JPH0817817A - Ｓｏｇ膜の成膜方法及びｓｏｇコータ - Google Patents
Ｓｏｇ膜の成膜方法及びｓｏｇコータInfo
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- JPH0817817A JPH0817817A JP17170794A JP17170794A JPH0817817A JP H0817817 A JPH0817817 A JP H0817817A JP 17170794 A JP17170794 A JP 17170794A JP 17170794 A JP17170794 A JP 17170794A JP H0817817 A JPH0817817 A JP H0817817A
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- nozzle
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- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 ＳＯＧ膜の周縁部がウェハエッジより多少内
方に後退しているような理想的な形状を形成するように
したＳＯＧ膜の成膜方法及びＳＯＧコータを提供する。 【構成】 ウェハＷを載せて一体的に回転する回転円板
１２と、ウェハＷ上にＳＯＧソースを吐出する吐出ノズ
ル１４と、希ＨＦ液を吐出する希ＨＦ液ノズル１６と、
エッジリンス液を吐出するリンス液ノズル１８とを備え
ている。上方に開口を有するカップ２０の底部にはＳＯ
Ｇソース液、希ＨＦ液及びリンス液を排出すると共にカ
ップの排気を行う排気／廃液手段２２が設けてある。更
に、希ＨＦ液から生じたＨＦガス等の発生ガスを排気す
るために、酸排気ダクト２４が設けてある。希ＨＦ液ノ
ズル及びリンス液ノズルのノズル口は、それぞれ回転円
板上に載るウェハのエッジ部に臨むように位置決めされ
ている。
方に後退しているような理想的な形状を形成するように
したＳＯＧ膜の成膜方法及びＳＯＧコータを提供する。 【構成】 ウェハＷを載せて一体的に回転する回転円板
１２と、ウェハＷ上にＳＯＧソースを吐出する吐出ノズ
ル１４と、希ＨＦ液を吐出する希ＨＦ液ノズル１６と、
エッジリンス液を吐出するリンス液ノズル１８とを備え
ている。上方に開口を有するカップ２０の底部にはＳＯ
Ｇソース液、希ＨＦ液及びリンス液を排出すると共にカ
ップの排気を行う排気／廃液手段２２が設けてある。更
に、希ＨＦ液から生じたＨＦガス等の発生ガスを排気す
るために、酸排気ダクト２４が設けてある。希ＨＦ液ノ
ズル及びリンス液ノズルのノズル口は、それぞれ回転円
板上に載るウェハのエッジ部に臨むように位置決めされ
ている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ウェハ上にＳＯＧ膜を
回転塗布するＳＯＧコータに関し、更に詳細には、ウェ
ハ上にＳＯＧ膜を回転塗布する際に、ＳＯＧ膜周縁部が
ウェハエッジ部より多少内方に後退するようにＳＯＧ膜
を成膜するようにしたＳＯＧコータに関するものであ
る。
回転塗布するＳＯＧコータに関し、更に詳細には、ウェ
ハ上にＳＯＧ膜を回転塗布する際に、ＳＯＧ膜周縁部が
ウェハエッジ部より多少内方に後退するようにＳＯＧ膜
を成膜するようにしたＳＯＧコータに関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造において、ＳＯＧ（Sp
in on Glass)膜は、層間絶縁膜として、或いは形成した
膜の平坦化を行うために多用されている。ＳＯＧ膜は、
SiO Xをアルコール等の揮発性有機溶媒に溶解したソー
スと呼ばれる薬液をウェハ上に流下させ、ウェハを高速
で回転させることにより、ウェハ全面に引き延ばされる
ようにして成膜される。ウェハ上にＳＯＧ膜を回転塗布
するには、ＳＯＧコータと呼ばれる装置が使用されてい
る。
in on Glass)膜は、層間絶縁膜として、或いは形成した
膜の平坦化を行うために多用されている。ＳＯＧ膜は、
SiO Xをアルコール等の揮発性有機溶媒に溶解したソー
