JPH0818201A - 厚膜回路基板及びその製造方法 - Google Patents
厚膜回路基板及びその製造方法Info
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- JPH0818201A JPH0818201A JP14773794A JP14773794A JPH0818201A JP H0818201 A JPH0818201 A JP H0818201A JP 14773794 A JP14773794 A JP 14773794A JP 14773794 A JP14773794 A JP 14773794A JP H0818201 A JPH0818201 A JP H0818201A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ９９．５％以上の高純度アルミナ基板を用い
て、高周波厚膜回路基板を得る。 【構成】 ガラス成分中のＰｂＯ含有量が比較的少ない
第１の厚膜ペースト２で第１層目の導体パターンを形成
した後、ガラス成分中のＰｂＯ含有量が比較的多い第２
の厚膜ペースト３で、該第１層目の導体パターンの少な
くとも隅角部を被覆するように第２層目の導体パターン
を形成する。 【効果】 第１の厚膜ペーストと第２の厚膜ペースト
が、焼成中ないし焼成後において混合されて、基板に適
合した、基板との接着強度の高い導体パターンを形成
し、導体パターンの剥離やガラス成分の浸出は防止され
る。
て、高周波厚膜回路基板を得る。 【構成】 ガラス成分中のＰｂＯ含有量が比較的少ない
第１の厚膜ペースト２で第１層目の導体パターンを形成
した後、ガラス成分中のＰｂＯ含有量が比較的多い第２
の厚膜ペースト３で、該第１層目の導体パターンの少な
くとも隅角部を被覆するように第２層目の導体パターン
を形成する。 【効果】 第１の厚膜ペーストと第２の厚膜ペースト
が、焼成中ないし焼成後において混合されて、基板に適
合した、基板との接着強度の高い導体パターンを形成
し、導体パターンの剥離やガラス成分の浸出は防止され
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は厚膜回路基板及びその製
造方法に係り、特に、高純度アルミナ基板上に銅厚膜法
により導体パターンを形成して高周波回路基板とする厚
膜回路基板及びその製造方法に関する。
造方法に係り、特に、高純度アルミナ基板上に銅厚膜法
により導体パターンを形成して高周波回路基板とする厚
膜回路基板及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、各種絶縁性セラミックスについ
て、ＩＣやＬＳＩの基板としての用途が開発されてい
る。これらのセラミックスのなかでも、特に、アルミナ
セラミックスは、その電気的特性、機械的特性、熱的特
性等に優れる上に、比較的安価であることから、電子工
業用絶縁性セラミックスの主流を占めている。
て、ＩＣやＬＳＩの基板としての用途が開発されてい
る。これらのセラミックスのなかでも、特に、アルミナ
セラミックスは、その電気的特性、機械的特性、熱的特
性等に優れる上に、比較的安価であることから、電子工
業用絶縁性セラミックスの主流を占めている。
【０００３】セラミックスを電子工業用絶縁性基板とし
て用いる場合、導体パターンを形成するために、表面に
金属化膜を形成するメタライズ処理が必要となる。
て用いる場合、導体パターンを形成するために、表面に
金属化膜を形成するメタライズ処理が必要となる。
【０００４】従来、このメタライズ処理法には、高融点
金属法、同時焼成法、厚膜法、物理蒸着法があり、この
うち、厚膜法は、アルミナ基板上にスクリーン印刷で、
導体パターンを厚膜ペーストにより印刷し、焼成して金
属化膜の電子回路を形成するものである。通常の厚膜ペ
ーストは、約１〜５μｍの粒径を持つ銅等の金属粉末
に、数重量％のガラス粉末を添加し、これらと有機バイ
ンダ，有機溶剤を均一分散させたものである。焼成によ
り得られる金属化膜は、金属化膜と基板との界面付近に
ガラス過剰層が形成され、これによって膜の接着力が生
じる。また、膜表面は金属成分が多いので十分に低い導
通抵抗となり、ハンダ付けも可能となる。
金属法、同時焼成法、厚膜法、物理蒸着法があり、この
うち、厚膜法は、アルミナ基板上にスクリーン印刷で、
導体パターンを厚膜ペーストにより印刷し、焼成して金
属化膜の電子回路を形成するものである。通常の厚膜ペ
ーストは、約１〜５μｍの粒径を持つ銅等の金属粉末
に、数重量％のガラス粉末を添加し、これらと有機バイ
ンダ，有機溶剤を均一分散させたものである。焼成によ
り得られる金属化膜は、金属化膜と基板との界面付近に
ガラス過剰層が形成され、これによって膜の接着力が生
じる。また、膜表面は金属成分が多いので十分に低い導
通抵抗となり、ハンダ付けも可能となる。
【０００５】従来、このような厚膜法は、殆どが低周波
回路基板用に用いられ、厚膜法によるメタライズに使用
されるアルミナ基板は、厚膜ペースト内のガラス分と良
