JPH0818271A - 電子装置およびそのノイズ抑制方法 - Google Patents
電子装置およびそのノイズ抑制方法Info
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- JPH0818271A JPH0818271A JP6144965A JP14496594A JPH0818271A JP H0818271 A JPH0818271 A JP H0818271A JP 6144965 A JP6144965 A JP 6144965A JP 14496594 A JP14496594 A JP 14496594A JP H0818271 A JPH0818271 A JP H0818271A
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- H10W42/20—Arrangements for protection of devices protecting against electromagnetic or particle radiation, e.g. light, X-rays, gamma-rays or electrons
- H10W42/281—Arrangements for protection of devices protecting against electromagnetic or particle radiation, e.g. light, X-rays, gamma-rays or electrons characterised by their materials
- H10W42/287—Arrangements for protection of devices protecting against electromagnetic or particle radiation, e.g. light, X-rays, gamma-rays or electrons characterised by their materials materials for magnetic shielding, e.g. ferromagnetic materials
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- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Soft Magnetic Materials (AREA)
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 容易に配線基板から外部へ放射するノイズや
配線基板内部での部品間の相互干渉や信号線間の電磁誘
導による誤動作等を抑制する。 【構成】 配線基板１上にＬＳＩ２が実装され、このＬ
ＳＩ２の下の配線基板裏面に配線導体３が配線されてい
る。さらにＬＳＩ２と配線基板１との間に、ＬＳＩ２と
同じ大きさの電磁波干渉抑制体Ａを実装している。電磁
波干渉抑制体Ａは、ＬＳＩ２を実装する前に、ＬＳＩ２
もしくは配線基板１のどちらか一方に固着している。電
磁波干渉抑制体Ａは、ＬＳＩ２が発生する不要輻射ノイ
ズを減衰させるので、ＬＳＩ２と配線導体１との誘導結
合を微弱にして、配線導体３に生ずるノイズを効率的に
抑制する。電磁波干渉抑制体Ａは、導電性支持体と、こ
の導電性支持体の少なくとも一方の面に設けられた絶縁
性軟磁性体層とから成る。
配線基板内部での部品間の相互干渉や信号線間の電磁誘
導による誤動作等を抑制する。 【構成】 配線基板１上にＬＳＩ２が実装され、このＬ
ＳＩ２の下の配線基板裏面に配線導体３が配線されてい
る。さらにＬＳＩ２と配線基板１との間に、ＬＳＩ２と
同じ大きさの電磁波干渉抑制体Ａを実装している。電磁
波干渉抑制体Ａは、ＬＳＩ２を実装する前に、ＬＳＩ２
もしくは配線基板１のどちらか一方に固着している。電
磁波干渉抑制体Ａは、ＬＳＩ２が発生する不要輻射ノイ
ズを減衰させるので、ＬＳＩ２と配線導体１との誘導結
合を微弱にして、配線導体３に生ずるノイズを効率的に
抑制する。電磁波干渉抑制体Ａは、導電性支持体と、こ
の導電性支持体の少なくとも一方の面に設けられた絶縁
性軟磁性体層とから成る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子装置およびそのノ
イズ抑制方法に関し、特に配線基板上に半導体素子等の
誘導性ノイズを放射する能動素子が実装された電子装置
およびその電子装置において、不要電磁波の干渉によっ
て生じる電磁波障害を抑制する方法に関するものであ
る。
イズ抑制方法に関し、特に配線基板上に半導体素子等の
誘導性ノイズを放射する能動素子が実装された電子装置
およびその電子装置において、不要電磁波の干渉によっ
て生じる電磁波障害を抑制する方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、デジタル電子機器をはじめ高周波
を利用する電子機器類の小型化が著しい。特に配線基板
への部品実装密度が高いデジタル電子機器においては、
