JPH0817831A - 同平坦面の金属層および二酸化シリコン層の形成方法 - Google Patents

同平坦面の金属層および二酸化シリコン層の形成方法

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JPH0817831A JP6291012A JP29101294A JPH0817831A JP H0817831 A JPH0817831 A JP H0817831A JP 6291012 A JP6291012 A JP 6291012A JP 29101294 A JP29101294 A JP 29101294A JP H0817831 A JPH0817831 A JP H0817831A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】同平坦面の金属層および二酸化シリコン層を有
する構造を基板上に形成する方法を提供すること 【構成】基板７０上にＡｌ−Ｃｕの金属層パターン７２
を形成し、その上に二酸化シリコン層７４を付着する。
金属層パターン７２および二酸化シリコン層７４の表面
が実質的に同平坦面になるまで、シリカ粒子を含む塩基
性スラリを用いて基板上面を化学機械的に研磨する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高性能ＶＬＳＩ半導体チ
ップの製造に関し、さらに具体的には、改善された研摩
スラリを用いる化学機械的研摩技術により基板上に同平
坦面（Ｃｏｐｌａｎａｒ）の金属層／二酸化シリコン絶
縁層を作るための方法に関するものである。この方法は
平坦化されたマルチレベル金属半導体構造の製造に広い
用途を見出すことができる。
【０００２】
【従来技術】半導体チップは接点が金属配線パターンに
より相互接続されたデバイスの配列から成る。ＶＬＳＩ
チップでは、これらの金属パターンを多層化し、絶縁材
料の層により多層化する。それぞれの金属配線パターン
間の相互接続は絶縁材料の層を貫いてエッチングした穴
（すなわちバイヤホール）により行なう。典型的なチッ
プ設計は１つまたは２つの配線レベルから成り、最新の
技術では３つの配線レベルである。回路のコストや性能
に関して製造工程で常に要求されているのは、補足的な
配線レベルによって付加的な処理工程が必要になって
も、その回路に競争力があるということである。しか
し、今日広く用いられているとは言え、バイヤホールを
用いる技術は多くの制限と欠点を有し、図１から理解さ
れるように、金属層の数が増加するに従って配線は増々
難しくなる。
【０００３】図１に示す半導体構造１０は従来技術の典
型的な一例である。それは二酸化シリコン（ＳｉＯ2）
のパターン化された第一の絶縁層１２をその上に有する
所定の導電形のシリコン基板１１から成る。第１レベル
のメタライズをバイヤホール１４を介して基板の領域１
５と電気的に接触する金属ランド１３により表す。それ
は、たとえばオーミックコンタクトとして、バイボーラ
・トランジスタ（図示せず）のエミッタ領域と接触す
る。金属ランド１６により表される第２レベルのメタラ
イズは第２の絶縁層１８のバイヤホール１７を介して金
属ランド１３と電気的に接触する。この構造を第３の絶
縁層１９でパッシベートする。第２図に示す構造は必ず
しも一定の寸法比で描かれているわけではないが、標準
的な工程で得られる平坦性からはほど遠い非常に不規則
な表面を与えることがわかる。
【０００４】そのような構造で知られている問題点は、
第１に、層間の絶縁層が薄くなることに帰因する第１お
よび第２レベルのメタライズ間の位置Ａにおける電位短
絡であり、第２に、位置Ｂにおける金属層が薄くなるこ
とに帰因する位置Ｂでの電位開放の問題（いわゆるネッ
キング効果）である。これらの問題はこの産業で要求さ
れている高水準の信頼性にとっては受け入れ難いもので
ある。したがって、現在真剣に必要とされているのは、
そのような不規則な表面を平坦化するという問題を解決