スと呼ばれる薬液をウェハ上に流下させ、ウェハを高速
で回転させることにより、ウェハ全面に引き延ばされる
ようにして成膜される。ウェハ上にＳＯＧ膜を回転塗布
するには、ＳＯＧコータと呼ばれる装置が使用されてい
る。
【０００３】図３は、従来のＳＯＧコータを模式的に示
した断面構造図である。従来のＳＯＧコータは、Siウェ
ハＷを載せて一体的に回転する回転円板１２と、回転円
板１２を矢印の方向に回転させる回転機構（図示せず）
と、ウェハＷ上にＳＯＧソースを吐出する吐出ノズル１
４と、エッジリンス液を吐出するリンス液ノズルＭとを
備え、更に金属製カップＮがそれらを収容している。ま
た、カップＮの底部にはカップ側壁に飛散し、流下した
ＳＯＧソース液及びリンス液を排出すると共にカップ１
８の排気を行う排気／廃液手段２２が設けてある。
した断面構造図である。従来のＳＯＧコータは、Siウェ
ハＷを載せて一体的に回転する回転円板１２と、回転円
板１２を矢印の方向に回転させる回転機構（図示せず）
と、ウェハＷ上にＳＯＧソースを吐出する吐出ノズル１
４と、エッジリンス液を吐出するリンス液ノズルＭとを
備え、更に金属製カップＮがそれらを収容している。ま
た、カップＮの底部にはカップ側壁に飛散し、流下した
ＳＯＧソース液及びリンス液を排出すると共にカップ１
８の排気を行う排気／廃液手段２２が設けてある。
【０００４】次に説明するパーティクルの発生防止の点
から、ＳＯＧ膜は、図２（ａ）に示すように、その周縁
部がウェハエッジより内方に多少（好適には、３mm程
度）後退しているのが望ましい。しかし、ＳＯＧコータ
を使用してＳＯＧ膜を形成する際、ＳＯＧ膜を回転塗布
したままの状態では、ＳＯＧ膜が、図２（ｂ）のよう
に、ウェハの上面からウェハエッジ部の側縁に沿ってオ
ーバハングした状態に成膜されている。ＳＯＧ膜がこの
ような状態に成膜されているウェハは、後続の工程に移
行されて、ＳＯＧ膜周縁部がそこの装置の部品、部位に
接触すると、ＳＯＧ膜のオーバハングした部分が欠けて
発塵し、パーティクルが発生すると言う問題がある。そ
こで、回転塗布中にイソプロパノールアルコール（ＩＰ
Ａ）やシクロヘキサノン（CH2(CH2)4O) 等の有機溶剤を
ウェハエッジ部に噴射し、ウェハエッジ部にオーバハン
グした不要なＳＯＧ膜を溶解、除去している。
から、ＳＯＧ膜は、図２（ａ）に示すように、その周縁
部がウェハエッジより内方に多少（好適には、３mm程
度）後退しているのが望ましい。しかし、ＳＯＧコータ
を使用してＳＯＧ膜を形成する際、ＳＯＧ膜を回転塗布
したままの状態では、ＳＯＧ膜が、図２（ｂ）のよう
に、ウェハの上面からウェハエッジ部の側縁に沿ってオ
ーバハングした状態に成膜されている。ＳＯＧ膜がこの
ような状態に成膜されているウェハは、後続の工程に移
行されて、ＳＯＧ膜周縁部がそこの装置の部品、部位に
接触すると、ＳＯＧ膜のオーバハングした部分が欠けて
発塵し、パーティクルが発生すると言う問題がある。そ
こで、回転塗布中にイソプロパノールアルコール（ＩＰ
Ａ）やシクロヘキサノン（CH2(CH2)4O) 等の有機溶剤を
ウェハエッジ部に噴射し、ウェハエッジ部にオーバハン
グした不要なＳＯＧ膜を溶解、除去している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、有機溶剤を使
用してエッジリンスを施すと、塗布直後のＳＯＧ膜は、
その粘性が有機溶剤の影響により低下し、エッジリンス
液の圧力により逆に図２（ｃ）に示すように内方に押し
戻される。そのため、隆起部がウェハエッジ部に沿って
形成され、前述したパーティクル発生と同じ問題を発生
する。そこで、本発明の目的は、ＳＯＧ膜の周縁部がウ
ェハエッジ近傍でオーバハング、又は隆起部を形成する
ことなく、ウェハエッジより多少内方に後退しているよ
うな理想的な形状を形成するようにしたＳＯＧ膜の成膜
方法及びＳＯＧコータを提供することである。
用してエッジリンスを施すと、塗布直後のＳＯＧ膜は、
その粘性が有機溶剤の影響により低下し、エッジリンス
液の圧力により逆に図２（ｃ）に示すように内方に押し
戻される。そのため、隆起部がウェハエッジ部に沿って
