に配置されており、且つ、少なくとも炭素を含有
する膜で覆われた互いに対向する一対の電極と、上記一
対の電極間に高周波電圧を印加する第２の高周波電源
と、上記処理室内の炭素系ガスの発光スペクトルを検出
する発光スペクトル検出器と、上記発光スペクトル検出
器のデータを基に上記第２の高周波電源のスイッチを開
閉するスイッチング手段とを具備する。
に、本発明の半導体製造装置は、第１の高周波電源に接
続された基板載置用電極及びこれと平行に設置された対
向電極を処理室内に有し、上記基板載置用電極と上記対
向電極との間に生成された反応性ガスプラズマによって
上記基板載置用電極上に載置された基板をドライエッチ
ングする半導体製造装置において、上記基板載置用電極
の近傍に配置されており、且つ、少なくとも炭素を含有
する膜で覆われた互いに対向する一対の電極と、上記一
対の電極間に高周波電圧を印加する第２の高周波電源
と、上記処理室内の炭素系ガスの発光スペクトルを検出
する発光スペクトル検出器と、上記発光スペクトル検出
器のデータを基に上記第２の高周波電源のスイッチを開
閉するスイッチング手段とを具備する。
【０００９】
【作用】本発明では、プラズマ生成のための高周波電源
とは異なる高周波電源に接続された一対の電極を樹脂膜
等の炭素を含有する膜で被覆することによって、シリコ
ン酸化膜のエッチングを開始したときにエッチングガス
とは独立して有機物をドライエッチングプラズマ中に供
給する。また、シリコン酸化膜のエッチング面積の増加
に伴って高周波電源の出力を増大させ、プラズマ中の有
機成分を増大させる。
とは異なる高周波電源に接続された一対の電極を樹脂膜
等の炭素を含有する膜で被覆することによって、シリコ
ン酸化膜のエッチングを開始したときにエッチングガス
とは独立して有機物をドライエッチングプラズマ中に供
給する。また、シリコン酸化膜のエッチング面積の増加
に伴って高周波電源の出力を増大させ、プラズマ中の有
機成分を増大させる。
【００１０】即ち、電極に印加された高周波電位により
樹脂膜からプラズマ中に供給される有機物がシリコン酸
化膜から供給される酸素及び酸化物と反応してＣＯ又は
ＣＯ2 となるので、シリコン酸化膜から供給される酸素
及び酸化物がフォトレジストと反応する確率が著しく減
少する。従って、フォトレジストのエッチング速度の増
大を抑制できるので、エッチング選択比を１に維持する
ことができる。
樹脂膜からプラズマ中に供給される有機物がシリコン酸
化膜から供給される酸素及び酸化物と反応してＣＯ又は
ＣＯ2 となるので、シリコン酸化膜から供給される酸素
及び酸化物がフォトレジストと反応する確率が著しく減
少する。従って、フォトレジストのエッチング速度の増
大を抑制できるので、エッチング選択比を１に維持する
ことができる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。
する。
【００１２】図１に、本実施例のプラズマエッチング装
置の概略を示す。図１のプラズマエッチング装置は、真
空処理室１１内に、プラズマ生成のための高周波電源６
に接続された上部電極１、上部電極１と平行に対向する
下部電極２、並びに、プラズマ生成とは別に独立した例
えば周波数２ＭＨｚ以下の高周波電源５に接続された第
１の電極３及び第２の電極４の４つの電極を有してい
る。下部電極２上には、半導体基板７が載置されてい
る。尚、第２の電極４は第１の電極３と平行に対向して
いるが、これらは、半導体基板７を取り囲むように一体
の円筒型としてもよい。また、第１の電極３及び第２の
電極４は、下部電極２の近傍に配置されているが、上部
電極１の近傍に配置してもよい。
置の概略を示す。図１のプラズマエッチング装置は、真
空処理室１１内に、プラズマ生成のための高周波電源６
に接続された上部電極１、上部電極１と平行に対向する
下部電極２、並びに、プラズマ生成とは別に独立した例
えば周波数２ＭＨｚ以下の高周波電源５に接続された第
１の電極３及び第２の電極４の４つの電極を有してい
る。下部電極２上には、半導体基板７が載置されてい
る。尚、第２の電極４は第１の電極３と平行に対向して
いるが、これらは、半導体基板７を取り囲むように一体
の円筒型としてもよい。また、第１の電極３及び第２の
電極４は、下部電極２の近傍に配置されているが、上部
電極１の近傍に配置してもよい。
【００１３】第１の電極３及び第２の電極４の表面のプ
ラズマ接触部は、高分子有機化合物からなる樹脂膜８で
夫々被覆されている。尚、樹脂膜８は、第１の電極３及
び第２の電極４の表面を覆わなくてもよく、これら電極
