JPH08181185A - 連続真空処理装置 - Google Patents

連続真空処理装置

Info

Publication number
JPH08181185A
JPH08181185A JP32257894A JP32257894A JPH08181185A JP H08181185 A JPH08181185 A JP H08181185A JP 32257894 A JP32257894 A JP 32257894A JP 32257894 A JP32257894 A JP 32257894A JP H08181185 A JPH08181185 A JP H08181185A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
vacuum
substrate
chamber
valve
processing apparatus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP32257894A
Other languages
English (en)
Inventor
Hideki Okamoto
英樹 岡本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shimadzu Corp
Original Assignee
Shimadzu Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shimadzu Corp filed Critical Shimadzu Corp
Priority to JP32257894A priority Critical patent/JPH08181185A/ja
Publication of JPH08181185A publication Critical patent/JPH08181185A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 真空処理装置に設けた基板出入室の蓋を兼
ね、真空吸着部材を使用して基板を基板出入室に搬送す
る基板交換装置を用いて真空処理を行う連続真空処理装
置の基板交換装置の真空もれの影響が、真空処理装置に
およばないようする。 【構成】 真空処理装置本体10の基板出入室12を交
換アーム51が密封する状態で、吸着部材55a、55
bの近傍にバルブ70、71を介して真空配管57、5
8が接続され、真空ポンプ56側に設けたバルブ59〜
62の開閉と同期してバルブ70、71が開閉するよう
にして、配管57、58の途中で生じる真空もれの影響
が基板出入室12を介して真空処理装置10に及ばない
ようにする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は外部から被処理基板を真
空室内に順次導入し、蒸着、スパッタリング、CVD、
エッチングなどの基板処理を連続して行う連続真空処理
装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、ウエハ、コンパクトディスク等の
基板に薄膜を形成したり、エッチング処理を行ったりす
るのに真空装置を用いてドライプロセスにより行うこと
がなされている。このような処理を行う真空装置の中に
は、1枚あるいは比較的小数の基板ごとに順次小さな基
板処理室に搬送して処理を行い、処理済み基板を取り出
すとともに次の被処理基板を導入して連続的に処理を行
う方式のものがある。
【0003】図2は、従来からある連続真空処理装置の
断面図を示すものである。この装置は、主に、真空処理
装置本体10と、基板交換装置50とから構成される。
【0004】真空処理装置本体10は、大きな円筒型の
真空チャンバ11と、この真空チャンバ11に接続して
設けられる真空チャンバよりも小型の基板出入室12、
同じく真空チャンバに接続して設けられる真空処理室1
3(真空処理室は複数あってもよい)が真空チャンバ1
1の上壁に設けられ、図示しない高真空排気系により真
空排気されるようになっている。なお、基板処理がスパ
ッタリングなど高真空が必要とされる処理のときには真
空処理室13ごとに別に図示しない高真空排気系を設け
ている場合もある。
【0005】真空チャンバ11の内部には回転軸により
軸支されるターンテーブル14が設けられ、回転モータ
