JPH081831B2 - 薄膜ｅｌ素子の製造方法 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子の製造方法Info
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- JPH081831B2 JPH081831B2 JP3179461A JP17946191A JPH081831B2 JP H081831 B2 JPH081831 B2 JP H081831B2 JP 3179461 A JP3179461 A JP 3179461A JP 17946191 A JP17946191 A JP 17946191A JP H081831 B2 JPH081831 B2 JP H081831B2
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、各種画像表示デバイス
に使用される薄膜ＥＬ素子の製造方法に関する。
に使用される薄膜ＥＬ素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】薄膜ＥＬ素子は輝度が高く、特性劣化が
少ない利点を有することから、ブラウン管（ＣＲＴ）に
代わる新しい画像表示デバイスとして、特にＯＡ端末用
ディスプレイへの応用が期待されており、フルカラー表
示用ＥＬ発光材料の開発が望まれている。通常このよう
なＥＬ発光材料としては、２族−６族間化合物または３
族−５族間化合物からなる半導体材料、例えば前者にあ
ってはＺｎＳ（硫化亜鉛），ＺｎＳｅ（セレニウム化亜
鉛）などが、後者にあってはＧａＡｓ（ガリウムヒ
素），ＩｎＰ（インジウムリン）などが広く用いられて
いる。
少ない利点を有することから、ブラウン管（ＣＲＴ）に
代わる新しい画像表示デバイスとして、特にＯＡ端末用
ディスプレイへの応用が期待されており、フルカラー表
示用ＥＬ発光材料の開発が望まれている。通常このよう
なＥＬ発光材料としては、２族−６族間化合物または３
族−５族間化合物からなる半導体材料、例えば前者にあ
ってはＺｎＳ（硫化亜鉛），ＺｎＳｅ（セレニウム化亜
鉛）などが、後者にあってはＧａＡｓ（ガリウムヒ
素），ＩｎＰ（インジウムリン）などが広く用いられて
いる。
【０００３】ここでフルカラーを表示可能にするには、
光の３原色である赤（Ｒｅｄ），緑（Ｇｒｅｅｎ），青
（Ｂｌｕｅ）の３種類の単色光、いわゆるＲ，Ｇ，Ｂを
発光させる発光材料の実現が必要となる。また、Ｒ，
Ｇ，Ｂの３色を混合することにより白色が発光可能とな
る。
光の３原色である赤（Ｒｅｄ），緑（Ｇｒｅｅｎ），青
（Ｂｌｕｅ）の３種類の単色光、いわゆるＲ，Ｇ，Ｂを
発光させる発光材料の実現が必要となる。また、Ｒ，
Ｇ，Ｂの３色を混合することにより白色が発光可能とな
る。
【０００４】緑色，黄色といった単色光を呈する薄膜Ｅ
Ｌ素子は、ＺｎＳにＭｎ，Ｃｕを不純物として添加する
ことにより実現されているが、完全に白色を呈するもの
は得られていない。また、最近複数の発光層によるマル
チカラーＥＬ素子が開発されているものの、青色発光層
の輝度や信頼性、さらには製造工程の複雑さなどの問題
から未だ実用化には至っていない。
Ｌ素子は、ＺｎＳにＭｎ，Ｃｕを不純物として添加する
ことにより実現されているが、完全に白色を呈するもの
は得られていない。また、最近複数の発光層によるマル
チカラーＥＬ素子が開発されているものの、青色発光層
の輝度や信頼性、さらには製造工程の複雑さなどの問題
から未だ実用化には至っていない。
【０００５】一方、非晶質炭化珪素（アモルファス炭化
珪素、以後ａ−ＳｉＣ：Ｈと称する）を用いて白色発光
が得られることが発表（柊本他 第２９回応用物理学会
予稿集３ａ−Ｚ−８（昭和５７年春））されて以来、ａ
−ＳｉＣ：Ｈ薄膜の発光輝度の向上や信頼性の改善が試
みられている。
珪素、以後ａ−ＳｉＣ：Ｈと称する）を用いて白色発光
が得られることが発表（柊本他 第２９回応用物理学会
予稿集３ａ−Ｚ−８（昭和５７年春））されて以来、ａ
−ＳｉＣ：Ｈ薄膜の発光輝度の向上や信頼性の改善が試
