JPH08181455A - 多層プリント配線板の製造方法 - Google Patents
多層プリント配線板の製造方法Info
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- JPH08181455A JPH08181455A JP7118232A JP11823295A JPH08181455A JP H08181455 A JPH08181455 A JP H08181455A JP 7118232 A JP7118232 A JP 7118232A JP 11823295 A JP11823295 A JP 11823295A JP H08181455 A JPH08181455 A JP H08181455A
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Links
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Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 信頼性の高い回路が得られ、生産効率の向上
が図れ、省工程になる多層プリント配線板の製造方法を
提供する。 【構成】 最下部絶縁基板１ｄと、この最下部絶縁基板
１ｄの上方に配置される最上部絶縁基板１ｕと、この最
上部絶縁基板１ｕと前記最下部絶縁基板１ｄとの間に配
置される内層回路基板１ｎの所定枚数とを、それぞれ接
着シート７を介して加圧接着して積層体１０とし、この
積層体１０にスルーホール３を形成し、露出している前
記導体回路４の露出面に銅よりエッチング溶解性の小さ
い金属被膜を導体保護層８として形成した後に、前記ス
ルーホール３に化学銅メッキ１１を施し、前記スルーホ
ール３の上端部及び下端部にフィルム状のエッチングレ
ジスト９によりテンティングを行い、スルーホール３を
閉塞した後、エッチングにより露出している前記化学銅
メッキ１１を除去する。
が図れ、省工程になる多層プリント配線板の製造方法を
提供する。 【構成】 最下部絶縁基板１ｄと、この最下部絶縁基板
１ｄの上方に配置される最上部絶縁基板１ｕと、この最
上部絶縁基板１ｕと前記最下部絶縁基板１ｄとの間に配
置される内層回路基板１ｎの所定枚数とを、それぞれ接
着シート７を介して加圧接着して積層体１０とし、この
積層体１０にスルーホール３を形成し、露出している前
記導体回路４の露出面に銅よりエッチング溶解性の小さ
い金属被膜を導体保護層８として形成した後に、前記ス
ルーホール３に化学銅メッキ１１を施し、前記スルーホ
ール３の上端部及び下端部にフィルム状のエッチングレ
ジスト９によりテンティングを行い、スルーホール３を
閉塞した後、エッチングにより露出している前記化学銅
メッキ１１を除去する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば、電子機器、電
気機器、コンピュータ及び通信機器等に用いられるＰＧ
Ａ、ＢＧＡ、チップキャリアのような、半導体チップや
チップ部品を搭載するために用いられる多層プリント配
線板の製造方法に関する。
気機器、コンピュータ及び通信機器等に用いられるＰＧ
Ａ、ＢＧＡ、チップキャリアのような、半導体チップや
チップ部品を搭載するために用いられる多層プリント配
線板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体チップやチップ部品等の電
子部品は軽薄短小化が進み、それに伴い電子部品の搭載
基板も高密度化の要求が強くなってきている。また、半
導体パッケージは放熱性の良いものを使用する必要があ
るため、従来はセラミック素材のものが用いられていた
が、セラミック素材は高価なことから、高密度化が可能
で低価格化を実現できる多層プリント配線板が用いられ
るようになってきた。ＰＧＡに代表される開口部を有す
るこのような多層プリント配線板の製造方法は、大きく
分けて２種類の方法がある。すなわち、第一の方法は、
最上層に開口部を有さない積層体にスルーホールを形成
し、スルーホールに化学メッキを施した後に、開口部を
形成する多層プリント配線板の製造方法であり、第二の
方法は、開口部を有する積層体にスルーホールを形成
し、スルーホールに化学メッキを施した後に、絶縁部に
ついた不要な化学メッキ部を取り除く多層プリント配線
板の製造方法である。
子部品は軽薄短小化が進み、それに伴い電子部品の搭載
基板も高密度化の要求が強くなってきている。また、半
導体パッケージは放熱性の良いものを使用する必要があ
るため、従来はセラミック素材のものが用いられていた
が、セラミック素材は高価なことから、高密度化が可能
で低価格化を実現できる多層プリント配線板が用いられ
るようになってきた。ＰＧＡに代表される開口部を有す
