JPH08181564A - 弾性表面波装置及びその製造方法 - Google Patents
弾性表面波装置及びその製造方法Info
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- JPH08181564A JPH08181564A JP33516094A JP33516094A JPH08181564A JP H08181564 A JPH08181564 A JP H08181564A JP 33516094 A JP33516094 A JP 33516094A JP 33516094 A JP33516094 A JP 33516094A JP H08181564 A JPH08181564 A JP H08181564A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】弾性表面波装置のパッケージによる小形化の限
界をとり除くとともに、原価の低減を図る。 【構成】ウエハ状の圧電基板１０２上に形成されたＩＤ
Ｔ１０３、バスバー１０４，１０４’、引出電極１０
６，１０６’、端子電極１０５，１０５’の上にＳｉＯ
2 膜３５を設ける。その上の振動機能面上にＣｒ犠牲層
を設けた上からＳｉＯ2 膜３８を設ける。ＳｉＯ2 膜３
８の端縁部に中空用窓をエッチング処理で設けるととも
に端子電極部に接続用窓２０６をエッチング処理で設け
る。中空用窓から内部のＣｒ犠牲層をエッチングによっ
て抽出除去して中空部２０１を形成し、中空用窓を樹脂
３９で封止するように構成した。
界をとり除くとともに、原価の低減を図る。 【構成】ウエハ状の圧電基板１０２上に形成されたＩＤ
Ｔ１０３、バスバー１０４，１０４’、引出電極１０
６，１０６’、端子電極１０５，１０５’の上にＳｉＯ
2 膜３５を設ける。その上の振動機能面上にＣｒ犠牲層
を設けた上からＳｉＯ2 膜３８を設ける。ＳｉＯ2 膜３
８の端縁部に中空用窓をエッチング処理で設けるととも
に端子電極部に接続用窓２０６をエッチング処理で設け
る。中空用窓から内部のＣｒ犠牲層をエッチングによっ
て抽出除去して中空部２０１を形成し、中空用窓を樹脂
３９で封止するように構成した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高周波共振器として電
気通信機器に用いられる弾性表面波装置及びその製造方
法に関するものである。
気通信機器に用いられる弾性表面波装置及びその製造方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】圧電基板上にすだれ状電極（ＩＤＴ：In
terdigital Transducer ；以下ＩＤＴと略記する）およ
び該ＩＤＴにより励振される表面波を反射する反射器が
設けられた弾性表面波装置は、ＩＤＴや反射器が設けら
れた面および表面波が伝搬する伝搬路上が弾性的に開放
されかつ気密空間を有するように構成されている。図８
は弾性表面波素子１０１の構造を示す平面図である。図
８に示す如く、一般に弾性表面波素子１０１は、圧電基
板１０２上に、基板表面の所定の方向に表面波を励振す
るためのＩＤＴ１０３及びバスバー１０４，１０４’、
端子電極１０５，１０５’、さらにバスバー１０４，１
０４’と端子電極１０５，１０５’とを接続する引出し
電極１０６，１０６’等が配設されてる。電極材料とし
ては、通常、アルミニウム（Ａｌ）や金（Ａｕ）が用い
られる。
terdigital Transducer ；以下ＩＤＴと略記する）およ
び該ＩＤＴにより励振される表面波を反射する反射器が
設けられた弾性表面波装置は、ＩＤＴや反射器が設けら
れた面および表面波が伝搬する伝搬路上が弾性的に開放
されかつ気密空間を有するように構成されている。図８
は弾性表面波素子１０１の構造を示す平面図である。図
８に示す如く、一般に弾性表面波素子１０１は、圧電基
板１０２上に、基板表面の所定の方向に表面波を励振す
るためのＩＤＴ１０３及びバスバー１０４，１０４’、
端子電極１０５，１０５’、さらにバスバー１０４，１
０４’と端子電極１０５，１０５’とを接続する引出し
電極１０６，１０６’等が配設されてる。電極材料とし
ては、通常、アルミニウム（Ａｌ）や金（Ａｕ）が用い
られる。
【０００３】図８の場合は簡単のため、ＩＤＴ１０３の
みで構成された多対ＩＤＴ型弾性表面波共振子を例にと
ったが、表面波伝搬方向でＩＤＴの左右（図８ではＩＤ
Ｔ１０３の上下）に反射器を配した弾性表面波共振子、
又は、ＩＤＴを２個以上用いた２端子対弾性表面波共振
子、弾性表面波共振子を複数個用いた共振子型弾性表面
波フィルタ、さらには、２つの入出力ＩＤＴ間に表面波
伝搬路を持ついわゆるトランスバーサル型弾性表面波フ
ィルタ等の弾性表面波素子があり、以下に述べる問題
は、これらの素子に共通した問題である。
みで構成された多対ＩＤＴ型弾性表面波共振子を例にと
ったが、表面波伝搬方向でＩＤＴの左右（図８ではＩＤ
Ｔ１０３の上下）に反射器を配した弾性表面波共振子、
又は、ＩＤＴを２個以上用いた２端子対弾性表面波共振
子、弾性表面波共振子を複数個用いた共振子型弾性表面
波フィルタ、さらには、２つの入出力ＩＤＴ間に表面波
伝搬路を持ついわゆるトランスバーサル型弾性表面波フ
ィルタ等の弾性表面波素子があり、以下に述べる問題
は、これらの素子に共通した問題である。
【０００４】図８において、端子電極１０５，１０５’
を介してＩＤＴ１０３に高周波電圧が印加されると、圧
電作用により基板表面にＩＤＴ１０３の電極ピッチに対
応した歪が生じる。この歪が等周期で連続したものがい
わゆる基板表面にエネルギを集中して伝搬する表面波で
あり、基板表面は物理的に振動することになる。ＩＤＴ
によって励振された表面波は、ＩＤＴの左右（図８では
ＩＤＴ１０３の上下）方向に伝搬するが、ＩＤＴ自身が
反射器として動作するため、電極指の対数がある程度以
上多くなるとほぼ全反射され、励振波と反射波による共
振を呈し共振子が構成される。この共振状態では弾性表
面波のエネルギはほぼＩＤＴ内部に閉じ込められてお
り、エネルギが閉じ込められている部分は、バスバー１
０４，１０４’とバスバー１０４，１０４’の内側にあ