く適合するアルミナ含有率９６％程度のものである。
回路基板用に用いられ、厚膜法によるメタライズに使用
されるアルミナ基板は、厚膜ペースト内のガラス分と良
く適合するアルミナ含有率９６％程度のものである。
【０００６】ところで、高周波回路基板にはアルミナ含
有率９９．５％以上の高純度アルミナ基板が用いられ、
この場合には物理蒸着法による薄膜回路基板として形成
されるが、このものは、厚膜法による厚膜回路基板より
も高価になるという欠点がある。
有率９９．５％以上の高純度アルミナ基板が用いられ、
この場合には物理蒸着法による薄膜回路基板として形成
されるが、このものは、厚膜法による厚膜回路基板より
も高価になるという欠点がある。
【０００７】厚膜法によっても、Ｃｕ厚膜であれば、導
体抵抗が低く、１００μｍ以下のファインパターンも形
成可能であり、マイクロストリップラインやコプレイナ
ウェイブガイドライン，グランデドコプレイナウェイブ
ガイドライン等にすることにより、Ａｕ薄膜導体に匹敵
する性能が得られる。
体抵抗が低く、１００μｍ以下のファインパターンも形
成可能であり、マイクロストリップラインやコプレイナ
ウェイブガイドライン，グランデドコプレイナウェイブ
ガイドライン等にすることにより、Ａｕ薄膜導体に匹敵
する性能が得られる。
【０００８】従って、アルミナ含有率９９．５％以上の
高純度アルミナ基板に、厚膜法を適用して、回路基板を
形成することができるならば、高性能高周波回路基板を
安価に提供することができるものと考えられる。
高純度アルミナ基板に、厚膜法を適用して、回路基板を
形成することができるならば、高性能高周波回路基板を
安価に提供することができるものと考えられる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述の
如く、厚膜法はアルミナ含有率９６％のアルミナ基板に
適用され、従って、従来、市販されているＣｕ厚膜ペー
ストには、ペーストＱＰ１５３（ＤＵＰＯＮＴ社製）、
ペースト９９２２（ＤＵＰＯＮＴ社製）等があるが、い
ずれも９６％純度のアルミナ基板用に開発されたもので
ある。
如く、厚膜法はアルミナ含有率９６％のアルミナ基板に
適用され、従って、従来、市販されているＣｕ厚膜ペー
ストには、ペーストＱＰ１５３（ＤＵＰＯＮＴ社製）、
ペースト９９２２（ＤＵＰＯＮＴ社製）等があるが、い
ずれも９６％純度のアルミナ基板用に開発されたもので
ある。
【００１０】このような９６％純度のアルミナ基板用に
開発された従来のＣｕ厚膜ペーストをアルミナ含有率９
９．５％以上の高純度アルミナ基板に適用した場合、金
属膜の剥離、ペーストのガラス成分の浸出といった不具
合を生じる。
開発された従来のＣｕ厚膜ペーストをアルミナ含有率９
９．５％以上の高純度アルミナ基板に適用した場合、金
属膜の剥離、ペーストのガラス成分の浸出といった不具
合を生じる。
【００１１】例えば、ペーストＱＰ１５３を９９．５％
純度のアルミナ基板に使用すると、形成された金属化膜
（導体パターン）からガラス成分の黄色の浸出物があ
る。
純度のアルミナ基板に使用すると、形成された金属化膜
（導体パターン）からガラス成分の黄色の浸出物があ
る。
【００１２】また、ペースト９９２２を９９．５％純度
のアルミナ基板に使用すると、十分な金属化膜（導体パ
ターン）の接着強度が得られず、大面積の導体パターン
を形成した場合には、その導体パターンの隅角部から剥
離が生じる。これは、アルミナ基板とＣｕパターンとの
熱膨張係数の差により、焼成中にＣｕパターンが収縮し
てアルミナ基板から剥れるためである。
のアルミナ基板に使用すると、十分な金属化膜（導体パ
ターン）の接着強度が得られず、大面積の導体パターン
を形成した場合には、その導体パターンの隅角部から剥
離が生じる。これは、アルミナ基板とＣｕパターンとの
熱膨張係数の差により、焼成中にＣｕパターンが収縮し
てアルミナ基板から剥れるためである。
【００１３】本発明は上記従来の問題点を解決し、アル
ミナ含有率９９．５％の高純度アルミナ基板に対して
も、導体パターンの剥離やガラス成分の浸出といった不
具合を生じることなく、良好な銅厚膜回路を形成するこ
とができる厚膜回路基板及びその製造方法を提供するこ
とを目的とする。
ミナ含有率９９．５％の高純度アルミナ基板に対して
も、導体パターンの剥離やガラス成分の浸出といった不
具合を生じることなく、良好な銅厚膜回路を形成するこ
とができる厚膜回路基板及びその製造方法を提供するこ
とを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】請求項１の厚膜回路基板
は、セラミックス基板に導体成分とガラス成分とを含む
厚膜ペーストを塗布した後焼成することにより、導体パ
ターンを形成してなる厚膜回路基板において、該導体パ
ターンは、ガラス成分中のＰｂＯ含有量が比較的少ない
第１の厚膜ペーストと、ガラス成分中のＰｂＯ含有量が
比較的多い第２の厚膜ペーストとの２種類の厚膜ペース
トにより形成されており、 該第１の厚膜ペーストによ