るこのような多層プリント配線板の製造方法は、大きく
分けて２種類の方法がある。すなわち、第一の方法は、
最上層に開口部を有さない積層体にスルーホールを形成
し、スルーホールに化学メッキを施した後に、開口部を
形成する多層プリント配線板の製造方法であり、第二の
方法は、開口部を有する積層体にスルーホールを形成
し、スルーホールに化学メッキを施した後に、絶縁部に
ついた不要な化学メッキ部を取り除く多層プリント配線
板の製造方法である。
【０００３】前記第一の方法は、例えば、特公平２−５
０１４号公報や特開平４−３６９２５２号公報等で開示
されている。
０１４号公報や特開平４−３６９２５２号公報等で開示
されている。
【０００４】特公平２−５０１４号公報では、積層され
た複数枚の板体に半導体素子収納穴、スルーホールなら
びに配線パターンが形成され、スルーホールにはメッキ
が施されているプリント基板型ＰＧＡパッケージの製造
方法において、前記積層された複数枚の板体は、両外側
の板体には半導体素子収納穴を形成するための開口が形
成されておらず、両外側の板体の外面を除く配線パター
ンは、両外側の板体によって密閉されるように積層され
ており、該積層された複数枚の板体にスルーホールを形
成するとともにスルーホールにメッキを施し、その後両
外側の板体の少なくとも一方に半導体素子収納穴を形成
するための開口を形成するようにしたことを特徴とする
プリント基板型ＰＧＡパッケージの製造方法が開示され
ている。以上が特公平２−５０１４号公報に開示された
プリント基板型ＰＧＡパッケージの製造方法である。し
かしながら、この製造方法では以下に示すようないくつ
かの欠点を有してる。すなわち、開口部を覆う蓋が板体
であるため、蓋の厚みが厚くなってしまう。さらに、最
外層の開口部に前記板体の加工時の屑が回路パターンの
上やスルーホール内部に付着するという問題があった。
た複数枚の板体に半導体素子収納穴、スルーホールなら
びに配線パターンが形成され、スルーホールにはメッキ
が施されているプリント基板型ＰＧＡパッケージの製造
方法において、前記積層された複数枚の板体は、両外側
の板体には半導体素子収納穴を形成するための開口が形
成されておらず、両外側の板体の外面を除く配線パター
ンは、両外側の板体によって密閉されるように積層され
ており、該積層された複数枚の板体にスルーホールを形
成するとともにスルーホールにメッキを施し、その後両
外側の板体の少なくとも一方に半導体素子収納穴を形成
するための開口を形成するようにしたことを特徴とする
プリント基板型ＰＧＡパッケージの製造方法が開示され
ている。以上が特公平２−５０１４号公報に開示された
プリント基板型ＰＧＡパッケージの製造方法である。し
かしながら、この製造方法では以下に示すようないくつ
かの欠点を有してる。すなわち、開口部を覆う蓋が板体
であるため、蓋の厚みが厚くなってしまう。さらに、最
外層の開口部に前記板体の加工時の屑が回路パターンの
上やスルーホール内部に付着するという問題があった。
【０００５】一方、特開平４−３６９２５２号公報で
は、配線を形成した複数枚の有機系基板を、中央部に底
面が平坦な凹部を形成しながら積層して段付部を有する
多層配線板を形成し、かつ、凹部以外の任意の個所にス
ルーホールを形成し、スルーホールにメッキを施して半
導体素子搭載用装置を製造する方法において、有機系基
板を積層後、最外側に銅箔を接着し、ついでスルーホー
ルを形成し、表面及びスルーホールにメッキ被膜を形成
した後、前記凹部に対応する部分のメッキ被膜及び銅箔
をエッチングにより取り除いて開口状態にすることを特
徴とする半導体素子搭載用装置の製造法が開示されてい
る。以上が特開平４−３６９２５２号公報に開示された
多層プリント配線板の製造方法である。しかしながら、
この製造方法でも以下に示すような欠点を有している。
すなわち、凹部の蓋となっている銅箔を除去し開口状態
とするエッチングの際に、開口部内部の回路まで侵され
る。これを防止するため、実施例に示されているよう
に、回路層各層にはんだメッキとオーバーコート樹脂の
印刷、硬化を行うプロセスが必要であり、非常に手間が
かかり、はんだメッキ部の除去工程も手間がかかる上、
エッチングが不十分でピンホール等にはんだが残存する
と、その後にメッキされるメッキ層との密着が不十分に
なるという問題があった。
は、配線を形成した複数枚の有機系基板を、中央部に底
面が平坦な凹部を形成しながら積層して段付部を有する
多層配線板を形成し、かつ、凹部以外の任意の個所にス
ルーホールを形成し、スルーホールにメッキを施して半
導体素子搭載用装置を製造する方法において、有機系基
板を積層後、最外側に銅箔を接着し、ついでスルーホー
ルを形成し、表面及びスルーホールにメッキ被膜を形成
した後、前記凹部に対応する部分のメッキ被膜及び銅箔