るＩＤＴ１０３の部分であり、バスバー１０４，１０
４’の外側では、そのエネルギは指数関数的に減少す
る。
を介してＩＤＴ１０３に高周波電圧が印加されると、圧
電作用により基板表面にＩＤＴ１０３の電極ピッチに対
応した歪が生じる。この歪が等周期で連続したものがい
わゆる基板表面にエネルギを集中して伝搬する表面波で
あり、基板表面は物理的に振動することになる。ＩＤＴ
によって励振された表面波は、ＩＤＴの左右（図８では
ＩＤＴ１０３の上下）方向に伝搬するが、ＩＤＴ自身が
反射器として動作するため、電極指の対数がある程度以
上多くなるとほぼ全反射され、励振波と反射波による共
振を呈し共振子が構成される。この共振状態では弾性表
面波のエネルギはほぼＩＤＴ内部に閉じ込められてお
り、エネルギが閉じ込められている部分は、バスバー１
０４，１０４’とバスバー１０４，１０４’の内側にあ
るＩＤＴ１０３の部分であり、バスバー１０４，１０
４’の外側では、そのエネルギは指数関数的に減少す
る。
【０００５】このような弾性表面波素子１０１を機器に
組み込んで用いるために、従来は一般にケースに収容さ
れて弾性表面波装置として実装される。すなわち、弾性
表面波素子１０１（共振子）が正常に動作するために
は、励振される表面波及びその表面波エネルギが閉じ込
められる部分の表面を弾性的（あるいは別の表現を用い
ると機械的）に開放（フリー）にする必要がある。従っ
て弾性表面波素子の封止（モールド）にはＩＣ等で用い
られているようなチップ全体を樹脂で隙間なく固定する
ような封止方法は用いられず、少なくとも弾性表面波素
子として正常に機能させるための振動機能面１０７、す
なわち、図８のＩＤＴ１０３，バスバー１０４，１０
４’及びバスバー１０４，１０４’の外側に数λ0 （λ
0 ；表面波の波長）程度の範囲の破線で囲まれた部分の
表面を弾性的に開放して中空状態にする必要がある。図
８はＩＤＴのみからなる共振子の例であるが、ＩＤＴの
両側（図８ではＩＤＴ１０３の上下）に反射器を有する
弾性表面波共振子、及び入出力ＩＤＴ間に伝搬路を持つ
トランスバーサル型フィルタの場合は反射器や伝搬路も
振動機能面に含まれることは言うまでもない。また、図
８のように引出し電極１０６，１０６’がある場合はバ
スバー１０４，１０４’との接続部付近を除けば振動機
能面ではない。また、温度特性を改善するために、ある
いは、表面を保護するために、弾性表面波素子１０１の
表面にＳｉＯ2 膜を付けることが行われるが、このＳｉ
Ｏ2 膜の膜厚が表面波の波長λ0 より十分小さい場合
は、ＳｉＯ2 膜の表面が、上述のＳｉＯ2 膜がない場合
の表面と、弾性的に開放する必要があるという意味で等
価と見なすことができ、振動機能面に要求される中空状
態にするという条件は同じと考えることができる。
組み込んで用いるために、従来は一般にケースに収容さ
れて弾性表面波装置として実装される。すなわち、弾性
表面波素子１０１（共振子）が正常に動作するために
は、励振される表面波及びその表面波エネルギが閉じ込
められる部分の表面を弾性的（あるいは別の表現を用い
ると機械的）に開放（フリー）にする必要がある。従っ
て弾性表面波素子の封止（モールド）にはＩＣ等で用い
られているようなチップ全体を樹脂で隙間なく固定する
ような封止方法は用いられず、少なくとも弾性表面波素
子として正常に機能させるための振動機能面１０７、す
なわち、図８のＩＤＴ１０３，バスバー１０４，１０
４’及びバスバー１０４，１０４’の外側に数λ0 （λ
0 ；表面波の波長）程度の範囲の破線で囲まれた部分の
表面を弾性的に開放して中空状態にする必要がある。図
８はＩＤＴのみからなる共振子の例であるが、ＩＤＴの
両側（図８ではＩＤＴ１０３の上下）に反射器を有する
弾性表面波共振子、及び入出力ＩＤＴ間に伝搬路を持つ
トランスバーサル型フィルタの場合は反射器や伝搬路も
振動機能面に含まれることは言うまでもない。また、図
８のように引出し電極１０６，１０６’がある場合はバ
スバー１０４，１０４’との接続部付近を除けば振動機
能面ではない。また、温度特性を改善するために、ある
いは、表面を保護するために、弾性表面波素子１０１の
表面にＳｉＯ2 膜を付けることが行われるが、このＳｉ
Ｏ2 膜の膜厚が表面波の波長λ0 より十分小さい場合
は、ＳｉＯ2 膜の表面が、上述のＳｉＯ2 膜がない場合
の表面と、弾性的に開放する必要があるという意味で等
価と見なすことができ、振動機能面に要求される中空状
態にするという条件は同じと考えることができる。
【０００６】以上のように、弾性表面波素子を正常に機
能させるためには、振動機能面を弾性的に開放しなけれ
ばならないが、それと同時に、電極表面が結露現象等に
より電気的に短絡されないように、又は外部から導電性
のゴミ等が侵入しないように気密性を持たせて弾性表面
波装置を構成する必要がある。そのため、従来から一般
的に用いられている封止構造として、ハーメティックケ
ースに封止した構造やセラミックパッケージに封止した
構造がある。
能させるためには、振動機能面を弾性的に開放しなけれ
ばならないが、それと同時に、電極表面が結露現象等に
より電気的に短絡されないように、又は外部から導電性
のゴミ等が侵入しないように気密性を持たせて弾性表面
波装置を構成する必要がある。そのため、従来から一般
的に用いられている封止構造として、ハーメティックケ
ースに封止した構造やセラミックパッケージに封止した
構造がある。
【０００７】図９はセラミックパッケージを用いた従来
の弾性表面波装置２０２の構造断面図であり、図１０は
ケースにキャップを載せる前の状態の斜視図である。図
９において、弾性表面波素子１０１は、セラミックケー
ス５０の凹部に接着剤４７でダイボンディングされ、弾
性表面波素子１０１はワイヤ４８で外部電極接続パター
ン５１ａに接続され外部電極５１と接続され、振動機能
面は中空部２０１により弾性的に開放されている。図１
０は従来の弾性表面波装置２０２の分解斜視図であり、
セラミックケース５０に弾性表面波素子１０１が収容さ
れた後、矢印に示すようにキャップ５２とセラミックケ
ース５０は、シーム溶接等により気密封止され内部の雰
囲気が通常Ｎ2 ガス等で置換される。
の弾性表面波装置２０２の構造断面図であり、図１０は