３、４の間に格子構造やハニカム構造の樹脂膜板を介す
るようにしてもよく、樹脂棒を介するようにしてもよ
い。また、樹脂膜８を構成する樹脂の成分は、炭素を含
有するものであればよく、フォトレジスト膜でもよい。
ラズマ接触部は、高分子有機化合物からなる樹脂膜８で
夫々被覆されている。尚、樹脂膜８は、第１の電極３及
び第２の電極４の表面を覆わなくてもよく、これら電極
３、４の間に格子構造やハニカム構造の樹脂膜板を介す
るようにしてもよく、樹脂棒を介するようにしてもよ
い。また、樹脂膜８を構成する樹脂の成分は、炭素を含
有するものであればよく、フォトレジスト膜でもよい。
【００１４】検知器１０は、プラズマ中のＣＯ又はＣＯ
2 等の炭素ガスの発光スペクトルを検知する。制御器１
２は、検知器１０によって検知されたＣＯ又はＣＯ2 等
の発光スペクトルの発光レベルに応じて、例えば高周波
電源５のスイッチを開閉することによって高周波電源５
の出力を変化させる機能を有する。また、高周波電源
５、６は夫々接地されている。
2 等の炭素ガスの発光スペクトルを検知する。制御器１
２は、検知器１０によって検知されたＣＯ又はＣＯ2 等
の発光スペクトルの発光レベルに応じて、例えば高周波
電源５のスイッチを開閉することによって高周波電源５
の出力を変化させる機能を有する。また、高周波電源
５、６は夫々接地されている。
【００１５】次に、図１に示すプラズマエッチング装置
を用いて、フォトレジスト膜による平坦化を行う方法を
図１及び図２を参照して説明する。
を用いて、フォトレジスト膜による平坦化を行う方法を
図１及び図２を参照して説明する。
【００１６】まず、図２（ａ）に示すように、半導体基
板２１上に、所望形状の導電膜２２ａ、２２ｂを形成し
た後、導電膜２２ａ、２２ｂの全体が覆われるようにシ
リコン酸化膜２３を全面に成膜する。この段階では、シ
リコン酸化膜２３の表面には、導電膜２２ａ、２２ｂの
膜厚に起因する段差形状が残っている。しかる後、全面
にフォトレジスト２４を回転塗布し、半導体基板７を図
１に示すドライエッチング装置の下部電極２上に載置す
る。
板２１上に、所望形状の導電膜２２ａ、２２ｂを形成し
た後、導電膜２２ａ、２２ｂの全体が覆われるようにシ
リコン酸化膜２３を全面に成膜する。この段階では、シ
リコン酸化膜２３の表面には、導電膜２２ａ、２２ｂの
膜厚に起因する段差形状が残っている。しかる後、全面
にフォトレジスト２４を回転塗布し、半導体基板７を図
１に示すドライエッチング装置の下部電極２上に載置す
る。
【００１７】次に、図２（ｂ）に示すように、図示しな
いガス供給システムからＡｒ、ＣＨＦ3 及びＣＦ4 を装
置内に導入し、真空ポンプ（図示せず）を用いて真空処
理室１１内を圧力０．５Ｔｏｒｒに維持する。そして、
高周波電源６にパワー密度３Ｗ／ｃｍ2 の高周波を印加
してエッチングプラズマを形成する。さらに、検知器１
０を作動させ、処理室１１内でのＣＯ又はＣＯ2 等の発
光スペクトルの検出を開始し、フォトレジスト２４のエ
ッチバックを始める。すると、所定時間後、フォトレジ
スト膜厚が一番薄い段差上部のシリコン酸化膜２３が表
面に露出する。
いガス供給システムからＡｒ、ＣＨＦ3 及びＣＦ4 を装
置内に導入し、真空ポンプ（図示せず）を用いて真空処
理室１１内を圧力０．５Ｔｏｒｒに維持する。そして、
高周波電源６にパワー密度３Ｗ／ｃｍ2 の高周波を印加
してエッチングプラズマを形成する。さらに、検知器１
０を作動させ、処理室１１内でのＣＯ又はＣＯ2 等の発
光スペクトルの検出を開始し、フォトレジスト２４のエ
ッチバックを始める。すると、所定時間後、フォトレジ
スト膜厚が一番薄い段差上部のシリコン酸化膜２３が表
面に露出する。
【００１８】次に、図２（ｃ）に示すように、引き続い
て、フォトレジスト２４及びシリコン酸化膜２３の両方
をエッチバックする。このとき、プラズマ中にはシリコ
ン酸化膜２３の反応生成物である酸素や酸化物が供給さ
れるようになる。この供給された酸素や酸化物は、エッ
チングガスに含まれる炭素やフォトレジスト２４の反応
生成物である炭素と反応し、その結果、プラズマ中にＣ
ＯやＣＯ2 が生成される。そして、この生成されたＣＯ
やＣＯ2 の発光スペクトルが検知器１０によって観察さ
れるようになる。
て、フォトレジスト２４及びシリコン酸化膜２３の両方
をエッチバックする。このとき、プラズマ中にはシリコ
ン酸化膜２３の反応生成物である酸素や酸化物が供給さ
れるようになる。この供給された酸素や酸化物は、エッ
チングガスに含まれる炭素やフォトレジスト２４の反応