みられている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところでアモルファス
炭化珪素を用いた従来の薄膜ＥＬ素子では、輝度が低い
ために十分な発光効率が得られないので、実用化に至っ
ていないという問題がある。
炭化珪素を用いた従来の薄膜ＥＬ素子では、輝度が低い
ために十分な発光効率が得られないので、実用化に至っ
ていないという問題がある。
【０００７】輝度が低い原因としては、ａ−ＳｉＣ：Ｈ
中のＳｉとＣが均一に分散してランダムネットワークを
形成しておらず、ポリマー状のＣ−Ｃ結合、あるいはグ
ラファイト状の結合を有するＣ原子を多く含むために、
構造が不均一になってダングリングボンド（未結合手）
密度が高いことが考えられる。このように高密度にダン
グリングボンドが存在すると、これが非発光性再結合中
心として作用するので、発光効率は低くなる。このため
ほとんどＳｉ−Ｃ結合のみからなる均一な構造を有する
ａ−ＳｉＣ：Ｈを形成することが望まれている。
中のＳｉとＣが均一に分散してランダムネットワークを
形成しておらず、ポリマー状のＣ−Ｃ結合、あるいはグ
ラファイト状の結合を有するＣ原子を多く含むために、
構造が不均一になってダングリングボンド（未結合手）
密度が高いことが考えられる。このように高密度にダン
グリングボンドが存在すると、これが非発光性再結合中
心として作用するので、発光効率は低くなる。このため
ほとんどＳｉ−Ｃ結合のみからなる均一な構造を有する
ａ−ＳｉＣ：Ｈを形成することが望まれている。
【０００８】本発明は以上のような問題に対処してなさ
れたもので、高輝度で十分な発光効率が得られる薄膜Ｅ
Ｌ素子の製造方法を提供することを目的とするものであ
る。
れたもので、高輝度で十分な発光効率が得られる薄膜Ｅ
Ｌ素子の製造方法を提供することを目的とするものであ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の薄膜ＥＬ素子の製造方法は、水素化珪素と
フッ化炭素の混合ガス、またはフッ化珪素と炭化水素の
混合ガスを主たる原料として用い、これら混合ガスから
グロー放電分解法によってフッ素が添加されたアモルフ
ァス水素化炭化珪素薄膜の発光層を形成することを特徴
とするものである。
に、本発明の薄膜ＥＬ素子の製造方法は、水素化珪素と
フッ化炭素の混合ガス、またはフッ化珪素と炭化水素の
混合ガスを主たる原料として用い、これら混合ガスから
グロー放電分解法によってフッ素が添加されたアモルフ
ァス水素化炭化珪素薄膜の発光層を形成することを特徴
とするものである。
【００１０】
【００１１】
【作用】本発明の薄膜ＥＬ素子の製造方法によれば、水
素化珪素とフッ化炭素の混合ガス、またはフッ化珪素と
炭化水素の混合ガスを主たる原料として用いて、グロー
放電分解法により形成されたアモルファス水素化炭化珪
素薄膜を発光層として使用するようにしたので、Ｓｉ−
Ｃ結合を多く含む均一な構造のアモルファス水素化炭化
珪素薄膜を形成することができるため、高輝度で十分な
発光効率を得ることができる薄膜ＥＬ素子の製造方法を
提供することができる。
素化珪素とフッ化炭素の混合ガス、またはフッ化珪素と
炭化水素の混合ガスを主たる原料として用いて、グロー
放電分解法により形成されたアモルファス水素化炭化珪
素薄膜を発光層として使用するようにしたので、Ｓｉ−
Ｃ結合を多く含む均一な構造のアモルファス水素化炭化
珪素薄膜を形成することができるため、高輝度で十分な
発光効率を得ることができる薄膜ＥＬ素子の製造方法を
提供することができる。
【００１２】
【実施例】以下図面を参照して本発明の実施例を説明す
る。
る。
【００１３】図１は本発明の薄膜ＥＬ素子の実施例を示
す断面図である。図１において、１４はガラス基板、１
５はガラス基板１４上にスパッタリング法によって０．
２μｍの膜厚に形成された例えばＩＴＯ（酸化インジウ
ム錫）からなる透明電極、１６は透明電極１５上に電子
ビーム蒸着法によって０．２μｍの膜厚に形成された例
えばＹ2 Ｏ3 （酸化イットリウム）からなる第１の誘電
体膜、１７は第１の誘電体膜１６上に後述のようにグロ
ー放電分解法によって０．１５μｍの膜厚に形成された