ケースにキャップを載せる前の状態の斜視図である。図
９において、弾性表面波素子１０１は、セラミックケー
ス５０の凹部に接着剤４７でダイボンディングされ、弾
性表面波素子１０１はワイヤ４８で外部電極接続パター
ン５１ａに接続され外部電極５１と接続され、振動機能
面は中空部２０１により弾性的に開放されている。図１
０は従来の弾性表面波装置２０２の分解斜視図であり、
セラミックケース５０に弾性表面波素子１０１が収容さ
れた後、矢印に示すようにキャップ５２とセラミックケ
ース５０は、シーム溶接等により気密封止され内部の雰
囲気が通常Ｎ2 ガス等で置換される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記セ
ラミックケースを用いた封止方法は、セラミックケース
がかなり高価なこと、及び、単体の弾性表面波装置２０
２を完成させるためには、一枚のウエハに作り込んだ多
数の弾性表面波素子１０１を分割した後それぞれ個別に
ケースに封止するいわゆる後工程が必要であり、この後
工程のコストは装置全体の半分以上を占めることから、
製造コストが上昇すること、また、図９，図１０のよう
に接続用ワイヤ４８がキャップ５２と接触しないように
ある程度の高さのケース５０が必要であり、かつセラミ
ックケース５０の底部の厚さが必要なために薄型化に制
約があること、ケース使用によって実装面積が増大する
ために小型化が難しいこと等の問題がある。
ラミックケースを用いた封止方法は、セラミックケース
がかなり高価なこと、及び、単体の弾性表面波装置２０
２を完成させるためには、一枚のウエハに作り込んだ多
数の弾性表面波素子１０１を分割した後それぞれ個別に
ケースに封止するいわゆる後工程が必要であり、この後
工程のコストは装置全体の半分以上を占めることから、
製造コストが上昇すること、また、図９，図１０のよう
に接続用ワイヤ４８がキャップ５２と接触しないように
ある程度の高さのケース５０が必要であり、かつセラミ
ックケース５０の底部の厚さが必要なために薄型化に制
約があること、ケース使用によって実装面積が増大する
ために小型化が難しいこと等の問題がある。
【０００９】また、従来のセラミックケースを用いた弾
性表面波装置２０２は、個別部品として取り扱うことを
前提としており、ＩＣのベアチップと同様に取り扱うこ
とができなかった。すなわち従来の装置では、弾性表面
波装置とＩＣベアチップ等を複数個同時に実装してマル
チチップモジュール（ＭＣＭ）を実現しようとした場
合、モジュール全体を気密封止構造としなければなら
ず、封止方法が限定されると同時にコストアップになる
欠点があった。
性表面波装置２０２は、個別部品として取り扱うことを
前提としており、ＩＣのベアチップと同様に取り扱うこ
とができなかった。すなわち従来の装置では、弾性表面
波装置とＩＣベアチップ等を複数個同時に実装してマル
チチップモジュール（ＭＣＭ）を実現しようとした場
合、モジュール全体を気密封止構造としなければなら
ず、封止方法が限定されると同時にコストアップになる
欠点があった。
【００１０】本発明の目的は、弾性表面波素子の機能面
の中空気密構造をウエハ処理工程で同時に実現すること
で前記従来構造の問題点のすべてを解決し、薄型化，小
型化，低コスト化を図ると同時に、ＩＣベアチップと同
様に取り扱うことのできる弾性表面波装置及びその製造
方法を提供することにある。
の中空気密構造をウエハ処理工程で同時に実現すること
で前記従来構造の問題点のすべてを解決し、薄型化，小
型化，低コスト化を図ると同時に、ＩＣベアチップと同
様に取り扱うことのできる弾性表面波装置及びその製造
方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１，２に
記載した第１の弾性表面波装置は、圧電基板と、該圧電
基板上に形成されたすだれ状電極を含み弾性表面波の振
動に寄与する振動機能面をなす電極部と前記すだれ状電
極に連接された端子電極と、前記振動機能面上の中空部
分の端縁部を除いて覆うように形成された絶縁膜と、前
記端縁部を塞ぐように形成された樹脂とを備え、前記端
子電極部分が露出する接続用窓が設けられたことを特徴
とするものである。さらに、前記絶縁膜は、酸化シリコ
ンで構成されたことを特徴とするものである。
記載した第１の弾性表面波装置は、圧電基板と、該圧電
基板上に形成されたすだれ状電極を含み弾性表面波の振
動に寄与する振動機能面をなす電極部と前記すだれ状電
極に連接された端子電極と、前記振動機能面上の中空部
分の端縁部を除いて覆うように形成された絶縁膜と、前
記端縁部を塞ぐように形成された樹脂とを備え、前記端
子電極部分が露出する接続用窓が設けられたことを特徴
とするものである。さらに、前記絶縁膜は、酸化シリコ
ンで構成されたことを特徴とするものである。
【００１２】そして請求項３，４及び９に記載した製造
方法は、ウエハ状の圧電基板上に、すだれ状電極を含み
弾性表面波の振動に寄与する振動機能面をなす電極部と
前記すだれ状電極に連接された端子電極とを形成する電
極形成工程と、前記電極が形成された圧電基板上の全面
にフォトレジストを塗布した後、前記振動機能面に対応
する部分をエッチングする第１のエッチング工程と、前
記エッチングされた振動機能面に犠牲層を形成する犠牲
層形成工程と、次に、全面に絶縁膜を形成する絶縁膜形
成工程と、前記絶縁膜の上からフォトレジストを塗布し
た後、前記振動機能面の端縁部に対応する部分と前記端
子電極に対応する部分の前記絶縁膜をエッチングして中
空用窓と接続用窓とを形成する第２のエッチング工程
と、前記中空用窓と接続用窓の部分の前記フォトレジス
トを剥離した後、該中空用窓を介して前記犠牲層を抽出
して取り除く第３のエッチング工程と、前記中空用窓を
封止用樹脂で塞ぐ封止工程と、前記ウエハ上に形成され
た多数の弾性表面波装置をチップ状に分割するダイシン
グ工程とを備えた弾性表面波装置の製造方法である。さ
らに、前記絶縁膜は、酸化シリコンで構成されたことを
特徴とし、また、前記犠牲層は、クロムで構成されたこ
とを特徴とするものである。
方法は、ウエハ状の圧電基板上に、すだれ状電極を含み
弾性表面波の振動に寄与する振動機能面をなす電極部と
前記すだれ状電極に連接された端子電極とを形成する電