するためにバイヤホール技術を改善することである。
【０００５】最新の平坦化技術の典型的な一例は、ヨー
ロッパ特許出願番号８０３０２４５７．９に見出すこと
ができる。この参照文献によれば、半導体構造の表面に
おけるどのような種類の突起も次の工程により除去する
ことができる。すなわち、上記表面にほぼ平坦な表面を
有するフォトレジスの層を形成し、次にフォトレジスト
と上記突起を形成する材料の両方を同じ速度でエッチン
グする反応ガスを用いてこの構造の上部表面を乾式エッ
チングする。除去される材料が燐ケイ酸塩ガラス（ＰＳ
Ｇ）のときは、反応ガスは弗素化合物と酸素の混合物で
あり、材料がアルミニウムのときは、反応ガスは塩素を
ベースとした化合物と水素または酸素の混合物である。
それぞれの材料に対して反応ガスを適切に選択しなけれ
ばならない。
【０００６】レジスト平坦化媒体を有する金属のプラズ
マ・エッチングまたは反応性イオン・エッチング（ＲＩ
Ｅ）は半導体デバイスを平坦化するための好ましい方法
に見えるが、それらの技術に固有な限界を有する。第１
に、これらの技術は全ての金属に用いることはできず、
揮発性反応生成物を形成する金属にのみ用いることがで
きる。また、アルミニウムでは、この金属の表面におけ
る薄いＡｌ2Ｏ3層を除去する必要があるため、複雑で制
御困難な工程が必要になることが報告されている。最後
にＲＩＥ工程は複雑で費用がかかる。さらに、レジスト
の使用は汚染源にもなり得る。
【０００７】金属および絶縁体を平坦化するため化学機
械的研摩工程を用いることについてはこれまで全く提案
されていなかった。試験目的のために、第２レベルのメ
タライズにおけるアルミニウム・ランドの急速除去に機
械的研摩（すなわち磨耗研摩）を使用することが、Ｃ．
Ｈ．スクリブナ（Ｓｃｒｉｖｎｅｒ）により書かれた２
つの論文に最近報告された。
【０００８】ＩＢＭテクニカル・ディスクロージャ・ブ
ルテン、Ｖｏ１．２０、Ｎｏ．１１Ａ、Ｐ．４４３０−
４４３１、１９７８年４月に発表された第１の論文に
は、試験用チップの第２レベルにおける金属を除去する
ために、ウエハ全体を並行研摩することが示されてい
る。研磨スラリの組成は明らかにされていないが、水を
ベースとしたシリカまたはアルミナ・スラリのような標
準的研摩スラリを用いることができる。
【０００９】さらに、研摩スラリの使用に関する情報は
ＩＢＭテクニカル・ディスクロージャ・ブルテンＶｏ
１．２４、Ｎｏ．４、１９８１年、Ｐ．２１３８に発表
された第２の論文に見出すことができる。この文献によ
れば、試験用チップまたはそれを含む１枚のウエハを金
属スタッド（直径２．５ｃｍ）上に載せ、次にそれをチ
ップの表面を研摩する市販の並行研摩装置の中に挿入す
る。この論文は前に引用した技術の欠点をはっきりと指
摘し、具体的には、研摩工程がウエハにとって破壊的で
あると述べている。
【００１０】Ｔ．フナツ（Ｆｕｎａｔｓｕ）への米国特
許第４３７５６７５号はＳｉ3Ｎ4エッチング停止層に対
してポリシリコン充填物の選択的な化学機械的除去を行
なうため、アルカリ添加剤を有するアルミナ・スラリを
用いるポリシリコン分離平坦化工程について記載してい
る。同様な開示を米国特許第３９１１５６２号に見出す
ことができる。
【００１１】平坦化技術は、金属やポリシリコンを除去
して平坦化する場合だけでなく、絶縁層を除去して平坦
化する場合にも必要になる。最も典型的な場合は、二酸
化シリコン絶縁層を除去して同平坦面の金属層／二酸化
シリコン絶縁層を作る場合である。しかし、これまで
は、このような平坦化の目的を満たすのに適した化学機
械的研摩技術は提案されていなかった。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
主な目的は、複雑で、制御が困難で、費用がかかり、さ
らに汚染のもととなる乾式エッチング平坦化技術を必要
とすることなく、同平坦面の金属層／二酸化シリコン絶
縁層を形成するための方法を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】同平坦面の金属層および