発光層として働くアモルファス水素化炭化珪素（以下ａ
−ＳｉＣ：Ｈ，Ｆと称する）薄膜、１８はａ−ＳｉＣ：
Ｈ，Ｆ薄膜１７上に前記第１の誘電体膜１６と同様に、
電子ビーム蒸着法によって０．２μｍの膜厚に形成され
た例えばＹ2 Ｏ3 からなる第２の誘電体膜、１９は第２
の誘電体膜１８上に蒸着法によって形成された例えばア
ルミニウムからなる電極である。
す断面図である。図１において、１４はガラス基板、１
５はガラス基板１４上にスパッタリング法によって０．
２μｍの膜厚に形成された例えばＩＴＯ（酸化インジウ
ム錫）からなる透明電極、１６は透明電極１５上に電子
ビーム蒸着法によって０．２μｍの膜厚に形成された例
えばＹ2 Ｏ3 （酸化イットリウム）からなる第１の誘電
体膜、１７は第１の誘電体膜１６上に後述のようにグロ
ー放電分解法によって０．１５μｍの膜厚に形成された
発光層として働くアモルファス水素化炭化珪素（以下ａ
−ＳｉＣ：Ｈ，Ｆと称する）薄膜、１８はａ−ＳｉＣ：
Ｈ，Ｆ薄膜１７上に前記第１の誘電体膜１６と同様に、
電子ビーム蒸着法によって０．２μｍの膜厚に形成され
た例えばＹ2 Ｏ3 からなる第２の誘電体膜、１９は第２
の誘電体膜１８上に蒸着法によって形成された例えばア
ルミニウムからなる電極である。
【００１４】このように本実施例薄膜ＥＬ素子は、発光
層として働くａ−ＳｉＣ：Ｈ，Ｆ薄膜１７が第１及び第
２の誘電体膜１６，１８によって挟まれた二重絶縁体構
造を有している。
層として働くａ−ＳｉＣ：Ｈ，Ｆ薄膜１７が第１及び第
２の誘電体膜１６，１８によって挟まれた二重絶縁体構
造を有している。
【００１５】次に本実施例薄膜ＥＬ素子の製造方法を説
明する。先ず、図５に示すような構成の薄膜作成装置を
用意する。この薄膜作成装置は、高周波電極１１及び上
部電極１２を備えた真空容器１と、排気系２と、第１，
第２及び第３のマスフローコントローラ３，５及び７
と、Ｈ2 源４と、ＳｉＨ4 （水素化珪素）源６と、ＣＦ
4 （フッ化炭素）源８と、高周波電源９と、マッチング
回路１０とを有している。
明する。先ず、図５に示すような構成の薄膜作成装置を
用意する。この薄膜作成装置は、高周波電極１１及び上
部電極１２を備えた真空容器１と、排気系２と、第１，
第２及び第３のマスフローコントローラ３，５及び７
と、Ｈ2 源４と、ＳｉＨ4 （水素化珪素）源６と、ＣＦ
4 （フッ化炭素）源８と、高周波電源９と、マッチング
回路１０とを有している。
【００１６】このような薄膜作成装置を用いて、先ず真
空容器１内の上部電極１２に図１の薄膜ＥＬ素子を製造
すべきガラス基板１４を載置する。この場合ガラス基板
１４としては、透明電極１５及び第１の誘電体膜１６を
形成済みのものを用いるようにする。この状態で真空容
器１内を排気系２によって１×１０-7Torrの高真空に排
気する。
空容器１内の上部電極１２に図１の薄膜ＥＬ素子を製造
すべきガラス基板１４を載置する。この場合ガラス基板
１４としては、透明電極１５及び第１の誘電体膜１６を
形成済みのものを用いるようにする。この状態で真空容
器１内を排気系２によって１×１０-7Torrの高真空に排
気する。
【００１７】次に、第１のマスフローコントローラ３に
よりＨ2 源４から５０sccmの流量に調整されたＨ2 ガス
を真空容器１内に導入する。続いて、第２及び第３のマ
スフローコントローラ５及び７により各々ＳｉＨ4 源６
及びＣＦ4 源８から、１．５sccm及び３．５sccmの流量
に調整されたＳｉＨ4 及びＣＦ4 を導入する。各流量が
安定しかつ真空容器１内のガス圧が安定した後、排気系
２の排気速度を調整して真空容器１内の圧力を０．１To
rrに保持する。
よりＨ2 源４から５０sccmの流量に調整されたＨ2 ガス
を真空容器１内に導入する。続いて、第２及び第３のマ
スフローコントローラ５及び７により各々ＳｉＨ4 源６
及びＣＦ4 源８から、１．５sccm及び３．５sccmの流量
に調整されたＳｉＨ4 及びＣＦ4 を導入する。各流量が
安定しかつ真空容器１内のガス圧が安定した後、排気系
２の排気速度を調整して真空容器１内の圧力を０．１To
rrに保持する。
【００１８】続いて、高周波電源９（周波数１３．５６