極形成工程と、前記電極が形成された圧電基板上の全面
にフォトレジストを塗布した後、前記振動機能面に対応
する部分をエッチングする第１のエッチング工程と、前
記エッチングされた振動機能面に犠牲層を形成する犠牲
層形成工程と、次に、全面に絶縁膜を形成する絶縁膜形
成工程と、前記絶縁膜の上からフォトレジストを塗布し
た後、前記振動機能面の端縁部に対応する部分と前記端
子電極に対応する部分の前記絶縁膜をエッチングして中
空用窓と接続用窓とを形成する第２のエッチング工程
と、前記中空用窓と接続用窓の部分の前記フォトレジス
トを剥離した後、該中空用窓を介して前記犠牲層を抽出
して取り除く第３のエッチング工程と、前記中空用窓を
封止用樹脂で塞ぐ封止工程と、前記ウエハ上に形成され
た多数の弾性表面波装置をチップ状に分割するダイシン
グ工程とを備えた弾性表面波装置の製造方法である。さ
らに、前記絶縁膜は、酸化シリコンで構成されたことを
特徴とし、また、前記犠牲層は、クロムで構成されたこ
とを特徴とするものである。
【００１３】さらに、本発明の請求項５，６に記載した
第２の弾性表面波装置は、圧電基板と、該圧電基板上に
形成されたすだれ状電極を含み弾性表面波の振動に寄与
する振動機能面をなす電極部と前記すだれ状電極に連接
された端子電極と、前記電極が形成された圧電基板上の
全面に弾性表面波の波長に比べて十分小さい膜厚で形成
された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜の上に前記振
動機能面上の中空部分の端縁部を除いて覆うように形成
された第２の絶縁膜と、前記端縁部を塞ぐように形成さ
れた樹脂とを備え、前記端子電極部分が露出する接続用
窓が設けられたことを特徴とするものである。さらに、
前記第１及び第２の絶縁膜は、酸化シリコンで構成され
たことを特徴とするものである。
第２の弾性表面波装置は、圧電基板と、該圧電基板上に
形成されたすだれ状電極を含み弾性表面波の振動に寄与
する振動機能面をなす電極部と前記すだれ状電極に連接
された端子電極と、前記電極が形成された圧電基板上の
全面に弾性表面波の波長に比べて十分小さい膜厚で形成
された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜の上に前記振
動機能面上の中空部分の端縁部を除いて覆うように形成
された第２の絶縁膜と、前記端縁部を塞ぐように形成さ
れた樹脂とを備え、前記端子電極部分が露出する接続用
窓が設けられたことを特徴とするものである。さらに、
前記第１及び第２の絶縁膜は、酸化シリコンで構成され
たことを特徴とするものである。
【００１４】そして、請求項７，８及び９に記載した製
造方法は、ウエハ状の圧電基板上に、すだれ状電極を含
み弾性表面波の振動に寄与する振動機能面をなす電極部
と前記すだれ状電極に連接された端子電極とを形成する
電極形成工程と、前記電極が形成された圧電基板上の全
面に弾性表面波の波長に比べて十分小さい膜厚の第１の
絶縁膜を形成する第１の絶縁膜形成工程と、該第１の絶
縁膜上の全面にフォトレジストを塗布した後、前記振動
機能面に対応する部分をエッチングする第１のエッチン
グ工程と、前記エッチングされた振動機能面に犠牲層を
形成する犠牲層形成工程と、次に、全面に第２の絶縁膜
を形成する第２の絶縁膜形成工程と、前記第２の絶縁膜
の上からフォトレジストを塗布した後、前記振動機能面
の端縁部に対応する部分と前記端子電極に対応する部分
の前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜とをエッチング
して中空用窓と接続用窓とを形成する第２のエッチング
工程と、前記中空用窓と接続用窓の部分の前記フォトレ
ジストを剥離した後、該中空用窓を介して前記犠牲層を
抽出して取り除く第３のエッチング工程と、前記中空用
窓を封止用樹脂で塞ぐ封止工程と、前記ウエハ上に形成
された多数の弾性表面波装置をチップ状に分割するダイ
シング工程とを備えた弾性表面波装置の製造方法であ
る。さらに、前記第１及び第２の絶縁膜は、酸化シリコ
ンで構成されたことを特徴とし、また、前記犠牲層は、
クロムで構成されたことを特徴とするものである。
造方法は、ウエハ状の圧電基板上に、すだれ状電極を含
み弾性表面波の振動に寄与する振動機能面をなす電極部
と前記すだれ状電極に連接された端子電極とを形成する
電極形成工程と、前記電極が形成された圧電基板上の全
面に弾性表面波の波長に比べて十分小さい膜厚の第１の
絶縁膜を形成する第１の絶縁膜形成工程と、該第１の絶
縁膜上の全面にフォトレジストを塗布した後、前記振動
機能面に対応する部分をエッチングする第１のエッチン
グ工程と、前記エッチングされた振動機能面に犠牲層を
形成する犠牲層形成工程と、次に、全面に第２の絶縁膜
を形成する第２の絶縁膜形成工程と、前記第２の絶縁膜
の上からフォトレジストを塗布した後、前記振動機能面
の端縁部に対応する部分と前記端子電極に対応する部分
の前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜とをエッチング
して中空用窓と接続用窓とを形成する第２のエッチング
工程と、前記中空用窓と接続用窓の部分の前記フォトレ
ジストを剥離した後、該中空用窓を介して前記犠牲層を
抽出して取り除く第３のエッチング工程と、前記中空用
窓を封止用樹脂で塞ぐ封止工程と、前記ウエハ上に形成
された多数の弾性表面波装置をチップ状に分割するダイ
シング工程とを備えた弾性表面波装置の製造方法であ
る。さらに、前記第１及び第２の絶縁膜は、酸化シリコ
ンで構成されたことを特徴とし、また、前記犠牲層は、
クロムで構成されたことを特徴とするものである。
【００１５】
【実施例】以下、具体的な実施例について本発明を図に
よって詳細に説明する。図１は本発明の弾性表面波装置
の構造例を示す斜視図（Ａ）とそのＡ−Ａ’断面図
（Ｂ）である。図において、１０２は圧電基板、１０３
はＩＤＴ、１０４，１０４’はバスバー、１０５，１０
５’は端子電極、１０６，１０６’は引出し電極、３５
は酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）などの温度特性補償用絶縁