をエッチングにより取り除いて開口状態にすることを特
徴とする半導体素子搭載用装置の製造法が開示されてい
る。以上が特開平４−３６９２５２号公報に開示された
多層プリント配線板の製造方法である。しかしながら、
この製造方法でも以下に示すような欠点を有している。
すなわち、凹部の蓋となっている銅箔を除去し開口状態
とするエッチングの際に、開口部内部の回路まで侵され
る。これを防止するため、実施例に示されているよう
に、回路層各層にはんだメッキとオーバーコート樹脂の
印刷、硬化を行うプロセスが必要であり、非常に手間が
かかり、はんだメッキ部の除去工程も手間がかかる上、
エッチングが不十分でピンホール等にはんだが残存する
と、その後にメッキされるメッキ層との密着が不十分に
なるという問題があった。
【０００６】前記第二の方法は、例えば、特願平６−１
０１２３で本発明者が提案している。すなわち、第１
の回路パターンと開口部を有する第１のプリント配線板
及び第２の回路パターンを有する第２のプリント配線板
とを接着用シートを介在して被圧体とし、この被圧体を
加熱加圧成形して上記開口部内に第２の回路パターンを
露出した積層体を得る工程；積層体に、スルーホール
を穿設した後、核付けを行い、第１及び第２の回路パタ
ーン、絶縁回路パターン及びスルーホールに化学メッキ
を施す工程；上記スルーホールの開孔部をカバーで閉
塞した後にソフトエッチングを行って上記化学メッキを
除去し、上記の核を除去する工程；上記カバーを取り
除いた後、第１及び第２の回路パターンおよびスルーホ
ールに電気メッキを施す工程；前記積層体の最外層と
なる第１のプリント配線板の表面及び第２のプリント配
線板の裏面にレジストをコーティングする工程；前記
積層体のレジストから露出している回路パターンおよび
スルーホールに金メッキを施す工程からなる開口部を有
する多層プリント配線板の製造方法である。ところが、
開口部を有している多層板に直接、化学メッキを行うこ
とから開口部の露出導体以外の絶縁部にもメッキされる
ことになる。したがって、エッチング工程において絶縁
部分に化学メッキされた不要部分を取り除くことになる
が、その際、過激なエッチングを行うと、回路部までも
エッチングされ、ついには完全に除去されることにな
る。一方、マイルドな条件でエッチングを行うと、今度
は逆に化学メッキの核として用いられているパラジウム
等が十分に取り除けないことになる。その結果エッチン
グ後の電気メッキ（ニッケルメッキ＋金メッキ）等で、
絶縁部に残されたパラジウム核周辺もメッキされること
になり、回路部と回路部との間が短絡したようなメッキ
が施されることになる。したがって、エッチングには細
心の工程管理条件が必要となり、ファインパターンにな
ればなるほどその管理は困難になる。
０１２３で本発明者が提案している。すなわち、第１
の回路パターンと開口部を有する第１のプリント配線板
及び第２の回路パターンを有する第２のプリント配線板
とを接着用シートを介在して被圧体とし、この被圧体を
加熱加圧成形して上記開口部内に第２の回路パターンを
露出した積層体を得る工程；積層体に、スルーホール
を穿設した後、核付けを行い、第１及び第２の回路パタ
ーン、絶縁回路パターン及びスルーホールに化学メッキ
を施す工程；上記スルーホールの開孔部をカバーで閉
塞した後にソフトエッチングを行って上記化学メッキを
除去し、上記の核を除去する工程；上記カバーを取り
除いた後、第１及び第２の回路パターンおよびスルーホ
ールに電気メッキを施す工程；前記積層体の最外層と
なる第１のプリント配線板の表面及び第２のプリント配
線板の裏面にレジストをコーティングする工程；前記
積層体のレジストから露出している回路パターンおよび
スルーホールに金メッキを施す工程からなる開口部を有
する多層プリント配線板の製造方法である。ところが、
開口部を有している多層板に直接、化学メッキを行うこ
とから開口部の露出導体以外の絶縁部にもメッキされる
ことになる。したがって、エッチング工程において絶縁
部分に化学メッキされた不要部分を取り除くことになる
が、その際、過激なエッチングを行うと、回路部までも
エッチングされ、ついには完全に除去されることにな
る。一方、マイルドな条件でエッチングを行うと、今度
は逆に化学メッキの核として用いられているパラジウム
等が十分に取り除けないことになる。その結果エッチン
グ後の電気メッキ（ニッケルメッキ＋金メッキ）等で、
絶縁部に残されたパラジウム核周辺もメッキされること
になり、回路部と回路部との間が短絡したようなメッキ
が施されることになる。したがって、エッチングには細
心の工程管理条件が必要となり、ファインパターンにな
ればなるほどその管理は困難になる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は前記の事情に
鑑みてなされたもので、その目的とするところは、信頼