二酸化シリコン層を備えた構造を基板上に形成する本発
明の方法は、基板上に、金属層パターンを形成し、この
金属層パターン上に二酸化シリコン層を付着する。そし
て、金属層パターンおよび二酸化シリコン層が実質的に
同平坦面になるまで、シリカ粒子を含む塩基性スラリを
用いて基板上面を化学機械的に研磨することを特徴とす
る。
【００１４】
【実施例】図２〜図６は、本願の親出願である特願昭６
１−２１４２２４号（特開昭６２−１０２５４３号）の
第１Ａ図、第１Ｂ図、第３Ａ図、第３Ｂ図および第４図
と対応する図であり、図７は本発明の実施例を示してい
る。図２〜図６は、Ａｌ−Ｃｕのようなアルミニウムを
ベースとする合金を化学機械的に研磨して、同平坦面の
金属層／絶縁層を作る場合を例示している。先ず、図２
〜図６を説明し、次いで第７図の実施例を説明する。
【００１５】図２は、絶縁層２２を上に有する半導体ま
たは絶縁体でよい基板２１から成る構造２０を示してい
る。たとえば、層２２を形成する誘電体は厚さが所期の
金属の厚さと下側にある誘電体の厚さ（ゼロの場合もあ
り得る）の和に等しいスパッタリングされた二酸化シリ
コンでよい。研摩停止層、たとえばＳｉ3Ｎ4を研摩での
一層良好な厚さの制御のためＳｉＯ2（石英）の上部に
付着することができる。層２２を標準的なフォトリトグ
ラフィ技術でパターン化して、所期のパターン、たとえ
ばトレンチ２４を生じる。トレンチとは、絶縁層の厚さ
を部分的に、または完全に貫通してもよい任意の形状の
くぼみを意味する。次にトレンチに金属を満たし、たと
えば金属線条２３ａを作る。Ａｌ−Ｃｕ合金のような高
導電性金属層２３が構造に一律に付着され、さらにトレ
ンチ２４を満たす。以下の方法に従って、合金をスパッ
タリングされたＳｉＯ2の上部表面まで除去し、トレン
チ内のものはそのままにしておく。
【００１６】構造を直径１８インチのストラスバーク
（Ｓｔｒａｓｂａｕｇｈ）片面研摩装置のような市販の
並行研摩装置、またはＩＢＭテクニカル・ディスクロー
ジャ・ブルテイン、Ｖｏ１．１５、Ｎｏ．６、１９７２
年１１月、Ｐ．１７６０〜１７６１に記載された装置の
中に置く。好ましい組成の研摩スラリを２つの異なる方
法で調整することができる。１リットルのＤＩ水中に浮
遊する１グラムのＡｌ2Ｏ3粉末（０．０６ミクロンの寸
法）を９０ｃｃのＤＩ水中における１０ミリリットルの
ＨＮＯ3の容液と混合し、約３のｐＨを得る。または、
２台のポンプ装置を用いて、硝酸をニードル弁により第
１の溶液に加えて同じｐＨを得る。その他の研摩条件を
以下に要約する。
【００１７】研摩媒体：ｐＨが約３の酸をベースとした
アルミナ・スラリ スラリ流速：１２０ｃｃ／分 研摩圧：１４００〜５７００Ｋｇ／ｍ2 研摩バッド：ローデル（Ｒｏｄｅｌ）２１０ Ｉ２ （ローデル・プロダクツ社製） 水をベースとしたアルミナ・スラリを単独または別の希
酸と組合せて用いて、Ａｌ−Ｃｕ合金およびスパッタリ
ングされたＳｉＯ2の研摩速度を測定した。その結果を
下の表Ｉに示す。
【００１８】 表 Ｉ 番号 ス ラ リ Ａｌ−Ｃｕ スパッタリング エッチング さ れ た 組 成 速 度 ＳｉＯ2速度 速 度 比 １ アルミナ＋ＤＩ水 ３０ｎｍ／分 ３０ｎｍ／分 １ ２ アルミナ＋ＤＩ水 ８５ｎｍ／分 ３３ｎｍ／分 ３ ＋硫酸（ｐＨ２．２） ３ アルミナ＋ＤＩ水 １０７ｎｍ／分 ８ｎｍ／分 １３ ＋硫酸（ｐＨ２．２） ４ アルミナ＋ＤＩ水 １５０ｎｍ／分 ４２５ｎｍ／分 ３ ＋酢酸（ｐＨ２．８）
【００１９】表Ｉの試験は酸の添加が水をベースとした
アルミナ・スラリのエッチング能力をある程度（事例２
および４）または大幅に（事例３）改善することを示
す。水をベースとしたアルミナ・スラリは金属を除去し
たり金属試料を調整するため研摩剤として一般に用いら
れてきたり、さらに上述のように、試験または調査のた
め半導体構造の表面から金属ランドを除去するため用い
られてきたことは明らかである。しかし、事例１から明