15により回転駆動される。ターンテーブル14のテー
ブル部分には少なくとも2つのテーブル凹部16が設け
られている。
【0006】テーブル凹部16は、各テーブル凹部16
の中心がターンテーブル14の回転中心に対して同心円
上にくるようにしてあり、各凹部には、凹部内に納まる
大きさの基板ホルダ17が載置されている。また、テー
ブル凹部16の凹部中心部分にはターンテーブル14の
テーブル部分を貫通するテーブル孔部18が設けられて
いる。
【0007】基板ホルダ17は、その外寸、厚さともに
凹部の内寸、深さよりやや小さめの寸法にしてあり、通
常はターンテーブル14の凹部にはまり込んだ状態にな
っている。基板ホルダ17の上面は滑らかに仕上げられ
ており、後述する昇降ロッドの上昇により基板ホルダ1
7が上昇して真空チャンバ11の上壁に当接した際にガ
スケットにより基板ホルダ17が基板出入室12の下面
側を密封するようにしてある。基板ホルダ17の上面中
央部分には基板が載置されるための凹部が設けられてお
り、この凹部に被処理基板が載置できるようになってい
る。すなわち、基板ホルダ17が上昇して真空チャンバ
11上壁に当接した状態で、基板ホルダ17が基板出入
室12の底部を形成することとなり、後述する基板交換
装置50によって搬送され、基板出入室12内に搬入さ
れた被処理基板が基板ホルダ17上に載置できるように
なっている。
【0008】真空チャンバ11の底部の壁面にはターン
テーブル14に設けたターンテーブル孔部18と対向す
る位置、すなわち、ターンテーブル14の回転中心に対
してターンテーブル孔部18が設けられたのと同じ同心
円上に貫通孔19aが設けられ、昇降ロッド20aがガ
スケット等により真空を保持した状態で嵌挿されてい
る。この昇降ロッド20aは外部のシリンダ21aによ
り昇降され、ターンテーブル14のテーブル孔部18の
ひとつが図示しないターンテーブル回転制御機構(ター
ンテーブル回転位置検出機構も含む)により対向位置に
停止すると、昇降ロッドがテーブル孔部18を通過する
ように上昇するようになっている。そして、テーブル凹
部16に載置されている基板ホルダ17が昇降ロッド2
0により上昇され、基板ホルダ17が真空チャンバ11
の上壁の内壁面に当接される。
【0009】同様に、真空チャンバ11の他の部分にあ
る真空処理室13に対向する位置において、貫通孔19
b、昇降ロッド20b、シリンダ21bが設けられてお
り、ターンテーブル14が回転制御されて被処理基板S
を載置した基板ホルダ17が真空処理室13に対向する
位置に停止したときに、シリンダ21bの駆動により昇
降ロッド20bが上昇し、基板ホルダ17を真空チャン
バ上壁に当接することにより、基板を真空処理室13に
含んだ状態で真空処理室が密閉されるようにしてある。
【0010】ターンテーブル14上の基板ホルダの数は
2つ以上であればよいが、各基板ホルダ17間は等角ご
とに配置して、ひとつの基板ホルダ17が基板出入室1
2に対向しているときは他の基板ホルダ17のひとつが
基板処理室13に対向するようにしてある。
【0011】次に、基板交換装置50について説明す
る。基板交換装置50は主に、上部の交換アーム51、
交換アーム51を軸支する交換アーム軸52、交換アー
ム軸を回転する回転機構を駆動するモータ53、交換ア
ーム軸を昇降するシリンダ54、交換アーム51に設け
られた真空吸着部材55a、55b、真空吸着部材55
a、55bの真空排気を行う真空ポンプ56とから構成
される。
【0012】交換アーム51は昇降と回転とが可能な交
換アーム軸52により支持され、この交換アーム軸52
に対して対称な位置に前述した2つの吸着部材55a、
55bが取り付けられている。そして、一方の吸着部材
が図中の位置Aにきたときに他方の吸着部材が位置Bに
くるようにしてある。吸着部材55a、55bは交換ア
ーム51の滑らかに仕上げられた下面51a、51bか
ら突出するように取り付けてある。位置Bはちょうど吸
着部材55a、55bが基板出入室13に出し入れされ
る位置であり、また、位置Aは図示しない外部のロボッ
ト機構により基板が供給される位置である。つまり、交
換アーム51は、一方の吸着部材55aが基板出入室1
3に挿入されたときに、同時に、他方の吸着部材55b
が外部のロボット機構と基板の受け渡しができるように
(55aと55bとが逆の場合も同様)設置されてい
る。交換アーム下面51a、51bは吸着部材55a、