形成され、前述したパーティクル発生と同じ問題を発生
する。そこで、本発明の目的は、ＳＯＧ膜の周縁部がウ
ェハエッジ近傍でオーバハング、又は隆起部を形成する
ことなく、ウェハエッジより多少内方に後退しているよ
うな理想的な形状を形成するようにしたＳＯＧ膜の成膜
方法及びＳＯＧコータを提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係るＳＯＧ膜の成膜方法は、垂直回転軸に
直交する回転板上に載せたウェハの上面にＳＯＧソース
を流下させ、回転板と共にウェハを回転させることによ
り回転塗布して、ウェハ上にＳＯＧ膜を成膜する方法に
おいて、回転するウェハのエッジ部近傍に延在するＳＯ
Ｇ膜に希ＨＦ液を接触させてエッチングし、更に希ＨＦ
液に接触したＳＯＧ膜部分にリンス液を流してリンスす
ることを特徴としている。
に、本発明に係るＳＯＧ膜の成膜方法は、垂直回転軸に
直交する回転板上に載せたウェハの上面にＳＯＧソース
を流下させ、回転板と共にウェハを回転させることによ
り回転塗布して、ウェハ上にＳＯＧ膜を成膜する方法に
おいて、回転するウェハのエッジ部近傍に延在するＳＯ
Ｇ膜に希ＨＦ液を接触させてエッチングし、更に希ＨＦ
液に接触したＳＯＧ膜部分にリンス液を流してリンスす
ることを特徴としている。
【０００７】希ＨＦ液の濃度は、希ＨＦ液によるＳＯＧ
膜周縁部のエッチングレートに応じて定められる。リン
ス液としては、希ＨＦ液を洗浄できるものであれば良
く、例えば純水を使用する。
膜周縁部のエッチングレートに応じて定められる。リン
ス液としては、希ＨＦ液を洗浄できるものであれば良
く、例えば純水を使用する。
【０００８】また、上記成膜方法を実施する本発明に係
るＳＯＧコータは、垂直回転軸に直交する回転面を備え
た回転板と、回転面上に載置されたウェハの上面にＳＯ
Ｇソースを吐出する吐出ノズルとを備え、ウェハの上面
にＳＯＧ膜を回転塗布するＳＯＧコータにおいて、回転
板上のウェハのエッジ部近傍にそれぞれノズル口を臨ま
せた希ＨＦ液ノズル及びリンス液ノズルを備え、回転板
を囲むカップが耐酸性材料で形成されていることを特徴
としている。
るＳＯＧコータは、垂直回転軸に直交する回転面を備え
た回転板と、回転面上に載置されたウェハの上面にＳＯ
Ｇソースを吐出する吐出ノズルとを備え、ウェハの上面
にＳＯＧ膜を回転塗布するＳＯＧコータにおいて、回転
板上のウェハのエッジ部近傍にそれぞれノズル口を臨ま
せた希ＨＦ液ノズル及びリンス液ノズルを備え、回転板
を囲むカップが耐酸性材料で形成されていることを特徴
としている。
【０００９】希ＨＦ液ノズルのノズル口及びリンス液ノ
ズルのノズル口は、希ＨＦ液によるエッチングにより、
ＳＯＧ膜の周縁部がウェハエッジに対して図２（ａ）に
示すような理想的な位置関係になるようにそれぞれ位置
決めされる。カップを形成する耐酸性材料は、希ＨＦ液
に対して耐久性を備えた材料である限り特に限定はな
く、例えばＰＴＦＥ等の合成樹脂、或いは耐酸性合成樹
脂で内張りされた金属材料を使用できる。
ズルのノズル口は、希ＨＦ液によるエッチングにより、
ＳＯＧ膜の周縁部がウェハエッジに対して図２（ａ）に
示すような理想的な位置関係になるようにそれぞれ位置
決めされる。カップを形成する耐酸性材料は、希ＨＦ液
に対して耐久性を備えた材料である限り特に限定はな
く、例えばＰＴＦＥ等の合成樹脂、或いは耐酸性合成樹
脂で内張りされた金属材料を使用できる。
【００１０】本発明に係る別のＳＯＧコータは、垂直回
転軸に直交する回転面を備えた回転板と、回転面上に載
置されたウェハの上面にＳＯＧソースを吐出する吐出ノ
ズルとを備え、ウェハの上面にＳＯＧ膜を回転塗布する
ＳＯＧコータにおいて、回転板上のウェハのエッジ部近
傍にノズル口を臨ませた別の液ノズルを備え、回転板を
囲むカップが耐酸性材料で形成されており、各ウェハ毎
に別のノズルから希ＨＦ液を吐出し、次いでリンス液を
吐出するようにしたことを特徴としている。
転軸に直交する回転面を備えた回転板と、回転面上に載
置されたウェハの上面にＳＯＧソースを吐出する吐出ノ
ズルとを備え、ウェハの上面にＳＯＧ膜を回転塗布する