り前記セラミックス基板上に第１層目の導体パターンが
形成されており、かつ、該第２の厚膜ペーストにより、
該第１層目の導体パターンの少なくとも隅角部を被覆す
る第２層目の導体パターンが形成されていることを特徴
とする。
は、セラミックス基板に導体成分とガラス成分とを含む
厚膜ペーストを塗布した後焼成することにより、導体パ
ターンを形成してなる厚膜回路基板において、該導体パ
ターンは、ガラス成分中のＰｂＯ含有量が比較的少ない
第１の厚膜ペーストと、ガラス成分中のＰｂＯ含有量が
比較的多い第２の厚膜ペーストとの２種類の厚膜ペース
トにより形成されており、 該第１の厚膜ペーストによ
り前記セラミックス基板上に第１層目の導体パターンが
形成されており、かつ、該第２の厚膜ペーストにより、
該第１層目の導体パターンの少なくとも隅角部を被覆す
る第２層目の導体パターンが形成されていることを特徴
とする。
【００１５】請求項２の厚膜回路基板は、請求項１の厚
膜回路基板において、第１の厚膜ペーストが、導体成分
であるＣｕ１００重量部に対してガラス成分を３〜５重
量部含み、ガラス成分中の各酸化物のＣｕ１００重量部
に対する含有割合がＰｂＯ：０．１〜０．７重量部、Ｓ
ｉＯ2 ：０．１〜０．７重量部、Ｂ2 Ｏ3 ：０．１〜
０．７重量部、Ｂｉ2 Ｏ3 ：２〜３．５重量部で実質的
にＷＯ3 を含有しないものであり、第２の厚膜ペースト
が、導体成分であるＣｕ１００重量部に対してガラス成
分を３〜５重量部含み、ガラス成分中の各酸化物のＣｕ
１００重量部に対する含有割合がＰｂＯ：１．５〜３．
５重量部、ＳｉＯ2 ：０．１〜０．７重量部、ＣｄＯ：
０．１〜０．７重量部、Ｂ2 Ｏ3 ：０．１〜０．７重量
部で実質的にＢｉ2 Ｏ3 を含有しないものであることを
特徴とする。
膜回路基板において、第１の厚膜ペーストが、導体成分
であるＣｕ１００重量部に対してガラス成分を３〜５重
量部含み、ガラス成分中の各酸化物のＣｕ１００重量部
に対する含有割合がＰｂＯ：０．１〜０．７重量部、Ｓ
ｉＯ2 ：０．１〜０．７重量部、Ｂ2 Ｏ3 ：０．１〜
０．７重量部、Ｂｉ2 Ｏ3 ：２〜３．５重量部で実質的
にＷＯ3 を含有しないものであり、第２の厚膜ペースト
が、導体成分であるＣｕ１００重量部に対してガラス成
分を３〜５重量部含み、ガラス成分中の各酸化物のＣｕ
１００重量部に対する含有割合がＰｂＯ：１．５〜３．
５重量部、ＳｉＯ2 ：０．１〜０．７重量部、ＣｄＯ：
０．１〜０．７重量部、Ｂ2 Ｏ3 ：０．１〜０．７重量
部で実質的にＢｉ2 Ｏ3 を含有しないものであることを
特徴とする。
【００１６】請求項３の厚膜回路基板は、請求項１又は
２の厚膜回路基板において、セラミックス基板がアルミ
ナ含有率９９．５％以上の高純度アルミナ基板であり、
厚膜ペーストが金属粉末として銅粉末を含有するもので
あることを特徴とする。
２の厚膜回路基板において、セラミックス基板がアルミ
ナ含有率９９．５％以上の高純度アルミナ基板であり、
厚膜ペーストが金属粉末として銅粉末を含有するもので
あることを特徴とする。
【００１７】請求項４の厚膜回路基板は、請求項１ない
し３のいずれか１項の厚膜回路基板において、第２層目
の導体パターンは、第１層目の導体パターンの全面を被
覆するように形成されていることを特徴とする。
し３のいずれか１項の厚膜回路基板において、第２層目
の導体パターンは、第１層目の導体パターンの全面を被
覆するように形成されていることを特徴とする。
【００１８】請求項５の厚膜回路基板は、請求項１ない
し３のいずれか１項の厚膜回路基板において、第２層目
の導体パターンは、第１層目の導体パターンの周縁部の
みを被覆するように形成されていることを特徴とする。
し３のいずれか１項の厚膜回路基板において、第２層目
の導体パターンは、第１層目の導体パターンの周縁部の
みを被覆するように形成されていることを特徴とする。
【００１９】請求項６の厚膜回路基板は、請求項１ない
し３のいずれか１項の厚膜回路基板において、第２層目
の導体パターンは、第１層目の導体パターンの隅角部の
みを被覆するように形成されていることを特徴とする。
し３のいずれか１項の厚膜回路基板において、第２層目
の導体パターンは、第１層目の導体パターンの隅角部の
みを被覆するように形成されていることを特徴とする。
【００２０】請求項７の厚膜回路基板の製造方法は、セ
ラミックス基板に導体成分とガラス成分とを含む厚膜ペ
ーストを塗布した後焼成することにより、導体パターン
を形成する厚膜回路基板の製造方法において、該厚膜ペ
ーストとして、ガラス成分中のＰｂＯ含有量が比較的少
ない第１の厚膜ペーストと、ガラス成分中のＰｂＯ含有
量が比較的多い第２の厚膜ペーストとの２種類の厚膜ペ
ーストを用い、該第１の厚膜ペーストを塗布して前記セ
ラミックス基板上に第１層目の導体パターンに倣う第１
の塗布部を形成した後、該第２の厚膜ペーストを該第１
の塗布部の少なくとも隅角部を被覆するように塗布する
ことを特徴とする。
ラミックス基板に導体成分とガラス成分とを含む厚膜ペ
