JPH08181380A - 半導体素子アレイユニット - Google Patents
半導体素子アレイユニットInfo
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- JPH08181380A JPH08181380A JP32008794A JP32008794A JPH08181380A JP H08181380 A JPH08181380 A JP H08181380A JP 32008794 A JP32008794 A JP 32008794A JP 32008794 A JP32008794 A JP 32008794A JP H08181380 A JPH08181380 A JP H08181380A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 8
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical group [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 配線の隣接により生じる電気的クロストーク
特性を改善した半導体素子アレイユニットを実現する。 【構成】 一列に配置された半導体レーザ２１1 〜２１
8 のうちの偶数番目は、第１の配線基板２５上に配置さ
れた配線パターン２７2 、２７4 、２７6 、２７ 8 のう
ち対応するものとボンディングワイヤ２９2 、２９4 、
２９6 、２９8 によって接続される。半導体レーザ２１
1 〜２１8 の奇数番目は、第１の配線基板２５の上に所
定の間隔を置いて配置された第２の基板３１上の配線パ
ターン２７ 1 、２７3 、２７5 、２７7 のうち対応する
ものとボンディングワイヤ２９1 、２９3 、２９5 、２
９7 によって接続される。第２の基板３１はメタライズ
されている。各配線の間隔が広がった分だけクロストー
クが減少する。
特性を改善した半導体素子アレイユニットを実現する。 【構成】 一列に配置された半導体レーザ２１1 〜２１
8 のうちの偶数番目は、第１の配線基板２５上に配置さ
れた配線パターン２７2 、２７4 、２７6 、２７ 8 のう
ち対応するものとボンディングワイヤ２９2 、２９4 、
２９6 、２９8 によって接続される。半導体レーザ２１
1 〜２１8 の奇数番目は、第１の配線基板２５の上に所
定の間隔を置いて配置された第２の基板３１上の配線パ
ターン２７ 1 、２７3 、２７5 、２７7 のうち対応する
ものとボンディングワイヤ２９1 、２９3 、２９5 、２
９7 によって接続される。第２の基板３１はメタライズ
されている。各配線の間隔が広がった分だけクロストー
クが減少する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば光並列伝送用レ
ーザアレイモジュールに使用するのに好適な光半導体レ
ーザアレイユニット等の光半導体素子アレイユニットに
係わり、詳細には複数の光半導体素子を比較的密に配置
した半導体アレイの配線パターンに特徴を持った半導体
素子アレイユニットに関する。
ーザアレイモジュールに使用するのに好適な光半導体レ
ーザアレイユニット等の光半導体素子アレイユニットに
係わり、詳細には複数の光半導体素子を比較的密に配置
した半導体アレイの配線パターンに特徴を持った半導体
素子アレイユニットに関する。
【０００２】
【従来の技術】光信号を並列して伝送する光並列伝送系
は、電気信号を使用した並列伝送系と比べると、伝送速
度、伝送距離、耐ＥＭＩ性（電気的なノイズ）に優れて
いる。また、伝送路の寸法を大幅に低減することができ
るので、コンピュータのインターフェースとして広い応
用が期待されている。
は、電気信号を使用した並列伝送系と比べると、伝送速
度、伝送距離、耐ＥＭＩ性（電気的なノイズ）に優れて
いる。また、伝送路の寸法を大幅に低減することができ
るので、コンピュータのインターフェースとして広い応
用が期待されている。
【０００３】光並列伝送用の光源あるいは受光素子とな
るモジュールを小型で経済的に実現するためには、複数
の発光素子あるいは受光素子をアレイ化して半導体素子
アレイユニットを構成することが極めて有効である。発
光素子としてレーザ光を使用したものは、一般に半導体
レーザアレイユニットあるいは半導体レーザアレイ装置
と呼ばれている。このような装置は、例えば特開昭６２
−４３８５号公報や特開昭６１−１０７７８７号公報に
開示されている。
るモジュールを小型で経済的に実現するためには、複数
の発光素子あるいは受光素子をアレイ化して半導体素子
アレイユニットを構成することが極めて有効である。発
光素子としてレーザ光を使用したものは、一般に半導体