ＳＯＧコータにおいて、回転板上のウェハのエッジ部近
傍にノズル口を臨ませた別の液ノズルを備え、回転板を
囲むカップが耐酸性材料で形成されており、各ウェハ毎
に別のノズルから希ＨＦ液を吐出し、次いでリンス液を
吐出するようにしたことを特徴としている。
【００１１】本発明装置の望ましい実施態様では、ウェ
ハエッジと希ＨＦ液ノズルのノズル口の双方に接近した
位置に排気口を有する酸排気ダクトを設けたことを特徴
とし、又はウェハエッジと別のノズルのノズル口の双方
に接近した位置に排気口を有する酸排気ダクトを設けた
ことを特徴としている。酸排気ダクトは、吸引装置に接
続されていて、ＨＦガス及びその他発生ガスを吸引し
て、排気するために設けてある。
ハエッジと希ＨＦ液ノズルのノズル口の双方に接近した
位置に排気口を有する酸排気ダクトを設けたことを特徴
とし、又はウェハエッジと別のノズルのノズル口の双方
に接近した位置に排気口を有する酸排気ダクトを設けた
ことを特徴としている。酸排気ダクトは、吸引装置に接
続されていて、ＨＦガス及びその他発生ガスを吸引し
て、排気するために設けてある。
【００１２】
【作用】ＳＯＧ膜は、SiO2で構成されている。本発明
は、ＳＯＧ膜の周縁部を希ＨＦ液でエッチングすると、
次の化学式により、希ＨＦ液に触れたSiO2が希ＨＦ液に
溶解すると言う現象を利用している。 SiO2＋４HF＝SiF4＋２H2O 次いで、純水等のリンス液を希ＨＦ液との接触部に流
し、過剰の希ＨＦ液及び生じたSiF4を洗浄する。その結
果、ＳＯＧ膜の縁部がウェハエッジ部より内方に後退す
る。
は、ＳＯＧ膜の周縁部を希ＨＦ液でエッチングすると、
次の化学式により、希ＨＦ液に触れたSiO2が希ＨＦ液に
溶解すると言う現象を利用している。 SiO2＋４HF＝SiF4＋２H2O 次いで、純水等のリンス液を希ＨＦ液との接触部に流
し、過剰の希ＨＦ液及び生じたSiF4を洗浄する。その結
果、ＳＯＧ膜の縁部がウェハエッジ部より内方に後退す
る。
【００１３】
【実施例】以下、添付図面を参照し、実施例に基づいて
本発明をより詳細に説明する。図１は、本発明に係るＳ
ＯＧコータの一実施例の構成を示す模式的断面図であ
る。図１に示す部品、部位のうち図３に示すものと同じ
ものには同じ符号を付している。本実施例のＳＯＧコー
タ１０は、ウェハＷを載せて一体的に回転する回転円板
１２と、回転円板１２を矢印の方向に回転させる回転機
構（図示せず）と、ウェハＷ上にＳＯＧソースを吐出す
る吐出ノズル１４と、希ＨＦ液を吐出する希ＨＦ液ノズ
ル１６と、エッジリンス液を吐出するリンス液ノズル１
８とを備えている。
本発明をより詳細に説明する。図１は、本発明に係るＳ
ＯＧコータの一実施例の構成を示す模式的断面図であ
る。図１に示す部品、部位のうち図３に示すものと同じ
ものには同じ符号を付している。本実施例のＳＯＧコー
タ１０は、ウェハＷを載せて一体的に回転する回転円板
１２と、回転円板１２を矢印の方向に回転させる回転機
構（図示せず）と、ウェハＷ上にＳＯＧソースを吐出す
る吐出ノズル１４と、希ＨＦ液を吐出する希ＨＦ液ノズ
ル１６と、エッジリンス液を吐出するリンス液ノズル１
８とを備えている。
【００１４】更に、ＳＯＧコータ１０は、それらを収容
するために、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）
製の上方に開口を有するカップ２０を備えている。ま
た、カップ２０の底部には、カップ側壁に飛散し、流下
したＳＯＧソース液、希ＨＦ液及びリンス液を排出する
と共にカップ２０の排気を行う排気／廃液手段２２が設
けてある。更に、希ＨＦ液から生じたＨＦガス等の発生
ガスを排気するために、酸排気ダクト２４が設けてあ
る。
するために、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）
製の上方に開口を有するカップ２０を備えている。ま
た、カップ２０の底部には、カップ側壁に飛散し、流下
したＳＯＧソース液、希ＨＦ液及びリンス液を排出する
と共にカップ２０の排気を行う排気／廃液手段２２が設
けてある。更に、希ＨＦ液から生じたＨＦガス等の発生