55bを基板出入室12に入れた状態で基板出入室13
の上側を密封する蓋として兼用される。すなわち、位置
Bにおいて交換アーム51が降下すると交換アーム下面
51aまたは51bが真空チャンバ11の上壁の外壁面
に当接し、上壁に設けられたガスケットによって交換ア
ーム下面51aあるいは51bが基板出入室12の上部
側を密閉する。これと同時に、位置Aにきた他方の吸着
部材55bあるいは55aが、外部ロボット機構により
送られてきた基板との交換を行うようになる。
【0013】吸着部材55a、55bは、交換アーム5
1および交換アーム軸52に設けられた配管57、5
8、バルブ59、60を介して真空ポンプ56に接続さ
れる。なお、交換アーム軸52内では配管57、58は
二重配管としてある。また、配管57、58にはベント
用のバルブ61、62が設けられている。
【0014】真空ポンプ56はバルブ59、60を介し
て吸着部材55の真空排気を行うとともに、バルブ6
3、配管64を介して基板出入室12に接続されてお
り、基板出入室12の排気をも行えるようにされてい
る。配管64には、ベント用のバルブ65も接続されて
いる。
【0015】次に以上のような構成を有する連続真空処
理装置における連続処理の動作を説明する。外部のロボ
ット機構などにより位置Aの受け渡し位置に用意された
被処理基板Sはバルブ60を開けることにより、吸着部
材55aに真空吸着され、シリンダ54により上昇さ
れ、さらにモータ53により位置Bの上方にくるまで回
転される。位置Bの上方にて回転を停止し、シリンダ5
4を下降すると、吸着部材55aは被処理基板Sととも
に基板出入室12に入れられ、交換アーム下面51aが
真空チャンバ11の上壁の外壁面に当接することによ
り、交換アーム51が蓋となって基板出入室12を密封
する。
【0016】真空処理装置本体10側では、予めシリン
ダ21を上昇させて基板ホルダ17が真空チャンバ11
の上壁の内壁面に当接してある。それゆえ、続いてバル
ブ60を閉、バルブ63を開にすることにより基板出入
室12が真空排気され、よって基板Sは重力により吸着
部材51aから離れて基板ホルダ17に載せられる。そ
の後、バルブ63を閉、シリンダ21aが下降すること
により被処理基板Sは基板ホルダ17ごと真空チャンバ
11内のターンテーブル14のテーブル凹部16に納ま
り、モータ15の回転により真空処理室13に対向する
位置まで回転される。そして、シリンダ21bの上昇に
より真空処理室13に被処理基板Sが対向した状態で基
板ホルダ17が真空チャンバ上壁と当接し、この状態で
真空処理がなされる。処理後の基板はシリンダ21bの
下降、ターンテーブル14の回転、シリンダ21aの上
昇により再び基板出入室12に送られる。そして、バル
ブ65を開くことによって基板出入室12は大気圧に戻
され、基板Sはバルブ59を開くことによって吸着部材
55bに真空吸着され、交換アーム51がシリンダ54
により上昇、モータ53により回転、シリンダ54によ
り下降し、位置Aに運ばれ、バルブ59を閉、バルブ6
1を開とすることにより吸着部材55bが大気圧に戻さ
れ、処理を終えた被処理基板Sを外部ロボットに受け渡
す。
【0017】
【発明が解決しようとする課題】このような連続真空処
理装置においては、基板交換装置が基板出入室の蓋とし
ての機能を兼ねている。そのため、基板出入室の真空引
きが行われる際に、基板交換装置のうちの基板出入室に
入れられる部分については真空漏れがないことが必要で
ある。
【0018】ところで、連続真空処理装置では基板交換
装置は回転、昇降運動を頻繁に繰り返すため、微小なも
れが生じやすい。特に、交換アーム軸には吸着部材に接
続される真空配管の真空度を保つためにいくつかのガス
ケット、Oリングが使用されているがこれらの部分での
真空もれが生じやすい。もしもこれらの部分に真空漏れ
が生じると基板出入室や真空チャンバの圧力が上昇し、
基板連続処理ができなかったり、大気を含んだ状態での
真空処理となって悪影響をおよぼすという問題が生じ
る。
【0019】本発明は以上のような問題を解決するもの
であり、基板交換装置を有する連続基板処理装置におい
て、真空もれが生じにくく、また微小な漏れが生じても
真空処理に影響がないようにすることを目的とする。
【0020】
【課題を解決するための手段】上記問題を解決するため
になされた本発明にかかる連続真空処理装置は、真空吸