レーザアレイユニットあるいは半導体レーザアレイ装置
と呼ばれている。このような装置は、例えば特開昭６２
−４３８５号公報や特開昭６１−１０７７８７号公報に
開示されている。
【０００４】図３は、従来の半導体レーザアレイユニッ
トの一例を示したものである。この半導体レーザアレイ
ユニットは、８個の半導体レーザ１１1 〜１１8 を等間
隔で一列に配置した半導体レーザアレイ素子１２を半田
１３によってキャリア１４の側部に固定した構造となっ
ている。キャリア１４の半導体レーザアレイ素子１２を
半田付けした部分以外は一段低くなっている。キャリア
１４のこの段差部分には配線基板１６が半田１７によっ
て固定されている。配線基板１６にはそれぞれの半導体
レーザ１１1 〜１１8 に対応させて配線パターン１８1
〜１８8 が配置されている。これらの配線パターン１８
1 〜１８8 は、対応する半導体レーザ１１1 〜１１8 と
ボンディングワイヤ１９1 〜１９8 によって電気的に接
続されている。
トの一例を示したものである。この半導体レーザアレイ
ユニットは、８個の半導体レーザ１１1 〜１１8 を等間
隔で一列に配置した半導体レーザアレイ素子１２を半田
１３によってキャリア１４の側部に固定した構造となっ
ている。キャリア１４の半導体レーザアレイ素子１２を
半田付けした部分以外は一段低くなっている。キャリア
１４のこの段差部分には配線基板１６が半田１７によっ
て固定されている。配線基板１６にはそれぞれの半導体
レーザ１１1 〜１１8 に対応させて配線パターン１８1
〜１８8 が配置されている。これらの配線パターン１８
1 〜１８8 は、対応する半導体レーザ１１1 〜１１8 と
ボンディングワイヤ１９1 〜１９8 によって電気的に接
続されている。
【０００５】このような半導体レーザアレイユニット
で、配線基板１６側の半田１７は半導体レーザアレイ素
子１２側の半田１３よりも融点が高温となっている。
で、配線基板１６側の半田１７は半導体レーザアレイ素
子１２側の半田１３よりも融点が高温となっている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】光信号を並列して伝送
するための半導体レーザアレイユニットでは、各半導体
レーザ１１1 〜１１8 の間隔が例えば数十〜数百μｍ程
度とかなり接近している。したがって、図３に示した半
導体レーザアレイユニットでは、各ボンディングワイヤ
１９1 〜１９8 の配線が互いに極めて近い距離で行われ
ることになり、これら配線間の電気的クロストークが大
きくなり、伝送特性を劣化させるという問題があった。
するための半導体レーザアレイユニットでは、各半導体
レーザ１１1 〜１１8 の間隔が例えば数十〜数百μｍ程
度とかなり接近している。したがって、図３に示した半
導体レーザアレイユニットでは、各ボンディングワイヤ
１９1 〜１９8 の配線が互いに極めて近い距離で行われ
ることになり、これら配線間の電気的クロストークが大
きくなり、伝送特性を劣化させるという問題があった。
【０００７】そこで本発明の目的は、電気的クロストー
ク特性を改善した半導体素子アレイユニットを提供する
ことにある。
ク特性を改善した半導体素子アレイユニットを提供する
ことにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明で
は、（イ）所定の支持体上に一列に配置された半導体か
らなる複数の光源と、（ロ）これらの光源の列方向と平
行にかつ高さをそれぞれ違えて支持体に固定された複数
の配線基板と、（ハ）前記した複数の光源のすべてを予
め定められた順序でこれら配線基板に順に割り当てたと
きのこれら配線基板におけるそれぞれの光源に対応する
位置に配置された配線パターンと、（ニ）前記した複数
の光源のそれぞれと配線パターンの対応するものとを１
つずつ対応付けて電気的に接続するボンディングワイヤ
とを半導体素子アレイユニットに具備させる。
は、（イ）所定の支持体上に一列に配置された半導体か
らなる複数の光源と、（ロ）これらの光源の列方向と平
行にかつ高さをそれぞれ違えて支持体に固定された複数
の配線基板と、（ハ）前記した複数の光源のすべてを予
め定められた順序でこれら配線基板に順に割り当てたと
きのこれら配線基板におけるそれぞれの光源に対応する
位置に配置された配線パターンと、（ニ）前記した複数
の光源のそれぞれと配線パターンの対応するものとを１
つずつ対応付けて電気的に接続するボンディングワイヤ
とを半導体素子アレイユニットに具備させる。
【０００９】すなわち請求項１記載の発明では、半導体
からなる複数の光源にそれぞれ対応して配置する配線パ
ターンを高さ方向に異なった位置に配置された複数の配
線基板に順番に割り振り、これによってこれら複数の配
線基板それぞれにおける配線パターンの間隔を広げるこ