ガスを排気するために、酸排気ダクト２４が設けてあ
る。
【００１５】吐出ノズル１４のノズル口は、回転円板１
２のほぼ中心に臨む位置に位置している。希ＨＦ液ノズ
ル１６及びリンス液ノズル１８のノズル口は、回転円板
１２上に載るウェハＷのエッジ部に臨む位置にそれぞれ
配置されていて、ＳＯＧ膜周縁部が希ＨＦ液によるエッ
チングにより図２（ａ）に示すようにウェハエッジより
約３mm内方に後退するように、位置決めされている。酸
排気ダクト２４の吸い込み口２６は、ウェハエッジ部と
吐出ノズル１４のノズル口の双方に近接した位置に設け
られ、酸排気ダクト２４の他端は真空吸引装置に接続さ
れている。これにより、酸排気ダクト２４は、希ＨＦ液
ノズル１４から排出されるＨＦガス及びその他発生ガス
を吸引排気することができる。
２のほぼ中心に臨む位置に位置している。希ＨＦ液ノズ
ル１６及びリンス液ノズル１８のノズル口は、回転円板
１２上に載るウェハＷのエッジ部に臨む位置にそれぞれ
配置されていて、ＳＯＧ膜周縁部が希ＨＦ液によるエッ
チングにより図２（ａ）に示すようにウェハエッジより
約３mm内方に後退するように、位置決めされている。酸
排気ダクト２４の吸い込み口２６は、ウェハエッジ部と
吐出ノズル１４のノズル口の双方に近接した位置に設け
られ、酸排気ダクト２４の他端は真空吸引装置に接続さ
れている。これにより、酸排気ダクト２４は、希ＨＦ液
ノズル１４から排出されるＨＦガス及びその他発生ガス
を吸引排気することができる。
【００１６】本ＳＯＧコータ１０を使用してＳＯＧ膜の
成膜を行うには、先ず、吐出ノズル１４からＳＯＧソー
スを適量吐出する。ＳＯＧソースが回転塗布によりウェ
ハエッジ部にまで引き延ばされた段階で、希ＨＦ液ノズ
ル１６より希ＨＦ液を吐出し、ウェハエッジ部にオーバ
ハングしたＳＯＧ膜周縁部を溶解する。次いで、リンス
液ノズル１８からリンス液を吐出し、過剰の希ＨＦ液及
び溶けたＳＯＧ膜を除去する。本実施例では、希ＨＦ液
は数％濃度の水溶液であり、リンス液は純水を使用して
いる。これにより、ウェハ上のＳＯＧ膜の縁部は、図２
（ａ）に示すように、ウェハエッジ部より内方に後退す
るので、本ＳＯＧコータを使用してＳＯＧ膜を形成した
場合には、ウェハは、後の工程でパーティクルを発生す
るような問題を有しない。
成膜を行うには、先ず、吐出ノズル１４からＳＯＧソー
スを適量吐出する。ＳＯＧソースが回転塗布によりウェ
ハエッジ部にまで引き延ばされた段階で、希ＨＦ液ノズ
ル１６より希ＨＦ液を吐出し、ウェハエッジ部にオーバ
ハングしたＳＯＧ膜周縁部を溶解する。次いで、リンス
液ノズル１８からリンス液を吐出し、過剰の希ＨＦ液及
び溶けたＳＯＧ膜を除去する。本実施例では、希ＨＦ液
は数％濃度の水溶液であり、リンス液は純水を使用して
いる。これにより、ウェハ上のＳＯＧ膜の縁部は、図２
（ａ）に示すように、ウェハエッジ部より内方に後退す
るので、本ＳＯＧコータを使用してＳＯＧ膜を形成した
場合には、ウェハは、後の工程でパーティクルを発生す
るような問題を有しない。
【００１７】制御装置を設けて、吐出ノズル１４からの
ＳＯＧソースの吐出、希ＨＦ液ノズル１６からの希ＨＦ
液の吐出及びリンス液ノズル１８からのリンス液吐出等
の操作をシーケンス制御するのが一般的である。また、
本実施例では、希ＨＦ液ノズルとリンス液ノズルとはそ
れぞれ別のノズルとしたが、同じノズルを使用して切り
換え使用してもよい。ＨＦガス及びその他発生ガスの排
気を排気／廃液手段２２により代替できる場合には、酸
排気ダクト２４を省略してもよい。
ＳＯＧソースの吐出、希ＨＦ液ノズル１６からの希ＨＦ
液の吐出及びリンス液ノズル１８からのリンス液吐出等
の操作をシーケンス制御するのが一般的である。また、
本実施例では、希ＨＦ液ノズルとリンス液ノズルとはそ
れぞれ別のノズルとしたが、同じノズルを使用して切り
換え使用してもよい。ＨＦガス及びその他発生ガスの排
気を排気／廃液手段２２により代替できる場合には、酸
排気ダクト２４を省略してもよい。
【００１８】
【発明の効果】本発明方法及び発明装置によれば、ウェ
ハエッジ部に形成された不要のＳＯＧ膜を希ＨＦ液によ
り溶解、除去しているので、後の工程でウェハ上に成膜