着手段により被処理基板を保持し、真空チャンバに接続
される基板出入室内に被処理基板を搬送する基板交換装
置と、基板出入室に搬送された被処理基板を真空チャン
バ内に設けられた搬送手段により真空チャンバを介して
基板処理室に送り込んで真空処理を行う真空処理装置本
体とを有する連続真空処理装置であって、前記基板交換
装置は、真空吸着手段を基板出入室に入れた状態で基板
出入室の蓋を形成する交換アームと、交換アームを支持
する交換アーム軸と、交換アーム軸を回転昇降駆動する
回転昇降駆動手段と、交換アームおよび交換アーム軸に
設けられ、前記真空吸着手段を真空排気するための真空
配管と、真空配管に接続される真空ポンプと、前記真空
配管の真空吸着手段近傍と真空ポンプ近傍との双方に設
けたバルブとを備え、真空配管の真空ポンプ近傍のバル
ブを開閉する際に真空吸着手段側のバルブを同期して動
作させるようにしたことを特徴とする。以下、この連続
真空処理装置がどのように作用するかを説明する。
【0021】
【作用】本発明の連続真空処理装置では、基板交換装置
に設けられた真空配管については真空吸着手段近傍にバ
ルブが設けてあるので、基板交換装置が回転、昇降する
際の真空シールのために使用するガスケット、Oリング
はこのバルブより真空ポンプ側にくることになる。した
がって、真空吸着手段の真空排気を停止するときに真空
ポンプ近傍のバルブとともに真空吸着手段近傍に設けた
バルブも閉じることにより、たとえ真空シール部分に漏
れが生じてもその影響は真空吸着手段を介して真空チャ
ンバ側に及ぶことはない。
【0022】
【実施例】以下、本発明の実施例を図を用いて説明す
る。図1は本発明による一実施例を示した連続真空処理
装置の断面図である。特に示さないものは従来例である
図2と同じ符号を付けることによりその説明を省略す
る。
【0023】図において、交換アーム51における配管
57、配管58の途中にバルブ70、71が設けられて
いる。そして、バルブ70はバルブ60、バルブ62と
同期して開閉するようにしてあり、バルブ71はバルブ
59、バルブ61と同期して開閉するようにしてある。
【0024】次に本構成の連続真空処理装置の動作につ
いて説明する。外部のロボット機構などにより位置Aに
用意された被処理基板Sは、バルブ60およびこれに連
動するバルブ70を開けることにより吸着部材55aに
真空吸着され、交換アーム51がシリンダ54により上
昇され、さらにモータ53により吸着部材55aが位置
Bの上方にくるまで回転される。位置Bの上方にて回転
を停止し、シリンダ54を下降すると、吸着部材55a
は被処理基板Sとともに基板出入室12に入れられ、交
換アーム下面51aが真空チャンバ11の上壁の外壁面
に当接することにより、交換アーム51が蓋となって基
板出入室12を密封する。
【0025】真空処理装置本体10側では、予めシリン
ダ21を上昇させて基板ホルダ17が真空チャンバ11
の上壁の内壁面に当接してある。それゆえ、続いてバル
ブ60とこれに連動するバルブ70を閉、バルブ63を
開にすることにより基板出入室12が真空排気され、よ
って基板Sは重力により吸着部材51aから離れて基板
ホルダ17に載せられる。
【0026】その後、バルブ63を閉、シリンダ21a
が下降することにより被処理基板Sは基板ホルダ17ご
と真空チャンバ11内のターンテーブル14のテーブル
凹部16に納まり、モータ15の回転により真空処理室
13に対向する位置まで回転される。そして、シリンダ
21bの上昇により真空処理室13に被処理基板Sが対
向した状態で基板ホルダ17が真空チャンバ上壁と当接
し、この状態で真空処理がなされる。処理後の基板はシ
リンダ21bの下降、ターンテーブル14の回転、シリ
ンダ21aの上昇により再び基板出入室12に送られ
る。そして、バルブ65を開くことによって基板出入室
12は大気圧に戻され、基板Sはバルブ59、バルブ7
1を開くことによって吸着部材55bに真空吸着され、
交換アーム51がシリンダ54により上昇、モータ53
により回転、シリンダ54により下降し、吸着部材55
bは位置Aに運ばれ、バルブ59を閉にし、バルブ61
を開にすることにより吸着部材55bが大気圧に戻さ
れ、処理を終えた被処理基板Sは外部ロボットに受け渡
される。同様の動作は被処理基板が吸着部材55bによ
って搬送される場合に、バルブ71とバルブ59、61
とを連動することにより行われる。
