JPH08181168A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH08181168A JPH08181168A JP6337226A JP33722694A JPH08181168A JP H08181168 A JPH08181168 A JP H08181168A JP 6337226 A JP6337226 A JP 6337226A JP 33722694 A JP33722694 A JP 33722694A JP H08181168 A JPH08181168 A JP H08181168A
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- semiconductor chip
- heat dissipation
- dissipation plate
- semiconductor device
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/701—Tape-automated bond [TAB] connectors
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 実装の際にリードの平坦度や整列性等による
悪影響がなく、また放熱板による半導体チップの放熱を
効果的に行うことができるようにする。 【構成】 フィルム基材２上に形成したリード３のイン
ナーリード部３ａを半導体チップ１の回路面１ａの電極
に接合し、チップ１の非回路面１ｂを放熱板６の上面６
ａに固着する。放熱板６の上面６ａにはリード接続部７
が設けられ、放熱板６の外端にはリード接続部７と導通
する端子部８が設けられている。チップ１の回路面１ａ
から延設されたリード３のアウターリード部３ｂを放熱
板６のリード接続部７に接合する。放熱板６の上面６ａ
で全体を樹脂１０により封止する。実装時には、放熱板
６の下面６ｂを実装基板２０の表面に密着させ、放熱板
６の端子部８を実装基板２０の配線パターン２１に半田
２２等により接続する。
悪影響がなく、また放熱板による半導体チップの放熱を
効果的に行うことができるようにする。 【構成】 フィルム基材２上に形成したリード３のイン
ナーリード部３ａを半導体チップ１の回路面１ａの電極
に接合し、チップ１の非回路面１ｂを放熱板６の上面６
ａに固着する。放熱板６の上面６ａにはリード接続部７
が設けられ、放熱板６の外端にはリード接続部７と導通
する端子部８が設けられている。チップ１の回路面１ａ
から延設されたリード３のアウターリード部３ｂを放熱
板６のリード接続部７に接合する。放熱板６の上面６ａ
で全体を樹脂１０により封止する。実装時には、放熱板
６の下面６ｂを実装基板２０の表面に密着させ、放熱板
６の端子部８を実装基板２０の配線パターン２１に半田
２２等により接続する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばＴＡＢ方式によ
り半導体チップにリードを接続すると共にその半導体チ
ップに放熱板を固着して樹脂封止した半導体装置に関す
る。
り半導体チップにリードを接続すると共にその半導体チ
ップに放熱板を固着して樹脂封止した半導体装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の半導体装置は、例えば図
７に示すように構成されている。即ち、半導体チップ１
０１の表面の電極に、フィルム基材１０２上に形成され
たリード１０３のインナーリード部１０３ａが、バンプ
１０４を介して接合されている。そして、半導体チップ
１０１の裏面に接着剤１０５を用いて放熱板１０６が固
着され、アウターリード部１０３ｂと放熱板１０６の下
面とが露出するように全体が樹脂１１０により封止され
ている。
７に示すように構成されている。即ち、半導体チップ１
０１の表面の電極に、フィルム基材１０２上に形成され
たリード１０３のインナーリード部１０３ａが、バンプ
１０４を介して接合されている。そして、半導体チップ
１０１の裏面に接着剤１０５を用いて放熱板１０６が固
着され、アウターリード部１０３ｂと放熱板１０６の下
面とが露出するように全体が樹脂１１０により封止され
ている。
【０００３】このような半導体装置は、複数のアウター
リード部１０３ｂが実装状態に適合する所定の形状に成
形された後、放熱板１０６の下面が実装基板１２０の表
面に密着され、各アウターリード部１０３ｂが実装基板