生成物である炭素と反応し、その結果、プラズマ中にＣ
ＯやＣＯ2 が生成される。そして、この生成されたＣＯ
やＣＯ2 の発光スペクトルが検知器１０によって観察さ
れるようになる。
【００１９】検知器１０はＣＯやＣＯ2 の発光スペクト
ルの検知信号を制御器１２に送る。制御器１２は、高周
波電源５を起動させ、第１の電極３及び第２の電極４に
パワー密度０．５Ｗ／ｃｍ2 を印加する。これにより、
プラズマ中の正イオンは高周波電源５が負電圧のときに
第１の電極３及び第２の電極４に入射し、第１の電極３
及び第２の電極４を被覆している樹脂膜８をスパッタリ
ングするようになる。この結果、樹脂膜８を構成してい
る炭素又は炭素化合物がプラズマ中に放出されてプラズ
マ中の炭素成分が増加し、その炭素又は炭素成分がシリ
コン酸化膜２３の反応生成物である酸素や酸化物と反応
し、ＣＯ又はＣＯ2 となる。従って、シリコン酸化膜２
３から供給される酸素及び酸化物がフォトレジスト２４
と反応する確率が著しく減少し、フォトレジスト２４の
エッチング速度がシリコン酸化膜２３のエッチング速度
に比べて増加することがない。
ルの検知信号を制御器１２に送る。制御器１２は、高周
波電源５を起動させ、第１の電極３及び第２の電極４に
パワー密度０．５Ｗ／ｃｍ2 を印加する。これにより、
プラズマ中の正イオンは高周波電源５が負電圧のときに
第１の電極３及び第２の電極４に入射し、第１の電極３
及び第２の電極４を被覆している樹脂膜８をスパッタリ
ングするようになる。この結果、樹脂膜８を構成してい
る炭素又は炭素化合物がプラズマ中に放出されてプラズ
マ中の炭素成分が増加し、その炭素又は炭素成分がシリ
コン酸化膜２３の反応生成物である酸素や酸化物と反応
し、ＣＯ又はＣＯ2 となる。従って、シリコン酸化膜２
３から供給される酸素及び酸化物がフォトレジスト２４
と反応する確率が著しく減少し、フォトレジスト２４の
エッチング速度がシリコン酸化膜２３のエッチング速度
に比べて増加することがない。
【００２０】さらに、エッチバックの進行とともに被エ
ッチング面積はフォトレジスト２４主体からシリコン酸
化膜２３主体に移ってくる。そして、この被エッチング
面積比の変化に伴って検知器１０で検知されるＣＯやＣ
Ｏ2 の発光スペクトル等の発光レベルが増加する。制御
器１２は、この発光レベルの増加に応じて、それに見合
った分だけ高周波電源５の出力を増加させ、樹脂膜８か
ら放出されるプラズマ中の炭素又は炭素成分を増加させ
る。その結果、エッチバックの進行とともにシリコン酸
化膜２３の反応生成物である酸素や酸化物の供給が増大
しても、フォトレジスト２４のエッチング速度が増大す
ることがなくなる。従って、フォトレジスト２４のエッ
チング速度を一定に、即ち、フォトレジスト２４とシリ
コン酸化膜２３のエッチング選択比を１のままに保つこ
とができる。
ッチング面積はフォトレジスト２４主体からシリコン酸
化膜２３主体に移ってくる。そして、この被エッチング
面積比の変化に伴って検知器１０で検知されるＣＯやＣ
Ｏ2 の発光スペクトル等の発光レベルが増加する。制御
器１２は、この発光レベルの増加に応じて、それに見合
った分だけ高周波電源５の出力を増加させ、樹脂膜８か
ら放出されるプラズマ中の炭素又は炭素成分を増加させ
る。その結果、エッチバックの進行とともにシリコン酸
化膜２３の反応生成物である酸素や酸化物の供給が増大
しても、フォトレジスト２４のエッチング速度が増大す
ることがなくなる。従って、フォトレジスト２４のエッ
チング速度を一定に、即ち、フォトレジスト２４とシリ
コン酸化膜２３のエッチング選択比を１のままに保つこ
とができる。
【００２１】次に、図２（ｄ）に示すように、全面にシ
リコン酸化膜２３が露出した段階でエッチングを停止す
る。このとき、シリコン酸化膜２３とフォトレジスト２
４のエッチング選択比が１に維持されていたので、シリ
コン酸化膜２３の表面は略平坦になっている。
リコン酸化膜２３が露出した段階でエッチングを停止す
る。このとき、シリコン酸化膜２３とフォトレジスト２
４のエッチング選択比が１に維持されていたので、シリ
コン酸化膜２３の表面は略平坦になっている。
【００２２】
【発明の効果】本発明によれば、樹脂膜からプラズマ中
に供給される有機物がシリコン酸化膜から供給される酸
素及び酸化物と反応してＣＯ又はＣＯ2 となるので、シ
リコン酸化膜から供給される酸素及び酸化物がフォトレ
ジストと反応する確率が著しく減少する。従って、フォ
トレジストのエッチング速度の増大を抑制でき、フォト
レジストとシリコン酸化膜とのエッチング選択比を常に