したＳＯＧ膜が欠けてパーティクルを発生するような問
題が防止できる。また、ＳＯＧ膜の成膜と同時にウェハ
エッジ部のＳＯＧ膜を除去し、ＳＯＧ膜周縁部を整形し
ているので、工程数が増加せず、作業能率が高い。更
に、本発明方法及び発明装置によれば、従来のエッジリ
ンス処理によるＳＯＧ膜の粘性変化を回避できるので、
従来の成膜方法で生じていたような、ＳＯＧ膜のウェハ
エッジ近傍の膜厚が平坦部より厚くなって隆起するよう
な現象が防止される。
ハエッジ部に形成された不要のＳＯＧ膜を希ＨＦ液によ
り溶解、除去しているので、後の工程でウェハ上に成膜
したＳＯＧ膜が欠けてパーティクルを発生するような問
題が防止できる。また、ＳＯＧ膜の成膜と同時にウェハ
エッジ部のＳＯＧ膜を除去し、ＳＯＧ膜周縁部を整形し
ているので、工程数が増加せず、作業能率が高い。更
に、本発明方法及び発明装置によれば、従来のエッジリ
ンス処理によるＳＯＧ膜の粘性変化を回避できるので、
従来の成膜方法で生じていたような、ＳＯＧ膜のウェハ
エッジ近傍の膜厚が平坦部より厚くなって隆起するよう
な現象が防止される。
【図１】本発明に係るＳＯＧコータの一実施例の構成を
示す模式的断面図である。
示す模式的断面図である。
【図２】図２（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）はそれぞれウェ
ハエッジ部とＳＯＧ膜周縁部との関係を示す模式図であ
る。
ハエッジ部とＳＯＧ膜周縁部との関係を示す模式図であ
る。
【図３】従来のＳＯＧコータの構成を示す模式的断面図
である。
である。
１０ ＳＯＧコータ １２ 回転円板 １４ 吐出ノズル １６ 希ＨＦ液ノズル １８ リンス液ノズル１８ ２０ カップ ２２ 排気／廃液手段 ２４ 酸排気ダクト ２６ 吸い込み口
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/31 Ｚ
Claims (5)
- 【請求項１】 垂直回転軸に直交する回転板上に載せた
ウェハの上面にＳＯＧソースを流下させ、回転板と共に
ウェハを回転させることにより回転塗布して、ウェハ上
にＳＯＧ膜を成膜する方法において、 回転するウェハのエッジ部近傍に延在するＳＯＧ膜に希
ＨＦ液を接触させてエッチングし、更に希ＨＦ液に接触
したＳＯＧ膜部分にリンス液を流してリンスすることを
特徴とするＳＯＧ膜の成膜方法。 - 【請求項２】 垂直回転軸に直交する回転面を備えた回
転板と、回転面上に載置されたウェハの上面にＳＯＧソ
ースを吐出する吐出ノズルとを備え、ウェハの上面にＳ
ＯＧ膜を回転塗布するＳＯＧコータにおいて、 回転板上のウェハのエッジ部近傍にそれぞれノズル口を
臨ませた希ＨＦ液ノズル及びリンス液ノズルを備え、 回転板を囲むカップが耐酸性材料で形成されていること
を特徴とするＳＯＧコータ。 - 【請求項３】 ウェハエッジ部と希ＨＦ液ノズルのノズ
ル口の双方に接近した位置に排気口を有する酸排気ダク
トを設けたことを特徴とする請求項２に記載のＳＯＧコ
ータ。 - 【請求項４】 垂直回転軸に直交する回転面を備えた回
転板と、回転面上に載置されたウェハの上面にＳＯＧソ
ースを吐出する吐出ノズルとを備え、ウェハの上面にＳ
ＯＧ膜を回転塗布するＳＯＧコータにおいて、 回転板上のウェハのエッジ部近傍にノズル口を臨ませた
別の液ノズルを備え、 回転板を囲むカップが耐酸性材料で形成されており、 各ウェハ毎に別のノズルから希ＨＦ液を吐出し、次いで
リンス液を吐出するようにしたことを特徴とするＳＯＧ
コータ。 - 【請求項５】 ウェハエッジと別のノズルのノズル口の
双方に接近した位置に排気口を有する酸排気ダクトを設
けたことを特徴とする請求項４に記載のＳＯＧコータ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17170794A JPH0817817A (ja) | 1994-06-30 | 1994-06-30 | Ｓｏｇ膜の成膜方法及びｓｏｇコータ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17170794A JPH0817817A (ja) | 1994-06-30 | 1994-06-30 | Ｓｏｇ膜の成膜方法及びｓｏｇコータ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0817817A true JPH0817817A (ja) | 1996-01-19 |