【0027】このように、バルブ70はバルブ60また
はバルブ62が開くときに連動して開き、バルブ60、
バルブ62が共に閉じているときに連動して閉じるよう
に制御させる。またバルブ71はバルブ59またはバル
ブ61が開くときに連動して開き、バルブ59とバルブ
61が共に閉じるときに連動して閉じるように制御させ
る。このようにすることにより、シリンダが21aが下
降しているとき、すなわち、真空チャンバ11と基板出
入室12とが連通しているときに、たとえ、配管57、
配管58に真空もれが生じても基板出入室12、真空チ
ャンバ11はその影響を受けることがなくなる。
【0028】本実施例では、真空チャンバに基板出入室
を接続させて基板出入室により基板を出し入れしてい
る。これは、基板出入室をできるだけ小さくして基板の
出し入れ時に排気すべき真空領域を小さくし、真空排気
時間を短縮化することや、真空処理室が高真空に維持さ
れることが要求される場合に、大気にさらされる基板出
入室真空処理室との間に中間室としての真空チャンバ設
けることが真空処理室の高真空維持に有利であるからで
ある。
【0029】しかしながら、そのような必要がなく、そ
のかわりに装置をできるだけ簡単にしたい場合には、基
板出入室を設けず、交換アームが直接真空チャンバの搬
送手段と受け渡すようにしてもよい。その場合の装置の
構成は以下のようになる。真空吸着手段により被処理基
板を保持し、真空チャンバ内に被処理基板を搬送する基
板交換装置と、真空チャンバ内に搬送された被処理基板
を真空チャンバ内に設けられた搬送手段により基板処理
室に送り込んで真空処理を行う真空処理装置本体とを有
する連続真空処理装置であって、前記基板交換装置は、
真空吸着手段を真空チャンバに入れた状態で真空チャン
バの蓋を形成する交換アームと、交換アームを支持する
交換アーム軸と、交換アーム軸を回転昇降駆動する回転
昇降駆動手段と、交換アームおよび交換アーム軸に設け
られ、前記真空吸着手段を真空排気するための真空配管
と、真空配管に接続される真空ポンプと、前記真空配管
の真空吸着手段近傍と真空ポンプ近傍との双方に設けた
バルブとを備え、真空配管の真空ポンプ近傍のバルブを
開閉する際に真空吸着手段側のバルブを同期して動作さ
せるようにしたことを特徴とする連続真空処理装置。
【0030】
【発明の効果】以上、説明したように本発明にかかる連
続真空処理装置では、真空吸着手段近傍にバルブを設け
たので、たとえ基板交換装置における真空配管のガスケ
ット、Oリング部分に真空もれがあっても真空処理装置
への影響はない。またOリングなどの交換は基板が充分
に真空吸着できなくなった時に行うだけでよくOリング
などの交換頻度が大幅に少なくなる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例である連続真空処理装置の断
面図。
【図2】従来からの連続真空処理装置の断面図。
【符号の説明】
10:真空処理装置本体 11:真空チャンバ 12:基板出入室 13:真空処理室 14:ターンテーブル 15:モータ 17:基板ホルダ 20a、20b:昇降ロッド 21a、21b:シリンダ 50:基板交換装置 51:交換アーム 52:交換アーム軸 53:モータ 54:シリンダ 55a、55b:吸着部材 56:真空ポンプ 57、58:配管 59〜63、65、70、71:バルブ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/203 21/205 21/3065

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】真空吸着手段により被処理基板を保持し、
    真空チャンバに接続される基板出入室内に被処理基板を
    搬送する基板交換装置と、基板出入室に搬送された被処
    理基板を真空チャンバ内に設けられた搬送手段により真
    空チャンバを介して基板処理室に送り込んで真空処理を
    行う真空処理装置本体とを有する連続真空処理装置であ
    って、前記基板交換装置は、真空吸着手段を基板出入室
    に入れた状態で基板出入室の蓋を形成する交換アーム
    と、交換アームを支持する交換アーム軸と、交換アーム
    軸を回転昇降駆動する回転昇降駆動手段と、交換アーム
    および交換アーム軸に設けられ、前記真空吸着手段を真
    空排気するための真空配管と、真空配管に接続される真