ーストを塗布した後焼成することにより、導体パターン
を形成する厚膜回路基板の製造方法において、該厚膜ペ
ーストとして、ガラス成分中のＰｂＯ含有量が比較的少
ない第１の厚膜ペーストと、ガラス成分中のＰｂＯ含有
量が比較的多い第２の厚膜ペーストとの２種類の厚膜ペ
ーストを用い、該第１の厚膜ペーストを塗布して前記セ
ラミックス基板上に第１層目の導体パターンに倣う第１
の塗布部を形成した後、該第２の厚膜ペーストを該第１
の塗布部の少なくとも隅角部を被覆するように塗布する
ことを特徴とする。
【００２１】請求項８の厚膜回路基板の製造方法は、請
求項７の方法において、第１の厚膜ペーストが、導体成
分であるＣｕ１００重量部に対してガラス成分を３〜５
重量部含み、ガラス成分中の各酸化物のＣｕ１００重量
部に対する含有割合がＰｂＯ：０．１〜０．７重量部、
ＳｉＯ2 ：０．１〜０．７重量部、Ｂ2 Ｏ3 ：０．１〜
０．７重量部、Ｂｉ2 Ｏ3 ：２〜３．５重量部で実質的
にＷＯ3 を含有しないものであり、第２の厚膜ペースト
が、導体成分であるＣｕ１００重量部に対してガラス成
分を３〜５重量部含み、ガラス成分中の各酸化物のＣｕ
１００重量部に対する含有割合がＰｂＯ：１．５〜３．
５重量部、ＳｉＯ2 ：０．１〜０．７重量部、ＣｄＯ：
０．１〜０．７重量部、Ｂ2 Ｏ3 ：０．１〜０．７重量
部で実質的にＢｉ2 Ｏ3 を含有しないものであることを
特徴とする。
求項７の方法において、第１の厚膜ペーストが、導体成
分であるＣｕ１００重量部に対してガラス成分を３〜５
重量部含み、ガラス成分中の各酸化物のＣｕ１００重量
部に対する含有割合がＰｂＯ：０．１〜０．７重量部、
ＳｉＯ2 ：０．１〜０．７重量部、Ｂ2 Ｏ3 ：０．１〜
０．７重量部、Ｂｉ2 Ｏ3 ：２〜３．５重量部で実質的
にＷＯ3 を含有しないものであり、第２の厚膜ペースト
が、導体成分であるＣｕ１００重量部に対してガラス成
分を３〜５重量部含み、ガラス成分中の各酸化物のＣｕ
１００重量部に対する含有割合がＰｂＯ：１．５〜３．
５重量部、ＳｉＯ2 ：０．１〜０．７重量部、ＣｄＯ：
０．１〜０．７重量部、Ｂ2 Ｏ3 ：０．１〜０．７重量
部で実質的にＢｉ2 Ｏ3 を含有しないものであることを
特徴とする。
【００２２】請求項９の厚膜回路基板の製造方法は、請
求項７又は８の方法において、セラミックス基板がアル
ミナ含有率９９．５％以上の高純度アルミナ基板であ
り、厚膜ペーストが金属粉末として銅粉末を含有するも
のであることを特徴とする。
求項７又は８の方法において、セラミックス基板がアル
ミナ含有率９９．５％以上の高純度アルミナ基板であ
り、厚膜ペーストが金属粉末として銅粉末を含有するも
のであることを特徴とする。
【００２３】請求項１０の厚膜回路基板の製造方法は、
請求項７ないし９のいずれか１項の方法において、第２
の厚膜ペーストを第１の塗布部の全面を被覆するように
塗布することを特徴とする。
請求項７ないし９のいずれか１項の方法において、第２
の厚膜ペーストを第１の塗布部の全面を被覆するように
塗布することを特徴とする。
【００２４】請求項１１の厚膜回路基板の製造方法は、
請求項７ないし９のいずれか１項の方法において、第２
の厚膜ペーストを第１の塗布部の周縁部のみを被覆する
ように塗布することを特徴とする。
請求項７ないし９のいずれか１項の方法において、第２
の厚膜ペーストを第１の塗布部の周縁部のみを被覆する
ように塗布することを特徴とする。
【００２５】請求項１２の厚膜回路基板の製造方法は、
請求項７ないし９のいずれか１項の方法において、第２
の厚膜ペーストを第１の塗布部の隅角部のみを被覆する
ように塗布することを特徴とする。
請求項７ないし９のいずれか１項の方法において、第２
の厚膜ペーストを第１の塗布部の隅角部のみを被覆する
ように塗布することを特徴とする。
【００２６】以下に図面を参照して本発明を詳細に説明
する。
する。
【００２７】図１，図２及び図３は、本発明の厚膜回路
基板の製造方法の実施例を示す平面図である。
基板の製造方法の実施例を示す平面図である。
【００２８】本発明の厚膜回路基板を製造するには、ま
ず、高純度アルミナ基板１等のセラミックス基板上に、
ガラス成分中のＰｂＯ含有量が比較的少ない第１の厚膜
ペースト２を塗布印刷して第１の塗布部を形成した後乾
燥し、次いで、ガラス成分中のＰｂＯ含有量が比較的多
い第２の厚膜ペースト３を、 図１に示す如く、第１の塗布部の全面を被覆するよ
うに、或いは 図２に示す如く、第１の塗布部の周縁部のみを被覆
するように、或いは 図３に示す如く、第１の塗布部の隅角部のみを被覆
するように 塗布印刷した後乾燥し、その後焼成する。
ず、高純度アルミナ基板１等のセラミックス基板上に、
ガラス成分中のＰｂＯ含有量が比較的少ない第１の厚膜
ペースト２を塗布印刷して第１の塗布部を形成した後乾
燥し、次いで、ガラス成分中のＰｂＯ含有量が比較的多
い第２の厚膜ペースト３を、 図１に示す如く、第１の塗布部の全面を被覆するよ
うに、或いは 図２に示す如く、第１の塗布部の周縁部のみを被覆