性の高い回路が得られ、生産効率の向上が図れ、省工程
になる多層プリント配線板の製造方法を提供することに
ある。
鑑みてなされたもので、その目的とするところは、信頼
性の高い回路が得られ、生産効率の向上が図れ、省工程
になる多層プリント配線板の製造方法を提供することに
ある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
多層プリント配線板の製造方法は、積層された複数枚の
絶縁基板１に電子部品収納用の収納穴２、スルーホール
３及び導体回路４が形成され、このスルーホール３及び
導体回路４に金メッキ１８を施す多層プリント配線板の
製造方法において、電子部品搭載部５及び導体回路４を
有する最下部絶縁基板１ｄと、この最下部絶縁基板１ｄ
の上方に配置される前記収納穴２に対応する開口部６及
び導体回路４を有する最上部絶縁基板１ｕと、この最上
部絶縁基板１ｕと前記最下部絶縁基板１ｄとの間に配置
される、前記開口部６及び導体回路４を有する内層回路
基板１ｎの所定枚数とを、それぞれ接着シート７を介し
て加圧接着して積層体１０とし、この積層体１０にスル
ーホール３を形成し、露出している前記導体回路４の露
出面に銅よりエッチング溶解性の小さい金属被膜を導体
保護層８として形成した後に、前記スルーホール３に化
学銅メッキ１１を施し、前記スルーホール３の上端部及
び下端部にフィルム状のエッチングレジスト９によりテ
ンティングを行いスルーホール３を閉塞した後、エッチ
ングにより露出している前記化学銅メッキ１１を除去す
ることを特徴とする。
多層プリント配線板の製造方法は、積層された複数枚の
絶縁基板１に電子部品収納用の収納穴２、スルーホール
３及び導体回路４が形成され、このスルーホール３及び
導体回路４に金メッキ１８を施す多層プリント配線板の
製造方法において、電子部品搭載部５及び導体回路４を
有する最下部絶縁基板１ｄと、この最下部絶縁基板１ｄ
の上方に配置される前記収納穴２に対応する開口部６及
び導体回路４を有する最上部絶縁基板１ｕと、この最上
部絶縁基板１ｕと前記最下部絶縁基板１ｄとの間に配置
される、前記開口部６及び導体回路４を有する内層回路
基板１ｎの所定枚数とを、それぞれ接着シート７を介し
て加圧接着して積層体１０とし、この積層体１０にスル
ーホール３を形成し、露出している前記導体回路４の露
出面に銅よりエッチング溶解性の小さい金属被膜を導体
保護層８として形成した後に、前記スルーホール３に化
学銅メッキ１１を施し、前記スルーホール３の上端部及
び下端部にフィルム状のエッチングレジスト９によりテ
ンティングを行いスルーホール３を閉塞した後、エッチ
ングにより露出している前記化学銅メッキ１１を除去す
ることを特徴とする。
【０００９】本発明の請求項２に係る多層プリント配線
板の製造方法は、前記金属被膜がニッケルメッキ、ニッ
ケルスズメッキ、クロムメッキ、パラジウムメッキ及び
これらの合金メッキからなる群から選択される少なくと
も一種類のメッキであることを特徴とする。
板の製造方法は、前記金属被膜がニッケルメッキ、ニッ
ケルスズメッキ、クロムメッキ、パラジウムメッキ及び
これらの合金メッキからなる群から選択される少なくと
も一種類のメッキであることを特徴とする。
【００１０】本発明の請求項３に係る多層プリント配線
板の製造方法は、前記金属被膜が銅よりエッチング溶解
性の小さい耐蝕性を有するアモルファス合金メッキであ
ることを特徴とする。
板の製造方法は、前記金属被膜が銅よりエッチング溶解
性の小さい耐蝕性を有するアモルファス合金メッキであ
ることを特徴とする。
【００１１】本発明の請求項４に係る多層プリント配線
板の製造方法は、前記アモルファス合金メッキがニッケ
ル燐メッキ、ニッケル銅燐メッキ、ニッケルタングステ
ン燐メッキ、ニッケルスズ燐メッキ、ニッケルコバルト
燐メッキ、ニッケルモリブデン燐メッキ、ニッケル銅ス
ズ燐メッキ、ニッケルタングステンスズ燐メッキ、ニッ
ケルほう素メッキ、ニッケルタングステンほう素メッ
キ、ニッケルスズほう素メッキ、ニッケルコバルトほう
素メッキ、ニッケルモリブデンほう素メッキ及びニッケ
ルタングステンスズほう素メッキからなる群から選択さ
れる少なくとも一種であることを特徴とする。
板の製造方法は、前記アモルファス合金メッキがニッケ
ル燐メッキ、ニッケル銅燐メッキ、ニッケルタングステ
ン燐メッキ、ニッケルスズ燐メッキ、ニッケルコバルト
燐メッキ、ニッケルモリブデン燐メッキ、ニッケル銅ス
ズ燐メッキ、ニッケルタングステンスズ燐メッキ、ニッ
ケルほう素メッキ、ニッケルタングステンほう素メッ
キ、ニッケルスズほう素メッキ、ニッケルコバルトほう
素メッキ、ニッケルモリブデンほう素メッキ及びニッケ
ルタングステンスズほう素メッキからなる群から選択さ
れる少なくとも一種であることを特徴とする。