中央演算処理装置（ＣＰＵ）や画像プロセッサ算術論理
演算装置（ＩＰＡＬＵ）等のＬＳＩ、ＩＣが配線基板上
に実装されている。周知のように、ＬＳＩやＩＣは多数
の半導体素子で構成されている。半導体素子は、外部よ
りエネルギの供給を得て、増幅や発振などの作用を行う
ので、能動素子と呼ばれる。これら半導体素子等の能動
素子は一般に誘導性ノイズを放射する。この誘導性ノイ
ズにより、配線基板の素子実装面と同一面および反対面
には、高周波磁界が誘導される。この誘導高周波磁界に
よって、電磁結合による線間結合が増大したり、放射ノ
イズが発生する。発生した放射ノイズは、装置内部での
誤動作を招くだけでなく、外部接続端子を経て外部へ放
射し、伝導して他の機器に悪影響を及ぼす。このような
誤動作や他の機器への悪影響は、いわゆる電磁波障害と
呼ばれる。
を利用する電子機器類の小型化が著しい。特に配線基板
への部品実装密度が高いデジタル電子機器においては、
中央演算処理装置（ＣＰＵ）や画像プロセッサ算術論理
演算装置（ＩＰＡＬＵ）等のＬＳＩ、ＩＣが配線基板上
に実装されている。周知のように、ＬＳＩやＩＣは多数
の半導体素子で構成されている。半導体素子は、外部よ
りエネルギの供給を得て、増幅や発振などの作用を行う
ので、能動素子と呼ばれる。これら半導体素子等の能動
素子は一般に誘導性ノイズを放射する。この誘導性ノイ
ズにより、配線基板の素子実装面と同一面および反対面
には、高周波磁界が誘導される。この誘導高周波磁界に
よって、電磁結合による線間結合が増大したり、放射ノ
イズが発生する。発生した放射ノイズは、装置内部での
誤動作を招くだけでなく、外部接続端子を経て外部へ放
射し、伝導して他の機器に悪影響を及ぼす。このような
誤動作や他の機器への悪影響は、いわゆる電磁波障害と
呼ばれる。
【０００３】従来、このような電磁波障害に対しては、
次のような対策を施していた。即ち、回路にローパス
フィルタを接続する。問題となる回路を影響を及ぼす
回路から遠ざける。シールディングを行う。グラウ
ンディングを行う。このような手段を講じることによっ
て、従来は電磁波障害の原因となる電磁結合、不要輻射
や伝導ノイズを抑制していた。
次のような対策を施していた。即ち、回路にローパス
フィルタを接続する。問題となる回路を影響を及ぼす
回路から遠ざける。シールディングを行う。グラウ
ンディングを行う。このような手段を講じることによっ
て、従来は電磁波障害の原因となる電磁結合、不要輻射
や伝導ノイズを抑制していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、能動素
子が高密度実装された配線基板において上述した問題を
効率的に処置する場合、従来のノイズ抑制方法では、次
に述べるような欠点がある。即ち、ノイズ対策の専門
的知識と経験を必要とする。ノイズ対策に要する時間
がかかる。使用するフィルタが高価である。フィル
タを実装するスペースに制約がある場合が多い。フィ
ルタの実装作業が容易でない。電子装置を組み立てる
ために所要工数が多くなり所要費用が多額である。
子が高密度実装された配線基板において上述した問題を
効率的に処置する場合、従来のノイズ抑制方法では、次
に述べるような欠点がある。即ち、ノイズ対策の専門
的知識と経験を必要とする。ノイズ対策に要する時間
がかかる。使用するフィルタが高価である。フィル
タを実装するスペースに制約がある場合が多い。フィ
ルタの実装作業が容易でない。電子装置を組み立てる
ために所要工数が多くなり所要費用が多額である。
【０００５】特に、同一回路内の部品間で発生する信号
線間の電磁誘導や不要電磁波による相互干渉を抑制する
場合には、特に充分な対策が必要である。更に、電子装
置の小型化、軽量化を図るには、フィルタおよびその実
装スペースを排除することが必須である。
線間の電磁誘導や不要電磁波による相互干渉を抑制する
場合には、特に充分な対策が必要である。更に、電子装
置の小型化、軽量化を図るには、フィルタおよびその実
装スペースを排除することが必須である。
【０００６】したがって、本発明の課題は、フィルタ等
を用いる代わりに、電子装置そのものを改良して、容易
に配線基板から外部へ放射するノイズや配線基板内部で
の部品間の相互干渉や信号線間の電磁誘導による誤動作
を抑制することにある。
を用いる代わりに、電子装置そのものを改良して、容易
に配線基板から外部へ放射するノイズや配線基板内部で
の部品間の相互干渉や信号線間の電磁誘導による誤動作
を抑制することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の第１の態様によれば、誘導性ノイズを放射
する能動素子が実装された配線基板を含む電子装置にお
いて、配線基板と能動素子との間に挟み込んで設けられ
る電磁波干渉抑制体を有し、この電磁波干渉抑制体は導
電性支持体とこの導電性支持体の少なくとも一方面に設
けられた絶縁性軟磁性体層とを有することを特徴とする
電子装置が得られる。
に、本発明の第１の態様によれば、誘導性ノイズを放射
する能動素子が実装された配線基板を含む電子装置にお