とによって電気的クロストークを低減させるようにし
た。配線基板同士の距離を離すようにすれば、これら配
線基板間での電気的クロストークも低減させることがで
きる。
からなる複数の光源にそれぞれ対応して配置する配線パ
ターンを高さ方向に異なった位置に配置された複数の配
線基板に順番に割り振り、これによってこれら複数の配
線基板それぞれにおける配線パターンの間隔を広げるこ
とによって電気的クロストークを低減させるようにし
た。配線基板同士の距離を離すようにすれば、これら配
線基板間での電気的クロストークも低減させることがで
きる。
【００１０】請求項２記載の発明では、（イ）所定の支
持体上に一列に配置された半導体からなる複数の光源
と、（ロ）これらの光源の列方向と平行にかつ高さをそ
れぞれ違えて支持体に固定されると共に対向する基板面
の少なくとも一方をメタライズした複数の配線基板と、
（ハ）前記した複数の光源のすべてを予め定められた順
序でこれら配線基板に順に割り当てたときのこれら配線
基板におけるそれぞれの光源に対応する位置に配置され
た配線パターンと、（ニ）前記した複数の光源のそれぞ
れと配線パターンの対応するものとを１つずつ対応付け
て電気的に接続するボンディングワイヤとを半導体素子
アレイユニットに具備させる。
持体上に一列に配置された半導体からなる複数の光源
と、（ロ）これらの光源の列方向と平行にかつ高さをそ
れぞれ違えて支持体に固定されると共に対向する基板面
の少なくとも一方をメタライズした複数の配線基板と、
（ハ）前記した複数の光源のすべてを予め定められた順
序でこれら配線基板に順に割り当てたときのこれら配線
基板におけるそれぞれの光源に対応する位置に配置され
た配線パターンと、（ニ）前記した複数の光源のそれぞ
れと配線パターンの対応するものとを１つずつ対応付け
て電気的に接続するボンディングワイヤとを半導体素子
アレイユニットに具備させる。
【００１１】すなわち請求項２記載の発明では、半導体
からなる複数の光源にそれぞれ対応して配置する配線パ
ターンを高さ方向に異なった位置に配置された複数の配
線基板に順番に割り振り、これによってこれら複数の配
線基板それぞれにおける配線パターンの間隔を広げると
共に、対向する配線基板面の少なくとも一方をメタライ
ズして電気的クロストークを低減させるようにした。配
線基板面をメタライズすることで、これら配線基板の間
隔をあまりあけなくても、これらの間の電気的クロスト
ークを低減させることができる。
からなる複数の光源にそれぞれ対応して配置する配線パ
ターンを高さ方向に異なった位置に配置された複数の配
線基板に順番に割り振り、これによってこれら複数の配
線基板それぞれにおける配線パターンの間隔を広げると
共に、対向する配線基板面の少なくとも一方をメタライ
ズして電気的クロストークを低減させるようにした。配
線基板面をメタライズすることで、これら配線基板の間
隔をあまりあけなくても、これらの間の電気的クロスト
ークを低減させることができる。
【００１２】請求項３記載の発明では、（イ）所定の支
持体上に一列に配置された半導体レーザと、（ロ）これ
らの光源の列方向と平行にかつ高さを違えて支持体にそ
れぞれ固定されると共に対向する基板面の少なくとも一
方をメタライズした２枚の配線基板と、（ハ）前記した
複数の半導体レーザの奇数番目のものを２枚の配線基板
の一方に割り当て偶数番目のものを他方の配線基板に割
り当てたときのこれら配線基板におけるそれぞれの光源
に対応する位置に配置された配線パターンと、（ニ）前
記した複数の半導体レーザのそれぞれと配線パターンの
対応するものとを１つずつ対応付けて電気的に接続する
ボンディングワイヤとを半導体素子アレイユニットに具
備させる。
持体上に一列に配置された半導体レーザと、（ロ）これ
らの光源の列方向と平行にかつ高さを違えて支持体にそ
れぞれ固定されると共に対向する基板面の少なくとも一
方をメタライズした２枚の配線基板と、（ハ）前記した
複数の半導体レーザの奇数番目のものを２枚の配線基板
の一方に割り当て偶数番目のものを他方の配線基板に割
り当てたときのこれら配線基板におけるそれぞれの光源
に対応する位置に配置された配線パターンと、（ニ）前
記した複数の半導体レーザのそれぞれと配線パターンの
対応するものとを１つずつ対応付けて電気的に接続する
ボンディングワイヤとを半導体素子アレイユニットに具
備させる。
【００１３】すなわち請求項３記載の発明では、半導体
レーザを光源として使用し配線基板を２枚用いる場合に
ついて請求項２記載の発明を具体化したものである。こ
こでは、各半導体レーザと配線パターンはボンディング
ワイヤで電気的に接続するようにしている。
レーザを光源として使用し配線基板を２枚用いる場合に
ついて請求項２記載の発明を具体化したものである。こ
こでは、各半導体レーザと配線パターンはボンディング