１に維持したままエッチバックができるので、表面を確
実に平坦化することができる。よって、後に形成される
配線等の断線を防止でき、高い信頼性の半導体装置を製
造することが可能になる。
に供給される有機物がシリコン酸化膜から供給される酸
素及び酸化物と反応してＣＯ又はＣＯ2 となるので、シ
リコン酸化膜から供給される酸素及び酸化物がフォトレ
ジストと反応する確率が著しく減少する。従って、フォ
トレジストのエッチング速度の増大を抑制でき、フォト
レジストとシリコン酸化膜とのエッチング選択比を常に
１に維持したままエッチバックができるので、表面を確
実に平坦化することができる。よって、後に形成される
配線等の断線を防止でき、高い信頼性の半導体装置を製
造することが可能になる。
【図１】本発明の実施例の半導体製造装置の概略図であ
る。
る。
【図２】図１の装置によりエッチングを行う方法を工程
順に示した断面図である。
順に示した断面図である。
１ 上部電極 ２ 下部電極 ３ 第１の電極 ４ 第２の電極 ５、６ 高周波電源 ７、２１ 半導体基板 ８ 樹脂膜 １０ 検知器 １２ 制御器 ２２ａ、２２ｂ 導電膜 ２３ シリコン酸化膜 ２４ フォトレジスト
Claims (1)
- 【請求項１】 第１の高周波電源に接続された基板載置
用電極及びこれと平行に設置された対向電極を処理室内
に有し、上記基板載置用電極と上記対向電極との間に生
成された反応性ガスプラズマによって上記基板載置用電
極上に載置された基板をドライエッチングする半導体製
造装置において、 上記基板載置用電極の近傍に配置されており、且つ、少
なくとも炭素を含有する膜で覆われた互いに対向する一
対の電極と、 上記一対の電極間に高周波電圧を印加する第２の高周波
電源と、 上記処理室内の炭素系ガスの発光スペクトルを検出する
発光スペクトル検出器と、 上記発光スペクトル検出器のデータを基に上記第２の高
周波電源のスイッチを開閉するスイッチング手段とを具
備することを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16899294A JPH0817805A (ja) | 1994-06-28 | 1994-06-28 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16899294A JPH0817805A (ja) | 1994-06-28 | 1994-06-28 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0817805A true JPH0817805A (ja) | 1996-01-19 |
Family
ID=15878352
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16899294A Withdrawn JPH0817805A (ja) | 1994-06-28 | 1994-06-28 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0817805A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11145118A (ja) * | 1997-11-06 | 1999-05-28 | Nec Corp | エッチング方法およびエッチング装置 |
| JPH11195644A (ja) * | 1997-07-22 | 1999-07-21 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置の製造装置及びその製造方法 |
| US6927173B2 (en) | 1996-04-26 | 2005-08-09 | Renesas Technology Corp. | Plasma processing method |
| JP2005259805A (ja) * | 2004-03-09 | 2005-09-22 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマエッチング処理装置及び処理方法。 |
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1994
- 1994-06-28 JP JP16899294A patent/JPH0817805A/ja not_active Withdrawn
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