いて、配線基板と能動素子との間に挟み込んで設けられ
る電磁波干渉抑制体を有し、この電磁波干渉抑制体は導
電性支持体とこの導電性支持体の少なくとも一方面に設
けられた絶縁性軟磁性体層とを有することを特徴とする
電子装置が得られる。
【０００８】上記第１の態様による電子装置において、
絶縁性軟磁性体層が、有機結合剤とこの有機結合剤中に
分散される偏平状及び／または針状の軟磁性体粉末とか
ら成ることが好ましい。
絶縁性軟磁性体層が、有機結合剤とこの有機結合剤中に
分散される偏平状及び／または針状の軟磁性体粉末とか
ら成ることが好ましい。
【０００９】本発明の第２の態様によれば、誘導性ノイ
ズを放射する能動素子が実装された配線基板を含む電子
装置における誘導性ノイズを抑制する方法であって、配
線基板と能動素子との間に、導電性支持体と絶縁性軟磁
性体層とを有する電磁波干渉抑制体を挟み込むことを特
徴とする電子装置のノイズ抑制方法が得られる。
ズを放射する能動素子が実装された配線基板を含む電子
装置における誘導性ノイズを抑制する方法であって、配
線基板と能動素子との間に、導電性支持体と絶縁性軟磁
性体層とを有する電磁波干渉抑制体を挟み込むことを特
徴とする電子装置のノイズ抑制方法が得られる。
【００１０】
【作用】電磁波干渉抑制体は、導電性支持体の片面もし
くは両面に絶縁性の軟磁性体層が設けられたものを基本
構成としている。即ち、導電性支持体は、ノイズ源とな
る一方の配線導体及び電子回路に対向する他方の配線導
体及び電子回路に対してシールド効果を呈し、電磁波干
渉を抑制する。一方、不要輻射の反射による電磁結合の
増大化は、絶縁性軟磁性体層により抑制される。絶縁性
軟磁性体層は、例えば、軟磁性粉末と有機結合剤からな
る。この絶縁性軟磁性体層は、本来、伝導性物質である
軟磁性金属を微細粉末化し、絶縁性の有機結合剤と混練
・分散することにより絶縁層となっている。また、軟磁
性体粉末の形状を偏平状もしくは針状とすると、形状磁
気異方向性が出現し、高周波領域にて磁気共鳴に基づく
複素透磁率の増大化が生じ、不要輻射成分を効率的に吸
収、抑制できる。尚、電磁波干渉抑制体は、本出願人が
平成６年１月２０日に出願した、特願平６−４８６４号
に記載されている。
くは両面に絶縁性の軟磁性体層が設けられたものを基本
構成としている。即ち、導電性支持体は、ノイズ源とな
る一方の配線導体及び電子回路に対向する他方の配線導
体及び電子回路に対してシールド効果を呈し、電磁波干
渉を抑制する。一方、不要輻射の反射による電磁結合の
増大化は、絶縁性軟磁性体層により抑制される。絶縁性
軟磁性体層は、例えば、軟磁性粉末と有機結合剤からな
る。この絶縁性軟磁性体層は、本来、伝導性物質である
軟磁性金属を微細粉末化し、絶縁性の有機結合剤と混練
・分散することにより絶縁層となっている。また、軟磁
性体粉末の形状を偏平状もしくは針状とすると、形状磁
気異方向性が出現し、高周波領域にて磁気共鳴に基づく
複素透磁率の増大化が生じ、不要輻射成分を効率的に吸
収、抑制できる。尚、電磁波干渉抑制体は、本出願人が
平成６年１月２０日に出願した、特願平６−４８６４号
に記載されている。
【００１１】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して詳細に
説明する。
説明する。
【００１２】図１に本発明の一実施例による電子装置の
断面を示す。配線基板１上にＬＳＩ２が実装され、この
ＬＳＩ２の下の配線基板１の裏面に配線導体３が配線さ
れている。さらにＬＳＩ２と配線基板１との間に、ＬＳ
Ｉ２と同じ大きさの約半分の電磁波干渉抑制体Ａを実装
している。
断面を示す。配線基板１上にＬＳＩ２が実装され、この
ＬＳＩ２の下の配線基板１の裏面に配線導体３が配線さ
れている。さらにＬＳＩ２と配線基板１との間に、ＬＳ
Ｉ２と同じ大きさの約半分の電磁波干渉抑制体Ａを実装
している。
【００１３】電磁波干渉抑制体Ａは、ＬＳＩ２を実装す
る前に、ＬＳＩ２もしくは配線基板１のどちらか一方に
固着している。電磁波干渉抑制体Ａは、ＬＳＩ２が発生
する高周波電磁界の磁束を集束するので、ＬＳＩ２と配
線導体１との誘導結合を微弱にして、配線導体３に生ず
るノイズを効率的に抑制する。
る前に、ＬＳＩ２もしくは配線基板１のどちらか一方に
固着している。電磁波干渉抑制体Ａは、ＬＳＩ２が発生
する高周波電磁界の磁束を集束するので、ＬＳＩ２と配
線導体１との誘導結合を微弱にして、配線導体３に生ず
るノイズを効率的に抑制する。
【００１４】図２に図１に示した電磁波干渉抑制体Ａの
断面を示す。電磁波干渉抑制体Ａは、導電性支持体４
と、この導電性支持体４の少なくとも一方の面（図２で
は両面）に設けられた絶縁性軟磁性体層５とを有してい
る。導電性支持体４の代わりに軟磁性を呈する導電性軟
磁性支持体を使用しても良い。絶縁性軟磁性体層５は軟
磁性体粉末６と有機結合剤７とを含む。すなわち、有機
結合剤７中に軟磁性粉末６が均一に分散されている。軟
磁性体粉末６の形状は偏平状または／及び針状である。
断面を示す。電磁波干渉抑制体Ａは、導電性支持体４
と、この導電性支持体４の少なくとも一方の面（図２で