するように、或いは 図３に示す如く、第１の塗布部の隅角部のみを被覆
するように 塗布印刷した後乾燥し、その後焼成する。
【００２９】なお、焼成は上記の如く、第１の厚膜ペー
ストの塗布部と第２の厚膜ペーストの塗布部とを同時に
行なうものであっても良く、第１の厚膜ペーストを塗布
した後乾燥、焼成し、その後第２の厚膜ペーストを塗布
した後乾燥、焼成しても良い。
ストの塗布部と第２の厚膜ペーストの塗布部とを同時に
行なうものであっても良く、第１の厚膜ペーストを塗布
した後乾燥、焼成し、その後第２の厚膜ペーストを塗布
した後乾燥、焼成しても良い。
【００３０】この厚膜ペーストの塗布方法、乾燥、焼成
条件等は従来と同様のものを採用することができる。
条件等は従来と同様のものを採用することができる。
【００３１】また、第２の厚膜ペーストの塗布範囲は、
形成する導体パターンの面積が小さい場合には、図１に
示す如く、第１の塗布部の全面を被覆するような範囲と
するのが好ましく、形成する導体パターンが大面積があ
る場合には、図２に示す如く第１の塗布部の周縁部の
み、或いは、図３に示す如く第１の塗布部の隅角部のみ
被覆するような範囲とするのが好ましい。
形成する導体パターンの面積が小さい場合には、図１に
示す如く、第１の塗布部の全面を被覆するような範囲と
するのが好ましく、形成する導体パターンが大面積があ
る場合には、図２に示す如く第１の塗布部の周縁部の
み、或いは、図３に示す如く第１の塗布部の隅角部のみ
被覆するような範囲とするのが好ましい。
【００３２】即ち、導体パターンの剥離は、導体パター
ンの縁部で生じるため、第１の塗布部の周縁部或いは隅
角部のみを第２の厚膜ペーストで被覆することによって
も、十分な剥離防止効果を得ることができる。
ンの縁部で生じるため、第１の塗布部の周縁部或いは隅
角部のみを第２の厚膜ペーストで被覆することによって
も、十分な剥離防止効果を得ることができる。
【００３３】なお、図２に示す如く、第１の塗布部の周
縁部のみを第２の厚膜ペーストで被覆する場合、その被
覆する周縁部の幅Ｗは、第１の塗布部の大きさによって
も異なるが、通常の場合、０．５〜１０ｍｍ程度とされ
る。
縁部のみを第２の厚膜ペーストで被覆する場合、その被
覆する周縁部の幅Ｗは、第１の塗布部の大きさによって
も異なるが、通常の場合、０．５〜１０ｍｍ程度とされ
る。
【００３４】また、図３に示す如く、第１の塗布部の隅
角部のみを第２の厚膜ペーストで被覆する場合、その被
覆する隅角部の大きさは、第１の塗布部の大きさによっ
ても異なるが、通常の場合、図３において、幅Ｗが０．
５〜１０ｍｍ，長さａ，ｂが１〜２０ｍｍとなるように
するのが好ましい。
角部のみを第２の厚膜ペーストで被覆する場合、その被
覆する隅角部の大きさは、第１の塗布部の大きさによっ
ても異なるが、通常の場合、図３において、幅Ｗが０．
５〜１０ｍｍ，長さａ，ｂが１〜２０ｍｍとなるように
するのが好ましい。
【００３５】本発明において使用する第１の厚膜ペース
ト及び第２の厚膜ペーストのガラス成分含有量やガラス
成分組成については特に制限はないが、第１の厚膜ペー
ストとしては、導体成分であるＣｕ１００重量部に対し
てガラス成分を３〜５重量部含み、ガラス成分中の各酸
化物のＣｕ１００重量部に対する含有割合がＰｂＯ：
０．１〜０．７重量部、ＳｉＯ2 ：０．１〜０．７重量
部、Ｂ2 Ｏ3 ：０．１〜０．７重量部、Ｂｉ2 Ｏ3 ：２
〜３．５重量部で実質的にＷＯ3 を含有しないものが好
ましい。また、第２の厚膜ペーストとしては、導体成分
であるＣｕ１００重量部に対してガラス成分を３〜５重
量部含み、ガラス成分中の各酸化物のＣｕ１００重量部
に対する含有割合がＰｂＯ：１．５〜３．５重量部、Ｓ
ｉＯ2 ：０．１〜０．７重量部、ＣｄＯ：０．１〜０．
７重量部、Ｂ2 Ｏ3 ：０．１〜０．７重量部で実質的に
Ｂｉ2 Ｏ3 を含有しないものが好ましい。
ト及び第２の厚膜ペーストのガラス成分含有量やガラス
成分組成については特に制限はないが、第１の厚膜ペー
ストとしては、導体成分であるＣｕ１００重量部に対し
てガラス成分を３〜５重量部含み、ガラス成分中の各酸
化物のＣｕ１００重量部に対する含有割合がＰｂＯ：
０．１〜０．７重量部、ＳｉＯ2 ：０．１〜０．７重量
部、Ｂ2 Ｏ3 ：０．１〜０．７重量部、Ｂｉ2 Ｏ3 ：２
〜３．５重量部で実質的にＷＯ3 を含有しないものが好
ましい。また、第２の厚膜ペーストとしては、導体成分
であるＣｕ１００重量部に対してガラス成分を３〜５重
量部含み、ガラス成分中の各酸化物のＣｕ１００重量部
に対する含有割合がＰｂＯ：１．５〜３．５重量部、Ｓ
ｉＯ2 ：０．１〜０．７重量部、ＣｄＯ：０．１〜０．
７重量部、Ｂ2 Ｏ3 ：０．１〜０．７重量部で実質的に
Ｂｉ2 Ｏ3 を含有しないものが好ましい。
【００３６】このような本発明の厚膜回路基板及びその
製造方法は、アルミナ含有率９９．５％以上の高純度ア
ルミナ基板を用い、Ｃｕ厚膜ペーストにより高周波厚膜
回路基板を製造する場合に極めて有用である。
製造方法は、アルミナ含有率９９．５％以上の高純度ア