らかなように、水中のＡｌ2Ｏ3の使用はＡｌ−Ｃｕとス
パッタリングされたＳｉＯ2間に所期の除去選択性を何
らもたらさず、これは不十分にしか制御できない工程で
ＳｉＯ2層のかなりの部分も除去されることを意味す
る。対照的に、約３より小さいｐＨを生じるための酸の
添加、特にＨＮＯ3の添加はＡｌ−Ｃｕの除去速度を大
幅に増大させる化学機械的研摩スラリを生じ、一方、予
期しないことであるが、スパッタリングされたＳｉＯ2
の除去速度を同時に減少させ、全体として他とは異なる
大きなエッチング速度比をもたらす。ＨＮＯ3は金属に
対する周知のエッチング剤であるが、驚くべきことに
は、本方法では、金属の工程の終りにおいてトレンチ内
で腐食されない。上記方法は、１２回の別々の研摩作業
において再現可能なことが分った。詳細には、Ａｌ／Ｃ
ｕとスパッタリングされたＳｉＯ2の間の他とは異なる
大きなエッチング速度比は自動エッチング停止障壁とし
て働くＳｉＯ2層であるトレンチ内の残りの金属の厚さ
に対するすぐれた制御を保証する。
【００２０】図３のようにトレンチ２４を満たす金属２
３ａの上部表面は絶縁層に埋め込まれた導体の線または
線条として考えることができる。したがって、広い用途
を見出すことが可能な非常に滑らかな表面を備える同平
坦面の金属層／絶縁層を結果として得る。
【００２１】例II 図４は、スパッタリングされたＳｉＯ2のようなパター
ン化された絶縁層３２でバッシペートされた所定の導電
形のシリコン基板３１からなる半導体構造３０を示して
いる。絶縁層はバイヤ（またはスルー）ホール３３を備
える。バイヤホールにより、絶縁層の厚さを完全に貫通
し、金属で満たされたときそれぞれのレベルに置かれた
導電性材料の間に電気的相互接続をもたらす穴を意味す
る。Ａｌ−Ｃｕのような高導電性金属の層３４を基板上
に一律に付着した。金属は既にシリコン基板に形成され
ていた拡散領域３５とオーミックコンタクトをなす。シ
リコン基板と関連して説明したが、基板は分離形（たと
えば）セラミック、ガラス、または工程の前の段階で形
成された金属層のいずれかであってもよいことは言うま
でもない。
【００２２】図５は、例Ｉに関して説明した化学機械的
研摩技術を実施した結果として得られる構造を示してい
る。バイヤホール３３は完全に金属で満たされ、その上
部表面は絶縁層３２の上部表面と同平坦面である。金属
３４ａはたとえばスタッドと考えることができる。した
がって、この場合には、次にマルチレベルの相互接続体
系で用いることができる同平坦面の金属層／絶縁層も作
られる。金属付着の前に、プラチナ・シリサイド接点が
領域３５で形成されるか、または、所望ならば、充填金
属が冶金と接触することができる。
【００２３】例III 例Ｉに関して示された導電性の線、または例IIに示され
た金属充填バイヤホールを形成する工程の組合せは平坦
化されたマルチレベル金属構造の製造をもたらす。図６
に示すように、マルチレベル金属構造４０は多層金属構
造４２を備えた基板４１から成る。構造４２は上述の化
学機械的研摩技術を連続的に適用して、絶縁層４４内に
導電性の線４３を、次に絶縁層４６内に金属充填バイヤ
ホール４５を、最後に絶縁層４８内に導電性の線４７を
形成することにより形成される。
【００２４】ＳｉＯ2の代りにポリイミドを誘電体材料
として使うことができる。スパッタリングされたＳｉＯ
2層を標準的スパッタリング技術により付着し、ポリイ
ミドを標準的な回転および硬化工程により塗布する。絶
縁層はほぼ平坦な表面を覆って塗布されるので、層は平
坦化した膜である必要はなく、したがって、酸化物が関
係するところではＰＥＣＶＤのような高速付着技術を用
いることができる。ドーブされた、またはドーブされて
いないガラス質のような他の誘電体材料、さらに種々の
重合体も用いることができる。使用される材料における
唯一の制限は工程の残りの部分との適合性と絶縁層内に
トレンチまたはバイヤホールを形成する能力である。両
方とも標準的フォトリトグラフィ技術を用いて形成す