    空ポンプと、前記真空配管の真空吸着手段近傍と真空ポ
    ンプ近傍との双方に設けたバルブとを備え、真空配管の
    真空ポンプ近傍のバルブを開閉する際に真空吸着手段側
    のバルブを同期して動作させるようにしたことを特徴と
    する連続真空処理装置。
JP32257894A 1994-12-26 1994-12-26 連続真空処理装置 Pending JPH08181185A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP32257894A JPH08181185A (ja) 1994-12-26 1994-12-26 連続真空処理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP32257894A JPH08181185A (ja) 1994-12-26 1994-12-26 連続真空処理装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH08181185A true JPH08181185A (ja) 1996-07-12

Family

ID=18145259

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP32257894A Pending JPH08181185A (ja) 1994-12-26 1994-12-26 連続真空処理装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH08181185A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100775870B1 (ko) * 2006-11-02 2007-11-13 양용찬 진공 흡착 시스템
JP2009246273A (ja) * 2008-03-31 2009-10-22 Tdk Corp グリーンシート積層装置および積層型電子部品の製造装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100775870B1 (ko) * 2006-11-02 2007-11-13 양용찬 진공 흡착 시스템
JP2009246273A (ja) * 2008-03-31 2009-10-22 Tdk Corp グリーンシート積層装置および積層型電子部品の製造装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100785871B1 (ko) 기판 이송 장치 및 기판 이송 방법
US5121705A (en) Loading lock for chemical vapor deposition apparatus
KR100620272B1 (ko) 기판 가열 장치 및 멀티-챔버 기판 처리 시스템
JPS6040532A (ja) デイスク又はウエ−ハ取り扱い及びコ−テイング装置
JPS63277762A (ja) ダイアル蒸着・処理装置
WO2000028587A1 (en) Processing device
KR100196036B1 (ko) 플라즈마 처리장치 및 그 운전방법
JP2000208589A (ja) 処理装置
JP4574926B2 (ja) 真空処理装置
JP3604241B2 (ja) 縦型熱処理装置
JP2001291758A (ja) 真空処理装置
JP3500455B2 (ja) 処理装置
JPH08181185A (ja) 連続真空処理装置
JP2004087781A (ja) 真空処理装置及び真空処理方法
JP4557418B2 (ja) 多層膜の形成装置
JP3160691B2 (ja) 処理装置
JPH03155619A (ja) 真空処理装置
JPH0661329A (ja) ウエハ処理装置のロードロック機構
JP3219478B2 (ja) 縦型熱処理装置
JP2002198412A (ja) 搬送処理方法及び搬送処理装置
JPH11195691A5 (ja)
JP3058006B2 (ja) 成膜装置
JPH09283611A (ja) 試料容器および試料搬送方法
JPH11195691A (ja) 枚葉式真空処理装置
JPH0661330A (ja) ウエハ処理装置のロードロック室構造