ワイヤで電気的に接続するようにしている。
【００１４】請求項４記載の発明では、請求項３記載の
発明において前記した複数の半導体レーザは互いに等間
隔で配置され、２枚の配線基板のそれぞれに配置される
配線パターンは互いに平行でこれらの間隔は前記した複
数の半導体レーザの間隔の２倍であることを特徴とする
ものである。
発明において前記した複数の半導体レーザは互いに等間
隔で配置され、２枚の配線基板のそれぞれに配置される
配線パターンは互いに平行でこれらの間隔は前記した複
数の半導体レーザの間隔の２倍であることを特徴とする
ものである。
【００１５】すなわち請求項４記載の発明では、半導体
レーザが等ピッチで配列されている場合に２枚の配線基
板を使用すると、奇数番目の半導体レーザが一方の配線
基板の配線パターンと接続され、偶数番目の半導体レー
ザが他方の配線基板の配線パターンと接続されて、同一
配線基板における配線パターンの間隔は半導体レーザの
配置されるピッチ（間隔）の２倍となることを示してい
る。これにより、電気的クロストークは大幅に減少する
ことになる。
レーザが等ピッチで配列されている場合に２枚の配線基
板を使用すると、奇数番目の半導体レーザが一方の配線
基板の配線パターンと接続され、偶数番目の半導体レー
ザが他方の配線基板の配線パターンと接続されて、同一
配線基板における配線パターンの間隔は半導体レーザの
配置されるピッチ（間隔）の２倍となることを示してい
る。これにより、電気的クロストークは大幅に減少する
ことになる。
【００１６】請求項５記載の発明では、（イ）所定の支
持体上に一列に配置された半導体からなる複数の受光素
子と、（ロ）これらの受光素子の列方向と平行にかつ高
さをそれぞれ違えて支持体に固定された複数の配線基板
と、（ハ）前記した複数の受光素子のすべてを予め定め
られた順序でこれら配線基板に順に割り当てたときのこ
れら配線基板におけるそれぞれの光源に対応する位置に
配置された配線パターンと、（ニ）前記した複数の受光
素子のそれぞれと配線パターンの対応するものとを１つ
ずつ対応付けて電気的に接続するボンディングワイヤと
を半導体素子アレイユニットに具備させる。
持体上に一列に配置された半導体からなる複数の受光素
子と、（ロ）これらの受光素子の列方向と平行にかつ高
さをそれぞれ違えて支持体に固定された複数の配線基板
と、（ハ）前記した複数の受光素子のすべてを予め定め
られた順序でこれら配線基板に順に割り当てたときのこ
れら配線基板におけるそれぞれの光源に対応する位置に
配置された配線パターンと、（ニ）前記した複数の受光
素子のそれぞれと配線パターンの対応するものとを１つ
ずつ対応付けて電気的に接続するボンディングワイヤと
を半導体素子アレイユニットに具備させる。
【００１７】すなわち請求項５記載の発明では、半導体
からなる複数の受光素子にそれぞれ対応して配置する配
線パターンを高さ方向に異なった位置に配置された複数
の配線基板に順番に割り振り、これによってこれら複数
の配線基板それぞれにおける配線パターンの間隔を広げ
ることによって電気的クロストークを低減させるように
した。配線基板同士の距離を離すようにすれば、これら
配線基板間での電気的クロストークも低減させることが
できる。
からなる複数の受光素子にそれぞれ対応して配置する配
線パターンを高さ方向に異なった位置に配置された複数
の配線基板に順番に割り振り、これによってこれら複数
の配線基板それぞれにおける配線パターンの間隔を広げ
ることによって電気的クロストークを低減させるように
した。配線基板同士の距離を離すようにすれば、これら
配線基板間での電気的クロストークも低減させることが
できる。
【００１８】
【実施例】以下実施例につき本発明を詳細に説明する。
【００１９】図１は本発明の一実施例における半導体素
子アレイユニットとして半導体レーザを光源に使用した
半導体レーザアレイユニットの組み立ての第１段階を表
わしたものである。本実施例では８個の半導体レーザ２
１1 〜２１8 を等間隔で一列に配置した半導体レーザア
レイ素子２２を半田２３によってキャリア２４の側部に
固定している。キャリア２４の他の部分の両端は、キャ
リア２４の半導体レーザアレイ素子２２を取り付けた部
分よりも一段と高くなっており支柱部２４Ａ1、２４Ａ
2 を構成している。その他の部分は半導体レーザアレイ
素子２２を取り付けた部分よりも一段と低くなってい
る。この低くなった部分には、第１の配線基板２５が半
田２６によって固定されている。
子アレイユニットとして半導体レーザを光源に使用した
半導体レーザアレイユニットの組み立ての第１段階を表
わしたものである。本実施例では８個の半導体レーザ２
１1 〜２１8 を等間隔で一列に配置した半導体レーザア
レイ素子２２を半田２３によってキャリア２４の側部に
固定している。キャリア２４の他の部分の両端は、キャ