は両面）に設けられた絶縁性軟磁性体層５とを有してい
る。導電性支持体４の代わりに軟磁性を呈する導電性軟
磁性支持体を使用しても良い。絶縁性軟磁性体層５は軟
磁性体粉末６と有機結合剤７とを含む。すなわち、有機
結合剤７中に軟磁性粉末６が均一に分散されている。軟
磁性体粉末６の形状は偏平状または／及び針状である。
【００１５】導電性支持体４としては、導電体板、網目
状導電体板、もしくは導電性繊維の織物のうちの一つを
選択できる。また、導電性軟磁性支持体としては、軟磁
性金属板、網目状軟磁性金属板、もしくは軟磁性金属繊
維の織物のうちの一つを選択できる。
状導電体板、もしくは導電性繊維の織物のうちの一つを
選択できる。また、導電性軟磁性支持体としては、軟磁
性金属板、網目状軟磁性金属板、もしくは軟磁性金属繊
維の織物のうちの一つを選択できる。
【００１６】導電性支持体４の具体的な例としては、銅
薄板、ステンレス薄板、アルミニウム薄板等の金属板、
およびそれらに微細な穴開け加工を施した、いわゆる、
パンチングメタル、或いは薄板に微細な切れ目を施した
後に、延伸加工を施した、いわゆる、エキスパンドメタ
ル、或いは細線状の導線を網目状に加工した金網などで
ある。また、導電性軟磁性支持体の具体的な例として
は、同様の形態にて、材質のみが軟磁性を呈するパーマ
ロイ或いは鉄−珪素鋼等に代えれば良い。この場合、比
較的低い周波数での高い電磁波干渉抑制効果を期待でき
る。いずれにしても、用途に応じて選択するのが望まし
い。
薄板、ステンレス薄板、アルミニウム薄板等の金属板、
およびそれらに微細な穴開け加工を施した、いわゆる、
パンチングメタル、或いは薄板に微細な切れ目を施した
後に、延伸加工を施した、いわゆる、エキスパンドメタ
ル、或いは細線状の導線を網目状に加工した金網などで
ある。また、導電性軟磁性支持体の具体的な例として
は、同様の形態にて、材質のみが軟磁性を呈するパーマ
ロイ或いは鉄−珪素鋼等に代えれば良い。この場合、比
較的低い周波数での高い電磁波干渉抑制効果を期待でき
る。いずれにしても、用途に応じて選択するのが望まし
い。
【００１７】偏平状（もしくは針状）の軟磁性体粉末６
としては、高周波透磁率の大きな鉄アルミ珪素合金（セ
ンダスト）、鉄ニッケル合金（パーマロイ）をその代表
的素材として挙げることができる。尚、軟磁性体粉末６
のアスペクト比は十分に大きい（おおよそ５：１以上）
ことが望ましい。
としては、高周波透磁率の大きな鉄アルミ珪素合金（セ
ンダスト）、鉄ニッケル合金（パーマロイ）をその代表
的素材として挙げることができる。尚、軟磁性体粉末６
のアスペクト比は十分に大きい（おおよそ５：１以上）
ことが望ましい。
【００１８】有機結合剤７としては、ポリエステル系樹
脂、ポリ塩化ビニル系樹脂、ポリビニルブチラール樹
脂、ポリウレタン樹脂、セルロース系樹脂、ニトリル−
ブタジエン系ゴム、スチレン−ブタジエン系ゴム等の熱
可塑性樹脂あるいはそれらの共重合体、エポキシ樹脂、
フェノール樹脂、アミド系樹脂、イミド系樹脂等の熱硬
化性樹脂等を挙げることができる。
脂、ポリ塩化ビニル系樹脂、ポリビニルブチラール樹
脂、ポリウレタン樹脂、セルロース系樹脂、ニトリル−
ブタジエン系ゴム、スチレン−ブタジエン系ゴム等の熱
可塑性樹脂あるいはそれらの共重合体、エポキシ樹脂、
フェノール樹脂、アミド系樹脂、イミド系樹脂等の熱硬
化性樹脂等を挙げることができる。
【００１９】図３（ａ）及び図３（ｂ）は、本発明の効
果を検証するにあたって図１に示した電磁環境を想定し
た電磁波干渉抑制体Ａの特性評価系を示す。図３（ａ）
は、透過レベル［ｄＢ］を測定するための評価系であ
り、図３（ｂ）は、結合レベル［ｄＢ］を測定するため
の評価系である。各々の場合とも、電磁界波源用発振器
８及び電磁界強度測定器（受信用素子）９には、ループ
系２ｍｍ以下の電磁界送信用微小ループアンテナ１０、
電磁界受信用微小ループアンテナ１１を用いている。透
過レベルもしくは結合レベルの測定には測定器としてス
ペクトラムアナライザ（図示せず）を使用した。尚、前
述した先願（特願平６−４８６４号）に係る発明では測
定器としてネットワークアナライザを使用している。し
たがって、本発明と先願に係る発明とは測定結果が相違
していることに注意されたい。
果を検証するにあたって図１に示した電磁環境を想定し
た電磁波干渉抑制体Ａの特性評価系を示す。図３（ａ）
は、透過レベル［ｄＢ］を測定するための評価系であ
り、図３（ｂ）は、結合レベル［ｄＢ］を測定するため
の評価系である。各々の場合とも、電磁界波源用発振器
８及び電磁界強度測定器（受信用素子）９には、ループ
系２ｍｍ以下の電磁界送信用微小ループアンテナ１０、
電磁界受信用微小ループアンテナ１１を用いている。透
過レベルもしくは結合レベルの測定には測定器としてス
ペクトラムアナライザ（図示せず）を使用した。尚、前
述した先願（特願平６−４８６４号）に係る発明では測
定器としてネットワークアナライザを使用している。し
たがって、本発明と先願に係る発明とは測定結果が相違
していることに注意されたい。
【００２０】［検証例１］導電性支持体４として１２０
メッシュのステンレス網を用い、この導電性支持体４の