１２０上の複数の配線パターン１２１にそれぞれ接合さ
れることにより、実装基板１２０に実装される。
リード部１０３ｂが実装状態に適合する所定の形状に成
形された後、放熱板１０６の下面が実装基板１２０の表
面に密着され、各アウターリード部１０３ｂが実装基板
１２０上の複数の配線パターン１２１にそれぞれ接合さ
れることにより、実装基板１２０に実装される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような従来の半導体装置において、樹脂１１０から突
出する複数のアウターリード部１０３ｂは成形されてい
るのだが、成形後の内部応力やハンドリング時の振動等
によって、これら各アウターリード部１０３ｂは平坦度
や整列性等が悪化し易い。このため、半導体装置を実装
基板１２０に実装する際に、各アウターリード部１０３
ｂと実装基板１２０の各配線パターン１２１との接合不
良が生じ易いという問題があった。
たような従来の半導体装置において、樹脂１１０から突
出する複数のアウターリード部１０３ｂは成形されてい
るのだが、成形後の内部応力やハンドリング時の振動等
によって、これら各アウターリード部１０３ｂは平坦度
や整列性等が悪化し易い。このため、半導体装置を実装
基板１２０に実装する際に、各アウターリード部１０３
ｂと実装基板１２０の各配線パターン１２１との接合不
良が生じ易いという問題があった。
【０００５】また、上述したような従来の半導体装置に
おいては、動作時に半導体チップ１０１から発生した熱
が、放熱板１０６を介して実装基板１２０に拡散され、
一部がアウターリード部１０３ｂを介して実装基板１２
０及び外気にも放散されるが、その放熱効果は必ずしも
充分ではないという問題があった。
おいては、動作時に半導体チップ１０１から発生した熱
が、放熱板１０６を介して実装基板１２０に拡散され、
一部がアウターリード部１０３ｂを介して実装基板１２
０及び外気にも放散されるが、その放熱効果は必ずしも
充分ではないという問題があった。
【０００６】そこで本発明は、実装の際にリードの平坦
度や整列性等による悪影響がなく、また放熱板による半
導体チップの放熱を効果的に行うことができる半導体装
置を提供することを目的とする。
度や整列性等による悪影響がなく、また放熱板による半
導体チップの放熱を効果的に行うことができる半導体装
置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、半導体チップにリードを接続すると共に
前記半導体チップに放熱板を固着して樹脂封止してなる
半導体装置において、前記放熱板の上面で前記半導体チ
ップが搭載される領域の外側に、前記半導体チップに接
続された前記リードと対応するリード接続部を設け、前
記半導体チップの非回路面を前記放熱板の上面に固着す
ると共に、前記半導体チップの回路面から延設された前
記リードの先端を前記放熱板の前記リード接続部に接合
し、前記放熱板の上面において封止用の樹脂部を形成し
たことを特徴とする。
に、本発明は、半導体チップにリードを接続すると共に
前記半導体チップに放熱板を固着して樹脂封止してなる
半導体装置において、前記放熱板の上面で前記半導体チ
ップが搭載される領域の外側に、前記半導体チップに接
続された前記リードと対応するリード接続部を設け、前
記半導体チップの非回路面を前記放熱板の上面に固着す
ると共に、前記半導体チップの回路面から延設された前
記リードの先端を前記放熱板の前記リード接続部に接合
し、前記放熱板の上面において封止用の樹脂部を形成し
たことを特徴とする。
【０００８】また、本発明は、半導体チップにリードを
接続すると共に前記半導体チップに放熱板を固着して樹
脂封止してなる半導体装置において、前記放熱板の上面
で前記半導体チップが搭載される領域の外側に、前記半
導体チップに接続された前記リードと対応するリード接
続部を設け、少なくとも前記半導体チップの回路面を絶
縁材を介して前記放熱板の上面に固着すると共に、前記
半導体チップの回路面から延設された前記リードの先端
を前記放熱板の前記リード接続部に接合し、かつ前記半
導体チップの非回路面に放熱フィンを固着し、この放熱
フィンが露出するように前記放熱板の上面において封止
用の樹脂部を形成したことを特徴とする。
接続すると共に前記半導体チップに放熱板を固着して樹
脂封止してなる半導体装置において、前記放熱板の上面
で前記半導体チップが搭載される領域の外側に、前記半