リア２４の半導体レーザアレイ素子２２を取り付けた部
分よりも一段と高くなっており支柱部２４Ａ1、２４Ａ
2 を構成している。その他の部分は半導体レーザアレイ
素子２２を取り付けた部分よりも一段と低くなってい
る。この低くなった部分には、第１の配線基板２５が半
田２６によって固定されている。
【００２０】第１の配線基板２５上には、半導体レーザ
アレイ素子２２の偶数番目の４個の半導体レーザ２
１2 、２１4 、２１6 、２１8 とそれぞれ対応した位置
に配線パターン２７2 、２７4 、２７6 、２７8 が互い
に平行に配置されている。組み立ての第１段階では、配
線パターン２７2 、２７4 、２７6 、２７8 とこれらに
１対１の関係で対応する半導体レーザ２１2 、２１4 、
２１6 、２１8 とがボンディングワイヤ２９2 、２
９4 、２９6 、２９8 によって電気的に接続されてい
る。すなわち、この第１段階では残りの奇数番目の半導
体レーザ２１1 、２１3 、２１7 、２１8 に対するボン
ディングワイヤ２９の接続は行われていない。
アレイ素子２２の偶数番目の４個の半導体レーザ２
１2 、２１4 、２１6 、２１8 とそれぞれ対応した位置
に配線パターン２７2 、２７4 、２７6 、２７8 が互い
に平行に配置されている。組み立ての第１段階では、配
線パターン２７2 、２７4 、２７6 、２７8 とこれらに
１対１の関係で対応する半導体レーザ２１2 、２１4 、
２１6 、２１8 とがボンディングワイヤ２９2 、２
９4 、２９6 、２９8 によって電気的に接続されてい
る。すなわち、この第１段階では残りの奇数番目の半導
体レーザ２１1 、２１3 、２１7 、２１8 に対するボン
ディングワイヤ２９の接続は行われていない。
【００２１】図２は半導体レーザアレイユニットの組み
立ての第２段階を表わしたものである。図１に示した第
１段階の組み立てが終了すると、支柱部２４Ａ1 、２４
Ａ2の上に第２の配線基板３１が半田３２によって固定
される。半田３２は半田２６よりも融点が低温となって
いる。第２の配線基板３１上には、半導体レーザアレイ
素子２２の奇数番目の４個の半導体レーザ２１1 、２１
3 、２１5 、２１7 とそれぞれ対応した位置に配線パタ
ーン２７1 、２７3 、２７5 、２７7 が互いに平行に配
置されている。組み立ての第２段階では、配線パターン
２７1 、２７3、２７5 、２７7 とこれらに１対１の関
係で対応する半導体レーザ２１1 、２１ 3 、２１5 、２
１7 とがボンディングワイヤ２９1 、２９3 、２９5 、
２９7 によって電気的に接続される。以上のようにして
半導体レーザアレイユニットの組み立てが終了する。
立ての第２段階を表わしたものである。図１に示した第
１段階の組み立てが終了すると、支柱部２４Ａ1 、２４
Ａ2の上に第２の配線基板３１が半田３２によって固定
される。半田３２は半田２６よりも融点が低温となって
いる。第２の配線基板３１上には、半導体レーザアレイ
素子２２の奇数番目の４個の半導体レーザ２１1 、２１
3 、２１5 、２１7 とそれぞれ対応した位置に配線パタ
ーン２７1 、２７3 、２７5 、２７7 が互いに平行に配
置されている。組み立ての第２段階では、配線パターン
２７1 、２７3、２７5 、２７7 とこれらに１対１の関
係で対応する半導体レーザ２１1 、２１ 3 、２１5 、２
１7 とがボンディングワイヤ２９1 、２９3 、２９5 、
２９7 によって電気的に接続される。以上のようにして
半導体レーザアレイユニットの組み立てが終了する。
【００２２】本実施例の半導体レーザアレイユニットで
は、第１の配線基板２５上の配線パターン２７2 、２７
4 、２７6 、２７8 の間隔が、半導体レーザ２１1 〜２
１8の２倍となっている。第２の配線基板３１上の配線
パターン２７2 、２７4 、２７6 、２７8 についても同
様である。したがって、隣接する配線の間隔が従来より
も広がっている。また、第２の配線基板３１は第１の配
線基板２５側の面が金等の蒸着によってメタライズされ
ている。このため、電気的クロストーク特性を十分低減
することができる。
は、第１の配線基板２５上の配線パターン２７2 、２７
4 、２７6 、２７8 の間隔が、半導体レーザ２１1 〜２
１8の２倍となっている。第２の配線基板３１上の配線
パターン２７2 、２７4 、２７6 、２７8 についても同
様である。したがって、隣接する配線の間隔が従来より
も広がっている。また、第２の配線基板３１は第１の配
線基板２５側の面が金等の蒸着によってメタライズされ
ている。このため、電気的クロストーク特性を十分低減
することができる。
【００２３】以上説明した実施例では半導体レーザが８
個の場合の半導体レーザアレイユニットについて説明し