ルミナ基板を用い、Ｃｕ厚膜ペーストにより高周波厚膜
回路基板を製造する場合に極めて有用である。
【００３７】
【作用】厚膜ペーストで形成される導体パターンの基板
との剥離又はガラス成分の浸出は、用いる厚膜ペースト
のガラス成分中のＰｂＯ含有量に関係する。
との剥離又はガラス成分の浸出は、用いる厚膜ペースト
のガラス成分中のＰｂＯ含有量に関係する。
【００３８】即ち、厚膜ペーストのうち、ガラス成分中
のＰｂＯ含有量の少ないもので形成された導体パターン
は、ガラス成分の浸出については問題はないが、高純度
アルミナ基板との剥離の問題がある。一方、ガラス成分
中のＰｂＯ含有量の多い厚膜ペーストは、上記剥離の問
題はないが、ガラス成分の浸出の問題がある。
のＰｂＯ含有量の少ないもので形成された導体パターン
は、ガラス成分の浸出については問題はないが、高純度
アルミナ基板との剥離の問題がある。一方、ガラス成分
中のＰｂＯ含有量の多い厚膜ペーストは、上記剥離の問
題はないが、ガラス成分の浸出の問題がある。
【００３９】本発明においては、ガラス成分中のＰｂＯ
含有量が比較的少ない第１の厚膜ペーストと、ガラス成
分中のＰｂＯ含有量が比較的多い第２の厚膜ペーストと
を用い、第２の厚膜ペーストで、第１の厚膜ペーストに
よる塗布部の少なくとも隅角部を覆うようにすることに
より、基板上に塗布された第１の厚膜ペーストと、第２
の厚膜ペーストが、焼成中ないし焼成後において混合さ
れて、基板に適合した、基板との接着強度の高い導体パ
ターンを形成し、導体パターンの剥離やガラス成分の浸
出は防止される。
含有量が比較的少ない第１の厚膜ペーストと、ガラス成
分中のＰｂＯ含有量が比較的多い第２の厚膜ペーストと
を用い、第２の厚膜ペーストで、第１の厚膜ペーストに
よる塗布部の少なくとも隅角部を覆うようにすることに
より、基板上に塗布された第１の厚膜ペーストと、第２
の厚膜ペーストが、焼成中ないし焼成後において混合さ
れて、基板に適合した、基板との接着強度の高い導体パ
ターンを形成し、導体パターンの剥離やガラス成分の浸
出は防止される。
【００４０】請求項２，８によれば、上記効果をより一
層確実に得ることができる。
層確実に得ることができる。
【００４１】請求項３，９によれば、高特性かつ安価な
高周波厚膜回路基板が提供される。
高周波厚膜回路基板が提供される。
【００４２】
【実施例】以下に実施例及び比較例を挙げて本発明をよ
り具体的に説明する。
り具体的に説明する。
【００４３】なお、用いたＣｕ厚膜ペーストの組成は下
記表１の通りである。
記表１の通りである。
【００４４】
【表１】
【００４５】実施例１ 図１に示す方法に従って、厚膜回路基板を製造した。
【００４６】アルミナ含有率９９．５％以上の高純度ア
ルミナ基板（９５ｍｍ×１１４ｍｍ×厚さ０．６３５ｍ
ｍ）の一方の面に、第１のＣｕ厚膜ペーストを７０×９
０ｍｍ，乾燥後の厚さ２５μｍにベタパターンで印刷し
た後、１２０℃で１０分間乾燥した。
ルミナ基板（９５ｍｍ×１１４ｍｍ×厚さ０．６３５ｍ
ｍ）の一方の面に、第１のＣｕ厚膜ペーストを７０×９
０ｍｍ，乾燥後の厚さ２５μｍにベタパターンで印刷し
た後、１２０℃で１０分間乾燥した。
【００４７】次いで、第２のＣｕ厚膜ペーストで上記塗
布部に重なるように７０ｍｍ×９０ｍｍ，乾燥後の厚さ
２５μｍに印刷した後、１２０℃で１０分間乾燥した。
布部に重なるように７０ｍｍ×９０ｍｍ，乾燥後の厚さ
２５μｍに印刷した後、１２０℃で１０分間乾燥した。
【００４８】その後、アルミナ基板の他方の面に第１の
Ｃｕ厚膜ペーストで配線パターンを印刷し、１２０℃で
１０分間乾燥した後、窒素雰囲気中、９００℃で６０分
間基板両面を同時焼成した。
Ｃｕ厚膜ペーストで配線パターンを印刷し、１２０℃で
１０分間乾燥した後、窒素雰囲気中、９００℃で６０分
間基板両面を同時焼成した。
【００４９】得られた厚膜回路基板は、導体パターンか
らのガラス成分の浸出もなく、また、導体パターンの剥
離もなく、良好な導体パターンが形成されていた。
らのガラス成分の浸出もなく、また、導体パターンの剥
離もなく、良好な導体パターンが形成されていた。
【００５０】実施例２ 図２に示す方法に従って、厚膜回路基板を製造した。
【００５１】即ち、第２のＣｕ厚膜ペーストを第１のＣ
ｕ厚膜ペーストの塗布部の周縁部にのみ重なるように幅
Ｗ＝１０ｍｍ，乾燥後の厚さ２５μｍに印刷したこと以
外は実施例１と同様にして厚膜回路基板を製造した。
ｕ厚膜ペーストの塗布部の周縁部にのみ重なるように幅
Ｗ＝１０ｍｍ，乾燥後の厚さ２５μｍに印刷したこと以
外は実施例１と同様にして厚膜回路基板を製造した。
【００５２】得られた厚膜回路基板は、導体パターンか
らのガラス成分の浸出もなく、また、導体パターンの剥
離もなく、良好な導体パターンが形成されていた。
らのガラス成分の浸出もなく、また、導体パターンの剥
離もなく、良好な導体パターンが形成されていた。
【００５３】実施例３ 図３に示す方法に従って、厚膜回路基板を製造した。
【００５４】即ち、第２のＣｕ厚膜ペーストを第１のＣ