ＭＨｚ）からマッチング回路１０を介して、真空容器１
内の高周波電極１１に５０Ｗの高周波電力を供給する
と、高周波電極１１と上部電極１２との間でグロー放電
プラズマが発生する。なお、上部電極１２の高周波電極
１１と対向する面に載置されたガラス基板１４は、上部
電極１２内に設けられた加熱機構により１００℃に加熱
されている。この状態で上記反応ガスのグロー放電を７
０分間行うことにより、分解したａ−ＳｉＣ：Ｈ，Ｆ薄
膜１７が０．１５μｍの膜厚で第１の誘電体膜１６上に
堆積した。
ＭＨｚ）からマッチング回路１０を介して、真空容器１
内の高周波電極１１に５０Ｗの高周波電力を供給する
と、高周波電極１１と上部電極１２との間でグロー放電
プラズマが発生する。なお、上部電極１２の高周波電極
１１と対向する面に載置されたガラス基板１４は、上部
電極１２内に設けられた加熱機構により１００℃に加熱
されている。この状態で上記反応ガスのグロー放電を７
０分間行うことにより、分解したａ−ＳｉＣ：Ｈ，Ｆ薄
膜１７が０．１５μｍの膜厚で第１の誘電体膜１６上に
堆積した。
【００１９】続いて、周知の電子ビーム蒸着法によって
第２の誘電体膜１８及び電極１９を形成することによ
り、図１の構造の薄膜ＥＬ素子が得られる。
第２の誘電体膜１８及び電極１９を形成することによ
り、図１の構造の薄膜ＥＬ素子が得られる。
【００２０】このとき得られたａ−ＳｉＣ：Ｈ，Ｆ薄膜
１７には、約３５ａｔｍ％のフッ素（Ｆ）が含まれてお
り、ダングリングボンドはほとんどＦ原子によりターミ
ネイトされているため、ＥＳＲスピン密度は検出限界以
下であった。なお、本発明者らは、フッ素の含まれる濃
度Ｘ（ａｔｍ％）は５乃至５０の範囲が望ましいことを
確かめた。
１７には、約３５ａｔｍ％のフッ素（Ｆ）が含まれてお
り、ダングリングボンドはほとんどＦ原子によりターミ
ネイトされているため、ＥＳＲスピン密度は検出限界以
下であった。なお、本発明者らは、フッ素の含まれる濃
度Ｘ（ａｔｍ％）は５乃至５０の範囲が望ましいことを
確かめた。
【００２１】図２は、ＳｉＨ4 源６及びＣＦ4 源８から
真空容器１内に導入されるＳｉＨ4 及びＣＦ4 の流量比
を変えて形成した、ａ−ＳｉＣ：Ｈ，Ｆ薄膜１７の光学
的エネルギーギャップ（Ａ）を示すものである。比較の
ため従来のａ−ＳｉＣ：Ｈ薄膜の光学的エネルギーギャ
ップ（Ｂ）を示す。図２から明らかなように、本実施例
による光学的エネルギーギャップ（Ａ）は最大で３．６
ｅＶを示しており、従来例のそれ（Ｂ）に比べて広くな
っている。
真空容器１内に導入されるＳｉＨ4 及びＣＦ4 の流量比
を変えて形成した、ａ−ＳｉＣ：Ｈ，Ｆ薄膜１７の光学
的エネルギーギャップ（Ａ）を示すものである。比較の
ため従来のａ−ＳｉＣ：Ｈ薄膜の光学的エネルギーギャ
ップ（Ｂ）を示す。図２から明らかなように、本実施例
による光学的エネルギーギャップ（Ａ）は最大で３．６
ｅＶを示しており、従来例のそれ（Ｂ）に比べて広くな
っている。
【００２２】本実施例薄膜ＥＬ素子の製造方法において
は、ＳｉＨn ＋ＣＦm →ＳｉＨn-1 ＣＦm-1 ＋ＨＦの反
応が優先的に起こる。このため、Ｓｉ−Ｓｉ，Ｃ−Ｃな
どの結合を作りにくいので、Ｓｉ−Ｃ結合を多く含む均
一な構造のａ−ＳｉＣ：Ｈ，Ｆ薄膜を形成することがで
きる。従って、図に示したように光学的エネルギーギャ
ップが広くなり、かつ欠陥準位密度の低いａ−ＳｉＣ：
Ｈ，Ｆ薄膜を得ることができる。これによって、高輝度
で十分な発光特性を得ることができる。
は、ＳｉＨn ＋ＣＦm →ＳｉＨn-1 ＣＦm-1 ＋ＨＦの反
応が優先的に起こる。このため、Ｓｉ−Ｓｉ，Ｃ−Ｃな
どの結合を作りにくいので、Ｓｉ−Ｃ結合を多く含む均
一な構造のａ−ＳｉＣ：Ｈ，Ｆ薄膜を形成することがで
きる。従って、図に示したように光学的エネルギーギャ
ップが広くなり、かつ欠陥準位密度の低いａ−ＳｉＣ：
Ｈ，Ｆ薄膜を得ることができる。これによって、高輝度
で十分な発光特性を得ることができる。
【００２３】また、本実施例によって得られたａ−Ｓｉ
Ｃ：Ｈ，Ｆ薄膜は、非輻射再結合中心であるダングリン
グボンド密度が非常に少ないので、発光効率は約１桁以
上高くなる。
Ｃ：Ｈ，Ｆ薄膜は、非輻射再結合中心であるダングリン