膜、３８は気密保護用のＳｉＯ2 絶縁膜、３９は封止用
樹脂、２０１は中空部である。但し、電極構造として
は、従来技術で述べた多対ＩＤＴ共振子を例とする。図
１に示した本発明の弾性表面波装置の構造は、ＬｉＮｂ
Ｏ3 （ニオブ酸リチウム），ＬｉＴａＯ3 （タンタル酸
リチウム），水晶等の圧電基板１０２上に、ＩＤＴ１０
３，及びバスバー１０４，１０４’，端子電極１０５，
１０５’，さらにバスバー１０４，１０４’と端子電極
１０５，１０５’とを接続するための引出し電極１０
６，１０６’が配設され、さらにその上に温度特性補償
用絶縁膜であるＳｉＯ2 膜３５が形成され（但し、Ｓｉ
Ｏ2 の膜厚は波長λ0 に比べ十分小さい）かつ、端子電
極１０５，１０５’部分の絶縁膜はワイヤボンディング
等により接続可能とするためエッチング加工されてい
る。さらにＩＤＴ１０３，バスバー１０４，１０４’と
その周辺を含む表面、すなわち、弾性表面波素子が正常
に動作するために必要な振動機能面を囲み、振動機能面
が弾性的に開放となるように気密保護用のＳｉＯ2 絶縁
膜３８で中空部２０１を形成し、中空部２０１を気密に
するために封止用樹脂３９で目止めされている。図２は
図１に示した本発明の実施例の分割前の工程で、多数の
弾性表面波装置がウエハ３１上に形成されている状態を
示す部分斜視図であり、図１はダイシング後の個々の弾
性表面波装置２０５の斜視図である。
よって詳細に説明する。図１は本発明の弾性表面波装置
の構造例を示す斜視図（Ａ）とそのＡ−Ａ’断面図
（Ｂ）である。図において、１０２は圧電基板、１０３
はＩＤＴ、１０４，１０４’はバスバー、１０５，１０
５’は端子電極、１０６，１０６’は引出し電極、３５
は酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）などの温度特性補償用絶縁
膜、３８は気密保護用のＳｉＯ2 絶縁膜、３９は封止用
樹脂、２０１は中空部である。但し、電極構造として
は、従来技術で述べた多対ＩＤＴ共振子を例とする。図
１に示した本発明の弾性表面波装置の構造は、ＬｉＮｂ
Ｏ3 （ニオブ酸リチウム），ＬｉＴａＯ3 （タンタル酸
リチウム），水晶等の圧電基板１０２上に、ＩＤＴ１０
３，及びバスバー１０４，１０４’，端子電極１０５，
１０５’，さらにバスバー１０４，１０４’と端子電極
１０５，１０５’とを接続するための引出し電極１０
６，１０６’が配設され、さらにその上に温度特性補償
用絶縁膜であるＳｉＯ2 膜３５が形成され（但し、Ｓｉ
Ｏ2 の膜厚は波長λ0 に比べ十分小さい）かつ、端子電
極１０５，１０５’部分の絶縁膜はワイヤボンディング
等により接続可能とするためエッチング加工されてい
る。さらにＩＤＴ１０３，バスバー１０４，１０４’と
その周辺を含む表面、すなわち、弾性表面波素子が正常
に動作するために必要な振動機能面を囲み、振動機能面
が弾性的に開放となるように気密保護用のＳｉＯ2 絶縁
膜３８で中空部２０１を形成し、中空部２０１を気密に
するために封止用樹脂３９で目止めされている。図２は
図１に示した本発明の実施例の分割前の工程で、多数の
弾性表面波装置がウエハ３１上に形成されている状態を
示す部分斜視図であり、図１はダイシング後の個々の弾
性表面波装置２０５の斜視図である。
【００１６】次に、本発明の弾性表面波装置の製造方法
についてさらに詳しく説明する。図３，図４は本発明の
一実施例を示す製造フローチャートであり、（１）〜
（２３）は工程番号を示す。図５，図６，図７は製造過
程の構造を示す説明図である。但し、工程番号（８）〜
（２１）は図３，４と合わせてある。
についてさらに詳しく説明する。図３，図４は本発明の
一実施例を示す製造フローチャートであり、（１）〜
（２３）は工程番号を示す。図５，図６，図７は製造過
程の構造を示す説明図である。但し、工程番号（８）〜
（２１）は図３，４と合わせてある。
【００１７】先ず、図３の工程１〜７について説明す
る。工程１〜７は、従来の一般的な製造工法であり、十
分洗浄されたＬｉＮｂＯ3，ＬｉＴａＯ3 等の圧電基板
上にＩＤＴ等の電極を形成するためのＡｌやＡｕの金属
薄膜をＥＢ（電子ビーム）蒸着等により被着させ（但
し、Ａｕの場合は基板との密着性を良くするためＣｒ等
の下地電極が用いられる）、その上にレジストを塗布
し、所定のパターンを施してあるマスクを用い露光・現
像してマスクパターンをレジストパターンに転写した
後、レジストパターンをマスクとして上記電極膜をエッ
チングし、エッチング完了後にレジストパターンを剥離
することで所定の電極パターンを圧電基板上に形成す
る。
る。工程１〜７は、従来の一般的な製造工法であり、十
分洗浄されたＬｉＮｂＯ3，ＬｉＴａＯ3 等の圧電基板
上にＩＤＴ等の電極を形成するためのＡｌやＡｕの金属
薄膜をＥＢ（電子ビーム）蒸着等により被着させ（但
し、Ａｕの場合は基板との密着性を良くするためＣｒ等
の下地電極が用いられる）、その上にレジストを塗布
し、所定のパターンを施してあるマスクを用い露光・現
像してマスクパターンをレジストパターンに転写した
後、レジストパターンをマスクとして上記電極膜をエッ
チングし、エッチング完了後にレジストパターンを剥離
することで所定の電極パターンを圧電基板上に形成す
る。
【００１８】次に、図３及び図５の工程８について説明
する。上記工程１〜７で所定の電極パターンすなわちＩ
ＤＴ１０３，バスバー１０４，１０４’，電極端子１０
５，１０５’，引出し電極１０６，１０６’が配設され
た圧電基板１０２上に、温度特性を補償するための絶縁
膜３５をスパッタリング等を用いて被着させる。但し、
この絶縁膜３５の膜厚は表面波の波長λ0 に比べ十分小
さい。この温度特性補償用絶縁膜３５には通常ＳｉＯ2
が用いられるが、このＳｉＯ2 膜は温度特性補償のため
だけでなく、表面保護膜としても用いられることがあ
る。また圧電基板によっては温度特性を補償する必要の
ないものもあるが、その場合でも以下に述べる工法でエ
ッチャント等の条件を十分考慮し、後述する犠牲層等の
材質を選択することで対応できる。本発明の実施例では
以下ＳｉＯ2 膜を付けることを前提として説明する。
する。上記工程１〜７で所定の電極パターンすなわちＩ