両面に乾燥、硬化後の全厚寸法が０．５ｍｍとなるよう
に、下記の〈組成１〉の配合からなる軟磁性体ペースト 〈組成１〉 偏平状軟磁性体微粉末 …… ９０重量部 組 成：Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金 平均 粒径 ：１０μｍ アスペクト比：＞５ 有機結合剤 ポリウレタン樹脂 …… ８重量部 硬化剤（イソシアネート化合物） …… ２重量部 溶 剤（シクロヘキサノンとトルエンとの化合物） …… ４０重量部 をドクターブレード法により塗工し、８５℃にて２４時
間キュアリングを行い、評価用試料を得た。尚、得ら
れた評価用試料を振動型磁力計並びに走査型電子顕微
鏡を用いて解析したところ、磁化容易軸及び磁性粒子配
向方向は試料面内方向であった。
メッシュのステンレス網を用い、この導電性支持体４の
両面に乾燥、硬化後の全厚寸法が０．５ｍｍとなるよう
に、下記の〈組成１〉の配合からなる軟磁性体ペースト 〈組成１〉 偏平状軟磁性体微粉末 …… ９０重量部 組 成：Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金 平均 粒径 ：１０μｍ アスペクト比：＞５ 有機結合剤 ポリウレタン樹脂 …… ８重量部 硬化剤（イソシアネート化合物） …… ２重量部 溶 剤（シクロヘキサノンとトルエンとの化合物） …… ４０重量部 をドクターブレード法により塗工し、８５℃にて２４時
間キュアリングを行い、評価用試料を得た。尚、得ら
れた評価用試料を振動型磁力計並びに走査型電子顕微
鏡を用いて解析したところ、磁化容易軸及び磁性粒子配
向方向は試料面内方向であった。
【００２１】［検証例２］導電性支持体４として７５μ
ｍのポリイミドフィルムの両面に厚さが３μｍのアルミ
ニウムをスパッタ成膜したものを用いた以外は、［検証
例１］と同様にして評価用試料を得た。
ｍのポリイミドフィルムの両面に厚さが３μｍのアルミ
ニウムをスパッタ成膜したものを用いた以外は、［検証
例１］と同様にして評価用試料を得た。
【００２２】［検証例３］導電性支持体４として７５μ
ｍのポリイミドフィルムの両面に下記の〈組成２〉の銀
ペースト 〈組成２〉 銀微粉末 …… ９５重量部 平均 粒径 ： ３μｍ 有機結合剤 ポリビニルブチラール樹脂 …… ４重量部 硬化剤（イソシアネート化合物） …… １重量部 溶 剤（エチルセルソルブ） …… ３５重量部 を乾燥、硬化後の厚さが６μｍとなるようにドクターブ
レード法にて成膜したものを用いた以外は、［検証例
１］と同様にして評価用試料を得た。
ｍのポリイミドフィルムの両面に下記の〈組成２〉の銀
ペースト 〈組成２〉 銀微粉末 …… ９５重量部 平均 粒径 ： ３μｍ 有機結合剤 ポリビニルブチラール樹脂 …… ４重量部 硬化剤（イソシアネート化合物） …… １重量部 溶 剤（エチルセルソルブ） …… ３５重量部 を乾燥、硬化後の厚さが６μｍとなるようにドクターブ
レード法にて成膜したものを用いた以外は、［検証例
１］と同様にして評価用試料を得た。
【００２３】［比較例１］厚さが１００μｍの銅板を比
較用試料とした。
較用試料とした。
【００２４】［比較例２］略球状の形状を有し、平均粒
径が３０μｍの鉄粉８０重量部をニトリルゴム２０重量
部に練り込み、厚さ０．５ｍｍのシート状を形成し、こ
れを比較用試料とした。
径が３０μｍの鉄粉８０重量部をニトリルゴム２０重量
部に練り込み、厚さ０．５ｍｍのシート状を形成し、こ
れを比較用試料とした。
【００２５】評価用試料〜及び比較用試料および
の透過レベル及び結合レベルを図３（ａ）及び図３
（ｂ）に示す評価系にて測定した結果を図４（ａ）及び
図４（ｂ）、図５（ａ）及び図５（ｂ）に示す。
の透過レベル及び結合レベルを図３（ａ）及び図３
（ｂ）に示す評価系にて測定した結果を図４（ａ）及び
図４（ｂ）、図５（ａ）及び図５（ｂ）に示す。
【００２６】図４（ａ）及び図４（ｂ）は、比較用試料
及びの電磁波干渉抑制効果の周波数特性を示す。図
４（ａ）は透過レベル［ｄＢ］の周波数ｆ［ＧＨｚ］特
性である。ここで、透過レベルの基準は電磁波干渉抑制
体がない状態の電磁界強度とした。図４（ｂ）は結合レ
ベル［ｄＢ］の周波数ｆ［ＧＨｚ］特性である。ここ
で、結合レベルの基準は電磁波干渉抑制体がない状態の
電磁界強度とした。
及びの電磁波干渉抑制効果の周波数特性を示す。図
４（ａ）は透過レベル［ｄＢ］の周波数ｆ［ＧＨｚ］特
性である。ここで、透過レベルの基準は電磁波干渉抑制
体がない状態の電磁界強度とした。図４（ｂ）は結合レ
ベル［ｄＢ］の周波数ｆ［ＧＨｚ］特性である。ここ
で、結合レベルの基準は電磁波干渉抑制体がない状態の
電磁界強度とした。
【００２７】図５（ａ）及び図５（ｂ）は、評価用試料
〜の電磁波干渉抑制効果の周波数特性を示す。図５
（ａ）は透過レベル［ｄＢ］の周波数ｆ［ＧＨｚ］特性
である。ここで、透過レベルの基準は電磁波干渉抑制体
がない状態の電磁界強度とした。図５（ｂ）は結合レベ
ル［ｄＢ］の周波数ｆ［ＧＨｚ］特性である。ここで、
結合レベルの基準は電磁波干渉抑制体がない状態の電磁