グボンド密度が非常に少ないので、発光効率は約１桁以
上高くなる。
【００２４】図３はａ−ＳｉＣ：Ｈ，Ｆ薄膜をレーザ光
で励起した場合のＰＬ（フォトルミネッセンス）強度の
スペクトルを示すもので、本実施例によるＰＬ強度
（Ａ）は従来のａ−ＳｉＣ：Ｈ薄膜のＰＬ強度（Ｂ）に
比較し約２０倍大きくとることができる。これによって
短波長（青色領域）側の発光強度を大きくすることがで
きるため、白色発光を呈することができるようになる。
レーザ光に代えて交流電界で励起しても同様な効果を得
ることができる。
で励起した場合のＰＬ（フォトルミネッセンス）強度の
スペクトルを示すもので、本実施例によるＰＬ強度
（Ａ）は従来のａ−ＳｉＣ：Ｈ薄膜のＰＬ強度（Ｂ）に
比較し約２０倍大きくとることができる。これによって
短波長（青色領域）側の発光強度を大きくすることがで
きるため、白色発光を呈することができるようになる。
レーザ光に代えて交流電界で励起しても同様な効果を得
ることができる。
【００２５】図４は本実施例によって得られた薄膜ＥＬ
素子と従来のａ−ＳｉＣ：Ｈ薄膜を用いたＥＬ素子と
の、発光輝度の経時変化を示すものである。１３０Ｖ
（交流１ＫＨｚ）の通電試験を行ったところ、従来素子
（Ｂ）は１時間で初期の半分まで低下しているのに対
し、本実施例素子（Ａ）では１０００時間後も初期特性
を維持しており、輝度の変化は見られなかった。
素子と従来のａ−ＳｉＣ：Ｈ薄膜を用いたＥＬ素子と
の、発光輝度の経時変化を示すものである。１３０Ｖ
（交流１ＫＨｚ）の通電試験を行ったところ、従来素子
（Ｂ）は１時間で初期の半分まで低下しているのに対
し、本実施例素子（Ａ）では１０００時間後も初期特性
を維持しており、輝度の変化は見られなかった。
【００２６】この信頼性の高さは、Ｓｉ−Ｆ結合及びＣ
−Ｆ結合が非常に安定であることを示しており、熱エネ
ルギーや光エネルギーによって結合は切られず、構造変
化が起きないためである。
−Ｆ結合が非常に安定であることを示しており、熱エネ
ルギーや光エネルギーによって結合は切られず、構造変
化が起きないためである。
【００２７】また本実施例によれば、発光開始電圧Ｖｔ
ｈは約１００Ｖが得られ、従来例より約５０Ｖ低くする
ことができる。かつ、図３に示したような発光スペクト
ルが得られ、可視光領域全体にスペクトルが広がってい
ることにより明るい白色を呈する。また、輝度は５００
ｆＬ（フートランバート）とディスプレイに充分応用可
能な値が得られた。さらに本実施例により、発光輝度の
高さのみならず前記のように信頼性の高さにおいても特
筆すべき性能が得られた。
ｈは約１００Ｖが得られ、従来例より約５０Ｖ低くする
ことができる。かつ、図３に示したような発光スペクト
ルが得られ、可視光領域全体にスペクトルが広がってい
ることにより明るい白色を呈する。また、輝度は５００
ｆＬ（フートランバート）とディスプレイに充分応用可
能な値が得られた。さらに本実施例により、発光輝度の
高さのみならず前記のように信頼性の高さにおいても特
筆すべき性能が得られた。
【００２８】なお、本実施例において用いた誘電体層と
してはＹ2 Ｏ3 に例をとって示したが、これに限らずＢ
ａＴｉＯ3 ，ＰｂＴｉＯ3 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＮなどを
用いても良い。さらに、透明電極もＩＴＯの代りにＳｎ
Ｏ2 ，ＺｎＯなどを用いても良い。また、本文例におい
てはＳｉＨ4 とＣＦ4 の混合ガスを用いてグロー放電を
行う例で示したが、これに限らずＳｉＦ4とＣＨ4 の混
合ガスを用いても同様な結果を得ることができる。要す
るに水酸化物とフッ素化物の混合ガスを用いて反応させ
れば良い。
してはＹ2 Ｏ3 に例をとって示したが、これに限らずＢ
ａＴｉＯ3 ，ＰｂＴｉＯ3 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＮなどを
用いても良い。さらに、透明電極もＩＴＯの代りにＳｎ
Ｏ2 ，ＺｎＯなどを用いても良い。また、本文例におい
てはＳｉＨ4 とＣＦ4 の混合ガスを用いてグロー放電を
行う例で示したが、これに限らずＳｉＦ4とＣＨ4 の混