導体チップに接続された前記リードと対応するリード接
続部を設け、少なくとも前記半導体チップの回路面を絶
縁材を介して前記放熱板の上面に固着すると共に、前記
半導体チップの回路面から延設された前記リードの先端
を前記放熱板の前記リード接続部に接合し、かつ前記半
導体チップの非回路面に放熱フィンを固着し、この放熱
フィンが露出するように前記放熱板の上面において封止
用の樹脂部を形成したことを特徴とする。
【０００９】なお、前記各半導体装置において、前記放
熱板の外端に前記リード接続部と導通する端子部を設
け、前記放熱板の下面を実装基板に密着させた実装時
に、前記端子部が前記実装基板の配線部に接続されるこ
とを特徴とする。この場合、前記放熱板の下面の外端近
傍に凹部を設け、この凹部内に前記端子部を露出させる
とよい。
熱板の外端に前記リード接続部と導通する端子部を設
け、前記放熱板の下面を実装基板に密着させた実装時
に、前記端子部が前記実装基板の配線部に接続されるこ
とを特徴とする。この場合、前記放熱板の下面の外端近
傍に凹部を設け、この凹部内に前記端子部を露出させる
とよい。
【００１０】また、前記各半導体装置において、前記リ
ード接続部に接合された前記リードの先端を前記放熱板
の外端から突出させ、前記放熱板の下面を実装基板に密
着させた実装時に、前記リードの突出部分が前記実装基
板の配線部に接続されることを特徴とする。
ード接続部に接合された前記リードの先端を前記放熱板
の外端から突出させ、前記放熱板の下面を実装基板に密
着させた実装時に、前記リードの突出部分が前記実装基
板の配線部に接続されることを特徴とする。
【００１１】さらに、前記各半導体装置において、前記
リードをフィルム基材上に形成し、このフィルム基材か
ら内側へ突出するインナーリード部を前記半導体チップ
に接続し、前記フィルム基材から外側へ突出するアウタ
ーリード部を前記放熱板の前記リード接続部に接合した
ことを特徴とする。
リードをフィルム基材上に形成し、このフィルム基材か
ら内側へ突出するインナーリード部を前記半導体チップ
に接続し、前記フィルム基材から外側へ突出するアウタ
ーリード部を前記放熱板の前記リード接続部に接合した
ことを特徴とする。
【００１２】
【作用】上記のように構成された本発明の半導体装置に
おいては、半導体チップから延設されたリードの先端
が、放熱板に設けられたリード接続部に接合されてお
り、放熱板の外端でリード接続部と導通する端子部また
は放熱板の外端から突出するリードの突出部分が、実装
基板の配線部に対する接続部分となる。これによって、
実装時に、従来のように樹脂から突出するリードを成形
して実装基板の配線部に接合する必要がないので、リー
ドの平坦度や整列性等の影響を受けることなく、放熱板
の端子部またはリードの突出部分によって、実装基板の
配線部に対する接続を確実に行うことができる。
おいては、半導体チップから延設されたリードの先端
が、放熱板に設けられたリード接続部に接合されてお
り、放熱板の外端でリード接続部と導通する端子部また
は放熱板の外端から突出するリードの突出部分が、実装
基板の配線部に対する接続部分となる。これによって、
実装時に、従来のように樹脂から突出するリードを成形
して実装基板の配線部に接合する必要がないので、リー
ドの平坦度や整列性等の影響を受けることなく、放熱板
の端子部またはリードの突出部分によって、実装基板の
配線部に対する接続を確実に行うことができる。
【００１３】また、半導体チップが放熱板に固着される
と共に、半導体チップのリードが放熱板のリード接続部
に接合されることによって、半導体チップから放熱板へ
の熱伝導に加え、リードから放熱板への熱伝導も効果的
に行われるので、放熱効果を高めることができる。しか
も、半導体装置の下側全体が放熱板となり、従来に比べ
て放熱板の占有面積が拡がるので、実装基板への熱伝導
効率を向上させることができる。
と共に、半導体チップのリードが放熱板のリード接続部
に接合されることによって、半導体チップから放熱板へ
の熱伝導に加え、リードから放熱板への熱伝導も効果的
に行われるので、放熱効果を高めることができる。しか
も、半導体装置の下側全体が放熱板となり、従来に比べ
て放熱板の占有面積が拡がるので、実装基板への熱伝導
効率を向上させることができる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明による半導体装置の実施例につ
いて図１〜図６を参照して説明する。まず、図１〜図３