界強度とした。
〜の電磁波干渉抑制効果の周波数特性を示す。図５
（ａ）は透過レベル［ｄＢ］の周波数ｆ［ＧＨｚ］特性
である。ここで、透過レベルの基準は電磁波干渉抑制体
がない状態の電磁界強度とした。図５（ｂ）は結合レベ
ル［ｄＢ］の周波数ｆ［ＧＨｚ］特性である。ここで、
結合レベルの基準は電磁波干渉抑制体がない状態の電磁
界強度とした。
【００２８】図４（ａ）及び図４（ｂ）からも判るよう
に、導体（銅箔）のみ［比較例１］の場合では、透過レ
ベルは大幅に低下（−５０ｄＢ以下）するものの、結合
レベルが増大（約＋７ｄｂ）してしまい問題である。一
方、軟磁性で形状異方性のほとんどない球状鉄粉をゴム
に分散させたもの［比較例２］では、結合レベルが低下
（約−０ｄＢ）する傾向を示しているものの、透過減衰
がほとんどなく（透過レベルが約−１ｄＢ）、干渉抑制
の効果がほとんどない。
に、導体（銅箔）のみ［比較例１］の場合では、透過レ
ベルは大幅に低下（−５０ｄＢ以下）するものの、結合
レベルが増大（約＋７ｄｂ）してしまい問題である。一
方、軟磁性で形状異方性のほとんどない球状鉄粉をゴム
に分散させたもの［比較例２］では、結合レベルが低下
（約−０ｄＢ）する傾向を示しているものの、透過減衰
がほとんどなく（透過レベルが約−１ｄＢ）、干渉抑制
の効果がほとんどない。
【００２９】これら従来の電磁波干渉抑制体の効果に対
して、本発明に係る電磁波干渉抑制体（［検証例３］〜
［検証例３］）においては、図５（ａ）及び図５（ｂ）
からも明らかなように、透過レベルが十分低く（−３９
ｄＢ以下）なっているとともに、結合レベルも増大する
ことがない（＋１ｄＢ以下）。したがって、図１に示し
たような電子機器において、不要輻射による反射の影響
を受けることなく、電磁波干渉を効果的に抑制すること
が可能となる。
して、本発明に係る電磁波干渉抑制体（［検証例３］〜
［検証例３］）においては、図５（ａ）及び図５（ｂ）
からも明らかなように、透過レベルが十分低く（−３９
ｄＢ以下）なっているとともに、結合レベルも増大する
ことがない（＋１ｄＢ以下）。したがって、図１に示し
たような電子機器において、不要輻射による反射の影響
を受けることなく、電磁波干渉を効果的に抑制すること
が可能となる。
【００３０】以上、本発明についていくつかの実施例を
挙げて説明したが、本発明は上述した実施例に限定せ
ず、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更が可
能なのはいうまでもない。
挙げて説明したが、本発明は上述した実施例に限定せ
ず、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更が可
能なのはいうまでもない。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ノイズ源
になる半導体素子などのような能動素子とそれに近接す
る配線導体との間に、導電性支持体と絶縁性軟磁性体層
とを有する電磁波干渉抑制体を実装することで、不要電
磁波の反射を増大させることなく、相互干渉の抑制が可
能となる。また、電磁波干渉抑制体は薄板のため、ノイ
ズを抑制するための部品を含めた装置全体として考える
と、従来より小型かつ軽量で、安価な電子装置が得られ
る。なお、本発明に係る電磁波干渉抑制体は、その構成
要素からわかるように、容易に可撓性をもたせることが
可能であり、複雑な形状への対応や厳しい耐振動や衝撃
要求への対応が可能である。
になる半導体素子などのような能動素子とそれに近接す
る配線導体との間に、導電性支持体と絶縁性軟磁性体層
とを有する電磁波干渉抑制体を実装することで、不要電
磁波の反射を増大させることなく、相互干渉の抑制が可
能となる。また、電磁波干渉抑制体は薄板のため、ノイ
ズを抑制するための部品を含めた装置全体として考える
と、従来より小型かつ軽量で、安価な電子装置が得られ
る。なお、本発明に係る電磁波干渉抑制体は、その構成
要素からわかるように、容易に可撓性をもたせることが
可能であり、複雑な形状への対応や厳しい耐振動や衝撃
要求への対応が可能である。
【図１】本発明の一実施例による電子機器を示す概略断
面図である。
面図である。
【図２】図１に示す電子機器に使用される電磁波干渉抑
制体を示す一部断面図である。
制体を示す一部断面図である。
【図３】電磁波干渉抑制体の特性評価に用いた評価系を
示し、（ａ）は透過レベルを測定するための評価系概略
図、（ｂ）は結合レベルを測定するための評価系概略図
である。
示し、（ａ）は透過レベルを測定するための評価系概略
図、（ｂ）は結合レベルを測定するための評価系概略図
である。
【図４】比較用試料及びを図３（ａ）及び図３
（ｂ）の評価系にて測定した電磁波干渉抑制効果の周波
数依存性を示し、（ａ）は透過レベルの周波数特性グラ
フ、（ｂ）は結合レベルの周波数特性グラフである。
（ｂ）の評価系にて測定した電磁波干渉抑制効果の周波
数依存性を示し、（ａ）は透過レベルの周波数特性グラ
フ、（ｂ）は結合レベルの周波数特性グラフである。
【図５】評価用試料〜を図３（ａ）及び図３（ｂ）