る。
【００２５】次に、意図した金属パターンを湿式または
ＲＩＥエッチング技術により誘電体に転写するが、微細
な寸法が必要とされるところでは後者の方が好ましい。
トレンチまたはバイヤホールを形成するため使用可能な
他の技術には、投射レーザ支援エッチング、スパッタリ
ング技術または反応イオン・ビーム・エッチングがあ
る。絶縁層内に完成されたトレンチまたはバイヤホール
の寸法により画定されるので、微細な金属形状が得られ
ることが分る。絶縁体のＲＩＥは金属のＲＩＥよりもよ
く理解されると共にもっと制御性にすぐれた工程であ
る。製造には、その差異を利用できる。スパッタリン
グ、ＣＶＤまたは電気めっきを含むどのような共形的技
術によって金属を付着してもよい。もちろん、アルミニ
ウムとその合金（Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｃｕ）が好ましい
とは言え、この技術はそれらに限定されるものではな
く、他の金属も同様に使うことができる。選択的な化学
機械的研摩を用いて同平坦面の金属／絶縁体膜を作る方
法は広い用途を有する。
【００２６】大きな除去速度比を有する化学機械的研摩
技術を金属と誘電体材料の多くの組合せに対して見出す
ことができる。化学機械的技術の利点は、それが引揚げ
工程より速く、費用が安く、より微細な寸法にまで及ぶ
ことができることである。金属ＲＩＥ技術に比べて広範
囲の金属に適用可能である。乾式エッチング平坦化技術
とは著しく違って、化学機械的平坦化技術は被覆材料が
始めに覆われた材料の上部表面と同平坦面である平坦な
構造を生じる。何故ならば、選択的スラリは自動エッチ
ング停止層として用いられる後者の材料を大幅に除去し
ないからである。乾式エッチング平坦化技術より広範囲
の金属に適用可能であり、さらにもっと制御性が良い。
【００２７】図７は本発明の実施例を示している。図７
において、基板７０上には、第１のレベル（Ｋレベル）
のパターン化された金属層と、その上に形成された第２
のレベル（Ｌレベル）のパターン化された金属スタッド
とよりなる金属層パターン７２が形成されている。この
金属パターン７２上には、絶縁材料の層７４が図７に示
すように付着されている。スラリの成分を適当に変え、
下側の金属パターン７２よりも大幅に速い速度で上側絶
縁層７４を選択的に除去することにより、絶縁された構
造を破線５０まで平坦化することができる。たとえば、
絶縁層７４がスパッタリングされたＳｉＯ2であり、金
属７２がＡｌ−Ｃｕであるとき、水酸化カリウムの塩基
性溶液（ｐＨ約１１乃至１１．５）と、ほぼ１乃至１０
％の固体含量を有するシリカ粒子とを含むスラリを用い
るのが好適である。この方法によれば、下側の金属層よ
りも上側の二酸化シリコン層を優先的に除去し、簡単に
平坦化を実現できることが判明した。
【００２８】研摩パッドの材料は好ましくはポリエステ
ルであり、研摩負荷の下で変形しないように十分な固さ
を有する。最初の平坦化作用の間は、下側にある金属ス
タッド構造の形状のため、高い地点５１における絶縁材
料が低い地点５２および５３における絶縁材料よりも速
い速度で除去される。さらに、所望ならば、研摩エッチ
ング停止層を単独で用いることができるが、スラリの、
下側金属層に対する上側二酸化シリコン層の除去選択性
が十分に大きい場合は、研摩エッチング停止層の使用は
随意になる。好適な研摩エッチング停止材料としては、
たとえば、ポリイミド膜のような有機重合体（プラズマ
またはＣＶＤ付着されたＳｉＯ2をエッチングすると
き）、またはプラズマ窒化シリコン、ＭｇＯまたはＡｌ
2Ｏ3のような無機材料（スパッタ付着されたＳｉＯ2を
エッチングするとき）がある。
【００２９】この実施例では、５１のような高い地点の
寸法および密度にかかわらず、付着される絶縁層の厚さ
を、ＫおよびＬレベルの金属を合わせた厚さ（最大厚
さ）よりも小さくすることが平坦化の最適な結果を得る
ために好ましいことがわかった。一般に、化学機械的研
摩においては、絶縁材料の厚さは、絶縁材料の完全な平