ｕ厚膜ペーストの塗布部の隅角部にのみ重なるように幅
Ｗ＝１０ｍｍ，ａ＝２０ｍｍ，ｂ＝２０ｍｍ，乾燥後の
厚さ２５μｍに印刷したこと以外は実施例１と同様にし
て厚膜回路基板を製造した。
ｕ厚膜ペーストの塗布部の隅角部にのみ重なるように幅
Ｗ＝１０ｍｍ，ａ＝２０ｍｍ，ｂ＝２０ｍｍ，乾燥後の
厚さ２５μｍに印刷したこと以外は実施例１と同様にし
て厚膜回路基板を製造した。
【００５５】得られた厚膜回路基板は、導体パターンか
らのガラス成分の浸出もなく、また、導体パターンの剥
離もなく、良好な導体パターンが形成されていた。
らのガラス成分の浸出もなく、また、導体パターンの剥
離もなく、良好な導体パターンが形成されていた。
【００５６】比較例１ 実施例１において、第２のＣｕ厚膜ペーストを用いなか
ったこと以外は同様にして厚膜回路基板を製造した。
ったこと以外は同様にして厚膜回路基板を製造した。
【００５７】その結果、得られた厚膜回路基板は、図４
に示す如く、導体パターン４の隅角部において、アルミ
ナ基板１から剥離が生じ、製品とし得なかった。
に示す如く、導体パターン４の隅角部において、アルミ
ナ基板１から剥離が生じ、製品とし得なかった。
【００５８】比較例２ 実施例１において、第１のＣｕ厚膜ペーストを用いなか
ったこと以外は同様にして厚膜回路基板を製造した。
ったこと以外は同様にして厚膜回路基板を製造した。
【００５９】その結果、得られた厚膜回路基板は、導体
パターンから黄色いガラス成分の浸出がみられ、製品と
し得なかった。
パターンから黄色いガラス成分の浸出がみられ、製品と
し得なかった。
【００６０】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の厚膜回路基
板及びその製造方法によれば、導体パターンの剥離やガ
ラス成分の浸出の問題を生じることなく、厚膜法により
良好な導体パターンを形成して、高特性高周波厚膜回路
基板を安価に提供することができる。
板及びその製造方法によれば、導体パターンの剥離やガ
ラス成分の浸出の問題を生じることなく、厚膜法により
良好な導体パターンを形成して、高特性高周波厚膜回路
基板を安価に提供することができる。
【００６１】本発明の厚膜回路基板及びその製造方法
は、特に、アルミナ含有率９９．５％以上の高純度アル
ミナ基板上に広い面積のＣｕ厚膜導体パターンを形成し
て高周波回路基板とする場合に極めて有用である。
は、特に、アルミナ含有率９９．５％以上の高純度アル
ミナ基板上に広い面積のＣｕ厚膜導体パターンを形成し
て高周波回路基板とする場合に極めて有用である。
【図１】本発明の厚膜回路基板の製造方法の一実施例方
法を示す平面図である。
法を示す平面図である。
【図２】本発明の厚膜回路基板の製造方法の他の実施例
方法を示す平面図である。
方法を示す平面図である。
【図３】本発明の厚膜回路基板の製造方法の別の実施例
方法を示す平面図である。
方法を示す平面図である。
【図４】従来法による導体パターンの剥離状況を示す平
面図である。
面図である。
１ アルミナ基板 ２ 第１の厚膜ペースト ３ 第２の厚膜ペースト
Claims (12)
- 【請求項１】 セラミックス基板に導体成分とガラス成
分とを含む厚膜ペーストを塗布した後焼成することによ
り、導体パターンを形成してなる厚膜回路基板におい
て、 該導体パターンは、ガラス成分中のＰｂＯ含有量が比較
的少ない第１の厚膜ペーストと、ガラス成分中のＰｂＯ
含有量が比較的多い第２の厚膜ペーストとの２種類の厚
膜ペーストにより形成されており、 該第１の厚膜ペーストにより前記セラミックス基板上に
第１層目の導体パターンが形成されており、かつ、該第
２の厚膜ペーストにより、該第１層目の導体パターンの
少なくとも隅角部を被覆する第２層目の導体パターンが
形成されていることを特徴とする厚膜回路基板。 - 【請求項２】 請求項１の厚膜回路基板において、第１
の厚膜ペーストが、導体成分であるＣｕ１００重量部に
対してガラス成分を３〜５重量部含み、ガラス成分中の
各酸化物のＣｕ１００重量部に対する含有割合がＰｂ
Ｏ：０．１〜０．７重量部、ＳｉＯ2 ：０．１〜０．７
重量部、Ｂ2 Ｏ3 ：０．１〜０．７重量部、Ｂｉ2 Ｏ
3 ：２〜３．５重量部で実質的にＷＯ3 を含有しないも
のであり、第２の厚膜ペーストが、導体成分であるＣｕ
１００重量部に対してガラス成分を３〜５重量部含み、
ガラス成分中の各酸化物のＣｕ１００重量部に対する含
有割合がＰｂＯ：１．５〜３．５重量部、ＳｉＯ2 ：
０．１〜０．７重量部、ＣｄＯ：０．１〜０．７重量
部、Ｂ2 Ｏ3 ：０．１〜０．７重量部で実質的にＢｉ2
Ｏ3 を含有しないものであることを特徴とする厚膜回路
基板。 - 【請求項３】 請求項１又は２の厚膜回路基板におい
て、セラミックス基板がアルミナ含有率９９．５％以上
の高純度アルミナ基板であり、厚膜ペーストが金属粉末
として銅粉末を含有するものであることを特徴とする厚
膜回路基板。 - 【請求項４】 請求項１ないし３のいずれか１項の厚膜
回路基板において、第２層目の導体パターンは、第１層