の評価系にて測定した電磁波干渉抑制効果の周波数依存
性を示し、（ａ）は透過レベルの周波数特性グラフ、
（ｂ）は結合レベルの周波数特性グラフである。
の評価系にて測定した電磁波干渉抑制効果の周波数依存
性を示し、（ａ）は透過レベルの周波数特性グラフ、
（ｂ）は結合レベルの周波数特性グラフである。
１ 配線基板 ２ ＬＳＩ ３ 配線導体 ４ 導電性支持体 ５ 絶縁性軟磁性体層 ６ 軟磁性体粉末 ７ 有機結合剤 ８ 電磁界波源用発振器 ９ 電磁界強度測定器 １０ 電磁界送信用微小ループアンテナ １１ 電磁界受信用微小ループアンテナ Ａ 電磁波干渉抑制体
Claims (3)
- 【請求項１】 誘導性ノイズを放射する能動素子が実装
された配線基板を含む電子装置において、前記配線基板
と前記能動素子との間に挟み込んで設けられる電磁波干
渉抑制体を有し、該電磁波干渉抑制体は導電性支持体と
該導電性支持体の少なくとも一方面に設けられた絶縁性
軟磁性体層とを有することを特徴とする電子装置。 - 【請求項２】 前記絶縁性軟磁性体層が、有機結合剤と
該有機結合剤中に分散される偏平状及び／または針状の
軟磁性体粉末とから成る、請求項１記載の電子装置。 - 【請求項３】 誘導性ノイズを放射する能動素子が実装
された配線基板を含む電子装置における前記誘導性ノイ
ズを抑制する方法であって、前記配線基板と前記能動素
子との間に、導電性支持体と絶縁性軟磁性体層とを有す
る電磁波干渉抑制体を挟み込むことを特徴とする電子装
置のノイズ抑制方法。
Priority Applications (10)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6144965A JPH0818271A (ja) | 1994-06-27 | 1994-06-27 | 電子装置およびそのノイズ抑制方法 |
| FI950182A FI117224B (fi) | 1994-01-20 | 1995-01-16 | Sähkömagneettinen häiriönpoistokappale, ja sitä soveltavat elektroninen laite ja hybridimikropiirielementti |
| MYPI95000100A MY120407A (en) | 1994-01-20 | 1995-01-17 | Electromagnetic interference suppressing body having low electromagnetic transparency and reflection, and electronic device having the same. |
| CN95100245A CN1075339C (zh) | 1994-01-20 | 1995-01-18 | 电磁穿透性和反射性低的电磁干扰抑制体及其电子装置 |
| US08/374,825 US5864088A (en) | 1994-01-20 | 1995-01-19 | Electronic device having the electromagnetic interference suppressing body |
| EP95100779A EP0667643B1 (en) | 1994-01-20 | 1995-01-20 | Electromagnetic interference suppressing body having low electromagnetic transparency and reflection, and electronic equipment having the same |
| DE69504377T DE69504377T2 (de) | 1994-01-20 | 1995-01-20 | Mittel mit geringer elektromagnetischer Transparenz und Reflexion zur Unterdrückung von elektromagnetischen Interferenzen und damit versehene elektronische Vorrichtung |
| TW084101723A TW263650B (en) | 1994-06-27 | 1995-02-24 | An electronic apparatus and method suppressing its noise |
| US09/159,965 US6448491B1 (en) | 1994-01-20 | 1998-09-24 | Electromagnetic interference suppressing body having low electromagnetic transparency and reflection, and electronic device having the same |