たが、この数はこれより多くても少なくてもよいことは
当然である。この場合には、配線基板上の個々の配線パ
ターンの数もこれに応じて増減されることになる。ま
た、実施例では半導体素子アレイユニットとして半導体
レーザを使用したがこれに限るものではない。すなわ
ち、ＬＥＤ（発光ダイオード）素子や、ＰＩＮ−ＰＤ素
子あるいはＡＰＤ素子等の他の発光素子あるいは受光素
子としての半導体素子を使用するものに対しても本発明
を適用できることはもちろんである。
個の場合の半導体レーザアレイユニットについて説明し
たが、この数はこれより多くても少なくてもよいことは
当然である。この場合には、配線基板上の個々の配線パ
ターンの数もこれに応じて増減されることになる。ま
た、実施例では半導体素子アレイユニットとして半導体
レーザを使用したがこれに限るものではない。すなわ
ち、ＬＥＤ（発光ダイオード）素子や、ＰＩＮ−ＰＤ素
子あるいはＡＰＤ素子等の他の発光素子あるいは受光素
子としての半導体素子を使用するものに対しても本発明
を適用できることはもちろんである。
【００２４】また、実施例では第１の配線基板２５の真
上の位置に第２の配線基板３１を配置したが、必ずしも
これに限るものではなく、前後あるいは左右にずれて配
置されていてもよい。更に実施例では半導体レーザが等
間隔に配置されたものについて説明したが、これに限る
ものではない。また、実施例では各配線パターン２７は
互いに平行に配置されることにしたが、これに限られる
ものではなく、例えば扇形状に配置されるものであって
もよい。
上の位置に第２の配線基板３１を配置したが、必ずしも
これに限るものではなく、前後あるいは左右にずれて配
置されていてもよい。更に実施例では半導体レーザが等
間隔に配置されたものについて説明したが、これに限る
ものではない。また、実施例では各配線パターン２７は
互いに平行に配置されることにしたが、これに限られる
ものではなく、例えば扇形状に配置されるものであって
もよい。
【００２５】更に実施例では第１の配線基板２５と第２
の配線基板３１の２つの配線基板に配線パターン２７を
分割して配置し、半導体レーザ２１の間隔よりも個々の
配線基板２５、３１の配線パターン２７の間隔を２倍と
したが、例えば配線基板を３つとしてこれらに配線パタ
ーン２７を分割して配置することにして、光源あるいは
受光素子の間隔に対して個々の配線基板における配線パ
ターンの間隔を３倍あるいはそれ以上とすることも可能
である。
の配線基板３１の２つの配線基板に配線パターン２７を
分割して配置し、半導体レーザ２１の間隔よりも個々の
配線基板２５、３１の配線パターン２７の間隔を２倍と
したが、例えば配線基板を３つとしてこれらに配線パタ
ーン２７を分割して配置することにして、光源あるいは
受光素子の間隔に対して個々の配線基板における配線パ
ターンの間隔を３倍あるいはそれ以上とすることも可能
である。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように請求項１記載の発明
によれば、半導体からなる複数の光源にそれぞれ対応し
て配置する配線パターンを高さ方向に異なった位置に配
置された複数の配線基板に順番に割り振り、これによっ
てこれら複数の配線基板それぞれにおける配線パターン
の間隔を広げるようにしたので電気的クロストークを低
減させ特性の向上を図ることができるばかりでなく、こ
れら光源の間隔をより接近させることができる。
によれば、半導体からなる複数の光源にそれぞれ対応し
て配置する配線パターンを高さ方向に異なった位置に配
置された複数の配線基板に順番に割り振り、これによっ
てこれら複数の配線基板それぞれにおける配線パターン
の間隔を広げるようにしたので電気的クロストークを低
減させ特性の向上を図ることができるばかりでなく、こ
れら光源の間隔をより接近させることができる。
【００２７】また、請求項２記載の発明によれば、請求
項１記載の発明と同様の効果を得ることができる他、対
向する配線基板面の少なくとも一方をメタライズして電
気的クロストークを低減させるようにした。このため配
線基板の間隔をあまりあけなくても、電気的クロストー
ク特性を向上させることができる。
項１記載の発明と同様の効果を得ることができる他、対
向する配線基板面の少なくとも一方をメタライズして電
気的クロストークを低減させるようにした。このため配
線基板の間隔をあまりあけなくても、電気的クロストー
ク特性を向上させることができる。
【００２８】更に、請求項３および請求項４記載の発明
によれば、半導体レーザを使用した半導体素子アレイユ
ニットの配線基板を２枚使用し、配線パターンをこれら
に分散して配置したので、配線パターンの間隔を半導体
レーザの間隔の２倍にして、電気的クロストークを大幅
に低減させることができる。
によれば、半導体レーザを使用した半導体素子アレイユ