坦化が達成される前にスタッド金属に到達するように選
ばれるべきである。ＳｉＯ2層の厚さを被覆金属の厚さ
よりもいく分小さい値に制限することにより、ＳｉＯ2
はそれぞれの高い地点においてほぼ同時に除去される傾
向がある。
【００３０】
【発明の効果】複雑で、制御が困難で、費用がかかり、
汚染のもととなる乾式エッチング平坦化技術を必要とす
ることなく、基板上に同平坦面（Ｃｏｐｌａｎａｒ）の
金属層／二酸化シリコン絶縁層構造を作ることができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】標準的工程に従つて製造され、平坦でない表面
を有する従来の典型的な多層金属半導体構造の概略断面
図である。
【図２】絶縁層内に形成された金属を研磨して同平坦面
の金属層／絶縁層を作るための方法を示す金属半導体構
造の概略断面図である。
【図３】図２の方法で平坦化された金属半導体構造の概
略断面図である。
【図４】絶縁層内に形成されたバイヤホール金属を研磨
して同平坦面の金属／絶縁体膜を作るための方法を示す
金属半導体構造の概略断面図である。
【図５】図４の方法で平坦化された金属半導体構造の概
略断面図である。
【図６】平坦化された多層金属半導体構造を示す概略断
面図、
【図７】同平坦面の金属層／二酸化シリコン絶縁層を形
成するための本発明の実施例の方法を示す金属半導体構
造の概略断面図である。
【符号の説明】
７０ 基板 ７２ 金属層パターン ７４ 二酸化層シリコン層
フロントページの続き (72)発明者 ウイリアム・レスリー・ガスリー アメリカ合衆国ニューヨーク州ホープウエ ル・ジャンクション、ヴァン・ウイック・ レーク・ロード394番地 (72)発明者 スタンレー・リチャード・マーカレウイッ クズ アメリカ合衆国ニューヨーク州ニュー・ウ インドソー、チェリー・アベニュー17番地 (72)発明者 エリック・メンデル アメリカ合衆国ニューヨーク州ホーキプシ ー、ハイ・ポイント・ドライブ３番地 (72)発明者 ウイリアム・ジョン・パトリック アメリカ合衆国ニューヨーク州ニューバー グ、ロックウッド・ドライブ３番地 (72)発明者 キャサリーン・アリス・ペリー アメリカ合衆国ニューヨーク州ラグランジ ビル、アプトン・ロード、アールデイ１、 ボックス17番地 (72)発明者 ウイリアム・アロン・プリスキン アメリカ合衆国ニューヨーク州ポーキプシ ー、グリーンベイル・ファームス・ロード 31番地 (72)発明者 ヤコブ・ライズマン アメリカ合衆国ニューヨーク州ポーキプシ ー、バナード・アベニュー38番地 (72)発明者 ポール・マーチン・シャイブル アメリカ合衆国ニューヨーク州ポーキプシ ー、ヒリス・テラス46番地 (72)発明者 チャールズ・ランバート・スタンドレイ アメリカ合衆国ニューヨーク州ワッピンジ ャーズ、ホールズ、ヒルサイド・レーク、 フロスト・ロード番地なし

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】同平坦面の金属層および二酸化シリコン層
    を備えた構造を基板上に形成する方法であって、 基板上に、金属層パターンを形成し、 上記金属層パターン上に二酸化シリコン層を付着し、 上記金属層パターンおよび上記二酸化シリコン層が実質
    的に同平坦面になるまで、シリカ粒子を含む塩基性スラ
    リを用いて上記基板の上面を化学機械的に研磨すること
    を特徴とする、同平坦面の金属層および二酸化シリコン
    層の形成方法。
  2. 【請求項２】上記金属層パターンがＡｌ−Ｃｕであるこ
    とを特徴とする、請求項１に記載の方法。
  3. 【請求項３】上記金属層パターンが平坦でない上面を有
    し、二酸化シリコン層が上記金属層パターンの最大厚さ
    よりも薄く付着されることを特徴とする、請求項１に記
    載の方法。
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