【００１２】
【作用】本発明の請求項１乃至請求項４に係る多層プリ
ント配線板の製造方法では、露出している導体回路４の
露出面に、銅よりエッチング溶解性の小さい金属被膜を
導体保護層８として形成するので、エッチング条件の制
約が少なく、ハードエッチングが可能となり、エッチン
グ時間も長時間行える。その結果、露出している導体回
路４を保護しておきながら、不要な化学銅メッキ及びパ
ラジウム等の核を完全に除去することが可能となる。当
初から開口部６が形成されているため、ザグリ加工や開
口部を形成するための加工が不要であり、加工時の樹脂
屑が回路パターンの上やスルーホール内部に付着しな
い。また、カッターにより、回路パターンまでをも切断
してしまうという心配がない。
ント配線板の製造方法では、露出している導体回路４の
露出面に、銅よりエッチング溶解性の小さい金属被膜を
導体保護層８として形成するので、エッチング条件の制
約が少なく、ハードエッチングが可能となり、エッチン
グ時間も長時間行える。その結果、露出している導体回
路４を保護しておきながら、不要な化学銅メッキ及びパ
ラジウム等の核を完全に除去することが可能となる。当
初から開口部６が形成されているため、ザグリ加工や開
口部を形成するための加工が不要であり、加工時の樹脂
屑が回路パターンの上やスルーホール内部に付着しな
い。また、カッターにより、回路パターンまでをも切断
してしまうという心配がない。
【００１３】
【実施例】以下本発明の一実施例を図面によって具体的
に説明する。
に説明する。
【００１４】図１（ａ）に示す絶縁基板１は、例えばガ
ラスクロスにエポキシ樹脂を含浸したものが用いられ
る。半導体チップやチップ部品を搭載する電子部品搭載
部５及び例えば、銅箔をエッチングして形成した導体回
路４を両面又は外層面に有する最下部絶縁基板１ｄの上
に、電子部品搭載用の収納穴２に対応する開口部６及び
導体回路４を有する内層回路基板１ｎの所定枚数、例え
ば、２枚をそれぞれ、プリプレグ等の接着シート７を介
して載置する。この内層回路基板１ｎの上に、開口部６
及び導体回路４を有する最上部絶縁基板１ｕをプリプレ
グ等の接着シート７を介して載置し、被圧体１４とす
る。この被圧体１４を加圧接着して図１（ｂ）に示すよ
うに、積層体１０とし、この積層体１０にスルーホール
３を形成する。
ラスクロスにエポキシ樹脂を含浸したものが用いられ
る。半導体チップやチップ部品を搭載する電子部品搭載
部５及び例えば、銅箔をエッチングして形成した導体回
路４を両面又は外層面に有する最下部絶縁基板１ｄの上
に、電子部品搭載用の収納穴２に対応する開口部６及び
導体回路４を有する内層回路基板１ｎの所定枚数、例え
ば、２枚をそれぞれ、プリプレグ等の接着シート７を介
して載置する。この内層回路基板１ｎの上に、開口部６
及び導体回路４を有する最上部絶縁基板１ｕをプリプレ
グ等の接着シート７を介して載置し、被圧体１４とす
る。この被圧体１４を加圧接着して図１（ｂ）に示すよ
うに、積層体１０とし、この積層体１０にスルーホール
３を形成する。
【００１５】図１（ｃ）に示す前記積層体１０の各層の
露出した導体回路４の露出面に、図１（ｄ）に示すよう
に、銅よりエッチング溶解性の小さいメッキ、例えば、
ニッケルメッキ、ニッケルスズメッキ、クロムメッキ、
パラジウムメッキ及びこれらの合金メッキからなる群か
ら選択される少なくとも一種類のメッキ又は銅よりエッ
チング溶解性の小さい、耐蝕性を有するアモルファス合
金メッキ、すなわち、耐蝕性を有する多元系合金メッキ
を導体保護層８として形成する。前記アモルファス合金
メッキとしては、ニッケル燐メッキ、ニッケル銅燐メッ
キ、ニッケルタングステン燐メッキ、ニッケルスズ燐メ
ッキ、ニッケルコバルト燐メッキ、ニッケルモリブデン
燐メッキ、ニッケル銅スズ燐メッキ、ニッケルタングス
テンスズ燐メッキ、ニッケルほう素メッキ、ニッケルタ
ングステンほう素メッキ、ニッケルスズほう素メッキ、
ニッケルコバルトほう素メッキ、ニッケルモリブデンほ
う素メッキ及びニッケルタングステンスズほう素メッキ
からなる群から選択される少なくとも一種類等が例示さ
れる。特に、パラジウムメッキについては、銅よりエッ
チング溶解性が小さく、エッチング液で腐食しにくい。
なお、スルホール３に接する位置の導体保護層８は、図
１では省略している。この導体保護層８の形成方法とし
ては電気メッキ、化学メッキいずれでも可能であるが、
化学メッキの方が均一に導体保護層８を形成するので好
ましい。次いで、積層体１０にパラジウムを核付けし、
例えば、化学銅メッキ１１を行う。この化学銅メッキ１
１は、図１（ｅ）に示すように、スルーホール３、導体
保護層８を含む積層体１０表面全体に施されることにな
る。
露出した導体回路４の露出面に、図１（ｄ）に示すよう
に、銅よりエッチング溶解性の小さいメッキ、例えば、