| CNB011169109A CN1199545C (zh) | 1994-01-20 | 2001-04-27 | 电磁穿透性和反射性低的电磁干扰抑制体及其电子装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6144965A JPH0818271A (ja) | 1994-06-27 | 1994-06-27 | 電子装置およびそのノイズ抑制方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0818271A true JPH0818271A (ja) | 1996-01-19 |
Family
ID=15374315
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6144965A Pending JPH0818271A (ja) | 1994-01-20 | 1994-06-27 | 電子装置およびそのノイズ抑制方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0818271A (ja) |
| TW (1) | TW263650B (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997004469A1 (en) * | 1995-07-20 | 1997-02-06 | Tokin Corporation | Composite magnetic material and product for eliminating electromagnetic interference |
| US6545212B1 (en) | 1998-10-27 | 2003-04-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Radiation noise suppressing component attachment structure |
| JP2008047800A (ja) * | 2006-08-21 | 2008-02-28 | Sharp Corp | 電磁波遮蔽シート |
| JP2008181938A (ja) * | 2007-01-23 | 2008-08-07 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 導電性シートおよび導電性シートを用いた電子機器 |
| JP2016219466A (ja) * | 2015-05-14 | 2016-12-22 | トヨタ紡織株式会社 | 電磁波シールド材 |
| JP2018085391A (ja) * | 2016-11-21 | 2018-05-31 | 大同特殊鋼株式会社 | 電磁界シールドシート |
-
1994
- 1994-06-27 JP JP6144965A patent/JPH0818271A/ja active Pending
-
1995
- 1995-02-24 TW TW084101723A patent/TW263650B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997004469A1 (en) * | 1995-07-20 | 1997-02-06 | Tokin Corporation | Composite magnetic material and product for eliminating electromagnetic interference |
| US6545212B1 (en) | 1998-10-27 | 2003-04-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Radiation noise suppressing component attachment structure |
| JP2008047800A (ja) * | 2006-08-21 | 2008-02-28 | Sharp Corp | 電磁波遮蔽シート |
| JP2008181938A (ja) * | 2007-01-23 | 2008-08-07 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 導電性シートおよび導電性シートを用いた電子機器 |
| JP2016219466A (ja) * | 2015-05-14 | 2016-12-22 | トヨタ紡織株式会社 | 電磁波シールド材 |
| JP2018085391A (ja) * | 2016-11-21 | 2018-05-31 | 大同特殊鋼株式会社 | 電磁界シールドシート |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW263650B (en) | 1995-11-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040609 |
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| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20041013 |