は第１実施例を示し、図１は半導体装置を基板に実装し
た状態の断面図、図２はリードを接続した半導体チップ
とリード接続部を設けた放熱板との要部の分解斜視図、
図３は半導体装置を基板に実装した状態の要部の斜視図
である。
いて図１〜図６を参照して説明する。まず、図１〜図３
は第１実施例を示し、図１は半導体装置を基板に実装し
た状態の断面図、図２はリードを接続した半導体チップ
とリード接続部を設けた放熱板との要部の分解斜視図、
図３は半導体装置を基板に実装した状態の要部の斜視図
である。
【００１５】図１に示すように、半導体チップ１の表面
である回路面１ａの電極に、ポリイミド等のフィルム基
材２上に形成されたＣｕ等のリード３のインナーリード
部３ａが、Ａｕ等のバンプ４を介して接合されている。
そして、半導体チップ１の裏面である非回路面１ｂが、
Ａｇペースト等の接着剤５を用いて放熱板６の上面６ａ
に固着されている。
である回路面１ａの電極に、ポリイミド等のフィルム基
材２上に形成されたＣｕ等のリード３のインナーリード
部３ａが、Ａｕ等のバンプ４を介して接合されている。
そして、半導体チップ１の裏面である非回路面１ｂが、
Ａｇペースト等の接着剤５を用いて放熱板６の上面６ａ
に固着されている。
【００１６】この放熱板６は、熱良導性の材料によっ
て、ほぼアウターリード部３ｂの先端に対応する大きさ
に形成されている。放熱板６の中央部は半導体チップ１
が搭載される領域であるが、その外側にはＣｕ等の導電
性材料によりリード接続部７がアウターリード部３ｂに
対応してパターン形成されている。そして、放熱板６の
外端にはＰｂ−Ｓｎ合金等により端子部８が形成され、
この端子部８にリード接続部７の先端が接続されてい
る。なお、リード接続部７と端子部８とを一体に形成し
てもよい。また、放熱板６が導電性を有する場合には、
リード接続部７及び端子部８を形成する部分に予め絶縁
を施しておく。
て、ほぼアウターリード部３ｂの先端に対応する大きさ
に形成されている。放熱板６の中央部は半導体チップ１
が搭載される領域であるが、その外側にはＣｕ等の導電
性材料によりリード接続部７がアウターリード部３ｂに
対応してパターン形成されている。そして、放熱板６の
外端にはＰｂ−Ｓｎ合金等により端子部８が形成され、
この端子部８にリード接続部７の先端が接続されてい
る。なお、リード接続部７と端子部８とを一体に形成し
てもよい。また、放熱板６が導電性を有する場合には、
リード接続部７及び端子部８を形成する部分に予め絶縁
を施しておく。
【００１７】図１及び図２に示すように、半導体装置の
製造の際には、まず、半導体チップ１とインナーリード
部３ａとを接合し、アウターリード部３ｂを所定の形状
に成形する。そして、半導体チップ１の非回路面１ｂを
放熱板６の上面６ａに固着し、アウターリード部３ｂを
放熱板６のリード接続部７に熱圧着や半田溶融等により
接合する。さらに、トランスファモールド法或いはポッ
ティング法等を用いて放熱板６の上面６ａにおいて全体
を樹脂１０で封止する。なお、樹脂１０は有機系、Ｓｉ
系の樹脂でもよい。
製造の際には、まず、半導体チップ１とインナーリード
部３ａとを接合し、アウターリード部３ｂを所定の形状
に成形する。そして、半導体チップ１の非回路面１ｂを
放熱板６の上面６ａに固着し、アウターリード部３ｂを
放熱板６のリード接続部７に熱圧着や半田溶融等により
接合する。さらに、トランスファモールド法或いはポッ
ティング法等を用いて放熱板６の上面６ａにおいて全体
を樹脂１０で封止する。なお、樹脂１０は有機系、Ｓｉ
系の樹脂でもよい。
【００１８】上述のようにして完成した半導体装置は、
図１及び図３に示すように、放熱板６の下面６ｂを実装
基板２０の表面に密着させ、放熱板６の端子部８を実装
基板２０上の配線パターン２１に接続する。この接続
は、配線パターン２１上に例えばボール状の半田バンプ
を配置或いはクリーム半田を塗布し、その溶融半田２２
によって行うことができる。
図１及び図３に示すように、放熱板６の下面６ｂを実装
基板２０の表面に密着させ、放熱板６の端子部８を実装
基板２０上の配線パターン２１に接続する。この接続
は、配線パターン２１上に例えばボール状の半田バンプ
を配置或いはクリーム半田を塗布し、その溶融半田２２
によって行うことができる。
【００１９】上記のように構成され且つ実装される半導
体装置によれば、アウターリード部３ｂの先端が放熱板
６のリード接続部７に接合されており、放熱板６の端子
部８が実装基板２０の配線パターン２１に対する接続部