ニットの配線基板を２枚使用し、配線パターンをこれら
に分散して配置したので、配線パターンの間隔を半導体
レーザの間隔の２倍にして、電気的クロストークを大幅
に低減させることができる。
【００２９】また、請求項５記載の発明によれば、半導
体からなる複数の受光素子にそれぞれ対応して配置する
配線パターンを高さ方向に異なった位置に配置された複
数の配線基板に順番に割り振り、これによってこれら複
数の配線基板それぞれにおける配線パターンの間隔を広
げるようにしたので、受光素子側についても光源側と同
様に電気的クロストークを低減させることができる。
体からなる複数の受光素子にそれぞれ対応して配置する
配線パターンを高さ方向に異なった位置に配置された複
数の配線基板に順番に割り振り、これによってこれら複
数の配線基板それぞれにおける配線パターンの間隔を広
げるようにしたので、受光素子側についても光源側と同
様に電気的クロストークを低減させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の一実施例における半導体レーザアレ
イユニットの組み立て第１段階を示す斜視図である。
イユニットの組み立て第１段階を示す斜視図である。
【図２】 本実施例の半導体レーザアレイユニットの組
み立ての終了状態を示す斜視図である。
み立ての終了状態を示す斜視図である。
【図３】 従来の半導体素子アレイユニットとして半導
体レーザアレイユニットの一例を示す斜視図である。
体レーザアレイユニットの一例を示す斜視図である。
２１1 〜２１8 半導体レーザ ２２ 半導体レーザアレイ素子 ２３、３２ 半田 ２４ キャリア（支持体） ２５ 第１の配線基板 ２７1 〜２７8 配線パターン ２９ ボンディングワイヤ ３１ 第２の配線基板
Claims (5)
- 【請求項１】 所定の支持体上に一列に配置された半導
体からなる複数の光源と、 これらの光源の列方向と平行にかつ高さをそれぞれ違え
て前記支持体に固定された複数の配線基板と、 前記複数の光源のすべてを予め定められた順序でこれら
配線基板に順に割り当てたときのこれら配線基板におけ
るそれぞれの光源に対応する位置に配置された配線パタ
ーンと、 前記複数の光源のそれぞれと配線パターンの対応するも
のとを１つずつ対応付けて電気的に接続するボンディン
グワイヤとを具備することを特徴とする半導体素子アレ
イユニット。 - 【請求項２】 所定の支持体上に一列に配置された半導
体からなる複数の光源と、 これらの光源の列方向と平行にかつ高さをそれぞれ違え
て前記支持体に固定されると共に対向する基板面の一方
をメタライズした複数の配線基板と、 前記複数の光源のすべてを予め定められた順序でこれら
配線基板に順に割り当てたときのこれら配線基板におけ
るそれぞれの光源に対応する位置に配置された配線パタ
ーンと、 前記複数の光源のそれぞれと配線パターンの対応するも
のとを１つずつ対応付けて電気的に接続するボンディン
グワイヤとを具備することを特徴とする半導体素子アレ
イユニット。 - 【請求項３】 所定の支持体上に一列に配置された半導
体レーザと、 これらの光源の列方向と平行にかつ高さを違えて前記支
持体にそれぞれ固定されると共に対向する基板面の一方
をメタライズした２枚の配線基板と、 前記複数の半導体レーザの奇数番目のものを２枚の配線
基板の一方に割り当て偶数番目のものを他方の配線基板
に割り当てたときのこれら配線基板におけるそれぞれの
光源に対応する位置に配置された配線パターンと、 前記複数の半導体レーザのそれぞれと配線パターンの対
応するものとを１つずつ対応付けて電気的に接続するボ
ンディングワイヤとを具備することを特徴とする半導体
素子アレイユニット。 - 【請求項４】 前記複数の半導体レーザは互いに等間隔
で配置され、２枚の配線基板のそれぞれに配置される配
線パターンは互いに平行でこれらの間隔は前記複数の半
導体レーザの間隔の２倍であることを特徴とする請求項
３記載の半導体素子アレイユニット。 - 【請求項５】 所定の支持体上に一列に配置された半導
体からなる複数の受光素子と、 これらの受光素子の列方向と平行にかつ高さをそれぞれ
違えて前記支持体に固定された複数の配線基板と、 前記複数の受光素子のすべてを予め定められた順序でこ
れら配線基板に順に割り当てたときのこれら配線基板に
おけるそれぞれの光源に対応する位置に配置された配線
パターンと、 前記複数の受光素子のそれぞれと配線パターンの対応す
るものとを１つずつ対応付けて電気的に接続するボンデ
ィングワイヤとを具備することを特徴とする半導体素子