合ガスを用いても同様な結果を得ることができる。要す
るに水酸化物とフッ素化物の混合ガスを用いて反応させ
れば良い。
【００２９】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、フッ
素が添加されたアモルファス水素化炭素珪素薄膜を発光
層として用いる薄膜ＥＬ素子の製造方法を提供するによ
うしたので、高輝度で十分な発光効率を得ることができ
る。
素が添加されたアモルファス水素化炭素珪素薄膜を発光
層として用いる薄膜ＥＬ素子の製造方法を提供するによ
うしたので、高輝度で十分な発光効率を得ることができ
る。
【図１】本発明の実施例によって得られた薄膜ＥＬ素子
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図２】本実施例によって得られた素子の発光層と従来
素子の発光層との光学的エネルギーギャップを比較する
特性図である。
素子の発光層との光学的エネルギーギャップを比較する
特性図である。
【図３】本実施例によって得られた素子の発光層と従来
素子の発光層とのフォトルミネッセンス強度を比較する
特性図である。
素子の発光層とのフォトルミネッセンス強度を比較する
特性図である。
【図４】本実施例によって得られた素子と従来素子との
輝度特性を比較する特性図である。
輝度特性を比較する特性図である。
【図５】本実施例に用いる薄膜作成装置の構成を示すブ
ロック図である。
ロック図である。
１５ 透明電極 １６ 第１の誘電体膜 １７ フッ素が添加されたアモルファス水素化炭化珪素
薄膜 １８ 第２の誘電体膜
薄膜 １８ 第２の誘電体膜
Claims (1)
- 【請求項１】 水素化珪素とフッ化炭素の混合ガス、ま
たはフッ化珪素と炭化水素の混合ガスを主たる原料とし
て用い、これら混合ガスからグロー放電分解法によって
フッ素が添加されたアモルファス水素化炭化珪素薄膜の
発光層を形成することを特徴とする薄膜ＥＬ素子の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3179461A JPH081831B2 (ja) | 1991-07-19 | 1991-07-19 | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3179461A JPH081831B2 (ja) | 1991-07-19 | 1991-07-19 | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0529079A JPH0529079A (ja) | 1993-02-05 |
| JPH081831B2 true JPH081831B2 (ja) | 1996-01-10 |
Family
ID=16066260
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3179461A Expired - Fee Related JPH081831B2 (ja) | 1991-07-19 | 1991-07-19 | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH081831B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5956477A (ja) * | 1982-09-27 | 1984-03-31 | Toshiba Corp | 薄膜ｅｌ素子およびその製造方法 |
| JP2570321B2 (ja) * | 1987-10-23 | 1997-01-08 | ミノルタ株式会社 | 発光素子およびその製造方法 |
-
1991
- 1991-07-19 JP JP3179461A patent/JPH081831B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0529079A (ja) | 1993-02-05 |
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