Family
ID=15928192
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17170794A Pending JPH0817817A (ja) | 1994-06-30 | 1994-06-30 | Ｓｏｇ膜の成膜方法及びｓｏｇコータ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0817817A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6005586A (en) * | 1996-02-17 | 1999-12-21 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Drawing processing apparatus |
| US6033988A (en) * | 1997-01-31 | 2000-03-07 | Kawasaki Steel Corporation | Film forming methods |
| JP2002343704A (ja) * | 2001-05-17 | 2002-11-29 | Nec Corp | 塗付膜形成方法およびその装置 |
| JP2008183559A (ja) * | 2008-04-10 | 2008-08-14 | Tokyo Electron Ltd | 基板の処理方法及び基板の処理装置 |
| WO2011001734A1 (ja) * | 2009-06-30 | 2011-01-06 | 三菱マテリアル株式会社 | Ｃｓｄ塗布膜除去用液及びこれを用いたｃｓｄ塗布膜除去方法並びに強誘電体薄膜とその製造方法 |
| JP2011014649A (ja) * | 2009-06-30 | 2011-01-20 | Mitsubishi Materials Corp | 強誘電体薄膜の製造方法 |
| JP2011040708A (ja) * | 2009-07-13 | 2011-02-24 | Mitsubishi Materials Corp | Ｃｓｄ塗布膜除去用組成物及びこれを用いたｃｓｄ塗布膜除去方法並びに強誘電体薄膜とその製造方法 |
-
1994
- 1994-06-30 JP JP17170794A patent/JPH0817817A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2011014649A (ja) * | 2009-06-30 | 2011-01-20 | Mitsubishi Materials Corp | 強誘電体薄膜の製造方法 |
| US20120100330A1 (en) * | 2009-06-30 | 2012-04-26 | Mitsubishi Materials Corporation | Liquid and method for removing csd coated film, ferroelectric thin film and method for producing the same |
| CN102473625A (zh) * | 2009-06-30 | 2012-05-23 | 三菱综合材料株式会社 | Csd涂布膜除去用液及使用其的csd涂布膜除去方法以及铁电体薄膜及其制造方法 |
| JP2011040708A (ja) * | 2009-07-13 | 2011-02-24 | Mitsubishi Materials Corp | Ｃｓｄ塗布膜除去用組成物及びこれを用いたｃｓｄ塗布膜除去方法並びに強誘電体薄膜とその製造方法 |
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