分となるので、実装時には、アウターリード部３ｂの平
坦度や整列性等の影響を全く受けることなく、放熱板６
の端子部８を実装基板２０の配線パターン２１に極めて
確実に接続することができる。なお、本実施例でもアウ
ターリード部３ｂを成形しているが、この成形は、半導
体チップ１の回路面１ａと放熱板６のリード接続部７と
の段差を解消するためなので、必要に応じて行えばよ
い。
体装置によれば、アウターリード部３ｂの先端が放熱板
６のリード接続部７に接合されており、放熱板６の端子
部８が実装基板２０の配線パターン２１に対する接続部
分となるので、実装時には、アウターリード部３ｂの平
坦度や整列性等の影響を全く受けることなく、放熱板６
の端子部８を実装基板２０の配線パターン２１に極めて
確実に接続することができる。なお、本実施例でもアウ
ターリード部３ｂを成形しているが、この成形は、半導
体チップ１の回路面１ａと放熱板６のリード接続部７と
の段差を解消するためなので、必要に応じて行えばよ
い。
【００２０】ところで従来は、アウターリード部の平坦
度等の問題によって、実装時にアウターリード部をボン
ディングツールにより実装基板の配線部に押圧して接合
する必要があったが、本実施例の半導体装置によれば、
放熱板６の端子部８を実装基板２０の配線パターン２１
に接続する構造を用いることによって、半田リフローに
よる一括接続が可能となり、生産性を大幅に向上させる
ことができる。
度等の問題によって、実装時にアウターリード部をボン
ディングツールにより実装基板の配線部に押圧して接合
する必要があったが、本実施例の半導体装置によれば、
放熱板６の端子部８を実装基板２０の配線パターン２１
に接続する構造を用いることによって、半田リフローに
よる一括接続が可能となり、生産性を大幅に向上させる
ことができる。
【００２１】また、半導体チップ１が放熱板６に固着さ
れると共に、アウターリード部３ｂが放熱板６のリード
接続部７に接合されているので、動作時には、半導体チ
ップ１から放熱板６への熱伝導に加え、アウターリード
部３ｂから放熱板６への熱伝導も効果的に行われること
になり、放熱効果を高めることができる。しかも、半導
体装置の下側全体が放熱板６であり、従来に比べて放熱
板６の占有面積が拡がるので、実装基板２０への熱伝導
効率を向上させることができる。
れると共に、アウターリード部３ｂが放熱板６のリード
接続部７に接合されているので、動作時には、半導体チ
ップ１から放熱板６への熱伝導に加え、アウターリード
部３ｂから放熱板６への熱伝導も効果的に行われること
になり、放熱効果を高めることができる。しかも、半導
体装置の下側全体が放熱板６であり、従来に比べて放熱
板６の占有面積が拡がるので、実装基板２０への熱伝導
効率を向上させることができる。
【００２２】さらに、樹脂１０を成形する際には、半導
体チップ１が固着された放熱板６の上面６ａで行うと共
に、アウターリード部３ｂも既に放熱板６のリード接続
部７に接合されているので、樹脂１０内での半導体チッ
プ１の上下変動やリード３の変形等が防止され、樹脂成
形状態を改善することができる。
体チップ１が固着された放熱板６の上面６ａで行うと共
に、アウターリード部３ｂも既に放熱板６のリード接続
部７に接合されているので、樹脂１０内での半導体チッ
プ１の上下変動やリード３の変形等が防止され、樹脂成
形状態を改善することができる。
【００２３】ところで、この種の半導体装置における半
導体チップの動作チェック等の際、従来は、樹脂から突
出するアウターリード部が変形し易いので、半導体装置
をケースいわゆるＴＡＢキャリアに収容して行っていた
が、本実施例の半導体装置によれば、アウターリード部
３ｂが剛性のある放熱板６のリード接続部７に接合され
ているので、特にＴＡＢキャリア等を用いなくても、放
熱板６上のアウターリード部３ｂを介して、半導体チッ
プ１の動作チェック等を極めて容易に行うことができ
る。
導体チップの動作チェック等の際、従来は、樹脂から突
出するアウターリード部が変形し易いので、半導体装置
をケースいわゆるＴＡＢキャリアに収容して行っていた
が、本実施例の半導体装置によれば、アウターリード部
３ｂが剛性のある放熱板６のリード接続部７に接合され
ているので、特にＴＡＢキャリア等を用いなくても、放
熱板６上のアウターリード部３ｂを介して、半導体チッ
プ１の動作チェック等を極めて容易に行うことができ
る。
【００２４】次に、図４は第２実施例を示し、半導体装
置を基板に実装した状態の断面図である。前記第１実施