アレイユニット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32008794A JPH08181380A (ja) | 1994-12-22 | 1994-12-22 | 半導体素子アレイユニット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32008794A JPH08181380A (ja) | 1994-12-22 | 1994-12-22 | 半導体素子アレイユニット |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08181380A true JPH08181380A (ja) | 1996-07-12 |
Family
ID=18117576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32008794A Pending JPH08181380A (ja) | 1994-12-22 | 1994-12-22 | 半導体素子アレイユニット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08181380A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000024096A1 (en) * | 1998-10-20 | 2000-04-27 | Quantum Devices, Incorporated | Method and apparatus for reducing electrical and thermal crosstalk of a laser array |
| WO2010119872A1 (ja) * | 2009-04-13 | 2010-10-21 | パナソニック電工株式会社 | Ｌｅｄユニット |
| WO2024237299A1 (ja) * | 2023-05-18 | 2024-11-21 | 京セラ株式会社 | 発光素子および造形装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02143872A (ja) * | 1988-11-25 | 1990-06-01 | Seiko Epson Corp | 光プリンタヘッド |
| JPH0449691A (ja) * | 1990-06-18 | 1992-02-19 | Mitsubishi Electric Corp | 可視光レーザダイオード |
| JPH0677275B2 (ja) * | 1989-02-20 | 1994-09-28 | 矢崎総業株式会社 | タキシーメータ |
-
1994
- 1994-12-22 JP JP32008794A patent/JPH08181380A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02143872A (ja) * | 1988-11-25 | 1990-06-01 | Seiko Epson Corp | 光プリンタヘッド |
| JPH0677275B2 (ja) * | 1989-02-20 | 1994-09-28 | 矢崎総業株式会社 | タキシーメータ |
| JPH0449691A (ja) * | 1990-06-18 | 1992-02-19 | Mitsubishi Electric Corp | 可視光レーザダイオード |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000024096A1 (en) * | 1998-10-20 | 2000-04-27 | Quantum Devices, Incorporated | Method and apparatus for reducing electrical and thermal crosstalk of a laser array |
| US6553044B1 (en) | 1998-10-20 | 2003-04-22 | Quantum Devices, Inc. | Method and apparatus for reducing electrical and thermal crosstalk of a laser array |
| WO2010119872A1 (ja) * | 2009-04-13 | 2010-10-21 | パナソニック電工株式会社 | Ｌｅｄユニット |
| US8592830B2 (en) | 2009-04-13 | 2013-11-26 | Panasonic Corporation | LED unit |
| WO2024237299A1 (ja) * | 2023-05-18 | 2024-11-21 | 京セラ株式会社 | 発光素子および造形装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19970603 |