ニッケルメッキ、ニッケルスズメッキ、クロムメッキ、
パラジウムメッキ及びこれらの合金メッキからなる群か
ら選択される少なくとも一種類のメッキ又は銅よりエッ
チング溶解性の小さい、耐蝕性を有するアモルファス合
金メッキ、すなわち、耐蝕性を有する多元系合金メッキ
を導体保護層８として形成する。前記アモルファス合金
メッキとしては、ニッケル燐メッキ、ニッケル銅燐メッ
キ、ニッケルタングステン燐メッキ、ニッケルスズ燐メ
ッキ、ニッケルコバルト燐メッキ、ニッケルモリブデン
燐メッキ、ニッケル銅スズ燐メッキ、ニッケルタングス
テンスズ燐メッキ、ニッケルほう素メッキ、ニッケルタ
ングステンほう素メッキ、ニッケルスズほう素メッキ、
ニッケルコバルトほう素メッキ、ニッケルモリブデンほ
う素メッキ及びニッケルタングステンスズほう素メッキ
からなる群から選択される少なくとも一種類等が例示さ
れる。特に、パラジウムメッキについては、銅よりエッ
チング溶解性が小さく、エッチング液で腐食しにくい。
なお、スルホール３に接する位置の導体保護層８は、図
１では省略している。この導体保護層８の形成方法とし
ては電気メッキ、化学メッキいずれでも可能であるが、
化学メッキの方が均一に導体保護層８を形成するので好
ましい。次いで、積層体１０にパラジウムを核付けし、
例えば、化学銅メッキ１１を行う。この化学銅メッキ１
１は、図１（ｅ）に示すように、スルーホール３、導体
保護層８を含む積層体１０表面全体に施されることにな
る。
【００１６】次に、図１（ｆ）に示すように、積層体１
０の最外層にエッチングレジスト９、例えば、ドライフ
ィルム等を貼着して現像し、テンティングを行い、スル
ーホール３の上端部及び下端部の開孔部を閉塞する。そ
の後、図１（ｇ）に示すように、例えば、塩化第二銅溶
液でハードエッチング処理を行い、テンティングにより
保護されていない部分の化学銅メッキ１１とパラジウム
核とを除去する。この場合、露出した導体回路４は例え
ば、ニッケルメッキ、高リンタイプのニッケル燐メッキ
等よりなる導体保護層８で保護されているので、導体回
路４は除去されない。ただしニッケルメッキの場合は、
ハードエッチング液により一部溶出するが、銅に比較す
ると溶出速度が非常に遅いことから問題はない。
０の最外層にエッチングレジスト９、例えば、ドライフ
ィルム等を貼着して現像し、テンティングを行い、スル
ーホール３の上端部及び下端部の開孔部を閉塞する。そ
の後、図１（ｇ）に示すように、例えば、塩化第二銅溶
液でハードエッチング処理を行い、テンティングにより
保護されていない部分の化学銅メッキ１１とパラジウム
核とを除去する。この場合、露出した導体回路４は例え
ば、ニッケルメッキ、高リンタイプのニッケル燐メッキ
等よりなる導体保護層８で保護されているので、導体回
路４は除去されない。ただしニッケルメッキの場合は、
ハードエッチング液により一部溶出するが、銅に比較す
ると溶出速度が非常に遅いことから問題はない。
【００１７】次にドライフィルム等のエッチングレジス
ト９を水酸化ナトリウム溶液で除去し、露出した導体回
路４及びスルーホール３に電気信頼性を向上させるため
に電気銅メッキを行う。次いで、図１（ｈ）及び図１
（ｉ）に示すように、積層体１０の両外面及び収納穴２
の内部を必要に応じてソルダーレジスト１７で覆った
後、ソルダーレジスト１７から露出している導体回路４
及びスルーホール３等の銅露出部にニッケルメッキ（図
示せず）及び金メッキ１８を施す。
ト９を水酸化ナトリウム溶液で除去し、露出した導体回
路４及びスルーホール３に電気信頼性を向上させるため
に電気銅メッキを行う。次いで、図１（ｈ）及び図１
（ｉ）に示すように、積層体１０の両外面及び収納穴２
の内部を必要に応じてソルダーレジスト１７で覆った
後、ソルダーレジスト１７から露出している導体回路４
及びスルーホール３等の銅露出部にニッケルメッキ（図
示せず）及び金メッキ１８を施す。
【００１８】本実施例ではメッキ法を用いているが、そ
の他に、スパッタリング、真空蒸着等の薄膜法、又は厚
膜法により導体保護層８を形成してもよい。
の他に、スパッタリング、真空蒸着等の薄膜法、又は厚
膜法により導体保護層８を形成してもよい。
【００１９】以上のように、本発明に係る多層プリント
配線板の製造方法では、露出している導体回路４に、銅
よりエッチング溶解性の小さい金属被膜を導体保護層８
として形成するので、エッチング条件の制約が少なく、
ハードエッチングが可能となり、エッチング時間も長時
間行える。その結果、露出している導体回路４は保護し
ておきながら、不要な化学銅メッキ及びパラジウム等の
核を完全に除去することが可能となり、信頼性の高い回
路が得られ、生産効率の向上が図れ、省工程になる。さ
らに、最上層に開口部６を有する積層体１０に、開口部
６に蓋をしないで直接、化学銅メッキ１１をする手法を