例と同様に、半導体チップ１とインナーリード部３ａと
を接合した後、この例においては、半導体チップ１がフ
ェイスダウンで放熱板６に固着されている。
置を基板に実装した状態の断面図である。前記第１実施
例と同様に、半導体チップ１とインナーリード部３ａと
を接合した後、この例においては、半導体チップ１がフ
ェイスダウンで放熱板６に固着されている。
【００２５】半導体チップ１の回路面１ａ及びリード３
が下向きになるので、放熱板６の上面６ａとの間に絶縁
材１１が介在されている。この絶縁材１１としては、ポ
リイミドフィルム等の絶縁保護シートを用いることがで
きる。なお、リード３の下側にフィルム基材２がある場
合には、半導体チップ１の回路面１ａ及びインナーリー
ド部３ａに対応して絶縁材１１を介在させればよい。
が下向きになるので、放熱板６の上面６ａとの間に絶縁
材１１が介在されている。この絶縁材１１としては、ポ
リイミドフィルム等の絶縁保護シートを用いることがで
きる。なお、リード３の下側にフィルム基材２がある場
合には、半導体チップ１の回路面１ａ及びインナーリー
ド部３ａに対応して絶縁材１１を介在させればよい。
【００２６】そして、第１実施例と同様に、アウターリ
ード部３ｂが放熱板６のリード接続部７に接合されてい
る。さらに、半導体チップ１の非回路面１ｂには、Ａｇ
ペースト等の接着剤１２を用いて放熱フィン１３が固着
されている。そして、この放熱フィン１３が露出するよ
うに、放熱板６の上面６ａにおいて全体が樹脂１０で封
止されている。
ード部３ｂが放熱板６のリード接続部７に接合されてい
る。さらに、半導体チップ１の非回路面１ｂには、Ａｇ
ペースト等の接着剤１２を用いて放熱フィン１３が固着
されている。そして、この放熱フィン１３が露出するよ
うに、放熱板６の上面６ａにおいて全体が樹脂１０で封
止されている。
【００２７】この半導体装置は、第１実施例と同様に実
装基板２０に実装されるが、この第２実施例によれば、
放熱板６に加えて放熱フィン１３からも放熱されるの
で、放熱効果をさらに向上させることができる。
装基板２０に実装されるが、この第２実施例によれば、
放熱板６に加えて放熱フィン１３からも放熱されるの
で、放熱効果をさらに向上させることができる。
【００２８】次に、図５は前記各実施例の変形例を示
し、半導体装置を基板に実装した状態の要部の拡大断面
図である。放熱板６の下面６ｂの外端近傍に凹部９が形
成されており、この凹部９内に端子部８の下端が露出さ
れている。この例によれば、実装基板２０の配線パター
ン２１上に端子部８の下端を位置させた場合でも、放熱
板６の下面６ｂを実装基板２０の表面に完全に密着させ
ることができる。
し、半導体装置を基板に実装した状態の要部の拡大断面
図である。放熱板６の下面６ｂの外端近傍に凹部９が形
成されており、この凹部９内に端子部８の下端が露出さ
れている。この例によれば、実装基板２０の配線パター
ン２１上に端子部８の下端を位置させた場合でも、放熱
板６の下面６ｂを実装基板２０の表面に完全に密着させ
ることができる。
【００２９】次に、図６は別の変形例を示し、半導体装
置を基板に実装した状態の要部の拡大断面図である。放
熱板６のリード接続部７に接合されたアウターリード部
３ｂの先端が、その放熱板６の外端よりも外方へ突出さ
れて突出部分３ｂ′となっている。そして、実装時に
は、突出部分３ｂ′が実装基板２０の配線パターン２１
に半田２２により接続されている。この例によれば、放
熱板６の外端に第１実施例のような端子部８を設けなく
てもよいので、放熱板６を薄く形成する場合には特に有
効である。
置を基板に実装した状態の要部の拡大断面図である。放
熱板６のリード接続部７に接合されたアウターリード部
３ｂの先端が、その放熱板６の外端よりも外方へ突出さ
れて突出部分３ｂ′となっている。そして、実装時に
は、突出部分３ｂ′が実装基板２０の配線パターン２１
に半田２２により接続されている。この例によれば、放
熱板６の外端に第１実施例のような端子部８を設けなく
てもよいので、放熱板６を薄く形成する場合には特に有
効である。
【００３０】以上、本発明の実施例について説明した
が、本発明は上記実施例に限定されることなく、本発明
の技術的思想に基づいて各種の有効な変更並びに応用が
可能である。例えば、本実施例では放熱板をほぼアウタ
ーリード部の先端に対応する大きさとしたが、放熱板を
さらに大きくしてリード接続部を外方へ延長してもよ
い。また、本実施例ではフィルム基材上のリードがイン