目の導体パターンの全面を被覆するように形成されてい
ることを特徴とする厚膜回路基板。 - 【請求項５】 請求項１ないし３のいずれか１項の厚膜
回路基板において、第２層目の導体パターンは、第１層
目の導体パターンの周縁部のみを被覆するように形成さ
れていることを特徴とする厚膜回路基板。 - 【請求項６】 請求項１ないし３のいずれか１項の厚膜
回路基板において、第２層目の導体パターンは、第１層
目の導体パターンの隅角部のみを被覆するように形成さ
れていることを特徴とする厚膜回路基板。 - 【請求項７】 セラミックス基板に導体成分とガラス成
分とを含む厚膜ペーストを塗布した後焼成することによ
り、導体パターンを形成する厚膜回路基板の製造方法に
おいて、 該厚膜ペーストとして、ガラス成分中のＰｂＯ含有量が
比較的少ない第１の厚膜ペーストと、ガラス成分中のＰ
ｂＯ含有量が比較的多い第２の厚膜ペーストとの２種類
の厚膜ペーストを用い、 該第１の厚膜ペーストを塗布して前記セラミックス基板
上に第１層目の導体パターンに倣う第１の塗布部を形成
した後、該第２の厚膜ペーストを該第１の塗布部の少な
くとも隅角部を被覆するように塗布することを特徴とす
る厚膜回路基板の製造方法。 - 【請求項８】 請求項７の方法において、第１の厚膜ペ
ーストが、導体成分であるＣｕ１００重量部に対してガ
ラス成分を３〜５重量部含み、ガラス成分中の各酸化物
のＣｕ１００重量部に対する含有割合がＰｂＯ：０．１
〜０．７重量部、ＳｉＯ2 ：０．１〜０．７重量部、Ｂ
2 Ｏ3 ：０．１〜０．７重量部、Ｂｉ2 Ｏ3 ：２〜３．
５重量部で実質的にＷＯ3 を含有しないものであり、第
２の厚膜ペーストが、導体成分であるＣｕ１００重量部
に対してガラス成分を３〜５重量部含み、ガラス成分中
の各酸化物のＣｕ１００重量部に対する含有割合がＰｂ
Ｏ：１．５〜３．５重量部、ＳｉＯ2 ：０．１〜０．７
重量部、ＣｄＯ：０．１〜０．７重量部、Ｂ2 Ｏ3 ：
０．１〜０．７重量部で実質的にＢｉ2 Ｏ3 を含有しな
いものであることを特徴とする厚膜回路基板の製造方
法。 - 【請求項９】 請求項７又は８の方法において、セラミ
ックス基板がアルミナ含有率９９．５％以上の高純度ア
ルミナ基板であり、厚膜ペーストが金属粉末として銅粉
末を含有するものであることを特徴とする厚膜回路基板
の製造方法。 - 【請求項１０】 請求項７ないし９のいずれか１項の方
法において、第２の厚膜ペーストを第１の塗布部の全面
を被覆するように塗布することを特徴とする厚膜回路基
板の製造方法。 - 【請求項１１】 請求項７ないし９のいずれか１項の方
法において、第２の厚膜ペーストを第１の塗布部の周縁
部のみを被覆するように塗布することを特徴とする厚膜
回路基板の製造方法。 - 【請求項１２】 請求項７ないし９のいずれか１項の方
法において、第２の厚膜ペーストを第１の塗布部の隅角
部のみを被覆するように塗布することを特徴とする厚膜
回路基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14773794A JPH0818201A (ja) | 1994-06-29 | 1994-06-29 | 厚膜回路基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14773794A JPH0818201A (ja) | 1994-06-29 | 1994-06-29 | 厚膜回路基板及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0818201A true JPH0818201A (ja) | 1996-01-19 |
Family
ID=15437008
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14773794A Withdrawn JPH0818201A (ja) | 1994-06-29 | 1994-06-29 | 厚膜回路基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0818201A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011077469A (ja) * | 2009-10-02 | 2011-04-14 | Murata Mfg Co Ltd | セラミック基板の製造方法およびセラミック基板 |
-
1994
- 1994-06-29 JP JP14773794A patent/JPH0818201A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011077469A (ja) * | 2009-10-02 | 2011-04-14 | Murata Mfg Co Ltd | セラミック基板の製造方法およびセラミック基板 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010904 |