用いて多層プリント配線板を容易に製造することが可能
であり、薄型化に優位な製造方法である。
配線板の製造方法では、露出している導体回路４に、銅
よりエッチング溶解性の小さい金属被膜を導体保護層８
として形成するので、エッチング条件の制約が少なく、
ハードエッチングが可能となり、エッチング時間も長時
間行える。その結果、露出している導体回路４は保護し
ておきながら、不要な化学銅メッキ及びパラジウム等の
核を完全に除去することが可能となり、信頼性の高い回
路が得られ、生産効率の向上が図れ、省工程になる。さ
らに、最上層に開口部６を有する積層体１０に、開口部
６に蓋をしないで直接、化学銅メッキ１１をする手法を
用いて多層プリント配線板を容易に製造することが可能
であり、薄型化に優位な製造方法である。
【００２０】
【発明の効果】本発明の請求項１乃至請求項４に係る多
層プリント配線板の製造方法によると、パラジウム核を
完全に除去した信頼性の高い回路が得られ、生産効率の
向上が図れ、省工程になる。
層プリント配線板の製造方法によると、パラジウム核を
完全に除去した信頼性の高い回路が得られ、生産効率の
向上が図れ、省工程になる。
【図１】本発明の実施例に係る多層プリント配線板の製
造方法の断面図であり、（ａ）は被圧体の断面図、
（ｂ）はスルーホールを形成した積層体の断面図、
（ｃ）は露出している導体回路及びスルーホールを示す
積層体の要部断面図、（ｄ）は（ｃ）に導体保護層８の
形成を行った積層体の要部断面図、（ｅ）は（ｄ）に化
学銅メッキを施した積層体の要部断面図、（ｆ）はドラ
イフィルム等を貼着し、スルーホール３の上端部及び下
端部の開孔部をテンティングした積層体の要部断面図、
（ｇ）はハードエッチングを行った積層体の要部断面
図、（ｈ）はニッケルメッキ及び金メッキを施すことに
より、配線パターンを形成した多層プリント配線板の要
部断面図、（ｉ）はニッケルメッキ及び金メッキを施す
ことにより、配線パターンを形成した多層プリント配線
板の断面図である。
造方法の断面図であり、（ａ）は被圧体の断面図、
（ｂ）はスルーホールを形成した積層体の断面図、
（ｃ）は露出している導体回路及びスルーホールを示す
積層体の要部断面図、（ｄ）は（ｃ）に導体保護層８の
形成を行った積層体の要部断面図、（ｅ）は（ｄ）に化
学銅メッキを施した積層体の要部断面図、（ｆ）はドラ
イフィルム等を貼着し、スルーホール３の上端部及び下
端部の開孔部をテンティングした積層体の要部断面図、
（ｇ）はハードエッチングを行った積層体の要部断面
図、（ｈ）はニッケルメッキ及び金メッキを施すことに
より、配線パターンを形成した多層プリント配線板の要
部断面図、（ｉ）はニッケルメッキ及び金メッキを施す
ことにより、配線パターンを形成した多層プリント配線
板の断面図である。
１ 絶縁基板 １ｄ 最下部絶縁基板 １ｎ 内層回路基板 １ｕ 最上部絶縁基板 ２ 収納穴 ３ スルーホール ４ 導体回路 ５ 電子部品搭載部 ６ 開口部 ７ 接着シート ８ 導体保護層 ９ エッチングレジスト １０ 積層体 １１ 化学銅メッキ １８ 金メッキ
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｋ 3/06 Ｊ Ｋ 3/24 Ａ 7511−4Ｅ 3/42 Ｂ 7511−4Ｅ (72)発明者 兼子 醇治 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 (72)発明者 石川 正治 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 (72)発明者 池谷 晋一 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 積層された複数枚の絶縁基板（１）に電
子部品収納用の収納穴（２）、スルーホール（３）及び
導体回路（４）が形成され、このスルーホール（３）及
び導体回路（４）に金メッキ（１８）を施す多層プリン
ト配線板の製造方法において、電子部品搭載部（５）及
び導体回路（４）を有する最下部絶縁基板（１ｄ）と、
この最下部絶縁基板（１ｄ）の上方に配置される前記収
納穴（２）に対応する開口部（６）及び導体回路（４）
を有する最上部絶縁基板（１ｕ）と、この最上部絶縁基
板（１ｕ）と前記最下部絶縁基板（１ｄ）との間に配置
される、前記開口部（６）及び導体回路（４）を有する
内層回路基板（１ｎ）の所定枚数とを、それぞれ接着シ
ート（７）を介して加圧接着して積層体（１０）とし、
この積層体（１０）にスルーホール（３）を形成し、露
出している前記導体回路（４）の露出面に銅よりエッチ
ング溶解性の小さい金属被膜を導体保護層（８）として
形成した後に、前記スルーホール（３）に化学銅メッキ
（１１）を施し、前記スルーホール（３）の上端部及び