ナーリード部とアウターリード部とを有するＴＡＢ方式
について説明したが、一端が半導体チップに接続されて
他端が放熱板のリード接続部に接合されるリードであれ
ば、他の各種の構造のリードを用いることができる。
が、本発明は上記実施例に限定されることなく、本発明
の技術的思想に基づいて各種の有効な変更並びに応用が
可能である。例えば、本実施例では放熱板をほぼアウタ
ーリード部の先端に対応する大きさとしたが、放熱板を
さらに大きくしてリード接続部を外方へ延長してもよ
い。また、本実施例ではフィルム基材上のリードがイン
ナーリード部とアウターリード部とを有するＴＡＢ方式
について説明したが、一端が半導体チップに接続されて
他端が放熱板のリード接続部に接合されるリードであれ
ば、他の各種の構造のリードを用いることができる。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
半導体チップが固着される放熱板にリード接続部を設
け、半導体チップに接続されたリードの先端を放熱板の
リード接続部に接合することによって、リードの平坦度
や整列性等による影響を受けることなく、実装基板への
実装を極めて確実に行うことができる。また、リードか
ら放熱板への熱伝導及び放熱板の占有面積の拡大によ
り、放熱板による半導体チップの放熱効果を大幅に向上
させることができる。
半導体チップが固着される放熱板にリード接続部を設
け、半導体チップに接続されたリードの先端を放熱板の
リード接続部に接合することによって、リードの平坦度
や整列性等による影響を受けることなく、実装基板への
実装を極めて確実に行うことができる。また、リードか
ら放熱板への熱伝導及び放熱板の占有面積の拡大によ
り、放熱板による半導体チップの放熱効果を大幅に向上
させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例における半導体装置を基板
に実装した状態の断面図である。
に実装した状態の断面図である。
【図２】上記第１実施例の半導体装置においてリードを
接続した半導体チップとリード接続部を設けた放熱板と
の要部の分解斜視図である。
接続した半導体チップとリード接続部を設けた放熱板と
の要部の分解斜視図である。
【図３】上記第１実施例の半導体装置を基板に実装した
状態の要部の斜視図である。
状態の要部の斜視図である。
【図４】本発明の第２実施例における半導体装置を基板
に実装した状態の断面図である。
に実装した状態の断面図である。
【図５】上記各実施例の変形例における半導体装置を基
板に実装した状態の要部の拡大断面図である。
板に実装した状態の要部の拡大断面図である。
【図６】上記各実施例の別の変形例における半導体装置
を基板に実装した状態の要部の拡大断面図である。
を基板に実装した状態の要部の拡大断面図である。
【図７】従来の半導体装置を基板に実装した状態の断面
図である。
図である。
１ 半導体チップ １ａ 回路面 １ｂ 非回路面 ２ フィルム基材 ３ リード ３ａ インナーリード部 ３ｂ アウターリード部 ３ｂ′ 突出部分 ４ バンプ ５、１２ 接着剤 ６ 放熱板 ６ａ 上面 ６ｂ 下面 ７ リード接続部 ８ 端子部 ９ 凹部 １０ 封止樹脂 １１ 絶縁材 １３ 放熱フィン ２０ 実装基板 ２１ 配線パターン ２２ 半田
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体チップにリードを接続すると共に
前記半導体チップに放熱板を固着して樹脂封止してなる
半導体装置において、 前記放熱板の上面で前記半導体チップが搭載される領域
の外側に、前記半導体チップに接続された前記リードと
対応するリード接続部を設け、 前記半導体チップの非回路面を前記放熱板の上面に固着
すると共に、前記半導体チップの回路面から延設された
前記リードの先端を前記放熱板の前記リード接続部に接
合し、前記放熱板の上面において封止用の樹脂部を形成
したことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 半導体チップにリードを接続すると共に
前記半導体チップに放熱板を固着して樹脂封止してなる
半導体装置において、 前記放熱板の上面で前記半導体チップが搭載される領域
の外側に、前記半導体チップに接続された前記リードと
対応するリード接続部を設け、 少なくとも前記半導体チップの回路面を絶縁材を介して
前記放熱板の上面に固着すると共に、前記半導体チップ