ＤＴ１０３，バスバー１０４，１０４’，電極端子１０
５，１０５’，引出し電極１０６，１０６’が配設され
た圧電基板１０２上に、温度特性を補償するための絶縁
膜３５をスパッタリング等を用いて被着させる。但し、
この絶縁膜３５の膜厚は表面波の波長λ0 に比べ十分小
さい。この温度特性補償用絶縁膜３５には通常ＳｉＯ2
が用いられるが、このＳｉＯ2 膜は温度特性補償のため
だけでなく、表面保護膜としても用いられることがあ
る。また圧電基板によっては温度特性を補償する必要の
ないものもあるが、その場合でも以下に述べる工法でエ
ッチャント等の条件を十分考慮し、後述する犠牲層等の
材質を選択することで対応できる。本発明の実施例では
以下ＳｉＯ2 膜を付けることを前提として説明する。
【００１９】次に、図３及び図５の工程９〜１３につい
て説明する。工程９〜１３は、弾性表面波素子が正常に
動作するために必要な振動機能面の表面近傍に中空部分
２０１を作るために必要な犠牲層としてＣｒ（クロム）
をリフトオフ法で形成する工程である。すなわち工程８
の次に、ＳｉＯ2 膜３５の上にレジスト３３を塗布し、
振動機能面に対応した部分以外をマスクするパターンが
形成されたマスク３４を用いて、紫外線（ＵＶ）により
露光・現像をする。ここではポジ型レジストを用いるた
め、紫外線（ＵＶ）が照射された部分のレジストが溶解
する。さらにリフトオフするためのオーバーハング２０
４を薬品処理にて形成する（工程１１）。次に、後工程
で除去する犠牲層３７としてＣｒをＥＢ蒸着等により被
着させ、レジストを除去することで振動機能面上にＣｒ
犠牲層３７を形成する（工程１２）。後述するように、
このＣｒ犠牲層３７は後工程でエッチングにより除去す
ることで中空部２０１を形成させるため、中空部２０１
の間隙はこのＣｒ犠牲層３７の膜厚と等しくなる。従っ
て、このＣｒ犠牲層３７の膜厚は表面波の最大振幅より
大きく設定される。すなわち、リフトオフするためのレ
ジスト３３の膜厚はこのＣｒ膜厚を満足するように設定
される。
て説明する。工程９〜１３は、弾性表面波素子が正常に
動作するために必要な振動機能面の表面近傍に中空部分
２０１を作るために必要な犠牲層としてＣｒ（クロム）
をリフトオフ法で形成する工程である。すなわち工程８
の次に、ＳｉＯ2 膜３５の上にレジスト３３を塗布し、
振動機能面に対応した部分以外をマスクするパターンが
形成されたマスク３４を用いて、紫外線（ＵＶ）により
露光・現像をする。ここではポジ型レジストを用いるた
め、紫外線（ＵＶ）が照射された部分のレジストが溶解
する。さらにリフトオフするためのオーバーハング２０
４を薬品処理にて形成する（工程１１）。次に、後工程
で除去する犠牲層３７としてＣｒをＥＢ蒸着等により被
着させ、レジストを除去することで振動機能面上にＣｒ
犠牲層３７を形成する（工程１２）。後述するように、
このＣｒ犠牲層３７は後工程でエッチングにより除去す
ることで中空部２０１を形成させるため、中空部２０１
の間隙はこのＣｒ犠牲層３７の膜厚と等しくなる。従っ
て、このＣｒ犠牲層３７の膜厚は表面波の最大振幅より
大きく設定される。すなわち、リフトオフするためのレ
ジスト３３の膜厚はこのＣｒ膜厚を満足するように設定
される。
【００２０】次に、図４，図６，図７の工程１４〜２０
について説明する。工程１４〜２０は中空部２０１を形
成させるための最終段階の工程である。工程１３の次
に、気密保護用の絶縁膜であるＳｉＯ2 膜３８をスパッ
タリング等で被着させ（工程１４）、さらにその上にレ
ジスト３３を塗布する（工程１５）。次に、犠牲層３７
を抽出するための中空用窓と、端子電極部を露出させる
ための接続用窓２０６をつくるためにその他の部分をマ
スクする所定のパターンが形成されたマスク３４を用い
て紫外線により露光・現像を行い、マスクパターンをレ
ジスト上に転写し（工程１６）、このレジストパターン
をマスクとしてＳｉＯ2 膜３８及び３５をエッチングし
て所望の窓開けを完了する（工程１８）。ここで中空用
窓２０３は図６の工程１６〜１９の断面図には示されて
いないが、これは図７の工程２０（ｂ）に示すようにＡ
−Ａ’断面面上には表れず、犠牲層３７の両端部が中空
用窓２０３となる。従って、図６の工程１８では紙面の
表裏端部に中空用窓２０３があることになる。さらに余
分なレジスト３３を剥離し（工程１９）、Ｃｒエッチャ
ントにより中空用窓２０３からＣｒ犠牲層３７を抽出す
るエッチングにより中空部２０１を形成する（工程２
０）。ここで留意しなければいけないことは、Ｃｒエッ
チャントがＳｉＯ2 および端子電極１０５，１０５’，
圧電基板（中空用窓開け時ＳｉＯ2 ３８，３５をエッチ
ングすると基板表面の一部が露出する）を侵さないよう
にすることである。
について説明する。工程１４〜２０は中空部２０１を形
成させるための最終段階の工程である。工程１３の次
に、気密保護用の絶縁膜であるＳｉＯ2 膜３８をスパッ
タリング等で被着させ（工程１４）、さらにその上にレ
ジスト３３を塗布する（工程１５）。次に、犠牲層３７
を抽出するための中空用窓と、端子電極部を露出させる
ための接続用窓２０６をつくるためにその他の部分をマ
スクする所定のパターンが形成されたマスク３４を用い
て紫外線により露光・現像を行い、マスクパターンをレ
ジスト上に転写し（工程１６）、このレジストパターン
をマスクとしてＳｉＯ2 膜３８及び３５をエッチングし
て所望の窓開けを完了する（工程１８）。ここで中空用
窓２０３は図６の工程１６〜１９の断面図には示されて
いないが、これは図７の工程２０（ｂ）に示すようにＡ
−Ａ’断面面上には表れず、犠牲層３７の両端部が中空
用窓２０３となる。従って、図６の工程１８では紙面の
表裏端部に中空用窓２０３があることになる。さらに余
分なレジスト３３を剥離し（工程１９）、Ｃｒエッチャ
ントにより中空用窓２０３からＣｒ犠牲層３７を抽出す
るエッチングにより中空部２０１を形成する（工程２
０）。ここで留意しなければいけないことは、Ｃｒエッ
チャントがＳｉＯ2 および端子電極１０５，１０５’，
圧電基板（中空用窓開け時ＳｉＯ2 ３８，３５をエッチ
ングすると基板表面の一部が露出する）を侵さないよう
にすることである。
【００２１】次に、図４，図７の工程２１以後について