下端部にフィルム状のエッチングレジスト（９）により
テンティングを行いスルーホール（３）を閉塞した後、
エッチングにより露出している前記化学銅メッキ（１
１）を除去することを特徴とする多層プリント配線板の
製造方法。 - 【請求項２】 前記金属被膜がニッケルメッキ、ニッケ
ルスズメッキ、クロムメッキ、パラジウムメッキ及びこ
れらの合金メッキからなる群から選択される少なくとも
一種類のメッキであることを特徴とする請求項１記載の
多層プリント配線板の製造方法。 - 【請求項３】 前記金属被膜が銅よりエッチング溶解性
の小さい耐蝕性を有するアモルファス合金メッキである
ことを特徴とする請求項１記載の多層プリント配線板の
製造方法。 - 【請求項４】 前記アモルファス合金メッキがニッケル
燐メッキ、ニッケル銅燐メッキ、ニッケルタングステン
燐メッキ、ニッケルスズ燐メッキ、ニッケルコバルト燐
メッキ、ニッケルモリブデン燐メッキ、ニッケル銅スズ
燐メッキ、ニッケルタングステンスズ燐メッキ、ニッケ
ルほう素メッキ、ニッケルタングステンほう素メッキ、
ニッケルスズほう素メッキ、ニッケルコバルトほう素メ
ッキ、ニッケルモリブデンほう素メッキ及びニッケルタ
ングステンスズほう素メッキからなる群から選択される
少なくとも一種であることを特徴とする請求項３記載の
多層プリント配線板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7118232A JPH08181455A (ja) | 1994-10-27 | 1995-05-17 | 多層プリント配線板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6-263024 | 1994-10-27 | ||
| JP26302494 | 1994-10-27 | ||
| JP7118232A JPH08181455A (ja) | 1994-10-27 | 1995-05-17 | 多層プリント配線板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08181455A true JPH08181455A (ja) | 1996-07-12 |
Family
ID=26456199
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7118232A Withdrawn JPH08181455A (ja) | 1994-10-27 | 1995-05-17 | 多層プリント配線板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08181455A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002043454A (ja) * | 2000-07-24 | 2002-02-08 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体パッケージ用基板の製造方法とその方法を用いた半導体パッケージの製造方法及びこれらの方法を用いた半導体パッケージ用基板と半導体パッケージ |
| CN110248475A (zh) * | 2019-06-10 | 2019-09-17 | 江门崇达电路技术有限公司 | 一种去除pcb金属化半孔披锋的方法 |
| CN110933847A (zh) * | 2019-11-29 | 2020-03-27 | 胜宏科技（惠州）股份有限公司 | 一种提高干膜对pth孔封孔能力的方法 |
-
1995
- 1995-05-17 JP JP7118232A patent/JPH08181455A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002043454A (ja) * | 2000-07-24 | 2002-02-08 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体パッケージ用基板の製造方法とその方法を用いた半導体パッケージの製造方法及びこれらの方法を用いた半導体パッケージ用基板と半導体パッケージ |
| CN110248475A (zh) * | 2019-06-10 | 2019-09-17 | 江门崇达电路技术有限公司 | 一种去除pcb金属化半孔披锋的方法 |
| CN110933847A (zh) * | 2019-11-29 | 2020-03-27 | 胜宏科技（惠州）股份有限公司 | 一种提高干膜对pth孔封孔能力的方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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