の回路面から延設された前記リードの先端を前記放熱板
の前記リード接続部に接合し、かつ前記半導体チップの
非回路面に放熱フィンを固着し、この放熱フィンが露出
するように前記放熱板の上面において封止用の樹脂部を
形成したことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項３】 前記放熱板の外端に前記リード接続部と
導通する端子部を設け、前記放熱板の下面を実装基板に
密着させた実装時に、前記端子部が前記実装基板の配線
部に接続されることを特徴とする請求項１または２記載
の半導体装置。 - 【請求項４】 前記放熱板の下面の外端近傍に凹部を設
け、この凹部内に前記端子部を露出させたことを特徴と
する請求項３記載の半導体装置。 - 【請求項５】 前記リード接続部に接合された前記リー
ドの先端を前記放熱板の外端から突出させ、前記放熱板
の下面を実装基板に密着させた実装時に、前記リードの
突出部分が前記実装基板の配線部に接続されることを特
徴とする請求項１または２記載の半導体装置。 - 【請求項６】 前記リードをフィルム基材上に形成し、
このフィルム基材から内側へ突出するインナーリード部
を前記半導体チップに接続し、前記フィルム基材から外
側へ突出するアウターリード部を前記放熱板の前記リー
ド接続部に接合したことを特徴とする請求項１または２
記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6337226A JPH08181168A (ja) | 1994-12-26 | 1994-12-26 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6337226A JPH08181168A (ja) | 1994-12-26 | 1994-12-26 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08181168A true JPH08181168A (ja) | 1996-07-12 |
Family
ID=18306631
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6337226A Withdrawn JPH08181168A (ja) | 1994-12-26 | 1994-12-26 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08181168A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6275220B1 (en) | 1997-03-17 | 2001-08-14 | Nec Corporation | Flat panel type display apparatuses having driver ICs formed on plate for holding display glasses |
| US6774872B1 (en) | 1998-12-04 | 2004-08-10 | Fujitsu Limited | Flat display device |
| KR100474193B1 (ko) * | 1997-08-11 | 2005-07-21 | 삼성전자주식회사 | 비지에이패키지및그제조방법 |
-
1994
- 1994-12-26 JP JP6337226A patent/JPH08181168A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6275220B1 (en) | 1997-03-17 | 2001-08-14 | Nec Corporation | Flat panel type display apparatuses having driver ICs formed on plate for holding display glasses |
| KR100474193B1 (ko) * | 1997-08-11 | 2005-07-21 | 삼성전자주식회사 | 비지에이패키지및그제조방법 |
| US6774872B1 (en) | 1998-12-04 | 2004-08-10 | Fujitsu Limited | Flat display device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020305 |