説明をする。工程２０までで振動機能面上に中空部２０
１をもつ構造が完了するが、中空部２０１に気密性を持
たせるために工程２１で中空用窓２０３を封止用樹脂３
９で目止めを行い、ウエハ上の弾性表面波装置ができ上
る。この封止用樹脂３９には、粘度管理が十分なされる
ことにより、中空部２０１に流入しないようにすること
ができる。次の工程２２でウエハ上の多数の弾性表面波
装置の特性検査を行い、工程２３で個々の弾性表面波装
置に分割（ダイシング）して本発明の弾性表面波装置２
０５が完成する。図７の工程２０，２１の斜視図は１つ
の弾性表面波装置を示してあるが、この工程までは、図
２に示したように、ウエハ３１上で多数個同時に処理さ
れることは言うまでもない。以上のように、本発明で
は、工程２１までウエハ３１上で処理された後ダイシン
グにより分割しただけで、振動機能面に中空気密構造を
もつ弾性表面波装置２０５が得られるため、従来のパッ
ケージは必要なくなり、かつ、ＩＣチップと同様に扱う
ことができる構造を実現することができる。また、上記
説明は温度特性補償膜または保護膜としてのＳｉＯ2 膜
３５を有している場合について行ったが、ＳｉＯ2 膜３
５がない場合においても、犠牲層と、中空部を形成する
ための絶縁膜の組合せを十分考慮する。すなわち、犠牲
層のエッチャントによって中空部の絶縁膜３８及び電極
及び圧電基板が侵されない材質を選択することにより、
本発明の方法が有効であることは明白である。
説明をする。工程２０までで振動機能面上に中空部２０
１をもつ構造が完了するが、中空部２０１に気密性を持
たせるために工程２１で中空用窓２０３を封止用樹脂３
９で目止めを行い、ウエハ上の弾性表面波装置ができ上
る。この封止用樹脂３９には、粘度管理が十分なされる
ことにより、中空部２０１に流入しないようにすること
ができる。次の工程２２でウエハ上の多数の弾性表面波
装置の特性検査を行い、工程２３で個々の弾性表面波装
置に分割（ダイシング）して本発明の弾性表面波装置２
０５が完成する。図７の工程２０，２１の斜視図は１つ
の弾性表面波装置を示してあるが、この工程までは、図
２に示したように、ウエハ３１上で多数個同時に処理さ
れることは言うまでもない。以上のように、本発明で
は、工程２１までウエハ３１上で処理された後ダイシン
グにより分割しただけで、振動機能面に中空気密構造を
もつ弾性表面波装置２０５が得られるため、従来のパッ
ケージは必要なくなり、かつ、ＩＣチップと同様に扱う
ことができる構造を実現することができる。また、上記
説明は温度特性補償膜または保護膜としてのＳｉＯ2 膜
３５を有している場合について行ったが、ＳｉＯ2 膜３
５がない場合においても、犠牲層と、中空部を形成する
ための絶縁膜の組合せを十分考慮する。すなわち、犠牲
層のエッチャントによって中空部の絶縁膜３８及び電極
及び圧電基板が侵されない材質を選択することにより、
本発明の方法が有効であることは明白である。
【００２２】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明の弾
性表面波装置及びその製造方法を実施することにより、
弾性表面波素子が素子として正常に動作するために必要
な中空部を有しかつ気密性をもたせる構造を、前工程す
なわちウエハ単位で形成することが可能となるため、量
産効果が得られ、かつ従来から用いられていたセラミッ
クケース等のパッケージを必要としないため、低価格
化，小型化，薄型化が図れると同時に、ＩＣベアチップ
と同様な取扱が可能となるため、複数個のベアチップを
同時に実装するマルチチップモジュール（ＭＣＭ）等へ
の応用範囲が拡大され極めて大きな効果が得られる。
性表面波装置及びその製造方法を実施することにより、
弾性表面波素子が素子として正常に動作するために必要
な中空部を有しかつ気密性をもたせる構造を、前工程す
なわちウエハ単位で形成することが可能となるため、量
産効果が得られ、かつ従来から用いられていたセラミッ
クケース等のパッケージを必要としないため、低価格
化，小型化，薄型化が図れると同時に、ＩＣベアチップ
と同様な取扱が可能となるため、複数個のベアチップを
同時に実装するマルチチップモジュール（ＭＣＭ）等へ
の応用範囲が拡大され極めて大きな効果が得られる。
【図１】本発明の実施例を示す弾性表面波装置の構造図
である。
である。
【図２】ウエハ上に形成された本発明の実施例の斜視図
である。
である。
【図３】本発明の実施例の製造工程の前半を示すフロー
チャートである。
チャートである。
【図４】本発明の実施例の製造工程の後半を示すフロー
チャートである。
チャートである。
【図５】本発明の製造過程の一部を示す構造説明図であ
る。
る。
【図６】本発明の製造過程の一部を示す構造説明図であ
る。
る。
【図７】本発明の製造過程の一部を示す構造説明図であ
る。
る。
【図８】弾性表面波素子の平面図である。
【図９】従来の構造例図である。
【図１０】従来の構造例図である。
１〜２３ 工程番号 ３１ ウエハ ３３ フォトレジスト ３４ フォトマスク ３５ 温度特性補償用絶縁膜（ＳｉＯ2 ） ３７ 犠牲層（Ｃｒ） ３８ 絶縁膜（ＳｉＯ2 ） ３９ 封止樹脂 ４７ 接着剤 ４８ ワイヤ ５０ セラミックケース ５１ 外部電極 ５２ キャップ １０１ 弾性表面波素子 １０２ 圧電基板 １０３ すだれ状電極（ＩＤＴ：Interdigital Transdu
cer ） １０４，１０４’ バスバー １０５，１０５’ 端子電極 １０６，１０６’ 引出し電極 １０７ 振動機能面 ２０１ 中空部 ２０２ 従来の弾性表面波装置 ２０３ 中空用窓 ２０４ オーバーハング ２０５ 本発明の弾性表面波装置 ２０６ 接続用窓
cer ） １０４，１０４’ バスバー １０５，１０５’ 端子電極 １０６，１０６’ 引出し電極 １０７ 振動機能面 ２０１ 中空部 ２０２ 従来の弾性表面波装置 ２０３ 中空用窓 ２０４ オーバーハング ２０５ 本発明の弾性表面波装置 ２０６ 接続用窓
Claims (9)
- 【請求項１】 圧電基板と、該圧電基板上に形成された
すだれ状電極を含み弾性表面波の振動に寄与する振動機
能面をなす電極部と前記すだれ状電極に連接された端子
電極と、前記振動機能面上の中空部分の端縁部を除いて
覆うように形成された絶縁膜と、前記端縁部を塞ぐよう
に形成された樹脂とを備え、 前記端子電極部分が露出する接続用窓が設けられたこと
を特徴とする弾性表面波装置。 - 【請求項２】 前記絶縁膜は、酸化シリコンで構成され
たことを特徴とする請求項１記載の弾性表面波装置。 - 【請求項３】 ウエハ状の圧電基板上に、すだれ状電極
を含み弾性表面波の振動に寄与する振動機能面をなす電
極部と前記すだれ状電極に連接された端子電極とを形成
する電極形成工程と、 前記電極が形成された圧電基板上の全面にフォトレジス
トを塗布した後、前記振動機能面に対応する部分をエッ
チングする第１のエッチング工程と、 前記エッチングされた振動機能面に犠牲層を形成する犠
牲層形成工程と、 次に、全面に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、 前記絶縁膜の上からフォトレジストを塗布した後、前記
振動機能面の端縁部に対応する部分と前記端子電極に対
応する部分の前記絶縁膜をエッチングして中空用窓と接
続用窓とを形成する第２のエッチング工程と、 前記中空用窓と接続用窓の部分の前記フォトレジストを
剥離した後、該中空用窓を介して前記犠牲層を抽出して
取り除く第３のエッチング工程と、 前記中空用窓を封止用樹脂で塞ぐ封止工程と、 前記ウエハ上に形成された多数の弾性表面波装置をチッ
プ状に分割するダイシング工程とを備えた弾性表面波装
置の製造方法。 - 【請求項４】 前記絶縁膜は、酸化シリコンで構成され
たことを特徴とする請求項３記載の弾性表面波装置の製
造方法。 - 【請求項５】 圧電基板と、該圧電基板上に形成された
すだれ状電極を含み弾性表面波の振動に寄与する振動機
能面をなす電極部と前記すだれ状電極に連接された端子
電極と、前記電極が形成された圧電基板上の全面に弾性
表面波の波長に比べて十分小さい膜厚で形成された第１
の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜の上に前記振動機能面上
の中空部分の端縁部を除いて覆うように形成された第２
の絶縁膜と、前記端縁部を塞ぐように形成された樹脂と
を備え、 前記端子電極部分が露出する接続用窓が設けられたこと
を特徴とする弾性表面波装置。 - 【請求項６】 前記第１及び第２の絶縁膜は、酸化シリ
コンで構成されたことを特徴とする請求項５記載の弾性
表面波装置。 - 【請求項７】 ウエハ状の圧電基板上に、すだれ状電極
を含み弾性表面波の振動に寄与する振動機能面をなす電
極部と前記すだれ状電極に連接された端子電極とを形成
する電極形成工程と、 前記電極が形成された圧電基板上の全面に弾性表面波の
波長に比べて十分小さい膜厚の第１の絶縁膜を形成する
第１の絶縁膜形成工程と、 該第１の絶縁膜上の全面にフォトレジストを塗布した
後、前記振動機能面に対応する部分をエッチングする第
１のエッチング工程と、 前記エッチングされた振動機能面に犠牲層を形成する犠
牲層形成工程と、 次に、全面に第２の絶縁膜を形成する第２の絶縁膜形成
工程と、 前記第２の絶縁膜の上からフォトレジストを塗布した
後、前記振動機能面の端縁部に対応する部分と前記端子
電極に対応する部分の前記第１の絶縁膜と前記第２の絶
縁膜とをエッチングして中空用窓と接続用窓とを形成す
る第２のエッチング工程と、 前記中空用窓と接続用窓の部分の前記フォトレジストを
剥離した後、該中空用窓を介して前記犠牲層を抽出して
取り除く第３のエッチング工程と、 前記中空用窓を封止用樹脂で塞ぐ封止工程と、 前記ウエハ上に形成された多数の弾性表面波装置をチッ
プ状に分割するダイシング工程とを備えた弾性表面波装
置の製造方法。 - 【請求項８】 前記第１及び第２の絶縁膜は、酸化シリ
コンで構成されたことを特徴とする請求項３記載の弾性
表面波装置の製造方法。 - 【請求項９】 前記犠牲層は、クロムで構成されたこと
を特徴とする請求項３，７記載の弾性表面波装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33516094A JP3390554B2 (ja) | 1994-12-21 | 1994-12-21 | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33516094A JP3390554B2 (ja) | 1994-12-21 | 1994-12-21 | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08181564A true JPH08181564A (ja) | 1996-07-12 |
| JP3390554B2 JP3390554B2 (ja) | 2003-03-24 |
Family
ID=18285445
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33516094A Expired - Fee Related JP3390554B2 (ja) | 1994-12-21 | 1994-12-21 | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3390554B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6310421B2 (en) | 1998-10-05 | 2001-10-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Surface acoustic wave device and method for fabricating the same |
| US6339276B1 (en) * | 1999-11-01 | 2002-01-15 | Agere Systems Guardian Corp. | Incremental tuning process for electrical resonators based on mechanical motion |
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